TW201241000A - Ruthenium carbene complexes for OLED material - Google Patents

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Description

201241000 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於釕碳烯錯合物。更特定而言，本發明係關 於釕之雙牙氮雜環碳烯錯合物。該等材料可用於〇LED中 以提供具有改良效能之裝置。 所主張之本發明係根據聯合大學公司研究協議由、代表 及/或聯合以下一或多方作出：密歇根大學董事會（Regents of the University of Michigan)、普林斯頓大學（Princet〇n University)、南加州大學（The Universky 〇f s〇uthem California)及美國環宇顯示技術公司（the Universal DispUy Corporation)。該協議在作出所主張之本發明當日且在此 之前生效，且所主張之本發明係由在該協議範疇内進行之 活動而作出。 【先前技術】 利用有機材料之光電裝置因多種原因而需求曰益增加。 由於用以製造該等裝置之許多材料相對廉價，所以有機光 電裝置具有優於無機裝置之成本優勢潛能。另外，有機材 料之固有特性（諸如其可撓性）可使其良好適用於特定應 用，諸如在可撓性基板上之製造。有機光電裝置之實例包 括有機發光裝置（OLED)、有機光電晶體、有機光電電池 及有機光偵測器。對於OLED而言，有機材料可具有優於 習知材料之效能優勢。舉例而言，有機發射層發光之波長 通常可易於以適當摻雜劑來調错。
OLED利用在對裝置施加電壓時發光之有機薄膜。〇LED 162599.doc 201241000 正成為日益受關注之技術用於諸如平板顯示器、照明及背 光之應用中。若干種OLED材料及組態描述於美國專利第 5,844,363號、第6,303,238號及第5,707,745號中，該等專 利以全文引用的方式併入本文中。 磷光發射性分子之一應用為全色顯示器。該顯示器之工 業標準需要適於發射特定色彩之像素，稱作「飽和」色 彩。特定而言，該等標準需要飽和紅色、綠色及藍色像 素。色彩可使用此項技術中熟知之CIE座標來量測。 綠色發射性分子之一實例為參（2_苯基吡啶）銥，表示為 JKppyh，其具有以下結構： & L —I3 0 在此圖及本文稍後之圖中，吾人以直線形式描繪氮與金 屬（此處為Ir)之配位鍵。 如本文所用’術s吾「有機」包括可甩於製造有機光電裝 置之聚合材料以及小分子有機材料。「小分子」係指非聚 合物之任何有機材料，1「小分子」實際上可相當大。小 分子在某些情形下可包括重複單元。舉例而言，使用長鍵 烷基作為取代基不會自「小分子」類別移除分子。小分子 亦可併入聚合物中，例如作為聚合物主鏈上之側接基團或 作為主键之-部分。小分子亦可充當樹枝狀聚合物之核心 ‘刀’該樹枝狀聚合物係、由構建於核心部分上之—系列化 162599.doc 201241000 學殼組成。樹枝狀聚合物之核心、部分可㈣光或磷光小分 子發射體。樹枝狀聚合物可為「小分子」，且咸信目前用 於OLED領域中之所有樹枝狀聚合物均為小分子。 如本文所用’「頂部」意謂距基板最遠，而「底部」意 謂距基板最近。當第-層被描述為「安置於」第二層^ 時’則第-層係安置於遠離基板處，非規定第一：與第 二層「接觸」’否則在第一層與第二層之間可存在其他 層。舉例而言，陰極可被描述為「安置於」陽極之上，、但 其間可存在各種有機層。 如本文所用，「溶液可處理」意謂能夠在液體介質中以 溶液或懸浮液形式溶解、分散或運輸及/或自液體介質沈 積。 當咸信配位體直接促成發射性材料之光敏特性時，則該 配位體可稱作具「光敏性」。當咸信配位體並不促成發= 性材料之光敏特性時，則該配位體可稱作具「輔助性」， 但輔助性配位體可改變光敏性配位體之特性。 如本文所用且如熟習此項技術者通常所理解，若第一能 階較接近真空能階，則第一「最高佔據分子軌道」（h〇m〇) 或「最低未佔據分子軌道」（LUM〇)能階「大於」或「高 於j第一 HOMO或LUMO能階》由於游離電位（Ip)經量測 為相對於真空能階之負能，因此較高之H〇M〇能階對應於 具有較小絕對值之IP(負值較大之Ip)。類似地，較高之 LUMO能階對應於具有較小絕對值之電子親和力負值 較大之ΕΑ)。在真空能階位於頂部之習知能階圖中，材料 162599.doc 201241000 之LUMO能階高於相同材料之HOMO能階。「較高」HOMO 或LUMO能階似乎比「較低」HOMO或LUMO能階更接近 該圖之頂部。 如本文所用且如熟習此項技術者通常所理解，若第一功 函數具有較大絕對值，則第一功函數「大於」或「高於」 第二功函數。由於功函數通常經量測為相對於真空能階之 負數，所以此意謂「較高」功函數之負值較小。在真空能 階位於頂部之習知能階圖中，以在向下方向上遠離真空能 階之形式說明「較高」功函數。因此，HOMO及LUMO能 階之定義遵循與功函數不同之慣例。 關於OLED之更多詳情及上述定義可見於美國專利第 7,279,704號中，該專利以全文引用的方式併入本文中。 【發明内容】 本發明提供包含具有至少一個經由碳烯鍵與釕鍵結之碳 烯配位體之釕（II)錯合物且具有式I之化合物：
該錯合物具有總體中性電荷。配位體Li-Lz為帶有單一 162599.doc
I I201241000 )G)n z 一厶 B3 負電何之雙牙配位體。輔助性配位體L不帶淨電荷。 A為芳族5員或6員碳環或雜環。以可表示單、二、三：四 取代或未取代。各R、立地選自由以下組成之群：氫' 氣、齒基、m絲、雜縣、芳基院基、烧氧基、 芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、 芳基、雜芳基、酿基、幾基、缓酸、_、腈、異猜、疏 基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合。RA亦可視情況與 環A鍵聯形成稠環，其可進一步經取代。 ’、 X1為可為N-R’、〇及S之雜原子。X2可為碳或氮。 B為5員雜環。Rb可表示單、二、三或四取代或未取代。 各rb獨立地選自由以下組成之群：氫、m烧基、 環烧基、雜烧基、芳基院基、院氧基、芳氧基、胺基、矽 烷基、烯基、環烯基、雜烯基，基、芳基、雜芳基、醯 基、羰基、致酸、醋、腈、異腈、疏基、亞項醯基、確酿 基、膦基及其組合。rb亦可視情況與環以建聯形成稠環， 其可進一步經取代。 Y與Z獨立地選自由碳、氮及磷組成之群。γ進一步經Βι 及B2取代’且Z進一步經妒及以取代。b!、、B3、以獨 立地選自由以下組成之群：氫、氘、齒基、烷基、環烷 基、雜烷基、芳基烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷 162599.doc 201241000 基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯 基、羰基、羧酸、酯、腈、異腈、疏基、亞磺醯基、磺醯 基、膦基及其組合》 B1與B2亦可視情況鍵聯形成具有〇至4個環雜原子之5員 或6員環狀基團及具有〇至4個環雜原子之8員至1〇員祠合雙 環基團。具有0至4個環雜原子之5員或6員環狀基團及具有 0至4個環雜原子之8員至1〇員稠合雙環基團可視情況經一 或多個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：氮、 氘、齒基、烷基、環烷基、雜烷基、芳基烷基、烷氧基、 芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、 芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、腈、異腈、疏 基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合。 B3與B4亦可視情況鍵聯形成具有〇至4個環雜原子之5員 或6員環狀基團及具有〇至4個環雜原子之8員至1〇員稠合雙 環基團《具有0至4個環雜原子之5員或6員環狀基團及具有 〇至4個環雜原子之8員至1〇員稠合雙環基團可視情況經一 或多個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：氫、 氘、函基、烷基、環烷基、雜烷基、芳基烷基'烷氧基、 芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、 芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、腈、異腈、巯 基、亞續酿基、績醢基、膦基及其組合。 G係選自由具有1至5個碳原子之烷基及烯基組成之群。 G之第一末端與Y或B2鍵結且G之第二末端與乙或以鍵結。 當π為〇時’ G不存在且當η為1時，g存在。 162599.doc 201241000 環烷 矽烷 、酿 續酿 R•係選自由以下組成之群：氫、氘、鹵基、烷基、 基、雜烧基、芳基烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、 基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳I 基、羰基、羧酸、酯、腈、異腈、酼基、亞磺醯基， 基、膦基及其組合。 在—個態樣中，化合物具有式π :
式II。 在個態樣中，化合物具有式ΠΙ :
式 III。 甸態樣中，化合物具有式IV : 162599.doc 201241000
在一個態樣中，化合物具有式
在一個態樣中，化合物具有式vi:
B1
B2 B3 84 式VI。 X係選自基團C-R丨及N，X4係選自基團C-R2及N，且X5 係選自基團C-r3及N。R1、R2及R3獨立地選自由以下組成 之群：氫、氘、齒基、烷基、環烷基、雜烷基、芳基烷 162599.doc 201241000 基、烧氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜 烯基、炔基、芳基、雜芳基、酿基、数基、繞酸、酯、 腈、異腈、巯基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合。 在一個態樣中，化合物具有式VII :
式 VII， 其中Ai、A2、八3及八4獨立地選自由C_R1N組成之群。 在一個態樣中，化合物具有式VIII :
式 VIII。 哀C及D較佳為5員環雜環 〜一 〜今、/|、干、 一、二或四取代。Rc與RD各自獨立地選自由以下組成之 群γ氫、氘、齒基、烷基、環烷基、雜烷基、芳基烷基、 …氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯 I62599.doc -11 - 201241000 基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、腈、 異腈、疏基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合。z〗、 Z2、Z3及Z4獨立地選自N-R，、S及Ο。 在一個態樣中，化合物具有式IX :
在一個態樣中，化合物具有式XI :
162599.doc -12- 201241000
在一個態樣中，化合物具有式XII
B1 -B2 (On i B4 式 XII。
在一個態樣中，化合物具有式XIII
式 XIII， 其中膦配位體上之虛線表示可選鍵。 在一個態樣中，化合物具有式XIV :
:Ru、 （G)n B1 •B2 -B3 、Z〆
I B4 式 XIV。
在一個態樣中，化合物具有式XV 162599.doc -13- 201241000
在一個態樣中，化合物具有式XVI :
在一個態樣中，化合物具有式ΧΥΠ :
在一個態樣中，環Α為經由氮與釕鍵結 ，X6係 卜、選自 ° 〕員雜環 選自基圓C-R及Ν，χ7係選自基圓c_r2&n,且^ 基團C-R3及N。 162599.doc -14· 201241000 在一個態樣中，化合物具有式XVIII :
式 XVIII 〇 在一個態樣中，化合物具有式XIX :
在一個態樣中，環A為經由碳與釕 ----，入' 選自基團C-R]、N、N_R|、8及〇’ χ7係選自基團 N、N-R，、S及 〇’ χ8係選自基團 cr3、n、、 且環A上之虛線表示可選鍵。在一個態樣中，χδ、χ7 中之至少一者為雜原子或經取代之雜原+。、及: 在一個態樣中’化合物具有式XX:
162599.doc •15- 201241000 本發明提供特定非限制性實例化合物。在一個態樣中， 化合物係選自由化合物1至化合物3 4組成之群。 另外，本發明提供一種包含有機發光裝置之第一裝置。 該有機發光裝置另外包含一陽極、一陰極及一安置於陽極 與陰極之間之有機層。該有機層包含式合物。 在一個態樣中，有機層為發射層且化合物為發射性摻雜 劑。在一個態樣中，有機層另外包含主體。 在一個態樣中，第一裝置為消費型產品。在一個態樣 中，第一裝置為有機發光裝置。 【實施方式】 OLED通常包含至少一個安置於其間且電連接至陽極與 陰極之有機層》當施加電流時，陽極向有機層中注入電洞 且陰極向有機層中注入電子。所注入之電洞及電子各自向 帶有相反電荷之電極遷移。當電子及電洞位於同一分子上 時，形成「激子」，其為具有激發能態之定域電子-電洞 對。當激子經由光發射機制鬆弛時發光。在某些情形下， 激子可定位於準分子或激發複合物上。亦可發生非轄射性 機制（諸如熱鬆弛），但通常認為係不利的。 初始OLED使用自其單重態發光（「螢光」）之發射性分 子’例如如美國專利第4,769,292號中所揭示，該專利以全 文引用的方式併入本文中。榮光發射通常在小於1〇奈秒之 時間範圍内發生。 新近已證明具有自三重態發光（「磷光」）之發射性材料 的 OLED。Baldo 等人，「Highly Efficient Phosph〇rescent 162599.doc -16 - 201241000
Emission from Organic Electroluminescent Devices,」 Nature ’ 第 395 卷，151-154，1998 ; (「Baldo-I」）及 Baldo 等人，「Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence，」Appl. Phys. Lett. ’ 第 75卷’第 3期，4-6 (1999)(「Baldo-II」），其以全 文引用的方式併入本文中《磷光更詳細描述於美國專利第 7,279,704號之第5-6行，該專利以引用的方式併入本文 中〇 圖1展示有機發光裝置1〇〇。該等圖式不一定按比例繪 製。裝置100可包括基板11〇、陽極115、電洞注入層120、 電洞傳輸層125、電子阻擋層130、發射層135、電洞阻擋 層140、電子傳輸層145、電子注入層150、保護層155及陰 極160。陰極160為具有第一導電層162及第二導電層164之 複合陰極。裝置100可藉由依次沈積所述各層來製造。該 等各種層之特性及功能以及實例材料更詳細描述於US 7,279,704之第6-10行中，該專利以引用的方式併入本文 中。 可獲得該等層每一者之更多實例。舉例而言，可撓性透 明基板-陽極組合揭示於美國專利第5,844,363號中，該專 利以全文引用的方式併入本文中。p_摻雜電洞傳輸層之實 例為以50:1之莫耳比摻雜F sub 4_TCNq之m_MTDATA，如 美國專利申請公開案第2003/0230980號中所揭示，該公開 案以全文引用的方式併入本文中。發射性及主體材料之實 例揭示於Thompson等人之美國專利第6 303,238號中，該 162599.doc -17- 201241000 專利以全文引用的方式併入本文中β η-摻雜電子傳輸層之 實例為以1:1之莫耳比摻雜Li之BPhen，如美國專利申請公 開案第2003/0230980號中所揭示，該公開案以全文引用的 方式併入本文中。以全文引用的方式併入本文中之美國專 利第5’703,436號及第5,707,745號揭示陰極實例，包括具有 金屬（諸如Mg:Ag)薄層邊上覆有透明導電之經濺鍍沈積之 ITO層之複合陰極。阻擋層之理論及使用更詳細描述於美國 專利第6,097，147號及美國專利申請公開案第2〇〇3/〇23〇98〇 號中，該等專利以全文引用的方式併入本文中。注入層之 實例在美國專利申請公開案第2004/0174116號中提供，該 公開案以全文引用的方式併入本文中。保護層之描述可見 於美國專利申請公開案第2004/0174116號中，該公開案以 全文引用的方式併入本文中。 圖2展示倒置型OLED 200。該裝置包括基板21〇、陰極 215、發射層220、電洞傳輸層225及陽極23〇。裝置2〇〇可 藉由依次沈積所述各層來製造。由於最常見之〇LED組態 具有安置於陽極上方之陰極，且裝置2〇〇具有安置於陽極 230下方之陰極215，因此裝置2〇〇可稱作「倒置型」 OLED»與關於裝置100所述彼等材料類似之材料可用於裝 置200之相應層中。圖2提供關於可如何自裝置⑽之結構 省略某些層之實例。 以非限制性實例提供圖1及2中說明之簡單層狀結構，且 應瞭解，本發明之實施例可結合多種其他結構來使用。所 述特定材料及結構具例示性質，且可使用其他材料及結 162599.doc •18· 201241000 構。功能性OLED可藉由以不同方式組合所述各種層來達 成，或各層可基於設計、效能及成本因素而整體省略。亦 可包括未特定描述之其他層。可使用除彼等特定描述材料 以外之材料。儘管本文提供之許多實例描述各種層包含單 材料但應瞭解可使用材料組合，諸如主體與摻雜劑之 混σ物或更通常使用混合物。該等層亦可具有各種子 層。本文中對各種層給出之名稱不欲具嚴格限制性。舉例 而言，在裝置200中，電洞傳輸層225傳輸電洞且將電洞注 入發射層220令’且可描述為電洞傳輸層或電洞注入層。 在一個實施例中，〇LED可被描述為在陰極與陽極之間安 置有「有機層」。該有機層可包含單一層，或可另外包含 具有例如關於圖1及2所述之不同有機材料的多個層。 亦可使用未特定描述之結構及材料，諸如包含聚合材料 之OLED(PLED) ’諸如Friend等人之美國專利第5,247,190 號中所揭示’該專利以全文引用的方式併入本文中。進一 步舉例而言，可使用具有單一有機層之〇Led。OLED可堆 疊’例如如Forrest等人之美國專利第5,707,745號中所述， 該專利以全文引用的方式併入本文中。0LED結構可不同 於圖1及2中所說明之簡單層狀結構。舉例而言，基板可包 括成角反射性表面以改良外耦合，諸如如F〇rrest等人之美 國專利第6,091,195號中所述之mesa結構及/或如Bulo vie等 人之美國專利第5,834,893號中所述之pit結構，該等專利以 全文引用的方式併入本文中。 除非另外規定，否則各個實施例中之任何層均可藉由任 162599.doc •19- 201241000 何適合方法來沈積。對於有機層而言，較佳方法包括熱蒸 發、噴墨（諸如美國專利第6,013,982號及第6,087，196號中 所述’該等專利以全文引用的方式併入本文中）、有機氣 相沈積（OVPD)(諸如F〇rrest等人之美國專利第6,337 1〇2號 中所述，該專利以全文引用的方式併入本文中）及藉由有 機蒸氣喷射印刷（0VJP)進行沈積（諸如美國專利申請案第 10/233,470號中所述，該專利以全文引用的方式併入本文 中）。其他適合之沈積方法包括旋塗法及其他基於溶液之 方法。基於溶液之方法較佳在氮氣或惰性氣氛中進行。對 於其他層而言，較佳方法包括熱蒸發。較佳圖案化方法包 括經由光罩沈積、冷焊（諸如美國專利第6,294 398號及第 6,468,819號中所述，該等專利以全文引用的方式併入本文 中）及與某些沈積方法（諸如喷墨及〇VJD)相關之圖案化。 亦可使用其他方法。待沈積之材料可經改質以使其與特定 沈積方法相容。舉例而言，在小分子中可使用諸如烷基及 芳基之取代基（分支或未分支且較佳含有至少3個碳）以增強 其經受溶液處理之能力。可使用具有2〇個或2〇個以上碳之 取代基，且3至20個碳為較佳範圍。具有非對稱結構之材 料可比具有對稱結構之彼等材料具有較佳之溶液可處理 性，這是因為非對稱材料可具有較小之再結晶傾向。樹枝 狀聚合物取代基可用於增強小分子經受溶液處理之能力。 根據本發明實施例製造之裝置可併入多種消費型產品 。中，包括平板顯示器、電腦監控器、電視、廣告牌、内部 或外部照明用燈及/或信號傳輸用燈、平視顯示器、全透 162599.doc 201241000 明顯示器、可撓性顯示器、雷射印表機、電話、手機、個 人數位助理（PDA)、膝上型電腦、數位相機、攝錄影機、 尋視器、微顯不器、運载工具、大面積壁、劇場或運動場 螢幕或標誌。各種控制機制可用於控制根據本發明製造之 裝置，包括被動矩陣及主動矩陣。諸多裝置欲在人類舒 適之溫度範圍内（諸如至3〇。〇使用，且更佳在室溫 (20-25°C)下使用》 本文所述之材料及結構可應用於除〇LED以外之裝置 中。舉例而言，其他光電裝置（諸如有機太陽電池及有機 光偵測器）可採用該等材料及結構。更一般而言，有機裝 置（諸如有機電晶體）可採用該等材料及結構。 術語齒基、齒素、烧基、環统基、稀基、快基、芳院基 (arylkyl)、雜環基、芳基、芳族基團及雜芳基為此項技術 中已知且定義於US 7,279,7G4之第31.32行中，該專利以引 用的方式併入本文中。 釕錯合物由於在第二列過渡金屬之錯合物中發現之較小 配位體場強而通常具較弱發射Ί本文所述之釕碳稀錯合 物克服先前已知第二列過渡金屬錯合物之弱發射性。不以 化合物緣何優越之任何理論限制巾請專利範圍，使用碳婦 (其為強場配位體）增加以金屬為中心之d_d過渡的能隙，以 使得可顯著抑制與金屬.金屬及金配位體鍵強化相關之 無輻射失活。所得釕碳烯錯合物更具發射性（流程1)〇咸信 :有至少-個本文所述之雙牙碳稀配位體的中性釕碳婦錯 〇物係新顆的。該等釕碳稀錯合物可用作。[ED裝置中之 162599.doc •21 - 201241000 磷光摻雜劑及HIL材料。 流程1
由於cW淬滅而具有弱場 具有強場配位體之強發射性。 配位體之弱發射性。
金屬dll* 配位體Π
MLCT 金屬dn 本發明提供包含具有至少一個經由碳烯鍵與釕鍵結之碳 烯配位體的釕（II)錯合物之化合物，其具有式I:
該錯合物具有總體中性電荷。 L!-L2為帶有單一負電荷之雙牙配位體。在一個實施例 中，Li-L2係選自由以下組成之群：
Ra
162599.doc •22 201241000
—、三或四取代。Ra、Rb及1獨 氫、氖、_基、烧基、環燒 、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷 烯基、炔基 '芳基、雜芳基、醯
Ra、Rb及R。可表示單 立地選自由以下組成之 基、雜烧基、芳基烧基 基、烯基、環烯基、雜 基、羰基、羧酸、S旨、腈、異腈、毓基、亞磺醯基、磺醯 基、麟基及其組合。Ra、Rb及之兩個相鄰取代基視情況 162599.doc •23- 201241000 接合形成稠環。 A為芳族5員或6員碳環或雜環。ra可表示單、二、三戍 四取代或未取代。各!^獨立地選自由以下組成之群：氫、 氘、基、烷基、環烷基、雜烷基、芳基烷基、烷氧基、 芳氧基、胺基、石夕烧基、稀基、環烯基、雜烯基快基、 芳基、雜芳基、醯基、幾基、缓酸、酉旨、猜、異腈、疏 基、亞確醯基、績醢基、膦基及其組合。^亦可視情況與 環A鍵聯形成稍環’其可進一步經取代。 X1為可為N-R，、〇及S之雜原子^ X2可為碳或氮。 B為5員雜環。Rb可表示單、二三或四取代或未取代。 各RB獨立地選自由以下組成之群：氮、氛、函基、烧基、 環烧基、雜烧基、芳基烧基、院氧基、芳氧基胺基、石夕 烧基、稀基、環稀基、雜稀基、炔基、芳基、雜芳基、酿 基、羰基、羧酸、酯、腈、異腈、疏基、亞磺醯基、磺醯 基、膦基及其組合。R、可視情況與環⑽聯形成稍環， 其可進一步經取代。
I Υ、γΒ2 (G)n z 一厶 B3 輔助性配位體B4不帶淨電荷。 γ與z獨立地選自由碳、氮及磷組成之群。丫進一步經Βι 及B2取代，且Z進一步經以及以取代。B】、β2、β3、以獨 立地選自由以下組成之群：氫、免、函基、烷基、環烷 162599.doc •24· 201241000 基、雜烷基、芳基院基、院氧基、芳氧基、胺基、石夕烷 基、稀基、環料、料基、炔基、芳基、雜芳基、酿 基、幾基、竣酸、醋、腈、異腈、巯基、亞績酿基 基、膦基及其組合。 B1與B2亦可視情況鍵聯形成具有〇至4個環雜原子之$員 或6員環狀基圈及具有〇至4個環雜原子之8員至“員稠合雙 環基團。具有〇至4個環雜原子之5員或6員環狀基團及= 0至4個環雜原子之8員至1〇員稠合雙環基團可視情況經一 或多個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：氫、 氘、豳基、烷基、環烷基、雜烷基、芳基烷基、烷氧基、 芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、 芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、腈、異腈、巯 基、亞續酿基、續醯基、膦基及其組合。 B與B亦可視情況鍵聯形成具有〇至4個環雜原子之5員 或6員環狀基團及具有〇至4個環雜原子之8員至1〇員稠合雙 環基團。具有〇至4個環雜原子之5員或6員環狀基團及具有 〇至4個環雜原子之8員至1〇員稠合雙環基團可視情況經一 或多個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：氫、 氘、齒基、烷基、環烷基、雜烷基、芳基烷基、烷氧基、 芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、 芳基、雜芳基、酿基、叛基、緩酸、酯、腈、異腈、疏 基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合。 G係選自由具有1至5個碳原子之烷基及烯基組成之群。 G之第一末端與γ或B2鍵結且G之第二末端與z或B3鍵結。 162599.doc -25- 201241000 當11為0時’ G不存在且當η為1時，G存在。 田G不存在時，輔助性配位體包含兩個單牙中性配位 體在個實施例中，G不存在且辅助性配位體包含兩個 單牙碳稀。在—個實施例巾，G存在且輔助性配位體包含 膦在個實施例中，G存在且輔助性配位體包含經由兩 個釕-碳烯鍵與釕配位之雙牙碳烯。 R’係選自由以下組成之群：氫、氘、函基、烷基、環烷 基雜烧基、芳基烧基、烧氧基、芳氧基胺基、石夕烧 基、稀基、環稀基、雜稀基、炔基、芳基、雜芳基、醯 基幾基、竣S曼、醋、腈、異腈、魏基、亞磺酿基、磺醯 基、膦基及其組合。 在2個實施例中，X3係選自基團C_R1及Ν，χ4係選自基 團CR及N，且X係選自基團Cr3及N。R1、尺2及r3獨立 地選自由以下組成之群：氫、氘、鹵基、烷基、環烷基' 雜烧基、芳基垸基、絲基、芳氧基、胺基、㈣基、稀 基、環稀基、雜稀基、炔基、芳基、雜芳基、醯基1 基羧I、δ曰、腈、異腈、疏基、亞績酿基、續酿基、鱗 基及其組合。 在個實施例中，環（：及D較佳為5員環雜環。rC及 自獨立地表不單、二、三或四取代。Rc及RD各自獨立地選 自由以下組成之群：氫、氣、由基、烷基、環烷基、雜烷 基、芳基烧基、炫氧基、芳氧基、胺基、#基、稀基、 環稀基#稀基、炔基、芳基、雜芳基、酿基、幾基、叛 西义S曰腈異腈、疏基、亞續酿基、項酿基、鱗基及其 162599.doc •26· 201241000 組合。Z、z2、z3及Z4獨立地選自N-R，、s及〇β 在一個實施例尹，環A為經由氮與舒鍵結之5員雜产6
係選自基團C-R丨及N，X7# .蓮έ J： ί®1 η 2 "衣，X 八及Ν，χ係選自基團C_R2& Ν， 自基團（：-1^及尺。 丑X係選 在個實施例_，環Α為經由碳與舒鍵結之 =團…，，。，χ7係選自基團雜= =之Γ’Χ8係選自基團C-R3、…、S及〇, 且ί衣A上之虛線表 8 選鍵。在一個貫施例令，X6、X7及 夕者為雜原子或經取代之雜原子。 在一個實施例中 1他碳 1-112可具有同與釕配位之至少一種 八他戾烯配位體相 有式11之社爐μ '’°構°在一個實施例中，化合物具 〜、·、。構。藉由改變與在 :調^了錯合物之發射性 之碳細配位體的數目， (RB)b>
162599.doc
S •27· 201241000 式III化合物具有兩個 配位之 ^B3 7 r4 ^ 早牙配位體 與β ，其可相同或不同。 在一個實施例中，環Α為式¥1化合物令 或雜環。 矣6員碳環
,0 妒
L 」2 式VI 芳基C-H鍵之金屬化作用產生帶有單一負電荷之碳，其與 釕中心配位。 在-個較佳實施例中’ 6員芳族環與環B稠合產生式νπ 化。物A、A 'A及A4獨立地選自由C_R，與N組成之 群。
儘管環B上可存在本文揭示之任取代，但苯并咪唑 162599.doc •28· 201241000 —)、苯并嗯峻（χ1=〇)及苯并㈣（x,=s)衍生物 相應氮雜衍生物（例如，Al、a2、^及^中之一或 N)由於起始材料之相對良好可用性及/或各種化學性質： 於其合成之可用性而為較佳的。 買對 實施例中’辅助性配位體包含式VIII化合物中之 兩個單牙碳烯配位體。 甲之
_實施例中’輔助性配位體可為咪唑、噁唑或噻唑 本衍生物，如在式IX化合物中，但亦可能為其他官 基（例如zuZ2=〇)。 J此為具他B月b
在一個實施例中 化合物係選自由化合物1至化合物i 3 162599.doc •29· 201241000 組成之群。
2
化合物4
化合物13 在一個實施例中，化合物可具有式IV。 162599.doc •30· 201241000
式IV
在古亥實称 例中’ n=l且G存在，且81_¥_82與以_284經由 子γ及2鏈聯在一起。 在個實施例中，化合物可具有式X或XI。
在個較佳實施例中，輔助性配位體為式χπ化合物中 之又牙鱗。在一個更佳實施例中，化合物具有式XIII。
如上所論述，G長度可為1至5個碳，且可為烷基或烯基。 162599.doc •31· 201241000 Ί =個以上碳原子之碳鍵長度的雙牙鱗由於該等化合物 中可能存在大量構象異構體(導致對與金屬中心配位產生 高满障壁)而傾向於為不良配位體。G長度較佳為3個碳， 且長度最佳為2個冑。該等碳鏈長度使得輔助性膦配位體 、用於與舒中心配位更有利之螯合角（bite angle)。式 XIII化合物中膦配位體上之虛線表示可選鍵。 在—個實施例中，化合物係選自由化合物14至化合物18 組成之群。
化合物15
化合物17
162599.doc •32- 201241000
2”玄實3施例中’㈣且。存在。Βι_γ_Β、Β3_ζ_Β、由基團 B與8中存在之原子鍵聯在—起。 在一個實施例中，化合物可具有式χιν。在—個 中，化合物可具有式χν。 貫也 (R®)b
(G)n \二 I B4 式XV
B1 I •B2
在個車父佳實施例中，化合物具有式XVI
在該實施例t ’輔助性配位體為經由一S 接之雙 162599.doc •33- 201241000 牙NHC(N-雜環碳烯）。如上所論述，由苯并咪唑、苯并噁 唑及苯并噻唑（及其衍生物）形成之碳烯較佳。在式XVI化 合物中，G為亞曱基（亦即一個碳鏈），其使得輔助性雙牙 碳烯配位體可具有用於與釕中心配位更有利之螯合角。 在一個實施例中，化合物係選自由化合物19至化合物23 組成之群。
化合物19
化合物22
在一個實施例中，化合物具有式XVII :
在該實施例中，至少一個碳烯配位體上之單一負電荷位於 162599.doc -34- 201241000 環A之吡咯氮中心上。 在一個實施例中，化合物具有式χΙΧ :
在該實施例中，單一負電荷由於芳族C-H鍵之金屬化作用 而位於& Α中存在之碳原子上。X6、X7及X8中之至少-者 為選自由N-R·、Ν、〇及s組成之群之雜原子或經取代之雜 原子。 在個實施例中，配位體1^丄2具有同與釕配位之至少 個反稀配位體相同之結構。在一個實施例中，化合物具 有式xviii。在一個實施例中，化合物具有式XX。
在—個實施例中 組成之群。 化合物係選自由化合物24至化合物34 162599.doc •35· 201241000
化合物24 化合物25
化合物31
化合物32 化合物33 化合物26
化合物30
本發明亦提供-種有機發光裝置。該裝置可包括陽極 陰極及安置於陽極與陰極間 體。在一個實施例中，第一裝置為消費型產 施例中，第一裝置為有機發光裝置。 與其他材料之組合 機發射層。有機發射' =體及^摻㈣。在-個實施财，有機發^ 匕3式！化合物。在—個實施例中，有機層為發射層且3 化合物為發射性摻雜劑。在―個實施例中，有機層包含: *§« 〇 jfe — ^.ju . σ οσ 在一個 本文所述在有機發光裝置中適用作特定層之材料可與裝 置中存在之多種其他材料組合使用。舉例而言，本文揭示 之發射性摻雜劑可聯合可存在之多種主體、傳輸層、阻擋 層、注入層、電極及其他層來使用。下文所述或提及之材 料為可與本文所揭示化合物組合使用之材料的非限制性實 162599.doc -36- 201241000 列’且热習此項技術者可易於參考文獻來識別可組合使用 之其他材料。 HIL/HTL : 典欲用於本發明之—些實施例中之電洞注人/傳輸材料不 又特別限制，且可使用任何化合物，只要該化合物—般用 作電洞注入/傳輸材料即可。材料之實例可包括（但不限 於醜菁或外琳衍生物；芳族胺衍生物；十朵并 生物；含有氟烴之聚合物；具有導電性摻雜劑之聚合物:丁 導電性聚合物’諸如PED晴ss; ^生自諸如膦酸及砂户 衍生物之化合物的自組裝單體；金屬氧化物衍生物 ^ M〇〇x; p-型半導有機化合物，諸如m，5,8,9，i2_六氮雜： 伸笨基六碳腈；金屬錯合物及可交聯化合物。 〜 用於肌或HTL中之芳族胺衍生物之實例可包括 於）以下通用結構： 限
Ar1 Αγ2 Α〆、ΑΓ3
Ar4 / Ar4、 又n N \r5 Ar5 Ar6 Ar7
Ar3
Ar至P各自選自由芳族烴環狀化合物（諸如苯 苯、聯伸三笨、萘、蒽、葩、菲、揉 ^ 吒、荔、驻 162599.doc -37- 201241000 莫）組成之群；由芳姓μ 并#%、雜環化合物（諸如二苯并噻吩、二笨 开夫喃一本并碼吩、也+ 吩、苯并石西吩、味。坐、/夫:南、嗟吩、苯并咬喘、苯并^ , 弓丨0木并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并 一。比°定、n比。坐、π米咕、一· 二唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三 唾、二噁唑、噻二唑、 吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、 噁嗪、噁噻嗪、噍- ^ 一秦、°引°朵、苯并咪β坐、,。坐、β引嗓 嗪、苯并鳴唾、苯并異嚼唾、苯并嗟唾、㈣、異嗤琳；^ ^琳㈣琳、啥W HH I 南、丫定啡秦、啡°塞嗪、啡°惡嗪、苯并咬喃并η比淀、呋 喃并二Μ、苯并料并_、嗟吩并二_、苯并 啡。比咬及㈣啡W且成之群；及由2至職環狀結構 早兀（其為選自芳族烴環狀基團及芳族雜環基團之相 不同類型之基團且彼此直接鍵結或經由氧原子、氮原子、 硫原子、㈣子1原子、硼原子、鍵結構單^及脂族環 狀基團中之至少-者鍵結）組成之群。各Ar進—步經選自 由以下組成之群之取代基取代：氫、氣、函基、烧基、學 烧基、雜烧基、芳基烧基、絲基、芳氧基、胺基、外 基、烤基、料基、㈣基、炔基、芳基、雜芳基、2 基、幾基、m酸、醋、腈、異腈、疏基、亞⑽基 基、鱗基及其組合。 在一個態樣中，Ari至Ar9獨立地選自由以下組成之群：
CO
162599.doc -38- 201241000
k為1至20之整數；X1至X8為CH或N ; Ar1具有上文定義 之相同基團。 可用於HIL或HTL中之金屬錯合物之實例包括（但不限 於）以下通式：
Μ為具有大於40之原子量之金屬；（Υ^Υ2)為雙牙配位 體，Υ1及Υ2獨立地選自C、Ν、Ο、Ρ及S ; L為辅助性配位 體；m為1至可連接至金屬之配位體之最大數目的整數值； 且m+n為可連接至金屬之配位體之最大數目。 在一個態樣中’（γΐ-Υ2)為2-苯基吡啶衍生物。 在一個態樣中，（Υ^Υ2)為碳烯配位體。 在一個態樣中，Μ係選自Ir、Pt、Os及Ζη。 在另一態樣甲，金屬錯合物在溶液中相對於小於約〇 6 V之Fc+/Fc偶合而言具有最小之氧化電勢。 主體： 在本發明之一些實施财，冑機此裝1之發光層較佳至 少含有金屬錯合物作為發光材料，且可含有使用金屬錯八 物作為摻雜劑材料之主體材料。主體材料之實例不受^σ 限制，且可使用任何金屬錯合物或有機化合物，只2主別 之三重態能量大於摻雜劑之三重態能量即可。 體 162599.doc -39- 201241000 以下通式： 用作主體材料之金屬錯合物之實例較佳具有
Μ為金屬，（Υ3-γ4)為雙牙配位體，γ3及γ4獨立地選自 C、Ν、Ο、Ρ及S ; L為輔助性配位體；爪為〗至可連接至金 且m+n為可連接至金屬 屬之配位體之最大數目的整數值 之配位體之最大數目。 在一個態樣中，金屬錯合物為：
(0-Ν)為具有與原子〇及\配位之金屬的雙牙配位體。 在一個態樣中，Μ係選自lr及pt。 在另一態樣中，（Υ3·Υ4)為碳烯配位體。 用作主體材料之有機化合物之實例包括選自由以下組成 之群之材料：芳族烴環狀化合物，諸如笨、聯苯、三苯、 聯伸二苯、萘、蒽、葩、菲、第、芘、荔、茈、箕；由芳 族雜環化合物（諸如二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒 吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔 °坐、吲哚并叶唑、》比咬基吲哚、《I比略并二吡咬、„比唑、咪 嗤、三n坐、鳴唾、噻唑、噁二唾、噁三唑、二噁唾、嗟二 唑、〇比啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁 —嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲噁嗪、苯并噁唑、苯并 異°惡°坐、苯并<»塞唾、喧淋、異喧淋、吟琳、喧吐淋、喧喏 162599.doc -40- 201241000 ‘、疋狄嗪、嗓咬、二苯并派喃、〇丫咬、啡。秦、啡嗟 秦非惡。秦、苯并呋喃并吡啶、咬喃并二吡啶、笨并嗟吩 并定噻吩并二吡啶、苯并硒基啡吡啶及硒基啡二吡 啶）組成之群；及由2至10個環狀結構單元（其為選自芳族烴 環狀基團及芳族雜環基團之相同或不同類型之基團且彼此 直接鍵結或經由氧原子、氮原子、硫原子、矽原子、磷原 子朋原子、鍵結構单元及脂族環狀基團中之至少一者鍵 結）組成之群。各基團進一步經選自由以下組成之群之取 代基取代：氫、氘、齒基、烷基、環烷基、雜烷基、芳基 炫基、烧氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、 雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、 腈、異腈、巯基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合。 在一個態樣中，主體化合物分子中含有以下基團中之至 少一者：
162599.doc • 41 · 201241000 R1至R7獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、齒基、烷 基、環烧基、雜烧基、芳基烧基、炫氧基、芳氧基、胺 基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳 基、醯基、羰基、羧酸、酯、腈、異腈、巯基、亞磺醯 基、磺醯基、膦基及其組合，當其為芳基或雜芳基時，其 具有與上文提及之Ar類似之定義。 k為0至20之整數。 X1至X8係選自CH或N。 HBL ： 電洞阻擔層（HBL)可用於減少離開發射層之電洞及/或激 子之數目。裝置中存在該阻擋層可產生與缺乏阻播層之類 似裝置相比實質上較高之效率。阻擋層亦可用於將發射限 制於OLED之所要區域。 在一個態樣中’用於HBL中之化合物含有用作上述主體 之相同分子。 在一個態樣中’用於HBL中之化合物分子中含有以下其 團中之至少一者：
k為0至20之整數；L為輔助性配位體，瓜為！至3之整 數。 ETL ： 電子傳輸層（ETL)可包括能夠傳輸電子之材料。電子_ 162599.doc • 42- 201241000 輸層可為内在的（未摻雜）或經捧雜的 電性。肌材料之實例不受特別限制用於提高I 錯合物或有機化合物，σ 可使用任何金屬 在一個態樣中，用於;輸電子即可。 團中之至少一者：4之化合物分子中含有以下基
Rl係選自由以下組成之群m基、烧基、環烧 基、雜烷基、芳基烷基、烷氧基'芳氧基、胺基、矽烷 基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯 基、幾基、叛酸、S旨、腈、異腈、絲、亞俩基、續酿 基、膦基及其組合，當其為芳基或雜芳基時，其具有與上 文提及之Ar類似之定義。
Ar1至Ar3具有與上文提及之Ar類似之定義。 k為0至20之整數。 X1至X8係選自CH或N。 在一個態樣中，用於ETL中之金屬錯合物可含有（但不限 於）以下通式：
162599.doc •43- 201241000 (〇-N)或（Ν·Ν)為具有與原子〇、N或N，N配位之金屬㈣ 牙配位體；L為辅助性配位體；_至可連接至 位體之最大數目的整數值。 在用於〇LED裝置各層中之任何上述化合 可經部分或完全氣化》 風原子 除本文揭示之材料以外及/或與該等材料組合，多種電 洞注入材料、電洞傳輸材料、主體材料、摻雜劑材料、激 子/電洞阻擋層材料、電子傳輸及電子注入材料可用於 OLED中。可與本文揭示材料組合用於〇LED中之材料的非 限制I1生實例列舉於下表1中。表1列舉材料之非限制性種 類、各類化合物之非限制性實例及揭示該等材料之參考文 獻。 表1 材料 材料實例 公開案 電洞注入材料 酞菁及卟啉化合物 滿 Appl. Phys. Lett. 69, 2160 (1996) 星射狀三芳基胺 &0 οό J. Lumin. 72-74, 985 (1997) 162599.doc 201241000 CFX氟烴聚合物 -一CHxFy- n Appl. Phys. Lett. 78， 673(2001) 導電性聚合物(例如 PEDOT:PSS、聚苯 胺、聚噻吩） so3(h+) Μ* S 1 Jn Synth. Met. 87, 171 (1997) WO 2007002683 膦酸及矽烷SAM J/=\ \ h.........1 US 20030162053 含導電性摻雜劑之 三芳基胺或聚噻吩 聚合物 ♦ EA01725079A1 與金屬氧化物(諸如 钥及鎢氧化物)錯合 之芳基胺 〇 b SID Symposium Digest, 37, 923 (2006) WO 2009018009 半導性有機錯合物 NC CN nH n=H-n NC~<\ /W VCN N=\ NC CN US 20020158242 金屬有機金屬錯合物 > US 20060240279 162599.doc -45- 201241000 可交聯化合物 § US 20080220265 電洞傳輸材料 三芳基胺（例如 TPD、a-NPD) d册b Appl. Phys. Lett· 51， 913 (1987) €Ρν^_〇_ν〇3 ύ b US 5061569 Q Ο 0 b Q Ο EP 650955 αΝΛ xxNxj^aNj〇 6 J0 J. Mater. Chem. 3， 319(1993) 162599.doc 46- 201241000 ό b % S Appl. Phys. Lett. 90, 183503 (2007) 0 b b d Appl· Phys. Lett. 90， 183503 (2007) 螺苐核心上之三芳 基胺 Ph2N^r^ j^y-NPh2 Synth. Met. 91, 209 (1997) 芳基胺咔唑化合物 CtO N Φ Q^NXXp Adv. Mater. 6, 677 (1994), US 20080124572 具有（二）苯并噻吩/ (二)苯并呋喃之三芳 基胺 Q ^ ^ p 〇y^>N^o US 20070278938 、 US 20080106190 吲哚并咔唑 po QSPO N 06 Synth. Met. 111,421 (2000) 異吲哚化合物 οχο Chem. Mater. 15, 3148(2003) 162599.doc • 47· 201241000 金屬碳烯錯合物 -at N - 3 :> _3 US 20080018221 磷光OLED主體材料 紅色主體 芳基咔唑 &條§ Appl. Phys· Lett. 78， 1622 (2001) 8-羥基喹啉金屬（例 如 Alq3、BAlq) 「 ：AI 3 Nature 395, 151 (1998) °J2 US 20060202194 WO 2005014551 WO 2006072002 金屬苯氧基苯并噻 »坐化合物 「 Q, VNs-6¾ rZn Appl. Phys. Lett. 90， 123509(2007) 共軛寡聚物及聚合 物(例如聚苐） K^pi; c8h17 c8h17 Org. Electron. 1,15 (2000) 162599.doc •48- 201241000 芳族稠環 WO 2009066779、 WO 2009066778、 WO 2009063833 ' US 20090045731 、 US 20090045730、 WO 200900831 卜 US 20090008605 、 US 20090009065 鋅錯合物 (pL-Jp HyN~.Zn—N Η 〇r° °ί〇 WO 2009062578 綠色主體 芳基咔唑 §Ν^°·§ Appl. Phys. Lett. 78, 1622(2001) {^NX^N-〇 US 20030175553 σ9 WO 2001039234 芳基聯伸三苯化合物 US 20060280965 US 20060280965 WO 2009021126 162599.doc -49- 201241000 供體受體型分子 WO 2008056746 氮雜-咔唑/DBT/ DBF JP 2008074939 聚合物(例如PVK) Wn 人 Appl.· Phys· Lett, 77， 2280 (2000) 螺苐化合物 WO 2004093207 金屬苯氧基苯并噁 "坐化合物 rQ 1 [计。心 WO 2005089025 Γ Q 0 Y)-〇分仁 〇r°i b WO 2006132173 Q 1 〇γΝ\ JP 200511610 162599.doc -50- 201241000 螺苐-咔唑化合物 JP 2007254297 V Φο JP 2007254297 吲哚并咔嗤 〇Sto ό 6 WO 2007063796 〇Λ〇 ό φ(ρ 0¾¾ WO 2007063754 5員環電子缺乏型雜 環(例如三唑、噁二 唑） Ν-Ν οχρ ό〇 J. Appl. Phys· 90， 5048 (2001) WO 2004107822 聯伸四苯錯合物 οοαΝΌ US 20050112407 金屬苯氧基°比咬化 合物 WO 2005030900 162599.doc •51 · 201241000 金屬配位錯合物(例 如具有νλν配位體 之 Ζη、Α1) 厂、=Ν Ί Τ "Ζη lUJ2 US 20040137268 、 US 20040137267 藍色主體 芳基味嗤 〇-NXiN^o Appl. Phys. Lett, 82, 2422 (2003) σ? US 20070190359 二苯并噻吩/二苯并 呋喃-咔唑化合物 s WO 2006114966、 US 20090167162 Φό US 20090167162 s WO 2009086028 〇9d^ US 20090030202 、 US 20090017330 162599.doc -52· 201241000 矽芳基化合物 0_0_0_ ό ό ό US 20050238919 00^0 σο οό WO 2009003898 石夕/錯芳基化合物 9 Ρρο 3 ΡχΟ 0¾ ό EP 2034538A 芳基苄醯基醋 WO 2006100298 高三重態金屬有機 金屬錯合物 1 όί US 7154114 磷光摻雜劑 紅色摻雜劑 重金屬卟啉（例如 PtOEP) Et a r>Q 产 Ν Ν-Λ Et Et Nature 395, 151 (1998) 162599.doc -53- 201241000
162599.doc 54- 201241000 _ ό丄 WO 2009100991 Qi / N、，N\ 〇_( .cSi，r^ WO 2008101842 鉑(II)有機金屬錯合 物 兮<1 WO 2003040257 锇(III)錯合物 F3C 「 V=N 1 ^Os(PPhMe2)2 2 Chem. Mater· 17， 3532 (2005) 釕(II)錯合物 'Bu C'N^ -CQ" ^Ru(PPhMe2)2 」2 Adv. Mater· 17, 1059 (2005) 銖(I)、（II)及(III)錯 合物 US 20050244673 綠色摻雜劑 銥(III)有機金屬錯 合物 u及其衍生物 Inorg. Chem. 40, 1704 (2001) 162599.doc -55- 201241000
162599.doc -56- 201241000
162599.doc -57- 201241000
Pt(n)有機金屬錯合 物，包括多牙配位體 Q G Appl. Phys. Lett. 86, 153505 (2005) /Λρ ο Appl. Phys. Lett. 86, 153505 (2005) Chem. Lett· 34, 592 (2005) WO 2002015645 uXr Ph〆 >h US 20060263635 Cu錯合物 cx0\u-n9 a / 0Ό 〇 WO 2009000673 金錯合物 〇-P 5 b Chem. Commun. 2906 (2005) 162599.doc -58 - 201241000 銶(III)錯合物 cf3 Inorg. Chem. 42,1248 (2003) 氘化有機金屬錯合物 1 [：ψ： ί：ψ： D ^lr US 20030138657 具有兩個或兩個以 上金屬中心之有機 金屬錯合物 [§1 (SI 2 US 20030152802 F US 7090928 藍色摻雜劑 銥(III)有機金屬錯 合物 F WO 2002002714 r A 1 ^ WO 2006009024 ι^9 > 3 US 20060251923 162599.doc -59- 201241000
162599.doc -60- 201241000 - % VN. F > 3 Inorg. Chem. 46, 4308(2007) rC> [a3 lr WO 2005123873 lr WO 2005123873 \ Cn \ > / 3 WO 2007004380 O Q ο σ WO 2006082742 锇(II)錯合物 A US 7279704 丄 /0s(PPh3) 6h· Organometallics 23, 3745 (2004) 金錯合物 Ph2P 八， …Au Au Cl" 、CI Appl. Phys· Lett.74,1361 (1999) 鉑(II)錯合物 i^PAP WO 2006098120、 WO 2006103874 162599.doc -61 - 201241000 激子/電洞阻擋層材料 浴銅靈(Bathocuprine) 化合物(例如BCP、 BPhen) Appl· Phys. Lett. 75， 4(1999) \=N Appl· Phys· Lett. 79， 449 (2001) 8-羥基啥琳金屬（例 如 BAlq) Appl. Phys. Lett. 81， 162 (2002) 5員環電子缺乏型雜 環，諸如三β坐、。惡 二。坐、β米〇坐、苯并 °米°坐 aY6 Appl. Phys. Lett. 81, 162 (2002) 聯伸三苯化合物 US 20050025993 氟化芳族化合物 F F F. F M F F F F Appl. Phys. Lett. 79， 156(2001) 啡噻嗪-S-氧化物 WO 2008132085 162599.doc -62- 201241000 電子傳輸材料 蒽-苯并咪唑化合物 〇!> WO 2003060956 US 20090179554 氮雜聯伸三苯衍生物 % Cm3 ^—N N=/ US 20090115316 蒽-苯并噻唑化合物 Appl. Phys. Lett. 89, 063504 (2006) 8-經基喹琳金屬（例 如 Alq3、Zrq4) 〉AI 3 Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987) US7230107 金屬羥基苯并喹啉基 p：Be 2 Chem. Lett. 5, 905 (1993) 浴銅靈化合物，諸 如 BCP、BPhen 等 >=N H=( Appl. Phys. Lett. 91, 263503 (2007) \=N Appl. Phys. Lett. 79, 449 (2001) -63- 162599.doc 201241000 5員環電子缺乏型雜 環(例如三唑、噁二 »坐、°米"坐、苯并°米 唑） ό Appl. Phys. Lett. 74, 865 (1999) Ν-Ν Appl. Phys. Lett. 55, 1489(1989) Ν-Ν Jpn. J. Apply. Phys. 32，L917(1993) 矽羅(Silole)化合物 Org. Electron. 4, 113 (2003) 芳基硼烷化合物 J. Am. Chem. Soc. 120,9714 (1998) 氟化芳族化合物 F、 F F, F F, F F, F R F F, F F F F F J. Am. Chem. Soc. 122,1832(2000) 芙(例如C60) © US 20090101870 三嗪錯合物 f^vX><L )=( F F F F F F US 20040036077 162599.doc •64- 201241000
Ζη(ΝΛΝ)錯合物 US 6528187
應瞭解’本文各個實施 限制本發明之料。舉例而言，在不偏離本發明之精神的 情況下’本文所述之許多材料及結構可由其他材料及結構 替代。因此，如熟習此項技術者將顯而易知，所主張之本 發明可包括本文所述特定實例及較佳實施例之變化形式。 應瞭解，關於為何運作本發明之各種理論不欲具限制性。 實驗 該文件通篇所用之化學縮寫如下：DMF為二曱基曱醯 胺，EhN為三乙胺、PPh3為三苯基膦，p(i_Pr)3為三^丙基 膦，EtOAc為乙酸乙酯，丁HF為四氫呋喃，DMS〇為二曱 亞石風，DCM為一氯甲烧，dba為二亞苄基丙酮，hmpa為六 甲基鱗酿胺’8-卩11〇3為二環己基（2'，6'_二甲氧基[11,_聯 笨]-2-基）-膦。
I62599.doc -65- 201241000 2-(甲硫基）-N-笨基苯胺之合成
s NH2 S-Phos Q - 1 B「 Pd2(dba)3 在Ν2下將（2-漠笨基）（甲基）硫烷（25 g，123 mmol) '
Pd2dba3(6.75 g ’ 7.38 mmol)、S-Phos(6.06 g，14.77 mmol) 及第三丁醇鈉（17·74 g，185 mmol)置於乾燥的3頸燒瓶 中。真空排空反應混合物且以回填三次。向反應混合物 中添加苯胺（22_93 g，246 mmol)及500 mL曱苯。使反應混 合物回流1 8小時》使粗反應混合物流經石夕膠柱塞且以甲苯 溶離。將甲苯部分濃縮以使體積縮減且經受使用含3-5% DCM之己院的矽膠管柱，產生所要產物。（24 g，111 mmol » 91%) 2-(苯基胺基）笨硫醇之合成
〇cs、，ccSH
NH NaSMe NH ό ό 向250 mL圓底燒瓶中饋入甲烷硫醇鈉（5·18 g，73.8 mmol)、2-(曱硫基）·ν·苯基苯胺（13.25 g，61.5 mmol)及六 甲基磷醯胺（HMPA)(100 mL)。使反應混合物加熱至l〇〇°C 並持續7小時。使反應冷卻至室溫且添加100 mL 1 N HC1。 162599.doc -66· 201241000 以3 χ 100 mL乙酸乙酯萃取反應混合物，以3 χ50 mL鹽水洗 滌有機部分，經硫酸鈉乾燥且蒸發產生所要化合物。（12 g，97%) 苯并噻唑碳烯配位體前驅體之合成
Zn, HCOOH hcio4
向25 0 mL圓底燒瓶中饋入鋅粉（2.339 g，35.8 mmol)、2-(苯基胺基）苯硫醇（12 g，59.6 mmol)及甲酸（100 mL)。使 反應混合物在N2下回流六小時。過濾反應混合物以移除不 溶性物質。向濾液中添加過氯酸（35.9 mL，59.9 mmol)且 授拌20分鐘。添加200 mL水且收集沈澱。以H20及乙驗洗 滌沈澱物，產生所要產物（13.6 g，73%)。 二氣銅二聚體之合成
向5 00 mL圓底燒瓶中饋入CuCl(3.9 g，39.4 mmol)、第三 丁醇鐘（3.15 g，39.4 mmol)及無水 THF(400 mL)。將反應 混合物在手套箱内攪拌隔夜。隨後向反應混合物中添加上 文合成之過氣酸鹽（2.3 1 g，7.41 mmol)且擾拌隔夜。自手 I62599.doc -67· 201241000 套箱中移除反應混合物且過濾；濃縮濾液至乾燥且再懸浮 於二氣甲烧中。過濾懸浮液且濃縮滤液至乾燥，產生所要 化合物。（1.68 g，76%) 釕碳烯DMSO錯合物之合成
將前一步驟之二氣銅二聚體（1 g，1.606 mmol)與RuC12 (DMSO)4(0.777 g’ 1.606 mmol)混合於 2-乙氧基乙醇中。 真空排空反應混合物且以A回填三次。將反應混合物加熱 至回流並持續1小時。在真空下將反應混合物蒸發至乾 燥。藉由管柱層析純化殘餘物，產生所要化合物。 釕苯并噻唑碳烯錯合物之合成
將前一步驟之釕碳烯DMSO錯合物與過量膦配位體及十三 院混合。將反應混合物加熱至回流並持續1小時。在真空 下4發反應混合物至乾燥。藉由管柱層析純化殘餘物產生 所要化合物。 162599.doc • 68 · 201241000
2-甲氧基-N-苯基苯胺之合成
Pd2dba3, S-Phos 第三丁醇鈉>
向1 L三頸燒瓶中饋入2-曱氧基苯胺（17.65 g，143 mmol)、 溴苯（15 g，96 mmol)、Pd2(dba)3(1.75 g，1.91 mmol)、 S-Phos(1.56 g，3.82 mmol)、第三 丁醇納（18.36 g，101 mmol)及400 mL二甲苯。使反應混合物回流4小時。藉由管 柱層析（含5% Et〇 Ac之己院）分離產物，產生所要產物。 (18 g » 94%) 2-(苯基胺基）苯酚之合成 162599.doc -69· 201241000
向1 L三頸燒瓶中饋入氣化吡狡（52.2 g，452 mm〇l)及2-甲 氧基-N-苯基苯胺（9 g ’ 45.2 mmol)。將反應混合物加熱至 200°C並持續4小時。將反應混合物傾入5% HC1(200 mL)中 且以EtOAc(3><300 mL)萃取。合併有機部分且藉由管柱層 析（100% DCM)純化以產生所要產物。（6.5 g，77%) 苯并噁唑鹽之合成
將氣棚酸（6.79 mL，48% w/w)逐滴添加至2-(苯基胺基）苯 酚（9 g ’ 48.6 mmol)於30 mL甲醇中之溶液中。攪拌3〇分鐘 之後’在真空下移除溶劑且添加（EtO)3CH(30 mL) »在室 溫下在Nz下將所得溶液攪拌隔夜，產生白色懸浮液。過渡 固體且以乙醚洗滌’產生1〇 g產物（72〇/〇)。 釕苯并噁唑碳烯錯合物之合成
162399.doc -70· 201241000 以與上述苯并噻唑錯合物類似之方式合成苯并噁唑碳烯錯 合物。
4-甲基-3-(鄰甲苯基）噻唑-2(3H)-硫酮之合成
NaOH, CS2
NH2 c/~^ HCI 在室溫下以20 N NaOH水溶液（5 mL，1 00 mmol)處理2-曱 基苯胺（10·71 g，100 mmol)於DMSO(50 mL)中之溶液。將 混合物冷卻至0°C且添加CS2(7.61 g，100 mmol)。在室溫 下攪拌1小時之後，觀察到顏色由深紅色變為橙色。隨後 將溶液冷卻至〇°C且添加氣丙酮（9.25 g，100 mmol)。在室 溫下攪拌3小時之後，添加水（100 mL)且將混合物在0°C下 162599.doc -71 - 201241000 再攪拌ίο分鐘。過濾沈澱物且以水及乙醇連續洗滌。將粗 產物懸浮於95%乙醇（1〇〇 mL)中，且添加36% Hcl(5〇 mL) 且將混合物加熱至回流並持續1小時。冷卻至室溫後，過 濾沈澱物產生所要產物。（8.7 g，38%) 噻唑鹽之合成
將前一步驟之硫酮（4 g，18.07 mmol)溶解於乙酸（1〇〇 mL) 中且添加30%過氧化氫（4.7 mL)。在室溫下將所得黃色溶 液攪拌30 min之後，在真空下移除溶劑。將殘餘物溶解於 甲醇（40 mL)中且以 NaCi〇4(9.29 g，75.9 mmol)在甲醇/水 之2:1混合物中之溶液處理。在〇〇c下攪拌數分鐘之後，沈 澱出黃色固體。過濾粗產物且以水（5〇 mL)及乙醇（1〇〇 mL) 洗滌’產生所要化合物。 釕噻唑碳烯膦錯合物之合成
以與上述笨并噻唑錯合物類似之方式合成噻唑碳烯錯合 物。 【圖式簡單說明】 162599.doc •72- 201241000 圖1展示有機發光裝置。 圖2展示不具有獨立電子傳輸層之倒置型有機發光裝 置。 圖3展示式Η匕合物。 【主要元件符號說明】 100 有機發光裝置 110 基板 115 陽極 120 電洞注入層 125 電洞傳輸層 130 電子阻擋層 135 發射層 140 電洞阻擋層 145 電子傳輸層 150 電子注入層 155 保護層 160 陰極 162 第一導電層 164 第二導電層 200 倒置型OLED 210 基板 215 陰極 220 發射層 225 電洞傳輸層 230 陽極 162599.doc -73-

Claims (1)

  1. 201241000 七 1. 、申請專利範圍： 一種包含具有式I之金屬錯合物的化合物：
    其申μ L·2包含帶有_ i電荷之雙牙配位體；
    其中辅助性配位體B4 不帶電荷； 其中該Ru帶有+2電荷； 其中該金屬錯合物具有總體〇電荷； 其中環B經由碳烯鍵連接至; 其中環A為芳族的且選自由5員或6員碳環或雜環基團 組成之群； 各ra獨立地選自由以下組成之群：氮、氛、齒基、燒 基、環烷基、雜烷基、芳基烷基、烷氧基、芳氧基、_ 基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳 胺 I、雜 162599.doc 201241000 異腈、疏基.、亞橫 芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、猜 醯基、磺醯基、膦基及其組合； 其中ra可視情況鍵聯形成與環八祠合之環，且其中該 稠環視情況經取代； 〆 a為〇至4 ; X1係選自N-R’、〇及S ; X2係選自C及N ; 各心立地選自由以下組成之群：IL、氣、齒基、烧 基、環烷基、雜烷基、芳基烷基、烷氧基、芳氧基胺 基、石夕院基、稀基、環稀基、雜稀基、快基、芳基、雜 芳基、酿基、幾基、緩酸、醋、腈、異腈、Μ基、亞場 醯基、磺醯基、膦基及其組合； 其中RB可視情況鍵聯形成與環3稠合之環且其中該稠 環視情況經取代； b為0至4 ; Y與Z獨立地選自由c、N及P組成之群； B丨、B2、B3、B4獨立地選自由以下組成之群：氫' 氘、齒基 '烷基、環烷基、雜烷基、芳基烷基、烷氧 基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、 炔基、芳基、雜芳基、酿基、幾基、幾酸、酯、腈、異 腈、酼基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合； B1與B2視情況鍵聯形成具有0至4個環雜原子之5員或6 員環狀基團、具有0至4個環雜原子之8員至1〇員稠合雙 環基團，其中該具有〇至4個環雜原子之5員或6員環狀基 162599.doc -2- 201241000 團及該具有0至4個環雜原子之8員至1〇員稠合雙環基
    酸、酯、腈、異腈、巯基、 挪方丞、醞基、羰基、幾 亞磺醯基 '磺醯基、膦基及 其組合； Β3與Β4視情況鍵聯形成具有〇至4個環雜原子之$員或6 員環狀基團、具有0至4個環雜原子之8員至1〇員稠合雙 環基團，其中該具有〇至4個環雜原子之5員或6員環狀= 團及該具有0至4個環雜原子之8員至1〇員稠合雙環基團 可視情況經一或多個獨立地選自由以下組成之群之取代 基取代：氫、氘、齒基、烷基、環烷基、雜烷基、芳基 烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯 基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧 酸、酯、腈、異腈、毓基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及 其組合； G係選自由具有丨至5個碳原子之烷基及烯基組成之 群，其中G之第一末端與丫或以鍵結，且G之第二末端與 Z或B3鍵結； ' η為0或1 ;其中當η為〇時’ G不存在； 其中R'係選自由以下組成之群：氫、氘、鹵基、烷 基、環烷基'雜烷基、芳基烷基、烷氧基、芳氧基、胺 基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜 162599.doc 201241000 1二酿基基、叛酸、酿、腈、異猜、疏基、亞續 、續醯基、膦基及其組合。 青求項1之化合物，其中該金屬錯合物具有式π:
    ζ· (G)n Xb3 (RA),
    B4 .如凊求項2之化合物，其中該金屬錯合物具有式⑴ / 'a RB)b(ra //%
    Β2Β3 4.如凊求項2之化合物，其中該錯合物具有 I62599.doc 201241000
    5 ·如請求項2之化合物，其中該金屬錯合物具有式V :
    6.如請求項3之化合物，其中該金屬錯合物具有式VI :
    162599.doc 201241000 其中： X3係選自基團C-R1及N ; X4係選自基團C-R2及N ; X5係選自基團C-R3及N ;且 其中R1、R2及R3獨立地選自由以下組成之群：氫 氘、齒基、烷基、環烷基、雜烷基、芳基烷基、烷氧 基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、 炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、腈、異 腈、巯基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合。 如請求項6之化合物，其中該金屬錯合物具有式νπ :
    、*!八、A2、A3及A4獨立地選自由C_R,及N組成之群。 月长項7之化合物，其中該金屬錯合物具有式νπι : 162599.doc 201241000
    基、烷基、環烷基、雜烷基、芳基烷基、烷氧基芳氧 基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳 基、雜芳基、醢基、羰基、羧酸、酯、腈、異腈、驗 基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合； 其中C為〇至4 ; 其中d為〇至4 ; 其中RC可視情況鍵聯形成與環C稠合之環且其中該稠 環視情況經取代； 其中RD可視情況鍵聯形成與環D稠合之環且其中該稠 環視情況經取代；且 其中Z1、Z2、Z3及Z4獨立地選自N-R'、S及〇。 9·如請求項8之化合物，其中該金屬錯合物具有式Ιχ: 162599.doc 201241000
    10.如請求項9之化合物，其中該金屬錯合物係選自由以下 組成之群：
    162599.doc 201241000
    11.如請求項4之化合物，其中該金屬錯合物具有式X:
    其中： X3係選自基團C-R1及N ; X4係選自基團C-R2及N ; X5係選自基團C-R3及N ;且 其中R1、R2及R3獨立地選自由以下組成之群：氫 氣、_基、烧基、環烧基、雜烧基、芳基烧基、烧 162599.doc 201241000 基芳氧基、胺基、矽烧基、烯基、環烯基、雜稀基、 快基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、腈、異 腈、驗基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合。 I2·如。青求項11之化合物，其中該金屬錯合物具有式XI:
    61-
    -Β4 奇炎項12之化合物，其中該金屬錯合物具有式χπ
    Β1
    Β2 (G)n Β3 Β4 月求項13之化合物，其中該金屬錯合物具有式χιπ I62599.doc 201241000
    2
    其中： 該膦配位體上之虛線表示可選鍵。 15.如請求項14之化合物，其中該金屬錯合物係選自由以下 組成之群：
    化合物14
    化合物16 162599.doc -11 - 化合物15
    S 201241000 16.
    士青求項5之化合物，其中該金屬錯合物具有式xiv:
    其中： X3係選自基團C_R1&N ; χ4係選自基團c-R2&N ; X係選自基團C-R3及N ;且 其中R1、R2及R3獨立地選自由以下組成之群：氣、 氘、卣基、烷基、環烷基、雜烷基、芳基烷基、烷氧 基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、 炔基、方基、雜芳基、酿基、幾基、缓酸、g旨、腈、異 162599.doc 201241000 腈 '鳅基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合。 17. 如請求項16之化合物’其中該金屬錯合物具有式χν :
    18. 如請求項17之化合物，其中該金屬錯合物具有式χνΐ :
    其中： Z1及Z3獨立地選自n-R'、S及Ο。 19. 如明求項18之化合物，其中該金屬錯合物係選自由以下 組成之群： 162599.doc -13- 201241000
    20.如請求項1之化合物，其中該金屬錯合物具有式χνΙΙ :
    其中： X6係選自基團C-R1及N ; X7係選自基團C-R2及N ; X8係選自基團C-R3及N ;且 其中R1、R2及R3獨立地選自由以下組成之群：氣、 氘、自基、烷基、環烷基、雜烷基、芳基烷基、烷氧 基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜歸基、 炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸、酿、产、 月、異 162599.doc -14- 201241000 腈、酼基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合。 21.如請求項20之化合物，其中該金屬錯合物具有式 XVIII ：
    22.如請求項2 1之化合物，其中該金屬錯合物係選自由以下 組成之群：
    23.如請求項1之化合物，其中該金屬錯合物具有式XIX :
    162599.doc •15- 201241000 其中： X6係選自基團C-R1、N、N-R，、S及Ο ; X7係選自基團C-R2、Ν、N-R'、S及Ο ; X8係選自基團C-R3、Ν、N-R，、S及〇 ; 其中環Α上之虛線表示可選鍵； 其中X6、X7及X8中之至少一者為雜原子或經取代之雜 原子；且 其中R】、R2及R3獨立地選自由以下組成之群：氫、 氘、齒基、烷基、環烷基、雜烷基、芳基烷基、烷氧 基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、 炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、腈、異 腈、疏基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合。 24. 如請求項23之化合物，其中該金屬錯合物具有κχχ:
    如請求項24之化合物 組成之群： 25. 其中該金屬錯合物係選自由以下 162599.doc 201241000
    化合物28 化合物29
    :6. —種包含有機發光裝置之第一裝置，其另外包含： 一陽極； 一陰極；及 一安置於該陽極與該陰極之間之有機層，該有機層包 含含有具有式I之金屬錯合物的化合物：
    其中L! k包含帶有-1電荷之雙牙配位體； B1 Z· (G)n 乂 B3 其中輔助性配位體 B4 不帶電荷 162599.doc -17- 201241000 其中該Ru帶有+2電荷； 其中該金屬錯合物具有總體〇電荷； 其中環B經由碳婦鍵連接至ru ; 其中環A為芳族的且選自由5員或6員碳環或雜環基團 組成之群； 各ra獨立地選自由以下組成之群：氣、氣、m 基、環烷基、雜烷基、芳基烷基、烷氧基、芳氧基、胺 基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜 芳基、酿基、#基、叛酸、冑、猜、異猜 酿基、磺醯基、膦基及其組合； 其中以可視情況鍵聯形成與環A稠合之環且其中該稠 環視情況經取代； a為0至4 ; X1係選自N-R’、Ο及S ; X2係選自C及N ; 各妒獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、鹵基 '烷 基、環烷基、雜烷基、芳基烷基、烷氧基、芳氧基、胺 基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜 芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、腈、異腈、巯基、亞磺 醯基、磺醯基、膦基及其組合； 其中…可視情況鍵聯形成與環B稠合之環且其中該稍 環視情況經取代； b為〇至4 ; Y與Z獨立地選自由C、N及P組成之群； 162599.doc -18- 201241000 B1、B2、B3、B4獨立地選自由以下組成之群：氫、 氘、il基、烷基、環烷基、雜烷基、芳基烷基、烷氣 基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、 炔基、方基、雜方基、酿基、幾基、缓酸、酷、产異 腈、毓基、亞績醯基、績醯基、膦基及其組合. B1與B 2視情況鍵聯形成具有〇至4個環雜原子之5員或6 員環狀基團、具有0至4個環雜原子之8員至1〇員摘合雙 環基團’其中該具有0至4個環雜原子之5員或6員環狀基 團及該具有〇至4個環雜原子之8員至1〇員稠合雙環基團 可視情況經一或多個獨立地選自由以下組成之群之取代 基取代：氫、氘、齒基、烷基、環烷基、雜烷基、芳基 烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環稀 基、雜婦基、块基、知基、雜芳基、醯基、幾基、叛 酸、酯、腈、異腈、毓基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及 其組合； B3與B4視情況鍵聯形成具有〇至4個環雜原子之5員或6 員J衣狀基團、具有〇至4個環雜原子之8員至1〇員稍合雙 環基團，其中該具有0至4個環雜原子之5員或6員環狀基 團及該具有0至4個環雜原子之8員至1〇員稠合雙環基團 可視情況經一或多個獨立地選自由以下組成之群之取代 基取代：氫、氘、基、烷基、環烷基、雜烷基、芳基 烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環稀 基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧 酸、酯、腈、異腈、巯基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及 162599.doc 19 201241000 其組合； 二選自由具有1至5個碳原子之烧基及稀基組成之 群，其中G之第一末端與wb2鍵結且G之第二末端與z 或B3鍵結； n為0或1 ;其巾當η為0B夺’ G不存在； 其中R係選自由以下組成之群：氫、氘、鹵基、烷 基、環烷基、雜烷基、芳基烷基、烷氧基、芳氧基、胺 基、石夕烧基、縣、環縣、雜稀基、炔基、芳基、雜 芳基、酿基、幾基、m酸、酿、腈、異腈、絲、亞石黃 醯基、磺醯基、膦基及其組合。 且該 27.如請求項26之第一裝置， 化合物為發射性摻雜齊，丨。 28·如請求項27之第一裝置， 29·如請求項26之第一裝置
    30.如請求項26之第一裝置 置。 其中該有機層為發射層 其中S玄有機層另外包含主體。 ’其中該第一裝置為消費型產 其·中該第一裝置為有機發光裝 162599.doc •20.
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