TW201230411A

TW201230411A - Manufacturing method of emitting apparatus and emitting apparatus

Info

Publication number: TW201230411A
Application number: TW100137915A
Authority: TW
Inventors: Kenji Yoneda
Original assignee: Ccs Inc
Priority date: 2010-10-21
Filing date: 2011-10-19
Publication date: 2012-07-16
Also published as: JPWO2012053386A1; WO2012053386A1

Description

201230411 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發縣關於發光裝置及其製造方法 =紫外線或短波長可見光線轉換為較長波以可且本發明特別有關如下之發光裝置及其輕易進行波長轉換構件的分析、分類及發光裝置可【先前技術】姓=發紐置：藉由將發出^或短

j署顏色的光(專利文獻1}。此種使用le H 裝置具有小型、省電、壽命長等優點，将离 =㈣知元或照明用光源。7p長寻·係廣泛使用作顯示用光源發光裝置而言，可舉出如下之發光裝置：在形成有凹邙之基肽的該凹部内安裝有LED元件，且用來霜芸ΤΡη

=層與營光體層以此順序而堆疊。該發光裝置中-，LE ^ =部分料、喊域長可見級會激 ίϊίίΐ見光、ΐ，但是有可能—部分不會被螢光體吸收(Ht ，而直接透射過螢光體層。此時，由於LED元件所發外線或短波長可見光線轉換為較長波長可見光_效率ΐ -，、、、。果使發光裝置的發光效率降低。又，當不轉換為的紫外線放賴發光裝置外時，有時也會對人另-方面，關於受到led it件所發出紫外線_波長可 '本激發的螢光體，其發出之較長波長可見光線中，朝向安穿ED 2件之基體側逆行的可見光線將被該基體吸收，而無法取'出裝置外。於是，發光裝置也會由於此因素以致發光效率降低: 201230411 又，相較於習知光源，LED亓士基體或其内面的反射體會長時門 ^極長的壽命’因此形成於 f露於可見光線的基體等劣化以時可如此長時間顏色有影響。守也對於發光裝置的發光【專利文獻1】日本特開20〇5_191197號公報【發明内容】 [發明所欲解決之課題] 性地透射紫外線或短波“ί線的短波通遽光線的長元件爾長波通濾波 ::種本申請人嘗試將螢光體層夾入下錄‘π歧的長波通已直接通過螢光體層“外短波异可綠叮ϊίΓΐ機率提南，而有更多的紫外線或短 ίΐίϋί: 長可見光線。其結果，可增加來自發 τρΐ 又’螢光體發出之長波長可見光線中，已朝向 1側盯進者會被短波通濾波器反射而改變行進方向，朝向長波通濾波，行進’並透射過該驗訊射出裝置外。 4、s ，此丄藉㈣螢光體層夾人短波通滤波11 (LED元件側)與長波d慮波器(LED元件減側)之間，將能財效率地將紫外^ 短波長可見光_換為長波長可見光線，進崎效率地將所轉^ 的可見光線取出裝置外。、欲製造此種發光裝置，係藉由例如在安裝有LED元件的基體之凹部内充填密拥透簡驗，於其上堆疊短波通濾波器，且進一步在其上注入分散有螢光體的樹脂組成物後，再於該樹脂組成物上堆疊長波通濾波器。、，而，分散有螢光體的樹脂組成物雖然係一次調製複數個裝置的罝後，再於各基體之凹部逐一注入既定量，但是由於樹脂組 201230411 成物中之蘇體的分散狀態會進行歷時光裝置，在發光顏色的色調或光^上樣成為最終產品即發光裝置之發光顏色 Η 例如在將所得到發光裝置使用作檢查裝置用光源n 種不均’則即便只是些微，也將有損於檢查結果的可‘卢右、，因此’以往針對最終產品即發光裝置，進行發 ^ 或光照度的檢查，並且將超出容許範圍者予以排除。’、πο 提供所設計’其主要的預期課題在於：而容易對發光裝置之發 [解決課題之手段] 亦即，本發明係發光農置之製造方法，該發基體，具有上端面形成開Π的凹部；LED元件^ 之凹部内，用來發出紫外線或短波長可見朵錄.女裝於該基脰之可透射該LED元件所發出的紫外線或短波長性板狀體，構件，含有會被已透_該下部透光性板狀"ϋ皮長^奐該波長轉換構件之光的一部分或=== 件的下部基體二》抓九之找H：的特徵#、包含：絲步驟，安裝該LED兀件；波長轉換構件固持步驟 ° 波長轉換齢及組裝步驟，使得安裝有該t #固^ 與固持有該波長轉換構件的該上部基體二者結合什扪下。卩基脰、又，依本發明之發光裝置包含;：基體有上端面形成開 201230411 部，LED το件，絲於絲體之凹卵，絲發出紫外可見光線；下部透絲板狀體，可透職LED元件.所發 =务外線或短波長可見光線；波長轉換構件，含有會被 x 板狀體之紫外線或短波長可見光線所激發的螢光 γ-ν/透光性板狀體，可透射已通過該波長轉換構件之光的發特徵為:絲體由固持有= 苒基肢、與安袭有該LED元件的下部基體所構成。部，及其製造方法’則由於把基體分割成上下開來製作後，再使得下部基體與上部基體二者或光昭基準光源以分析波長轉換構件的發光顏色後，選ί且右所，ί，、結果來進行波長轉換構件的分類及管理所巧之^，或光照度等者，來使其與合適的夠極力:以轉換構長細細魏，因此錢解現波長料來=:=匕上下：，而能夠一方面使用絕緣性材基體不須具执^，目^面，於上部有效率地使得你具吏用…傳卜率同的金屬。其結果·，能散熱作用使μ長轉換構件所發出賴料到上部絲，而提高熱，㈡透ϋϊίί地使得波長轉換構件所發出的熱進行散於使用塑膠等熱傳導率在咖，.κ)以上者。或者，鋁等之熱‘導性'，、好的情形’可藉由在其表面，將銅或 ^ 生良好的金屬或金屬化合物加以隔著間隙而蒸錄成 201230411 線狀或格子料n驗透紐，—面提高轉導性。 ^發明中’由於該下部透光性板狀體及該上部透光性 ΐ = 1主該凹部内，因此能抑制氣體或水分侵人該凹部内，基體為筒狀體’其_周面形成有呈環狀的突條之内面形成有由金屬薄膜構成的反射體，也能防止 5亥孟屬潯膜因氧化、硫化、鹽化等而腐蝕等。下與該上部透光性板狀體係隔著該突』部而設置㈣μ iff ί轉換構件紐係設於該下部透光性板狀體光i板狀體光所設置的下部透且+π-、/e 扳狀體之間形成波長轉換構件，可細件之發制’結果也能夠減少波長轉換構光的的厚=因ί能抑，光裝置之發光顏轉換構件透光生板狀體之間形成波長轉換構件 5 2歧與上部元件與螢絲齡職娜^ t地進行led 的形成位置，還可蔣r Pn m 外’猎由調整突條部以控制成：使得光從LED Ϊ件取出==== 距離加的影響二者形成最佳平衡。 …螢先脰所接受之熱面或上端面後’再於該板狀體上脂組f物’可輕易地進行樹脂組成物之盛裝該樹該下可件及該上部透性方面’女裝於該下部基體之該LED元件較佳係利2夕氧該波長轉換構件固持步驟中，例如下部透光性板狀體或該上部透光内，將該之下端面或!·嫂品你.“一一 ·.反狀版配置成接觸於該突條部 201230411

樹脂等之透明樹脂來加以密封。藉由如此密元件往密封構縣_效率。了LED 料可於該透明樹脂硬化前，在該下部基體上，將固持有該下。卩透光性板狀體、該波長轉換構件及該上部透光的=上部基體設置顏下部透級板狀體勤該透簡 ^ 以將上部基體與下部基體一體化，而形成發光裝置。、曰 ^時^健先於該下部透絲體之與料簡脂對向 : 上1透明樹脂。藉此’可防止在透明樹脂硬化所構成的毪封構件内殘留氣泡。又，依基體的構造，也可於該透明樹脂硬化前，在i μ 光性板狀體，接著在該下部透紐板狀體i，;二樹脂’並於該透明樹脂硬化前，在其上將固持有該波Ϊ 虹雜麟置賴波長轉換設有i突與該上部透光性板狀體之間也可不越往光射出方向越張開的，頭0錐狀工間’且於賴錐狀空間之光射出方向側，有該下部透光性板㈣、該波長賴齡狀於使用此麵造之紐的細彡，切使卵財該下 ί板、該波長轉換構件及該上部透紐板狀體的該上部基 =門3:上!3透光性板狀體位於下側後，再於該截頭圓錐狀脂’接著於該透明樹脂硬化前，在該上部基體邱去又f件可適雜關料49。船χ下想有放射峰邛者，更；為在360〜430nm的近紫外區有放射峰部者。又，該上部透光性板狀體較佳係使用··可透射長波長 =反射料線或域長可見絲的長波通濾波器1且該下部 ^ 體較佳係使用：可透射紫外賴短波長可見光線而反射較長波長可見光_短波麯波器。藉由使用長波通濾、波器作 201230411 光性板狀體，可將紫外線或短波長可見光線反射到波長轉換構制’而提高觀為長波長可見級的效率，並且切斷光，而且長波通濾波器的介電質多層膜也發揮作為 ”，功能，因此可有效率地將長波長可見光線導出裝置二=2、1猎由使用短波通濾、波11作為下部透光性板狀體，轉換而成的較長波長可見光線加以反射往波長轉換構件側，而能财效率地觸可見紐取蚊置外。介電’可適當使用具備有以數二者高低逆轉的分界’而且更佳為在440nm 由二多層膜°在此’介電f多層膜係從 Ϊ率上的薄膜所堆疊而成，且熱傳導性亦良好ί ‘通導性亦良好的介電質多層膜者，作為短 -發出器而LED元件或螢光體所止營光體的熱氏便能夠找^ [發明之效果] 〜管理依的本發明，可輕易進行波歸換構件等的分_ 【實施方式】 [實施發明之最佳形態] 〈苐1實施形態> 10 201230411 斤說明明之發光農置的第1實施形態。如圑1及圖2所不，依本貫施形態之發體2，具有上端面21形成開口的凹部22 L、匕3 ；ζ. 土部22的底面221 ;密封構件4，用來密封3 .，安裝= 封構件4側而依序設置於密封構件牛換構件6與長波通舰器7。賴5、波長轉以下’對各部進行詳細敘述。構成======上部細二者 t材料或氮化鋁等之埶傳導率$ j虱化鋁寻之陶处則由•銅、成，上部基體咖!^體凹部22的底面圳安裝後述的線導體(未圖示），时電性連轉所構成的配外表面未啦），轉以發光裝置1之基板進行電%路基板，猎以將咖轉3與外部電路 23 ^ 短波通浦％哭S 心波L濾波D。5與長波通濾波器7，且 ===波;7之間形成有波長轉換構件6。與上部基體2b 23的下端面、上端面、與上部基^ 相對於上部基』：將短波iitH及、突條部23之形成位置係設定為：在已办的内側周面拉時，下端面、與上部基體體2b之内例月面仏；^；成由短波通濾波器5之底面與上部基之内側周面222所圍繞的凹部。然後，當在安裝有_[元土 201230411 件3的下部基體2a上，波器7錢長轉換構件上通f波器5、長波通遽基體2a之頂面所，會形成該凹部被下部 -方面，本實施料，並在該工間_成密封構件4。另部B的上端面、器7配置成密接於突條器7之上端面盘上；的山内側周* 222時，長波通濾'波之了百而μ $洁了、卩基體2b之上端面21會形成可構成發光裝置1 '另外，斤述’突條部23發揮作為間隔件的功能。面222)2下部基;^的百的内側周面222(基體2之凹部22的側藉由施加銀、^金等體ϋ^22的底面221)，簿膜，而恭姑等之金屬電鍍等以开》成有南反射係數的金屬波财波的魏。'，對於後述之被長度朝波長轉可見級，可糊該金屬_來加以再等之。密4或波長轉換構件6的例如魏樹脂 T透過率问，但本貫施形態中，由於短抑制氣體或水分侵入凹部22内，因^^止^ ^ ^的金屬薄膜因氧化、硫化、鹽化等而腐钱等 70件係發出紫外線或短波長可見光線者，可適冬借用例如在360〜43Gmn處具有放射峰部之發出近紫外線田元件3係於例如藍寶石基板或氮化鎵基板上良此發光層及p型層之鱗堆疊有氮化鎵系化合物半導體。曰、 LED元件3係使得氮化鎵系化合物半導體朝下(凹部面22.1側）’而利用銲錫凸塊或金凸塊酤在凹抑的底面221。又，LED元件3也可利用引線接=^ 於基體2所設有的配線導體。又，本實施形 ^^ 個)LED元件3，但LED元件3的安裝數並不限於;^數個(9 用途而適當變更。目的、密封構件4係用來在其内部密封乙^^元件3者，且為了言地將光從LED元件3往密封構件4取出，密封構件4較佳為：「=透光 12 201230411 元件3之折料差小的魏樹脂等句短波通濾波器5設於密封構件4之上，係用來反射見光線而選雜地透射料線或短波長可見光線作^匕種短波通濾、波器5，可使用：具備有如圖3所示 Ϊ 係數二者以43G附近為分界而逆轉的介電質多ίϊ 質多層膜係藉由在例如玻璃、水晶及藍f石等^ 成之基板崎赌料而形成。又，短波通濾波器5也可 Γι貝ΪΪί觸於波長轉換構件6。例如，在形成有介電質多層Ϊ1 波長轉換構件6的情形，可有效率地將LED元^ ^螢先體61所發出的熱予以傳達到基體2,而放出發光裝轉線加以在短波通渡波器】與波長 r 界面進仃反射’而導出發光裝置1外。另-方輩ϋίϋί點而言，於介電質多層膜之基板由水晶或藍寶石良好的材質構成時，則即使基板側的面(未形成有介 ΓΕϋ jilt)接觸於波長轉換構件6，也能有效率地ί Γ,； 2 口藉由例如在破璃基板之表面將;或二 =的:：顧狀或格子狀等，而_面保證透光性波長轉換構件6設於短波通濾波器5之上體6卜就此種波長轉換構件6而言，：低魅玻璃等所構成矩陣中氧樹腊、氣樹脂及可舉出例體!1而言’並無特別限定’ 等。其中，若供用&咨恶螢先肢監色螢光體及黃色螢光體成發出白光的發絲、綠色料體及藍色贱體，可構長波通濾波器7設於波長轉換構件6之上，係用來反射紫外 13 201230411 ^或短波長可見光線而選擇性地透射長波長斋。作為此種長波通濾波器7，心/ 反射係數與透射俜數-^心使用.具備有如圖4所示般光之層膜者。此插ΐϋί 附近為分界而逆轉的介電質多鉍接士甘’丨電質夕層膜係藉由在例如玻璃、水晶及藍寶石箄 7 J1 ϋ觸於波長轉換構件6，但是例如勤將級通滅波Ϊ 技7的介電質多層膜也發揮作為抗可有效率地將長波長可見光線導出外部。的二：Ύ層膜之基板由水晶或藍寶石#之熱傳導性良好 ΪΪί 3 i還能有效率地將LED元件3或勞光體61所發出傳達到基體2 ’而放出發光裝置1外。而且，如上所述，之基板由玻璃構成的情形，也可藉由例如在 t眼於"電質多層膜的散熱性，則也可使得形成有介電質“ 膜之側的面接觸於波長轉換構件6。且叮，種ΐ光裝置1中，已通過波長轉換構件6的紫外線或短波長可見光_被長波猶波器7反射，而再度於波聽換構件6 内。於是’由於紫外線或短波長可見光線撞擊螢光體以的機率’目此有更多的料線或短波長可見光_換為長波長可見光線。其結果，來自發光裝置丄的發光量便增加。又，榮光體 61發出之長波長可見光線中，已朝向基體2之凹部22的底面側行，者會被短波通濾波器5反射而改變行進方向，朝向長波通濾波器7行進，並透射過該濾波器7而射出裝置i外，因^長波長可見光線的取出效率也提高。於是，依發光裝置丨，能夠有效率地將紫外線或短波長可見光線轉換為長波長可見光線，進而有效率地將所轉換的可見光線取出裝置1外。又，如上所述，已朝向基體2之凹部22的底面221側逆行的長波長可見光線會被短波通濾波器5反射，因此到達基體2之凹 14 201230411 方法接著，參照圖5〜7，說明依本實施形態之發光裝置i的製造 [上部基體] 邱部山基體2b中’首先將長波通濾、波器7配置成密接於突條二後，m面3 i中為下端面)、與上部基體2b的_周面222: 仃u灌封’而在長波通m7上輯含有替弁 6(®5(a)^5^0 ^ , 使樹脂ίίΞ 然後，依所需而進行加熱等，與波長轉m 通濾波117及短波通渡波器5 長轉換構件6以夾在上部基體2b。藉此’可使得波，熊而固牲你，在長波通濾波器7與短波通濾波器5之間的狀 “23的^面。此時，短波通驗器5密接於突如。又，、與上部基體加的内側周面 6的量，其較Ϊίΐίΐ而長波通遽波器7上之樹脂組成物脂組成物以於將樹之間⑼組編也發揮作為其細 f，至於藉由灌封而裝載於下部基體4(圖6(e)〜_。基體&上設置均==?下述般地在下部 i部她之間’__旨4也

[組裝J 於现體Μ輯物咖㈣，使得短蝴 201230411 波器5側朝下，而在安裝有LED元件3的 ί 6 7(g)) ° 6突出於短波通濾波器5之底面，或者使透明樹脂4附其’如圖7(g)所示’可藉由使樹脂組成物6或透 it 於由短波城波115之底面與上部基體2b之内側周的凹部之角部’以防止在透明樹脂4硬化所構成的始、封構件4内殘留氣泡。 =上独地在安裝有LED元件3的下部基體^上，設置賴波11 5、長波通濾㈣7及波錄換構件6的上 4基脰2b時，會形成由短波通濾波器5之底面與上部基體汕之 ^則周面222所圍繞凹部被下部基體2a之頂面加以封g的空間， ^且該空間内充滿透明樹脂4。最後，可依所需而進行加孰等，使 J明樹脂4硬化’藉以在該雜⑽成㈣構件4，並且:密封構 =4也發揮作為用來黏接下部基體2a與上部基體％之黏接層的 ^能’而得到下部基M2a與上部基體％二者成為—體的發光裝置1 〇依此種本實施形態之製造方法，把基體2分割成上下部，將 ϋ有短波通濾、波器5、長波通濾波器7及波長轉換構件6的上部土體2b、與安裝有LED元件3的下部基體2&二者各別分開來製作後，再於下部基體2a上設置上部基體2b以進行一體化。因此，例如對於固持有波長轉換構件6等的上部基體沘，可使用會射出具有事絲秋波長(例如4G5mn之近紫外細^紅光的基準，源/，而分析發光顏色或光照度等，並依據其結果來進行分類及官理後’選出具有所希望之發光顏色或光照度等者，來使其與合 LED元件3組合。其結果，將可㈣地製作出具有所期待: 性旎的發光裝置1。於是，能夠極力抑制最終產品即發光裝置玉之發光顏色或光照度等的不均。雄^另外，本實施形態中，由於使用上部基體2b來構成波長轉換構，6夾在短波通濾波器5與長波通濾波器7之間的波長轉換構件單το，因此可保護含有螢光體的波長轉換構件6免於濕氣的侵 16 201230411 元)的長存名化也犯夠貫現波長轉換構件6(波長轉換構件單波器5與長突條部23所設置的短波通濾行波長轉換構件二/产心U長轉換構件6，而能輕祕進之發光顏色或光昭度等也ί夠減少波長轉換構件6 渡波器7上穿載樹祕^。^叫’糟由進行灌封以在長波通之量的管理成物6 ’也可細地進行該樹脂組成物6 遽波在隔著突條部23所設置的短波通良好地進机ED元;6，而能再現性理。另外，藉娜酬23 構件6)的距離管平衡。出的放革與營先體61所接受之熱的影響二者形成最佳又’本實施形態中，藉由將基體2合絕緣性材料來製作用以安裝咖二’而倉= ί二則絕緣性，因以= 件3導到上部基體2b或LED元器，:接波通驗等濾波器5、7將_賴件6 23 ’故該部基體2b，而發揮散熱作用。因此，對於i =;==螢光體61熱劣化而產生的發以濾波=及多層膜作為短波通發出的熱予以傳達到上部基㈣， ^，轉便月,夠更有效率地防止螢光體61的熱劣化、發光效率^二降 17 201230411 低座上咐ϋ8所示’本實郷11也可不具錢條部23，而具有鋁等之i傳導车各設置的間隔件s。該間隔件s由例如鋼、之貫通係設有用來形成波長轉換構件6 形成Ξΐ ’，21戶1示，也可在短波通濾波器5或長波通濾波器7 但是也;;器==酬波器5形成-趙，又二該等變形也可適用於後述之其他實施形態。 <弟2貫施形態> ^參照圖式’說明本發明的第2實施形態。又，以以同ΐ點==?點為中心來進行說明’與第1實施形態相如圖10所示，依本實施形態之發 == 為Λ條部23之下端面，且上部基體 L的:上 = 广㈣222形成有段差㈣= 侧面拉以構成為：相差與凹部之向上均被定位。而在轴方向與軸垂直方造方=，參照圖η〜13，說明依本實施形g之發光裝置】的製 ^先:如圖11⑻〜11(b)所示，在下部基體2 一些透明難4，達频段差部24之上端轉起的^°卩充如圖11(c)〜11⑷所示，將短波通濾波器5段^ ^ =灸曰a出段差4 24的上端面與短波通渡波器5的底面之間，且渗出 18 201230411 5 部基體h與短波通濾波器舰短波通㈡，有長波通渡波器7與==^^ %。然後’透明樹月旨4會發揮作為午6的上/基體構件6)與上部基體2b (短波通濾波哭5 體a (波長轉換 Ϊ2;==Τ含有螢光趙61:樹 =成而物,的 6 - ® <第3實施形態> 以下參照圖式，說明本發明的第/ 與第1及第2實施形態相異之點為 ;；明^^以形態相同之_省略其朗。T料仃朗，與該等實施如圖14所示，依本實施形筚部設有越往先射出方向越張開的“截^ ^ ’ =22之下

ZllZTm 4 0 x' 依序配置杨波通濾波H 5 自下而上而且在短波通遽波器5與長波通^^才長波猶波器7，成與凹部22之錐°° ㈢，間隔件S設置為形越往絲⑽向mu面的連續面。關隔件s係設有二，張開之截頭圓錐狀貫通孔的平板隔件S由紹或白設有金屬薄膜’另一方面，間附近之大致連續部22底至開口造方;著’ — 差部形成段 15⑻〜15(c))。 d 5進而在其上配置間隔件S(圖 19 201230411 再來，於間隔件s的貫通孔内，充埴既它曰七人1 樹脂組成物6(圖16⑹〜16_。^之含有螢光體的 6，來蓋住均絲2b 於恭將上部基體2b反轉成長波賴波器7在下側後，再錐狀空間内充填透明樹脂4(圖 j ^下部基體&朝㈣D W 5 :、t= 體。2b= i圖19①）。如此—來，可得到下部基體2a與上部基粗2b形成一體的發光裝置】（圖19(k))。頭反轉成長波猶波器7在下側後’再於截紐器5 脂4 ’#此可使得密封構件4與短波通又，本發明並不限於上述實施形態。 2〇所示’依本發明之發光裝置1也可不同於第2 二下部基體2&之上端面形成開口的凹部内，並不形成有用來嵌入短波通濾波器5的段差部24。欲，造此種實施形態的發光裝置卜係首先如圖聊〜。⑼ u下。卩基體2a之凹部充填多一些透明樹脂4，達到從該凹 =上端©膨起的程度。然後，如圖22(e)〜22⑹解，於下部基 ③置6固持有短波通濾、波器5、長波通m7及波長 μ 6的上部基體2b。如此一來，溢出的透明樹脂4會滲出日日^土脱2a的上端面與上部基體2b的下端面之間，且滲出的透、脂4將發揮作為用來黏接下部基體&與％之黏接劑的功能。又’如圖23所示，上部基體2b也可僅由用來構成突狀部23 的環狀體所形成。而且’如圖24〜26所示，上部基體2b也可設有在其頂面形 $，口白„ 26，而下部基體2a也可設有在其側面形成開口的溝日5。藉由設有此種溝槽26、25，則由於已充填多一些的樹脂組 20 201230411 成物6會一面將内部空本，_ 一些的透明樹脂4會— =溝槽26 ’且已充填多因此可防止波長轉換構件6 ’ -面流入溝槽25， %之内側器5之底面、上部基體置有反射構件8,該反射221所圍繞的空間配 =狀貫通孔的環狀二二\成有二下係數的金屬薄膜，而發揮作反鏟等以形成有高反射透明樹削有間隙’而使得剩餘的呈大致且安财120個LED元件战置係千面看來電磁波之反射係數與透射係數二者以性者，也it 有：具有如圖4所示之光學特特性的情形、以及必須減形、必須提高散熱欲开^Ϊΐί波可見光線輪職體2劣化的情形。當於複數她=== 如 =所示般，為了在大小相總括形成複數ΐ而^^^的大型遽波器^ 成物ό硬化，— 大孓濾波态B上，並使該樹脂組遽波器B。域歧個波長轉換構件6後，再切斷大型時二可^^先會體=樹脂組成物6印刷到大型渡波器B上含有ί 含有藍色螢_的_組成物犯、有戈色螢先脰的樹脂組成物6G、及含有紅色營光體 21 201230411 irVf由如此進行印刷，可如圖31所示般，形成具有3声構 ί 換構件6。又’當分別含有紅色螢光體61R、綠色曰螢光、隹一掩# t，、彔色螢先肢έ有層6G、藍色螢光體含有層6Β的順序 t體61Β所發出的藍光、及綠色螢光體6m 會螢光體61吸收’因此可提高能量轉換效 J外:本發明並秘於上述各實施雜，只要顿離本發明曰【產iL=r述各種構成的一部分或全部而形成。管理依可輕:易進行波長轉換構件等的分類及 i量來或光照度進行控制’並以高可上部基體不須具有絕緣性，因此 ^用熱傳特糾金屬作為絲構成上部基體的材料， ϊ使得波長轉換構件所發㈣熱傳導到上部基體，°而提，依本發明，也能防止已形成於基體凹部内面之由金屬溥膜構成的反射體發生腐钱及劣化。【圖式簡單說明】圖1係依本發明之第1實施_之發光裝置的縱剖面圖。圖2係顯示依同實施形態之發光裝置的俯視圖。係數實施形態中之短波通據波器的透射係數及反射係數施形態中之長波猶波器的透射係數及反射圖5(a)〜5(d)係顯示依同實施形態之發光裝置的製程〜圖6(e)〜6(f)係顯示依同實施形態之發光裝置的製^ 圖7(g)〜7(h)係顯示依同實施形態之發光裝置的&程圖8係依其他實施形態之發光裝置的縱剖面圖。w 圖9係依其他實施形態之發光裝置的縱剖面圖。 22 201230411 圖10係依本發明之第2實施形態之發光襞置的縱剖面圖。圖11(a)〜11(d)係顯示依同實施形態之發光裝置的製程(^〜圖12⑹〜12(f)係顯示依同實施形態之發光裝置的製程⑷〜圖13(g)〜13⑻係顯示依同實施形態之發光裝置的製程⑻〜圖14係依本發明之第3實施形態之發光裝置的縱剖面圖。圖15⑻〜15(c)係顯示依同實施形態之發光裴置的製程⑻〜圖16 (d)〜16(e)係顯示依同實施形態之發光裝置的製程(幻〜圖17(f)〜17(g)係顯示依同實施形態之發光裝置的製程⑴〜圖18(h)〜18(〇係顯示依同實施形態之發光裝置的製程(幻〜。圖19①〜19(k)係顯*依同實施形態之發光裝置的製程①〜圖20係依其他實施形態之發光裝置的縱剖面圖。 ⑼。圖21⑻〜21(b)係顯示依同實施職之發樣置的製程⑻〜 ⑷。圖22⑻〜22_顯示依同實施形態之發光裝置的製程(〇〜圖23係依其他實施形態之發光裝置的縱剖。圖24係依其他實施形態之發光裳置的俯視圖。圖25係依同實施形態之發光農置的側視圖。圖26⑻、26(b)係依同實施形態之私来壯 ⑻及BB，線縱剖面圖⑼。之發先衣置的Μ’線縱剖面圖 ==實施形態之發光裝置的俯視圖。圖28係依同貫施形態之發光袈衣罝的攸A方向硯察時的側視 (d) (f) ⑻ (c).< (e) (g) 0) (k) 201230411 圖。射係實施術嫩織__數及反圖30係顯示其他實施形態中之切斷前的波長轉換構件。面圖圖31係其他實郷態巾之切輯驗長轉換構件的示意縱剖【主要元件符號說明】 1〜發光裝置 2〜基體 2a〜下部基體 2b〜上部基體 21〜上端面 22〜凹部 221〜 222〜側面) 23〜突條部(突狀部) 24〜段差部 25、26〜溝槽 3〜LED元件 4〜密封構件(透明樹脂) 5〜短波通濾波器 6〜波長轉換構件(樹脂組成物） 6B〜藍色f紐含有層(含有藍色縣體的翻旨組成 6G〜綠色螢光體好層(含有綠色_體_脂光體含蝴含雜色螢光體物旨組成物) 61B〜藍色螢光體 61G〜綠色螢光體 24 201230411 61R〜紅色螢光體 7〜長波通濾波器 8〜反射構件 B〜大型濾波器 S〜間隔件

Claims

201230411 七、申請專利範圍： 1· 一種發光裝置之製造方法，該發光裝置包含有：基體，具有上端面形成開口的凹部； LED元件，安裝於該基體之凹部内，用來發出紫外線或短波長可見光線；下部透光性板狀體，可透射該LED元件所發出的紫外線或短波長可見光線；波長轉換構件，含有會被已透射過該下部透光性板狀體之紫外線或短波長可見光線所激發的螢光體；及上部透光性板狀體，可透射已通過該波長轉換構件之光部分或全部；且該基體由固持有該波長轉換構件的上部基體、盘安梦. LED元件的下部基體所構成； '、、該發光裝置之製造方法的特徵係包含：安裝步驟’在該下部基體安裝該LED元件；件.I長轉換構件固持步驟，在該上部基體固持該波長轉換構波長=====；：件的下_、翻持有該其中，該 I1 ’並且該甘如申請專利範圍第〗項之發光裝置之製造方法，狀體’其内側周面形成有呈環狀的突條部，並且性板狀體與該上部透光性板狀體係隔著該突條部L 狀體=長職齡設_下部透紐缺雜該均透光性板波長以ί固專如1裝二製造工法，其中，該該上部透該下 2面或上端面後’再於該板狀體上盛裝4榮光體 26 201230411 4. 如申請專利範圍第3項之發先势署夕制、土士 a 盛裝樹脂組成物的步驟係藉由灌封來方法，其中，該 5. 如申請專利範圍第3項之發井梦署夕制、土士_、上 ==硬化前’在其上疊設_透^狀體 6. 如申請專繼㈣丨項之發綠置之專概_ 6項讀錄置讀造方法，其中，該二驟係如下之步驟.於該透明樹脂硬化前’在該广該下部透光性板狀體、該波細奐構件及 =狀體的該上部基體設置成該下料紐板狀體朝向該透明=旨 ^ =申請專纖圍第7項之發光裝置之製造方法，光性板狀體之與該透簡脂對向側的面，也塗上、明料月曰後’再於該透明樹脂上設置該上部基體。 "透月 9止如申請專利範圍第6項之發光裝置之製造方法，誃 ^封1驟係_透明樹脂硬化前’在其上疊設該下部透^板狀乂該組裝步_在4設於斜明翻旨上_下部透紐板狀 ΐ姓Ϊ一步塗上該透明樹脂，並於該透明樹脂硬化前，在其上將 j該波長轉換構件及社部透級板狀體麟上部基體設置成該波長轉換構件朝向該下部透光性板狀體側。。 10·、如申請專利範圍第！項之發光裝置之製造方法，其中，該邻透光性板狀體與該上部透光性板狀體之間設有間隔件。如申請專利範圍第1項之發光裝置之製造方法，其中，於 =上。卩基體内，形成有越往光射出方向越張開的截頭圓錐狀空間；且、於該截頭圓錐狀空間之光射出方向側，設置有該下部透光性板狀體、該波長轉換構件及該上部透光性板狀體。 27 201230411 ιζ如申請專利範圍帛u項之發光褒置之製造方法，其更包二步驟，,使知固持有該下部透光性板狀體、該波長轉換構件及性板㈣_上部基體’反轉成該上部透光性板狀體位於下側後，再於該截頭圓錐狀空間内充埴透明樹脂。 13·如巾請專利範圍第12項之發光裝置之製造方法，其中， =裝步_'_透9靖脂硬化前，在該上部基體上設置該下部丞體。 LED利範圍第1項之發光裝置之製造方法，其中，該 LED το件係在490nm以下處具有放射峰部者。 15.如申請專利範圍第丨項之發光裝置之製造方法，宜中，兮短波長可見光線而反射較： «=====罐賴誠射紫外 _Λ6:^Λ請專利範圍第11項之發光裳置之製造方法，其中， ϊϊίΐίΐ器或該長波通滤波器係具傷有介電質多層膜者，且 ϋ丨^質夕層膜在較該LED藉之放射峰部波長大10nm以上且，_魏之她_雜係數二者 17. —種發光裝置，包含有：基體’具有上端面形成開口的凹部；長可件H於絲狀凹勒，峰發&料線或短波波長ΐίΐί性板狀體，可透射該LED _所發出的紫外線或短外繞構件，含有會被已透射過該下部透光性板狀體之紫、、·或短波長可見光線所激發的螢光體；及 ’、部分ΐϊϊ紐板狀體’可透射已通過該波長轉換構件之光的一該發光裝置的特徵在於： 28 201230411 該基體由固持有該波長轉換構件的上部基 LED元件的下部基體所構成。 /、女襞有遠 18. 如申請專利範圍帛n項之發光裝置，為筒狀體，其内側周面形成有呈環狀的突條部，並且該%4^= 性板狀體與該上部透光性板狀體係隔著該突條部而設^^先狀體^長轉換構件設_下部透級板狀體與該二透光性板 19. 如申請專利範圍第η項之發光裝置，其中，該性板狀體與該上部透光性板狀體之間設有間隔件。 20. 如申請專利範圍帛1?項之發光裝置，其中，體内’形成有越往光射出方向越張開的截頭圓錐狀空間]土 21. 如申請專利範圍第17項之發光裝置，其中，該下 ^^體或該上部透紐板狀體係具有Q.5W/(m · Κ)以上之執傳導率者。 ” 22. 如申請專利範圍第17項之發光裝置，其中，該板狀體係在其表面隔著間隙而蒸鐘有金屬或金屬化合物而成者。 23·如申請專利範圍第η項之發光裝置，其中，該led元件係在490mn以下處具有放射峰部者。 w 如申請專利範圍* 17項之發光裝置，其中，該下部透光透射紫外線或短波長可見光線而反射較長波長可見先線的短波通濾波器；且該上部透光性板狀體係可透射較長波長可見光線而反射紫外線或短波長可見光_長波縣波器。、、^Λ5ι如申請專利範圍第24項之發光裝置，其中，該短波通濾麻益或ΐ長波通渡波器係具傷有介電質多層膜者’且該介電質多曰膜在較，LED tl件之放射峰部波長大1〇nm社且為5〇〇nm以 2波長區’具有f磁波之反射係數與透射係數二者高低逆轉的分界。 29