TW201234584A - Illumination device with passivation layer - Google Patents

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201234584 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具有光導以散佈光之照明裝置，包含用於 顯示器之照明裝置，且係關於機電系統。 • 【先前技術】 .機電系統（EMS)包含具有電及機械元件、致動器、變換 器、感測器、光學組件（舉例而言，鏡）及電子器件之裝 置。機電系統可以各種各樣之規模製造，包含但不限於微 米級及奈米級。舉例而言，微機電系統置可包 含具有介於自約一微米至數百微米或更大之範圍内之大小 之結構。奈米機電系統（NEMS)裝置可包含具有小於一微 米之大小（舉例而言，包含小於數百奈米之大小）之結構。 可使用沈積、蝕刻、微影及/或其他蝕刻掉基板及/或所沈 積材料層之部分或添加若干層以形成電及機電裝置之微機 械加工製程來形成機電元件。 一種類型之機電系統裝置稱作一干涉調變器（jMow。 如本文中所使用’術語干涉調變器或干涉光調變器係指一 種使用光學干涉原理選擇性地吸收及/或反射光之裝置。 在某些實施方案中，一干涉調變器可包含一導電板對，該 導電板對中之一者或兩者可係全部或部分地透明及/或反 射且在施加一適當電信號時能夠相對運動。在一實施方案 中，一個板可包含沈積於一基板上之一靜止層，而另一板 可包含藉由一空氣間隙與該靜止層分離之一反射膜。一個 板相對於另一個之位置可改變入射於該干涉調變器上之光 159940.doc 201234584 之光學干涉。干涉調變器裝置具有一寬範圍之應用，且經 預測以用於改良現有產品且形成新產品，尤其係具有顯示 能力之彼等產品。 經反射之環境光用以在某些顯示裝置中形成影像，諸如 使用由干涉調變器形成之像素之彼等裝置。此等顯示器之 所察覺亮度相依於朝向一觀看者反射之光之量。在低環境 光條件下，來自一人工光源之光用以照明反射像素，該等 反射像素然後朝向一觀看者反射該光以產生一影像。為滿 足市場需求及設計準則，不斷研發新照明裝置以滿足顯示 裝置（包含反射式及透射式顯示器）之需要。 【發明内容】 本發明之系統、方法及裝置各自具有數個創新性態樣， 該等態樣中之任一單個態樣皆不單獨地決定本文中所揭示 之期望屬性。 本發明中所闡述之標的物之一個創新性態樣可實施於一 照明系統中。所述照明系統包含：一光導；及一保形光學 透射電介質鈍化層’其安置於該光導之一第一主表面上 方。該鈍化層係一濕氣障壁。該鈍化層可具有約i g/m2/日 或更小、或者約0.01 g/mV日或更小、或者約〇 〇〇〇1 g/m2/ 曰或更小之一透濕係數。該鈍化層可充當—抗反射塗層。 一光學解耦層可安置於該鈍化層上方。該鈍化層之折射率 可大於該光學解耦層之一折射率。如技術方案3之照明系 統，其中可藉由以下公式給出鈍化層之折射率： R1PS = x ri〇〇l 159940.doc 201234584 其中Rips係鈍化層之折射率； RIlg係光導之折射率；且 RIodl係光學解耦層之折射率。 在某些實施方案巾，鈍化層之厚度係約％⑽至⑵ nm、約50 _1〇⑽、約75 n_5咖或約275⑽至 325 nm 〇 本發月中所闡述之標的物之另一創新性態樣可實施於一 種用於製造-照明裝置之方法中。該方法包含提供一光 導。提供*置於該光導之—主表面上方之—保形光學透射 鈍化層。該鈍化層係一濕氣障壁。在某些實施方案中，該 光導可係-多層結構且可在此等層中之—者中形成光轉向 特徵舉例而έ’該光導可包含-旋轉玻璃層或光可界定 聚合物層’其中可界定用於形成光轉向特徵之凹口。在某 二漬鞑方案中，可在附著至一支撐層之前將該等凹口單獨 界疋於-光轉向膜中’其中該光轉向膜及該支撐層一起形 成該光導。 本發明中所闡述之標的物之又一創新性態樣可實施於一 <、’、系、先中δ玄照明系統包含：一光導；及用於阻擋濕氣 滲透至該光導之一主表面之至少某些部分之一構件。在某 些實施方案中，用於阻擋濕氣滲透之構件可形成一抗反射 塗層。 附圖及下文之說明中陳述本說明書中所闡述之標的物之 一或多個實施方案之細節。依據說明、圖式及申請專利範 圍，其他特徵、態樣及優點將變得顯而易見。注意，以下 159940.doc 201234584 圖之相對尺寸並非按比例繪製。 【實施方式】 在各個圖式中，相同元件符號及名稱指示相同元件。 以下詳細說明係關於用於闡述創新性態樣之目的之某些 實施方案。然而，本文中之教示可以多種不同方式應用。 所闡述之實施方案可在經組態以顯示一影像（無論是運動 景夕像（舉例而言’視訊）還是靜止（stationary)影像（舉例而 5 ’靜止（still)影像）’且無論是文字影像、圖形影像還是 圖片影像）之任一裝置中實施。更特定而言，本發明預 計’實施方案可實施於以下各種各樣之電子裝置中或與其 相關聯.諸如但不限於行動電話、啟用多媒體網際網路之 蜂巢式電話 '行動電視接收器、無線裝置、智慧電話、藍 芽裝置、個人資料助理（PDA)、無線電子郵件接收器、手 持式或可攜式電腦、上網本、筆記本、智慧本、輸入板、 2表機 '複印機、掃描儀、傳真裝置、Gps接收器/導航 器、照相機、MP3播放器、攝錄影機、遊戲控制臺、手 錶、時鐘、計算器、電視監視器、平板顯示器、電子讀取 裝置（舉例而言’電子讀取器）、電腦監視器、汽車顯示器 '舉例而5 ’里程表顯示器等）、駕驶搶控制裝置及/或顯示 器、照相機景物顯示器(舉例而t，一車輛中之一後視照 機之”’員不益）、電子相片、電子告示牌或標牌、投影 2築結構、微波爐、冰箱、立體聲㈣、卡式記錄器 =放器、DVD播放器、⑽放器、戮、無線電、可 η己憶體晶片、停車計時器、清洗機、乾燥機、清洗機/ 159940.doc 201234584 乾燥機 '封裝（舉例而言，機電系統（EMS)、MEMS及非 MEMS)、美學結構（舉例而言，—件珠寳上之影像顯示器） 及各種各樣之機電系統裝置。本文中之教示亦可用於非顯 中諸如但不限於電子切換裝置mu $ 測器、加速度計、迴轉儀、運動感測裝置、磁力計、用於 消費型電子器件之慣性組件、消費型電子器件產品之部 刀支谷器 '液晶裝置、電泳裝置、驅動方案、製造製 電子”Μ裝備。因此，該等教示並非意欲限制於僅在 圖中繪示之實施方案，而是具有廣泛應用，如熟習此項技 術者將易於明瞭。 在某些實施方宏·由 也万案中，一照明系統具備一光導以散 該光導可具有-主表面，該主表面具有變化之高 而言’該主表面可且 ^咕 ，、有（啫如）用於形成光轉向特徵之凹 口 °该專凹口可包含 们屬層(舉例而言’反射金屬層)或對 乳敏感或與其反應之其他層。在某些實施方 Π = Γ化層提供於該光導及該等凹口上方。該純化 光學透明“Γ的。在某些實施方案中’該純化層係-严：及折：：壁且可具有允許其充當-抗反射塗層之- ::凹！i該鈍化層可延伸於該光導之主表面上方且 5 Μ的區域。在某些其他實 化層圖案化。舉例而丄— Η万茶T 了將》亥鈍 ^，鈍化層可僅壓蓋該等凹口，或 可以其他方式圖案化以曝 其中該等凹口中之至小宜此材料，諸如導電材料。在 荦中，# A 4成光轉向特徵之某些實施方 ' —先轉向特徵可經組態以將在該光導内傳播之光 159940.doc 201234584 重新引導出該光導。在某些實施方案中，經重新引導之光 可應用於照明一顯示器。 可實施本發明中所闡述之標的物之特定實施方案以實現 以下潛在優點中之一或多者。該鈍化層可提供一濕氣或氣 體障壁以保護濕氣敏感下伏特徵，諸如可存在於光導中之 含金屬之光轉向特徵。因此，可減輕或避免光轉向特徵之 腐蝕或其他不期望改變。另外，在某些實施方案中，該鈍 化層可充當-抗反射塗層。舉例而言，藉由保形地遵循光 導之主表面上之凹口之輪廓，該鈍化層亦可形成至允許其 充當該鈍化層覆蓋之實質上整個區域上方之一干涉抗反射 塗層之-厚度。減少反射可改良一顯示器之對比度。另 外，組合鈍化及抗反射功能可簡化光導結構，此可具有各 種優點，包含減少製造複雜性及成本同時增加良率及/或 輸送量。 所闞述方法及實施方案可適用之—適合mems或機電系 統(EMS)裝置之一個實例係一反射顯示裝置。反射顯示裝 置可併入有干涉調變器（IMOD)以使用光學干涉原理選擇 性地吸收及/或反射入射於其上之光。im〇d可包含：一吸 收益，一反射盗，其可相對於該吸收器 振腔，其衫於該吸收器與該反射器之間。該反射器可移 動至兩個或兩個以上不同位置，此可改變該光學諧振腔之 大小且藉此影響該干涉調變器之反射比。imqd之反射光 。普可形成相當寬闊光譜帶，其可跨越可見波長移位以產生 不同色形。可藉由改變光學譜振腔之厚度（亦即，藉由改 159940.doc 201234584 變反射器之位置）來調整光譜帶之位置。 圖1展示繪示一干涉調變器（IM〇D)顯示裝置之一系列像 素中之兩個毗鄰像素之一等軸視圖之一實例。該IM〇D顯 不裝置包含一或多個干涉MEMS顯示元件。在此等裝置 中’ MEMS顯示元件之像素可處於一亮狀態或暗狀態中。 在π (「鬆他」、「打開」或「接通」）狀態中，該顯示元件 將入射可見光之一大部分反射（舉例而言）至一使用者。相 反地，在暗（「致動」、「關閉」或「關斷」）狀態中，該顯 示元件反射極少之入射可見光。在某些實施方案中’可將 接通及關斷狀態之光反射性質顛倒。MEMS像素可經組態 以主要在特定波長下反射，從而除黑色及白色之外還允許 一彩色顯示。 IMOD顯示裝置可包含一列/RIM〇D陣列。每一 1]^〇1)可 包含一反射層對，亦即，一可移動反射層及一固定部分反 射層，其定位於彼此相距一可變且可控制距離處以形成一 空氣間隙（亦稱為一光學間隙或腔）。該可移動反射層可在 至少兩個位置之間移動。在一第一位置（亦即，一鬆弛位 置）中’ 3亥可移動反射層可定位於與該固定部分反射層相 距相對大距離處。在一第二位置（亦即，一致動位置） 中°亥可移動反射層可定位於較靠近該部分反射層處。端 視可移動反射層之位置，自該兩個層反射之入射光可相長 或相/肖地干涉，從而產生每一像素之一總體反射或非反射 狀九、。在某些實施方案中，im〇d可在不致動時處於一反 射狀態中，從而反射可見光譜内之光，且可在致動時處於 159940.doc 201234584 一暗狀態中，從而反射可見範圍以外的光（舉例而言，紅 外線光）。然而，在某些其他實施方案中，—可在不 致動時處於一暗狀態中且在致動時處於一反射狀態中。在 某些實施方案中，一所施加電壓之引入可驅動像素改變狀 態。在某些其他實施方案中，一所施加電荷可驅動像素改 變狀態。 圖1之像素陣列之所繪示部分包含兩個毗鄰干涉調變器 12。在左側之IM〇D 12(如所圖解說明）中，圖解說明一可 移動反射層14處於一鬆弛位置中，該鬆弛位置與包含一部 分反射層之一光學堆疊16相距一預定距離。跨越左側之 IMOD 12施加之電壓v〇不足以致使可移動反射層14之致 動。在右側之IMOD 12中，圖解說明可移動反射層14處於 一致動位置中，該致動位置接近或础鄰光學堆疊16。跨越 右側之IMOD 12施加之電壓Vbias足以維持可移動反射層14 處於該致動位置中。 在圖1中’用指示入射於像素12上之光13及自左側之像 素12反射之光15之箭頭大體圖解說明像素12之反射性質。 儘管未詳細地圖解說明，但熟習此項技術者應理解，入射 於像素12上之光13之大部分將透射穿過透明基板2〇朝向光 學堆疊16。入射於光學堆疊16上之光之一部分將透射穿過 光學堆疊16之部分反射層，且一部分將向回反射穿過透明 基板20。光13之透射穿過光學堆疊16之部分將在可移動反 射層14處向回反射朝向（且穿過）透明基板2〇。自光學堆疊 16之部分反射層反射之光與自可移動反射層14反射之光之 159940.doc 201234584 間的干涉（相長性的或相消性的）將判定自像素12反射之光 1 5之波長。 光學堆疊16可包含一單個層或數個層。該（等）層可包含 一電極層、一部分反射與部分透射層及一透明電介質層中 之一或多者。在某些實施方案中，光學堆疊16係導電的、 部分透明且部分反射的，且可係（舉例而言）藉由將上述層 中之一或多者沈積至一透明基板2〇上而製作。該電極層可 由各種各樣之材料形成，諸如各種金屬（舉例而言，氧化 銦錫（ITO))。該部分反射層可由部分反射之各種各樣之材 料形成，諸如各種金屬，舉例而言，鉻（Cr)、半導體及電 介質。該部分反射層可由一或多個材料層形成，且該等層 中之每一者可由一單個材料或一材料組合形成。在某些實 轭方案中，光學堆疊16可包含一單個半透明厚度之金屬或 半導體，其充當一光學吸收器及導體兩者，同時（舉例而 吕，IMOD之光學堆疊16或其他結構之）不同更多導電層或 部分可用於在IMOD像素之間運送（bus)信號。光學堆疊16 亦可包含一或多個絕緣或電介質層，其涵蓋一或多個導電 層或一導電/吸收層。 在某些實施方案中，光學堆疊16之層可圖案化為若干平 行條帶，且可如下文進一步闡述形成一顯示裝置中之列電 極。如熟習此項技術者應理解，術語「圖案化」在本文中 用於指遮蔽以及#刻製程。在某些實施方案中，可將一古 導電及高反射材料（諸如，鋁（A1))用於可移動反射層14, 且此等條帶可形成-顯示裝置中之行電極。可移動反射層 159940.doc • 11 - 201234584 14可形成為一（或多個）所沈積金屬層之一系列平行條帶（正 父於光學堆疊16之列電極）以形成沈積於柱18之頂部上之 行及沈積純18之間的ϋ牲材料1㈣掉該犧牲 材料時，可在可移動反射層14與光學堆疊16之間形成一經 界定間隙19或光學腔。在某些實施方案中，柱此間的間 隔可係約1⑽至1000 um，而間隙19可小於1〇，_埃（入）。 ▲在某些實施方案中，IM0D之每一像素（無論處於致動狀 態還是鬆弛狀態中)基本上係由固定反射層及移動反射層 形成之一電容器。當不施加電壓時，可移動反射層14保持 處於一機械鬆他狀態中’如I中左側之像素12所圖解說 明’其中在可移動反射層14與光學堆疊16之間存在間隙 」而，备將一電位差（舉例而言，電壓）施加至一選定 列及订中之至少—者時，在對應像素處形成於列電極與行 電=之交又處之電容器變為帶電’且靜電力將該等電極拉 到一起。若所施加之電壓超過—臨限值，則可移動反射層 1何變形且移動而接近或抵靠光學堆疊16。光學堆疊16内 :★電"質層(未展示)可防止短路且控制層14與16之間的 刀離距離’如圖！中右側之致動像素】2所圖解說明。不管 所施加電位差之極性如行為皆相同。儘管在某些例項 :可將—陣列中之-系列像素稱為「列”戈「行」，但熟 習此項技術者應易於理解，冑—個方向稱為—「列」且將 方向稱為—「灯」係任意的。重中地，在某些定向 中’可將列視為行，且將行視為列。&外，該等顯示元件 可均勻地配置成正交之列與行（一「陣列」），或配置成非 159940.doc •12- 201234584 έ ，…賽克J )。術語「陣列」及「馬赛克」可係指任一 組態。因此，儘管將顯示器稱為包含一「陣列」或7焉赛 但在任_例項t，元件本身無需彼此正^地配置或 女置成-均勾散佈’而是可包含具有不對稱形狀及不 散佈式元件之配置。 圖2展不圖解說明併入有一 3χ3干涉調變器顯示器之一電 子裝置之一系統方塊圖之一實例。該電子裝置包含可經組 態以執仃-或多個軟體模組之__處理器21。除執行一作業 系、·先之外’處理器21可經組態以執行—或多個軟體應用程 式’包含-網㈣覽器、—電話應用程式、—電子郵件程 式或其他軟體應用程式。 。處理器21可經组態以與一陣列驅動器”通信。陣列驅動 益22可包含將信號提供至（舉例而言）一顯示器陣列或面板 30之一列驅動器電路24及一行驅動器電路％。圖2中之線 1-1展示圖1中所圖解說明2IM〇D顯示裝置之剖面圖。儘 管出於清晰起見，圖2.圖解說明一 3χ3 IM〇D陣列，但顯示 器陣列30可含有極大數目個IMOD且可在列中具有與在行 中不同數目之IMOD，且反之亦然。 圖3展示圖解說明圖丨之干涉調變器之可移動反射層位置 與所施加電壓之關係曲線之一圖之一實例。對於MEMs干 涉調變|§，列/行（亦即’共同/分段）寫入程序可利用如圖3 中所圖解說明之此等裴置之一滯後性質。一干涉調變器可 使用（舉例而言）約一 1〇伏電位差以致使可移動反射層（或 159940.doc •13- 201234584 鏡）自鬆弛狀態改變為致動狀態。當電壓自彼值減小時， 該可移動反射層在電壓降回至（在此實例中）10伏以下時維 持其狀態’然而’該可移動反射層在電壓降至2伏以下之 前不完全鬆弛。因此，如圖3中所展示，存在約3伏至7伏 之一電壓範圍，在該電壓範圍内存在一施加電壓窗，在該 窗内該裝置穩定地處於鬆弛狀態或致動狀態中β該窗在本 文中稱為「滯後窗」或「穩定窗」。對於具有圖3之滯後特 性之一顯示器陣列30，列/行寫入程序可經設計以—次定 址一或多個列，以使得在對一既定列之定址期間，所定址 列中之欲被致動之像素曝露於約（在此實例中）1〇伏之一電 壓差，且欲被鬆弛之像素曝露於接近零伏之一電壓差。在 定址之後，該等像素曝露於一穩定狀態或約（在此實例中 伏之偏壓電壓差，以使得其保持處於先前選通狀態中。在 此實例中，在被定址之後，每一像素經受在約3伏至7伏之 「穩定窗」内之一電位差。此滞後性質特徵使像素設計 (諸如，圖1中所圖解說明之像素設計）能夠在相同所施加電 壓條件下保持穩定在一致動或鬆弛預存在狀態中。由於每 一 IMOD像素（無論是處於致動狀態還是鬆弛狀態中）基本 上係由固定反射層及移動反射層形成之一電容器，因此可 在該滯後窗内之-穩定電壓下保持此穩定狀態而實質上不 消::或扣失功率。此外’基本上’若所施加電壓電位保持 實質上固定’則有極少或沒有電流流動至IMOD像素中。 在某些實施方案中’可藉由根據一既定列中之像素之狀 態之所期望改變（若存在），沿一組行電極以「分段;㈣ 159940.doc 201234584 之形式施加資料信號來形旦 _ A 办像之一圖框。可依次定址 δ亥丨皁列之母一列，佶 所期望資料宜個列地寫入該圖框。為將 ^ 幻中之像素，可將對應於該第一 歹J中像素之所期望狀態之分 刀权4屋細加於行電極上，且可 將呈一特定「共同」電遂 Τ 次彳5唬之形式之一第一列脈衝施 至歹1J电極。然後，可使該組分段電麼改變以對應於 第二列中像素之狀態之所期望改變（若存在）’且可將一第 二共同電愿施加至笫-而丨 主弟一列電極。在某些實施方案中，第一 列中之像素不受沿行電極施加之分段電磨改變之影響，且 在第-共同電壓列脈衝期間保持處於其已被設定之狀態。 可按-順序方式對整個列系列或另一選擇係對整個行系列 重複此過程以產生影像圖框。可藉由以某一所期望數目之 圖框/秒之速度連續重複此過程來用新影像資料再新及/或 更新該等圖框。 跨越每-像素（即，跨越每-像素之電位差）所施加之分 段信號與共同信號之組合判定每一像素之所得狀態。圖4 展示圖解說明當施加各種共同電壓及分段電壓時一干涉調 變器之各種狀態之-表之-實例。如熟習此項技術者將易 於理解，可將「分段」電壓施加至行電極或列電極，且可 將「共同」電壓施加至行電極或列電極中之另一者。 如在圖4中（以及在圖5B中所展示之時序圖中）所圖解說 明’當沿一共同線施加一釋放電壓VCREL時，將使沿該共 同線之所有干涉調變器元件置於一鬆弛狀態（另一選擇 係’稱為一釋放狀態或不致動狀態）中，而不管沿分段線 159940.doc -15- 201234584 所施加之電壓（亦即，高分段電壓VSh及低分段電壓vd如 何特疋而5，當沿一共同線施加釋放電壓VCrel時，在 沿彼像素之對應分段線施加高分段電壓VSh及低分段電壓 vsL之兩種情況下，跨越該調變器之電位電壓（另一選擇 係，稱為一像素電壓）皆在鬆弛窗（參見圖3,亦稱為一釋放 窗）内。 當將一保持電壓（諸如，一高保持電壓VCh〇ld_h或一低 保持電壓vcH0LD L)施加於一共同線上時，干涉調變器之 狀態將保持恒^。舉例而言，—鬆弛細0將保持處於一 鬆弛位置中，且一致動IMOD將保持處於一致動位置中。 可選擇該等保持電壓以使得在沿對應分段線施加高分段電 壓VSH及低分段電壓VSl之兩種情況下，該像素電壓將保 持在一穩定窗内。因此，分段電壓擺幅（亦即，高VSH與低 刀^電壓vsL之間的差）小於正穩定窗或負穩定窗之寬度。 當將一定址電壓或致動電壓（諸如，一高定址電壓 vcADD H或一低定住電壓VCadd l)施加於一共同線上時， 可藉由/σ各別分段線施加分段電壓選擇性地將資料寫入至 沿彼線之調變器。可選擇分段電壓以使得該致動相依於所 施加之分段電壓。當沿一共同線施加一定址電壓時，施加 一個分段電壓將導致一像素電壓在一穩定窗内，從而致使 /像素保持不致動。相比之下，施加另—個分段電壓將導 致一像素電壓超出該穩定窗，從而導致該像素致動。致使 致動之特定分段電壓可相依於使用了哪—個定址電壓而變 化。在某些實施方案中，當沿共同線施加高定址電壓 159940.doc

S -16- 201234584 vcADD H時’施加高分段電壓vSh可致使一調變器保持處 於其當前位置申，而施加低分段電壓VSL可致使該調變器 致動。作為一推論，當施加一低定址電壓Vc ADD L時，分 段電壓之效應可係相反的，其中高分段電壓VSH致使該調 變器致動且低分段電壓VSl對該調變器之狀態無影響（亦 即，保持穩定）^ 在某些實施方案中’可使用跨越該等調變器產生相同極 性電位差之保持電壓、位址電壓及分段電壓。在某些其他 實施方案中，可使用使調變器之電位差之極性交替之信 號。跨越調變器之極性之交替（即，寫入程序之極性之交 替）可減小或抑制在一單個極性之重複寫入操作之後可能 發生之電荷累積。 圖5A展示圖解說明在圖2之3x3干涉調變器顯示器中之一 顯示資料圖框之一圖之一實例。圖5B展示可用於寫入圖 5 A中所圖解說明之顯示資料圖框之共同信號及分段信號之 一時序圖之一實例。可將該等信號施加至（舉例而言）圖2之 3x3陣列’此將最終導致圖5B中所圖解說明之線時間6〇e之 顯示配置《圖5A中之致動調變器係處於一暗狀態中，亦 即’其中所反射光之一相當大部分係在可見光譜之外，從 而導致呈現給（舉例而言）一觀看者之一暗外觀。在寫入圖 5A中所圖解說明之圖框之前’該等像素可處於任一狀態 中，但圖5B之時序圖中所圖解說明之寫入程序假設，在第 一線時間60a之前，每一調變器皆被釋放且處於一不致動 狀態中。 159940.doc •17- 201234584 在第一線時間60a期間：將一釋放電壓7〇施加於共同線】 上，施加於共同線2上之電壓以一高保持電壓Μ開始且移 動至一釋放電壓70 ;且沿共同線3施加一低保持電壓76。 因此，沿共同線1之調變器（共同！，分段1)(1，2)及（ι，3)保 持處於一鬆弛或不致動狀態中達第一線時間60a之持續時 間’沿共同線2之調變器（2，1)(2,2)及（2,3)將移動至一鬆他 狀態，且沿共同線3之調變器（3，υ、（3,2)及（3,3)將保持處 於其先前狀態中。參考圖4，沿分段線丨、2及3施加之分段 電壓將對干涉調變器之狀態無影響，此乃因在線時間— 肩門〃、同線1、2或3中全部不曝露於致使致動之電壓位 準（亦即，vcREL-鬆弛與VCh〇ld l_穩定）。 在第二線時間60b期間，共同線丨上之電壓移動至一高保 持電壓72’且由於無定址電壓或致動電壓施加於共同線1 上，因此不管所施加之分段電壓如何，沿共同線丨之所有 "周良器白保持處於一鬆弛狀態中。沿共同線2之調變器因 施加釋放電壓7G而保持處於m狀態中，且#沿共同線 3之電壓移動至一釋放電壓7〇時，沿共同線3之調變器 (3，1)、（3,2)及（3,3)將鬆弛。 在第三線時間60c期間，藉由將一高定址電壓74施加於 共同線1上來定址共同線丨。由於在施加此位址電壓期間沿 分段線1及2施加一低分段電壓64，因此跨越調變器（^)及 (1，2)之像素電壓大於調變器之正穩定窗之高端（亦即，電 壓差超過一預定臨限值），且使調變器（1，υ及（1，2)致動。 相反地，由於沿分段線3施加一高分段電壓62，因此跨越 159940.doc 201234584 H(，3)之像素電壓小於調變器（ι，ι)及⑽之像素電 ，保持在該調變器之正穩定窗内；調變器(ι，3)因此保 持鬆他。另外，在線時間咖期間，沿共同線2之電麼 至一低保持電壓76,且沿共同線3之電壓保持處於一釋放 電塵70’ &而使沿共同線2及3之調變器處於一鬆 中。 i 在第四線時間60d期間，共同線1上之電壓返回至—高保 持電壓72 ’從而使沿共n上之調㈣處於其各別:定 址狀態中。將共同線2上之電壓減小至—低^址電壓^。 由於沿分段線2施加一高分段電壓62，因此跨越調變器 (2,2)之像素電壓低於該調㈣之負穩定f之低端，從而致 使調變器(2,2)致動。相反地，由於沿分段線⑷施加—低 分段電壓64,因此調變器⑷）及（2,3)保持處於—鬆他位置 中。共同線3上之電壓增加至一高保持電壓72，從而使沿 共同線3之調變器處於一鬆弛狀態中。 最終，在第五線時間60e期間，共同線1上之電壓保持處 於高保持電壓72，且共同線2上之電壓保持處於一低保持 電C 7 6，攸而使沿共同線1及2之調變器處於其各別經定址 狀態中。共同線3上之電壓增加至一高定址電壓74以定址 沿共同線3之調變器。由於將一低分段電壓64施加於分段 線2及3上，因此調變器（3,2)及（3,3)致動，而沿分段線】所 施加之高分段電壓62致使調變器（3，υ保持處於一鬆弛位置 中。因此，在第五線時間60e結束時，3χ3像素陣列處於圖 5Α中所展示之狀態中，且只要沿該等共同線施加保持電 159940.doc -19- 201234584 壓’該像素陣列即將保持處於彼狀態中，而不管在正定址 沿其他共同線（未展示）之調變器時可發生之分段電屋之變 化如何。 在圖5B之時序圓中，一既定寫入程序(亦即，線時間⑽& 至60e)可包含高保持及定址電壓或低保持及定址電座之使 用。一旦針對-既定共同線之寫入程序已完成（且將該共 同電麼設定至具有與致動電壓相同之極性之保持電壓）， 該像素電壓即保持在—既定穩定窗内，且不穿過該鬆他 窗，直至將-釋放電壓施加於彼共同線上。此外，由於每 -調變器係作為該寫入程序之在定址調變器之前的部分而 被釋放，因此-調變器之致動時間而非釋放時間可判定該 線時間。特定而言，在其令—調變器之釋放時間大於致動 時間之實施方案中，可將釋放電壓施加達長於一單個線時 間之時間，如在圖5B中所綠示。在某些其他實施方案中， 沿共同線或分段線所施加之電壓可變化以計及不同調變器 (諸如，不同色彩之調變器）之致動電壓及釋放電壓之變 化。 根據上文所陳述之原理操作之干涉調變器之結構之細節 可大大地變化。舉例而言’圖6八至佔展示包含可移動反 射層14及其支撐結構之干涉調變器之不同實施方案之剖面 圖之實例。圖6A展示圖1之干涉調變器顯示器之一部分剖 面圖之一實例，其中一金屬材料條帶（亦即，可移動反射 層14)沈積於自基板20正交延伸之支撐件18上。在圖 中，每一IMOD之可移動反射層14在形狀上係大體正方形 159940.doc -20-

S 201234584 或矩形且於拐角處或接近拐角處在繋鏈32上附著至支樓 件。在圖6C中，可移動反射層14之形狀係大體正方形或矩 形且自一可變形層34懸吊，可變形層34可包含一撓性金 屬°可變形層34可在可移動反射層14之週邊周圍直接或間 接連接至基板20。此等連接在本文中稱為支撐柱。圖6c中 所展示之實施方案具有源自將可移動反射層14之光學功能 與其機械功能（由可變形層34實施）解耦之額外益處。此解 耗允許用於可移動反射層14之結構設計及材料與用於可變 形層34之結構設計及材料彼此獨立地最佳化。 圖6D展示其中可移動反射層14包含一反射子層14a之一 IMOD之另一實例。可移動反射層14倚靠於一支撐結構（諸 如’支揮柱18)上。支撐柱18提供可移動反射層14與下部 靜止電極（亦即，所圖解說明IMOD中之光學堆疊16之部 分）之分離’以使得（舉例而言）當可移動反射層14處於一鬆 弛位置中時’在可移動反射層丨4與光學堆疊16之間形成一 間隙19。可移動反射層14亦可包含一導電層14c及一支撐 層14b ’導電層14C可經組態以充當一電極.在此實例十， 導電層14c安置於支撐層i4b之遠離基板20之一個側上且反 射子層14a安置於支撐層14b之接近於基板20之另一側上。 在某些實施方案中’反射子層14a可係導電的且可安置於 支撐層14b與光學堆疊16之間。支撐層14b可包含一電介質 材料（舉例而言，氧氮化矽（Si〇N)或二氧化矽（Si02))之一 或多個層。在某些實施方案中，支撐層l4b可係一層堆 疊，諸如（舉例而言）一Si〇2/Si〇N/Si02三層堆疊。反射子 159940.doc •21· 201234584 層14a及導電層14c中之任一者或兩者可包含（舉例而言）具 有約0.5。/。銅（Cu)之紹A1合金或另一反射金屬材料。在電^ 質支撐層14b上方及下方採用導電層14a、1讣可平衡應^ 且提供增強之導電性。在某些實施方案中，出於各種各樣 之設計目的，諸如達成可移動反射層14内之特定應力分 佈，可由不同材料形成反射子層l4a及導電層丨化。 如圖6D中所圖解說明，某些實施方案亦可包含—黑色遮 罩結構23。黑色遮罩結構23可形成於光學不作用區（舉例 而言，在像素之間或在柱18下方）中以吸收環境光或雜散 光。黑色遮罩結構23亦可藉由抑制光自一顯示器之不作用 部分反射或透射穿過一顯示器之不作用部分來改良該顯示 裝置之光學性質’藉此增加對比率。另外，黑色遮罩結構 23可係導電的且經組態以充當一電運送層。在某些實施方 案中，可將列電極連接至黑色遮罩結構23以減小經連接列 電極之電阻。可使用各種各樣之方法來形成黑色遮罩結構 2 3 ’包含沈積及圖案化技術。黑色遮罩結構2 3可包含一或 多個層。舉例而言，在某些實施方案中，黑色遮罩結構23 包含充當一光學吸收器之鉬-鉻（M〇Cr)層、一層及充當一 反射器及一運送層之鋁合金，其分別具有介於約3〇人至8〇 A、500 A至1000 A及500 A至6000 A之範圍内之一厚度。 可使用各種各樣之技術來圖案化該一或多個層，包含光微 景> 及乾式银刻，包含（舉例而言）用於MoCr及Si〇2層之四氟 曱烧CF4及/或氧氣〇2，及用於鋁合金層之匸12及/或bci3。 在某些貫施方案中，黑色遮罩23可係一標準具或干涉堆疊 159940.doc -22· 201234584 結構。在此等干涉堆疊黑色遮罩結構23中，導電吸收器可 用於在每一列或行之光學堆疊16中之下部靜止電極之間傳 輸或運送js说。在某些貫施方案中，一間隔件層35可用於 將吸收器層16a與黑色遮罩23中之導電層大體電隔離。 圖6E展示其中可移動反射層14係自支撐之一 IM〇D之另 一實例。與圖6D相比，圖6E之實施方案不包含支撐柱 18。而是，可移動反射層14在多個位置處接觸下伏光學堆 疊16，且可移動反射層14之曲率提供足夠之支撐以使得可 移動反射層14在跨越該干涉調變器之電壓不足以致使致動 時返回至圖6E之不致動位置。出於清晰起見，此處展示包 含一光學吸收器16a及一電介質16b之光學堆疊16，其可含 有複數個若干不同層。在某些實施方案中，光學吸收器 16a吁既充當一固定電極又充當一部分反射層。 在諸如圖6A至6E中所展示之彼等實施方案等實施方案 中，充當直視式裝置，其中自透明基板2()之前側（亦 即，與其上配置有調變器之側相對之側）觀看影像。在此 等實&方案中，可對該裝置之背部部分（即，該顯示裝置 之在可移動反射層14後面之任—部分，包含(舉例而言)圖 6_C中所圖解說明之可變形層34)進行組態及操作而不對顯 不裝置之影像品質造成衝擊或負面影響，此乃因反射層Μ 在光學上遮撞該裝置之彼等部分。舉例而言，在某些實施 ,、可在可移動反射層14後面包含-匯流排結構（未 圖解》兒明）’此提供將調變器之光學性質與調變器之機電 ! 生質如’電遷定址與由此定址所引起之移動）分離之能 159940.doc -23· 201234584 力。另外，圖6A至6E之實施方案可簡化處理（諸如，圖案 化）。 圖7展示圖解說明一干涉調變器之一製造製程8〇之一流 程圖之一實例，且圖8八至8E展示此一製造製程8〇之對應 階段之剖面示意性圖解之實例。在某些實施方案中，除圖 7中未展示之其他方塊之外，製造製程8〇可經實施以製造 (舉例而言）圖1及6中所圖解說明之一般類型之干涉調變 器。參考圖1、6及7，製程8〇在方塊82處開始，以在基板 20上方形成光學堆疊16。圖8八圖解說明在基板2〇上方形成 之此一光學堆疊16。基板2〇可係一透明基板（諸如，玻璃 或塑膠），其可係撓性的或相對剛性且不易彎曲的，且可 已經歷先前製備製程（舉例而言，清潔）以促進光學堆疊16 之有效形成。如上文所論述，光學堆疊16可係導電的，部 分透明且部分反射的，且可係（舉例而言）藉由將具有所期 望性質之一或多個層沈積至透明基板20上而製作。在圖8A 中光學堆疊16包含具有子層16a及16b之一多層結構，但 在某些其他實施方案中可包含更多或更少之子層。在某些 實施方案中，子層16a、161?中之一者可經組態而具有光學 吸收及導電性質兩者，諸如，組合式導體/吸收器子層 16a。另外，可將子層】6a、！讣中之一或多者圖案化成若 干平行條帶，且可形成一顯示裝置中之列電極。可藉由— 遮蔽及蝕刻製程或此項技術中已知之另一適合製程來執行 此圖案化。在某些實施方案中，子層16a、l6b中之一者可 ir'絕緣或電介質層，諸如沈積於一或多個金屬層（舉例 159940.doc

S -24- 201234584 而5，一或多個反射及/或導電層）上方之子層 16b。另外， 可將光予堆疊16圖案化成形成顯示器之列之個別且平行條 帶。 製程80在方塊84處繼續以在光學堆疊10上方形成一犧牲 層25。稍後移除犧牲層25(舉例而言，在方塊9〇處）以形成 腔19且因此在圖丨中所圖解說明之所得干涉調變器Η中未 展示犧牲層25。圖8B圖解說明包含形成於光學堆疊16上方 之一犧牲層25之一經部分製作之裝置。在光學堆疊16上方 形成犧牲層25可包含以選定之一厚度沈積二氟化氙（XeF2) 可蝕刻材料（諸如，鉬（Mo)或非晶矽（a_si))),以在隨後移 除之後提供具有一所期望設計大小之一間隙或腔19(亦參 見圖1及8E)。可使用諸如物理氣相沈積（pVD ’舉例而言， 減鍵）、電漿增強型化學氣相沈積（PEC VD)、熱化學氣相沈 積（熱CVD)或旋塗等沈積技術來實施犧牲材料之沈積。 製程8 0在方塊8 6處繼續以形成一支禮結構，舉例而言， 如圖1、6及8C中所圖解說明之一柱18。形成柱18可包含以 下步驟.圖案化犧牲層2 5以形成一支撑結構孔口，然後使 用諸如PVD、PECVD、熱CVD或旋塗之一沈積方法來將一 材料（舉例而言，一聚合物或一無機材料，舉例而言，氧 化矽）沈積至該孔口中以形成柱18。在某些實施方案中， 形成於犧牲層中之支撐結構孔口可延伸穿過犧牲層25及光 學堆疊16兩者到達下伏基板20 ’以使得柱18之下部端接觸 基板20 ’如圖6A中所圖解說明。另一選擇係，如圖8C中 所繪示’形成於犧牲層25中之孔口可延伸穿過犧牲層25， 159940.doc -25- 201234584 但不穿過光學堆疊16。舉例而言，圖8E圖解說明支撐柱以 之下部端與光學堆疊16之—上部表面接觸。可藉由將-支 撐結構材料層沈積於犧牲層25上方且圖案化該支撐結構材 料之位於遠離犧牲層25中之孔σ處之部分來形成柱18或其 他支撐結構。该等支撐結構可位於該等孔口内(如圖中 所圖解說明），但亦可至少部分地延伸於犧牲層25之一部 分上方。如上文所述，對犧牲層25及/或支撐柱“之圖案 化可藉由一圖案化及蝕刻製程來執行，但亦可藉由替代蝕 刻方法來執行。 製程80在方塊88處繼續以形成一可移動反射層或膜，諸 如圖1、6及8D中所圖解說明之可移動反射層14 '可藉由採 用一或多個沈積製程（舉例而言，反射層（舉例而言，鋁、 鋁合金）沈積）連同一或多個圖案化、遮蔽及/或蝕刻製程來 形成可移動反射層14。可移動反射層14可係導電的且稱為 一導電層。在某些實施方案中，可移動反射層“可包含如 圖8D中所展示之複數個子層14a、14b、Mc。在某些實施 方案中，該等子層中之一或多者（諸如，子層14a、14勻可 包含針對其光學性質選擇之高反射子層，且另一子層Mb 可包含針對其機械性質選擇之一機械子層。由於犧牲層25 仍存在於在方塊88處所形成之經部分製作之干涉調變器 中，因此可移動反射層14在此階段處通常係不可移動的。 含有一犧牲層25之一經部分製作之im〇d在本文中亦可稱 為一「不釋放」IMOD。如上文結合圖1所闡述，可將可移 動反射層14圖案化成形成顯示器之行之個別且平行條帶。 159940.doc •26- 201234584 製程80在方塊90處繼續以形成一腔，舉例而言，如圖 1、6及8E中所圖解說明之腔19。可藉由將犧牲材料25(在 方塊84處沈積）曝露於一蝕刻劑來形成腔19。舉例而言， 可藉由乾式化學钱刻’舉例而言，藉由將犧牲層25曝露於 一氣態或蒸氣蝕刻劑（諸如，由固態XeF2得到之蒸氣）達有 效地移除所期望之材料量（通常係相對於環繞腔19之結構 選擇性地移除）之一時間週期來移除一可蝕刻犧牲材料（諸 如，Mo或非晶Si)。亦可使用蝕刻方法，舉例而言，濕式 蝕刻及/或電漿蝕刻。由於在方塊9〇期間移除犧牲層25， 因此在此階段之後可移動反射層丨4通常係可移動的。在移 除犧牲材料25之後，所得經完全或部分製作之IM〇D在本 文中可稱為一「釋放」IMOD。 由於反射顯示器（諸如，具有干涉調變器像素之彼等反 射顯不器）使用經反射光來形成影像，因此可期望在某些 % J兄下加強環境光以增加顯示器之亮度。此加強可由一照 明系統提供，在該照明系統中將來自光源之光引導至反射 顯不器，然後該反射顯示器將該光向回反射朝向一觀看 者。 圖9八展示一照明系統之一刳面圖之一實例。一光導120 自一光源130接收光。光導12〇中之複數個光轉向特徵121 經組態以將來自光源130之光（舉例而言，光線15〇)向回重 新引導朝向一下伏反射顯示器16〇。反射顯示器16〇中之反 射像素向前反射彼經重新引導之光朝向一觀看者170。在 某些實施方案中，該等反射像素可係一IMOD 12(圖1)。 I59940.doc -27- 201234584 繼續參考圖9A，光導120可係一平面光學透射面板，其 經安置而面向且平行於顯示器160之一主表面以使得入射 光穿過光導120到達顯示器160，且自顯示器160反射之光 亦向回穿過光導120到達觀看者170。 光源1 3 0可包含任一適合光源’舉例而言，一白熾燈 泡、一邊緣條、一發光二極體（「LED」）、一營光燈、一 LED燈條、一 LED陣列及/或另一光源。在某些實施方案 中’來自光源130之光注入至光導120中以使得光之一部分 沿跨越光導120之至少一部分之一方向以相對於與顯示器 160對準的光導120之表面之一低掠射角傳播以使得該光在 光導12〇内藉由全内反射（「TIRj )而反射。在某些實施方 案中，光源130包含一燈條。自一光產生裝置（舉例而言， 一 LED)進入該燈條之光可沿該條之長度之某些或全部傳播 且在該燈條之長度之一部分或全部上自該燈條之一表面或 邊緣中射出。射出該燈條之光可進入光導12〇之一邊緣且 然後在光導120内傳播。 光導120中之光轉向特徵121以足夠使得光之至少某些自 光導120中穿過到違反射顯示器16〇之一角度將光引導朝向 顯示器160中之顯示元件。光轉向特徵121可包含一或多個 層，該一或多個層經組態以增加轉向特徵121之面向遠離 觀看者170之反射率及/或充當觀看者側之一黑色遮罩。此 等層可歸結起來稱為塗層14〇。 圖9B展示其中塗層14〇包含複數個層之一光轉向特徵之 一剖面圖之一實例。在某些實施方案中，轉向特徵121之 -28- 159940.doc

S 201234584 塗層140可組態為具有以下各項之一干涉堆疊：一反射層 122，其重新引導在光導12〇内傳播之光；一間隔件層 123，及一部分反射層124，其上覆於間隔件層丨23。間隔 件層123安置於反射層122與部分反射層124之間且藉由其 厚度界定一光學諧振腔。 該干涉堆疊可經組態以將一暗外觀給予塗層14〇，如觀 看者170所看到。舉例而言，可自反射層122及部分反射層 124中之每一者反射掉光，其中間隔件123之厚度經選擇以 使得經反射光相消地干涉以使得塗層140呈現黑色或暗 色，如觀看者170自上面所看到（圖9A)。 舉例而έ ’反射層122可包含一金屬層，舉例而言，鋁 (Α1)、鎳（Νι)、銀（Ag)、鉬（Mo)、金（Au)及鉻（Cr)。反射層 122之厚度可係在約100 Α與約700 Α之間。在一項實施方 案中，反射層122係約300 A厚。間隔件層123可包含各種 光學透射材料，舉例而言’空氣、氧氮化矽（Si〇xN)、二 氧化矽（Si02)、氧化鋁（Al2〇3)、二氧化鈦（ή〇2)、敦化鎂 (MgF2)、氧化鉻（III)(Cr302)、氮化矽（si3N4)、透明導電氧 化物（TCO)、氧化銦錫（ITO)及氧化鋅（ZnO)。在某些實施 方案中，間隔件層123之厚度係在約500 A與約15〇〇 A之 間。在一項實施方案中，間隔件層123係約800 A厚。部分 反射層124可包含各種材料’舉例而言，銦（M〇)、欽（丁丨）、 鎢（W)、鉻（Cr)等，以及合金（舉例而言，MoCr)。部分反 射層124之厚度可係在約20 A與約3 00 A之間。在一項實施 方案中’部分反射層124係約80 A厚。 159940.doc •29- 201234584 繼續參考圖9B，在某些實施方案中，由於光主要自光轉 向特徵121之側126及127重新引導至顯示器丨6〇，因此在此 4側之間的區域中塗層14〇可具備光可行進穿過之一開口 125。開口 125可促進將環境光傳播至顯示器16〇及/或將經 反射光傳播至觀看者170。 已發現’在某些實施方案中，諸如反射塗層14〇及部分 反射層124等金屬層可腐触或以其他方式進行不期望反 應》在不受理論限制之情況下，據信，由於自環境擴散且 與反射塗層140及/或層124反應之濕氣或氣體（舉例而言， 氧化劑）而發生此等不期望反應。此等反應可改變反射塗 層14〇之材料性質（舉例而言，使該等塗層及層之反射率降 級）且藉此使塗層14〇及/或層124之所期望功能性降級。 圖10展示具備安置於光導120上方之一鈍化層11〇之一照 明系統之一剖面圖之一實例。光源丨3 〇經組態以將光注入 至光導120中。在某些實施方案中，鈍化層11〇直接安置於 光導120之部分（諸如’延伸於光轉向特徵121之間的該光 導之若干部分）上。鈍化層11〇亦可直接安置於光轉向特徵 121之塗層140上。如所圖解說明’光轉向特徵Μ〗可形成 為光導120中之凹口且鈍化層11〇可實質上保形地延伸於光 導120之頂部主表面上方。在某些實施方案中，保形鈍化 層110在一光轉向特徵121之一底部處之一厚度對保形鈍化 層110在光轉向特徵121之側壁處之厚度之比率可係約 5:1、約3:1、約2:1、約1 · 5:1或約1:1。此等厚度均勻性位 準可提供用於形成一抗反射塗層同時提供鈍化之優點，如 159940.doc

S -30- 201234584 本文117所論述。 繼續參考圖1 〇 ’鈍化層11 〇可係一濕氣障壁。在某此實 施方案中，鈍化層110具有約1 g/m2/曰或更小、約〇 〇1 g/m2/曰或更小、或者約0.0001 g/m2/曰或更小之一透濕係 數。鈍化層110可具有一適合厚度以提供抵禦濕氣及/或環 土兄氣體之障壁性質。已發現約5 0 nm或更大、或者約75 nm 或更大之厚度提供用於抵禦環境之隔離及添加之光學功能 性（舉例而言，抗反射性質）之優點。 在某些實施方案中，當曝露於具有85%相對濕度之_ 85 °C環境時’鈍化層11 〇防止反射塗層i 4〇之腐蝕達至少約 200小時或至少約500小時或至少約1000小時之一持續時 間。在某些實施方案中，腐蝕防止係處於使得不損害裝置 之操作之此一位準，以使得裝置滿足其操作規範。舉例而 言’當塗層140中之部分反射層124腐触時，塗層140之黑 色遮罩性質降低且可發生自塗層140之環境反射之一增加 (舉例而言’由於自層122之反射）。在某些實施方案中，在 使得發生以下情形之一程度上防止層124之腐蝕：於具有 85%相對濕度之一 85°C環境中在500小時之後自塗層140之 所察覺反射之增加係約20%或更小、約丨〇%或更小或者約 5%或更小。在某些實施方案中，針對反射塗層14〇達成此 等益處，在10 um寬之一光轉向特徵中，反射塗層14〇包含 A1之一 50 nm反射層122、二氧化矽之_ 72 nm間隔件層123 及MoCr之一 5 nm部分反射層124(圖9B)。 鈍化層110可由一光學透射材料形成，包含可有利於電 159940.doc •31- 201234584 隔離下伏於鈍化層110之電結構之光學透射電介質材料。 用於鈍化層110之適合材料之實例包含氧化矽（3丨〇2)、氧氮 化矽（SiON)、MgF2、CaF2、Al2〇3或其混合物。在某些實 施方案中’鈍化層110由一旋轉玻璃形成。 參考圖11，可提供一或多個光學解耦層以促進光在光導 120内傳播。圖11展示具備光學解耦層之一照明系統之一 剖面圖之一實例。舉例而言，可將一光學解耦層18〇a提供 於鈍化層11〇上方。在某些實施方案中，光學解耦層i8〇a 具有低於鈍化層110或光導120之一折射率。較低折射率激 勵自鈍化層110與光學解耦層180a之間的介面之全内反 射’藉此促進光藉由全内反射而跨越光導12〇傳播。在某 些實施方案中，光學解耦層180a可提供額外功能性。舉例 而言，層180a可由提供對鈍化層11〇及光導12〇之機械保護 之一材料形成。用於光學解耦層丨80a之適合材料之實例包 含MgF2、CaF2、UV可固化環氧樹脂、聚合塗層、有機矽 氧烷塗層、聚矽氧黏合劑及在可見光譜中具有小於約148 或小於約1.45或小於約丨.42之一折射率之其他類似材料。 繼、.’貝參考圖11，在某些實施方案中，可提供下伏於光導 120之另一光學解耦層18〇b。此另一光學解耦層i8〇b亦可 具有低於光導120之一折射率以藉此促進層18〇b與光導12〇 之介面處之全内反射。層18〇b可由與層18〇a相同或不同之 一材料形成。在某些其他實施方案中，省略層18〇b且一間 隙（舉例而5，一空氣間隙）提供一低折射率媒介以促進光 導120之下部主表面處之全内反射。 159940.doc

S •32- 201234584 繼續參考圖11，在某些實施方案中，鈍化層丨1〇經組態 以提供抗反射性質。舉例而言，鈍化層丨丨〇之折射率及厚 度可經選擇以允許層110充當一干涉抗反射塗層。在某些 貫細方案中，鈍化層11 〇之折射率係在光學解耦層丨8〇&之 折射率與光導12〇(或光導120之緊密毗鄰鈍化層11〇之層， 其中光導120包含多個層）之折射率之間。舉例而言，可使 用以下方程式得出純化層11 0之折射率： ^ps ~ x ^odl 其中RIpS係純化層之折射率； RIlg係光導之折射率；且 RI〇dl係光學解耦層之折射率。 因此，在某些實施方案中，鈍化層丨10之折射率可係約

Rips。在某些實施方案中，鈍化層110之折射率係在幻”之 10%内或在RIPsi5%内。 在一個貫例中，具有1.42之一折射率之聚矽氧之一光學 解耦層180a可直接安置於一鈍化層11〇上方，鈍化層n〇由 具有1.47之氧化矽形成、安置於一光導12〇上、包含直接 下伏於鈍化層110之一 si0N層，該Si〇N層具有152之一折 射率。在某些實施方案中，該聚矽氧可係聚矽氧黏合劑塗 層。光學解耦層180a可直接接觸鈍化層11〇，鈍化層11〇可 直接接觸光導12G。在某些實施方案中，鈍化層UG之折射 率係在光學解耦層l80a、光導12〇或光學解耦層18〇a及光 導120兩者之(U内。在某些實施方案中，光學解麵層她 之折射率係約G.G5或更大、或者約(U或更大、小於純化層 159940.doc -33· 201234584 110及/或光導120之折射率。 在某些實施方案中’鈍化層110之厚度可係約50 nm或更 大、約75 nm或更大、或者約75 nm至125 nm。在某些其他 實施方案中，鈍化層110之厚度可係約250 nm至330 nm。 已發現此等厚度提供用於將光學光譜中之抗反射性質提供 給純化層110之益處，如本文中所論述。藉由在光導12〇上 方保形地形成鈍化層110，可將鈍化層110形成至一實質上 均勻之厚度，藉此跨越光導120始終如一地提供所期望光 學光譜内之抗反射性質。在其中鈍化層110之厚度在一光 轉向特徵121之底部與側壁之間變化之某些實施方案中， 上文所述厚度可係光轉向特徵121之底部處之厚度。在某 些實施方案中，鈍化層11〇在光轉向特徵121之底部處之厚 度可係約1 00 nm或約290 nm ’且純化層11 〇在光轉向特徵 121之側壁處之厚度係在底部處之厚度之約4〇 nm或約25 nm内〇 照明系統可包含一下伏顯示器16〇，光導12〇之抗反射性 質可提供用於下伏顯示器之益處。如本文中所論述，來自 光源130之光可注入至光導12〇中、由光轉向特徵121重新 引導朝向顯示器160且由顯示器16〇向前反射朝向觀看者 ，藉此形成由觀看者170察覺之一影像。由光學解耦層 180a '鈍化層11〇及光導12〇提供之抗反射性質可減少由觀 看者170看到之反射’藉此改良顯示器160之所察覺對比 度。 參考圖12，展示反射率與直接位於一光導上之氧化矽鈍 159940.doc

S -34· 201234584 化層之厚度之關係曲線之一標繪圖。該氧化矽鈍化層（折 射丰1.47)安置於一上覆光學透射層（舉例而言，聚矽氧層 (折射率=142))與一下伏光導中之一下伏光學透射層(舉例 而言，一SiON層、折射率丨冲之間。在此一中間值處之 鈍化層之折射率之情況下，鈍化層可給出獨特抗反射性 質。舉例而言，在約75 11111至125 nm2厚度下，與根本不 具有一鈍化層相比，觀察到反射率降低至1/14〇此外針 子光乂自0 (相對於法線）至3〇。（相對於法線）之入射角照射 鈍化層，觀察到此降低。另外，在類似厚度（舉例而言， 約nm至丨25 nm)下，對於此角度範圍，反射率降低係類 似的，從而指示對於一寬範圍之入射角，具有一單個厚度 之一單個鈍化層可達成類似反射率減小。在較高厚度下亦 觀察到有益的反射率減小。舉例而言，在約275 11〇1至325 nm之厚度下’觀察到反射率降低至1/7，且在約47〇 11〇1至 500 nm紙厚度下，觀察到反射率降低至1/3。 圖13展示直接位於一光轉向特徵上之氧化矽鈍化層之反 射率與厚度之關係曲線之—標縿圖^該光轉向特徵包含塗 層140(圖9B) ’塗層140包含一反射層（舉例而言，Μ)之一 50 nm反射層、一光學透射間隔件層（舉例而言，氧化矽） 之一72 nm間隔件層、及一薄金屬（舉例而言，之一 $ nm部分反射層。上覆於該鈍化層的係聚矽氧層(折射率 = 1.42)。該鈍化層由氧化矽形成。如圖13中所看到，此等 層達成良好抗反射性質。在約165 〇111至185 之厚度下， 與根本不具有一鈍化層相比，觀察到反射率減半。針對光 159940.doc -35- 201234584 (相對於法線）至3G°(相對於法線）之人射角照射鈍化 層，觀察到反射率降低。在類似厚度（舉例而言，約5〇nm 至_ im)下觀察到類似降低，以使得料—寬㈣之入 、’、有f個厚度之—單個純化層可達成類似反射率 =小。此外，對於直接在光導上之純化層，此等厚度重疊 提供顯著反射率減小之厚度（參見圖12)。舉例而言對於 分佈於一光導上及一光轉向特徵上之一鈍化層約 至110 nm或約75 nm至1〇〇 nm之厚度可提供高抗反射率位 準。 繼續參考圓13，較大厚度亦提供反射率減小。舉例而 言，在約260 nm至300 nm2厚度下，觀察到反射率降低大 致50%，且在約450 nmi厚度下，觀察到反射率降低大致 40%。 無論是作為一抗反射結構之部分還是經實施而不具有抗 反射功能性，應瞭解，鈍化層110可以各種組態配置。圖 14展示具有多個鈍化層之一照明系統之一剖面圖之一實 例。鈍化層110安置於光導120上方且另一鈍化層U2安置 於光導120下方。在某些實施方案中，鈍化層112具有允許 層112充當一抗反射塗層之一厚度及折射率，如本文中針 對鈍化層110所論述。在某些實施方案中，鈍化層n2之厚 度可係約75 nm或更大、約50 nm至125 nm、約75 nm至125 nm、或者約250 nm至330 nm。另外，純化層112可具有小 於光導120之緊密上覆層129之折射率之一折射率。可將一 較低折射率光學解耦層（諸如層180b，圖11)提供於鈍化層 159940.doc -36-

S 201234584 112下方。在某些其他實施方案_，—空氣間隙充當光學 解耦層。 參考圖15A及15B，純化層11〇可係直接安置於光轉向特 徵121之塗層140上方且連續延伸於光導12〇之在光轉向特 徵121之間延伸的部分上之一毯覆層。圖15八及15]3展示具 有一上覆鈍化層U0之光轉向特徵121及光導12〇之一剖面 圖之一實例。光轉向特徵i 2丨之塗層j 4〇可由複數個層 122、123、124形成，如本文中所論述。鈍化層11〇實質上 延伸跨越光導120之全部。參考圖15B，除光轉向特徵121 以外，各種其他特徵可存在於光導12〇之表面上。舉例而 言，可將導電特徵190提供於光導120上方。舉例而言，導 電特徵190可包含若干互連件或電極。舉例而言，特徵19〇 可形成觸碰螢幕顯示器之部分。 在某些其他實施方案中，鈍化層11〇可在沈積之後被圖 案化。圖16A及16B展示具備具有一上覆經圖案化鈍化層 Π0之光轉向特徵121及光導120之一照明系統之一剖面圖 之一實例》在某些實施方案中，鈍化層u〇經圖案化以使 得其若干部分實質上位於光轉向特徵121處，而實質上將 鈍化層110在光轉向特徵丨21之間的區域中之若干部分移 除。 在某些實施方案中，形成塗層140之層中之每一者及純 化層110可毯覆沈積於光導12〇上方》然後可使用一單個遮 罩來圖案化此等層，此允許塗層140及鈍化層11〇藉由蝕刻 同時界定。經圖案化鈍化層110壓蓋光轉向特徵121及塗層 159940.doc •37- 201234584 140。如圖16A及16B中所圖解說明’經圖案化鈍化層u〇 及塗層140之側壁實質上可係共面的，以使得塗層ι4〇之側 面曝露或不受經圖案化鈍化層11〇保護。另外，導電特徵 190可存在於光導120上方。特徵19〇亦可與經圖案化鈍化 層11 0同時圖案化，以使得鈍化層1丨〇及1 9〇之侧壁可係共 面的且特徵190之側面曝露且不受經圖案化鈍化層11〇保 護。 沾翫此項技術者應認識到，塗層14 〇之所曝露側可使彼 等側容易與來自周圍環境之濕氣及氣體相互作用。然而， 此等層可具有約為數十奈米之厚度，而光轉向特徵12丨之 寬度約為若干微米。因此，不認為塗層i 40之側面處之腐 蝕或反應以足以在含有塗層ΐ4θ之照明系統之所預期壽命 内逐漸損害光轉向特徵121之功能性之一速率進展。 圖案化鈍化層110可促進在由鈍化層11〇之經移除部分留 下之開口中形成輔助結構。在某些實施方案中，鈍化層 no經圖案化以促進與下伏電特徵之電接觸。圖163展示具 有一經圖案化鈍化層1 10之一照明系統之一剖面圖之一實 例光導120可上覆有導電特徵，諸如允許該照明系統充 當一觸碰螢幕之互聯件或電極（未展示）。圖案化至鈍化層 110中之開口可用以在互聯件或電極與上覆導電特徵之間 形成觸點。 儘管為便於論述及圖解說明而在本文中稱為一單個實 體’但應瞭解’光導120可由一或多個材料層形成。圖η 展示具有-多層光導之一照明系統之一剖面圖之一實例。 159940.doc -38 - 201234584 光導120可由一光轉向膜128及一下伏支撐層129形成。轉 向膜128及支揮層129兩者可由允許光沿其長度傳播之一實 質上光學透射材料形成。舉例而言，轉向膜128及支標層 129可各自包含以下材料中之一或多者：丙稀酸、丙稀酸 酯共聚物、UV可固化樹脂、聚碳酸酯、環烯烴聚合物、 聚合物、有機材料、無機材料、碎酸鹽、蓉土、藍寶石、 玻璃、聚對苯二曱酸乙二酯（「PET」）、聚對苯二甲酸乙 一醇酯（「PET-G」）、氧氮化梦及/或其他光學透明材料。 對於機械及化學穩定性’形成轉向膜12 8之材料可且有對 稍後處理步驟中所使用之材料及溫度之一低濕氣吸收、熱 及化學抵抗力、以及有限的或實質上無除氣。在某些實施 方案中’轉向膜128由可作為一液體沈積之一材料形成， 以使得該材料可以液相沈積於支撐層129上。在某些實施 方案中’形成轉向膜128之材料可係一玻璃，舉例而言， 一旋轉玻璃。在某些實施方案中，形成轉向膜128之材料 可係光界可定的，舉例而言，由一光可界定旋轉玻璃及/ 或一光可界定聚合物形成。如本文中所使用，一旋轉材料 係可藉由一旋轉沈積而沈積之一材料，其中該材料沈積於 一旋轉下伏支撐件（諸如，支撐層129)上。然而，該旋轉材 料無需藉由一旋轉沈積而沈積。舉例而言，在某些實施方 案中’ s玄旋轉材料可沈積於一靜止支撐層ι29上。在任一 清形下’在某些實施方案中，該旋轉材料可作為_液體沈 積於支撐層129上。該液體可係其中（舉例而言）在一固化製 程中移除溶劑以形成一固相轉向膜128之一溶液。 159940.doc -39- 201234584 在某些實施方案中，轉向膜128及支撐層129由相同材料 形成，且在其他實施方案中，轉向膜及支撐層129由不同 材料形成。在某些實施方案中，轉向膜128可由旋轉玻璃 或一光可界定聚合物形成，且支撐層129可由玻璃形成。 在某些實施方案中，轉向膜128及支撐層129之折射率可經 匹配而彼此接近或相等，以使得光可相繼傳播穿過該等層 而貫質上不在該等層之間的介面處反射或折射。在某些實 施方案中，轉向膜128及支撐層129之折射率係彼此在約 0.05、約〇.〇3或約〇·〇2内。在一項實施方案中，支撐層129 及轉向膜128各自具有約ι·52之一折射率。根據某些其他 貫把方案，支撐層129及/或轉向膜128之折射率可介於自 約1.45至約2.05之範圍内。在某些實施方案中，支撐層129 及轉向臈128可由一黏合劑（舉例而言，一壓敏黏合劑）固持 在起，该黏合劑可具有類似於或等於支撐層129及轉向 膜128中之一者或兩者之折射率。另外，在某些實施方案 中，可使用一折射率匹配黏合劑（諸如，一壓敏黏合劑 (「PSA」））將顯示器16〇層壓至光導12〇。 支撐層129及轉向膜128中之一者或兩者可包含一或多個 光轉向特徵121。在某些實施方案中，光轉向特徵121安置 於光轉向膜128之一頂部表面上。形成此等特徵121之凹口 可藉由各種製程（包含蝕刻及浮雕）形成。光轉向膜128之厚 度可足以在彼膜内形成光轉向特徵121之整 些實施方案中，光轉向膜⑽有約丨·。一:、約二 μπι至4 μιη或約1.5 μιτι至3 μιη之一厚度。 159940.doc 201234584 另外’光轉向特徵121之壁上之塗層140可藉由沈積（舉 例而言’毯覆沈積）所期望材料之一或多個膜且然後触刻 所沈積膜以自光轉向特徵121之外部的位置移除該等材料 而形成》可在將轉向膜128附著至支撐層129之前執行該等 凹口之形成及/或塗層140之形成。在某些實施方案中，此 可促進照明系統之製作，此乃因在將轉向膜丨28附著至支 撐層129及照明系統之其餘部分之前發現凹口或塗層14〇中 之缺陷。因此，可僅需替換一有缺陷之轉向膜128，而非 在發現光轉向特徵121中之一缺陷時摒棄整個光導12〇及/ 或附著至轉向膜128之其他部分。 在某些其他實施方案中，該光導可經蝕刻以在將轉向膜 128與一支撐層129組合之後界定光轉向特徵。現參考圖 18A至18F，展示用於製造一照明系統之一製程序列中之各 種階段處之照明系統之剖面圖之實例。參考圖18A，提供 安置於支撐層129上之光轉向膜128β在某些實施方案中， 光轉向膜128由一玻璃（諸如，一旋轉玻璃）形成。形成光轉 向膜128之材料可係光可界定的，包含一光可界定玻璃（諸 如，一光可界定旋轉玻璃）。在某些其他實施方案中該 光可界定材料係一非玻璃材料且可係（舉例而言）一光可界 定聚合物。 ^ 圖18Β展示在圖案化光轉向膜128以形成凹口 η〗之後的 彼膜。凹口 131可藉由光微影形成，其中透過一光罩將光 轉向膜128曝露於光且然後將該光轉向膜曝露於一顯影蝕 刻（其可係一濕式蝕刻）以移除光轉向膜丨2 8之選定部分以形 I59940.doc 41 201234584 成凹口 131。在某些實施方案中，可藉由修改曝露及顯影 形成光轉向膜128之光可界定材料之製程來控制凹口 131之 大小及形狀。 圖18C展示在於光轉向膜128上毯覆沈積一或多個材料層 之後的圖18B光轉向膜128及凹口 131。如所圖解說明，層 122、123及124可經順序沈積以形成一干涉堆疊，該干涉 堆疊充當在支撐層129及光轉向膜128内傳播之光之一反射 器且亦充當對一觀看者之一黑色遮罩，如本文中所闡述。 圖18D展示在蝕刻層122、123及/或124以順序移除彼等 層在凹口 13 1(圖18C)外部之部分之後的層122、123及/或 124’藉此將塗層140界定為光轉向特徵121之部分《如圖 18E中所展示’層122、123及/或124在凹口 131之中間部分 中且不在凹口 13 1之側壁上之部分亦可經蝕刻以准許光行 進穿過彼等中間部分。 如圖18F中所展示，鈍化層u〇可沈積於層128上且沈積 至光轉向特徵121中。在某些實施方案中，鈍化層11〇係保 形的。在某些其他實施方案申，鈍化層110填充光轉向特 徵121且藉由將一平面表面提供於光導12〇之凹口及主表面 上方來充當一平坦化層（未展示在某些實施方案中，該 平坦化層可由一旋轉玻璃材料形成且可具有一低折射率以 充當一光學解耦層。在某些實施方案中，鈍化層11〇充當 一濕氣障壁’如本文中所論述。 應瞭解’在某些實施例中使用玻璃或光可界定材料可提 供優於使用化學氣相沈積材料之益處4用光可界定材料 I59940.doc

S •42- 201234584 (包含光可界定玻璃材料）或非光可界定玻璃材料允許藉由 一相對快速體沈積（舉例而言，藉由一旋轉塗佈製程）而非 一較慢化學氣相沈積來形成光轉向膜，另外，在某些實施 方案中，該光轉向膜可比某些化學氣相沈積材料更迅速地 被蝕刻《舉例而言，可使用一顯影蝕刻（其可係一濕式蝕 • 刻）來触刻該等光可界定材料。此外，由於光轉向膜本身 係光可界定的，因此不需要一單獨遮罩形成及圖案轉移步 驟來界定光轉向膜中之凹口。因此，可增加製造輸送量’ 藉此減少製造成本《另外，該等材料之成本可低於化學氣 相沈積材料之成本，藉此進一步減少製造成本。 應瞭解，本文中所闡述之照明系統可以各種方式製造。 圖19展示圖解說明一照明系統之一製造製程之一流程圖之 一實例。提供200—光導。提供210安置於該光導之一主表 面上方之一光學透射鈍化層。該鈍化層係一濕氣障壁，如 本文中所闡述。該光導可對應於光導12〇(舉例而言，參見 圖9 A至11及圖14至19F) ’如本文中所闡述。該鈍化層可對 應於鈍化層110(舉例而言，參見圖丨〇至U、圖14至17及圖 18F)，如本文中所闡述。 提供光導200可涵蓋提供一光導作為一面板。該光導可 具備複數個光轉向特徵，諸如特徵121(圖9A至11、圖14至 17及圖18D至18F)。可藉由蝕刻該面板以界定此等特徵之 凹口且然後視情況在該等凹口之壁上沈積及圖案化塗層 140(圖9A至11、圖14至Π及圖18D至18E)來形成該等特 徵。在某些實施方案中，在圖案化塗層140之前沈積鈍化 159940.doc -43- 201234584 層11 0然後，可將鈍化層11 〇與塗層140同時圖案化。 在某二其他實施方案中’光轉向特徵121可形成於稍後 附著至τ伏支撐層之—光轉向膜128中。因此，可在附 著至支樓層之則執行該等光轉向特徵之凹口之形成。在某 二實施方案中，可在附著至支撐層之前施加塗層及/或 鈍化層110。在其他實施方案中，卩在附著至支撐層之後 施加塗層140及/或鈍化層11〇。 提供純化層110可包含在該光導上沈積純化層】.可藉 由此項技術中已知的各種方法來達成該沈積，包含化學氣 相沈積纟某些貫施方案中，光導12〇之頂部表面塗佈有 鈍化層110。在某些其他實施方案中，光導之頂部表面 及底部表面兩者皆塗佈有一鈍化層。塗佈光導120之頂部 表面及底部表面兩者可包含在每一表面上單獨地沈積純化 :，或可包含用鈍化層11〇同時塗佈其他表面。舉例而 言，光導120可經歷-濕式塗佈製程，其中光導120之兩個 表面同時曝露於塗佈試劑以在光導120之每一側上形成一 鈍化層110。在某些實施方案中，塗佈或沈積製程之程度 經測定以使得最終鈍化層110具有約50 nm或更大之一厚度 以用作一濕氣障壁及一抗反射塗層兩者。 又 圖20A及20B展示圖解說明包含複數個干涉調變器之 顯示裝置40之系統方塊圖之實例。舉例而$，顯示裝置川 可係-蜂巢式或行動電話。然而，顯示裝置40之相同組件 或其稍微變化形式亦圖解說明諸如電視、電子閱讀器及可 攜式媒體播放器等各種類型之顯示裝置。 ,59940doC -44·

S 201234584 顯示裝置40包含一殼體41、一顯示器3〇、一天線43、— 揚聲器45、一輸入裝置48及一麥克風46。殼體41可由各種 各樣之製造製程（包含注入模製及真空形成）中之任一者形 成。另外’殼體41可由各種各樣之材料令之任一者製成， 該等材料包含但不限於：塑膠、金屬、破螭、橡膠及陶究 或其-組合。殼體可包含可與具有不同色彩或含有不同 標誌、圖片或符號之其他可移除部分互換之可移除部分。 顯示器30可係各種各樣之顯示器中之任—者，包含一雜 穩態顯不器或類比顯示器’如本文申所闡述。顯示器儿亦 可經組態以包含一平板顯示器（諸如，電漿、EL、〇led、 STN LCD或TFT LCD)或一非平板顯示器（諸如一 crt或 其他電子管裝置）。另外，顯示器3〇可包含一干涉調變器 顯示器，如本文中所闡述》 置4 0之組件。顯示 在圖20B中示意性地圖解說明顯示裝 裝置40包含-殼體41且可包含至少部分地包封於其中之額 外組件。舉例而言，顯示裝置4〇包含一網路介面2;，該網 路介面包含耗合至-收發器47之-天線43。收發器”連接 至-處理器2卜該處理器連接至調節硬體52。調節硬體52 可經組Μ調節—信號（舉例而言’過遽一信號調節硬 體52連接至-揚聲器45及一麥克風心處理器㈣連接至 -輸入裝置48及一驅動器控制器驅動器控制器29搞合 至-圖框緩衝器28且耦合至一陣列驅動器。，該陣列驅動 器又耦合至-顯示器陣列3〇β —電源5〇可按照特定顯示裝 置40設計之需要將電力提供至所有組件。 159940.doc •45- 201234584 網路介面27包含天線43及收發器47以使得顯示裝置4〇可 經由一網路而與一或多個裝置通信。網路介面27亦可具有 某些處理能力以緩解（舉例而言）處理器21之資料處理要 求。天線43可發射及接收信號。在某些實施方案中，天線 43 根據 IEEE 16.11 標準（包含 IEEE 16.11(a)、（b)或（g))或 IEEE 802· 11標準（包含IEEE 802.11a、b、g或η)發射及接收 RF信號。在某些其他實施方案中，天線43根據藍芽 (BLUETOOTH)標準發射及接收RF信號。在一蜂巢式電話 之情形下，天線43經設計以接收分碼多重存取（CDMA)、 分頻多重存取（FDM A)、分時多重存取（TDMA)、全球行動 通信系統（GSM)、GSM/通用封包無線電服務（GPRS)、增 強型資料GSM環境（EDGE)、地面中繼式無線電（TETRA)、 寬頻-CDMA(W-CDMA)、演進資料最佳化（EV-DO)、lxEV-DO、EV-DO修訂版A、EV-DO修訂版B、高速封包存取 (HSPA)、高速下行鏈路封包存取（HSDPA)、高速上行鏈路 封包存取（HSUPA)、經演進之高速封包存取（HSPA+)、長 期演進（LTE)、AMPS或用以在一無線網路内（諸如，利用 3G或4G技術之一系統）通信之其他已知信號。收發器47可 預處理自天線43接收之信號，以使得其可由處理器21接收 並進一步處置。收發器47亦可處理自處理器21接收之信 號，以使得可經由天線43自顯示裝置40發射該等信號。 在某些實施方案中，可由一接收器替換收發器47。另 外，可由一影像源來替換網路介面27，該影像源可儲存或 產生欲發送至處理器21之影像資料。處理器21可控制顯示

159940.doc -46 · S 201234584 裝置4〇之整個操作。處理写2〗自倒致八 收貧科（堵如，經壓縮影像f 像資料或處理成容易被處理亥資料處理成原始影 易被處理成原始影像資料之一格式。處 理器21可將經處理資料發送至驅動器控制器29或發送至圖 框緩衝器28以供儲存。原始資料通常係指在-影像内之每 位置處識別影像特性$咨 s ㈣之貧讯。舉例而言，此等影像特性 可包含色彩、飽和度及灰度階。 處理器21可包含一微控制器、cpu或用以控制顯示裝置 4〇之操作之邏輯單元。調節硬體讲包含用於將信號傳輸 至揚聲器45及用於自麥克風46接收信號之放大器及遽波 器。調節硬體52可係顯示裝置4G内之離散組件，或可併入 於處理器2 1或其他組件内。 驅動器控制器29可直接自處理器21或自圖框緩衝器卿 取由處理器2i產生之原始影像資料，且可適當地重新格式 化原始影像資料以用於高速傳輸至陣列驅動器22。在某些 實施方案中’驅動器控制器29可將原始影像資料重新格^ 化成具有一光柵樣格式之一資料流，以使得其具有適合於 跨越顯示器陣列30進行掃描之一時間次序。然後，驅動器 控制器29將經格式化資訊發送至陣列驅動器22。儘管—驅 動器控制器29(諸如，一 LCD控制器）經常作為一獨立式積 體電路（1C)與系統處理器21相關聯，但此等控制器可以諸 多形式實施。舉例而言，控制器可作為硬體嵌入於處理器 21中、作為軟體嵌入於處理器21中或以硬體形式與陣列驅 動器22完全整合在一起。 159940.doc •47· 201234584 陣列驅動器22可自驅動器控制器29接收經格式化資訊且 可將視訊資料重新格式化成一組平行波形，該組平行波形 每秒多次地施加至來自顯示器之x_y像素矩陣之數百條且 有時數千條（或更多）引線。 在某些實施方案中，驅動器控制器29、陣列驅動器22及 顯示器陣列30適用於本文中所闡述之顯示器類型中之任一 者。舉例而言，驅動器控制器29可係一習用顯示器控制器 或雙穩態顯示器控制器（舉例而言，一 IMOD控制器）》 另外，陣列驅動器22可係一習用驅動器或一雙穩態顯示器 驅動器（舉例而言，一 IM〇D顯示器驅動器）。此外，顯示 益陣列30可係一習用顯示器陣列或一雙穩態顧示器陣列 (舉例而言，包含一1MOD陣列之一顯示器）。在某些實施 方案中，驅動器控制器29可與陣列驅動器22整合在一起。 :::施方案在諸如蜂巢式電話、手錶及其他小面積顯示 器等高度整合系統中係常見的。 在某些實施方案中，輸入裝置48可經組態以允許（舉例 使用者控制顯示裝置4〇之操作。輸入裝置48可包 =一小鍵盤（諸如’-qWERTy鍵盤或一電話小鍵盤）、一 :鈕-開關、一搖桿、一觸敏式螢幕或一壓敏或熱敏 每。麥克風46可組態為顯示裝置4〇之一輸入裝置。在某些 方案巾’可使用透過麥克風46之語音命令來控制顯示 裝置4〇之操作。 :源50可包含此項技術中眾所周知之各種各樣之能量儲 、置舉例而& ’電源5〇可係—可再充電式蓄電池諸 159940.doc

S •48· 201234584 如鎳-鎘蓄電池或鋰離子蓄電池。電源5〇亦可係一可再生 月b源、一電容器或一太陽能電池’包含一塑膠太陽能電池 及太陽能電池塗料。電源50亦可經組態以自—壁式插座接 收電力。 在某些實施方案中，控制可程式化性駐存於驅動器控制 器29中，該驅動器控制器可位於電子顯示系統中之數個地 方中。在某些其他實施方案中’控制可程式化性駐存於陣 列驅動器22中。上文所闡述之最佳化可以任一數目之硬體 及/或軟體組件實施且可以各種組態實施。 可將結合本文中所揭示之實施方案闡述之各種說明性邏 輯、邏輯區塊、模組、電路及演算法步驟實施為電子硬 體、電腦軟體或兩者之組合。已就功能性大體闡述了硬體 與軟體之可互換性且在上文所闡述之各種說明性組件、區 塊、模組、電路及步驟中圖解說明瞭硬體與軟體之可互換 性。此功能性系實施成硬體還是軟體相依於特定應用及強 加於整個系統之設計約束。 可藉助一通用單晶片或多晶片處理器、一數位信號處理. 器（DSP)、一專用積體電路（ASIC)、一現場可程式化閘陣 列（FPGA)或其他可程式化邏輯裝置、離散閘或電晶體邏 輯、離散硬體組件或經設計以執行本文中所闡述功能之其 任一組合來實施或執行用於實施結合本文中所揭示之態樣 闡述之各種說明性邏輯、邏輯區塊、模組及電路之硬體及 資料處理設備。一通用處理器可係一微處理器或任—習用 處理器、控制器、微控制器或狀態機。一處理器亦可實施 159940.doc -49· 201234584 為計算裝置之一組合，舉例而言，一Dsp與一微處理器、 複數個微處理器、結合—Dsp核心之一或多個微處理器或 =一其他此組態之—組合。在某些實施方案中，可藉由特 定於一既定功能之電路來執行特定步驟及方法。 在一或多個態樣中，可以硬體、數位電子電路、電腦軟 體勒體（包含本說明書中所揭示之結構及其結構等效物） 或其任組合來實施所闡述之功能。亦可將本說明書中所 闡述之標的物之實施方案實施為一或多個電腦程式，亦 即’編碼於一電腦儲存媒體上以供資料處理設備執行或用 乂控制資料處理設備之操作之-或多個電腦程式指令模 組。 、 熟習此項技術者可易於明瞭對本發明中所闡述之實施方 案之各種修改’且本文中所界^之―般原理可適用於其他 實施方案而不背離本發明之精神或料1此，該等申請 專利範圍並非意欲限於本文中所展示之實施方案，而』 予與本文中所揭示之本揭示内容、原理及新穎特徵相一致 之最寬廣範疇，「例示性」在本文中專用於意指「充 當一實例、例項或圖解說明」。在本文中闡述為「例示 性」之任-實施方案未必解釋為比其他實施方案更佳或更 有利另外，熟習此項技術者應易於瞭解，術語「上部」 及「下部」有時係用於便於闡述該等圖，且指示對應於該 圖在-適當定向之頁面上之定向之相對位置，且可不反映 如所實施之IMOD之適當定向。 亦可將本說明書中在單獨實施方案之背景下閣述之某些 159940.doc

S -50- 201234584 特徵以組合形式實施於一單個實施方案中。相反地，亦可 將在-單個實施方案之背景下闡述之各種特徵單獨地或以 ::-適合子組合之形式實施於多個實施方案中。此外，儘 管上文可將特徵闡述為以某些組合之形式起作用且甚至最 初係如此主張的，伸在宜此味 彳-在某些情形下，可自一所主張之組合 去除來自„亥且口之一或多個特徵，且所主張之組合可係關 於一子組合或一子組合之變化形式。 類似地’儘管在該等圖式中以一特定次序繪示操作但 不應將此理解為需要以所展示之特定次序或以順序次序執 行此等操作或執行所有所圖解說明之操作以達成期望之6士 果。此外，該等圖式可以一流程圖之形式示意性地繪示_ 或多個實例性過程。然而，可將未繪示之其他操作併入於 示意性地圖解說明之實例性過程中。舉例而言，可圖 解說明操作中之任一者之二 · 壬者之别、之後、同時或之間執行 夕個額外操作。在某此愔 夕 利的。此外，上文=務及平行處理可係有 文所闡述之貫施方案中之各種系統組件之 为離不應被理解為需要在所有實施方案中進行此分離，而 應理解為所_之程式組件及系統通f可—起整合於 個軟體產品令或封裝至多個 方案亦屬於以下申請專财其他實施 圍之範疇内。在某些情形下，

::一動作…不-序執行且仍達 【圖式簡單說明J 圖1展示繚示一干涉調變器（m〇D)顯示裝置 之 系列像 I59940.doc

-5N 201234584 顯示器之一電 素中之兩個毗鄰像素之一等軸視圖之—實例 圖2展示圖解說明併入有一 3χ3干涉調變器 子裝置之一系統方塊圖之—實例。 圖3展示圖解說明圊丨之干涉調變器 j私動反射層位置 與所施加電壓之關係曲線之一圖之一實例。 圖4展示圖解說明當施加各種共同電廢及分段電壓時一 干涉調變器之各種狀態之一表之一實例。 圖5A展示圖解說明在圖2之3χ3干涉調變器顯示器中之一 顯示資料圓框之一圖之一實例。 圖5B展示可用於寫入圖5A中所圖解說明之顯示資料圖 框之共同信號及分段信號之一時序圖之一實例。 圖όΑ展示圖丨之干涉調變器顯示器之一部分剖面圖之一 貫例。 圖6Β至6Ε展示干涉調變器之不同實施方案之剖面圖之 實例。 圖7展示圖解說明一干涉調變器之一製造製程之一流程 圖之一實例。 圖8Α至8Ε展示製成一干涉調變器之一方法中之各種階 段之剖面示意性圖解之實例。 圖9 Α展示一照明系統之一剖面圖之一實例。 圖9B展示一光轉向特徵之一剖面圖之一實例。 圖10展示具備安置於一光導上方之一純化層之一照明系 統之一剖面圖之—實例。 圖11展示具備光學解耦層之一照明系統之一剖面圖之一 159940.doc • 52-

S 201234584 實例。 圖12展示直接位於一光導上之一鈍化層之反射率與厚卢 之關係曲線之一標繪圖。 圖13展示直接位於一光轉向特徵上之一鈍化層之反射率 與厚度之關係曲線之一標繪圖。 圖14展示具有多個鈍化層之一照明系統之一剖面圖之一 實例。 圖15A及15B展示具有一上覆鈍化層之一光轉向特徵及 一光導之一剖面圖之一實例。 圖16A及16B展示具有一上覆經圖案化鈍化層之一光轉 向特徵及光導之一照明系統之一剖面圖之一實例。 圖17展示具備一多層光導之一照明系統之一剖面圖之一 實例。 圖18A至18F展示用於製造一照明系統之一製程序列中 之各種階段處之照明系統之刮面圖之實例。 圖19展示圖解說明一照明系統之一製造製程之_流程圖 之一實例。 圖20A及20B展示圖解說明包含複數個干涉調變器之一 顯示裝置之系統方塊圖之實例。 【主要元件符號說明】 12 干涉調變器/像素 13 光 14 可移動反射層 14a 反射子層 159940.doc -53- 201234584 14b 支撐層 14c 導電層 15 光 16 光學堆疊 16a 吸收器層 16b 電介質 18 支撐件/支撐柱. 19 間隙 20 基板 21 處理器 22 陣列驅動器 23 黑色遮罩結構 24 列驅動器電路 25 犧牲層 26 行驅動器電路 27 網路介面 28 驅動器控制器 29 圖框緩衝器 30 顯示器陣列或面板/顯示器 32 繫鏈 34 可變形層 35 間隔件層 40 顯示裝置 41 殼體 159940.doc -54- 天線 揚聲器 麥克風 收發器 輸入裝置 電源 調節硬體 第一線時間 第二線時間 第三線時間 第四線時間 第五線時間 高分段電壓 低分段電壓 高保持電壓 高定址電壓 低保持電壓 低定址電壓 鈍化層 鈍化層 光導 光轉向特徵 反射層 間隔件層 -55- 201234584 124 部分反射層 125 開口 126 光轉向特徵之側面 127 光轉向特徵之側面 128 光轉向膜 129 支撐層 130 光源 131 凹口 140 反射塗層 160 反射顯示器 170 觀看者 180a 光學解耦層 180b 光學解耦層 190 導電特徵 -56- 159940.doc

Claims (1)

1. 201234584 七、申請專利範圍： 1. 一種照明系統，其包括： 一光導；及 一保形光學透射電介質鈍化層，其安置於該光導之一 第一主表面上方，其中該純化層係一濕氣障壁。 2. 如請求項1之照明系統，其中該鈍化層之一折射率小於 該光導之一折射率。 3. 如請求項2之照明系統，其進一步包括在該鈍化層上方 之一光學解耦層，其中該光學解耦層之折射率小於該鈍 化層之一折射率。 4. 如請求項3之照明系統，其中該鈍化層構成一干涉抗反 射塗層。 5. 如請求項3之照明系統，其中該鈍化層之該折射率係約 RIps，其中： RIps=4^h^RI0DL 其中RIlg係該光導之該折射率；且 rI〇dl係該光學解耗層之該折射率。 6·如請求項3之照明系統，其中該鈍化層具有約咒或更 大之一厚度。 7·如請求項6之照明系統，其中該厚度係約乃11爪至125 nm ° 8.如請求項丨之照明系統’其中該光導包含界定為該光導 之该第-主表面上之凹口之部分之複數個光轉向特徵。 之照明μ ’其中該等光轉向特徵包含直接 159940.doc 201234584 安置於該等凹口之表面上之—或多個金屬層。 1〇•如請求項9之照明系統，纟中該—或多個金屬層包含藉 由一光學透射間隔件層而與一反射金屬層分離之一部分 反射金屬層。 11 ·如凊求項9之照明系統，其中該鈍化層係一毯覆鈍化 層，其延伸跨越該主表面且連續延伸於光轉向特徵之 間。 12. 如請求項9之照明系統，其中該鈍化層係一經圖案化鈍 化層其具有貫質上位於該等光轉向特徵處之若干經圖 案化部分。 13. 如請求項12之照明系統，其中該鈍化層覆蓋該一或多個 反射層之一頂部，而曝露該—或多個反射層之側面。 14. 如請求項12之照明系統，其中該光導係—多層結構，其 具有—基板及其中形成該等光轉向特徵之一上覆玻璃 層0 15. 如，求項i之照明系統，其中該鈍化層具有約〇 〇 g/m2/曰或更小之一透濕係數。 16. 如請求項丨之照明系統，其中該鈍化層由氧化矽形成。 17·如請求項丨之照明系統，其進一步包括在與誃 面相辦的該光導之一第二主表面上之一第二純化層。 18.如，求項i之照明系統’其進一步包括具有面向該光· 之°亥第〜主表面之一主表面之一顯示器。 19·如請求項18之照明系統，其中該顯示器包含一 器顯示元件陣列。 步调， 159940.doc S 2- 201234584 20.如請求項1 8之照明糸 糸統，其進—步包括： 一處理器’其經龟離 _ ^ 、心乂 一 β亥顯不器通信，該處理器經 組態以處理影像資料；及 一記憶體裝置， 如請求項2 0之照明 一驅動器電路， 顯示器。 21 其經組態以與該處理器通信。 系統，其進一步包括： 其經組態以將至少一個信號發送至該 22.如請求項21之照明系統，其進一步包括： -控制器’其經組態以將該影像資料之至少一部分發 送至該驅動器電路。 23_如請求項20之照明系統，其進一步包括： -影像㈣組’其經組態以彳㈣影像資料發送至該處 理器。 24. 如請求項23之照明系統’其中該影像源模組包含一接收 器、收發器及發射器中之至少一者。 25. 如請求項16之照明系統，其進一步包括： 一輸入裝置，其經組態以接收輸入資料並將該輸入資 料傳達至該處理器。 26. —種用於製造一照明裝置之方法，其包括： 提供一光導；及. 提供安置於該光導之一主表面上方之一保形光學透射 電介質純化層，其中該鈍化層係一濕氣障壁。 27_如請求項26之方法’其中提供該保形光學透射電介質純 化層包含執行一毯覆沈積以形成一毯覆鈍化層。 159940.doc 201234584 28. 如請求項26之方法，其中提供該光導包含： 藉由以下操作在該光導中形成複數個光轉向特徵： 在該光導中界定複數個凹口；及 將一反射金屬層沈積於該等光轉向特徵上。 29. 如請求項28之方法’其進一步包括圖案化該鈍化層以移 除延伸於該等光轉向特徵之間的該鈍化層之若干部分。 30. 如請求項29之方法，其中該光導係一多層結構，其具有 一基板及其中形成該等光轉向特徵之一上覆玻璃層。 31·如s青求項28之方法，其中圖案化該鈍化層包含同時圖案 化該鈍化層及該金屬層，其中該金屬層下伏於該鈍化 層。 3 2.如請求項26之方法，其中提供該保形光學透射電介質鈍 化層包含將该保形光學透射電介質純化層沈積於該光導 上達約50 nm至125 nm之一總厚度。 33. 如請求項32之方法，其進一步包括在該鈍化層上方形成 一光學解耦層，該光學解耦層具有低於該鈍化層之一折 射率的一折射率，該鈍化層具有低於該光導之一折射率 的一折射率。 34. —種照明系統，其包括： 一光導；及 用於阻擋濕氣滲透至該光導之一主表面之至少某些部 分之一構件。 35. 如請求項34之照明系統，其中該光導包含下伏於用於阻 擋濕氣滲透之該構件之複數個光轉向特徵，其中用於阻 159940.doc S 201234584 播濕氣滲透之該構件係經組態以阻擋濕氣參透至該等光 轉向特徵之一保形鈍化層。 36.如請求項35之照明系統，其中該保形鈍化層係一經圖案 化純化層’其具有實質上位於該等光轉向特徵處之若干 經圖案化部分。 37·如請求項36之照明系統，其中該光導係一多層結構，其 具有一基板及其令形成該等光轉向特徵之一上覆玻璃 層。 38.如請求項35之照明系統，其中該鈍化層具有約！ g/m2/日 或更小之一透濕係數。 3 9 ·如請求項3 8之照明系統’其中該鈍化層構成一抗反射塗 層。 40.如請求項39之照明系統’其中該鈍化層具有約5〇 nm至 125 nm之一厚度。 41 ·如請求項40之照明系統，其中該抗反射塗層具有小於該 光導之一折射率的一折射率。 42·如請求項41之照明系統，其進一步包括在該抗反射塗層 上方且與該抗反射塗層接觸之一光學解耦層，該光學解 耦層具有低於該抗反射塗層之一折射率。 159940.doc