TW201236862A - Transparent conductive laminated body and organic thin film device - Google Patents

Transparent conductive laminated body and organic thin film device Download PDF

Info

Publication number
TW201236862A
TW201236862A TW101100031A TW101100031A TW201236862A TW 201236862 A TW201236862 A TW 201236862A TW 101100031 A TW101100031 A TW 101100031A TW 101100031 A TW101100031 A TW 101100031A TW 201236862 A TW201236862 A TW 201236862A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
conductive
transparent conductive
organic
transparent
Prior art date
Application number
TW101100031A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsuyoshi Muto
Koichi Nagamoto
Kunihisa Kato
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Publication of TW201236862A publication Critical patent/TW201236862A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/211—Fullerenes, e.g. C60
    • H10K85/215—Fullerenes, e.g. C60 comprising substituents, e.g. PCBM
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)

Description

201236862 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種透明導電性積層體及一種有機薄 膜裝置，再詳細地說，本發明係關於一種具有可適用的 導電性 '且全光線透射率高又便宜的透明導電性積層體 作為有機裝置用電極，以及一種使用該透明導電性積層 體的有機薄膜裝置。 【先前技術】 近年來’在有機電致發光、各種太陽能電池、觸控 面板或手機、電子紙等方面，正頻繁地研究探討使用透 明導電膜的透明電極。 例如：一般是將材料積層在由透明導電膜所構成的 電極，而製造有機薄膜太陽能電池所代表的有機光電轉 換或疋電光轉換裝置。以透明導電膜而言，金屬薄膜、 金屬氧化物薄膜、導電性氮化物薄膜等各種導電膜正被 研究探討，但現在主要是光學透通性與導電性的並存成 為可此且耐久性亦優異，因此金屬氧化物薄膜成為主流 其中’特別是摻雜錫的氧化銦（以下記載為IT〇)，由於 =光學透通性與導電性間的平衡良好，並容易藉由使用 酸液的濕式蝕刻而形成電極細微圖案，因此被廣泛使用（ 例如.專利文獻丨、2)。然而，由於ιτ〇含有稀有元素的 銦，因此成本、資源栝竭兩方面的問題極為堪憂。 另方面，在PET等透明基材上形成金屬製的微細 圖案或是拇極之薄片’係作為未含有稀有元素且疑似被 硯為透明導電材料的材料。該等的薄片係可依據圖案的
S -4- 201236862 設計（以間距、線寬度 光性及導電性，因此且古、的開口部之開口率）控制透 ^ μ . 八有作為透明電極的可利用性。 以&樣的導電性積 明導電性薄膜，其係 。’列如：已揭示-種透 分以及含有it # 14、、 3有導電性金屬之細線結構部 :然而在考慮 法為了在導電：上含有導/陽成電池的應用時’該方 題。 電性微粒，存在著透光度的問 此外，已接屮—+ 金Μ 士方& & η 明電極層上設置網目花紋的 金屬線、、、。構的方法（專利文獻4)。然而 ΙΤΟ膜用以提高導電性 方法中鮝鍍 '、存在者作為材料之ITO膜的資 驟數及制、止士士 曰由义鍍1το膜來進行製膜，在步 驟數及Ik成本方面亦留有問題。 的美提出一種透明導電性薄膜，其係在於透明 至少—面上具有包含導電性金屬網目層與 導電性Μ子層的透明導電性層之透明導電性薄膜，其 特徵在於該導電性金屬網目層 、 金屬的合金(專利文獻5)…卑金屬或包含皁 又馱5)然而，為使用皁金屬或包含卑 金屬的合金，而在耐久性存在著問題。 再者，已提出-種在透明支樓體上具有由至少一種的 金屬所形成的網目狀的導電層之透明導電膜，其係在該導 電層之上設置含有遷移抑制劑的透明導電層之透明導電 膜（專利文獻6)。然而，以遷移抑制劑而言，由於使用與 金，離子鍵結的苯并三唾系、三钟系般的化合物，因此存 在著表面電阻增大且導電性或透光度降低的問題。 201236862 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻l]W〇2005/04 121 6小冊子 [專利文獻2]曰本特開2008_204683號公報 [專利文獻3]日本特開2〇〇8_2881〇2號公報 [專利文獻4]日本特開2〇〇5_3〇25〇8號公報 [專利文獻5]日本特開2〇〇9_81 1〇4號公報 [專利文獻6]日本特開2〇〇9_ 146678號公報 【發明内容】 [發明欲解決之課題] 本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在 上述以往的問題，並提供—種不使用IT〇而具有可 導電性、且全光線透射率高又便宜的透明導電性 作為有機裝置用電極，以及一種使用該透明導電 體的有機薄膜裝置。 [解決課題之手段] 為了解決如上述之問題，本發明人等專心研 果發現可提供一種透明導電性積層體其係以在 材^至》—面上形成導電性金屬®案層及含有導 機门刀子化合物之導電性有機層，且不使用而 用的導電性、且令朵始.泰&古_ 王九線透射率高又便宜的透明導 層體作為有機裝置用電極。t進一步發現該透明 層體，、有可適用於各種有機薄膜裝置的優異導 全光線透射率，而完成本發明。 即’本發明提供下述： 於解決 適用的 積層體 性積層 究，結 透明基 電性有 有可適 電性積 導電性 電性、 201236862 (1) 一種透明導電性積層體’其係將導電性金屬圖案 層及含有導電性有機高分子化合物之導電性有機層依此 順序在透明基材的至少一面上直接積層而形成的透明導 電性積層體，其特徵在於用以形成該導電性金屬圖案層 的材料係選自金、銀、銅、舶中的至少一種或是含有其 中一種的合金。 (2) 如上述（1)記載的透明導電性積層體，其中該導電 性有機高分子化合物係選自聚苯胺類、聚β比咯類或聚。塞 吩類及彼等之衍生物中的至少1種。 (3) 如上述（1)或（2)記載的透明導電性積層體，其中 由表面所看到的該導電性金屬圖案層的形狀係由形成具 有連續外框的形狀而成。 、 (4) 如上述（3)記載的透明導電性積層體，其中該具 外框的形狀的一部分係被切斷。 (5) —種有機薄膜裝置，其特徵在於具有如上述 (1)〜（4)中任一項記載的透明導電性積層體^ 、 [發明之效果] 根據本發明，可提供一種不使用IT〇而有可適用的導 電f生、且全光線透射率高又便宜的透明導電性積層體作 為有機裝置用電極，以及一種有機薄膜裝置。 【實施方式】 [實施發明之形態] 以下，用圖來詳細說明本發明之實施形態。 本發明之透明導電性積層體係在透明基材的至少一 面上具有導電性金屬圖案層及含有導電性有機高分子化 201236862 合物之導電性有機層，其特徵在於未含有如以往的透明 導電性薄膜那樣的ITO層。 第1圖係顯示本發明之透明導電性積層體之剖面的 示意圖，在第1圖中，1為透明基材，2為導電性金屬圖案 層’3為導電性有機層’ 4為透明導電性積層體。 [透明基材] 以透明基材而言’從透明性的觀點來看，按照JIS K7 3 6 1 -1所測定的全光線透射率較佳為7 〇%以上，更佳為 80%以上，最佳為9〇%以上。一般而言，作為這樣的透明 基材係使用玻璃（板）或塑膠薄膜等，但是從柔軟性的觀 點來看，較佳為塑膠薄膜。 以塑膠薄膜的種類而言，可列舉例如：由聚對苯二 甲酸乙二酯、聚對萘二〒酸乙二酯、三乙醯纖維素、對 排聚苯乙烯、聚苯硫醚、聚碳酸酯、聚芳香酯、聚颯、 聚醋硬、聚醚醯亞胺、環狀聚烯烴等所構成的塑膠薄膜 。其中’以機械強度、耐久性等優異者而言，較佳為例 如.聚對笨二甲酸乙二酯、聚對萘二曱酸乙二酯、聚芳 香Sa專。由機械強度、耐久性及透明性的平衡的觀點來 看’透明基材的厚度較佳為3μπ1〜5ιηιη，更佳為5μιη〜lmm ’特佳為 1 〇 〜3 〇 〇 μπι。 [導電性金屬圖案層] 在本發明之透明導電性積層體中，導電性金屬圖案 層設置在透明基材的至少一面上。以導電性金屬圖案層 而言’可列舉使用如電漿顯示器的電磁波屏蔽臈之金屬 柵極圖案的微細圖案結構之層。以導電性金屬圖案層的 201236862 、直線：而5 ’並無特別的限制’可列舉帶狀(條紋狀) 且、’.叉狀、曲線狀、波形線狀（正弦曲線 格子狀）的網目狀、多角步狀的姻 四角形狀（ 目狀多角形狀的網目狀、圓形狀的網B壯 、橢回狀的網目狀、不定形#。在該等之中 屬圖案層的線部分圍繞且具有未形成導電性今 屬圖案層的邱八m 〇 、去 „ 電丨生金 制，可列Γ 1 ρ的形狀並無特別限 圓狀等Γ角形狀(格子狀)、多角形狀、圓形狀、橢 _狀4卩這樣的圖案結構而言，可列舉例 r((a);(f)所示的⑷帶狀… ° )二角形狀的開口部、⑷圓形狀的開口部、⑷將 四角形狀（袼子狀）的開口部多個排列之網目狀 線狀（正弦曲線等）等圖案。 / 在導電性金屬㈣層中，圍繞開口部的各條線可 為直線狀，亦可為如(f)所示的波形線狀(正弦曲線等 又，如第3圖⑷所示，如圍饒該導電性金屬圖案層 般士全周緣具有包含導電性金屬層之外周部分的形狀， 換言之’在從表面看導電性金屬圖案層的情況下，較佳 為具有連續外框的形狀(例如：如除去烤魚用網的 分之形狀）。 、又’如第3圖（b)或（c)所示，較佳為切斷外框的一部 分。若為這樣的結構，則將本發明之透明導電性積層體 使用在有機薄膜裝置時，可防止後述之電極與導電性圖 案層接觸所造成的短路。 導電性金屬圖案層的厚度較佳為2〇ηιη〜ι〇〇μιη，特佳 為 30〜l〇〇〇nrn、40〜8〇〇nm。 201236862 以導電性金屬圖案層的開口率而言，從透明性（全光 線透射率）的觀點來看，較佳為8〇%以上小於1〇〇%，更加 為90%以上小於100%，最佳為95%以上小於1〇〇%。開口 率係未形成導電性金屬圖案層的部分（開口部）的面積的 比例。 導電性金屬圖案層的開〇部的間距較佳為P3000 μηι，更佳為5〜2000μπι’最佳為1〇〜ΒΟΟμη!。開口部的間 距小於Ιμπι時，有透明性降低的情況；大於3〇〇〇μπι時， 則導電性降低。 導電性金屬圖案層的線寬度較佳為1〇〇ηιη〜1〇〇〇μπι ’更佳為500nm〜500μιη，最佳為。若線寬度大 於ΙΟΟΟμΓη，則有開口率下降且透明性降低的情況；若小 於lOOnm，則有難以得到導電性的可能性。開口率可如 以下式子求得。 開口率（％) =[開口部面積/(導電性金屬圖案層的線部分的面積 +開口部面積）]X 1 0 0 在本發明，其特徵在於用以形成導電性金屬圖案層 的材料係選自金、銀、鋼、鉑中的至少一種或是含有其 中一種的合金。該等之材料由於在金屬之中具有較小= 離子化趨勢’因此抗腐#性^，對後述的導電性有機層 的抗腐蝕性高且適合。又從導電性高的觀點來看亦較佳 。若使用除此以外的材料，則在積層後述的導電性有機 層的情況下，由於導電性金屬圖案層會溶解且腐蝕，益 法得到導電性，而且透明性亦降低，因此較不佳。‘·、、 -10- 201236862 以合金而言，若為選自上述的 至少一插弋β 立由 “銀、銅、翻中的 或疋以其中—種為主體的合金 制。以兮铂★人么二 並無特別的限 占細 « 月銅、碟青銅、黃銅、 白銅、莫乃耳(Μ_ι)等，且可適當選擇n，、 主體的合金係導電性優良、加”以銅為 用。 注良好，因此可較佳使 导電性金屬圖案層可為單層 田 可以在保持導電性的同時 夕、’0構。 Ν時而使耐腐蝕性提井的赴冰主 電性金屬圖案層較佳為多層結構。 包含同種材料的層之多 類以上材料的層之多層 以多層結構而言，可為積層 層結構，亦可為積層包含至少2種 結構。 少2種類提升的點來看，較佳為積層包含至 將上材料的層之多層結構1多層結構而言，係 將：含選自金、銀、銅、財的至少一種或是含有其： 的合金材料的圖案層形成在透明基材上此外較 材料==比形成該圖案層的材料的抗腐餘性還高的 以多層結構而言，較佳為積層包含不同種材料的層 層結構。以這樣的多層結構而言，例如：一 成銀的岡安思 网始无形
’從其上形成比銀的抗腐钱性還高的錮夕 圖幸爲 t J 〇々’而一面保持銀的高導電性一面改善抗腐蝕性。 作為在透明基材上設置導電性金屬圖案層的方法， 並無特別的限㈣’可適當選擇使用周知的技 例如：、兹 ^ 一 夕j舉 頂无^置導電性金屬圖案層後，使用黏著劑 -11- 201236862 電性的糊等將其黏附在透明基材（第1圖的l)上的方法； 或是在透明基材上設置未形成圖案的（沒有開口部）導電 性金屬層後，藉由各種周知的機械處理或化學處理等， 加工成導電性金屬圖案的形狀之方法；在透明基材上， 藉由喷墨法、網板印刷等直接形成導電性金屬圖案的方 法等。 以設置導電性金屬層的方法而言，可列舉真空蒸錢、 喷濺、離子電鍍等PVD(物理氣相沉積）、或熱cvd、原子 層沉積（ALD)等CVD(化學氣相沉積）等的乾式法、或是浸 塗、旋轉塗布、喷霧塗布、凹版塗布、模具塗布、刮刀片 (doctor blade)等各種塗布或電化學沉積等的濕式法銀鹽 法等，可根播莫雷Μ全属恳6ft 也丨τ*a _
明丞材之間。 [導電性有機層] 包含導電性有機高分 導電性有機層（第1圖令的3)係 子化合物的層。 201236862 以導電性有機尚分子化合物而言，從分散性優良且 作為導電性有機層的塗膜的形成為容易的觀點、透明性 向的觀點、作為導電性有機層時的表面電阻率低且膜導 電性優良的觀點來看，較佳使用由藉由π電子共軛而具有 導電性的導電性高分子之聚苯胺類、聚吡咯類或聚噻吩 類、及該等之衍生物令選出的至少一種。 聚苯胺類係以碳數卜18的烷基、烷氧基、芳基、磺 酸基等取代苯胺的2號位置或3號位置或ν位置的化合物 的高分子量分子’可列舉例如：聚-2_曱基苯胺、聚_3_ 甲基苯胺、聚-2-乙基苯胺、聚_3_乙基苯胺、聚·2_甲氧 基苯胺、聚-3-甲氧基苯胺、聚_2_乙氧基苯胺、聚_3_乙 氡基苯胺、聚-Ν-曱基苯胺、聚_Ν_丙基苯胺、聚_Ν_苯基 -1-萘基苯胺、聚-8-苯胺基_1_萘磺酸、聚_2_胺基苯磺酸 、聚-7 -苯胺基-4-經基_2 -萘續酸等。 聚吡咯類係以碳數1〜1 8的烷基或烷氧基等取代吡咯 的1號位置或3號位置、4號位置的化合物的.高分子量分子 ’可列舉例如：聚_1_甲基吡咯、聚_3_曱基吡咯、聚 乙基吼11各、聚-3 -乙基η比咯、聚_ 1 _曱氧基吡〇各、3 -甲氧基 °比咯、聚-1 -乙氧基吡咯、聚_ 3 -乙氧基吡咯等。 聚嗟吩類係以碳數1〜18的坑基或燒氧基等取代嗟吩 的3號位置或4號位置的化合物的高分子量分子，可列舉 例如’聚-3 -曱基嗔吩、聚_3_乙基售吩、聚_3_曱氧基嗟 吩、聚-3-乙氧基噻吩、聚_3,4_伸乙二氧基噻吩（pED〇T) 等巨分子。 以聚苯胺類、聚吡咯類或聚噻吩類的衍生物而言， -13- 201236862 可列舉該等之摻雜物體等。 以摻雜物而言，可列舉氣化物離子、溴化物離子、 蛾化物離子以化物離子；過氯酸離子；四㈣酸離子 ’六W酸離子·，硫酸離子；蛾酸離子；硫氰酸離子； 六氣石夕酸離子；構酸離子、苯基填酸離子、六㈣酸離 子=%酉文系離子，二敦乙酸離子；τ苯石黃酸鹽離子、乙 基苯《酸離子、十二基苯確酸離子等烧基苯績酸離子； 甲基磺紋離子、乙基磺酸離子等烷基磺酸離子；或聚丙 稀酸離子、聚乙烯基續酸離子、聚苯乙烯績酸離子（pss) 、聚(/-丙烯醯胺基-2_甲基丙磺酸）離子等高分子離子等 ’該等可單獨或是組合2種以上使用。 —二摻雜物而言，由於在該等之令，亦可容易地調整 咼導電性，且在作為水溶液時，具有用於容易地分散之 有用的親水骨架’因此較佳為聚丙烯酸離子、聚乙烯基 磺酸離子、聚苯乙烯磺酸離子（pss)、聚（2丙烯醯胺基-2_ 甲基丙磺酸）離子等高分子離子，更佳為水溶性且強酸性 的聚合物之聚苯乙烯磺酸離子（pss)。 以上述聚苯胺類、聚吡咯類或聚噻吩類之衍生物而 S較佳為聚噻吩類之衍生物，其中，較佳為聚（3，4-環 氧乙烷噻吩）與作為摻雜物的聚苯乙烯磺酸離子的混合 物（以下亦記載為「PEDOT : PSS」）等。 以用於使该導電性有機層形成的方法而言，可列舉 浸潰塗布、旋轉塗布、喷霧塗布、凹版塗布、模具塗布 、刮刀片等各種塗布或電化學沉積等濕式法，而適當選 擇0 -14 - 201236862 較佳為藉由浸潰塗布、旋轉塗布、喷霧塗布 凹版塗布、模具塗布、刮刀片等各種塗布，將該導電 性有機面分子化合物的水分散液或溶液（塗布液）塗布在 透明基材1上所設置的該導電性金屬圖案層（第1圖中的 2)上，而使導電性有機層形成。根據這樣的方法，可容 易地使導電性有機層形成。 導電性有機層的厚度較佳為5〜1000ηηι，更佳為3〇〜 300nm。，若小於5nm，則有無法完全被覆有高低差的導電 性金屬圖案層2的開口部的四周之可能性；若大於1〇〇〇 nm，則由於全光線透射率低且透明性降低，而較不佳。 導電丨生有機層可為單層，亦可為與該導電性有機高 分子化合物的種類不同之2層以上的積層結構。 9導電性有機層單獨的表面電阻率較佳為ιω/□〜ι 〇χ Μ Ω/□。若表面電阻率在此範圍内，則在使用有機薄膜 裝置時’導電性良好而較佳。 光線透射率（按照JIS 更佳為85%以上，最佳為 導電性有機層單獨的全光 K7361-1測定）較佳為8〇%以上，更/ 90%以上。 本發明之透明導電性積層體係在透明基材的至少一 導電性積層體較佳為將導電性金屬圖案層、導電性有機 層依此順岸右如篦1圖夕捸ΒΗ装ΛΑ t
在導電性金屬圖案層上的狀態。 面上具有導電性金屬圖案層及導電性有機層者，但透明 -15- 201236862 如上所述，本發明之透明導電性積層體係在透明基 材的至少一面上依序具有導電性金屬圖案層及導電性有 機層，而表面電阻率低、導電性優良且透明性優良。 如此，本發明之透明導電性積層體係透明性高並且 導電性高、透明性與導電性的平衡優良，因此可適用於 各種有機薄膜裝置。 在本發明之透明導電性積層體中，表面電阻率較佳 為1〜ι.〇χΐο9Ω/□，更佳為1Μ 〇χ1〇3Ω/□。表面電阻率若 在此範圍内，則使用於有機薄膜裝置時，導電性良好而 較佳。 义 又，透日月導電性積層體的全光線透射率（按照JIS K7361-1測定)較佳為8〇%以上，更佳為85〇/。以上，最佳 90%以上。若全光線透射率為卿。以上則將本發明之透 明導電性積層體用於有機壤 有機溥膜裝置時，透明性是相當足 夠的。 [有機薄膜裝置] 以下，對本發明之有機薄膜裝置進行說明。 本發明之有機簿膜# θ ,^ 4ρη . 、裝置係具有該透明導電性積層體 (第4圖中的4)者。 1谓增瓶 以有機薄膜裝晉而^ 愔舻.d 而5 ’可列舉有機電晶體、有機圮 憶體 '有機EL等有機裝署，为曰s 有機•己 雷日<3* 裒置，液日日顯示器；電子紙.壤眩 電晶體；f色顯示；電化與壯 、、氏’ 4膜 器；太陽能電池等光電轉置；觸控面板；顯示 轉換裝置；蓄電裝置等。、、’熱電轉換裴置；壓電 第4圖係顯示且有太表 〃有本發明之透明導電性積層體之有
S -16- 201236862 機薄膜裝置之層構成的一例之剖面圖。在第4圖中，1為 透明基材，2為導電性金屬圖案層，3為導電性有機層，4 為透明導電性積層體，5為光電轉換層，6為電椏，7為有 機薄膜裝置。以下，作為有機薄膜裝置的一例，用第4 圖來說明光電轉換裝置。 <光電轉換層> 光電轉換層係進行光電轉換的層，從原料的低成本 化、柔軟性、形成的容易性、吸光係數的高低、輕量化 、抗衝擊性等的觀點來看，其較佳為有機半導體。 光電轉換層可由單層所構成，亦可由多層所構成。 在單層的情況下，一般光電轉換層係由本質半導體（丨型 半導體）等所形成。 又’在多層時’則為（P型半導體層/n型半導體層）的 積層或（p型半導體層/本質半導體層/n型半導體層）等。 雖然光電轉換層的厚度在單層或多層的情況下有所 不同’但從導電性及激子擴散距離的觀點來看，一般而 吕，較佳為30nm〜2μηι，特佳為40〜300nm。 以下’就光電轉換層所使用的有機半導體進行說明 〇 (1)本質半導體 以本質半導體的材料而言，可使用例如：可將包含 富勒烯、富勒烯衍生物、具有半導性的碳奈米管（CNT) 及CNT化合物的至少1種類之第1材料與包含聚對苯乙烤 (P〇lyphenylenevinylene)(ppv)的衍生物或聚噻吩系高分 子材料之第2材料作為以所得的半導體成為本質半導體
S -17- 201236862 的方式混合的混合物使用° 以富勒烯衍生物而言’例如：可使用[6，6 ]_苯基-c 61 -丁酸甲酯（PCBM)等，或者亦可使用富勒烯的二聚物、或 是導入驗金屬或驗土類金属專的畐夸稀化合物等。又’ 以CNT而言，可使用内含富勒烯或内含金屬富勒烯的碳 奈米管等。再者，亦可使用在CNT的側壁或前端附加各 種分子的CNT化合物等。 以聚對苯乙烯的衍生物而言，可使用聚[2-甲氧基 -5-(2’ -乙基己氧基）對苯乙烯](MEH-PPV)等；以聚噻吩系 高分子材料而言，可使用聚-3 -己基噻吩（p 3 HT)等聚（3-烷基噻吩）、二辛基苐-聯噻吩共聚物（F8T2)等。 以特佳的本質半導體而言，可列舉將PCBM與P3HT 以質量比計在1 : 0.3〜1 : 4的條件下混合的混合物 (2)p型半導體 以P型半導體的材料而言，可列舉例如：聚烷基噻吩 及其何生物、聚苯及其衍生物、聚對苯乙烯及其衍生物 、聚矽烷及其衍生物、聚烷基噻吩及其衍生物、卟啉衍 生物' 酞青素衍生物、有機金屬聚合物等。其中，較佳 為聚烷基噻吩及其衍生物’又，亦可為該等有機材料的 二合物。以導電性高分子化合物而言，可較佳使用聚 /4)_伸乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽（PEDOT : PSS)» (3)n型半導體 佳為虽勒稀衍生物。以 :[6,6]-苯基-C61-丁酸 以η型半導體的材料而言，特 富勒烯衍生物而言，可使用例如 甲酯（PCBM#。 -18 - 201236862 以在導電性有機層3上形成光電轉換層4的方法而言 ，可適當選擇真m錢、離子電料pvd(物理氣 =沉積）、或熱CVD、原、子層沉積（ALD)等CVD(化學氣相 此積)等的乾式法、浸塗、旋轉塗布、喷霧塗布棒塗布 凹版塗布、模具塗布、到刀片等各種塗布方法等。 以電極(第4圖中的6)的材料而言，較佳為功函數比 ::=例如：除了鉑、金 '鋁、銦、鉻、氧化鋅等金 太二典：氧化物或合金以外’可列舉碳奈米管、或是碳 不& 上述金屬、金屬氧化物或合金的複合物。 電極的厚度較佳為2〇nm〜1μιη，特佳為〜2⑽nm。 二將電極形成於該光電轉換層（第4圖中的4)上的方 法而言，可歹丨I叛古咖e 真工蒸鍍、喷濺、離子電鍍等PVD(物理 氣相沉積）、赤
次".、CVD、原子層沉積（ALD)等CVD =)等的乾式法、或是浸塗、旋轉塗布、喷霧塗布氣 介與：、凹版塗布、模具塗布、到刀片等各種塗布或電 予1等的濕式法，可根據電極的材料而適當選擇。 6、以=之有機薄膜裝置係較佳為將電極(第4圖中的 6)以與該導電杻A s π ^ (參昭L 屬 的該外框不重疊的方式形成 (蒼”、、第5圖）。共也、丄 導電為廷樣的結構，則可防止後述之電極與 導電性圖案層接觸所造成的短路。 思接ί發明之有機薄膜裝置係可依需要在電極上將基材 層積層。 以基材而士 , 拍祕上 5 ’ 一般可列舉玻璃（板）或塑膠薄膜，可
根據有機薄膜奘I^ m J 又置的用途而適當選擇。以塑膠薄膜而言
S -19- 201236862 ，可列舉例如：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對萘二甲酸乙 二酯、四乙醯纖維素、對排聚苯乙烯、聚苯硫醚、聚碳 酸酯、聚芳香酯、聚砜、聚酯砜、聚醚醯亞胺、環狀聚 稀烴專薄膜’較佳為機械強度、耐久性等優異者。 在該等之中’在利用於光電轉換或電光轉換元件的 情況下，較佳為透明性高者。 由機械強度及透明性的平衡的觀點來看，基材層的 厚度較佳為3μιη~5ιηιη，更佳為5_〜lmm，特佳為1〇〜3〇〇 μιη 〇 [實施例] 以下，藉由實施例及比較例進一步詳細說明本發明 ，但本發明利用該等並無任何限制。 <實施例1 > 以透明基材而言，在聚對苯二甲酸乙二酯[東洋紡績 公司製、產品名「C 0 S Μ Ο S ΗIN E A 4 3 0 0」、厚度1 2 5 μ m、 以下稱為P E T薄膜]的易黏著處理面上，以真空蒸鑛法使銅 層以厚度為0.5μπι的方式形成。在該銅層上，以網板印刷 而將光阻劑印刷成圖案的形狀，且進行圖案成形處理，接 著’藉由進行蝕刻處理且除去不要的銅層，使四角形狀（ 格子狀）的開口部多個排列的網目狀之銅圖案層（間距 1.2mm、線寬度30μιη、開口率90%、銅層厚〇.5μηι)形成而 作為導電性金屬圖案層[參照第3圖（a)]。將具有所得的銅 圖案層的PET薄膜切出25mmx24mm的片狀。該薄片的4邊 之中，以將3邊以5mm寬形成「3的字型」[參照第3圖（c)] 的被遮蔽部分的方式，將聚二曱基石夕氧烷（PDMS)的甲苯 -20- 201236862 溶液[Sigma-Aldrich公司製]塗布於該薄片上的上述「：；的 字型」以外的部分’藉由PDMS膜施加遮蔽。接著，在該 薄片上以真空蒸鍍法將銀蒸鍍，藉由除去PDMS膜，將銀 層[厚度l〇〇nm]形成為一邊的長度各別為25mm、24mm、 25mm、線寬度5mm的「u的字型」，而使「口的字型」 之銀的導電性金屬圖案層形成（開口率8〇%)。 由表面看到所得的導電性金屬圖案層的形狀係具有 連續的外框的形狀，確認成為切斷其外框的一部分的形 狀。 銅圖案層與銀層的傳導係以試驗器確認。 接著’將附有此導電性金屬圖案層的PET薄膜依照i 質量％中性清潔劑水溶液[關東化學公司製、產品名「 SICACLEAN LXII」]、純水、丙酮、純水、2_丙醇、純 水的順序並各別以10分鐘超音波洗淨。進一步，浸潰於 2-丙醇並加熱，進行1〇分鐘的煮沸。將附有乾燥的導電 性金屬圖案層的PET薄膜以UV臭氧清洗機（uv 〇z〇ne cleanerKFilgen公司製、產品名rUV253E」）進行3〇分鐘 處理而淨化。 接著，在大氣中將PEDOT: PSS[曰本AGFA公司製、 產品名「HBS5」]藉由旋轉塗布在附有淨化的導電性金 屬圖案層的PET薄膜之導電性金屬圖案層上而製膜。在 加熱板上以加熱30分鐘形成均勻的塗膜（導電性有 機層），❿製作透…性積層體。以4階儀[日本ν^〇 公司製、滅takl50]確認，乾燥後的導電性有機層 (PEDOT : PSS層）的厚度為 70nm。 -21 - 201236862 <實施例2 > (有機薄膜裝置的製作） 將實施例1所得的透明導電性積層體放入經乾燥氮 氣置換的手套箱，將使聚-3-己基噻吩（P3HT、Merck公司 製、產品名「SP001」）30mg及苯基C61丁酸曱能（J>CBM、 Frontier Carbon公司製）2 2 mg溶解於脫水氣苯（2 〇毫升） 中的塗布液，旋轉塗布在形成該透明導電性積層體的導 電性有機層（PEDOT : PSS層）的面上，而將有機層進行製 膜。將所得的有機層在手套箱中、加熱板上進行加熱， 而作成光電轉換層。以臺階儀（同上）確認，光電轉換層 的厚度為11 Onm。接著，將該積層體移至未暴露於大氣 的真空蒸鑛機’在3x l〇_4Pa以下的真空度，經由遮罩而 在和導電性金屬圖案層的銀層不會接觸到的位置上，將 鋁層（厚度100nm、面積〇.55cm2)積層於光電轉換層上作 為電極而作成有機薄膜裝置。 <實施例3 > 在實施例1中’除了以銅來代替銀進行蒸鍍而形成「 〕的字型」之銅的圖案層以外，與實施例1同樣地製作透 明導電性積層體。 <實施例4 > 在實施例1中，在PET薄膜的易黏著處理面以真空蒸 链法使銀層以厚度為〇25μιη的方式形成，進一步，在銀 層上以真空蒸鍍法使鋼層以厚度為〇 5μιη的方式形成。接 著’在其上’與實施例1同樣地形成將四角形狀（格子狀） 的開口部多個排列的網目狀之多層結構的導電性金屬圖 -22- 201236862 案層。（間距1.2mm、線寬度30μηι、開口率、銀層厚 0.2 5μ/銅層厚〇.5μπι)[參照第3圖（a)]。 接著，與實施例1同樣地形成「3的字型」之銀的圖 案層，而製作透明導電性積層體。 <比較例1> 在實施例1中，除了以鎂來代替銅進行蒸鍍而形成網 目狀的鎮的圖案層、以鎂來代替銀進行蒸鑛而形成「口 的字型」之鎮的圖案層以外’與實施例1同樣地製作比較 用的透明導電性積層體。 <比較例2 > 除了不形成導電性金屬圖案層以外，與實施例丨同樣 地獲得透明導電性積層體。即’在大氣中將PED0T : pss[ 曰本AGFA公司製、產名「HBS5」]藉由旋轉塗布在pet 薄膜上而製膜。在加熱板上以150°C加熱30分鐘形成均句 的塗膜（導電性有機層）’而製作透明導電性積層體。以 臺階儀[曰本Veeco公司製、Dektakl50]確認，乾燥後的 導電性有機層（PEDOT : PSS層）的厚度為7〇nm。 <比較例3 > 除了使用比較例2所得的透明導電性積層體以外，與 實施例2同樣地製作有機薄膜裝置。 實施例1、3、4及比輓例i、2所得的透明導電性積層 體的基板特性之全光線透射率及表面電阻率及有機薄膜 裝置的電流電壓特性係以下述方法測定。 (全光線透射率）
使用日本電色公司製、產品名「NHD-5000」，以jIS -23- 201236862 Κ736 1 - 1的方法測定透明導電性積層體的全光線透射率。 (表面電阻率） 將透明導電性積層體的導電性有機層表面藉由[三 菱化學公司製、LORESTA GP MCP-T600]，以四端子法 測定表面電阻率。 (電流電壓特性） 使用太陽模擬器（WACOM ELECTRIC公司製、WXS-50S-1.5)及電壓-電流產生器（ADC公司製、R6243)測定實 施例2、比較例3所得的有機薄膜裝置的電流電壓特性， 由獲得的數值使用測量軟體（SYSTEMHOUSE SUNRISE 公司製、W32-R3244SOL)而求得光電轉換效率。此外， 元件的有效面積為0.55 cm2。 歸納實施例1及3所得的透明導電性積層體及實施例 2所得的有機薄膜裝置的特性，而記載於表1。 [表1]
-24- 201236862 率咼達9〇%以上，作為谏日道 i古^ 乍為透明導電性積層體係有用。又， =施m所製作的本發明之透明導 發明之有機薄膜裂置儘管未使_ 還疋確^有作為光電轉換裝置的機能。 另—方面’比較例1所製作的秀 吓装邗的透明導電性積層體與實 施例1〜4所製作的那些相比， BH W：私* 王光線透射率低而透 月性較差，且表面電阻率高而導電性亦較差。 [產業上之可利用性] 本發明之透明導電性積層體為了表面電阻率低、透 明性亦高’因此可使用有機電晶體、有機記憶體、有機 此等有機裝置；液晶顯示器；電子紙；薄膜電晶體；電 色員不’電化學發光裝置；觸控面板；顯示器；太陽能 電池4光電轉換裝置；熱電轉換裝置；壓電轉換裝置； 蓄電裝置等有機薄膜裝置，而在各種電子裝置的領域係 有用。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示本發明之透明導電性積層體的剖面之 不意圖。 第2圖係顯示本發明之透明導電性積層體中的導電 性金屬圖案層的各種形狀之示意圖。 第3圖係顯示（a)係在全周緣具有連續外框的導電性 金屬圖案層、（b)及（c)係將本發明之透明導電性積層體中 的導電性金屬圖案層的外框的一部分切斷之示意圖。 第4圖係顯示在本發明之透明導電性積層體積層光 電轉換層及電極的有機薄膜裝置的剖面之示意圖。 -25- 201236862 第5圖係顯示從上面看本發明之有機薄膜裝置時，電 極與導電性金屬圖案層的水平方向的位置關係之示意圖 ，其中導電性金屬圖案層的外框的一部分被切斷。 【主要元件符號說明】 1 透明基材 2 導電性金屬圖案層 3 導電性有機層 4 透明導電性積層體 5 光電轉換層 6 電極 7 有機薄膜裝置 -26-

Claims (1)

  1. 201236862 七、申請專利範圍： 1. 一種透明導電性積層體，其係將導電性金屬圖案層及 含有導電性有機高分子化合物之導電性有機層依此順 序在透明基材的至少一面上直接積層而形成的透明導 電性積層體，其特徵在於用以形成該導電性金屬圖案 層的材料係選自金、銀、銅、鉑中的至少一種或是含 有其中一種的合金。 2. 如申請專利範圍第1項之透明導電性積層體，其中該導 電性有機高分子化合物係選自聚苯胺類、聚°比咯類或 聚噻吩類及彼等之衍生物中的至少1種。 3. 如申請專利範圍第1或2項之透明導電性積層體，其中 由表面所看到的該導電性金屬圖案層的形狀係由形成 具有連續外框的形狀而成。 4. 如申請專利範圍第3項之透明導電性積層體，其中該具 有外框的形狀的一部分係被切斷。 5 _ —種有機薄膜裝置，其特徵在於具有如申請專利範圍 第1至4項中任一項之透明導電性積層體。 -27-
TW101100031A 2011-01-06 2012-01-02 Transparent conductive laminated body and organic thin film device TW201236862A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011001495 2011-01-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201236862A true TW201236862A (en) 2012-09-16

Family

ID=46457393

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101100031A TW201236862A (en) 2011-01-06 2012-01-02 Transparent conductive laminated body and organic thin film device

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20130320322A1 (zh)
EP (1) EP2662865A1 (zh)
JP (1) JPWO2012093530A1 (zh)
KR (1) KR20140015290A (zh)
CN (1) CN103348417A (zh)
TW (1) TW201236862A (zh)
WO (1) WO2012093530A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI493573B (zh) * 2013-02-04 2015-07-21 南昌歐菲光科技有限公司 雙層透明導電膜及其製備方法
TWI493575B (zh) * 2013-02-04 2015-07-21 南昌歐菲光科技有限公司 透明導電膜
US9313896B2 (en) 2013-02-04 2016-04-12 Nanchang O-Film Tech. Co., Ltd. Double-layered transparent conductive film and manufacturing method thereof
TWI650775B (zh) * 2016-07-08 2019-02-11 日商旭化成股份有限公司 導電膜、電子紙、觸控面板及平面顯示器

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5774566B2 (ja) * 2012-09-19 2015-09-09 富士フイルム株式会社 有機薄膜太陽電池
KR102097477B1 (ko) * 2012-10-22 2020-04-07 삼성디스플레이 주식회사 박형 유리기판 및 그를 구비하는 평판표시장치
TWI644463B (zh) * 2012-10-26 2018-12-11 黑拉耶烏斯貴金屬公司 在ＯＬＥＤｓ中具有高導電度及高效能之透明層及其製造方法
CN103187119B (zh) * 2013-02-06 2014-08-06 南昌欧菲光科技有限公司 导电膜及其制备方法以及包含该导电膜的触摸屏
US9324966B2 (en) * 2013-03-15 2016-04-26 E I Du Pont De Nemours And Company Thin-film transparent conductive structure and devices made therewith
JP2014191575A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Dainippon Printing Co Ltd タッチパネル用電極基板、及びタッチパネル、ならびに画像表示装置
CN104124361A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
JP5705268B2 (ja) * 2013-05-13 2015-04-22 尾池工業株式会社 転写フィルムおよび透明導電積層体の製造方法
WO2015089432A1 (en) * 2013-12-12 2015-06-18 Terahertz Device Corporation Electrical contacts to light-emitting diodes for improved current spreading and injection
KR20150092725A (ko) * 2014-02-05 2015-08-13 (주)삼원에스티 전자기기용 투명커버
WO2015137754A1 (ko) * 2014-03-12 2015-09-17 박철 전자기기용 커버글라스
WO2015174797A1 (ko) * 2014-05-15 2015-11-19 주식회사 엘지화학 유기발광소자
GB2527754A (en) * 2014-06-27 2016-01-06 Cambridge Display Tech Ltd Display systems
GB201420245D0 (en) * 2014-11-14 2014-12-31 Bae Systems Plc Sensor manufacture
JP6258884B2 (ja) * 2015-02-24 2018-01-10 京セラ株式会社 光電変換装置
WO2016149046A1 (en) * 2015-03-16 2016-09-22 Innovasonic, Inc. Transparent ultrasonic transducer fabrication method and device
US20200086346A1 (en) * 2015-03-16 2020-03-19 Innovasonic Inc. Self-cleaning using transparent ultrasonic array
KR20170140530A (ko) * 2016-06-13 2017-12-21 주식회사 엘지화학 전기변색소자
TWI767129B (zh) * 2018-07-11 2022-06-11 台虹科技股份有限公司 複合材料
WO2020044900A1 (ja) * 2018-08-29 2020-03-05 富士フイルム株式会社 カバーフイルムおよび画像表示装置
JP2022522599A (ja) * 2018-11-13 2022-04-20 キャズム アドバンスト マテリアルズ，インク． 透明導電回路
TWI710841B (zh) * 2019-09-24 2020-11-21 行政院原子能委員會核能研究所 電致變色裝置及其製備方法
JP7482240B2 (ja) * 2021-03-12 2024-05-13 株式会社東芝 透明電極およびその作製方法、ならびに透明電極を用いた電子デバイス
CN117479521B (zh) * 2023-12-27 2024-05-28 江苏赛博空间科学技术有限公司 一种透波材料电磁屏蔽结构

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1677316A4 (en) 2003-10-23 2009-08-26 Bridgestone Corp TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBSTRATE, ELECTRODE FOR COLOR-SENSITIZED SOLAR CELL AND COLOR-SENSITIZED SOLAR CELL
US7638807B2 (en) * 2003-10-28 2009-12-29 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Transparent conductive multi-layer structure, process for its manufacture and device making use of transparent conductive multi-layer structure
JP2005302508A (ja) 2004-04-12 2005-10-27 Fuji Photo Film Co Ltd 透明導電性シートおよびそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子
JP2008066212A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Toray Ind Inc 色素増感型太陽電池用導電性基板
JP2008204683A (ja) 2007-02-19 2008-09-04 Toppan Printing Co Ltd 透明導電性フィルム
JP2008226753A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Toray Ind Inc 色素増感型太陽電池用導電性基板
JP2008288102A (ja) 2007-05-18 2008-11-27 Fujifilm Corp 透明導電性フイルム、透明導電性フイルムの製造方法、透明電極フイルム、色素増感太陽電池、エレクトロルミネッセンス素子及び電子ペーパー
JP2009081104A (ja) 2007-09-27 2009-04-16 Konica Minolta Holdings Inc 透明導電性フィルム
JP5651910B2 (ja) 2007-12-13 2015-01-14 コニカミノルタ株式会社 透明導電膜、及び透明導電膜の製造方法
CN101271743A (zh) * 2008-05-15 2008-09-24 上海理工大学 一种诱导结构的多层透明导电薄膜及其制备方法
WO2010050318A1 (ja) * 2008-10-31 2010-05-06 コニカミノルタホールディングス株式会社 透明導電性基板、透明導電性基板の製造方法、及び電気化学表示素子
JP4985717B2 (ja) * 2008-12-04 2012-07-25 大日本印刷株式会社 有機薄膜太陽電池およびその製造方法
WO2010082428A1 (ja) * 2009-01-19 2010-07-22 コニカミノルタホールディングス株式会社 透明電極、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5396916B2 (ja) * 2009-03-03 2014-01-22 コニカミノルタ株式会社 透明電極の製造方法、透明電極および有機エレクトロルミネッセンス素子

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI493573B (zh) * 2013-02-04 2015-07-21 南昌歐菲光科技有限公司 雙層透明導電膜及其製備方法
TWI493575B (zh) * 2013-02-04 2015-07-21 南昌歐菲光科技有限公司 透明導電膜
US9313896B2 (en) 2013-02-04 2016-04-12 Nanchang O-Film Tech. Co., Ltd. Double-layered transparent conductive film and manufacturing method thereof
TWI650775B (zh) * 2016-07-08 2019-02-11 日商旭化成股份有限公司 導電膜、電子紙、觸控面板及平面顯示器

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012093530A1 (ja) 2012-07-12
US20130320322A1 (en) 2013-12-05
JPWO2012093530A1 (ja) 2014-06-09
KR20140015290A (ko) 2014-02-06
EP2662865A1 (en) 2013-11-13
CN103348417A (zh) 2013-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201236862A (en) Transparent conductive laminated body and organic thin film device
TWI533461B (zh) 透明電極基板、其製造方法、具有該透明電極基板之電子裝置及太陽能電池
Chen et al. Embedded Ag/Ni metal-mesh with low surface roughness as transparent conductive electrode for optoelectronic applications
He et al. Enhancements in the mechanical stretchability and thermoelectric properties of PEDOT: PSS for flexible electronics applications
Sun et al. Review on application of PEDOTs and PEDOT: PSS in energy conversion and storage devices
Lee et al. A roll-to-roll welding process for planarized silver nanowire electrodes
Li et al. ITO-free photovoltaic cell utilizing a high-resolution silver grid current collecting layer
Fan et al. Bendable ITO-free organic solar cells with highly conductive and flexible PEDOT: PSS electrodes on plastic substrates
Xia et al. Highly conductive poly (3, 4-ethylenedioxythiophene): poly (styrene sulfonate) films treated with an amphiphilic fluoro compound as the transparent electrode of polymer solar cells
Zhou et al. Direct correlation between work function of indium-tin-oxide electrodes and solar cell performance influenced by ultraviolet irradiation and air exposure
Yu et al. Highly efficient polymer-based optoelectronic devices using PEDOT: PSS and a GO composite layer as a hole transport layer
Zhou et al. Copper mesh templated by breath-figure polymer films as flexible transparent electrodes for organic photovoltaic devices
Hsieh et al. Realization of intrinsically stretchable organic solar cells enabled by charge-extraction layer and photoactive material engineering
Wu et al. A highly conductive PEDOT: PSS film with the dipping treatment by hydroiodic acid as anode for organic light emitting diode
JP6200004B2 (ja) 透明導電積層体、透明導電積層体を含む透明電極、および透明導電積層体の製造方法｛ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｌａｍｉｎａｔｅ、ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｅｌｅｃｔｒｏｄｅｃｏｍｐｒｉｎｓｉｎｇｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｌａｍｉｎａｔｅ、ａｎｄｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｆｏｒｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｌａｍｉｎａｔｅ｝
TW201224108A (en) Transparent electric conductive film, electronic device, manufacturing method of electronic device
Yang et al. Organic solar cells employing electrodeposited nickel oxide nanostructures as the anode buffer layer
Muhsin et al. Flexible ITO-free polymer solar cells based on highly conductive PEDOT: PSS and a printed silver grid
Zhang et al. Efficient flexible polymer solar cells based on solution-processed reduced graphene oxide–Assisted silver nanowire transparent electrode
US20150144899A1 (en) Method of making a stack of the type comprising a first electrode, an active layer, and a second electrode
Wang et al. Flexible ITO-Free Organic Solar Cells Based on $\hbox {MoO} _ {3}/\hbox {Ag} $ Anodes
Nie et al. High-performance transparent and conductive films with fully enclosed metal mesh
Wang et al. Investigation of morphology and physical properties of modified PEDOT: PSS films made via in-situ grafting method
Kim et al. Silver nanowire/PEDOT: PSS hybrid electrode for flexible organic light-emitting diodes
Yousefi et al. Fabrication of flexible ITO-free OLED using vapor-treated PEDOT: PSS thin film as anode