TW201236027A - Transparent conductive element, input device, and display device - Google Patents

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201236027 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種透明導電性元件、輸入裝置、及顯示 裝置。詳細而言，係關於一種具有抗反射功能之透明導電 性元件。 【先前技術】 於電子紙等顯示裝置、及觸控面板等輸入裝置中，使用 有將透明導電層形成於基體之平坦面上之透明導電性元 件。關於該透明導電性元件中所使用之透明導電層之材 料，係使用折射率約為2.〇之高折射率材料（例如IT〇 (Indium Tin Oxide，氧化銦錫））。因此，有時根據透明導 電層之厚度之不同而反射率增高，而使顯示裝置及輸入裝 置之品質受損。 先前’為了提高透明導電性元件之透射特性，使用有形 成光學多層膜之技術。例如於日本專利特開細3-136625 ===有於基材與透明導電層之間設置有光學多 層膜之觸控面板用之透導 折射率不η厂… 導電性凡件。該光學多層膜係將 =Γ二電質臈依次積層而形成。然而，於 «射，先學㈣功Μ生波長 學調整功能，係表示透射特性 二此處’戶“先 功能。又，近年來 戍反射特性之光學調整 等或輸入裝置令，故期牛因用於各種顯示裝置 【發明内容】 〃優異之電性可靠性。 發明所欲解決之問題 153604.doc 201236027 因此，本發明之目的在於提供一種具有波長依存性少、 視覺辨識性優異之光學調整功能，且具有優異之電性可靠 性之透明導電性元件，輸入裝置，及顯示裝置。 解決問題之技術手段 本發明為一種透明導電性元件，其包含： 光牟層，其係設置有具有可見光之波長以下之平均波長 之波面；及 透明導電層，其係於波面上以仿照該波面之方式而形 成； 於將波面之平均波長設為λιη、波面之振動之平均幅度設 為Am時’比率（Απι/λιη)為〇 2以上1 〇以下， 波面中之斜面之平均角度為3〇。以上6〇。以下之範圍内， 於將波面成為最高之位置上的透明導電層之膜厚設為 D1、波面成為最低之位置上的膜厚設為〇3時，比率D3/m 為0.8以下之範圍内。 本發明之透明導電性元件係應用於輸入裝置及顯示裝置 等而較佳者。 本發明中’橢圓、圓（真圓）、球體、橢圓體等形狀不僅 包含數學上所定義之完全之橢圓、圓、球體、橢圓體，亦 包含被賦予少許變形之橢圓、圓、球體、橢圓體等形狀。 本發明中，光學層之波面較佳為藉由將複數個構造體於 基體表面排列而形成。構造體較佳為具有凸狀或凹狀且配 置成特定之晶格狀。關於晶格狀，較佳為使用四方晶格狀 或準四方晶格狀、或者六方晶格狀或準六方晶格狀。 153604.doc 201236027 本發月中車乂佳為同一軌道内之構造體之配置間距p J長 於鄰接之兩個軌道間之構造體之配置間距P2。藉此，可提 高具有橢圓錐或橢圓錐台形狀之構造體之填充率，因此可 提高光學調整功能。 本發月中於各構造體在基體表面形成六方晶格圖案或 準六方晶格圖案之情形時，較佳為於將同一軌道内之構造 體之配置間距设為P i、鄰接之兩個軌道間之構造體之配置 間距設為 P2 時’比率 P1/P2 滿 Sl.GGSPl/P2Sl.l5iU.00< 心以1·1之關係。藉由設為此種數值H圍，可提高具有 橢圓錐或橢圓錐台形狀之構造體之填充率，因此可提高光 學调整功能。 本發月巾⑥各構造體在基體表面形成六方晶格圖案或 準六方晶格圖案之情形時，較佳為各構造體為於軌道之延 伸方向上具有長軸方向、且中央部之傾斜比先端部及底部 之傾斜更㈣地形成之橢圓錐或橢圓錐台形狀。藉由設為 此種形狀’可提高反射及透射特性之光學調整功能。 本發月巾；^各構造體在基體表面形成六方晶格圖案或 準六方晶㈣案之情形時’較佳為執道之延伸方向上之構 k體之问度或冰度小於執道之行方向上之構造體之高度或 冰度於不滿足此種關^系之情形時，必需使軌道之延伸方 向之配置間距變長’因此軌道之延伸方向之構造體之填充 率下降。如此’ 4填充率下降’則導致反射特性之下降。 本發明中’於構造體在基體表面形成四方晶格圖案或準 四方晶格㈣之情形時，較佳為同—轨道内之構造體之配 153604.doc 201236027 置間距P1長於鄰接之兩個軌道間之構造體之配置間距P2。 藉此，可提尚具有橢圓錐或橢圓錐台形狀之構造體之填充 率，因而可提高光學調整功能。 於構造體在基體表面形成四方晶格圖案或準四方晶格圖 案之情形時’較佳為於將同一軌道内之構造體之配置間距 s史為P1、鄰接之兩個轨道間之構造體之配置間距設為p2 時，比率P1/P2滿足1·4<Ρ1/Ρ2$1,5之關係。藉由設為此種 數值範圍，可提高具有橢圓錐或橢圓錐台形狀之構造體之 填充率’因而可提高光學調整功能。 於構造體在基體表面形成四方晶格圖案或準四方晶格圖 案之情形時，較佳為各構造體為於軌道之延伸方向上具有 長軸方向，中央部之傾斜比先端部及底部之傾斜更陡峭地 形成之橢圓錐或擴圓錐台形狀。藉由設為此種形狀，可提 高調整反射及透射特性之光的功能。 於構造體在基體表面形成四方晶格圖案或準四方晶格圖 案之情形時，較佳為相對於軌道成45度方向或約45度方向 上的構造體之高度或深度小於軌道之行方向上之構造體之 咼度或深度。於不滿足此種關係之情形時，必需使相對於 軌道成45度方向或約45度方向上的配置間距變長，因此相 對於軌道成45度方向或約45度方向上的構造體之填充率下 降。如此，若填充率下降，則導致反射特性之下降。 本發明中，較佳為以微細間距而於基體表面配設有多個 之構造體係形成複數行軌道，並且於鄰接之3行轨道間形 成六方晶格圖t、準六方晶格圖案、四方晶格圖案或準四 153604.doc 201236027 方晶格圖案。藉此，可提高表面之構造體之填充密度，藉 此可獲得可見光之反射及透射特性之光學調整功能已提高 之光學元件。 本發明中，較佳為使用將光碟之母盤製作製程與飯刻製 程合併之方法而製作光學元件。能夠在短時間内高效地製 造光學元件製作用母盤，並且亦可應對基體之大型化，藉 此可實現光學元件之生產性之提昇。 本發明中，於設置有具有可見光之波長以下之平均波長 之波面的光學層上，以仿照該波面之方式而形成特定圖案 之透明導電層，因此可獲得波長依存性少且視覺辨識性優 異之光學調整功能。 又，因將波面中之斜面之平均角度設為3〇。以上6〇。以下 之範圍内’故而可獲得優異之電性可靠性。 發明之效果 如以上所說明，根據本發明，可實現波長依存性少、視 覺辨識性優異之光學調整功能且具有優異之電性可靠性之 透明導電性元件。 【實施方式】 -面參照圖式-面按照以下之順序對本發明之實施形態 進行說明。再者，以下之實施形態之所有圖中，對同一或 對應之部分附上同一符號。 1. 第1實⑯形態（構造體#列為六方晶格狀之透明導電性元 件之例） 2. 第2實施形態（構造體排列為四方晶格狀之透明導電性元 153604.doc 201236027 件之例） 3. 第3實施形態（構造體不規則排列之透明導電性元件之例） 4. 第4實施形態（於整個波面連續地形成透明導電層之透明 導電性元件之例） 5. 第5實施形態（對於資訊輸入裝置之透明導電性元件之第i 適用例） 6. 第6實施形態（對於資訊輸入裝置之透明導電性元件之第2 適用例） 7. 第7實施形態（對於資訊輸入裝置之透明導電性元件之第3 適用例） 8. 第8實施形態（對於資訊輸入裝置之透明導電性元件之第々 適用例） 9. 第9實施形態（對於資訊顯示裝置透明導電性元件之第】適 用例） 10·第10實施形態（對於資訊顯示裝置透明導電性元件之第2 適用例） 11.第11實㈣態（對於資訊顯示裝置透明導電性元件之第3 適用例） <1.第1實施形態> 本發明者等人為了解決先前技術所存在的上述㈣而進 行了積極研究。結果發現：⑴於設置有具有可見光之波長 以下之平均波長之波面之光學層上，以仿照該波面之方式 而形成透明導電層’藉此可實現波長依存性較少之光學調 整功能；⑺藉由將上述波面中之斜面之平均角度設為30。 153604.doc 201236027 以上60。以下之範圍内，而可獲得優異之電性可靠性。 [透明導電性元件之構成] 圖1A係表示本發明之第1實施形態之透明導電性元件之 構成之一例之剖面圖。圖1B係將圖1 a所示之第1區域R!放 大表示之放大刮面圖。圖1C係將圖1A所示之第2區域尺2放 大表示之放大剖面圖。透明導電性元件1包含：於一主面 具有波面Sw之光學層（第1光學層）2，及於波面Sw上以仿照 該波面Sw之方式而形成之透明導電層光學層2之波面 sw中’將形成有透明導電層6之第1區域心與未形成透明導 電層6之第2區域R2交替設置，透明導電層6具有特定圖 案。又’亦可視需要如圖2A~圖2C所示，設為如下構成： 更包含形成於透明導電層6上之光學層（第2光學層）7,且透 明導電層6之兩主面分別由光學層2、光學層7所覆蓋。透 明導電性元件1較佳為具有可撓性。 (光學層） 光學層2例如包含基體3、及形成於基體3之表面之複數 個構造體4。藉由於基體3之表面形成複數個構造體4，而 形成有波面Sw。構造體4與基體3例如各別成形或一體成 形。於構造體4與基體3各別成形之情形時，亦可視需要於 構造體4與基體3之間更包含基底層5。基底層5為於構造體 4之底面側與構造體4 一體成形之層，且係將與構造體4相 同之能量線硬化性樹脂組成物等硬化而成。 光學層7例如包括基體3、及設置於基體3與透明導電層6 之間之貼合層8 ’經由該貼合層8而將基體3貼合於透明導 153604.doc 201236027 電層6上。光學層7並不限定於該例，亦可設為Si〇2等陶瓷 塗層（保護層）。 波面Sw之振動之平均幅度Am相對於波面Sw之平均波長 λιη之比率（Am/ληι)較佳為0.2以上1·〇以下，更佳為〇3以上 0.8以下之範圍内《若比率（Am/xm)未達〇 2，則具有波面 Sw之光學調整功能降低之傾向。另一方面若比率 (Am/λιη)超過1 .〇 ’則具有電性可靠性降低之傾向。 波面Sw之平均波長λίη較佳為以光學調整功能為目的之 光之波長頻帶以下。以光學調整功能為目的之光之波長頻 帶例如為紫外光之波長頻帶、可見光之波長頻帶或紅外光 之波長頻帶。此處，紫外光之波長頻帶係指1〇 nm〜36〇 nm 之波長頻帶，可見光之波長頻帶係指360 nm〜83 〇 nm之波 長頻帶，紅外光之波長頻帶係指830 nmq mm之波長頻 帶。具體而言，波面Sw之平均波長ληι較佳為14〇 nm以上 300 nm以下’更佳為15〇 nm以上270 nm以下之範圍内。若 波面Sw之振動之平均幅度Am未達14〇 nm，則具有電氣特 性劣化之傾向。另一方面，若波面S w之振動之平均幅度 Am超過300 nm，則具有視覺辨識性劣化之傾向。 波面Sw之振動之平均幅度Am較佳為28 nm以上300 nm以 下’更佳為50 nm以上240 nm以下，進而較佳為8〇 nm以上 240 nm以下之範圍内。若波面Sw之振動之平均幅度八111未 達28 nm ’則具有光學調整功能劣化之傾向。另一方面， :¾波面Sw之振動之平均幅度Am超過300 nm，則具有電氣 特性劣化之傾向。 153604.doc •10· 201236027 此處，波面Sw之平均波長ληι、振動之平均幅度Am、及 比率（Amam)係按照以下之方式求出者。首先，以包含波 面Sw之振動之幅度為最大之位置之方式將透明導電性元件 1在一方向上切斷，藉由穿透式電子顯微鏡

Transmissi〇n Electron Micr〇sc〇pe)對其剖面進行攝影。其 次，根據所攝影之TEM照片求出波SSw之波長^振動之 幅度A。於自透明導電性元件丨中隨機選出之1〇個部位重複 進行該測定，將測定值簡單平均（算術平均）而求出波面Sw 之平均波長λιη、及振動之平均幅度Am。其次，使用該等 平均波長λιη及振動之平均幅度Am，求出比率（Αιη/λιη)。 波面Sw中之斜面之平均角度較佳為6〇。以下，更佳為3〇0 以上60。以下之範圍内。若平均角度未達3〇。，則具有波面 Sw之電性可罪性降低之傾向。另一方面，若平均角度超過 60 ’則具有電性可靠性降低之傾向。又，若平均角度超 過6〇°，則具有透明導電層6之抗蝕刻性降低之傾向。 如圖2A〜圖2C所示’於在透明導電層6上進而形成有光 學層7之情形時，形成有透明導電層6之第1區域&之反射 率R1、與未形成透明導電層6之第2區域R2之反射率R2之 反射率差△RpRS-Rl)較佳為5%以下，更佳為3%以下，進 而較佳為1%以下之範圍内。藉由將反射率差設為5%以 下’可抑制具有特定圖案之透明導電層6之視覺辨識。 如圖1A〜圖1C所示，於透明導電層6露出之情形時，透 明導電性元件1之兩主面中之光學層2側之主面上的l * a * b *色度系統中之透射色相較佳為|a*丨$ 10且丨b * 10， ·η· 153604.doc 201236027 更佳為|a * |^5且|b *丨$5 ’進而較佳為丨a *丨$3且丨b *丨 S3。藉由將透射色相设為且丨可提高視 覺辨識性。 如圖2A〜圖2C所示，於在透明導電層6上進而形成有光 學層7之情形時，透明導電性元件丨之兩主面中之光學層2 側之主面上的L* a* b*色度系統中之透射色相較佳為丨& *丨$5且|b*|$5，更佳為|a*|S3且丨b*丨$3，進而較佳為 |a * 且|b * |^2。藉由將透射色相設為卜*丨^5且丨b木| $5，可提高視覺辨識性。 如圖1A〜圖1C所示，於透明導電層6露出之情形時，透 明導電性元件丨之兩主面中之透明導電層6側之主面上的l *a*b*色度系統中之反射色相較佳為丨a*丨㈣且丨b*丨 ^10，藉由將反射色相設為|a*丨$1〇且丨b*丨客1〇，可提高 視覺辨識性。 如圖2A〜圖2C所示，於在透明導電層6上進而形成有光 學層7之情形時，透明導電性元件丨之兩主面中之透明導電 層6側之主面上的L * a * b氺色度系統中之反射色相較佳為 I *1各10且|b*|$i〇’更佳為|a*|$5且|b*|$5，進而較 佳為丨"丨各3且丨b*丨$3。藉由將反射色相設為|a*丨$1〇且 lb*IS10’可提高視覺辨識性。 (基體） 基體3、8例如為具有透明性之透明基體。作為基體3、8 、斗例如可列舉具有透明性之塑膠材料、以玻璃等為 成分之材料，但並不特別限定於該等材料。 153604.doc 201236027 關於玻璃，例如使用鈉鈣玻璃、鉛玻璃、硬質玻璃、石 英玻璃、液晶化玻璃等（參照「化學便覽」基礎篇，P I_ 5 3 7 ’日本化學會編）。關於塑膠材料，自透明性、折射 率、及为散等光學特性、進而对沖擊性、封熱性、及对久 性等諸特性之觀點考慮’較佳為聚甲基丙烯酸曱酯、曱基 丙烯酸甲酯與其他（甲基）丙烯酸烷基酯、苯乙烯等乙稀基 單體之共聚物等（甲基）丙烯酸系樹脂；聚碳酸酯、二乙二 醇雙（烯丙基碳酸酯）(CR-39)等聚碳酸酯系樹脂；（溴化）雙 酚A型之二（甲基）丙稀酸酯之均聚物或共聚物、（溴化）雙酚 A單（甲基）丙烯酸酯之胺基曱酸酯改性單體之聚合物及共 聚物等熱硬化性（甲基）丙烯酸系樹脂；聚酯尤其是聚對笨 一曱酸乙二酯、聚萘二曱酸乙二酯及不飽和聚酯、丙烯 腈-苯乙烯共聚物、聚氣乙烯、聚胺基甲酸酯、環氧樹 脂、聚芳酯、聚醚砜、聚醚酮、環烯烴聚合物（商品名： ARTONE、ZEONOR)、環烯烴共聚物等。又，亦可使用考 慮了耐熱性之芳族聚醯胺系樹脂。 於使用塑膠材料作為基體3、8之情形時，為了進一步改 善塑膠表面之表面能量、塗佈性、滑動性、平面性等，亦 可設置下塗層作為表面處理。作為該下塗層，例如可列舉 有機烷氧基金屬化合物、聚酯、丙烯酸改性聚酯、聚胺基 甲酸酿等。又’為了獲得與設置下塗層相同之效果’亦可 對基體3、8之表面進行電暈放電、uv(UhraVi〇iet，紫外 線）照射處理。 ' 於基體3、8為塑膠膜之情形時，基體3、8例如可利用將 153604.doc 13 201236027 上述掊m拉伸、或者在溶财稀釋後成膜為膜狀並進行乾 燥等方法而獲得。又，基體3、8之厚度較佳為根據導電性 元件21丨之用途而適當選擇，例如為25μιη〜5〇〇μιη左右。 作為基體3、8之形狀，例如可列舉片材狀、板狀、塊 狀^並不特別限定於該等形狀。此處，定義為片材中包 含膜。 (構造體） 圖3 Α係表示形成有複數個構造體的光學層表面之一例之 平面圖。圖3B係將圖3A所示之光學層表面之一部分放大 表示之平面圖。圖3C係將圆3A所示之光學層表面之一部 分放大表示之立體圖。以下，將透明導電性元件i之主面 之面内彼此正交之兩個方向分別設為χ軸方向、及γ軸方 向，將與該主面垂直之方向設為Z軸方向。構造體4例如相 對於基體3之表面具有凸狀或凹狀，且二維地排列於基體3 之表面。構造體4較佳為以反射之降低為目的之光之波長 頻帶以下之較短的平均配置間距而週期性地二維排列。 複數個構造體4具有於基體3之表面形成複數行軌道T1、 T2、T3、.··（以下亦統稱為「軌道τ」）之配置形態。本發 明中’軌道係指構造體4成行而相連之部分。作為軌道丁之 形狀’可使用直線狀、圓弧狀等，亦可使該等形狀之執道 T波動（蜿埏）。藉由如此使軌道τ波動，而可抑制外觀上之 不均之發生。 於使軌道T波動之情形時，較佳為基體3上之各軌道丁之 波動同步。即，波動較佳為同步波動。藉由如此使波動同 153604.doc • 14 - 201236027 步可保持六方晶格或準六方晶格之單位晶格形狀，且可 將填充率保持得較高。作為波動之軌道τ之波形，例如可 列舉正弦波、三角波等。波動之軌道τ之波形並不限定於 週期性之波形，亦可為非週期性之波形。波動之軌道T之 波動振幅例如選擇為±1〇 nm左右。 構造體4例如於鄰接之兩個軌道τ間，配置於偏離半間距 之位置上。具體而言，於鄰接之兩個軌道T間，於排列於 一執道（例如T1)之構造體4之中間位置（偏離半間距之位 置）’配置有另一軌道（例如T2)之構造體4。其結果，如圖 3B所示’於鄰接之3行軌道（T1〜T3)間，以形成構造體4之 中位於al〜a7之各點之六方晶格圖案或準六方晶格圖案 的方式而配置有構造體4。 此處，六方晶格係指正六邊形狀之晶格^準六方晶格係 指與正六邊形狀之晶格不同之經變形之正六邊形狀之晶 格°例如’於將構造體4配置於直線上之情形時，準六方 晶格係指將正六邊形狀之晶格向直線狀之排列方向（轨道 方向）拉長而變形之六方晶格。於構造體4蜿蜒而排列之情 形時，準六方晶格係指將正六邊形狀之晶格藉由構造體4 之蜿蜒排列而變形之六方晶格，或將正六邊形狀之晶格向 直線狀之排列方向（軌道方向）拉長而變形、且藉由構造體4 之蜿蜒排列而變形之六方晶格。 於將構造體4以形成準六方晶格圖案之方式配置之情形 時，如圖3B所示，同一軌道（例如T1)内之構造體4之配置 間距Ρ1(例如al〜a2間距離）較佳為比鄰接之兩個軌道（例如 153604.doc •15· 201236027 T1及T2)間之構造體4之配置間距，即相對於轨道之延伸方 向成土Θ方向上之構造體4之配置間距ρ2(例如“I?、 間距離)更長。藉由如此配置構造體4，可實現構造體4之 填充密度之進一步提高。 作為構造體4之具體形狀，例如可列舉錐體狀、柱狀、 針狀、半球體狀、半橢圓體狀、多邊形狀等，但並不限定 於該等形狀，亦可採用其他形狀。作為錐體狀，例如可列 舉頂部尖銳的錐體形狀、頂部平坦的錐體形狀、頂部具有 凸狀或凹狀之曲面之錐體形狀，若自電性可靠性之觀點考 慮，則較佳為頂部具有凸狀之曲面之錐體形狀，但並不限 定於該等形狀。作為頂部具有凸狀之曲面之錐體形狀，可 ，舉拋物面狀等2次曲面狀等…亦可使錐體狀之錐面 彎曲成凹狀或凸狀。於使用後述之捲筒式母盤曝光裝置 (參照圖7)製作捲筒式母盤之情形時，較佳為作為構造體4 之形狀，採用頂部具有凸狀之曲面之橢圓錐形狀、或頂部 平坦之橢圓錐台形狀，且使形成該等之底面之橢圓形之長 轴方向與軌道T之延伸方向一致。 若自光學調整功能之提高之觀點考慮，則較佳為頂部之 傾斜平緩而自中央部向底部逐漸陡Λ肖之傾斜之錐體形狀。 又，若自反射特性及透射特性之光學調整功能之提高之觀 點考慮，則較佳為中央部之傾斜比底部及頂部更陡峭之錐 形形狀、或頂部平坦之錐體形狀。於構造體4具有橢圓錐 形狀或橢圓錐台形狀之情形時，較佳為其底面之長軸方向 與軌道之延伸方向平行。 153604.doc 201236027 構造體4較佳為於其底部之周緣部，具有高度自頂部向 下部之方向平緩下降之曲面部4be其原因在於，於透明導 電性元件1之製造步驟中，可容易地將透明導電性元件1自 母盤等剝離。再者，曲面部仆可僅設置於構造體4之周緣 部之一部分，若自上述剝離特性之提高之觀點考慮，較佳 為設置於構造體4之周緣部之全部。 較佳為於構造體4之周圍之一部分或全部設置突出部 4a »其原因在於，即便於構造體4之填充率較低之情形 時：亦可將反射率抑制得較低。突出部4a自成形之容易度 之觀點考慮，較佳為設置於相鄰之構造體4之間。又，亦 可使構造體4之周圍之一部分或全部之表面變粗糙，而形 成微、”田之凹凸。具體而言，例如，亦可使相鄰之構造體4 之間之表面變粗糙，而形成微細之凹凸》X，亦可於構造 體4之表面，例如頂部形成微小之孔。 再者，圖3B及圖3C中，各構造體4分別具有相同之大 小、形狀及高度’但構造體4之形狀並不限定於此，亦可 於基體表面形成有具有2種以上之大小、形狀及高度之構 造體4。 軌道之延伸方向上之構造體4之高度m較佳為小於行方 向上之構造體4之高度H2。即’構造體4之高度m、取較 佳為滿細<H2之關係。其原ϋ在於，若以滿足出挪之 關係之方式排列構造體4，則必需使軌道之延伸方向之配 置間距Ρ1變長’因此執道之延伸方向上之構造體*之填充 率下降如此，若填充率下降，則導致光學調整功能之降 153604.doc •17- 201236027 低0 構i«•體4之縱橫比並不限於全部相同之情形，亦 :構=為各構造體4具有-定之高度分佈。藉由設置具有 间度'刀佈之構造體4 ’能夠減小光學調整功能之波長依存 性。因此，可實現具有優異之光學調整功能之透明導 元件1。 此處呵度分佈係指將具有2種以上之高度之構造體4設 置於基體3之表面。例如，亦可將具有成為基準之高度之 構造體4、及具有與該構造體4不同之高度之構造體4設置 於基體3之表面。於該情形時，具有與基準不同之高度之 構造體4例如週期性或非週期性（不規則）地設置於基體3之 表面。作為該週期性之方向，例如可列舉軌道之延伸方 向、行方向等。 構造體4之平均配置間距Pm、平均高度Hm&縱橫比（平 均高度或平均深度Hm/平均配置間距Pm)分別與波面8%之 平均波長λιη、振動之平均幅度Am及比率（振動之平均幅度 Am/平均波長^!!!)相同。 於將同一軌道内之構造體4之配置間距設為P1、將鄰接 之兩個軌道間之構造體4之配置間距設為P2時，比率p1/P2 較佳為滿足 1.00SP1/P2S1.1、或 之關 係。藉由設為此種數值範圍’可提高具有橢圓錐或摘圓錐 台形狀之構造體4之填充率，因而可提高光學調整功能。 平坦部之面積S2相對於波面Sw之面積S1之比率 Rs((S2/Sl)xl00)較佳為〇%以上50%以下，更佳為〇%以上 153604.doc -18- 201236027 45%以下，進而較佳為〇%以上3 0%以下之範圍内。藉由將 面積比率Rs設為50%以下，可提高光學調整功能。 此處，平坦部之面積S2相對於波面Sw之面積S 1之比率 Rs((S2/Sl)xlOO)為按照以下方式而求出之值。 首先’使用掃描式電子顯微鏡（SEM: Scanning Electron Microscope)以Top View(頂視）對透明導電性元件1之表面 進行攝影《其次，自所攝影之SEM照片中隨機選出單位晶 格Uc ’對該單位晶格Uc之配置間距ρι、及軌道間距Tp進 行測定（參照圖3Β)。又，藉由圖像處理而對位於該單位晶 格Uc之中央之構造體4之底面之面積S(structure)進行測 定。然後，使用所測定出之配置間距ρι、執道間距Tp、及 底面之面積S(structure)並根據以下之式而求出比率R。 比率 R=[(S(lattice)-S(structure))/s(lattice)]xl〇〇 單位晶格面積：S(lattice)=Plx2Tp 存在於單位晶格内之構造體之底面之面積：S(Structure)=

2 S 之10個部位之單位晶 而’將測定值簡單平 ’將該平均率設為比 對自所攝影之SEM照片中隨機選出 格二進行上述比率R之計算處理。繼 均（算術平均）而求出比率R之平均率 率Rs。 體時Si重率合時、或構造體4之間具有突出部4等副構造 高度對應的部分I:與相對於構造體4之高度為5%之 Rs。 為閾值而判定面積比的方法來求出比率 153604.doc •19· 201236027 圖4係用以對構造體4之邊界不明確之情形時之比率心之 計算方法進行說明之圖。於構造體4之邊界不明確之情形 時，藉由剖面SEM觀察，如圖4所示，將相當於構造體^之 高度h之5%(=(d/h)xl00)之部分作為閱值n亥高度d對 構造體4之直徑進行換算而求出比率&。於構造體4之底面 為橢圓之情形時，於長軸及短轴上進行相同之處理。 構造體4較佳為以其下部彼此重合之方式相連。具體而 言’較佳為處於鄰接關係之構造體4之一部分或全部之下 部之間重合，且較佳為於執道方向、θ方向、或該等兩方 向上重合。藉由如此使構造體4之下部彼此重合而可提 尚構造體4之填充率。構造體彼此較佳為以考慮了折射率 之光程長度而於使用環境下之光之波長頻帶之最大值之 1/4以下之部分重合。其原因在於藉此可獲得優異之光學 調整功能。 直徑2r相對於配置間距P1之比率（（2r/pi)xl〇〇)較佳為 85%以上，更佳為9〇%以上，進而較佳為95%以上之範圍 内。其原因在於，藉由設為此種範圍，可提高構造體4之 填充率，而可提高光學調整功能。若比率（(2r/pi)xl〇〇)增 大，構造體4之重合過於增大，則具有光學調整功能降低 之傾向。因此，較佳為以考慮了折射率之光程長度而於使 用環境下之光之波長頻帶之最大值之丨/4以下之部分將構 造體彼此接合的方式，來設定比率（(h/pUMOO)之上限 值。此處’配置間距P1如圖3B所示’為構造體4之軌道方 向之配置間距’直徑2r如圖3B所示，為構造體底面之軌道 153604.doc -20- 201236027 方向之直徑。再者，於構造體底面為圓形之情形時，直徑 2r為直彳空’於構造體底面為橢圓形之情形時，直徑2r為長 徑。 於構造體4形成準六方晶格圖案之情形時，構造體底面 之橢圓率e較佳為1〇〇%<e<15〇%以下。其原因在於，藉由 °又為該範圍’可提高構造體4之填充率，而可獲得優異之 光學調整功能。 (透明導電層） 圓5A係用以說明透明導電層之表面形狀之例之放大剖面 圖。透明導電層6具有彼此同步之第1波面Swl與第2波面 。較佳為第1波面Swl與第2波面Sw2之振動之平均幅度 不同。更佳為第1波面Swl之振動之平均幅度A1小於第2波 面Sw2之振動之平均幅度A2。以包含振動之幅度為最大之 位置之方式，將第1波面Swl或第2波面Sw2在一方向上切 斷時之剖面形狀，例如為三角波形狀、正弦波形狀、2次 曲線或將2次曲線之一部分重複所得之波形狀、或近似於 。玄等之形狀等。作為2次曲線，可列舉圓、橢圓、抛物線 等。 透明導電層ό例如為有機透明導電層或無機透明導電 層。有機透明導電層較佳為以導電性高分子或奈米碳管為 主成刀。作為導電性高分子，例如可使用聚噻吩系、聚苯 胺系、聚吡咯系等之導電性高分子材料，較佳為使用聚噻 方系之導電性高分子材料。作為聚噻吩系之導電性高分子 材料，較佳為在PEDOT(聚乙二氧基噻吩）中摻雜pss(聚苯 153604.doc •21 · 201236027 乙烯磺酸）所得之PEDOT/PSS系之材料。 無機透明導電層較佳為以透明氧化物半導體為主成分。 作為透明氧化物半導體，例如可使用Sn〇2、In〇2、Zn〇及 CdO等二元化合物，包含作為二元化合物之構成元素之 Sn、In、Zn及Cd中之至少一種元素之三元化合物，或多元 系（複合）氧化物《作為透明氧化物半導體之具體例，例如 可列舉氧化銦錫（IT0)、氧化鋅（Zn0)、摻鋁氧化鋅 (AZO(Al2〇3、ZnO))、SZO、摻氟氧化錫（FTO)、氧化錫 (Sn〇2)、摻鎵氧化鋅（GZO)、氧化銦鋅（iz〇(In203、ZnO)) 等°尤其自可靠性之提高、及電阻率之降低等觀點考慮， 較佳為氧化銦錫（ITO)。關於構成無機透明導電層之材 料’若自導電性之提高之觀點考慮，則較佳為非晶與多晶 之混合狀態。 作為構成透明導電層6之材料，若自生產性之觀點考 慮’則較佳為以選自由導電性高分子、金屬奈米粒子、及 奈米碳管所組成之群中之至少1種作為主成分者。藉由將 該等材料作為主成分’無需使用高價之真空裝置等，藉由 濕式塗佈便可容易地形成透明導電層6。 圖5B係用以說明透明導電層之膜厚之放大剖面圖。如圖 5B所示’於將構造體4之頂部之透明導電層6之膜厚設為 D1、構造體4之傾斜面之透明導電層6之膜厚設為D2、構 造體間之透明導電層6之膜厚設為D3時，膜厚D1、D2、D3 較佳為滿足D1>D3，更佳為滿足di>D3>D2之關係。構造 體間之透明導電層6之膜厚D3相對於構造體4之頂部之透明 153604.doc •22· 201236027 導電層6之膜厚D1的比率（D3/D1)較佳為〇·8以下，更佳為 0.7以下之範圍内。藉由將比率（D3/D1)設為0.8以下，比起 將比率（D3/D1)設為1之情形時可進一步提高光學調整功 能。因此，可減小形成有透明導電層6之第1區域Rl與未形 成透明導電層6之第2區域R_2之反射率差ar β即，可抑制具 有特定圖案之透明導電層6之視覺辨識。 再者，構造體4之頂部之透明導電層6之膜厚D1、構造體 4之傾斜面之透明導電層6之膜厚〇2、構造體間之透明導電 層6之膜厚D3分別等於波面Sw成為最高之位置上的透明導 電層6之膜厚D1、波面Sw之傾斜面之透明導電層6之膜厚 D2、波面Sw成為最低之位置上的透明導電層6之膜厚D3。 構造體4之頂部之透明導電層6之膜厚m較佳為 mu 下，更佳為10 nm以上100 nm以下，進而較佳為1〇 nm以山 80 nm以下之範圍内。若超過1〇〇 nm，則具有視覺辨識性 劣化之傾向。另一方面，若未達10 nm’則具有電氣特性 劣化之傾向。 上述透明導電層6之膜厚D1、D2、D3為按照以下之方式 所求出者。 首先，將透明導電性元件丨以包含構造體4之頂部之方式 於轨道之延伸方向上進行切斷，藉由聰對其剖面進行攝 影。其:欠，根據所攝影之TEM照片對構造體4之頂部之透 明導電層6之膜厚D1進行敎。然後，對構造體4之傾斜面 W置t之構造||4之-半高度_)之位置上的膜厚的進 行測定。繼而’對構造體間之凹部之位置中之該凹部之深 153604.doc •23· 201236027 度成為最深之位置上的膜厚D3進行測定。 再者’透明導電層6之膜厚Dl、D2、D3是否具有上述關 係’能夠藉由以此方式而求出之透明導電層之膜厚Di、 D2、D3來確認。 透明導電層6之表面電阻較佳為50 Ω/□以上4000 Ω/□以 下之範圍’更佳為50 Ω/□以上500 Ω/口以下之範圍内。其 原因在於，藉由設為此種範圍之表面電阻，可使用透明導 電性元件1作為電容方式之觸控面板之上部電極或下部電 極。此處，透明導電層6之表面電阻係藉由四探針法（JIS κ 7194)而求出。透明導電層6之比電阻較佳為1><1〇_3卩％爪以 下。其原因在於，若為lx10-3 Ωππι以下，則可實現上述表 面電阻範圍。 (貼合層） 貼合層8例如可使用丙烯酸系、橡膠系、矽系等之黏著 劑’自透明性之觀點考慮，較佳為丙料系黏著劑。 [捲筒式母盤之構成] 圖6Α係表示捲筒式母盤之構成之—例之立體圖。圖犯 係將圖6Α所示之捲筒式母盤之—部分放大表示之平面圖。 =圖6Β之軌道Τ1、Τ3、...之剖面圖。捲筒式母Μ 製作具有上述構成之透明導電性元们之母盤，更 具體而言，為用以於上述基體表面成形出 =面:筒?母盤U例如具有圓柱狀或圓筒狀之形-之成形而〆圓筒面為用以於基體表面成形複數個構造體4 〃。於該成形面二維排列有複數個構造體12。構造 153604.doc -24- 201236027 體12例如相對於成形面具有凹狀。作為捲筒式母盤η之材 料，例如可使用玻璃，但並不特別限定於該材料。 配置於捲筒式母盤11之成形面之複數個構造體與配置 於上述基體3之表面之複數個構造體4為反轉之凹凸關係。 即，捲筒式母盤Η之構造體12之形狀、排列、配置間距等 與基體3之構造體4相同。 [曝光裝置之構成] 圖7係表示用以製作捲筒式母盤之捲筒式母盤曝光裝置 之構成之一例的概略圖。該捲筒式母盤曝光裝置以光碟記 錄裝置為基本而構成。 雷射光源21為用以對在作為記錄媒體之捲筒式母盤丨i之 表面成膜之抗蝕劑進行曝光之光源，且係使例如波長 λ 266 nm之s己錄用之雷射光14振盪者。自雷射光源21出射 之雷射光14以平行光束直接前進，並朝光電元件（E〇M:

Electro Optical Modulator，光電調變器）22入射。已透射 過光電元件22之雷射光14被反射鏡23反射後導引至調變光 學系統25。 反射鏡23由偏光光束分光器構成，具有反射一偏光成分 而透射另一偏光成分之功能。已透射過反射鏡23之偏光成 分被光電二極體24接收，且根據該受光信號控制光電元件 22並進行雷射光14之相位調變。 調變光學系統25中，雷射光14藉由聚光透鏡26而聚光於 包含玻璃（Si02)等之聲光元件（a〇M: Acousto-Optic Modulator，聲光調變器）27中。雷射光14在藉由聲光元件 153604.doc •25· 201236027 27而強度調變並發散後，藉由透鏡28平行光束化，自調變 光學系統25出射之雷射光14藉由反射鏡3丨反射後，被水平 且平行地導引至移動光學台32上。 移動光學台32包括擴束器33、及物鏡34。導引至移動光 學台32之雷射光14在藉由擴束器33而整形為所需之光束形 狀後，經由物鏡34而照射至捲筒式母盤u上之抗蝕劑層。 捲筒式母盤11係載置於與轉軸馬達35連接之轉盤36之上。 而且’一面使捲筒式母盤U旋轉’並且使雷射光14於捲筒 式母盤11之尚度方向上移動，一面間歇地將雷射光丨4照射 至抗蝕劑層，藉此進行抗蝕劑層之曝光步驟。所形成之潛 像成為在圓周方向上具有長軸之大致橢圓形。雷射光14之 移動係藉由朝向移動光學台32之箭頭R方向之移動來進 行。 曝光裝置包括用以將與如圖3B所示之六方晶格或準六方 晶格之二維圖案對應之潛像形成於抗蝕劑層之控制機構 37。控制機構37包括格式器29與驅動器30。格式器29包括 極性反轉部’該極性反轉部控制針對抗蝕劑層之雷射光j 4 之照射時序。驅動器30接收極性反轉部之輸出，並控制聲 光元件2 7。 該捲筒式母盤曝光裝置中，以二維圖案在空間上連結之 方式於每一軌道中使極性反轉格式器信號與旋轉控制器同 步而產生信號’藉由聲光元件27進行強度調變。以角速度 為固定（CAV)且以適當之旋轉數、適當之調變頻率及適當 之傳送間距進行圖案化，藉此可記錄六方晶格或準六方晶 153604.doc • 26 - 201236027 格圖案。 [透明導電性元件之製造方法] ，其次，—面參照圖8A〜圖9D, 一面對本發明之第丨實施 形態之透明導電性元件1之製造方法進行說明。 (抗蝕劑成膜步驟） 首先，如圖8A所示，準備圓柱狀或圓筒狀之捲筒式母盤 11。該捲筒式母盤11例如為玻璃母盤。其次，如圖犯所 示，於捲筒式母盤！丨之表面形成抗蝕劑層13。作為抗蝕劑 層13之材料，例如可使用有機系抗蝕劑、及無機系抗蝕劑 中之任一種。作為有機系抗蝕劑’例如可使用酚醛系抗蝕 劑或化學放大型抗蝕劑。又，作為無機系抗蝕劑，例如可 使用包含1種或2種以上之金屬化合物。 (曝光步驟） 其次，如圖8C所示，對形成於捲筒式母盤丨丨之表面之抗 钮劑層13照射雷射光（曝光光束）14。具體而言，載置於如 圖7所示之捲筒式母盤曝光裝置之轉盤36上，使捲筒式母 盤Π旋轉，並且將雷射光（曝光光束）14照射至抗蝕劑層 13 ^此時，使雷射光14在捲筒式母盤11之高度方向（與圓 柱狀或圓筒狀之捲筒式母盤11之中心轴平行之方向）上移 動，並且間歇式地照射雷射光14，藉此將抗钱劑層13遍及 整個面曝光。藉此’與雷射光14之軌跡對應之潛像15例如 以與可見光波長相同程度之間距而遍及抗姓劑層13之整個 面形成。 潛像15例如以於捲筒式母盤表面形成複數行軌道之方式 153604.doc -27- 201236027 配置，並且形成六方晶格圖案或準六方晶格圖案。潛像15 例如為在執道之延伸方向上具有長轴方向之橢圓形狀。 (顯影步驟） 其次’例如，一面使捲筒式母盤11旋轉，一面將顯影液 滴至抗蝕劑層13上’對抗蝕劑層13進行顯影處理。藉此， 如圖8D所示，於抗蝕劑層13形成有複數個開口部。於抗蝕 劑層13由正型之抗蝕劑形成之情形時，利用雷射光14曝光 之曝光部’與非曝光部相比對於顯影液之溶解速度增加， 因而如圖8D所示’將與潛像（曝光部）16對應之圖案形成於 抗钮劑層13。開口部之圖案例如為六方晶格圖案或準六方 晶格圖案等之特定之晶格圖案。 (蝕刻步驟） 其次’將形成於捲筒式母盤11上之抗蝕劑層13之圖案 (抗姓劑圖案）作為遮罩，對捲筒式母盤丨丨之表面進行钮刻 處理。藉此，如圖9A所示，可獲得於轨道之延伸方向具有 長軸方向之橢圓錐形狀或橢圓錐台形狀之凹部，即構造體 12。作為触刻’例如可使用乾式钮刻、濕式触刻。此時， 藉由將触刻處理與灰化處理交替進行，可形成例如錐體狀 之構造體12之圖案。 藉由以上’可獲得目標之捲筒式母盤11。 (轉印步驟） 其次，如圖9B所示’於使捲筒式母盤11與塗佈於基體3 上之轉印材料16密接之後，自能量線源17將紫外線等能量 線照射至轉印材料16而使轉印材料16硬化後，將與硬化之 153604.doc -28- 201236027 轉印材料16成為一體之基體3剝離。藉此，如圖9C所示， 製作出於基體表面具有複數個構造體4之光學層2。 作為能量線源1 7 ’只要可放出電子束、紫外線、紅外 線、雷射光線、可見光線、電離放射線（χ射線、α射線、β 射線、γ射線等）、微波、或高頻等能量線者即可，並無特 別限定。 作為轉印材料16，較佳為使用能量線硬化性樹脂組成 物。作為能量線硬化性樹脂組成物，較佳為使用紫外線硬 化性樹脂組成物。能量線硬化性樹脂組成物亦可視需要而 包含填料或功能性添加劑等。 紫外線硬化性樹脂組成物例如包含丙稀酸酯及起始劑。 紫外線硬化性樹脂組成物例如為包含單官能單體、二官能 單體、多官能單體等’具體而言，將以下所示之材料單獨 或複數個混合而成者。 作為單官能單體，例如可列舉羧酸類（丙烯酸）、羥基類 (丙烯酸2-經基乙酯、丙烯酸2-經基丙酯、丙烯酸4_經基丁 酯）、院基、脂環類（丙稀酸異丁酯、丙烯酸第三丁酯、丙 烯酸異辛酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸硬脂酯、丙烯酸異冰 片酯、丙烯酸環己酯）、其他功能性單體（丙烯酸2_曱氧基 乙酯、甲氧基乙二醇丙烯酸酯、丙烯酸2_乙氧基乙酯、丙 烯酸四氫呋喃曱酯、丙烯酸苄酯、乙基卡必醇丙稀酸g旨、 丙烯酸苯氧基乙酯、丙烯酸N，N_二曱基胺基乙酯、N，N-二 甲基胺基丙基丙烯醯胺、N，N-二甲基丙烯醯胺、丙歸醯 基、N-異丙基丙烯醯胺、N，N-二乙基丙烯醯胺、N_乙烯基 153604.doc 29- 201236027 吡咯烷酮、丙烯酸2-(全氟辛基）乙酯、丙烯酸3_全氟己基_ 2-羥基丙酯、丙烯酸3_全氟辛基_2_羥基丙酯、丙烯酸2_(全 氟癸基）乙酯、丙烯酸2_(全氟_3_曱基丁基）乙酯）、2 4 6_三 漠苯齡丙稀酸醋、2,4,6-三溴苯酚曱基丙烯酸酯、丙烯酸 2-(2,4,6·二溴苯氡基）乙酯）、丙烯酸2_乙基己酯等。 作為二官能單體，例如可列舉三（丙二醇）二丙烯酸酯、 二羥曱基丙烷二烯丙基醚、丙烯酸胺基曱酸酯等。 作為多官能單體，例如可列舉三羥甲基丙烷三丙烯酸 酉曰、一季戊四醇五及六丙烯酸酯、二（三羥甲基丙.烷）四丙 烯酸酯等。 作為起始劑，例如可列舉2,2_二曱氧基_丨，2二苯基乙烷· 1-酮、1·經基-環己基苯基酮、2_經基_2·甲基小苯基丙院_ 1-酮等。 作為填料，例如可使用無機微粒子及有機微粒子中之任 一種。作為無機微粒子，例如可列舉Si〇2、Ti〇2、Zr〇2、 Sn〇2、Al2〇3等金屬氧化物微粒子。 作為功能性添加劑，例如可列舉調平劑、表面調整劑、 消’包劑等。作為基體3之材料，例如可列舉尹基丙烯酸甲 醋(共)聚合物、聚碳酸酿、苯乙稀(共)聚合物、甲基丙缔 酸甲酿·苯乙料聚物、纖維素二乙_、纖維素三乙酸 醋 '纖維素乙酸丁酸酯、聚酯、喈 日聚醯胺、聚醯亞胺、聚醚 碳、聚碾、聚丙烯、聚f基戊烯、$ ^ 聚氣乙烯、聚乙烯縮 骚、聚醚酮、聚胺基甲酸酯、玻璃等。 基體3之成形方法並無特別限定， 疋為射出成形體、擠出 153604.doc 201236027 成形體、澆鑄成形體均可。亦可視需要對基體表面實施電 暈處理等表面處理。 (透明導電層之成膜步驟） 其次，如圖9D所示，於形成有複數個構造體4之光學層2 之波面Sw上成膜透明導電層6。於成膜透明導電層6時，亦 可一面將光學層2加熱一面進行成膜。作為透明導電層6之 成膜方法，例如除熱CVD、電毁CVD、光CVD等CVD法 (Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積（化學蒸鍍 法）：利用化學反應而使薄膜自氣相析出之技術）之外，亦 可使用真空蒸鍵、電漿援用蒸鐘、濺鑛、離子電鍵等pvD 法（Physical Vapor Deposition’物理氣相沈積（物理蒸鍍 法）：使真空中物理氣化之材料於基板上凝集，而形成薄 膜之技術）。其次，視需要而對透明導電層6實施退火處 理。藉此，透明導電層6例如成為非晶與多晶之混合狀 態。 (透明導電層之圖案化步驟） 其次，藉由利用例如光蝕刻將透明導電層6圖案化，而 形成具有特定圖案之透明導電層6。 藉由以上，獲得目標之透明導電性元件1。 <2.第2貫施形態〉 [透明導電性元件之構成] 圖10 A係表示本發明之第2貫施形態之透明導電性元件之 光學層表面之一例的平面圖。圖1(^係將圖1〇A所示之光 學層表面之一部分放大表示之平面圖。第2實施形態之透 153604.doc •31· 201236027 導電I·生元件1在如下方面與第j實施形態有所不同：複數 個構造體4於鄰接之3行軌道T間形成四方晶格圖案或準四 方晶格圖案。 t此處，四方晶格係指正四邊形狀之晶格。準四方晶格係 才曰/、正四邊形狀之晶格不同之經變形之正四邊形狀之晶 格例如，於將構造體4配置於直線上之情形時，準四方 晶格係指將正四邊形狀之晶格向直線狀之排列方向（轨道 方向）拉長而變形之四方晶格。於構造體4蜿蜒排列之情形 時，準四方晶格係指將正四邊形狀之晶格藉由構造體4之 婉挺排列而變形之四方晶格。或者係指將正四邊形狀之晶 格向直線狀之排列方向（軌道方向）拉長而變形，且藉由構 ie體4之婉誕排列而變形之四方晶格。 同一軌道内之構造體4之配置間距P1較佳為比鄰接之兩 個軌道間之構造體4之配置間距P2更長。又，於將同一軌 道内之構造體4之配置間距設為pi、將鄰接之兩個軌道間 之構造體4之配置間距設為P2時，ρι/ρ2較佳為滿足 1 ·4<P 1/P2S1.5之關係。藉由設為此種數值範圍，可提高 具有橢圓錐或橢圓錐台形狀之構造體4之填充率，因而提 高光學調整功能。又，相對於軌道成45度方向或約45度方 向上的構造體4之高度或深度較佳為小於軌道之延伸方向 上之構造體4之高度或深度。 相對於軌道之延伸方向傾斜之構造體4之排列方向（0方 向）之高度Η2較佳為小於軌道之延伸方向之構造體4之高度 Η1。即，構造體4之高度HI、Η2較佳為滿足Η1>Η2之關 153604.doc •32- 201236027 係。 於構造體4形成四方晶格或準四方晶格圖案之情形時， 構造體底面之橢圓率e較佳為150%Se$180%。其原因在 於，藉由設為該範圍，可提高構造體4之填充率，從而可 獲得優異之光學調整功能。 平坦部之面積S2相對於波面Sw之面積S1之比率 Rs((S2/Sl)xl00)較佳為0%以上50°/。以下，更佳為0%以上 45%以下，進而較佳為0°/。以上30%以下之範圍内。藉由將 比率Rs設為50%以下，可提高光學調整功能。 此處，平坦部之面積S2相對於波面Sw之面積S1之比率 Rs((S2/Sl)xl00)為按照以下方式而求出之值。 首先，使用掃描式電子顯微鏡（SEM: Scanning Electron Microscope)以Top View(頂視）對透明導電性元件1之表面 進行攝影。繼而，自所攝影之SEM照片中隨機選出單位晶 格Uc，對該單位晶格Uc之配置間距P1、及轨道間距Tp進 行測定（參照圖10Β)。又，藉由圖像處理而對該單位晶格 Uc中所包含之4個構造體4中的任一個之底面之面積 S(structure)進行測定。然後，使用所測定出之配置間距 P1、軌道間距Tp、及底面之面積S(structure)並根據以下之 式而求出比率R。 比率 R=[(S(lattice)-S(structure))/S(lattice)] X 100 單位晶格面積：S(lattice)=2x((PlxTp)x(l/2))=PlxTp

存在於單位晶格内之構造體之底面之面積：S(structure)=S 對自所攝影之SEM照片中隨機選出之10個部位之單位晶 153604.doc -33- 201236027 格Uc進行上述比率R之計算處理。繼而，將測定值簡單平 均（算術平均）而求出比率R之平均率，將該平均率設為比 率Rs 〇 直徑2r相對於配置間距？1之比率（（2r/pi)xl〇〇)為64%以 上，較佳為69%以上，更佳為73%以上。藉由設為此種範 圍，可提高構造體4之填充率，從而可提高光學調整功 能。此處，配置間距P1為構造體4之軌道方向之配置間 距，直徑2r為構造體底面之軌道方向之直徑。再者，於構 造體底面為圓形之情形時，直徑2r為直徑，於構造體底面 為橢圓形之情形時，直徑2r為長徑。 根據第2實施形態，可獲得與第丨實施形態相同之效果。 <第3實施形態> 圖11A係表示本發明之第3實施形態之透明導電性元件之 構成之一例的剖面圖。圖丨丨B係表示本發明之第3實施形態 之透月導電性元件之光學層表面之一例的平面圖。圖11匸 係將圖11B所示之光學層表面之一部分放大表示之平面 圖。 第3實施形態之透明導電性元件丨在如下方面與第〖實施 形態有所不同：複數個構造體4不規則（rand〇m)地二維排 列。又，亦可使構造體4之形狀、大小及高度中之至少一 個進一步不規則地變化。 該第3實施形態中，除上述以外均與第丨實施形態相同。 用以製作該透明導電性元件1之母盤例如可使用將鋁基 材之表面陽極氧化之方法，但並不限定於該方法。 153604.doc •34- 201236027 第3實施形態中，因將複數個構造體4不規則二維排列， 故而可抑制外觀上之不均之發生。 <4.第4實施形態> 圖12A係表示本發明之第4實施形態之透明導電性元件之 構成之一例的剖面圖。圖12B係將圖12A所示之透明導電 性元件之一部分放大表示之放大剖面圖。圖丨2C係表示本 發明之第4實施形態之透明導電性元件之構成之其他例的 剖面圖。圖12D係將圖12C所示之透明導電性元件之一部 分放大表示之放大剖面圖。 如圖12A及圖12B所示，第4實施形態之透明導電性元件 1在如下方面與第1實施形態有所不同：透明導電層6遍及 光學層（第1光學層）2之波面Sw之大致整體而連續地形成。 又’亦可視需要如圖12C及圖12D所示，設為如下構 成：更包含形成於透明導電層6上之光學層（第2光學層）7， 且透明導電層6之兩主面分別由光學層2、光學層7所覆 蓋。再者，構造體4之凹凸之朝向亦可相反。 該第4實施形態中，除上述以外均與第丨實施形態相同。 <5.第5實施形態> 圖13 A係用以說明本發明之第5實施形態之資訊輸入裝置 之構成之一例的剖面圖。如圖13A所示，資訊輸入裝置1〇1 6又置於顯不裝置1〇2之顯示面上。資訊輸入裝置1〇1例如藉 由貼合層111而貼合於顯示裝置！ 〇2之顯示面。應用了資訊 輸入裝置101之顯示裝置102並無特別限定，但若進行例 示則了列舉液晶顯示器、CRT(Cathode Ray Tube，陰極 153604.doc •35- 201236027 射線管）顯示器、電漿顯示器（Plasma Display Panel: PDP)電致發光（Electro Luminescence: EL)顯示器、表面 傳導型電子發射元件顯示器（Surface_c〇nduct；i〇n Electron-emitter Display: SED)等各種顯示 裝置。 資訊輸入裝置101為所謂的投影型電容方式觸控面板， 其包含第1透明導電性元件丨〗、設置於第i透明導電性元件 1〗上之第2透明導電層丨2、及設置於第2透明導電層丨2上之 光學層7。第1透明導電性元件h與第2透明導電層丨2係以第 1透明導電性元件1〗之透明導電層6ι側之面與第2透明導電 性元件h之基體3側之面相對向的方式經由貼合層U2而貼 合。光學層7係藉由將基體3經由貼合層8貼合於第2透明導 電性元件h之透明導電層8側之面而形成。 圖13B係將圖13 A所示之區域八丨及區域A2放大表示之放 大剖面圆。圖14A係將圖13A所示之區域A!進一步放大表 示之放大剖面圖。圖14B係將圖13A所示之區域a2進一步 放大表示之放大剖面圖。 如圖13B所示，第1透明導電性元件丨】之透明導電層6〗與 第2透明導電性元件丨2之透明導電層62較佳為以於資訊輸入 裝置101之厚度方向上不重合方式而設置。即，較佳為第1 透明導電性元件li之第1區域與第2透明導電性元件丨2之 第2區域&於資訊輸入裝置1〇丨之厚度方向上重合，第丄透 明導電性元件1〗之第2區域R2與第2透明導電性元件12之第i 區域心於資訊輸入裝置101之厚度方向上重合。藉此，可 減小由第1透明導電性元件1!與第2透明導電性元件丨2之重 I53604.doc 36· 201236027 合所引起之透射率差。 φ ^ 再者，圖13Α及圖13Β中，以笫1读 明導電性元件1,之读aa播& τ 从第1透 透月導電層6!與第2透明導# # 透明導電層62均成^導電性X件12之 J風马輸入面側之方式， 性元件h及第2透明導電性 ° 透明導電 _ ^ 導電性凡件12之朝向之情形為例進行農 不’但第1透明導電性元料及第2透明導電性 向並無特別限定，可招诚咨 > 〜 之朝 設定。 …根據貧訊輸入裝置⑻之設計而適當 如圖Μ所示，較佳為區域Αι中，於第味明導電性元件 1〗之波面Sw上未形成透明導電層6ι，與此相對，於 明導電性元件l2之波面Sw上形成有透明導電層h。又，如 圖14B所示’較佳為區域〜中，於第i透明導電性元料之 波面Sw上形成有透明導電層6ι，與此相對，於第2透明導 電性元件〗2之波面SW上未形成透明導電層&。 作為第1透明導電性元件^及第2透明導電性元件“，可 使用第1〜第3實施形態之透明導電性元件之一種。即， 第1透明導電性元件h之光學層21、基體3ι、構造體七、基 底層5!及透明導電層6丨分別與第〖〜第3實施形態中之丨種之 光學層2、基體3、構造體4、基底層5及透明導電層6相 同。又’第2透明導電性元件I2之光學層22、基體32、構造 體42、基底層52及透明導電層62分別與第1〜第3實施形態中 之1種之光學層2、基體3、構造體4、基底層5及透明導電 層6相同。

圖15 A係用以說明本發明之第5實施形態之資訊輸入裝置 之構成之一例的分解立體圖。該資訊輸入裝置1〇1為ITO 153604.doc -37- 201236027

Grid方式之投影型電容方式觸控面板。第1透明導電性元 件1,之透明導電層6|例如為具有特定圖案之X電極（第1 極）。第2透明導電性元件l2之透明導電層^例如為具有特 定圖案之Υ電極（第2電極）。該等χ電極與γ電極例如成為 彼此正交之關係。 圖15Β係用以說明本發明之第5實施形態之資訊輸入裝置 中所包含的第1透明導電性元件之構成之一例的分解立體 圖。再者，第2透明導電性元件1：ί在除包含透明導電層。之 Υ電極之形成方向以外之方面均與第丨透明導電性元件丨丨相 同’因而省略分解立體圖之圖示。 於光學層2丨之波面Sw之區域，排列有包含透明導電層 6丨之複數個X電極。於光學層h之波面Sw之區域&，排列 有包含透明導電層62之複數個γ電極。沿χ軸方向延伸之χ 電極係將單位形狀體〇^在χ軸方向上重複連結而成。沿γ 軸方向延伸之Y電極係將單位形狀體C2在Y軸方向上重複 連結而成《作為單位形狀體Cl及單位形狀體c2之形狀，例 如可列舉菱形形狀（鑽石形狀）、三角形狀、四邊形狀等， 但並不限定於該等形狀。 於將第1透明導電性元件h與第2透明導電性元件丨2重合 之狀態下，將第1透明導電性元件1!之第1區域R]與第2透 明導電性元件12之第2區域R_2重合，將第1透明導電性元件 li之第2區域R2與第2透明導電性元件I2之第1區域Ri重合。 因此’於自輸入面側觀察資訊輸入裝置101之情形時，可 看見單位形狀體(：〗及單位形狀體(：2不重合地於一主面上鋪 153604.doc • 38 · 201236027 滿且細密填充之狀態》 <6.第6實施形態> 圖16A係用以說明本發明之第6實施形態之資訊輸入裝置 之構成之一例的剖面圖。圖16B係將圖16A所示之資訊輸 入裝置之一部分放大表示之放大刮面圖。 資訊輸入裝置101為所謂之表面型電容方式觸控面板， 其包含透明導電性元件1 ^作為透明導電性元件丨，使用第 4實施形態之透明導電性元件丨，且於透明導電層6上設置 有光學層（第2光學層）7。 第6實施形態中，除上述以外均與第5實施形態相同。 <7.第7實施形態> 圖17A係用以說明本發明之第7實施形態之資訊輸入裝置 之構成之一例的剖面圖。圖178係將形成有透明導電層之 波面相對向之區域放大表示之刮面圖。圖17C係將未形成 透明導電層而露出之波面相對向之區域放大表示之剖面 圖。 如圖17A所示，資訊輸入裝置1〇1為所謂之矩陣對向膜方 式觸控面板’其包含第！透明導電性元件^、第2透明導電 性元件12、及貼合層121。第i透明導電性元糾與第2透明 導電性元件12係以彼此之透明導電層6ι及透明導電層62相 對向之方式隔開特定間隔而對向配置。貼合層i2i係配置 於第1透明導電性元料及第2透明導電性元件卜之周緣部 間’經由貼合層121而將第！透明導電性元件“及第2透明 導電性兀件ι2之對向面之周緣部貼合。作為貼合層ι2ΐ， 153604.doc •39- 201236027 例如使用黏著膏、膠帶等。 資訊輸入裝置101之兩主面中之第2透明導電性元件h側 之主面成為輸入資訊之觸摸面（資訊輸入面）。較佳為於該 觸摸面上進而設置硬塗層122。其原因在於可提高觸控面 板50之觸摸面之耐擦傷性。 如圖17B及圖17C所示，第1透明導電性元件丨丨與第2透明 導電性7C件丨2之波面Sw係隔開特定間隔而對向配置。於作 為矩陣對向膜方式觸控面板之資訊輸入裝置1〇1中，於第^ 透明導電性元件及第2透明導電性元件！2之波面Sw上分 別形成有具有特定圖案之透明導電層6!及透明導電層 因此，資訊輸入裝置101中，存在：形成有透明導電層… 之波面Sw與形成有透明導電層&之波面Sw相對向之區域 (圖17B);未形成透明導電層6ι而露出之波面3〜與未形成 透明導電層62而露出之波面Sw相對向之區域（圖17c);及 形成有透明導電層6〗或透明導電層62之波面Sw與未形成透 明導電層6〗或透明導電層6；j而露出之波面Sw相對向之區域 (省略圖示）。 圖18A係用以說明本發明之第7實施形態之資訊輸入裝置 之構成之一例的分解立體圖。圖18B係用以說明本發明之 第7實施形態之資訊輸入裝置所包含的透明導電性元件之 構成之一例的分解立體圖。第1透明導電性元件L之透明 導電層61為例如具有條紋形狀之X電極（第1電極）。第2透 明導電性元件h之透明導電層62為例如具有條紋形狀之γ 電極（第2電極）。第1透明導電性元件丨1與第2透明導電性元 153604.doc •40· 201236027 件h係以該等X電極與γ電極彼此對向並且正交之方式對向 配置。 第7實施形態中，除上述以外均與第5實施形態相同。 <8.第8實施形態> 圖19Α係用以說明本發明之第8實施形態之資訊輸入裝置 之構成之一例的剖面圖。圖19Β係將圖19Α所示之資訊輸 入裝置之一部分放大表示之放大剖面圖。 如圖19Α所不，第8實施形態之資訊輸入裝置1〇1係在如 下方面與第7實施形態之資訊輸入裝置1〇1有所不同：使用 第4實施形態之透明導電性元件丨作為第〗透明導電性元件 及第2透明導電性元件l2。 如圖19Β所示，第i透明導電性元件丨〗及第2透明導電性 兀•件h之波面Sw係對向配置，且於該等對向配置之波面上 分別形成有透明導電層6】、透明導電層62。 第8實施形態中，除上述以外均與第7實施形態相同。 <9.第9實施形態> 圖20係用以說明本發明之第9實施形態之液晶顯示裝置 之構成之一例的剖面圖。如圖2〇所示，第9實施形態之液 曰曰顯不裝置包含：具有第1主面及第2主面之液晶面板（液 曰曰層）131 ,形成於第丨主面上之第丨偏光元件I]];形成於 第2主面上之第2偏光元件133 ;及配置於液晶面板13ι與第 2偏光兀件133之間之資訊輸入裝置1〇1。資訊輸入裝置1〇1 為液Ba顯示器一體型觸控面板（所謂之内側式觸控面板）。 亦可省略光學層22,而於第2偏光元件⑶之表面直接形成 153604.doc •41 · 201236027 複數個構造體4»於第2偏光元件133在表面包含TAC(三乙 醯纖維素）膜等保護層之情形時，較佳為於保護層上直接 形成複數個構造體4。如此，藉由於第2偏光元件133上形 成複數個構造體4’且於該等構造體4上形成透明導電層 62 ’可使液晶顯示裝置進一步薄型化。 (液晶面板） 作為液晶面板131 ’例如可使用扭轉向列（Twisted

Nematic: TN)模式、超扭轉向列（Super Twisted Nematic: STN)模式、垂直配向（Vertically Aligned: VA)模式、水平 排列（In-Plane Switching(平面轉換）：IPS)模式、光學補償 彎曲配向（Optically Compensated Birefringence: OCB)模 式、鐵電性（Ferroelectric Liquid Crystal(鐵電液晶）：FLC) 模式、局分子分散型液晶（Polymer Dispersed Liquid Crystal(高分子分散液晶）：pdLC)模式、相變型賓主 (Phase Change Guest Host: PCGH)模式等顯示模式者。 (偏光元件） 第1偏光元件132及第2偏光元件133係以其透射軸彼此正 交之方式分別經由貼合層134及貼合層136而貼合於液晶面 板131之第1主面及第2主面上。第1偏光元件132及第2偏光 元件133係僅使入射之光中的正交之偏光成分之一方通 過’且藉由吸收而遮蔽另一方。作為第1偏光元件132及第 2偏光元件133，例如可使用於聚乙稀醇（Polyvinyl Alcohol，PVA)系膜上沿一軸方向排列有碘錯合物或二色 性染料者。較佳為於第1偏光元件132及第2偏光元件133之 153604.doc • 42- 201236027 兩面設置三乙醯纖維素（TAC)膜等保護層。 (觸控面板） 資訊輸入裝置101可使用第5〜第8實施形態之任一者。 第9實施形態中，由於將第2偏光元件133設為液晶面板 135與資訊輸入裝置ι〇1共用之構成，故而可提高光學特 性》 <10.第10實施形態> 圖21A係用以說明本發明之第10實施形態之資訊顯示裝 置之構成之一例的立體圖。圖21B係將形成有透明導電層 之波面相對向之區域放大表示之剖面圖。圖21C係將未形 成透明導電層而路出之波面相對向之區域放大表示之剖面 圖。 如圖21A所示，該資訊顯示裝置為被動矩陣驅動方式（亦 稱為單純矩陣驅動方式）之液晶顯示裝置，其包含第1透明 導電性元件h、第2透明導電性元件丨2、及液晶層14ι。第i 透明導電性元件1丨與第2透明導電性元件丨2係以彼此之透明 導電層6,及透明導電層62相對向之方式隔開特定間隔而對 向配置。液晶層141係設置於隔開特定間隔而配置之第i透 明導電性元件U與第2透明導電性元件丨2之間。作為第1透 明導電性元件h及第2透明導電性元件丨2，可使用第〖〜第3 實施形態之透明導電性元件丨中之丨種。即，第丨透明導電 性元件1!之光學層2!、基體3l、構造體七、基底層51及透 明導電層6】分別與第卜第3實施形態中之丨種之光學層2、 基體3、構造體4、基底層5及透明導電層6相同。又，第2 153604.doc -43· 201236027 透明導電性元件丨2之光學層22、基體32、構造體42、基底 層52及透明導電層62分別與第1〜第3實施形態中之1種之光 學層2、基體3、構造體4、基底層5及透明導電層6相同。 此處’說明對於被動矩陣驅動方式之液晶顯示裝置應用本 發明之例’但資訊顯示裝置並不限定於此例，只要為被動 矩陣驅動方式等之具有特定之電極圖案之資訊顯示裝置， 即可應用本發明。例如，亦可用於被動矩陣軀動方式之EL 顯示裝置等。 如圖21B及圖21C所示，第1透明導電性元件]^及第2透明 導電性元件la之波面Sw係隔開特定間隔而對向配置。被動 矩陣驅動方式之液晶顯示裝置中，於第丨透明導電性元件 li及第2透明導電性元件丨2之波面Sw上分別形成有具有特 定圖案之透明導電層6l及透明導電層62^因此，存在：形 成有透明導電層6!之波面Sw與形成有透明導電層02之波面 Sw相對向之區域（圖21B);未形成透明導電層6ι而露出之 波面Sw與未形成透明導電層h而露出之波面8你相對向之 區域(圖21C);及形成有透明導電層6丨或透明導電層匕之波 面Sw與未形成透明導電層6ι或透明導電層心而露出之波面 Sw相對向之區域（省略圖示）。 第1透明導電性元扣之透明導電層6】為例如具有條紋形 狀之X電極(第!電極)。第2透明導電性元件12之透明導電 層62為例如具有條紋形狀之γ電極（第2電極）。以該等X 極與Y電極彼此對向並且正交之方式將第】透明導 1丨與第2透明導電性元件12對向配置。 凡 153604.doc -44 · 201236027 <11.第11實施形態> 圖22A係用以說明本發明之第丨丨實施形態之資訊輸入裝 置之構成之一例的剖面圖。圖22B係將形成有透明導電層 之波面相對向之區域放大表示之剖面圖。圖22(：係將未形 成透明導電層而露出之波面相對向之區域放大表示之剖面 圖。 如圖22A所示，該資訊顯示裝置為所謂之微膠囊電泳方 式之電子紙，其包含第丨透明導電性元件^、第2透明導電 性元件h、及微膠囊層（介質層）151。第〗透明導電性元件 1!與第2透明導電性元件12係以彼此之透明導電層…及透明 導電層62相對向之方式隔開特定間隔而對向配置。微膠囊 層151係設置於隔開特定間隔而配置之第丨透明導電性元件 11與第2透明導電性元件12之間。 又’亦可視需要經由黏著劑等貼合層153而將第2透明導 電性元件12貼合於玻璃等支持體154。此處，說明對於微 膠囊電泳方式之電子紙應用本發明之例，但電子紙並不限 定於此例’只要為於對向配置之導電性元件間設置有介質 層之構成，即可應用本發明。此處，”中除液體及固體 以外，亦包括空氣等氣體…介質中亦可包含勝囊、顏 料及粒子等構件。 作為除微膠囊電泳方式以外可應用本發明之電子紙，例 如可列舉扭轉向列球方式、熱敏重寫方式、色粉顯示方式 (Toner Display Type)、In_Plane型電泳方式 式之電子紙等。微膠囊層151包含多個微膠囊 電子粉粒方 152。於微膠 153604.doc -45- 201236027 囊内’封入有例如分散有黑色粒子及白色粒子之透明之液 體（分散介質）。 第1透明導電性元件1 i之透明導電層6ι、及第2透明導電 性元件h之透明導電層62係對應於作為電子紙之資訊顯示 裝置之驅動方式而形成為特定之電極圖案狀。作為驅動方 式，例如可列舉單純矩陣驅動方式、主動矩陣驅動方式、 段驅動方式等。 如圖22B及圖22C所示，第1透明導電性元件丨丨及第2透明 導電性元件I2之波面Sw係隔開特定間隔而對向配置。被動 矩陣驅動方式電子紙中，於第丨透明導電性元件込及第2透 明導電性元件h之波面Sw上分別形成有具有特定圖案之透 明導電層6l及透明導電層62^因此，存在：形成有透明導 電層之波面Sw與形成有透明導電層62之波面8以相對向之 區域（圖22B);未形成透明導電層6ι而露出之波面Sw與未 形成透明導電層62而露出之波面Sw相對向之區域（圖 22C);及形成有透明導電層6l或透明導電層之波面3以與 未形成透明導電層61或透明導電層&而露出之波面Sw相對 向之區域（省略圖示）。 s亥第11實施形態中，除上述以外均與第1〇實施形態相 同。 [實施例] 以下，藉由樣品而對本發明進行具體說明，但本發明並 不僅限定於該等樣品。 (平均高度Hm、平均配置間距Pm、縱橫比（Hm/pm)) 153604.doc •46· 201236027 以下，透明導電性片材等構造體之平均高度Hm、平均 配置間距Pm、及縱橫比（Hm/Pm)係以下述方式求出。 首先，將透明導電性片材以包含構造體之頂部之方式切 斷，利用穿透式電子顯微鏡（TEM)對其刮面進行攝影。其 次，根據所攝影之TEM照片，求出構造體之配置間距p、 構造體之高度Η。於自透明導電性片材中隨機選出之1〇個 部位重複進行該測定，將測定值簡單平均（算術平均）而求 出平均配置間距Pm及平均高度11〇1。其次，使用該等平均 配置間距Pm及平均高度Hm，求出縱橫比（Hin/pm)。 再者，構造體之平均高度Hm、平均配置間距pm、及縱 橫比（Hm/Pm)分別對應於波面之振動之平均幅度Am、波面 之平均波長ληι、及比率（Am/λΓη)。 (ΙΤΟ膜之膜厚） 以下，ΙΤΟ膜之膜厚係以下述方式求出。 首先，將透明導電性片材以包含構造體之頂部之方式切 斷’利用穿透式電子顯微鏡（ΤΕΜ)對其剖面進行攝影，根 據所攝影之ΤΕΜ照片，測定構造體之頂部之ΙΤ〇膜之膜 厚。 (構造體斜面之平均角度） 以下’構造體斜面之平均角度係以下述方式求出。 首先，將透明導電性片材以包含構造體之頂部之方式切 斷’利用穿透式電子顯微鏡（ΤΕΜ)對其剖面進行攝影。其 次，根據所攝影之ΤΕΜ照片，求出自底部至頂部之斜面之 角度之平均值（1個構造體之斜面角度之平均值）。於自透明 153604.doc •47- 201236027 導電性片材中隨機選出之丨0個部位重複進行此種求出平均 值之處理，將ίο個構造體之斜面角度之平均值簡單平均 (算術平均）’作為構造體斜面之平均角度。 關於樣品1 -1〜1 0-5，以下述順序進行說明。 1.平坦部面積比（樣品 2·色調（樣品2-1〜2-3) 3. 透明導電層之膜厚比（樣品3-^3-3) 4. 縱橫比（樣品4-1〜4-4) 5. 電性可靠性（樣品5-^5-6) 6. 反射率差(樣品 7·構造體之形狀（樣品7-^7-3) 8. 圖案變形（樣品8·ι、8_2) 9. 抗蝕刻性（樣品9040—5) < 1 ·平坦部面積比> 樣品 1-1 〜1_3 中，藉由 RCWA(Rig〇r〇us c〇upled Wave

AnalySls ’嚴格耦合波分析）之光學模擬，而對平坦部面積 比與反射率之關係進行研究。 (樣品1 -1) 藉由光學模擬，而求出透明導電性元件之反射光譜。將 其結果之圖表示於圖23B。 以下’表示光學模擬之條件。 (透明導電性元件之構成） 透明導電性元件為以下之積層構造體。 (入射側）基體/構造體/透明導電層/光學層（出射側） 153604，doc -48· 201236027 圖23 A係表示排列於基體表面之複數個構造體之平面 圖。圖23A中，圓形狀表示構造體底面，Uc表示單位晶 格，1^表示構造體底面之半徑。於基體表面，如圖23 A所 示般排列有複數個構造體。 (基體） 折射率η : 1.52 (構造體） 構造體之排列：六方晶格 構造體之形狀：吊鐘型 構造體之底面：圓形 配置間距（波長λ)Ρ : 250 nm 構造體之高度（振幅A)H: 150nm 縱橫比（H/P) : 0.6 單位晶格Uc之面積S(lattice) : 2X2V~ 3 構造體之底面之半徑rs : 0.9 構造體之底面之面積 S( structure) : 2 x7urs2=2><7ux〇.92 平坦部之面積比率 Rs : [(S(lattice)-S(structure))/S(lattice)]x 100=26.54% (透明導電層） 透明導電層之折射率η : 2.0 透明導電層之厚度t: 60〜75 nm 構造體頂部之透明導電層之厚度D1 : 75 nm 構造體間之透明導電層之厚度D3 : 60 nm 膜厚比D3/D1 : 0.8 153604.doc -49· 201236027 (光學層） 折射率η : 1.52 (入射光） 偏光：無偏光 入射角：5度（相對於透明導電性元件之法線） (樣品1-2) 變更以下之條件，除此以外，與樣品1 -1同樣地藉由光 學模擬，而求出透明導電性元件之反射光譜。將其結果之 圖表示於圖23Β。 (構造體） 構造體之底面之半徑rs : 0.8 構造體之底面之面積 S(structure) : 2χπΓ32=2χπχ〇·82 平坦部之面積比率：[(S(lattice)-S(structure))/S(lattice)]x 100=41.96% (樣品1-3) 變更以下之條件，除此以外，與樣品1 -1同樣地藉由光 學模擬，而求出透明導電性元件之反射光譜。將其結果之 圖表示於圖23B。 (構造體） 構造體之底面之半徑rs : 0.7 構造體之底面之面積 S( structure) : 2 χπι^2=2χπχ 0.72 平坦部之面積比率：[(S(lattice)-S(structure))/S(lattice)]x 100=55.56% 根據圖23B，可知以下内容。 · 153604.doc -50· 201236027 藉由於透明導電性元件之表面’將平坦部之面積比率設 為50%以下’而可使視感反射率（波長55〇 nm下之反射率） 成為2%以下。 藉由使視感反射率成為2%以下，而可提高視覺辨識 性。 再者，於以下述方式設定構造體之底面之半徑r$、構造 體之底面之面積S(structure)、及平坦部之面積比率rs之情 形時’可較樣品1 -1進一步降低反射率。 構造體之底面之半徑rs : 1.0 構造體之底面之面積 S(structure) : 2><7rrs2=2x7cx 1.02 平坦部之面積比率rs : [(S(iattice)_s(structure))/S(iattice)]x 100=9.31% <2.色調> 樣品2-1〜2-3中，藉由實際製作透明導電性片材，而對 色調進行研究。 (樣品2-1) 首先，準備外徑為126 mm之玻璃捲筒式母盤，於該玻 璃捲筒式母盤之表面以下述方式成膜抗蝕劑層。即，以稀 釋劑將光阻劑稀釋為1/10，利用浸潰法將該稀釋抗蝕劑以 厚度70 nm左右塗佈於玻璃捲筒式母盤之圓柱面上，藉此 成膜抗蝕劑層。其次，將作為記錄媒體之玻璃捲筒式母盤 搬送至圖7所示之捲筒式母盤曝光裝置，對抗蝕劑層進行 曝光，藉此將相連成1個螺旋狀並且於鄰接之3行軌道間形 成六方晶格圖案之潛像圖案化於抗蝕劑層。 153604.doc •51- 201236027 具體而言’對於應形成六方晶格狀之曝光圖案之區域， 將曝光之功率為0.50 mW/m之雷射光照射至上述玻璃捲筒 式母盤表面而形成六方晶格狀之曝光圖案。再者，軌道行 之行方向之抗敍劑層之厚度為60 nm左右，軌道之延伸方 向之抗蝕劑厚度為50 nm左右。 其次’對玻璃捲筒式母盤上之抗蝕劑層實施顯影處理， 使經曝光之部分之抗钱劑層溶解而進行顯影。具體而言， 於未圖示之顯影機之轉盤上載置未顯影之玻璃捲筒式母 盤，一面使其與轉盤一併旋轉，一面於玻璃捲筒式母盤之 表面滴下顯影液而對其表面之抗钱劑層進行顯影。藉此， 獲得抗触劑層開口為六方晶格圖案之抗钱劑玻璃母盤。 其次’使用捲筒式蝕刻裝置，進行於chf3氣體環境中之 電漿蝕刻。藉此’於玻璃捲筒式母盤之表面，僅對自抗钱 劑層露出之六方晶格圖案之部分進行钮刻，其他區域係由 於抗蝕劑層成為遮罩而未;被蝕刻，從而橢圓錐形狀之凹部 形成於玻璃捲筒式母盤。此時，蝕刻量（深度）係藉由蝕刻 時間而調整。最後’利用〇2灰化完全地除去抗蝕劑層，藉 此獲得具有凹形狀之六方晶格圖案之蛾眼（Moth Eye)玻璃 捲筒式母模。行方向上之凹部之深度係較軌道之延伸方向 上之凹部之深度更深。 其次，使用上述蛾眼玻璃捲筒式母模，藉由uv壓印而 將複數個構造體製作於厚度為125 μηΐ2ΡΕΤ片材上。具體 而έ，使上述蛾眼玻璃捲筒式母模與塗佈有紫外線硬化樹 脂之PET(聚對苯二甲酸乙二酯）片材密接，一面照射紫外 153604.doc •52- 201236027 線使其硬化，一面剝離。藉此，獲得複數個以下之構造體 排列於一主面之光學片材。 構造體之排列：六方晶格 構造體之形狀：吊鐘型 構造體之平均配置間距（波長X)pm : 250 nm 構造體之平均高·度（振幅A)Hm: 125nm 構造體之縱橫比（Hm/Pm) : 0.5 其次，利用濺鍍法，於形成有複數個構造體之pET片材 表面成膜ITO層，藉此製作透明導電性片材。 以下’表示ITO層之成膜條件。 氣體種類：Ar氣體與〇2氣體之混合氣體 混合氣體之混合比率（體積比率）：Ar: 〇2=2〇〇:1〇 ΙΤΟ層之膜厚：75 nm 此處，ITO層之膜厚為構造體之頂部之膜厚。 其次，將透明導電性片材於折射率為15之玻璃基板 上，經由黏著片材而以ITO層側之面成為玻璃基板之面側 之方式接著。 藉由以上，製作目標之透明導電性片材。 (樣品2 ~ 2) 將複數個以下之構造體排列於ΡΕΤ片材之一主面，除此 以外，與樣品2-1同樣地製作光學片材。 構造體之排列：六方晶格 構造體之形狀：吊鐘型 構造體之平均配置間距Pm: 25〇nm 153604.doc -53- 201236027 構造體之構造體之平均高度Hm: 150 nm 縱橫比（Hm/Pm) : 0.6 其次，利用濺鍍法，於形成有複數個構造體之ρΕτ片材 表面成膜ΙΤΟ層，藉此製作透明導電性片材。 以下’表示ΙΤΟ層之成膜條件。 氣體種類：Ar氣體與〇2氣體之混合氣體 混合氣體之混合比率（體積比率）：Ar: 〇2=2〇〇:1〇 ΙΤΟ層之膜厚：100 nm 此處，ITO層之膜厚為構造體之頂部之膜厚。 其次，將透明導電性片材於折射率為15之玻璃基板 上’經由黏著片材而以IT0層側之面成為玻璃基板之面側 之方式接著。 藉由以上，而製作目標之透明導電性片材。 (樣品2-3) 首先，省略ΠΌ層之形成，除此以外，與樣品2_丨同樣地 製作光學片材。 其次，將光學片材於折射率為15之玻璃基板上，經由 黏著片材而以形成有複數個構造體之側之面成為玻璃基板 之面側之方式接著。 藉由以上，而製作目標之透明導電性片材。 (透射色相） 將以上述方式製作之透明導電性片材及光學片材作為測 定試料，藉由分光光度計而測定可見光周邊之波長域（35〇 nm〜800 nm)内之透射光譜，根據該透射光譜而計算出透射 I53604.doc 54- 201236027 色相a * ' b * »將透射光譜之測定結果示於圖24。將透射 色相a *、b *之計算結果示於表1。 表1係表示樣品2-1〜2-3之透射色相之計算結果。 [表1] 樣品2-1 樣品2-2 光譜 0.5 0.6 a* (透射） -0.35 -0.12 b* (透射） 1.48 1.29 根據表1可知以下内容。 樣品2-1、2-2之透明導電性片材中，a *、b *均成為小 於3之值，可知為無色透明且具有良好之特性。 <3.透明導電層之膜厚比> 樣品3-1~3-3中，藉由RCWA之光學模擬，而對透明導電 層之膜厚比（D3/D1)與反射率之關係進行研究。 (樣品3-1) 藉由光學模擬而求出透明導電性元件之反射光譜，根據 忒反射光譜，求出反射色相3氺、及反射γ值。將其結 果之圖表示於圖25 A及表2。 同樣，藉由光學模擬而求出透明導電性元件之透射光 譜’㈣該透射光譜’求出透射色相a*、b*。將其結果 之圖表示於圖25B及表3。 以下’表示光學模擬之條件。 (透明導電性元件之構成） 透明導電性元件成為以下之積層構造體。 153604.doc -55· 201236027 (入射側）基體/構造體/透明導電層/光學層（出射側） (基體） 折射率η : 1.52 (構造體） 構造體之排列：六方晶格 構造體之形狀：吊鐘型 構造體之底面：圓形 配置間距（波長λ)Ρ : 250 nm 構造體之高度（振幅A)H: 150nm 縱橫比（H/P) : 0.6 單位晶格Uc之面積S(lattice) : 2x2V~ 3 平坦部之面積比率 Rs : [(S(lattice)-S(structure))/S(lattice)] X 100=42% (透明導電層） 透明導電層之折射率η : 2.0 透明導電層之厚度t: 50nm 構造體頂部之透明導電層之厚度D1 : 50 nm 構造體間之透明導電層之厚度D3 : 50 nm 膜厚比D3/D1 : 1 (光學層） 折射率η : 1.52 (入射光） 偏光：無偏光 入射角：5度（相對於透明導電性元件之法線） 153604.doc -56· 201236027 (樣品3-2) 變更以下之光學模擬條件，除此以外，與樣品3-1同樣 地進行光學模擬，求出反射光譜，根據該反射光譜，求出 反射色相a*、b*及反射丫值。將其結果之圖表示於圖 25A及表2。 同樣，藉由光學模擬而求出透明導電性元件之透射光 谱’根據該透射光譜’求出透射色相a氺、b *。將其結果 之圖表示於圖25B及表3。 (透明導電層） 透明導電層之厚度t: 40〜50 nm 構造體頂部之透明導電層之厚度D1 : 50 nm 構造體間之透明導電層之厚度D3 : 40 nm 膜厚比D3/D1 : 0.8 (樣品3 · 3) 變更以下之光學模擬條件，除此以外，與樣品3_丨同樣 地進行光學模擬，求出反射光譜，根據該反射光譜，求出 反射色相a*、b氺及反射¥值。將其結果之圖表示於圖 25A及表2。 同樣，藉由光學模擬而求出透明導電性元件之透射光 譜’根據該透射光譜’求出透射色、b*。將其結果 之圖表示於圖25B及表3。 (透明導電層） 透明導電層之厚度t: 30nm〜5〇nm 構造體頂部之透明導電層之厚度D1 : 5〇nm 153604.doc -57- 201236027 構造體間之透明導電層之厚度!^ : 3〇nm 膜厚比D3/D1 : 0.6 [表2] 樣品3-1 ---- 樣品3-2 樣品3-3 膜厚比D3/D1 1 0.8 0 6 a * (反射） 2.32 1.8 \j,\j 1 nf. b* (反射） -10.7 -10 .7 Q Y 0.46 0.36 0.24 [表3] 樣品3 -1 樣品3-2 後品3-3 膜厚比D3/D1 1 0.8 Λ fy a* (透射） -0.36 -0.34 u.o -0.31 1.11 b* (透射） 1.31 ------ 1.23 根據圖2 5 A可知以下内容。 藉由使膜厚比D3/D1未達1，而可提高反射特性。具體而 言，膜厚比D3/D1較佳為08以下，更佳為〇6以下。 <4_縱橫比> 樣品4-1〜4-4中’藉由RCWA之光學模擬，而對構造體之 縱橫比與反射率之關係進行研究。 (樣品4-1) 藉由光學模擬，而求出透明導電性元件之反射光譜’根 據該反射光譜，求出反射色相a*、b氺及反射丫值。將其 結果示於圖26及表4。 以下’表示光學模擬之條件。 (透明導電性元件之構成） 153604.doc -58· 201236027 透明導電性元件成為以下之積層構造體。 (入射側）基體/構造體/透明導電層/光學層（出射側） (基體） 折射率η : 1.52 (構造體） 構造體之排列：六方晶格 構造體之形狀：吊鐘型 構造體之底面：圓形 配置間距（波長λ)Ρ : 250 nm 構造體之高度（振幅A)H : 200 nm 縱橫比（Η/P) : 0.8 單位晶格Uc之面積S(lattice) : 2χ2λΓ~3 平坦部之面積比率 rs : [(S(iattice)-S(structure))/S(lattice)] 100=42% (透明導電層） 透明導電層之折射率η: 2.0 透明導電層之厚度t: 60〜75 nm 構造體頂部之透明導電層之厚度Di ·· 75 nm 構造體間之透明導電層之厚度D3 : 60 nm 膜厚比D3/D1 : 0.8 (光學層） 折射率η : 1.52 (入射光） 偏光：無偏光 153604.doc -59- 201236027 入射角：5度（相對於透明導電性元件之法線） (樣品4-2) 變更以下之光學模擬條件，除此以外，與樣品4_丨同樣 地進行光學模擬，求出反射光譜，根據該反射光譜，求出 反射色相a*、b氺及反射丫值。將其結果之圖表示於圖％ 及表4。 (構造體） 配置間距（波長λ)Ρ : 250 nm 構造體之高度（振幅A)H: 150nm 縱橫比（H/P) : 0.6 (樣品4-3) 變更以下之光學模擬條件，除此以外，與樣品4 _ 1同樣 地進行光學模擬’求出反射光譜，根據該反射光譜，求出 反射色相a氺、b*及反射γ值。將其結果之圖表示於圖％ 及表4。 (構造體） 配置間距（波長λ)Ρ : 250 nm 構造體之高度（振幅A)H : 1 〇〇 nm 縱橫比（Η/P) : 0.4 (樣品4-4) 變更以下之光學模擬條件，除此以外，與樣品4-1同樣 地進行光學模擬，求出反射光譜，根據該反射光譜，求出 反射色相a*、b*及反射丫值。將其結果之圖表示於圖26 及表4。 153604.doc -60- 201236027 (構造體） 配置間距（波長λ)Ρ : 400 nm 構造體之高度（振幅A)H : 60 nm 縱橫比（Η/P) : 0.15 [表4] 樣品4-1 樣品4·2 樣品4-3 樣品4_4 光譜 0.8 0.6 0.4 0.15 a* (反射） -4.68 -0.85 5.17 -0.13 b* (反射） 1.61 -8.5 1.82 11.13 反射Y值 1.18 0.57 0.62 2.35 根據圖26可知以下内容。 若將構造體之縱橫比設為〇·2以上1 ·〇以下之範圍内，則 可獲得優異之光學調整功能。 <5 ·電性可靠性> 樣品5-1〜5-5中，藉由實際上製作透明導電性片材， 對構造體斜面之平均角度與電性可靠性之關係進行研办 (樣品5 -1) 除此 將複數個以下之構造體排列於ΡΕΤ片材之一主面 以外，與樣品2-1同樣地製作光學片材。 構造體之排列：六方最密 構造體之形狀：圓錐台形狀 構造體之平均配置間距Pm : 220 nm 構造體之平均高度Hm : 240 nm 構造體之縱橫比（Hm/Pm): 1.091 構造體斜面之平均角度0m : 65度 153604.doc -61 - 201236027 其次，利用濺鍍法，於形成有複數個構造體之PET片材 表面成膜ITO層，藉此製作透明導電性片材。 以下，表示ITO層之成膜條件。 氣體種類：Ar氣體與02氣體之混合氣體 混合氣體之混合比率（體積比率）：Ar: 02=200:13 ITO層之膜厚：36 nm〜40 nm 此處，ITO層之膜厚為構造體之頂部之膜厚。 (樣品5-2) 將複數個以下之構造體排列於PET片材之一主面，除此 以外，與樣品5-1同樣地製作透明導電性片材。 構造體之排列：六方最密 構造體之形狀：圓錐台形狀 構造體之平均配置間距Pm : 250 nm 構造體之平均高度Hm: 180nm 構造體之縱橫比（Hm/Pm) : 0.72 構造體斜面之平均角度θιη : 55度 (樣品5-3) 將複數個以下之構造體排列於PET片材之一主面，除此 以外，與樣品5-1同樣地製作透明導電性片材。 構造體之排列：六方最密 構造體之形狀：圓錐台形狀 構造體之平均配置間距Pm : 270 nm 構造體之平均高度Hm: 150nm 構造體之縱橫比（Hm/Pm) : 0.55 153604.doc -62- 201236027 構造體斜面之平均角度0m : 70度 (樣品5-4) 將複數個以下之構造體排列於PET片材之一主面，除此 以外，與樣品5-1同樣地製作透明導電性片材。 構造體之排列··六方最密 構造體之形狀：圓錐台形狀 構造體之平均配置間距Pm : 250 nm 構造體之平均高度Hm: 135nm 構造體之縱橫比（Hm/Pm) : 0.54 構造體斜面之平均角度0m: 50度 (樣品5-5) 省略構造體之形成，於PET片材之平坦之一主面成膜厚 度為20 nm之ITO層，除此以外，與樣品5_丨同樣地製作透 明導電性片材。 (樣品5-6) 省略構造體之形成，於PET片材之平坦之一主面依序成 膜厚度為20 nm之NbO層、厚度為90 nm之Si〇2層、厚度為 20 nm之ITO層，除此以外，與樣品5_丨同樣地製作透明導 電性片材。 (熱衝擊測試） 首先，使以上述方式製作之透明導電性片材，於大氣中 環境下以150度老化30分鐘《其次’將於_3〇度之低溫環境 下保持30分鐘後’於70度之高溫環境下保持3〇分鐘之環境 測試’對透明導電性片材進行50個循環。其次，藉由四探 153604.doc -63 - 201236027 針法（JIS Κ 7194)而測定透明導 ^电Γ生片材之表面電阻β將 其結果示於表5。 (尚溫測試） 首先’使以上述方式製作之透明導電性片材，於大氣中 環境下以丨50度老化30分鐘。其次，將透明導電性片材於 80度之低溫環境下保持240小時之後，藉由四探針法（jisk 7194)而測定透明導電性片材之表面電阻。將其結果示於 表5。 表5係表不樣品5-1〜5-6之熱衝擊測試及高溫測試（以下， 稱為可靠性測試）之結果。 153604.doc 64- 201236027

I--ις<ι_—I 高溫測試 表面電 阻變化 率 2.17 1.02 寸 1-H 1.01 1.10 1.11 表面電阻 測試後 (〇/□) 1300 434 〇\ m 542 378 表面電阻 測試前 (〇/□) 600 S 380 334 On 340 熱衝擊性測試 表面電 阻變化 率 1.74 1.01 1.24 0.99 寸 00 r"*H 表面電阻 測試後 (〇/□) 1200 622 〇〇 〇〇 535 379 表面電阻 測試前 (〇/□) 00 00 v〇 as 503 as 468 r—^ CN ΓΛ 構造體 平均角度 θιη (度） yn 〇 善 1 縱橫比 (Hm/Pm) 1.09 0.72 0.55 0.54 1 1 高度 Hm (nm) 240 m m 1 1 間距 Pm (nm) 220 250 270 o (N 1 1 形狀 吊鐘型 吊鐘型 橢圓錐台 吊鐘型 1 1 j 排列 六方 六方 六方 六方 1 1 構成 蛾眼構造體 蛾眼構造體 蛾眼構造體 蛾眼構造體 ΙΤΟ單層 3層光學 多層ΙΤΟ 樣品5-1 樣品5-2 |樣品5-3 1樣品5-4 樣品5-5 樣品5-6

Td 1,V9<Wfe^l·/-®!鲈喵唞-^趣^茛：蛛^劍¥1|1,«^ •65· 153604.doc 201236027 根據表5可知以下内容。 具有單層ITO、多層ITO之構成之樣品5_5、5_6中，藉由 可靠性測試而表面電阻上升1 〇%以上。 將尚縱橫比1.09之構造體形成於表面之樣品5_1中，傾斜 角度較大’為65度，因此藉由可靠性測試而表面電阻大幅 上升。 形成有低縱橫比0.55之構造體之樣品5-3中，亦由於構造 體之形狀為橢圓錐台，故而斜面傾斜角度變大為7〇度，藉 由可靠性測試而表面電阻上升。 為1.0以下之低縱橫比且為60度以下之平緩之斜面傾斜 角度的樣品5-2、5-4中，由可靠性測試所引起之表面電阻 之電阻極少。 認為若ITO層為數十nm之膜厚，則由於基材之膨脹收縮 率所引起之變化而受到應力，導致一部分斷線，但認為藉 由將構造體賦予於基材表面，而應力得以緩和，可靠性飛 躍性地提昇。 因此’作為構造體之形狀，自電性可靠性之觀點而言， 較佳為頂部具有凸狀之曲面之錐體狀。又，自電性可靠性 之觀點而言’構造體之平均傾斜角度較佳為60度以下。 <6.反射率差△!{> (樣品6-1) 首先’將複數個以下之構造體排列於PET片材之一主 面’除此以外，與樣品同樣地製作透明導電性片材。 構造體之排列：六方晶格 153604.doc •66· 201236027 構造體之形狀：吊鐘型 構造體之平均配置間距Pm : 250 nm 構造體之平均構造體之高度Hrn : 90 nm 構造體之縱橫比（Hm/Pm) : 0.36 構造體之傾斜部平均角度θπι : 36 deg . 其-人利用濺鍍法，於形成有複數個構造體之pET片材 表面成膜ITO層，藉此製作透明導電性片材。 以下’表示ITO層之成膜條件。 氣體種類：Ar氣體與〇2氣體之混合氣體 混合氣體之混合比率（體積比率）：Αγ:〇2=2〇〇:ι3 ITO層之膜厚：30 nm 此處，ITO層之膜厚為構造體之頂部之膜厚。 其次，將透明導電性片材於折射率為15之玻璃基板 上’經由黏著片材而以1το層側之面成為玻璃基板之面側 之方式接著。 藉由以上，而製作目標之透明導電性片材。 (樣品6-2) 首先省略1T〇層之形成，除此以外，與樣品6-1同樣地 製作光學片材。 八人將光子片材於折射率為1.5之玻璃基板上，經由 黏著片材而以形成有複數個構造體之面成為玻璃基板之面 側之接著。 藉由以上，而製作目標之光學片材。 (樣品6 - 3) 153604.doc -67- 201236027 省略構造體之形成，於PET片材之平坦之一主面成膜30 nm之厚度之ITO層，除此以外，與樣品6-1同樣地製作透明 導電性片材。 (樣品6-4) 省略ITO層之形成，除此以外，與樣品6-3同樣地製作光 學片材。 (反射光譜） 首先，於以上述方式製作之透明導電性片材及光學片材 之與貼合有玻璃基板之側為相反側之面，貼合黑色膠帶， 藉此製作測定試料。其次’藉由分光光度計（曰本分光股 份有限公司製造’商品名：V-5 5 0)而測定該測定試料之可 見光周邊之波長域（350 nm〜700 nm)内之反射光譜》其 次’藉由以下之式而計算出反射率之差ΔΙΙ。將反射率之 差AR之计算結果示於圖27。將視感反射率之差AR之計算 結果示於表6。此處，所謂視感反射率，係波長55〇 nmT 之反射率。 △ R=((樣品6-2之反射率）·（樣品6·!之反射率）） △R=((樣品6·4之反射率）_(樣品6_3之反射率）） (反射色相） 根據以上述方式測定之反射光譜，計算出反射色相a *、b*。將其結果示於表6。 表6係表示樣品6·1〜6·4之視感反射率之差ΔΚ及反射色相 之計算結果。 153604.doc -68 · 201236027 [表6] 構造體之有無 ΙΤΟ層之有無 △R a* (反射） b氺(反射） 樣品6-1 有 有 0.5 0.1 3 樣品6-2 有 無 0.44 -0.55 樣品6-3 無 有 1.7 0.5 -10.5 樣品6-4 無 無 0.44 -0.55 根據圖2 7及表6，可知以下内容。 藉由於經控制傾斜角度之構造體上形成透明導電層，而 可抑制視感反射率之差。又，可減小a *、b *之值之絕 對值。 <7.構造體之形狀> 樣品 7-1 〜7-3 中，藉由 RcWA(Rigorous Coupled Wave Analysis)之光學模擬，而對構造體之形狀與反射率之關係 進行研究。 (樣品7-1) 藉由光學模擬而求出透明導電性元件之反射光譜，根據 該反射光譜，計算出反射色相a*、。將其結果示於圖 28A及表7。 以下’表示光學模擬之條件。 (透明導電性元件之構成） 透明導電性元件成為以下之積層構造體。 (入射側）基體/透明導電層/光學層（出射側） (基體） 折射率η : 1.52 (透明導電層） 153604.doc •69· 201236027 透明導電層之折射率n:20 透明導電層之厚度t: 70 nm (出射面側之樹脂層） 折射率η : . 5 2 (入射光） 偏光1無偏光 入射角：5度（相對於透明導電性元件之法線） (樣品7-2) 圖29Α係表示樣品7_2之透明導電層之厚度、d2、d3 之°彳面圓。圖29A中，n|、n2及n3分別表示構造體頂部、 構造體斜面及構造體間之垂線方向。膜厚⑴、膜厚⑴及 膜厚D3分別表示構造體頂部之垂線~方向之透明導電層之 厚度、構造體斜面之垂線n2方向之透明導電層之厚度、及 構造體間之垂線ns方向之透明導電層之厚度。 之反射光譜，根據 。將其結果示於圖 藉由光學模擬而求出透明導電性元件 該反射光譜’計算出反射色相a *、b * 28B及表7。 以下’表示光學模擬之條件。 (透明導電性元件之構成） 透明導電性元件成為以下之積層構造體。 (入射侧）基體/構造體/透明導電層/光學層（出射側） (基體） 折射率η : 1.52 (構造體） 153604.doc •70· 201236027 構造體之排列··正方晶袼 之邊之長度： 100 nm ，上 構造體之形狀.·四角錐（底面 表面之邊之長度：40 nm) 構造體之底面：四邊形 構造體之折射率η : 1.5 2 配置間距Ρ : 120 nm 構造體之高度Η : 1〇〇 nm 縱橫比（Η/P) : 〇·83 (透明導電層） 如圖29Α所示，以構造體頂部之垂線方向…之透明導電 層之厚㈣、構造體斜面之垂線方向〜之透明導電層之厚 度D2成為70nm的方式設定透明導電層。 透明導電層之折射率η : 2.0 構造體頂部之透明導電層之厚度D1 : 7〇nm 構造體斜面之透明導電層之厚度D2 : 7〇 nm 膜厚比D3/D1 : 1以上 (出射面側之樹脂層） 折射率η : 1.52 (入射光） 偏光：無偏光 入射角：5度（相對於透明導電性元件之法線） (樣品7-3) 圖29Β係表示樣品7-3之透明導電層之厚度D1、D2、D3 之剖面圖。圖29B中，n〇表示透明導電性元件表面（或基體 153604.doc • 71 - 201236027 表面）之垂線方向。膜厘ηι 心體頂却 膜厚D1、膜厚D2及膜厚D3分別表示構 體頂部之垂績古a 踝方向nG之透明導電層之厚度、構造體斜面 之垂線方向n〇之透明導 B ^ _ Ba 守电赝之厚度、及構造體間之垂線ηΛ 方向之透明導電層之厚度。 變更以下之光學模擬條件，除此以外，與測試例1同樣 地進行光學模擬，纟出反射光譜，根據該反射光譜，計算 出反射色相a*、b*。將其結果示於圖28C及表7。 (透明導電層） 如圓29B所示，以構造體頂部之垂線方向n〇之透明導電 層之厚度D1、構造體斜面之垂線方向〜之透明導電層之厚 度D2、構造體間之垂線方向n〇之透明導電層之厚度D3均成 為70 nm的方式設定透明導電層。 透明導電層之折射率η: 2.0 構造體頂部之透明導電層之厚度D1 : 70 nm 構造體間之透明導電層之厚度D3 : 70 nm 膜厚比D3/D1 : 1 表7係表示樣品7-1〜7-3之視感反射率及透射色相之計算 結果。 153604.doc •72- 201236027 [表7] 成膜面 膜厚 視感反射率 a氺 (反射） b* (反射） 樣品7-1 平坦面 70 nm 18.0% -1.6 2.3 樣品7-2 構造體形成面 頂部膜厚D1 ·· 70nm 傾斜面膜厚D2 ·· 70nm 6.6% 6.0 -2.8 樣品7-3 構造體形成面 頂部膜厚D1 : 70nm 4.8% | 1.8 16.0 根據圖28A〜圖28C及表7，可知以下内容。 具有於平坦面上形成有透明導電層之構成之樣品7_1 中，a *、b *之絕對值較小，但視感反射率變高。 將透明導電層以固定厚度形成於構造體上之樣品7·2 中’可於某種程度上降低視感反射率，但a*、b*之絕對 值變大。 於構造體上以形成有該構造體之表面之垂線方向上固定 之厚度形成有透明導電層之樣品7_3中，可降低視感反射 率’但a *、b *之絕對值變大。 〈8.電極圖案變形> 樣品8-1、8-2中，藉由實際上製作透明導電性片材，而 對構造體之有無與電極圖案變形之關係進行研究。 (樣品8 -1) 將複數個以下之構造體排列於ΡΕτ片材之一主面，除此 以外，與樣品1-1同樣地製作光學片材。 構造體之排列：六方最密 構造體之形狀：圓錐台形狀 配置間距P : 250 nm 153604.doc -73- 201236027 構造體之高度Η : 15〇 nm 縱橫比：0.6 傾斜部平均角度：50 deg 、藉由減锻法，而於形成有複數個構造體之pET片 材表面成膜ITO層。 以下，表示ITO層之成膜條件。 氣體種類：Ar氣體與氣體之混合氣體 混合氣體之混合比率（體積比率）：Ar: 〇2=200:! 〇 ITO層之膜厚：30 nm 此處，ITO層之膜厚為構造體之頂部之膜厚。 其人豸ITO層圖案化而形成鑽石形狀相連之複數個電 極，藉此製作透明導電性片材。繼而，將以上述方式製作 之兩片透明導電性片材，以形成有複數個電極之面成為上 側且彼此之鑽石形狀之電極不重疊之方式藉由紫外線硬化 樹脂而貼合。其次’將位於上側之透明導電性片材於折射 率為1·5之玻璃基板上，經由黏著片材而以IT〇層側之面成 為玻璃基板之面側之方式接著。 藉由以上’而獲得目標之輸入元件。 (樣品8-2) 省略構造體之形成’於ΡΕΤ片材之平坦之—主面成膜 ΙΤΟ層，除此以外，與樣品同樣地製作輸入元件。 (圖案變形評價） 使螢光燈照射入以上述方式製作之輸入元件表面，觀察 輸入元件表面是否產生對應於電極圖案之變形。其結果， 153604.doc •74· 201236027 與此相對’樣品8·2中觀察到變 樣品8-1中未觀察到變形 形。 <9.抗敍刻性> (樣品9-1) (轉印步驟） 之—主面，除此 將複數個以下之構造體排列於ΡΕΤ片材 以外，與樣品2-1同樣地製作光學片材。 構造體之排列：六方最密 構造體之形狀：吊鐘型 配置間距Ρ : 250 nm 構造體之向度Η: 180 nm 縱橫比：0.55 斜面之平均角度：55度 (成膜步驟） 八人藉由錢锻法，而於形成有複數個構造體之pet片 材表面成膜ITO層。 以下’表示ITO層之成膜條件。 氣體種類：Ar氣體與〇2氣體之混合氣體 混合氣體之混合比率（體積比率）：Ar: 〇2=2〇〇:1〇 ITO層之膜厚：3〇 nm 此處，ITO層之膜厚為構造體之頂部之膜厚。 (退火步驟） 其次，對於形成有ITO層之pet片材，於大氣中以15(TC 實施120分鐘之退火。藉此，促進IT〇層之多晶化。繼而， 153604.doc -75· 201236027 為確認該促進之狀態，以又射線繞射（x_ray diffracti〇n: XRD)測定ITO層，結果確認到in2〇3之峰值。 藉由以上，而製作目標之透明導電性片材。 (樣品9-2) (轉印步驟、成膜步驟、退火步驟） 首先，與樣品9-1同樣地依序進行轉印步驟、成膜步驟 及退火步驟，而製作經貫施退火處理之包含IT。層之pet 膜。 (蝕刻步驟） 其次， 其二人，使經實施退火處理之PET膜浸潰ι〇%稀 溶液中20秒，而對ΙΤ〇層進行蝕刻。 10%稀釋 (清洗步驟）

而製作目標之透明導電性片材。 (樣品9-3) 將浸潰時間變更為40秒 製作透明導電性片材。 (樣品9-4) 將浸潰時間變更為60秒 製作透明導電性片材。 除此以外’與樣品9-2同樣地 除此以外，與樣品9-2同樣地 (樣品9-5) 將浸潰時間變更為100秒 製作透明導電性片材。 (樣品10 -1) 除此以外，與樣品9-2同樣地 153604.doc -76- 201236027 將複數個以下之構造體排列於PET片材之一主面，除此 以外’與樣品9-1同樣地製作透明導電性片材。 構造體之排列：六方最密 構造體之形狀：吊鐘型 配置間距P : 200 nm 構造體之南度Η: 180 nm 縱橫比：0.62 斜面之平均角度：61度 (樣品10-2) (轉印步驟、成膜步驟、退火步驟） 首先，與樣品1G-1同樣地依序進行轉印步驟、成膜步驟

及退火步驟，而製作經實施退火處理之包含ιτ〇層之PET 膜。 (蝕刻步驟） 其次，使經實施退火處理之ΡΕΤ膜浸潰於肥跳稀釋 溶液中20秒，而對IT〇層進行蝕刻。 (清洗步驟） 其次，對於經實施敍刻處理之ρΕΤ片材進行純水清洗。 藉由以上，而製作目標之透明導電性片材。 (樣品10-3) 將浸潰時間變更為40秒，除此以外，與樣品1()_2同樣地 製作透明導電性片材。 (樣品10-4) 將/又/貝時間變更為60秒，除此以外，與樣品丄同樣地 153604.doc -77· 201236027 製作透明導電性片村。 (樣品10-5) 除此以外 ’與樣品10-2同樣 將浸潰時間變更為1〇〇秒， 地製作透明導電性片材。 (表面電阻） 藉由四探針法，& ,.Β| —、 "彳疋以上述方式獲得之樣品9-1〜ι〇_5 之透明導電性片材表 衣面之表面電阻值。將其結果示於表8 及圖30。 ♦、衣8 (初始變化率之逆數） 、根據以下之式，4出以上述方式獲得之樣品9-1〜1〇_5之 透明導電性片材表面之初始變化率之逆數(虛擬厚度之變 化）。將其結果示於表9。 (相對於初始表面電阻之變化率之逆數），刻前之樣品之 表面電阻）/(蝕刻後之樣品之表面電阻） 表8係表示樣品之透明導電性片材之表面電阻 之評價結果。 [表8] 構造體 _ 浸潰時間〔sec) 間距 向度 斜面平均角度 ㈣ (度） 縱橫比 0 20 40 60 100 250 180 55—— 0.55 270 298 298 295 300 200 180 61 0.62 405 543 560 550 588 單位：Ω/ο 表9係表示樣品9-1〜1〇_5之透明導電性片材之初始變化 率之逆數之評價結果。 153604.d〇c •78· 201236027 [表9]

根據表8、表9及圖30可知以下内容。 右斜面之平均角度超過60度，則具有IT〇層之抗蝕刻性 下降，隨著蝕刻時間經過而表面電阻上升之傾向。 以上，對本發明之實施形態進行了具體說明，但本發明 並不限定於上述實施形態，可基於本發明之技術思想進行 各種變形。 例如，上述實施形態中所列舉之構成、方法、步驟、形 狀、材料及數值等僅為示例，亦可視需要使用與此不同之 構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等。 又，上述實施形態之構成、方法、步驟、形狀、材料及 數值等可於不脫離本發明之主旨之範圍内彼此組合。 【圖式簡單說明】 圖1Α係表示本發明之第i實施形態之透明導電性元件之 構成之一例的剖面圖； 圖1B係將圖1A所示之第1區域&放大表示之放大刮面 ΓΐΠ · 園， 圖1C係將圖以所示之第2區域放大表示之放大剖面 圖， 圖2Α係表示本發明之第丨實施形態之透明導電性元件之 153604.doc •79- 201236027 構成之其他例的剖面圖； 圖2B係將圓2A所示之第1區域R】放大表示之放大剖面 圖； 圖2C係將圖2A所示之第2區域R2放大表示之放大剖面 圖； 圖3 A係表示形成有複數個構造體之光學層表面之一例之 平面圖； 圖3B係將圖3A所示之光學層表面之一部分放大表示之 平面圖； 圖3C係將圓3A所示之光學層表面之一部分放大表示之 立體圖； 圖4係用以對構造體之邊界不明確之情形時之構造體底 面之設定方法進行說明的概略圖； 圖5A係用以說明透明導電層之表面形狀之一例之放大剖 面圖； 圖5B係用以說明凸狀之構造體上所形成之透明導電層之 膜厚的放大剖面圓； 圖6 A係表示捲筒式母般 ^ v 可盤之構成之一例之立體圖； 圖6B係將圖6 A所示之拔铃 丁爻椿疴式母盤之一部分放大表示之 平面圖； 圖6C係圖6B之軌道Τ之剖面圖； 圖7係表示捲筒式母盤槪本驻要十德七^ 通曝光裝置之構成之一例之概略 圖8A〜圖8D係、用 以說明本發明之第1實施形態之透明導 153604.doc 201236027 電丨生元件之製造方法之一例的步驟圖； 圖9A〜圖9D係用以說明本發明之第1實施形態之透明導 電性7L件之製造方法之一例的步驟圖； 圖10 A係表示本發明之第2實施形態之透明導電性元件之 光學層表面之一例的平面圖； 圖10B係將圖丨〇A所示之光學層表面之一部分放大表示 之平面圖； 圖11A係表示本發明之第3實施形態之透明導電性元件之 構成之一例的剖面圖； 圖ΠΒ係表示本發明之第3實施形態之透明導電性元件之 光學層表面之一例的平面圖； 圖11C係將圖11B所示之光學層表面之一部分放大表示之 平面圖； 圖12A係表示本發明之第4實施形態之透明導電性元件之 構成之一例的剖面圖； 圖12B係將圖12A所示之透明導電性元件之一部分放大 表示之放大剖面圖； 圖12C係表示本發明之第4實施形態之透明導電性元件之 構成之其他例的剖面圖； 圖12D係將圖12c所示之透明導電性元件之一部分放大 表示之放大剖面圖； 圖13A係用以說明本發明之第$實施形態之資訊輸入裝置 之構成之一例的剖面圖； 圖13B係將圖13A所示之區域及區域A2放大表示之放 153604.doc -81 · 201236027 大剖面圖； 圖14A係將圖13A所示之區域、進一步放大表示之放大 剖面圖； 圖14B係將圖13A戶斤示之- 埠A2進一步放大表不之放大 剖面圖； 圖15 A係用以說明本發明3»·從_ 个货明之第5實施形態之資訊輸入裝置 之構成之一例的分解立體圖； 圖15B係用以說明本發明之第5實施形態之資訊輸入裝置 所包含&第1透明導電性元件之構成之一例的分解立體 圖； 圖16 A係用以說明本發明之坌— 十议弟6實施形態之資訊輸入裝置 之構成之一例的剖面圖； 圖16Β係將圖16Α所示之資訊輸入裝置之一部分放大表 示之放大剖面圖； 圖17Α係用以說明本發明之第7實施形態之資訊輸入裝置 之構成之一例的剖面圖； 圖17Β係將形成有透明導電層之波面相對向之區域放大 表示之刮面圖； 圖17C係將未形成透明導電層而露出之波面相對向之區 域放大表示之剖面圖； 圖18 Α係用以說明本發明之第7實施形態之資訊輸入穿置 之構成之一例的分解立體圖； 圖18B係用以說明本發明之第7實施形態之眘 月。K輸入裝置 所包含的透明導電性元件之構成之一例的分解立體圖. 153604.doc -82· 201236027 圖19A係用/以說明本發明之第8實施形態之資訊輸入裝置 之構成之一例的剖面圖； 圖19B係將圖19A所示之資訊輸入裝置之一部分放大表 示之放大剖面圊； 圖20係用以說明本發明之第9實施形態之液晶顯示裝置 之構成之一例的剖面圖； 圖21A係用以說明本發明之第1〇實施形態之資訊顯示裝 置之構成之一例的立體圖； 圖2 1B係將形成有透明導電層之波面相對向之區域放大 表示之剖面圖； 圖21C係將未形成透明導電層而露出之波面相對向之區 域放大表示之剖面圖； 圖22A係用以說明本發明之第丨丨實施形態之資訊顯示裝 置之構成之一例的剖面圖； 圖22B係將形成有透明導電層之波面相對向之區域放大 表示之剖面圖； 圖22C係將未形成透明導電層而露出之波面相對向之區 域放大表示之剖面圖； 圖23A係表示樣品卜丨〜丨^之於基體表面所排列之複數個 構造體之平面圖； 圖2化係表示樣品1-卜1-3之透明導電性元件之反射光譜 之圖表； 圖2 4係表示樣品2 _丨〜2 _ 3之透明導電性元件之透射光譜 之測定結果之圖表； 153604.doc -83· 201236027 圖25A係表示樣品3」〜3·3之透明導電性元件之反射光譜 之圖表； 圖25Β係表示樣品〜3-3之透明導電性元件之透射光譜 之圖表； 圖26係表示樣品之透明導電性元件之反射光譜 之圖表； 圖27係表不樣品6_ι、6-2及樣品6-3、6-4之透明導電性 元件之反射率之差AR的圖表； 圖28A係表示樣品7_丨之透明導電性元件之反射光譜之圖 表； 圖28B係表示樣品7_2之透明導電性元件之反射光譜之圖 表； 圖28C係表示樣品7-3之透明導電性元件之反射光譜之圖 表； 圖29A係表示樣品7-2之透明導電層之厚度D1、D2、⑴ 之剖面圖； 圖29B係表示樣品7-3之透明導電層之厚度di、D2、D3 之剖面圆；及 圖30係表示樣品9-1〜10-5之透明導電性片材之表面電阻 值之測定結果之圖表。 【主要元件符號說明】 1 透明導電性元件 2 ' 2j ' 22 光學層 3 > 3, > 3〇 基體 153604.doc •84· 201236027 4、 4i ’ ' 42、12 構造體 4a 突出部 4b 曲面部 5、 5i、 52 基底層 6、 6i、 62 透明導電層 7 光學層 8 貼合層 li 第1透明導電性元件 11 捲筒式母盤 1 2 第2透明導電性元件 13 抗钮劑層 14 雷射光 15 潛像 16 轉印材料 17 能量線源 21 雷射光源 22 電氣光學元件 23 反射鏡 24 光電二極體 25 調變光學系統 26 聚光透鏡 27 聲光元件 28 透鏡 29 格式器 153604.doc ·85· 201236027 30 驅動器 31 反射鏡 32 移動光學台 33 擴束器 34 物鏡 35 轉軸馬達 36 轉盤 37 控制機構 101 資訊輸入裝置 102 顯示裝置 111 、 112 、 121 、 貼合層 134 、 136 、 153 122 硬塗層 131 液晶面板 132 第1偏光元件 133 第2偏光元件 135 液晶面板 141 液晶層 151 微膠囊層 152 微膠囊 154 支持體 A1、A 2 區域 a 1 〜a7 點 C, ' C2 單位形狀體 153604.doc -86- 201236027 D1-D3 厚度 Η、HI、H2、h、d 高度 n〇 ' ri! ' n2 ' n3 垂、線方向 PI、P2 配置間距 R 箭頭 Ri 第1區域 r2 第2區域 rs 構造體底面之半徑 Sw 波面 Swl 第1波面 Sw2 第2波面 T卜T4 軌道 Tp 執道間距 Uc 早位晶格 Θ 方向 λ 波長 153604.doc -87 ·

Claims (1)

1. 201236027 七、申請專利範圍： 1· 一種透明導電性元件，其包含： 光學層’其係設置有具有可見光之波長以下之平均波 長之波面；及 透明導電層’其係於上述波面上以仿照該波面之方式 而形成； 於將上述波面之平均波長設為λπΐ、上述波面之振動之 平均幅度設為Am時，比率（Αηι/λη1)為 0.2以上1.0以下， 上述波面中之斜面之平均角度為3〇。以上6〇0以下之範 圍内， 於將上述波面成為最高之位置上的透明導電層之膜厚 »又為D1 '上述波面成為最低之位置上的膜厚設為時， 比率D3/D1為0.8以下之範圍内。 2. 如請求項1之透明導電性元件，其中上述波面中之平坦 部之面積為50%以下。 3. 如請求項!之透明導電性元件，其中上述波面成為最高 之位置上的透明導電層之膜厚為1〇〇nm以下。 4. 如請求項丨之透明導電性元件，其中上述波面之平均波 長ληι為MOnm以上300 nm以下；上述波面之振動之平均 幅度Am為28 nm以上3〇〇 nm以下。 5·如請求項！之透明導電性元件，其中上述透明導電層為 具有特定圖案之電極。 6.如請求項5之透明導電性元件，其中上述光學層之波面 中之形成有上述電極之部分、與未形成有上述電極之部 153604.doc 201236027 分之反射率差AR為5%以下。 7. 如請求項1之透明導電性元件，其中上述光學層包含： 基體，其具有表面；及 複數個構造體，其係以可見光之波長以下之微細間距 而配置於上述基體之表面； 藉由上述複數個構造體之排列而形成有上述波面。 8. 如請求項7之透明導電性元件，其中上述構造體為頂部 具有凸狀之曲面之錐體》 9. 一種輸入裝置，其包含如請求項丨至8中任一項之透明導 電性元件。 10. -種顯示裝置，其包含如請求項m中任一項之透 電性元件。 11. 一種母盤，其係用以製作如請求項丨至 導電性元件。 項之透明 153604.doc