TW201249600A - Processing method for silicon target surface - Google Patents

Description

201249600 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種石綠材表面處理方法，特別是一種 能夠去除錄材表面微裂痕之神材表面處理方法。 【先前技術】 見今；賤鑛錢膜之方法係廣泛應用 食品包㈣等，且於找製造業中又 =膜或氣化物膜)的使用比例較高。其中，該介質膜的 ==化石夕薄膜為主’藉以利用該氧化石夕薄膜具有光 :〜、穩定性、化學惰性等不同之特點運用於不同之 產業’而具有較佳的經濟效益。 ”作材作為原料’採用反船續鍍法於基 婷广面氧化矽薄膜，以將該矽靶材置於濺鍍腔室後持 氧氣’使得财树表面逐漸生成氧切膜，再經 初水爲擊該石夕革巴材表面的氧化石夕膜，而使該氧化石夕 的缝=灿脫離沉積於該基材上，以完成氧化碎薄膜 然而，氡化矽薄膜的濺鍍過程係屬反應性濺鍍， 膜鐘中遠石夕乾材會與氧氣持續作用而反覆生成氧化石夕 材未經二擊之5^具有預定間距’以致於該_ 矽靶材具=擊處逐漸堆疊氧化矽膜。由於該氧化矽膜與 膨脹係數高:=脹係數’往往容易因靖材的熱 收縮或膨脹，而於同樣環境下具有較大幅度的 逆而於冷熱交替的濺鍍過程中形成不同的應 —4 201249600 力，使得該氧切膜鱗姆表面產生接 導致該氧化雜步剝離。如此，係嚴重降低;上:而 使用=!嫩積於，的氧化=質 於該石夕靶材表面貝===’多數業者係 =峨面粗度達3.。微米)翁二== 鍍的過程可以於同時間生成較多的氧化矽胺度濺 氧化石夕膜的沉積品質與效率。 、’⑽提升該 然而，經噴砂處理後的矽乾材雖增 於同時間下生成較多的氧化石夕膜， 材上生成較多二= =有氧化鶴卿表面剝離：== :於=材表_大量增加而導致該氧化頻大n :、在仍然热法延長該石夕乾材的使用壽命，以及有 效解決該氧化石夕膜沉積品質與效率不佳之問題。 工(如者更財種麵處财法_殊材進行加 1機械研磨、拋光、化學钱刻等），以期望解決氧化石夕 3 象、。然而，習用以機械研磨(如樹脂砂輪、陶竞 二Ί、氏等；)進订表面處理的方法通常僅能於該石夕無材表 :做淺層研磨以改變該石夕乾材表面的粗糙度，以及去除殘 石夕㈣表面之碎化物，以致於傳統機械研磨的作法 曰然法伸人鮮轉表面的微孔隙均句施予研磨切削 201249600 力：，以有效解決該矽靶材表面微裂痕之問題。甚至，使用 化學飯刻技術對殊材進行表面處理時，更可能因化學钱 刻溶液與殊材進行反編產生新的魏物質，使得該石夕 婦表面;ϊ；僅生成氧切膜更同時坡財魏物f，而於 後續电漿轟抑崎時共同沉積於基材之表面。如此，該 2學烟後的㈣材用於频生成氧切薄膜的品質著 貫^々人堪憂。 有鑑於此’禮實有必要發展一種足以有效去除 材表面《痕之抑材表面處理方法 魏材^ 賤鍍過程所衍伸的種種問題。 職树乾材於 【發明内容】 个知月之主要目的係提供一 法，其係能夠伸入石夕革巴材表面的微孔/均乾句=;=理方 石夕乾材_之情形 砂痕，而延缓氧切膜自該 法，目㈣提供—_㈣表面處理* 的效率切姆的使轉命，簡升濺絲化石夕膜 為達到前述發明目的，本發明 ::=:^:行研磨== 力，以去除該矽靶材表面之微裂痕施予研磨切削 面微裂痕麵㈣粗賴為(U至G.3微ζ作材去除表 其中’該數彈性針狀物係形成-鑽石毛刷，以利用該 一 6 一 6 201249600 摻鑽石顆材進订研磨，該彈性針狀物係由塑膠混 卡該鑽石毛刷之型號係為⑽〜_號。 【實施方式】 純咖目的，及優點能更明顯 作詳細說明如下：X认佳實施例’並配合所附圖式， 性針狀土只知例之石夕乾材表面處理方法’係以數彈 誃料好本—石綠材進行研磨’使得該數彈性針狀物伸入 靶射、面的微孔隙均勻施予研磨切削力，以去除該石夕 ^面之微H其巾卿㈣技絲自 面粗度係為0.1至〇.3微米。 ㈣表 更詳言之，係利用該數彈性針狀物所形 :該_材進行表面研磨處理，由於該鑽石毛刷表= :、有焉密度的彈性針狀物，且該彈性針狀物係由塑性 如塑膠、橡膠等)混摻鑽石顆粒而成，故該鑽石毛刷係具 有車乂佳的彈性及排列間隙。當該鑽石毛刷對該石夕乾材進行 研磨的過程中，於該石夕乾材表面研磨生成的碎屬係能夠_ 易自各該彈性針狀物排列間所存在的微細間隙排出，藉^ 避免該些研磨碎屑對該錄材表面造成二度破壞而於該石夕 材表面的微孔隙產生更嚴重的微裂痕；再且，更可以利 用該鑽石毛刷表面的數彈性針狀物伸入該錄材表面的微 孔隙進灯點狀施力，以藉由該點狀施力的研磨方法對該石夕 乾材表面產生平均的切削力度，以撫平該石夕乾材表面的不 201249600 均勻顆粒，甚至伸入該石夕革姑矣 微裂痕，使得該抑材表面粗其表面的 該鑽石毛刷係可以選擇由線徑為Q 未。其中， 物所組成，且該鑽石毛刷 .$米之彈性針狀 號;另外，該鑽石毛刷較:::可;選：：。 齡職趣之轉速龍錄材進行μ 舉例而言，本實施缝佳係卿 毫米且型縣200號_石毛刷 、▲授為％ 較佳係以每次研磨量為〇·〇5〜〇 ΐ5_的二=二:且 材進行研磨，使該鑽石毛刷平均_ 孔隙，進而去除該殊材表面的微裂痕，且 面粗度研磨至（U微米後，以清水洗淨該石夕乾；；^表 乾Γ,即可獲得去除表面微裂痕的石夕崎。 同之方法去除該彻表面的微裂痕，且同樣; 表面粗度研磨至（U微米後，以清水洗淨财灿;夕2 以高= 卜氣^燥，以獲得去除表面為裂痕的石夕崎再 一具有:===， 為，氧化:膜所需的原料，以於賴轟擊:= 乍 時此夠於基材上崎$ Μ較佳的氧切膜。/ ，由本發@之外材處财法 可以藉由該鑽石毛刷表面的數彈性針狀物排列二1才= 从細間隙’以及衫度彈性針狀物組成該鑽石毛刷所= 201249600 的Γ圭彈性，進一步深入該石夕乾材表面的微孔隙均勾施予 ==力，且同時經由該數微細間隙排除研磨碎屑，以 避免该些研磨碎屑對雜材表面的二次撞擊，而能 除云該矽靶材表面所產生的數微裂痕 粗度維持於0J微米。夢此，不m ^夕乾材表卸 奸矣品P 械木猎此不僅可以延緩生成於該石綠 賴產生剝離之現象，而於該_材表面獲 付厚度較佳的氧化石夕膜，以同時將該 最初的每小時1000〜1200千m h材的使用可〒由 千瓦㈣it騎小時2800 濺錢的過程中持續於該石綠材』於反應性 滅鍍氧切媒於基材表面的較佳品膜’以维持 為:證實本發明利_石毛卿_树進行研磨 <相較於f用的機械研磨及化學 除該简面之微裂痕，達到延緩氧化== :::象。本實施_掃描式電子：：： mlcroscopy，SEM)觀察該 果係如第1至3圖所示。 /、、'·。 砂所心其她2GG號的鑽石砂輪(陶究 的該殊材表面厚度去除0.5麵後 曰 材的表面粗度為u微米。由圖示中 央位置可明顯看到箭頭所指處具有 樣’該不規則的晶相態樣即代表==相態 裂痕。如扑，，、,1 , ± 杷材表面所生成之微 除宜表面卿_ Γ磨财㈣核面後無法有效去 二:=射痕’《致於仍然存在氧切膜自财树剝 201249600 °月參如第2圖所示，龙传 斤 材進行钱刻且持續以超音波魏化鉀溶液封該殊 氫氧化卸溶液之重量百 ^…鐘後的結果，其令該 置可明顯看到箭頭所指處為由圖示t央位 則的晶相態樣即代表該外材表2晶㈣樣，該不規 此，以氫氧化卸溶祕刻财 生^微裂痕。如 之 表面微裂痕，以致於仍然存二有效去除其 隱憂。 b夕膜自該矽靶材剝離 請參照第3及4圖所示， 二號之鑽石毛刷對卿研磨至二 現情的晶相態樣，而^如均第可^出她材表面呈 相，以此證實經由本發明鑽石=圖所示之不規則晶 可以有效去除其表面微裂痕，進 ^石夕乾材表面後係 材剝離之現象。如此，確實 、、，”切膜自該矽靶 得品質較佳的氧化矽膜。 寻於基材表面獲 本發明之石夕乾材表面處理方法 面微裂痕，以達到延緩氧化鄉㈣除料材表 本發明之#材表面處理方“能效。 使用::本:達到提物氧化，效率及品 .雖然本②明已彻上述較佳實施例揭示，㊉ 以限定她*物娜恤_树明之精神 201249600 和範園之内’相對上述實施例進行各種更動與修改仍屬本 發明所保護之技術範#，因此本發明之保護範圍當視後附 之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖：本發明以鑽石砂輪處理之外材表面晶相圖。 第2圖：本發明以氫氧化卸處理之外材表面晶相圖。 第3圖：本發明α鑽石毛刷處理之石夕&材表面晶相圖一。 第4圖：本發明以鑽石毛刷處理之石夕乾材表面晶相圖二。 【主要元件符號說明】 〔本發明〕 (無）

Claims (1)

1. 201249600 七、申請專利範園·· 種石夕乾材表面處理方、。 村進行研磨’使得該數彈性針性針狀物對-矽乾 微孔隙均勻辭^錄材表面的 裂痕’其中該錄材去广/j去除卿姆表面之微 0.1至0.3微米。Ή核賴的表面粗度係為 2 ί=Γ第1項所述之錄材表面處理方法，其 狀物係形成一鑽石毛刷’以利用該鑽石毛 刷對該石夕乾材進行研磨，且該彈性針狀物係由塑谬混摻 鑽石顆粒而成。 3、 依申料利賴第i或2項所述之外材表面處理方 法’其中該彈性針狀物之線徑係為〇 6〜12毫米。 4、 依申請專利範圍第2項所述之矽靶材表面處理方法，其 中該鑽石毛刷之型號係為180〜800號。 5、 依申請專利範圍第1或2項所述之矽靶材表面處理方 法’另將去除表面微裂痕之石夕乾材接合一銅背板，以作 為一濺鍵>5夕材。