TW201233458A - Spray deposition module for an in-line processing system - Google Patents

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201233458 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明之實施例大體而言係關於鐘離子電池及電池單 、 元組件，且更特定而言’本發明之實施例係關於用於使 用喷麗沈積技術來製造結構之系統及設備，該結構可包 括雙層電池單元及雙層電池單元組件。 【先前技術】 大容量能量儲存裝置（諸如，鋰離子（Li_ion)電池組） 用於愈來愈多的應用中，包括可攜式電子設備、醫療、 運輸、格網連接之大型能量儲存器、再生能量儲存器及 不斷電電源供應器（uninterruptible power supply ; UPS)。 對於大部分能量儲存裝置之應用而言，能量儲存裝置 之充電時間及能量容量為重要參數。另外，尺寸、重量 及/或製造此等能量儲存裝置之費用為顯著因素。 一種用於製造能量儲存裝置之方法主要基於將陰極活 性材料或陽極活性材料之黏性粉末漿體混合物狹縫塗佈 至導電集電器上，繼之以長期加熱，以形成乾燥的鑄造 " 片並防止破裂。在蒸發溶劑之乾燥後的電極之厚度最終 • 由壓縮或壓延來決定，壓縮或壓延可調整最終層之密度 及孔隙率。黏性漿體之狹缝塗佈為高度發展之製造技 術，非常依賴漿體之配方、形成及均質性。形成之活性 層對乾燥製程之速率及熱細節極度敏感。 201233458 ^技術之其他問題及限制中之—者為緩慢且昂貴的乾 燥。p件該乾燥部件需要大的長形佔地面積及精巧之收 集與再循環系統，供蒸發之揮發性組分所用。許多這些 揮發性組分為揮發性有機化合物，該等揮發性有機化合 物另外需要精巧的減弱系統。另外，此等類型之電極所 產生之導電率亦限制了電極之厚度並因此限制電極之 容量。 因此此項技術中需要用於更成本有效地製造更快充 電更同谷量之能量儲存裝置之系統及設備，該等能量 儲存裝置更小、更輕且可以高生產速率來製造。 【發明内容】 本發月之實施例大體而言係關於鋰離子電池及電池單 讀件’且更特定而言，本發明之實施例係、關於一種用 ;使用嗔;麗沈積技術來製造結構之系統及設備，該等結 構可包括雙層電池單元及雙層電池單元組件。在一個實 施例中’本發明提供—種用於在撓性導電基板之相對側 上同時沈積陽極活性材料或陰極活性材料之設備。撓性 =電基板可水平定向或垂直定向。該設備包含：模組腔 室主體，該模組腔室主體界定—或更多個處理區域，撓 性導電基板在該-或更多個處理區域中曝露於雙側沈積 製程’其中該-或更多個處理區域中之每—者進一步分 隔為第―魏沈積區域及第：_沈積區域，用於將活 性材料同時喷灑至撓性導電基板之一部分的相對側上； 201233458 第喷灑分配器g，該第一喷麗分配器匡安置在第一喷 灑沈積區域中’用於向挽性導電基板錢活性材料；第 可移動收集擋閘，該第一可移動枚集擋閘安置在第-:尤積區域中，用於當處在閉合位置時阻擋來自第一 噴灑分配器£之活性材料的流動路徑；第二喷麗分配器 匣’該第二喷灑分配器匣安置在第二喷灑沈積區域中， 用於向撓性導電基板㈣活性材料；以及第二可移動收 集擋閘’該第二可移動收集擋閘安置在第二喷灑沈積區 域中’用於當處在閉合位置時阻檔來自第二噴灑分配器 ®之活性材料的流動路徑。 在另一實施例中，本發明提供一種用於在撓性導電基 板之相對側上同時沈積陽極活性材料或陰極活性材料之 :組基板處理系統。該模組基板處理系統包含：模組微 、=構形成腔至，該模組微結構形成腔室經設置以在撓性 導電基板上形成複數個導電凹穴（c〇nductivep〇cket);雙 側活材料喷屢腔室，該雙側活性材料喷丨麗腔室用於在 該複數個導電凹穴上沈積活性材料，其中喷灑沈積腔室 具有一或更多個處理區域，撓性導電基板在該一或更多 個處理區域中曝露於雙側沈積製程，其中該一或更多個 處理區域中之每一者進一步分隔為第一喷灑沈積區域及 第二喷麗沈積區域，該第一 t麗沈積區域及第三喷麗沈 積區域各自用於將陽極活性材料或陰極活性材料同時喷 灌至撓性導電基板之-部分的相對側上；第—賴分配 器匣，該第一喷灑分配器匣安置在第一喷灑沈積區域 201233458 集擋閉，該第—送活性材料；第-可移動收 域中，用收集㈣安置在第—噴遲沈積區 活性材料^合位置時阻擔來自㈣分配器匿之 ==動路徑並收集活性材料，而當處在開放位 器匿二第:料向撓性導電基板流動；第二嗔讓分配 中，用二；配器厘安置在第二心沈積區域 隼二：生導電基板遞送活性材料；第二可移動收 :用第二可移動收集擋閘安置在第二喷麗沈積區 …f生：“在閉合位置時阻擋來自第二喷灌分配器 料的流動路徑並收集活性材料，而當處在開 置時允料性㈣向撓性導電基板㈣；以及 =構，該基板轉移機構經設置以在該等腔 徺性導電基板。 在又-實施例中，本發明提供_種用於在換性導電基 板之相對側上同時沈積電活性材料之方法。該方法包含 ==平移撓性導電基板之—部分穿過第—噴麗分 _與第二喷灌分配器£之間的雙側活性材料喷麗腔 至之第-處理區域，撓性導電基板上沈積有三維多孔社 構；使用第，分配器^及第二嘴灑分配器g，在： 板之該部分上嗜麗第一電活性材料，以形成第一層，該 撓性導電基板之相對側上具有該三維多孔結構；平移繞 性導電基板之該部分穿過第三喷壤分配器g與第四嘴壤 分配器ϋ之間的喷灑沈積腔室之第二處理區域，撓性導 電基板上沈積有第一電活性材料；以及使用第三噴灑分 7 201233458 配器匣及第四喷灑分配器匣，在撓性導電基板之相對側 上之第一電活性材料上喷灑第二電活性材料，其中第一 , 處理腔室與第二處理腔室彼此隔離，以防止交叉污染。 【實施方式】

本發明之實施例大體而言係關於鋰離子電池及電池單 元組件，且更特定而言，本發明之實施例係關於一種用 於使用喷灑沈積技術來製造結構之系統及設備，該等結 構可包括雙層電池單元及雙層電池單元組件。喷灑沈積 技術包括（但不限於）靜電噴灑技術、電漿喷灑技術， 及熱或火焰喷灑技術。本文描述之某些實施例包括：藉 由使用喷灑沈積技術將電活性粉末（例如，陰極活性材 料或陽極活性材料）併入三維導電多孔結構中，以在基 板上形成陽極活性層或陰極活性層，來製造電池單元電 極，該基板充當集電器，例如，用於陽極之銅基板及用 於陰極之鋁基板。對於雙層電池單元及電池單元組件而 言，可同時處理被處理基板之相對側，以形成雙層結構。 在2010年7月19曰申請之名稱為「COMPRRESSED POWDER 3D BATTERY ELECTRODE MANUFACTURING」之共同讓渡給Bachrach等人之美 * 國專利申請案第 12/839,051 號（代理人案號 APPM/014080/EES/AEP/ESONG)的第 1、2A 至 2D、3、 5A及5B圖以及相應段落第[0041]至[0066]及[0094]至 [0100]段中描述了可使用本文描述之實施例形成之陽極 8 201233458 結構及陰極結構的示例性實施例’該美國專利申請案之 前述諸圖及段落以引用之方式併入本文。 在某些實施例中，沈積之電活性粉末可包含奈米級尺 寸之粒子及/或微米級尺寸之粒子。在某些實施例中，三 維導電多孔結構係由以下至少一個製程形成：多孔電鍍 製程、壓紋製程或奈米壓印製程。在某些實施例中，三 維導電多孔結構包含導線網孔結構。三維導電多孔結構 之形成決定電極之厚度且提供凹穴或井，可使用本文描 述之系統及設備將陽極活性粉末或陰極活性粉末沈積至 該等凹穴或井中。 可使用本文描述之實施例沈積之陰極活性粉末包括 (但不限於）陰極活性粒子，該等陰極活性粒子選自包 含以下之群組.姑酸鐘（LiCo〇2)、猛酸經（LiMn02)、二 硫化鈦（TiS2)、LiNixCouxMnC^、LiMn204、鐵撖欖石 (LiFeP〇4)及鐵橄欖石之變體（諸如，LiFei xMgp〇4 )、

LiMoP〇4、LiCoP〇4、Li3V2(P〇4)3、LiV〇P〇4、LiMP207、 LiFei.5P2〇7、LiVP〇4F、LiAlP04F、Li5V(P〇4)2F2、 Li5Cr(P〇4)2F2、Li2CoP〇4F、Li2NiP04F、Na5V2(P〇4)2F3、

Li2FeSi〇4、Li2MnSi〇4' Li2V〇si〇4、其他合格粉末、上 述物質的複合物及上述物質的組合β 可使用本文描述之實施例沈積之陽極活性粉末包括 (但不限於）陽極活性粒子，該等陽極活性粒子選自包 含以下之群組：石墨、石墨烯硬碳、碳黑、碳塗佈矽、 錫粒子、銅-錫粒子、氧化錫、碳化矽、矽（非晶或結晶）、 201233458 矽合金、經摻雜的矽、鈦酸鋰、任何其他適當電活性粉 末、上述物質的複合物及上述物質的組合。 亦涵蓋各種類型之基板之使用’本文描述之材料形成 於該等基板上。雖然不限制特定基板（在該特定基板上 可實施本文描述之某些實施例），但是在撓性導電基板上 實施該等實施例尤為有利，該等撓性導電基板包括例如 基於腹板之基板（web-based substrate)、面板及離散片 (discrete sheet)。基板亦可呈箔、膜或薄板之形式。在基 板為垂直定向基板之某些實施例 相對於垂直面成角度。舉例而言 板可相對於垂直面在約1度至約 為水平定向基板之某些實施例中 對於水平面成角度。舉例而言， 中’垂直定向之基板可 ’在某些實施例中，基 20度之間.傾斜。在基板 ，水平定向之基板可相 在某些實施例中，基板 可相對於水平面在，約i度至約2〇度之間傾斜。本文使用 之術語「垂直（Vertiea1)」冑義為撓性導電基板之主表面 或沈積表面相對於水平線正交。本文使用之術語「水平 (h〇riZ〇ntal)」$義為撓性導電基板之主表面《沈積表面 相對於水平線平行。 第1圖示意性地圖示根據本文描述之實施例之線性 (in-line)垂直處理系統1〇〇的一個實施例，線性垂直處 理系統1〇〇包含雙側活性材料喷麗腔室124。在某些實 施例中，處理系統1〇〇包含複數個處理腔室ιι〇至Η#， 該複數個處理腔室呈線狀排列，各個處理腔室經設置以 對挽性導電基板108執行一個處理步驟 。在一個實施例 201233458 中’處理腔室110至134為獨立模組處理腔室，其中各 個模組處理腔室在結構上與其他模組處理腔室分離。因 此，可獨立佈置、重新佈置、置換或維護獨立模組處理 腔室中之每一者，而不彼此影響。在某些實施例中，處 理腔室110至134經設置以處理撓性導電基板1〇8之兩 側。在某些實施例中，處理腔室11〇至134共享共用輸 送架構。在某些實施例中’共用輸送架構包含輥-對-輥 系統（r〇ll-t〇-r〇ll system)，該輥-對-輥系統具有供系統所 用之共用捲取輥（take-up-roll)及饋送輥（feed Γ〇11)。在某 些實施例中’共用輸送架構進一步包含一或更多個中間 轉移滾子’該一或更多個中間轉移滾子定位在捲取輥與 饋送輕之間。在某些實施例中，共用輸送架構為輥對_ 親系統’其中各個腔室具有個別的捲取輥及饋送輥，以 及—或更多個任選的中間轉移滾子該一或更多個任選的 中間轉移滾子定位在捲取輥與饋送輥之間。在某些實施 例中’共用輸送架構包含軌道系統，該軌道系統延伸穿 過處理腔室’並經設置以輸送腹板基板或離散基板。 在—個實施例中，處理系統100包含第一調節模組 110 ’第—調節模組110設置成在撓性導電基板108進入 微結構形成腔室U2以在撓性導電基板丨〇8上形成多孔 …構之前’在撓性導電基板108之至少一部分上執行第 調節製程。在某些實施例中，第一調節模組110設置 成執行以下至少一者：加熱撓性導電基板108，以增加 201233458 撓性導電基板10 8之塑性流動；清潔撓性導電基板丨〇 8 ; 以及預濕或清洗撓性導電基板1 〇8之部分。

在微結構形成腔室112為壓紋腔室之某些實施例中， 該腔室可經設置以壓印撓性導電基板1〇8之兩側。在 2010年7月19曰申請之名稱為「CQMPRRESSED

POWDER 3D

BATTERY ELECTRODE MANUFACTURING」之共同讓渡給Bachrach等人之美 國專利申請案第12/839,051號（代理人案號 APPM/014080/EES/AEP/ESONG)的第 4B 圖及相應段落 第[0087]至[〇〇9〇]段中描述了可與本文描述之實施例一 起使用之壓紋腔室的一個示例性實施例，該美國專利申 請案之第4B圖及相應段落第[〇〇87]至[〇〇9〇]段以引用之 方式併入本文。在某些實施例中，微結構形成腔室112 為電鍍腔室，該電鍍腔室設置成在撓性導電基板1〇8之 至乂 部分上執行第一電鍍製程（例如，銅電鍍製程）， 以在撓性導電基板1〇8中形成凹穴或井。 在某些實施例中，處理系統1〇〇進一步包含第二調節 腔至114,第二調節腔室114可鄰接於微結構形成腔室 112而疋位。在某些實施例中，第二調節腔室^4設置 成執行氧化物移除製程，例如，在撓性導電基板包 含^之實施例中’第二調節腔室可設置成執行氧化銘移 除製程。在微結構形成腔室112設置成執行電鍍製程之 某些實施例中，第二調節腔室114可設置成在第一電鍍 12 201233458 製程之後用清洗流體（例如，去 太離子水）自撓性迸雷其 板108之部分清洗並移除任何殘留電鐘液。 ^ 在-個實施例中’處理系統1〇〇進—步包含第二微結 構形成腔室116,第二微結構 丹❿风腔至116可緊責笛-調節腔室114而定位。在— 緊弃第一 實施例中，第二微结構形 成腔室116設置成執行雷鈕制1 , 倣、構办 罝成執仃電鍍製程（例如，錫電鍍），以在 撓性導電基板108上沈積第二導 守电材科。在一個實施例 中’第二微結構形成腔室 &用於在撓性導電基板108 上沈積奈米結構。 在一個實施例中’處理系、統1〇〇進一步包含清洗腔室 us。在-個實施财’清洗腔室u8設置成在電鍵製程 之後使用清洗流體（例如’去離子水）自撓性導電基板 1〇8之部分清洗並移除任何殘留電鑛液。在-個實施例 令’腔室120包含裔， y、 各矾刀（alr-knife)，該氣刀鄰接於清洗 室118而定位。 在一個實施例中，處理系統1〇〇進一步包含預熱腔室 在個實施例中，預熱腔室1 22經設置以將撓性導 電基板⑽曝露於乾燥製程，以自沈積之多孔結構移除 過量欠刀纟一個實施例中，預熱腔t 122含有源，該 、、置成執行乾燥製程’諸如，空氣乾燥製程、紅外線 乾無製程、雷υ 乾燥製程或馬蘭各尼效應（marangoni)乾 燥製程。 在個實施例中’處理系統100進一步包含第一雙側 喷灑塗佈腔至，該第一雙側喷灑塗佈腔室設置成同時在 13 201233458 導電微結構上沈積陽極活性粉末或陰極活性粉末，及/ 或同夺將陽極⑦性粉末或陰極活性粉末沈積至導電微結 構中該導電微結構形成於撓性導電基板108之相對側 - 上。在一個實施例中，第一雙側活性材料喷灑腔室124 為喷灑塗佈腔室，經設置以在導電微結構上沈積粉末， 該導電微結構形成於撓性導電基板108上。 在一個實施例中，處理系統1〇〇進一步包含後乾燥腔 室126，後乾燥腔室126可鄰接於第一雙側活性材料喷 麗腔至124而女置，後乾燥腔室j26經設置以將撓性導 電基板108曝露於乾燥製程。在一個實施例中，後乾燥 腔室126設置成執行乾燥製程，諸如，空氣乾燥製程、 紅外線乾燥製帛、電磁乾燥製程或馬蘭各尼效應乾燥製 程。 、 在一個實施例中，處理系統1〇〇進一步包含第二雙側 活性材料喷灑腔室128，第二雙側活性材料喷灑腔室 可鄰接於後乾燥腔室i26而定位。在一個實施例中，第 二雙側活性材料喷灑腔室128為雙側喷灑塗佈腔室。在 一個實施例中，第二雙側活性材料喷灑腔室128經設置 以在撓性導電基板108上沈積諸如黏合劑之添加劑材 料。在使用兩遍式喷灑塗佈製程（tw〇 pass spray ad% process)之某些實施例中，第一雙側活性材料噴灑腔室 124可設置成使用例如靜電喷灑製程在第一遍期間於撓 性導電基板108上沈積粉末，且第二雙側活性材料喷灑 14 201233458 腔至128亦可設置成 於導雷^ , ㈣作電相製程，以在第二遍令 於導電基板108上沈積粉末。 在一個實施例中，處理系統1〇〇進—步包含壓縮腔室 130’麼縮腔室130可鄰接於後乾燥腔室126而定位，麼 縮腔室130經設置以將撓性導電基板⑽曝綱縮製 程。在-個實施例中，壓縮腔室130經設置以將沈積態 粉末壓縮入導電微結構 再T 在個實施例中，壓縮腔室 13 0經設置以錄由殿μ在 由壓延製程來壓縮粉末。 在一個實施例中’處㈣統⑽進—步包含額外乾燥 ^室132’額外乾燥腔室⑴可鄰接於麼縮腔室130而 疋^且額外乾燥腔至132經設置以將捷性導電基板⑽ 曝露於乾燥製程。在—個會 個實鉍例中，額外乾燥腔室132 設置成執行乾燥製程，諸如，* σ 二氣乾燥製程、紅外線乾 製私、電磁乾盤赵十、$ γ Α '、I程戈馬蘭各尼效應乾燥製程。 在「個實施例中，處理系統⑽進一步包含第三活性 材料沈積腔至134 ’第二活性材料沈積腔室134可鄰接 於額外乾燥腔室132而定位。儘管將第三活性材料沈積 腔室134論料錢塗佈腔室，但是第三活性材料沈積 腔室134可設置成執行任何前述粉末沈積製程。在一個 實施例中，第三活性材料沈積腔室可設置成執行電纺絲 (MM—)製程。在一個實施財，帛三活性材料 沈積腔室134經設以在撓性導電基板上沈積分離器層 (separator layer) ° 15 201233458 處理腔室110至134通常沿線排列，使得可經由共用 輸送架構使撓性導電基板1 08之部分流線地穿過各個腔 至’該共用輸送架構包括饋送輥丨4〇及捲取輥142β在 一個實施例中，處理腔室110至134中之每一者具有分 離的饋送報及捲取輕以及一或更多個任選中間轉移滚 子。在某些實施例中，共用輸送架構包含線性執道系統， 用於輸送離散基板穿過垂直處理系統。在一個實施例 中，可結合一或更多個任選中間轉移滾子在基板轉移期 間同時啓動饋送輥及捲取輥，以逐腔室向前移動撓性導 電基板108之各個部分。 在某些實施例中，垂直處理系統1 〇〇進一步包含額外 處理腔室。額外處理腔室可包含一或更多個處理腔室， 該一或更多個處理腔室選自包含以下腔室之處理腔室之 群組：電化學電鍍腔室、無電沈積腔室、化學氣相沈積 腔室、電漿增強化學氣相沈積腔室、原子層沈積腔室、 清洗腔室、退火腔室、乾燥腔室、喷灑塗佈腔室及上述 腔室的組合。亦應理解，線性處理系統中可包括額外腔 室或較少腔室。另外，應理解，第丨圖中所示之製程流 程僅為示例性的，且可重新佈置處理腔室，以執行其他 製程流程，該等處理流程可按不同次序發生。 可將控制器190與垂直處理系統1〇〇耦接，以控制處 理腔室110至U4、饋送輥Μ0及捲取輥142之操作。 控制器190可包括一或更多個微處理器、微電腦、微控 制器、專用硬體或邏輯及上述控制器的级合。 16 201233458 第2圖為根據本文描述之實施例之第1圖之線性垂直 處理系統100之部分200的剖面俯視示意圖，部分2〇〇 /、有第雙側活性材料喷麗沈積腔室12 4。垂直處理系 、、充100之部分2〇〇包含預熱腔室i22、第一雙側活性材 料喷灑腔室124及後乾燥腔室126。第一雙側活性材料 噴灑腔至124包含模組腔室主體202,模組腔室主體202 可與垂直處理系統1〇〇之其他處理腔室一起安裝，或以 其他方式連接垂直處理系統1〇〇之其他處理腔室。第一 雙側/舌性材料喷灑腔室i 24可與垂直處理系統丄〇〇之其 他腔至共享共用輸送架構。模組腔室主體202界定一或 更多個隔離的處理區域，在一或更多個隔離處理區域 中，可將撓性導電基板（諸如’撓性導電基板1〇8)曝 路於雙側喷麗沈積製程》模組腔室主體2 〇 2可支撐蓋 204 ’蓋204可以较鍵方式附接至腔室主體202。腔室主 體202包括側壁210、内壁212及底壁214，内壁212 將處理區域分隔為兩個分離的處理區域。 第3圖為根據本文描述之實施例之第1圖之垂直處理 系統100之部分200之一個實施例之部分的剖面俯視示 意圖，部分2 0 0具有第一雙側活性材料喷麗腔室12 4 ^ 側壁210、内壁212及底壁214 (參見第3圖）界定兩個 分離的處理區域216、218。側壁210及内壁212界定兩 個矩形處理區域216、218。内壁212定位在兩個處理區 域216、218之間’以使兩個處理區域216、218彼此隔 離，以防止交叉污染。 17 201233458 將各個處理區域216、218進一步分隔為兩個相對喷灑 ’尤積區域，兩個相對喷霧沈積區域用於同時處理基板之 • 相對側。將第一處理區域216分隔為第一喷灑沈積區域 • 220a及第二喷灑沈積區域22〇b ’且亦將第二處理區域 218分隔為第一喷麗沈積區域220c及第二喷灌沈積區域 220d。各個喷麗沈積區域220a至220d係由第一半圓形 泵送通道224a至224d及第二相對半圓形泵送通道226a 至226d界定’第一半圓形栗送通道224a至224d及第二 相對半圓形泵送通道226a至226d中之每一者可延伸達 側壁2 1 0之高度，用於排出來自各個喷灑沈積區域22〇& 至220d之氣體，並控制各個噴灑沈積區域2〇〇a至22〇d 内之壓力。各個半圓形泵送通道224a至224d及半圓形 栗送通道226a至226d係由内壁228a至228h及外壁229a 至229h界定。 各個喷灑沈積區域220a至220d包含喷麗分配器£ 230a至230d及可移動收集擋閘240a至240d ’喷灌分配 器匣23 0a至230d用於向撓性導電基板ι〇8遞送活化前 驅物’可移動收集擋閘240a至240d在處於閉合位置時 用於阻擂活化前驅物之路徑並收集活化前驅物，而在處 • 於開放位置時允許活化前驅物向撓性導電基板1 〇 8流 動。 可移動收集擋閘240a至240d之維度可調整，以延伸 噴灑分配器匣230a至230d之長度，使得可移動收集撐 18 201233458 閑240a至240d將阻擋來自喷灑分配器匣23〇a至230d 之任何分配喷嘴之活化前驅物或其他喷灑的流動。 可將喷灑分配器匣230a至23 0d可移除地插入至腔室 主體202之側壁210中，從而允許容易地移除並更換廢 S或損壞的匣’而對製程流程造成最小的中斷。 可將喷灑分配器匣230a至230d與功率源310耦接， 用於將沈積前驅物曝露於電場，以賦能沈積前驅物。功 率源310可為射頻（radi〇 frequency; RF)源或直流（direct current; DC)源。可將電絕緣體安置在腔室側壁21〇中及 ’或喷灑分配器匣230a至230d中，以將電場限於喷灑分 配器 I£ 230a 至 230d。 亦可將喷灑分配器匣320a至320d與流體供應器340 耦接，流體供應器340用於供應前驅物、處理氣體、處 理材料，諸如，陰極活性粒子、陽極活性粒子、推進劑 及清潔流體。 第4圖為第2圖中所示之第一雙側活性材料喷灑腔室 124之一個實施例的剖面侧視透視圖。如第4圖中所示， 可打開第一雙側活性材料喷灑腔室124之底壁214，以 形成承接盤（catch basin) 410a ' 410b，用於擷取溢出的 前驅物及其他溢出流體。各個承接盤41〇3及4i〇b可具 有相應排放口 420a、420b。在某些實施例中，各個噴灑 沈積區域220a至220d具有分離承接盤，該分離承接盤 定位在各個喷灑沈積區域22〇3至22〇d下方。在某些實 19 201233458 施例中，可移動收集擒間至2_在處於閉合位置 時將溢出的前驅物導$丨至各個承接盤4U)a、410b中。 在一個實施例中’讀分配器£⑽至23()d各自包 含多個分配喷嘴’該多個分配喷嘴經定向並被定位成越 過撓性導電基板4G8之路徑，以在基板於錢分配器匿 230a、230b與喷灑分配器匣23〇c、23〇d之間行進時均 勻覆蓋基板。在某些實施例中，各個粉末分配器艮具有 多個喷嘴，類似於昆23〇&至23〇d’且可將各個粉^分 配器匣設置為所有噴嘴呈線性設置或呈任何其他便利設 置為達成對撓性導電基板之完全覆蓋，各個分配器可 平移越過撓性導電基板408同時噴灑活化前驅物，或者 撓性導電基板408可在喷灑分配器匣230a、230b與喷濃 刀配器匣230c、23 0d之間平移，或進行以上兩種操作。 第5圖為根據本文描述之實施例之喷灑分配器匣23〇 之一個示例性實施例的透視圖。喷灑分配器匣23〇包含 分配器主體502及面板508,分配器主體502與把手506 耦接’以便於置放噴灑分配器匣230及自腔室主體202 移除噴灑分配器匣230，面板508用於將一或更多個喷 灑喷嘴510a至510e定位並固定至分配器主體502。如 第5圖中所示，將複數個喷灑喷嘴510a至510e與面板 5〇8耦接，各個喷灑喷嘴510a至510e具有相應對辅助 喷嘴512a至512e、514a至514e相應對輔助喷嘴512a 至512e、514a至514e定位在各個喷灑喷嘴510a至510e 20 201233458 之相對側上’該等辅助喷嘴用於向前驅物流遞送空氣， 該别驅物流自各個喷霧喷嘴5 1 〇a至5 1 0e流出。 第ό圖為根據本文描述之實施例之噴灑分配器匣之輔 助喷嘴之定向之一個實施例的透視圖。各個辅助喷嘴 512a 至 512e、514a 至 514e 之中心軸線 604a' 604b 可 相對於中心軸線610以角度α成角度，中心軸線61〇縱 向切各個喷濃喷嘴51〇a至510e之中心。在一個實施 例中，輔助喷嘴512a至5 12e、514a至5 14e中之每一者 可相對於中心軸線以五度與五十度之間的度數獨立成角 度。在另一實施例中’輔助喷嘴512a至512e、514a至 5 14e中之每一者可相對於中心軸線以二十度與三十度 之間的度數獨立成角度。在前驅物流呈液體自喷灑喷嘴 510a至510e流出的某些實施例中，輔助喷嘴512a至 5 12e、514a至5 14e將熱空氣遞送至液體前驅物流，從 而允許飛行中蒸發（in_flight evap0rati〇n)液體前驅物 流’以在到達撓性導電基板1〇8之表面之前將液體的_ 部分與活化材料分離。 分配器主體502之維度可調整，使得可將喷灑分配器 可移動地固定至腔室主體202。噴灑分配器主體502可 沿X方向及y方向中之至少一者移動，以允許變化對撓 性導電基板108之表面的覆蓋度。可調整喷灑分配器匣 23〇a至230d’以增大或減小各個喷嘴510a至510e相對 於繞性導電基板108之間的距離。相對於撓性導電基板 108調整喷麗分配器匣23〇a至23〇d之能力提供對噴壤 21 201233458 圖案之尺寸的控制。舉例而t ’當撓性導電基板⑽與 喷麗喷嘴510a至510e之間的距離增大時，錢圖案展 以覆蓋撓性導電基板108之較大表面區域，然而， 當距離增大時，錢之速度減小。在—個實施例中，換 性導電基板108與喷灑噴嘴51〇a至51〇e之尖端之間的 距離在五公分與二十公分之間。亦應理解，第5圖圖示 一個示例性實施例，且喷灑分配器匣至MM可包 含足以均勻覆蓋撓性導電基板1〇8之期望區域的任何數 量之噴灑喷嘴510及/或輔助噴嘴512、514。在某些實 施例中，可將喷灑喷嘴51〇3至51〇e與致動器耦接，從 而允許噴灑噴嘴相對於噴灑分配器移動。在某些實施例 中，各個喷灑喷嘴510a至510e具有各喷灑喷嘴自身的 々丨•·里控及壓力控制。在某些實施例中，各個辅助喷嘴 512、514具有各辅助喷嘴自身的流量控制及壓力控制。 在一個實施例中，喷灑分配器匣23〇a至23〇d相對於 撓性導電基板108移動，以便在全部撓性導電基板1〇8 上或在撓性導電基板108之實質部分上沈積活化粒子。 此舉可藉由移動喷灑分配器匣23〇a至230d、各個噴麗 分配器匣230a至230d之一或更多個喷灑喷嘴及撓性導 電基板108中之至少一者來實現。在一個實施例中，可 使用致動器來設置喷灑分配器匣23 〇a至23 〇d移動越過 喷麗沈積區域。替代地或另外，饋送輥140及捲取輥142 以及任何可任選之中間轉移滾子可具有定位機構，從而 22 201233458 允許基板沿Z方向移動，以允許均勻覆蓋撓性導電基板 108 ° 可將一或更多個喷嘴中之每一者與混合腔室（未圖示） 耦接，該混合腔室可以用於液體、漿體或懸浮前驅物之 霧化器為特徵，其中沈積前驅物在遞送至喷灑沈積區域 中之前與氣體混合物混合。 在某些實施例中，可將各個喷灑噴嘴510a至510e與 清潔液體源（例如’去離子水源）及不反應氣體源（例 如’氮氣源）搞接，以清潔及消除各個喷灑噴嘴5 1 〇a 至510e之堵塞，從而防止各個喷灑喷嘴51〇a至510e乾 掉。 在某些實施例中，自喷灑分配器匣23 0a至23 0d排出 之氣體混合物包含待沈積於基板上之活化粒子，該等活 化粒子承載於載氣混合物中’且可視情況包含燃燒產 物。氣體混合物可含有水蒸氣、一氧化碳及二氧化碳中 之至少一者，且該氣體混合物可含有微量的汽化電化學 材料，諸如，金屬。在一個實施例中，氣體混合物包含 非反應性載氣組分’諸如’氬氣（Ar)或氮氣，用以 幫助將活化材料遞送至基板。 包含活化粒子之氣體混合物可進一步包含可燃混合 物’用於觸發燃燒反應’燃燒反應釋放熱能並使活化材 料以喷灑圖案向撓性導電基板108傳播。可由噴嘴幾 何、氣流速度及燃燒反應速度中之至少一者來成形噴覆 圖案’以均勻覆蓋撓性導電基板1〇8之實質部分。在嘴 23 201233458 灑分配器匣230a至23 0d包含多個喷灑喷嘴之某些實施 例中’可以線性設置方式或以任何其他便利設置方式安 置喷嘴，當撓性導電基板1 08在相對的多頭喷灑匣之間 行進時，線性設置或任何其他便利設置允許均勻覆蓋撓 性導電基板108之表面。 在活性材料喷灑腔室丨24内調整壓力及氣流，使得當 包含活化粒子及載氣混合物之氣體混合物接觸撓性導電 基板108時’活化粒子留在撓性導電基板ι〇8上，而氣 體自撓性導電基板1〇8反射離開。為防止反射氣體倒流 至自噴灑喷嘴51〇a至510e流出之氣體混合物之路徑 中’使用半圓形泵送通道224a至224d、226a至226d 來建立排氣路徑。排氣流體路徑藉由經由半圓形泵送通 道224a至224d、226a至226d排出來自喷灑沈積區域 220a至220d之反射氣體，來移除來自各個喷灑沈積區 域220a至220d之反射氣體。可將半圓形泵送通道224a =224d' 226a至226(1與排氣門（未圖示）耦接，該排 氣門可具有任何便利設置。排氣門可為腔室主體202之 壁中之單個或多個開口，或安置在腔室主體2〇2之圓周 周圍的半圓形排氣通道。 在-個示例性實施例中，撓性導電基板（諸如，基 則)之一部分穿過側壁21〇中之第—開口 32〇進入活 材料噴麗腔室m’該撓性導電基板上沈積有三維多 結構，且撓性導電基板之-部分穿過㈣分配器 23〇a、230b之間的第一處理區域216，嘴麗分配器 24 201233458

23〇a、23〇b在撓性導電基板1〇8之相對側上之三維多孔 、.’構沈積第粉末，以形成第一層。此後，使用饋送 輥140及捲取輥i 42以及任何可任選之中間轉移滾子使 基板之該。卩分平移穿過喷灑分配器匣Μ〇d之間的 第二處理區域218’其中在第一粉末上沈積第二粉末。 此後已覆蓋有第一粉末及第二粉末之基板之部分穿過 第二開口 330離開活性材料喷灑腔室1Z4，以進行進一 步處理。在2010年丨月13曰申請之名稱為「GRADED electrode technologies for high ENERGY LI ION BATTERIES J之共同讓渡給Wang等人之美國臨時 專利申請案第61/294,628號中描述了可執行之製程及可 使用本文描述之設備形成之結構的示例性實施例，該美 國臨時專利申請案在此以引用之方式全部併入本文。 第7圖為線性處理系統700之另一實施例之局部侧視 示意圖。線性處理系統700之局部區段包含雙側活性材 料喷灑腔室724及撓性基板轉移總成730，雙側活性材 料喷麗腔室7 2 4類似於雙側活性材料喷麗腔室12 4，挽 性基板轉移總成730經設置以移動撓性基板基座並將撓 性基板之部分定位在雙側活性材料喷灑腔室724之噴麗 沈積區域220a、220b中。除可將撓性導電基板710自水 平位置重定向為垂直位置，用於在雙側活性材料嘴麗腔 室724中處理，然後在於雙側活性材料喷灑腔室724中 處理之後可將換性導電基板710重定向回水平位置之 25 201233458 外，雙側活性材㈣腔室724類似於雙側活性 灑腔室124。 . 基板轉移總成別包含饋送輥m及捲取報734，饋 . ㈣732疋位在雙側活性材料嘴麗腔室724下方，捲取 輥734安置在雙側活性材料錢腔室724上方。饋送輕 732及捲取輥734中之每一者經設置以保持撓性導電基 板710之部分。挽性基板轉移總成730設置成在處理期 間饋送並^位在雙側活性材料喷灌腔室724内撓性導電 基板710之部分。 在個實施財，冑饋送g 732及捲取報734中之至 ^ 一者輕接至致動器。饋送致動器及捲取致動器係用以 疋位撓I·生導電基板並將期望的張力施加至撓性導電基 板使知可在撓性導電基板上執行喷灌製程。饋送致動 器及捲取致動器可為DC飼服馬達、步進馬達、機械彈 簧及制動器或其他裝置其他裝置可用以將撓性導電基板 1 〇疋位並固持在雙側活性材料喷灑腔室724内期望位 置處。在一個實施例中，加熱饋送輥732及捲取輥7 W 中之至少一者。 除活性材料喷灑腔室724含有單個處理區域，該單個 處，區域/、有第一喷麗沈積區域220a及第二嗜湛沈積 區域220b ’而雙側活性材料喷灑腔室124具有四個喷灑 沈積區域22〇a、220b、220c及220d之外，雙側活性材 料喷灑腔室724類似於雙侧活性材料噴灑腔室12^^應 26 201233458 理解，系統700可含有額外處理區域，該等額外處理區 域具有多個喷灑沈積區域。 第8圖為線性處理系統800之另一實施例之局部側視 示意圖。線性處理系統800之局部區段包含雙側噴麗腔 室824及撓性基板轉移總成830，雙侧喷灑腔室824類 似於雙侧活性材料喷灑腔室724及雙側活性材料喷灑腔 室124 ’撓性基板轉移總成830經設置以移動撓性導電 基板8 1 0並將撓性基板之部分定位在雙側喷灑腔室824 之喷邀沈積區域220a、220b中。除撓性導電基板81〇 處於水平位置，以在雙侧喷灑腔室824中進行處理之 外，雙侧活性材料喷灑腔室824類似於雙侧喷灑腔室124 及雙侧活性材料喷灑腔室724。 撓性基板轉移總成830包含轉移輥832a、832b。轉移 報832a、832b中之每一者經設置以保持撓性導電基板 810之部分。撓性基板總成830設置成在處理期間饋送 並定位在雙側嘴灑腔室824内撓性導電基板810之部 分。在一個實施例中’加熱轉移輥832a、832b中之至少 一者。 雖然上述内容針對本發明之實施例，但是可在不脫離 本發明之基本範疇的情況下設計本發明之其他及更多實 施例且本發明之範是由以下申請專利範圍來決定。 【圖式簡單說明】 因此可詳細理解本發明之上述特徵結構之方式，即 27 201233458 上文簡要概述之本發明之更特定描述可參照實施例進 行，一些實施例圖示於附加圖式中。然而，應注意，附 . 加圖式僅圖示本發明之典型實施例，且因此不欲將該等 ， 附加圖式視為本發明之範疇之限制，因為本發明可允許 其他同等有效之實施例。 第1圖為根據本文描述之實施例之垂直線性處理系統 之一個實施例的示意圖； 第2圖為根據本文描述之實施例之第1圖之線性垂直 處理系統之部分之一個實施例的透視圖，該線性垂直處 理系統之部分具有雙側喷灑腔室； 第3圖為根據本文描述之實施例之第1圖之垂直線性 處理系統之部分的剖面俯視示意圖，該垂直線性處理系 統之部分具有雙側喷灑腔室； 第4圖為第2圖中所示之雙側喷麗腔室之一個實施例 的刮面側視透視圖； 第5圖為根據本文描述之實施例之喷灑分配器匣之一 個實施例的透視圖； 第6圖為根據本文描述之實施例之喷灑分配器匣之辅 • 助喷嘴之定向之一個實施例的透視圖； • 第7圖為線性處理系統之另一實施例之局部側視示意 圖；以及 第8圖為雙側喷灑腔室之另一實施例之局部側視示意 圖。 為促進理解，在可能的情況下已使用相同元件符號來 28 201233458 表示諸圖所共用之相同元件。設想在於，可將一個實施 例之元件及/或製程步驟有利地併入其他實施例中，無需 . 額外敍述。 29 201233458 【主要元件符號說明】 100 :處理系統 108 :撓性導電基板 110 :調節模組 112 :微結構形成腔室 114 :調節腔室 116 :微結構形成腔室 118 :清洗腔室 120 :腔室 122 :預熱腔室 124:第一雙側活性材料喷灑腔室 126 :後乾燥腔室 128 :雙側活性材料喷灑腔室 130 :壓縮腔室 132 :額外乾燥腔室 134 :活性材料沈積腔室 140 :饋送輥 142 :捲取輥 190 :控制器 200 :部分 202 :模組腔室主體 204 :蓋 210 :側壁 212 :内壁 216 :處理區域 218 :處理區域 220a至220d:第一喷灑沈積區域 224a至224d :第一半圓形泵送通道 226a至226d:第二相對半圓形泵送通道 30 201233458 228a至228h :内壁 229a至229h :外壁 230a至230d :喷灑分配器匣 240a至240d :可移動收集擋閘 310 :功率源 320 :第一開口 330 :第二開口 340 :流體供應器 410a ' 410b ： 420a、420b : 502 :分配器主體 506 :把手 508 :面板 510、510a至510e :喷灑喷嘴 512、512a至512e :辅助噴嘴 514、514a至514e :辅助喷嘴 604a、604b :中心軸線 610 :中心軸線 700、800 :處理系統 710、810 :撓性導電基板 724、824 :雙側活性材料喷灑腔室 730、830 :撓性基板轉移總成 732 :饋送輥 734 :捲取輥 832a、832b :轉移輥 31

Claims (1)

1. 201233458 七、申請專利範圍： ι_ 一種用於在一挽性導電基板之相對側上同時沈積一陽極 . 活性材料或一陰極活性材料之設備，包含： . 一模組腔室主體’該模組腔室主體界定一或更多個處 理區域’該挽性導電基板在該一或更多個處理區域中曝 露於一雙側沈積製程，其中該一或更多個處理區域中之 每一者進一步分隔為—第一喷灑沈積區域及一第二喷灑 沈積區域’該第一噴灑沈積區域及該第二喷灑沈積區域 用於將該活性材料同時喷灑至該撓性導電基板之一部分 之相對側上； 一第一噴漢分配器匣，該第一喷灑分配器匣安置在該 第一喷灑沈積區域中，用於向該撓性導電基板喷灑該活 性材料； 一第一可移動收集擋閘，該第一可移動收集擋閘安置 在該第一喷灑沈積區域中，用於當處在一閉合位置時阻 擋來自該第一喷麗分配器匣之該活性材料之一流動路 徑； 一第二喷灑分配器匣，該第二喷灑分配器匣安置在該 . 第二喷灑沈積區域中，用於向該撓性導電基板喷麗該活 . 性材料；以及 一第二可移動收集擋閘，該第二可移動收集擋問安置 在該第二喷灑沈積區域中，用於當處在—閉合位置時阻 擋來自該第二喷灑分配器匣之該活性材料之一流動路 32 201233458 徑。 .2.如請求項1所述之設備，其中該第一噴灑沈積區域及該 第二喷讓沈積區域中之每一者係由—第一半圓形泵送通 道及一第二半圓形聚送通道界定’該第一半圓形泵送通 道及該第二半圓形泵送通道用於排出來自各個喷灑沈積 區域之氣體並控制各個喷灑沈積區域内之壓力。 3.如π求項1所述之设備，其中該第—噴灑分配器匣及該 第二噴灑分配器匣中之每一者係以可移除方式插入至該 腔室主體之一側壁。 4·如睛求項1所述之設備’其中各個喷灑分配器匣與一電 源耦接，用於將一沈積前驅物曝露於一電場，以賦能一 沈積前驅物，以形成該活性材料。 5.如請求項4所述之設備’其中該電源為一 rf源或一 DC 源0 6.如請求項1所述之設備’其中該模組腔室主體進一步包 含一内壁，該内壁將該一或更多個處理區域分隔為兩個 隔離處理區域，以防止交又污染，各個隔離處理區域包 含一第一喷灑沈積區域及一第二喷灑沈積，該第二喷灑 沈積區域與該第一喷麗沈積區域相對，且該第一喷濃沈 33 201233458 同時處理該撓性導電 積區域及該第二喷灑沈積區域用於 基板之相對側。 7.如請求項1所述之設備，其中各個喷灑分配器匣包含： 一分配器主體； 一面板’該面板耦接該分配器主體，該面板用於相對 於該分配器主體來定位一或更多個喷麗噴嘴；以及 一或更多個喷灑喷嘴，該一或更多個喷灑喷嘴用於向 該撓性導電基板遞送活化材料。 8_如請求項7所述之設備，其中各個喷灑分配器匣進—步 包含： 一對辅助喷灑喷嘴，該對辅助喷灑喷嘴定位在該一或 更多個嘴麗喷嘴中之每一者之相對側上，該對輔助喷麗 噴嘴用於向該活化材料遞送熱空氣，從而允許來自該活 化材料之液體的飛行中蒸發（in_flight evaporation)。 9·如請求項8所述之設備，其中該等辅助噴嘴中之每一者 相對於一中心軸線的獨立角度介於二十度與五十度之 間’該中心軸線縱向橫切各個喷灑喷嘴之一中心。 10.如請求項7所述之設備，其中該喷灑分配器可移動，以 增加或減少各個喷灑喷嘴相對於該撓性導電基板之間的 距離。 34 201233458 11 ·如明求項1所述之設備，進—步包含一活性材料源，該 活14材料源與各個噴灑分配器匣耦接，其中該活性材料 源為一陰極活性材料源，該陰極活性材料源選自由鈷酸 鋰（LiCo〇2)、錳酸鋰（LiMn〇2)、二硫化鈦（TiSj、 LiNixCokMnC^、LiMn204、鐵橄欖石（LiFeP〇4)、 LiFe“xMgP04、LiMoP〇4、LiCoP04、Li3V2(P04)3、 LiVOP〇4、LiMP2〇7、LiFe15P2〇7、LiVP〇4F、LiAlP04F、 Li5V(P〇4)2F2、Li5Cr(P〇4)2F2、Li2CoP〇4F、Li2NiP04F、 Na5V2(P04)2F3 ' Li2FeSi〇4、Li2MnSi04、Li2V0Si04 及其 組合所組成之群組中之至少一者。 12_ —種用於在一撓性導電基板之相對側上同時沈積一陽 極活性材料或一陰極活性材料之模組基板處理系統，包 含： 一模組微結構形成腔室，該模組微結構形成腔室經設 置以在一撓性導電基板上形成複數個導電凹穴 (conductive pocket)； 一雙側活性材料喷灑腔室，該雙側活性材料喷灑腔室 用於在該複數個導電凹穴上沈積該活性材料，其中該喷 灑腔至具有一或更多個處理區域，該撓性導電基板在該 一或更多個處理區域中曝露於一雙側沈積製程，其中該 一或更多個處理區域中之每一者進—步分隔為一第一喷 灌沈積區域及一第二喷麗沈積㈣，該第—喷麗沈積區 35 201233458 域及該第二錢沈積區域各自用於將該活性材料同 灑至該撓性導電基板之—部分之相對側上； 一第一喷灑分配器匣 第一喷灑沈積區域中， 性材料； ，該第一喷灑分配器匣安置在該 用於向該撓性導電基板喷灑該活 該第一可移動收集擋閘安置 用於當處在一閉合位置時阻 活性材料之一流動路徑； 一第一可移動收集擋閘， 在該第一喷灑沈積區域中， 撞來自該喷麗分配器厘之該 一第一喷麗分配器匿，續當-(^、链八 第一喷邐分配器£安置在該 第二喷灑沈積區域中，用於 Τ用於向該撓性導電基板喷灑該活 性材料； -第二可移動收集擋閑，該第二可移動收集擋閘安置 在該第二喷灑沈積區域中’用於當處在一閉合位置時阻 擋來自該第二七麗分配器£之該活性材料之—流動路 徑；以及 -基板轉移機構’該基板轉移.機構經設置以在該等腔 室間轉移該撓性導電基板。 !3·如請求項12所述之模組基板處理系統，其中該基板轉 移機構包含： -饋送輥，該饋送輥經設置以保持該撓性導電基板之 一部分；以及 一捲取輥，該捲取輥經設置以保持該撓性導電基板之 -部分，其中該基板轉移機構經設置以啓動該等饋送報 36 201233458 及該等捲取輥’以將該撓性導電基板轉移進出各個腔 室’且該基板轉移機構經設置以將該撓性導電基板固持 • 在各個腔室之一處理容積中進行處理。 Λ 14. 如請求項12所述之模組基板處理系統，進—步包含： 一預熱腔室，該預熱腔室定位在該微結構形成腔室與 該噴灑腔室之間，該預熱腔室含有一乾燥源，該乾燥源 選自由一空氣乾燥源、一紅外線乾燥源、一電磁乾燥源 及一馬蘭各尼效應（marangoni)乾燥源所組成之群組，該 預熱腔室經設置以自該挽性導電基板之相對側移除水 分。 15. 如請求項14所述之模組基板處理系統，進—步包含： 一模組後乾燥腔室，該模組後乾燥腔室定位在該喷灌 腔至之後’該模組後乾燥腔室含有一乾燥源，該乾燥源 選自由一空氣乾燥源、一紅外線乾燥源、一電磁乾燥源 及一馬蘭各尼效應乾燥源所組成之群組，該模組後乾燥 腔室經設置以自該活性材料移除水分，該活性材料沈積 " 在該撓性導電基板之相對側上。 6 ·如叫求項12所述之模組基板處理系統，其中各個嗔灑 分配器匣包含： 一分配器主體；以及 或更多個喷灑喷嘴，該一或更多個喷灑噴嘴耦接該 37 201233458 分配器主體，用於向該撓性導電基板遞送活化材料。 心請求項16所述之模組基板處理系統，其中各 分配器匣進一步包含： 赁属 對辅助喷灌喷嘴，該對輔助錢喷嘴定位在該 :多個噴灑喷嘴中之每—者之相對側上，該對辅助喷灑 嘴用於向該活化材料遞送熱空氣，從而允許來自該活 化材料之液體的飛行中蒸發。 μ , •種用於在一撓性導電基板之相對側上同時沈積 活性材料之方法，包含以下步驟： 平移該挽性導電基板之-部分穿過一第一喷溪分配器 :與-第二噴灑分配器匣之間的一雙側活性材料喷灑腔 至之—第一處理區域，該撓性導電基板上沈積有一個三 維多孔結構； — 吏用該S喷;麗分配器厘及該第二喷灑分配器昆在該 撓性導電基板之該部分上噴m—第―電活性材料，以形 、第層該撓性導電基板之相對側上具有該三維多 孔結構； 平移該撓性導電基板之該部分穿過一第三喷濃分配器 匣與一第四噴灑分配器匣之間的該喷灑沈積腔室之一第 二處理區域，該撓性導電基板上沈積有該第—電活性材 料；以及 使用該第三喷濃分配器昆&該第四喷麗分酉己器匿在該 38 201233458 撓性導電基板之相對側上之該第一電活性材料上噴灑一 第二電活性材料，其中該第一處理腔室與該第二處理腔 至彼此隔離，以防止交叉污染。 19. 如請求項18所述之方法，其令該第一電活性材料包含 陰極活性粒子，該等陰極活性粒子具有一第一直徑，且 該第一電活性材料包含陽極活性粒子，該等陽極活性粒 子具有一第二直徑’其中該第二直徑大於該第一直徑。 20. 如請求項18所述之方法，其中該撓性導電基板為一基 於腹板之基板（web-based substrate) ’該基於腹板之基板 係由一饋送輥及一轉移輥來平移。 39