TW201236203A - Method of manufacturing GaN powder and nitride-based light emitting device using GaN powder manufactured by the method - Google Patents

Description

201236203 , 六、發明說明： . 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於製造氮化鎵（GaN)粉末之技術與製 造氮化物基（nitride-based)發光器件之技術。 【先前技術】 發光器件係為一種基於器件中的電子與電洞複合而出現的發 光現象之半導體器件。 例如，諸如氮化鎵（GaN)發光器件的氮化物基發光器件得 到了廣泛之應用。氣化物基發光器件由於其高帶隙能量可以實現 多種顏色。此外’氮化物基發光器件展現出良好之熱穩定性。 可以根據其中n電極及P電極之排列，將氮化物基發光器件 劃分為一橫向型與一垂直型。在橫向型結構中，n電極及p電極一 般為頂部-頂部排列，而在垂直型結構中，n電極及p電極一般為 頂部-底部排列。 【發明内容】 因此，鑒於上述問題，本發明之一個方面在於提供一種利用 在氮化鎵（GaN)基（GaN_based)發光n件製造綱產生的氮化 : 蘇（GaN)钱刻產物，以容易地製造氮化鎵（GaN)粉末之方法。 本發明之另一方面在於提供一種利用由氮化鎵（GaN)蝕刻 產物製造的氮化鎵（⑽）粉末之氣化物基發光器件。 根據本發明之—方面，—種製造氮化鎵（GaN)粉末的方法 201236203 包含：收集在氮化鎵（GaN)基發光器件蝕刻期間產生之氮化鎵 (GaN)钱刻產物；清潔被收集之氮化鎵（GaN)蝕刻產物；加熱 被清潔的氮化鎵（GaN)蝕刻產物以自氮化鎵（GaN)蝕刻產物中 去除銦（In)組分；以及將已去除銦（in)組分之氮化鎵（GaN) 蝕刻產物研磨成粉末。 根據本發明之另一方面，一種氮化物基發光器件包含有：一 生長基板；一氮化鎵（GaN)粉末層，係由在生長基板上之氮化 鎵（GaN)粉末形成；以及一發光結構，其形成於氮化鎵（GaN) 粉末層之上且具有疊置之多層氮化層。這裏，透過清潔、加熱以 及研磨在氮化鎵（GaN)基發光器件之姓刻期間產生的氮化鎵 (GaN)蝕刻產物’以製備氮化鎵（GaN)粉末。 根據本發明之再一方面，一種氮化物基發光器件包含有：一 生長基板；-氮化鎵（GaN)粉末層，其由生長基板上之氮化鎵 (GaN)粉末形成；-p型氮化物層，其形成於氮化錄（⑽）粉 末層之上；-發光活性層，其形成於p型氮化物層之上；以及一n 型氧化鋅（ZnO)層，其形成於發光活性層之上。這裏，透過清潔、 加熱以及研磨在氮化鎵（GaN)基發光器件的儀刻期間產生的氮 化鎵（GaN)蝕刻產物，以製備氮化鎵（GaN)粉末。 【貫施方式】 現在請參__細描述本發明之示例性實施例。 應該理解’當提_如層、膜、區域或者基板的—個元件位 201236203 - 於另一元件之上時，其可以直接位於另一元件之上，或者還可以 存在一插入元件。相反，當提到一個元件直接位於另—元件上時， 則不存在插入元件。 「第1圖」係為常規的橫向型氮化物基發光器件之剖面視圖， 其中氮化鎵（GaN)用作氮化物。 請參閱「第1圖」’橫向型氮化物基發光器件包含有自發光器 件之底部疊置的一生長基板110、一緩衝層120、一 u_氮化鎵(GaN) 層130、一 n_氮化鎵（GaN)層14〇、一發光活性層ι5〇以及一 p_ 氮化鎵（GaN)層160。此外，發光器件還包含有n_氮化鎵（GaN) 層140上的一 n_電極17〇以及p_氮化鎵（GaN)層16〇上的一 p_ 電極180。 在「第1圖」所示之橫向型氮化物基發光器件中，必須將〜 氮化鎵（GaN)層140暴露以形成η·電極170。 「第2圖」表示將要在橫向型氮化物基發光器件製造期間被 餘刻之區域。為了暴露η_氮化鎵（GaN)層140，透過蝕刻去除 P-氮化鎵（GaN)層160、發光活性層150以及n_氮化鎵（GaN) 層140之一些區域21〇，如「第2圖」所示。可以透過感應耦合電 漿（ICP)蝕刻等以執行蝕刻。 在本發明之中’在製造氮化鎵（GaN)粉末之方法中，使用 在氮化鎵（GaN)基發光器件製造期間產生之餘刻產物。 「第3圖」係為根據本發明示例性實施例之氮化鎵（GaN) 201236203 粉末之製造方法之流程圖。 請參閱「第3圖」’氮化鎵（GaN)粉末之製造方法包含：在 作業S310中，收集氮化鎵（GaN)蝕刻產物；在作業S320中， 清洗氮化鎵（GaN)蝕刻產物；在作業S330中，自氮化鎵（GaN) 蝕刻產物中去除銦（In)組分；以及在作業S340中，研磨氮化鎵 (GaN)飯刻產物。 在作業S310之中’利用分離器或篩檢程式以收集氮化鎵 (GaN)基發光器件製造期間產生的氮化鎵（GaN)蝕刻產物。 在作業S320中’自氮化鎵（GaN)蝕刻產物中清除出雜質。 可以透過各種方式清潔I化録（GaN)钱刻產物。例如，透 過利用丙酮或曱醇之超聲波清洗工藝以清潔氮化鎵（GaN)蝕刻 產物。該工藝提供優異之清潔效率。 接著，在作業S330之中，自氮化鎵（GaN)蝕刻產物中去除 銦（In)組分。由於在發光活性層中通常包含有銦（In)組分，所 以要將銦（In)組分自氮化鎵（GaN)蝕刻產物中去除，以提高氮 化鎵（GaN)粉末之純度。可以透過加熱氮化鎵（GaN)蝕刻產物 以執行銦組分之去除。 可以在900-1250〇C的溫度下執行加熱。如果加熱溫度小於9〇〇 C，則會花大量時間以實現銦（In)組分之完全去除。另外，如果 加熱溫度超過1250。(：，則由於用於去除銦（ιη)組分之器件結構 變得複雜而存在問題。 201236203 然後’在作業S340中，研磨其中已去除銦（In)組分的氮化 鎵（GaN)蝕刻產物以製造氮化鎵（GaN)粉末。 這裏’可以利用球磨機等進行研磨。此外，可如此執行研磨 以便於所製造之氮化鎵（GaN)粉末具有10奈米（⑽）〜丨微米 (μιη)的平均顆粒尺寸。考慮到用於利用氮化鎵（GgN)粉末的 氮化物基發光器件之氮化鎵（GaN)粉末的較佳平均顆粒尺寸在 10奈米（nm)〜1微米（μιη)之範圍内，來決定氮化鎵（GaN) 粉末的平均顆粒尺寸。 如上所述’在本發明之本實施例中，利用在氮化鎵（） 基發光器件製造期間形成的氮化鎵（GaN)產物以製造氮化鎵 (GaN)粉末。因此，能夠透過簡單之收集、清潔、銦（In)去除 以及研磨氮化鎵（GaN)侧產物’以製造高純度之氮化鎵（GaN) 粉末。 所製造之氮化鎵（GaN)粉末可以用於氮化物基發光器件之 晶格緩衝層。 「第4圖」係為根據本發明之利用氮化鎵（GaN)粉末的氮 化物基發光器件的一個示例性實施例之剖視圖。 請參閱「第4圖」’根據本實施例之氮化物基發光器件包含有 -生長基板410、-氮化鎵（GaN)粉末層以及發光結構（緩 衝層430、第-導電型氮化物層·、發光活性層、第二導電 型氮化物層470)。 201236203 在本實施例之中，生長基板410可為在氮化物基發光器件之 製造中，廣泛用作生長基板的藍寶石基板。另外，在本實施例之 中’生長基板410可以為例如單晶矽基板、多晶矽基板等的矽基 板。 在生長基板410上形成由氮化鎵（GaN)粉末組成的氮化鎵 (GaN )粉末層420。 這裏’可以透過清潔、加熱以及研磨在氮化鎵（GaN)基發 光器件製造期間產生的氮化鎵（GaN)蝕刻產物，以製備氮化鎵 (GaN )粉末。 氮化鎵（GaN)粉末層420用以透過減小由於氮化物層與生 長基板之間的晶格常數的差異導致的晶格失配（mismatch)，以減 小氮化物層生長期間之位錯密度（disi〇cati〇n density )。 例如’當使用矽基板作為生長基板時，在矽基板與氮化物層 之間存在非常大的晶格常數差。結果，當在矽基板上生長氮化物 層時，位錯密度變得非常高’由此導致了發光器件之低發光效率。 由於在生長基板上形成氮化鎵（GaN)粉末層，且然後在氮 化鎵（GaN)粉末層上生長氮化物層，所以可以減輕晶格失配以 減小氮化物生長期間之位錯。 此外，當在氮化鎵（GaN)粉末層上生長氮化物層時，氮化 物層首先在垂直方向上生長，然後在水平方向上生長，由此能夠 使得氮化物層平坦生長。 201236203 可以透過旋塗器等，以將氮化鎵（GaN)粉末貼附或固定於 生長基板410。 為了使得粉末容易地貼_峡於生長基板，生長基板 410可以包含有凸起及凹關不平坦表面。可⑽表面不平坦形成 為特定或任:|之圖案。可以透侧如⑽等各種方法郷成生長 基板410之表面不平坦。 虽生長基板410具有不平坦表面時，可以容易地將氮化鎵 (GaN)粉末貼附或固定至生長基板41〇之表面凹陷處。 接著，將更詳細地描述氮化鎵（GaN)粉末層42〇之形成方 法。 首先，利用旋塗器等將氮化鎵（GaN)粉末塗敷於生長基板 上。然後，在例如化學氣相沉積（Cvd)室的腔室中，將生長基 板在氨氣環境下加熱至大約8〇〇_12〇〇<^的溫度，以便於將氮化鎵 (GaN)粉末貼附至生長基板。此種情況下，可以將生長基板輕 微钱刻以形成不平坦表面。生長基板之表面不平坦促進了氮化鎵 (GaN)粉末貼附或固定於其上。 或者’利用包含氤化鎵（GaN)粉末之溶液，透過將該溶液 旋塗至生長基板上，並乾燥該生長基板以形成氮化鎵（GaN)粉 末層。這裏，可以利用例如丙酮、曱醇、乙二醇等各種溶劑以製 備含有氮化鎵（GaN)粉末之溶液。 可以選擇上述方法的任意一種或兩種一起使用，以形成利用 9 201236203 氮化鎵（GaN)粉末的氮化鎵（GaN)粉末層。例如，透過在生長 基板上旋塗包含有氮化鎵（GaN)粉末之溶液，並乾燥該生長基 板，隨後在腔室中加熱生長基板以形成氮化鎵（GaN)粉末層。 氮化鎵（GaN)粉末可以具有1〇奈米（肌）〜1微米（帅） 的平均顆粒財。粉末之平均雕尺寸越小，抑職化物生長期 間的位錯發生之效果越好。如果氮化鎵（GaN)粉末的平均顆粒 尺寸超出1微米（μπι)’則抑制位錯發生的效果不夠充分，導致所 製造的氮化物基發光器件的低發光效率。如果氮化鎵（GaN)粉 末的平均顆粒尺寸小於10奈米（nm)’則會過度地增加氮化鎵 (GaN)粉末之製造成本，由此導致氮化物基發光器件之製造成 本提高* 然後，在氮化鎵（GaN)粉末層420上形成發光結構 (430-470 )。 透過疊置多層氮化物層以形成發光結構。更具體地，發光結 構包含有一第一導電型氮化物層450、一發光活性層460以及一第 二導電型氮化物層470。 可以將第一導電型氮化物層450形成於氮化鎵（GaN)粉末 層420之上。 第一導電型氮化物層450根據其中摻雜之雜質，呈現出η型 層或ρ型層之特性。例如’如果透過在氮化物層摻雜例如石夕（Si) 的η型雜質形成第一導電型氮化物層450,則第一導電型氣化物層 201236203 450展現出η型半導體之特性。另一方面，如果透過在氮化物層摻 雜諸如鎂（Mg)的ρ型雜質形成第一導電型氮化物層45〇，則第 一導電型氮化物層450展現出p型層之特性。 將發光活性層460形成於第一導電型氮化物層45〇上。發光 活性層460可以具有多量子阱（MqW)結構。例如，發光活性層 460具有使InxGal-xN (0.1QOU)與氮化鎵（GaN)交替地互 相疊置之結構。 在發光活性層460之中，穿越n型氮化物層的電子與穿越p 型氮化物層之電洞複合以產生光。 第二導電型氮化物層470形成於發光活性層46〇之上，並呈 現出與第一導電型氮化物層450相反之電特性。 例如，如果第一導電型氮化物層450係為n型氮化鎵（GaN) 層，則第二導電型氮化物層470為ρ型氮化鎵（GaN)層。 氮化鎵（GaN)層可透過將矽（Si)摻雜至氮化鎵（GaN)層中形 成，而P型氮化鎵（GaN)層可透過將鎮（Mg)摻雜至氮化鎵（GaN) 層中形成。 同樣，如果第一導電型氮化物層450係為η型氮化鎵（GaN) 層而第二導電型氮化物層470為p型氮化鎵（GaN)層，則可以 採用11型矽基板作為生長基板410。當採用n型矽基板時，可以將 η型層形成為發光活性層460下方之各層。此外，當採用η型石夕基 板時，矽基板可以用作η電極，由此免除了去除基板之工藝及形 201236203 成η電極之工藝。因此’當採用η型矽基板時’不僅能夠容易地 製造橫向性發光器件，還能夠容易地製造具有相對較寬的發光面 積’以容易實現具有高亮度發光之垂直型發光器件。 此外’當使用η型矽基板作為生長基板時’ η型矽基板在高溫 下的氮化物生長期間經受輕微的弓曲，由此使得氮化物層均勻地 生長。 「第4圖」中所示之發光結構還可以在氮化鎵（GaN)粉末 層420上包含有一緩衝層430。這種情況下，第一導電型氮化物層 450形成於緩衝層430之上。 緩衝層430用於減輕在氮化物層生長期間對生長基板產生之 應力，緩衝層430為異質材料。緩衝層430可以由例如氮化紹 (A1N)、氮化锆（ZrN)、氮化鎵（GaN)等的氮化物材料形成。 如果第一導電型氮化物層450係為η型氮化物層，則緩衝層 430也可為η型緩衝層。用於緩衝層430的氮化物通常具有高電阻 抗。然而，如果緩衝層430為η型氮化物層，則缓衝層具有低電 阻抗。因此，能夠提高氮化物基發光器件之工作效率。 特別地，當使用η型矽基板作為生長基板410時，由於注入 生長基板410中的電子可容易到達發光活性層而不受勢壘之影 響，因此能夠進一步提高發光器件之工作效率。 此外，可以在緩衝層430上形成未摻雜氮化物層440，用以進 一步促進晶格匹配。這種情況下’在未摻雜氮化物層440上形成 12 201236203 第一導電型氮化物層450。可以使用具有未摻雜基板之未摻雜氮化 物層440。 「第5圖」係為根據本發明的利用氮化鎵（GaN)粉末的氮 化物基發光器件之另一個實施例之剖視圖。 請參閱「第5圖」，根據本實施例的氮化物基發光器件包含有 一生長基板510、一氮化鎵（GaN)粉末層520、一 p型氮化物層 540、一發光活性層550以及一 η型氧化鋅（ZnO)層560。 在「第5圖」所示之實施例中，生長基板51〇及氮化鎵（GaN) 粉末層520與「第4圖」中所示之生長基板410及氮化鎵（GaN) 粉末層420相同’且因此在此省略其詳細描述。 P型氮化物層540形成於氮化鎵（GaN)粉末層520之上。透 過摻雜例如鎂（Mg)的p型雜質以形成p型氮化物層540，用以 確保p型層之電特性。 常規地’在氮化物基發光器件的製造方法中，在形成發光活 性層之後，在最後階段形成P型氮化物層。這裏，在降低的生長 溫度下生長p型氮化物層，以抑制p型雜質在p型氮化物層形成 期間對發光活性層的影響。結果p型氮化物層之晶體品質被劣化， 導致發光效率之劣化。 然而，在「第5圖」所示之實施例中，在發光活性層55〇之 前形成P型氮化物層540’由此確保p型氮化物層之高晶體品質。 發光活性層550形成於p型氮化物層54〇之上。發光活性層 13 201236203 550可以具有多量子牌（MQW)結構。例如，發光活性層例可 以具有使得InxGal-xN (〇.1|3〇).3)與氮化鎵（⑽）交替地互 相疊置之結構’或者麟恤㈤爾〇 ιΠχ〇〇 3 )與氧化辞(Zn〇) 交替地互相疊置之結構。 η型氧化鋅（zn〇)層560形成於發光活性層55〇之上，且表 現出與ρ型氮化物層540之電特性相反的η型層之電特性。雖然 氧化鋅（ΖηΟ)係為η型材料，但是與利用η型雜質形成的η型層 之電特性相比，氧化鋅（ΖηΟ)具有不顯著之電特性，且可以僅充 當電流路徑。因此，可以將例如矽（Si)的〇型雜質摻雜至η型氧 化辞（ΖηΟ)層560之中。 氧化鋅（ΖηΟ)具有基本上與氮化鎵（GaN)之晶體結構相同 的纖維鋅礦晶體結構。另外，由於氧化鋅(ΖηΟ)可以在大約700-800 c之溫度下生長’所以能夠透過最小化氧化鋅（Ζη0)生長期間對 發光活性層550的影響來提高晶體品質。因此，本實施例之 氧化鋅（ΖηΟ)層560可以替代在大約1200。(：的高溫下生長之n 型氮化鎵（GaN)層。 此外，與使用η型氮化鎵（GaN)層之情況相比，氧化鋅 (ΖηΟ)層560之應用導致亮度進一步提高。 同樣地’在「第5圖」之實施例中，首先將ρ型氮化物層540 形成於生長基板510之上，然後將η型氧化鋅（Ζη0)層560形成 於發光活性層550之上。 201236203 ‘ 此時，可以採用P型石夕基板作為生長基板510。當採用p型石夕 ·_基板時，可以將P型層形成為發光活性層550下方之各層。此外， 當採用P财基板時，甚至在垂直發光^件之製造巾，錄板可 以用作P電極，由此免除去除基板之玉藝及形成p _之工藝。 ，當採用P财基板時，不僅能夠容祕製造橫向型發 光器件，還可容紐製造具有相對較寬的發光面積，以容易實現 具有高亮度的發光之垂直型發光器件。 另一方面，「第5圖」中所示之發光結構還可包含在氮化鎵 (GaN)粉末層與p型氮化物層540之間的一氮化物緩衝層 530 〇 特別地，當緩衝層530係為p型層且採用卩型矽基板作為生 長基板510時，電洞可以自p型矽基板51〇穿越至發光活性層 550，而沒有勢壘影響，由此進一步提高發光器件之工作效率。 此外，當緩衝層530係為P型緩衝層時，緩衝層53〇中例如 鎮（Mg)的雜質可以移動至生長基板510之中。此種情況下，該 基板表現出p型層之電特性。因此，與常規的垂直型發光器件的 製造不同，即使使用具有絕緣特性的藍寶石基板作為生長基板 510 ’也不需要去除藍寶石基板。 如上所述’在根據本實施例的氮化物基發光器件之製造方法 中’氮化鎵（GaN)粉末層由氮化鎵（GaN)粉末形成，由此最小 化由於石夕基板與氮化物層之間的晶格失配差異在氮化物層的生長 15 201236203 期間引起位錯之產生。因此，能夠提高所製造的氮化物基發光器 件的之提取效率（light extraction efficiency )。 同樣，根據本實施例，氮化鎵（GaN)粉末製造方法採用在 氮化鎵（GaN)基發光器件製造期間產生的氮化鎵（GaN)蝕刻產 物’以便於透過簡單之工藝製備昂貴的氮化鎵（GaN)粉末。 此外，根據本實施例’氮化物基發光器件包含有利用由通過 氮化鎵（GaN)蝕刻產物製備的氮化鎵（GaN)粉末形成的氮化鎵 (GaN)層，因此最小化由於矽基板與氮化物層之間的晶格常數 差異’在氮化物生長期間引起的位錯之產生。 雖然本文中已經描述了一些實施例，但是，本領域技術人員 應該理解，這些實施例僅透過示例之方法給出，在不偏離本發明 的精神及範圍的情況下，可以做出各種修正、變型以及更改。所 以’本發明之細應該僅由_專辦請翻及其制物來限制。 【圖式簡單說明】 第1圖係為常規的橫向型氮化物基發光器件之剖視圖； 第2圖表示將要在橫向型氮化物基發光器件製造期間被姓刻 之區域之示意圖； 第3圖係為根據本發明示讎實酬之氮化鎵⑺糾粉末 之製造方法之流程圖； 第4圖係為根據本發明之利用氣化錄（GaN)粉末的氣化物 紐光器件的-個示例性實施例之剖視圖；以及 201236203 第5圖係為根據本發明的利用氮化嫁（GaN)粉末的氣化物 基發光器件的另—示例性實施例之剖視圖。 【主要元件符號說明】 110、410、510 生長基板 120 緩衝層 130 仏氮化鎵（〇31'〇層 140 η-氮化鎵（GaN)層 150 > 550 發光活性層 160 P-氮化鎵（GaN)層 170 η·電極 180 Ρ_電極 210 區域 420'520 氮化鎵（GaN)粉末層 430、530 緩衝層 440 未摻雜氮化物層 450 第一導電型氮化物層 460 發光活性層 470 第二導電型氮化物層 540 P型氮化物層 560 η型氧化鋅（ZnO)層

Claims (1)

1. 201236203 七、申請專利範圍·· 1. 一種氮化鎵（GaN)粉末之製造方法，其中利用在氮化鎵（GaN) 基發光器件之侧期間產生的氛化鎵（GaN)侧產物作為氮 化鎵（GaN)粉末之原材料。 2. 如請求項第1項所述之氮化鎵（GaN)粉末之製造方法，係包 含： 收集在氮化鎵（GaN)基發光器件之蝕刻期間產生之氮化 鎵（GaN)蝕刻產物； 清潔收集之氮化鎵（GaN)蝕刻產物； 加熱被清潔的氮化鎵（GaN)姓刻產物以將銦（ιη)組分 自氮化鎵（GaN)钱刻產物中去除；以及 將已去除銦（¾)組分之氮化鎵（(3aN)蝕刻產物研磨成 粉末。 3. 如請求項第2項所述之氮化鎵（GaN)粉末之製造方法，其中 透過利用丙酮或者甲醇之超聲波清洗，以清潔該被收集之氮化 鎵（GaN)姓刻產物。 4. 如請求項第2項所述之氮化鎵（GaN)粉末之製造方法，其中 透過將氮化鎵（GaN)蝕刻產物加熱至9〇〇_1250。(：的溫度，以 加熱該被清潔之氮化鎵（GaN)钱刻產物。 5. 如凊求項第2項所述之氮化鎵（GaN)粉末之製造方法，其中 研磨氮化鎵（GaN)蝕刻產物，使得產生之氮化鎵（GaN)粉 201236203 末具有10奈米（nm)〜1微米（μτη)之平均顆粒尺寸。 6. —種氮化鎵（GaN)粉末’透過收集及清潔在氮化鎵（GaN) 基發光器件之蝕刻期間產生的氮化鎵（GaN)蝕刻產物，加熱 被清潔的氮化鎵（GaN)蝕刻產物以將銦（ιη)組分自氮化鎵 (GaN)蝕刻產物中去除’以及將已去除銦（In)組分之氮化 鎵（GaN)蝕刻產物研磨成粉末，以製造該氮化鎵（GaN)粉 末。 7. —種氮化物基發光器件，係包含有： 一生長基板； 一氮化鎵（GaN)粉末層，係由在該生長基板上之氮化鎵 (GaN)粉末形成；以及 一發光結構’係形成於該氮化鎵（GaN)粉末層之上且具 有疊置之多層氮化層， 透過清潔、加熱以及研磨在氮化鎵（GaN)基發光器件之 蝕刻期間產生的氮化鎵（GaN)蝕刻產物，以製備該氮化鎵 (GaN)粉末層之氮化鎵（GaN)粉末。 8. 如請求項第7項所述之氮化物基發光器件，其中該發光結構係 包含有： 一緩衝層’係形成於該氮化鎵（GaN)粉末層之上； 一η型氮化物層，係形成於該緩衝層之上； 一發光活性層’係形成於該η型氮化物層之上；以及 201236203 一P型氮化物層’係形成於該發光活性層之上。 9·如請求項第8項所述之氮化物基發光器件，其中該生長基板係 為η型矽基板。 10. 如請求項第8項所述之氮化物基發光器件，其中該緩衝層係由 η型氮化物形成。 11. 如請求項第8項所述之氮化物基發光器件，其中該發光結構更 包含有一位於該緩衝層與該η型氮化物層之間的未摻雜之氮化 物層。 12. —種氮化物基發光器件，係包含有： 一生長基板； 一氮化鎵（GaN)粉末層，係由該生長基板上之氮化鎵 (GaN)粉末形成； 一 P型氮化物層，係形成於該氮化鎵（GaN)粉末層之上； 一發光活性層’係形成於該p型氮化物層之上；以及 n型氧化鋅（ZnO)層’係形成於該發光活性層之上， 透過清潔、加熱以及研磨在氮化鎵（GaN)基發光器件之 蝕刻期間產生之氮化鎵（GaN)蝕刻產物，以製備該氮化鎵 (GaN)粉末層之氮化鎵（GaN)粉末。 13. 如请求項第12項所述之氮化物基發光器件，其中該生長基板 係為p型矽基板。 14. 如請求項第12項所述之氮化物基發光器件，更包含有一緩衝 201236203 .層，該緩衝層在該氮化鎵（GaN)粉末層與該p型氮化物層之 . 間且由氮化物形成。 15.如請求項第14項所述之氮化物基發光器件，其中該緩衝層係 由P型氮化物形成。 21