TW201238416A - Curved touch sensor - Google Patents

Description

201238416 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大體係關於觸控感測器之形成，且詳言之係關於 形成具有彎曲之可撓性基板的觸控感測器。 【先前技術】 近來’使用觸控感測器之輸入裝置（諸如，軌跡板、觸 控勞幕及其類似者）已變得愈來愈風行。在諸如膝上型電 腦之攜帶型計算裝置中，輸入裝置通常為軌跡板（亦稱為 觸控板）。藉由軌跡板，隨著使用者之手指沿著轨跡板之 表面移動，輸入指標（亦即，游標）之移動通常對應於該手 指（或手寫筆）的相對移動。 在手持型個人數位助理（PDA)或行動裝置之狀況下，輸 入裝置傾向於利用觸敏式顯示螢幕。在使用觸控螢幕時， 使用者可藉由使用手寫筆或手指直接指向螢幕上之物件來 在顯示螢幕上進行選擇。觸控螢幕可包括：觸控感測器面 板，其可為具有觸敏式表面之透明面板；及諸如液晶顯示 器（LCD)之顯示裝置，其可部分或完全定位於面板後方， 或與面板整合，使得觸敏式表面可覆蓋顯示裝置之可視區 域的至少一部分。觸控螢幕可允許使用者藉由在常常由顯 不裝置所顯示之使用者介面（UI)所指示的位置處使用手 才曰、手寫筆或其他物件觸碰觸控感測器面板來執行各種功 此。一般而言，觸控螢幕可在觸控感測器面板上辨識觸碰 事件及觸碰事件之位置’且計算系統接著可根據在觸碰事 件之時間出現的顯示來解譯觸碰事件，且此後可基於觸碰 159477.doc 201238416 事件執行一或多個動作·» 觸控感測器面板可大體上為極薄的，且可包括基板，該 基板具有層壓（或者以其他方式沈積或形成）於其上之薄的 圖案化臈。然而，歸因於基板及薄膜之所要薄度，可歸因 於損壞觸控感測器面板之組件的風險而在製造期間出現困 難。 舉例而言，在可撓性基板係藉由沈積薄膜來處理時，轉 變溫度（在該點處基板可翹曲或變形）可相對低。一般而 5，可撓性塑膠基板之任何處理（例如）必須低於1 $〇。匸，否 則其可變形。然而，在高溫（高於15〇〇c)下退火薄膜常常為 所要的’此係因為其可改良薄膜之電阻率及光學性質。因 此，在黏附至可撓性塑膠基板之同時退火薄膜可在基板中 引起不合需要的變形。 【發明内容】 當前所揭示之實施例係針對解決有關存在於先前技術中 之問題中之一或多者的問題，以及提供藉由在結合隨附圖 式考慮時參考以下實施方式將變得易於顯而易見的額外特 徵。 本發明係關於具有彎曲之基板的觸控感測器之形成。本 文中所描述之實施例係針對一種形成一觸控表面之方法， 其中在一可撓性基板係在一平坦狀態中之同時，一導電薄 膜可沈積及圖案化於該可撓性基板上以形成一觸控感測器 圓案。此後，在該平坦狀態中之該可撓性基板可接合至具 有預疋曲率之至少一彎曲之形成基板。一高溫退火可對 159477.doc 201238416 該導電薄膜（沈積於該可撓性基板上）執行，此可使得該可 撓性基板遵照該至少—彎曲之形成基板的該預定曲率。 本文中所也述之實施例係針對一種形成一彎曲之觸控表 面之方法° 4方法可包括在_可撓性基板係在一平坦狀態 中之同時，將一導電薄膜沈積及圖案化於該可撓性基板上 以形成至少一觸控感測器圖案。根據某些實施例，該方法 可包括：使在該平坦狀態中之該可撓性基板支撐於具有一 預定曲率之至少一彎曲之形成基板上；及對該導電薄膜執 行一退火製程或一類似退火之高熱製程，其中該退火製程 可使得該可撓性基板遵照該至少一彎曲之形成基板的該預 定曲率。 根據一實施例，該至少一彎曲之形成基板可包括具有一 第一預定曲率之一第一形成基板及具有與該第一預定曲率 互補之一第二預定曲率的一第二形成基板。 藉由（例如）在基板係在一平坦狀態中之同時將薄膜沈積 及圖案化於該基板上，及接著（例如）在該基板接合至一形 成基板時退火該薄膜，該基板可彎曲至一所要曲率。此 外’薄膜可接收該退火製程之益處（諸如，增加之強度及 傳導性以及增強之光學性質），而無對該基板之不合需要 的翹曲或變形。 【實施方式】 根據一或多個各種實施例之本發明係參看以下諸圖詳細 描述。僅為了達成說明之目的而提供圖式且其僅描繪本發 明之例示性實施例。提供此等圖式以促進讀者對本發明之 159477.doc 201238416 理解且不應視為限制本發明之廣度、範嘴或適用性。應注 意，為了說明之清楚及容易起見，此等圖式未必按比例綠 製。 在實施例之以下描述中，參看隨附圖式，該等隨附圖式 * 形成本發明之一部分，且在該等隨附圖式中藉由說明而展 .示可實踐之特定實施例》應理解，可使用其他實施例，且 可在不脫離所揭示之實施例之範疇的情況下進行結構改 變。 本發明係關於具有彎曲之基板的觸控感測器之形成。本 文中所描述之實施例係針對一種形成觸控表面之方法，其 中在可撓性基板係在平坦狀態中之同時，導電薄膜可沈積 及圖案化於可撓性基板上以形成觸控感測器圖案。此後， 在平坦狀態中之可撓性基板可接合至具有預定曲率之至少 一彎曲之形成基板。高溫退火可對導電薄膜（沈積於可撓 性基板上）執行’此可使得可撓性基板遵照該至少一彎曲 之形成基板的預定曲率。 藉由在可撓性基板係在平坦狀態中之同時將薄膜沈積及 圖案化於可撓性基板上，及接著在基板接合至形成基板時 退火薄膜，可撓性基板可遵照所要曲率。此外，薄膜可接 收退火製程之益處（諸如，增加之強度及傳導性以及增強 之光學性質），而無可撓性基板之不合需要的翹曲或變 形。 圖1說明根據各種實施例之例示性觸控螢幕堆疊，包括 具有形成有沈積於基板上之薄膜層的驅動及感測電極之觸 159477.doc 201238416 控感測器面板1如電容性感測表面之觸控表面—般含有 材料之若干層。舉例而言，該電容性感測表面可包括保護/ 裝飾罩（例如，防護玻璃罩104或其他介電材料）、一或多個 電極層，及基板1〇8。舉例而t，保護罩（防護玻璃罩1〇4) 為電容性感測表面之部分，該電容性感測表面可由使用者 觸碰以執行功㉟，諸如控制操作、筆勢(gesture)或顯示螢 幕上之游標移動。保護罩可覆蓋該（等）電極層，且該（等） 電極層可藉由將薄膜1()9沈積於基板⑽上而在基板1〇8上 形成。基板可為(例如)玻璃、聚對苯二甲酸伸乙酯(ρΕτ)、 聚醯胺、聚碳酸酯，或者任何塑膠或可撓性基板。 如本文中所描述之電容性感測表面可指代軌跡板、觸控 滑鼠、觸控螢幕或任何其他觸敏式表面^了達成例示性 目的’參考併入於觸控螢幕内之觸控感測器描述各種實施 例然而應主意，對於配備有一或多個觸控感測器之各 種其他裝置，可實施本文中所描述之程序。 在併入於觸控螢幕内之觸控感測器的狀況下，用以形成 驅動及感測電極之薄膜材料可為（例如）實質上透明之導電 材料，諸如氧化銦錫（ΙΤ0)或氧化銻錫（ΑΤ〇)。然而，薄膜 109可為任何其他透明或非透明導電材料，諸如銀墨 ink)、銅、Si〇2或其類似者。薄膜1〇9可層壓至基板ι〇8 ·, 然而，不同於經由薄膜1〇9塗覆ΙΤ〇或任何其他層，可使用 賤鑛製程、微影飯刻或任何其他沈積技術來沈積ΙΤ〇。 薄膜109可包括具有導電材料之驅動及感測電極之矩陣 的一或多個電極層。可經由驅動電極傳輸驅動信號，從而 159477.doc 201238416 在驅動電極及感測電極之相交部分（觸控像素）處導致在驅 動電極與感測電極之間的信號（互）電容。感測電子裝置可 經調適以隨著手指或其他物件掠過或接觸觸控表面而偵測 在感測電極中之每一者處的電容改變。驅動電極與感測電 極之間的電容可在給定列保持於直流（DC)電壓位準下時呈 現為雜散電容且在給定列係藉由交流（AC)信號刺激時呈現 為互信號電容Csig。手指或其他物件在觸控感測器面板附 近或其上的存在可藉由量測對存在於被觸碰之觸控像素處 之信號電荷的改變來偵測，該信號電荷隨Csig而變。所得 之信號電容改變係藉由感測電子裝置來辨識以指示手指或 其他物件在已知之像素處已接觸（或接近於）觸控表面。儘 管關於互電容描述本文中之實施例，但（例如）可使用其他 觸控感測機構，諸如自電容。 感測電子裝置可包括特殊應用積體電路（ASIC)，該ASIC 可經組態以偵測在電極中之每一者處的電容改變且基於在 感測電極中之每一者處隨時間的電容改變計算手指移動之 位置。ASIC亦可經組態以將此資訊報告給計算裝置内之其 他邏輯，諸如主機處理器。 具有形成經圖案化之驅動電極及感測電極之薄膜1 〇9的 上文所描述之類型之基板108可藉由壓敏性黏著劑 (PSA)l 1〇而結合至防護玻璃罩（或其他材料，諸如塑 膠）1〇4。ITO之未經圖案化層（未圖示）可視情況形成於基板 108之底部上以充當罩。抗反射（AR)膜114接著可沈積於未 經圖案化之ITO 112之上。LCD模組116接著可置於基板 159477.doc 201238416 108下方’為了修復之容易起見視情況由氣隙1丨8分離。當 然，可使用圖1中所描繪之材料層的各種組合或完全不同 之層’而不脫離本發明之範脅。舉例而言，替代於氣隙 118’可包括黏著層或AR膜114之層。又，根據各種實施 例，薄膜109可形成及圖案化於基板ι〇8下方（單面IT〇)， 或在兩個面上（雙面ΙΤΟ)。 取決於设計偏好’觸控感測器面板可採用各種形狀及/ 或曲率。舉例而言，觸控感測器面板可沿著X抑或y軸或者 沿著兩個軸具有凸面或凹面曲率’或可完全為球面的。圖 2A展示例示性堆疊，包括（為了簡單起見）基板1〇8、薄膜 109及防護玻璃罩丨〇4，其中防護玻璃罩彎曲。因此，觸控 感測器可具有相對於使用者為凸面之視覺效果。因為在圖 2 A之凸面設計中基板保持平坦’所以觸控感測器面板之總 厚度可大於在防護玻璃罩104亦為平坦（如圊1中所示）之情 況下的總厚度。此外’歸因於（例如）接觸防護玻璃罩1 〇4之 使用者手指與驅動及感測電極之間的更大距離（亦即，防 護玻璃罩104與薄膜1〇9之間的更大距離），在形成有薄膜 10 9之感測電極處的電容性感測可降級。如上文所提，根 據各種實施例，薄膜109可形成及圖案化於基板1 〇8上方或 下方（單面ITO)，或在兩個面上（雙面ιτο)。 圖2B說明根據本文中所描述之一實施例之等壁（constant wall)觸控感測器面板。換言之，觸控感測器面板之厚度 「y」保持恆定’此係因為基板1 〇8彎曲至實質上與防護玻 璃罩104類似之程度》使用如圖2B中所示之等壁設計，觸 I59477.doc 201238416 控感測器面板之總厚度可小於圖2A中所示之設計，而觸敏 性可保持為高，此係因為防護玻璃罩104與薄膜1〇9之間的 距離未自（例如）圖1之完全平坦堆疊之距離改變。然而，由 此需要形成具有彎曲之基板108的觸控感測器。如上文所 提，根據各種實施例’薄膜109可形成及圖案化於基板1 〇8 上方或下方（單面ITO)，或在兩個面上（雙面ιτο)。 圖3說明根據本文中所描述之一實施例之形成具有變曲 的基板1 0 8之觸控感測器之例示性程序。參看圖3，在程序 3〇〇處，薄膜109可沈積（例如，層壓）至基板1〇8。薄膜1〇9 可經圖案化以形成驅動及感測電極之觸控感測器圖案。根 據一實施例’薄膜109之處理可在基板108平坦且摘置（或 以其他方式附接）至剛性承載板301之同時發生。在操作 3〇〇處，薄膜109之所有處理可執行於低溫（亦即，低於 150°C)下以便避免基板1〇8之變形。作為替代，操作3〇5展 示捲軸式程序，其中可在基板1〇8保持平坦之同時且在低 溫下類似地執行薄膜1 〇9處理。 自操作300或305，程序可繼續至操作31〇，其中基板ι〇8 可自剛性承載板3(H予以移除（例如，剝層）且與形^基板 312接合或支揮於形成基板⑴上。形成基板312可為可对 受高溫而不變形之任何材料。形成基板312可包括用以塑 形基板1〇8之任何數目個預定曲率。基板1〇8可藉由暫時地 層屋而接合至形成基板312，或可僅搁置在形成基板 其中可對於薄膜 自操作310，程序繼續至操作32〇 159477.doc 201238416 1 09(1^如’/τ〇)執行退火或類似製程。在一些實施例中， 退火可指代如下製程：將熱處理提供至薄膜109’從而引 起其性質改變，但亦可使用不同於高熱之處理，諸如㈣ 處理，然而’可執行其他類似退火之製程，諸如高壓或 UV曝光製程。在為ΙΤ〇之薄膜1〇9之狀況下，退火可實質 上使ΙΤΟ結晶，從而提供強度及增加之傳導性。此外，舉 例而言，在形成待併入於顯示裝置内之觸控感測器時，退 火可提供增強之光學性質（諸如，透明度），使得薄膜⑽在 顯示裝置中不可見。 在退火製程期間，基板108可歸因於高熱而撓曲，使得 其可遵照形成基板3 12之曲率。舉例而言，重力可提供足 夠之力來使可撓性基板108壓抵形成基板312，以使得基板 可遵照其預定曲率。作為操作315中所描繪之替代具 有與第一形成基板312之彼等曲率互補之一或多個曲率的 第二形成基板313可用以提供其他壓力，從而迫使基板1〇8 遵照形成基板312及形成基板313兩者之互補的曲率。 自操作320，程序繼續至操作33〇，其中自形成基板312 移除（例如，剝層）基板1〇8。在操作34〇處’包括薄膜ι〇9之 彎曲之基板108可被切割且分離。在此例示性程序中，三 個觸控感測器形成於三個彎曲之基板1〇8上。然而，應注 意，可藉由切割及分離程序形成任何數目個彎曲之基板。 藉由在基板108係在平坦狀態中之同時將薄膜1〇9沈積及 圖案化於基板丨08上，及接著在基板1〇8接合至形成基板 312(及根據一實施例之形成基板313)時退火薄膜ι〇9，基板 159477.doc -12- 201238416 108可彎曲至所要曲率。此外，薄膜109可接收退火製程之 益處（諸如’增加之強度及傳導性以及增強之光學性質）， 而無對基板108之不合需要的魅曲或變形。 圖4A說明包括觸控螢幕裝置43〇之例示性行動電話436， 觸控螢幕裝置430包括根據一所揭示之實施例之形成有彎 曲的基板的觸控感測器。 圖4B說明可包括觸控螢幕裝置43〇及軌跡板裝置45〇之例 示性數位媒體播放器440 〇觸控螢幕裝置430及/或軌跡板 裝置450可包括根據一所揭示之實施例之形成有彎曲的基 板的觸控感測器。 圖4C說明可包括顯示器430及軌跡板450之例示性個人電 月® 444，軌跡板450包括根據一所揭示之實施例之形成有彎 曲的基板的觸控感測器。 圖5說明根據一實施例之包括觸控表面524的實例計算系 統500，其可利用觸控控制器5〇6。圖4A、圖4B或圖化中 所描繪之實施例中的任一者可藉由類似之計算系統5〇〇來 實現。觸控控制器506可為可包括一或多個處理器子系統 502之ASIC，處理器子系統5〇2可包括（例如）一或多個主 (本端）處理器，諸如ARM968處理器或具有類似之功能性 及性能的其他處理器。《而，在其他實施例中，可替代地 藉由專用邏輯(諸如’狀態機)來實施某處理器功能性。處 理器子系統502亦可包括（例如）周邊裝置（未圖示），諸如隨 機存取記憶體(RAM)或者其他類型之記憶體或儲存器 532、看門狗計時器及其類似者。觸控控制器_亦可包括 159477.doc 201238416 (例如）用於接收信號之接收區段507，該等信號諸如來自觸 控表面524之感測電極（例如，電極之一或多個行）的觸控感 測信號503，及來自其他感測器（諸如，感測器511)之其他 信號等。當然，舉例而言，可實施任何觸控感測機構，諸 如互電容或自電容。電荷泵515可用以產生用於可控制驅 動電極（例如，電極之一或多個列）之傳輸區段的供應電 壓。儘管圖5展示與傳輸區段514分離之電荷泵515，但電 荷泵可為傳輸區段之部分。 觸控控制器506亦可包括（例如）解調變區段（諸如，多級 向量解調變引擎509)、面板掃描邏輯51〇，及包括（例如）傳 輸區段514之驅動系統。面板掃描邏輯51〇可存取RAm 5 12、自感測通道自主地讀取資料及提供對於感測通道之 控制》另外，面板掃描邏輯51〇可控制傳輸區段514以產生 可選擇性地施加至觸控表面524之驅動電極的在各種頻率 及相位下之刺激信號516。 觸控控制器506可經調適以隨著手指或其他物件掠過或 接觸觸控表面而偵測在觸控像素526中之每一者處的互電 容改變。觸控控制器506可經組態以基於觸控像素526中之 每一者處的互電容改變來計算手指移動之位置。舉例而 言，觸控控制器506亦可經組態以將此資訊報告給觸控控 制器506内之其他邏輯’或主機處理器528。在非電容性實 施例中’舉例而言，觸控控制器可根據觸控感測技術來調 適以傳輸或接收光波或聲波通信。 儘皆上文已描述各種實施例，但應理解，其僅藉由實例 159477.doc 201238416 = 呈現。同樣，各種圖可描緣用於本發明之 5 、他組態，其用以辅助理解可包括於本發明 :特倣及功能性。本發明不限於所說明之實例架構或组 也’:是可使用多種替代架構及組態來實施。另外，儘管 上文在各種例示性實施例及實施方面描述本發明，但應理 解’個別實施例中之一或多者中所描述的各種特徵及功能 性在其適用性上不限於描述其之特定實施例^該等特徵及 功尨性可替代地單獨或以某組合來應用於本發明之其他實 施例中的一或多者，而不管是否描述了此等實施例，且不 管此等特徵是否呈現為所描述之實施例之一部分。因此， 本發明之廣度及範疇不應受上文所描述之例示性實施例中 的任一者限制。 【圖式簡單說明】 圖1說明根據本文中所描述之一實施例之例示性觸控感 測器面板堆疊。 圖2A說明根據本文中所描述之一實施例之具有彎曲的防 護玻璃罩之觸控感測器面板。 圖2Β說明根據本文中所描述之一實施例之等壁觸控感測 器面板。 圖3說明根據本文中所描述之一實施例之形成具有彎曲 的基板之觸控感測器之例示性程序。 圖4Α說明根據本文中所描述之各種實施例之可包括具有 彎曲的基板之觸控感測器之例示性行動電話。 圖4Β說明根據本文中所描述之各種實施例之可包括具有 159477.doc -15- 201238416 彎曲的基板之觸控感測器之例示性數位媒體播放器β 圖4 C說明根據本文中所描述之各種實施例之可包括具有 彎曲的基板之觸控感測器之例示性個人電腦。 圖5說明根據本文中所描述之各種實施例之包括具有彎 曲的基板之一或多個觸控感測器之例示性計算系統。 【主要元件符號說明】 104 防護玻璃罩 108 基板 109 薄膜 110 壓敏性黏著劑（PSA) 112 未經圖案化之ΙΤΟ 114 抗反射（AR)膜 116 LCD模組 118 氣隙 300 程序/操作 301 剛性承載板 305 #作 310 操作 312 第一形成基板 313 第二形成基板 315 操作 320 操作 330 操作 340 操作 I59477.doc - 16- 201238416 43 0 43 6 440 444 450 5 00 5 02 503 5 06 507 5 09 510 511 512 514 515 516 524 526 528 532 觸控螢幕裝置/顯示器 行動電話 數位媒體播放器 個人電腦 軌跡板裝置/軌跡板 計算系統 處理器子系統 觸控感測信號 觸控控制器 接收區段 多級向量解調變引擎 面板掃描邏輯 感測器 隨機存取記憶體 傳輸區段 電何栗 刺激信號 觸控表面 觸控像素 主機處理器 記憶體或儲存器 159477.doc

Claims (1)

1. 201238416 七、申請專利範圍： 1. 一種形成一彎曲的觸控表面之方法，其包含： 在一可撓性基板係在一平坦狀態中之同時，將一導電 薄膜沈積及圖案化於該可撓性基板上以形成至少一觸控 . 感測器圖案； . 使在該平坦狀態中之該可撓性基板支撐於具有一預定 曲率之至少一彎曲之形成基板上；及 對該導電薄膜執行一退火製程，其中該退火製程使得 該°Γ撓性基板遵照該至少一彎曲之形成基板的該預定曲 率CI 2. 如請求項丨之方法，其中該至少一彎曲之形成基板包括 具本—第一預定曲率之一第一形成基板及具有與該第一 預定曲率互補之一第二預定曲率的一第二形成基板。 3_如請求項2之方法，其進一步包含： 边使該第一形成基板與該第二形成基板在一起以促進 °亥丁撓性基板遵照該第一預定曲率及該第二預定曲率。 4·如請求項丨之方法，其進一步包含： 將遵照該預定曲率之該可撓性基板與該至少一彎曲之 形成基板分離。 , 5. 如1清求tg w〆喝1之方法’其中該可撓性基板係由聚對苯二甲 申乙Sg (PET)、聚醯胺及聚碳酸酯中之至少一者形 成。 6 · 如請求j§ | , 之方法’其中該可撓性基板為一玻璃基板。 7 ·如請求項； 之方法，其中形成該觸控感測器圖案之該薄 159477.doc 201238416 膜為氡化銦錫（ιτο)、氧化銻錫（AT0) '銀墨、氧化銦鋅 (IZO)、銀奈米線、CNT及銅中之至少一者。 8. 如請求項1之方法’其中該觸控感測器併入於一觸控感 測器面板内。 9. 如請求項8之方法’其中該觸控感測器面板併入於一模 組内，該模組選自由一計算系統、一顯示裝置及一觸控 滑鼠裝置組成之一群組。 10. —種方法，其包含： 在一可撓性基板係在一平坦狀態中且由一剛性承載板 支樓之同時’將一經圖案化之導電薄膜沈積於該可撓性 基板上以形成一或多個觸控感測器圖案； 自該剛性承載板移除該可撓性基板且使在該平坦狀態 中之該可撓性基板支撐於具有一預定曲率之至少一彎曲 之形成基板上；及 對該導電薄膜執行一熱製程，其中該熱使得該可撓性 基板遵照該至少一彎曲之形成基板的該預定曲率。 11_如請求項1〇之方法’其中該至少一彎曲之形成基板包括 具有一第一預定曲率之一第一形成基板及具有與該第一 預定曲率互補之一第二預定曲率的一第二形成基板。 12.如請求項11之方法，其進一步包含： 將該第一形成基板與該第二形成基板壓在一起以迫使 該可撓性基板遵照該第一預定曲率及該第二預定曲率。 13·如請求項1〇之方法，其中該可撓性基板係由聚對苯二甲 酸伸乙酯（PET) '聚醯胺及聚碳酸酯中之至少一者形成。 159477.doc 201238416 14. 如請求項10之方法，其中兮^ . 异T該可撓性基板為一玻璃基板。 15. 如請求項1〇之方法，其中形成該觸控感測器圖案之該薄 膜包括氧化銦錫（ΙΊΌ)、氧化錄錫（ΑΊΌ)、銀墨及銅中之 至少一者。 .16.如請求項10之方法，其中彎曲之觸控表面併入於一觸控 . 感測器面板内》 17. 如請求項16之方法，其中該觸控感測器面板併入於一模 組内，該模組選自由一計算系統、一顯示裝置及一觸控 滑鼠裝置組成之一群組。 18. —種用於形成一彎曲的觸控表面之系統，其包含： 一可撓性基板，其經組態以具有一薄膜，在該可撓性 基板係在一平坦狀態中之同時，該薄膜沈積及圖案化於 該βΓ撓性基板上以形成一觸控感測器圖案；及 至少一彎曲之形成基板’其具有經組態以塑形該可撓 性基板之一預定曲率，其中 對該導電薄膜之一退火使得該可撓性基板撓曲，以 使得該可撓性基板遵照該至少一彎曲之形成基板的該 預定曲率。 19. 如請求項18之系統，其中該至少一彎曲之形成基板包括 具有一第一預定曲率之一第一形成基板及具有與該第一 預定曲率互補之一第二預定曲率的一第二形成基板。 20. 如請求項19之系統，其中該第一形成基板及該第二形成 基板經組態以壓在一起以促進該可撓性基板遵照該第一 預定曲率及該第二預定曲率。 159477.doc