TW201227684A - Backplane device - Google Patents

Description

201227684 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 [0001] 本發明相關於一種用於一光源陣列、或是一光源矩陣的 底板裝置，以及一種驅動用於一光源陣列、或是一光源 矩陣的底板裝置的方法。特別的是，本發明相關於一種 用於LED (發光二極體）或OLED (有機發光二極體）光源 陣列或矩陣的底板裝置，其可被使用於適合於顯示二維 、或三維資訊、影像、與場景以及視訊序列的顯示器。 具有LED或0LED光源陣列或矩陣的底板裝置可特別地適用 於全像顯示器（holographic display)應用中，例如 ，像在W0 2006/06691 9 A1中所揭示者，其於此併入做 為參考。對如此的應用而言，需要高訊框率，尤其是因 為虛擬觀察視窗（VOW)可能必須以時間順序的方式對一 或多個觀察者產生的關係。根據本發明的底板裝置亦可 應用於適合在立體、或自動立體顯示器中顯示三維資訊 、影像、與場景以及視訊序列的顯示器。 【先前技ί衍】 [0002] 0LED被用於電視螢幕、電腦螢幕、小型可攜式系統螢幕 (例如，行動電話以及PDA )、手錶、廣告、資訊以及指 示。典型地，由於其相較之下較早期開始發展，因此它 們相較於同樣類似被設計來使用作為點光源的無機固態 基礎LED在每個單元發散較少光。 0LED顯示器在無背光的情形下運作，且因此可以顯示深 黑等級，以及可以比已經建立的液晶顯示器更薄以及更 亮。類似地，在低環境光的情況中，例如，暗房，一 0LED螢幕可比使用冷陰極螢光燈的一LCD螢幕、或更最近 1001314#單編號 A0101 第4頁/共75頁 1013075385-0 201227684 發展的LED背光達成更高的對比率。 0LED顯示器可使用被動矩陣或主動矩陣定址方案。主動 矩P車OLED (AM〇le：D)需要薄膜電晶體底板裝置來切換每 一個個別像素的開或關，並且可達成更高解析度以及更 大尺寸的顯示器。特別地，本發明相關於AM0LED底板裝 置’例如，尤其是驅動、及/或控制〇LED陣列或矩陣的電 路系統。 在操作期間，一電壓跨越該〇LE：i)而被應用，以使得陽極 相對於該陰極為正。電子流從陰極流經該裝置而到達陽 極’因為電子在該陰極處被注入該有機層的最低未佔用 分子轨域（LUM0) ’並於該陽極處從該最高已佔用分子 軌域（HOMO)釋放。後者的程序亦被敘述為電洞注入該 HOMO。靜電力將電子以及電洞帶向彼此，然後它們結合 形成一激子（exciton)，該電子以及電洞的束縛態（ bound state)。此更接近發射層而發生，因為在有機 半導體中，電洞通常比電子更具可移動性。此已激發狀 態的衰退造成該電子能階的鬆弛，其伴隨著頻率在可見 區域内之輻射的發射。此輻射的頻率取決於材質的能帶 間隙，其在此情形下是HOMO以及LUM0之間的能量的差異 對於像TV的高解析度顯示器而言，一TFT底板是正確地驅 動該等像素所必需的。現今，低溫多晶矽LTPS-TFT被用 於商用AM0LED顯示器。由於LTPS-TFT在一顯示器中具有 效能變化，因此，已發展出各種補償電路。由於用於 LTPS之準分子雷射的尺寸限制，因此使得AM0LED的尺寸 受限。為處理相關於面板尺寸的柵格（hurdle)，非晶 1013075385-0 1〇〇13144#單編號A0101 第5頁/共75頁 201227684 矽/微晶矽底板已報導具有大顯示器原型示範。 TFT底板技術是製造可挽性AMOLED顯示器的關鍵致能器 。現今的AMCMD中使用了二種主要TFT底板技術（多晶 石夕（poly-Si)以及非晶石夕（a-Si))。這些技術提供 了於低溫（< 150°C)時，在用來生產可撓AMOLED顯示 器的可撓性塑膠基板上直接製造所需主動矩陣底板的可 能性。 現在’被動矩陣0LED顯不器被使用於，例如，行動電話 中。而在習知的被動矩陣定址簡化了顯示器製造的同時 ’列的數量被限制在數百個。由於該0LH)僅在被定址的 時候才開啟，因此需要高峰值電流來獲得平均的照度等 級。列線電阻（row line resistance)、行線電阻（ column line resistance)、以及各種0LED電子特性 限制了顯示器的照度、尺寸、格式、以及效率。然而， 對非常高資訊内容的顯示器而言，這些方式的成本有可 能是禁止的。 薄膜電晶體（TFT)主動矩陣底板可幾乎消除顯示器内容 、尺寸、格式、照度、以及效率的限制。大面積高解析 度AMOLEID TFT顯示器已利用主動矩陣TFT底板進行展示 。至今所展示的其中一個最大AM〇LED顯示器，舉例而言 ’使用了a-Si TFT底板來達成具峰值亮度（>500 cd/m 2)、具大於20 Cd/A NTSC白的效率的20英吋對角 線HDTV格式。TFT主動矩陣底板一開始是為了製造大尺寸 以及咼解析度液晶顯示器（LCD)而進行發展。該像素電 路簡單地包括連接至一儲存電容器以及像素“電極的— TFT。所使用之該專液晶材料的阻抗是，當折射率改變時 10013144#單編號A0101 第6頁/共75頁 201227684 ’數值會以所應用電壓為函數而進行變化的電容器的阻 抗。TFT效能足以在—列時間（row time)内穩定該儲 存電容器電壓以及LC電壓。該像素TFT開啟並傳導的時間 百分比非常的低（-0.1-1%)。所應用的資料以及LC電 壓會一個訊框接著一個訊框地交替極性，以避免由於該 LC中離子電鍍而出現的影像殘留（image sticking) 。隨著時間交替的資料電壓以及低負載因子（duty factor)傾向於穩定電晶體特性，例如，ajjlcd中長操 作期限的臨界電壓。 利用TFT來均勻地驅動〇led比起驅動液晶更具挑戰性。主 要的原因是’（l)〇LED之取決電流的照度以及亮度，（ 2)大TFT尺寸具高閘極-汲極電容（Cgd)以及閘極-源 極電容（Cgs)，以及（3)臨界電壓以及遷移率變化（ mobility variations)。驅動TFT應該於大部分訊框 時間提供連續的電流，以有效地將該〇LE：D驅動至所欲的 照度等級。該像素區域限制了TFT的數量以及它們的寬度 ’而此則是直接與TFT跨導（transconductance)成比 例。如此的結果是，該〇LE：D驅動TFT跨導可被限制。低溫 多晶矽（LTPS)的電子遷移率（以）的強度可以比非晶 矽（a-Si)的高上一至二個等級。結果是，LTPS TFT寬 度可更小’而允許了在像素區域中更多用於額外錯誤校 正之TFT的可能性。此外，該LTPS TFT導通電阻（ on-resistance)可為更低，以產生較佳的電力效率操 作（power-efficient operation)。高閘極電容的 結果是，TFT開/關切換可創造大電壓偏移。因此，需要 1013075385-0 偏移校正。0LED特徵隨著由驅動電流所造成的溫度上升 1〇〇13144#單編號A0101 第7頁/共75頁 201227684 而改變。此可造成取決於先前狀態的照度。像素對像素 於vt (臨界電壓）的變化以及電子遷移率以亦被加至所 不想要的照度變化。由於晶粒尺寸以及邊界變化，起始 Vt以及遷移率變化是隨LTPS存在的。相反的，在大多數 的a-Si程序中，該起始Vt以及μ在一底板内是均勻的。在 與時間相關的電應力可產生大Vt變化的同時，遷移率也 典型地會有小的偏差。理想化的AC終端電壓可幫助最小 化時間相關電應力變化。 各種的技術已被用來最小化使用簡單像素電路所伴隨之 TFT變化的衝擊。舉例而言，將AM0LED顯示器的使用限 制為視訊可確保所有的像素經歷相同的電應力。在—方 法中，為了獲得灰階影像，位元順序地以二進位權重時 序（binary-weighted timing)寫入陣列。此需要客 製化設計的訊框緩衝器。在另一方法中，該等二進位資 料位元被解碼以驅動分開的次像素〇LED。一個較低成本 的解決方案是將類比資料發送至像素電路，並且使驅動 方法來補償該0LED驅動TFT中的該Vt以及電子遷移率以變 化。由於其固有較低的製造成本，用來驅動〇LE_a ^ 底板是所關心的。而對於較低成本的強調亦創造出對於 伴隨著較簡單驅動方法之較簡單電壓-資料電路的需求。 【發明内容】 [0003]因此，本發明的目的在於克服至少一上述的缺點， 、” 尤其 是提供一較簡單的驅動方法。 上述所提及的問題可藉由一種用於一光源矩陣的底板穿 置而獲得解決。一光源可包括一LED或一0LED。兮―、 邊底板裝 置的一像素電路系統被分配至該光源矩陣的— 1001314#單編號Α〇101 第8頁/共75頁 认 1〇13〇75385-〇 201227684 Ο 單編號 10013144# 控制該光源。-個絲以及—個像錢路系統構成一像 素。該光源矩陣的像素、或該光源矩___叢集的像素 根據-像素特徵而進行分類。開啟、及/或關光源的順 序取決於雜切徵，且縣必錄決於魏板裝置上 的雜素的位置。-被施加至光騎電流受到至少一驅 動器的控制。該至少一驅動器可電性地連接至至少一像 素，該至少一驅動器不屬於該像素的該像素電路系統 尤其地，根據本發明的一光源矩陣可以是以可預定方式 (尤其是以矩形陣列的方式）進行配置之一光源二維矩 陣。替代地，其可以是光源的一維矩陣或陣列，在本發 明中，該用語“電流特徵，，應被理解為可包括可於一特 疋時間期間為固定電流數值但亦可於一特定時間期間為 可變的電流函數。在本發明中，該用語“將一像素數值 分配至一像素，，應特別地被理解為，一電流被施加至像 素的光源而造成通過像素之光源的一電流流動。如此的 一像素數值造成該光源矩陣的一像素可代表，舉例而言 ，一亮度數值、或一顏色數值，其取決於根據本發明之 該底板所操作的光源矩陣的種類。 本發明使用完全不同的像素定址方案取代習知底板裝置 (舉例而言，主動式矩陣底板）的以下像素定址方案（其 中，底板裝置的單獨像素的定址是順序地一列接著一列 ，且在進行定址的列中為同時或一個像素接著一像素）^ 該光源矩陣的像素、或該光源矩陣的一叢集根據一像素 特徵而進行分類。如此的一像素特徵，例如，可為分配 至該像素的像素數值，換言之，該像素的亮度。像素特 徵的其他例子會於接下來提供。開啟、及/或關閉光源的 0101 第9頁/共75頁 1013075385-0 201227684 順序取決於輯_徵，錄未‘域料麟底板裝置 上的該像素的位置。取決於該先源矩陣所展示的資訊、 或影像’絲驗_單獨像素可崎意存取的方式進 行定址或活化、及/或去活化，而非一列接著一列以及一 個像素接著一個像素的方式。尤其是在根據習知技術之 包括主動矩陣底板裝置以及作為光源的〇L_ 一光源 陣列中，施加至-單縣源的電流的數值通常在此單獨 光源的像素的電路中被儲存為—類比數值。然而，像素 電路的此心可被彳料是貞#控制流纟维個像素之該光 源的電流的像素的-驅動器部分^不同於該方法，本發 明的底板裝置中’施加於統的電流受到可電連接至不 屬於該像素之像素電路系統的至少一像素的至少一驅動 器的控制。因此，像麵像素電路系統可較不複雜，且 不而要被調適來儲存類比訊號。一像素的像素電路系統 並不包括負責控制流經該個像素之光源的電流量的一驅 動器。。因此’像素定址是取決於像素特徵，例如， 分配至像素的像素數值免在習知純中所使用之 通用類比線上於在非常高頻時的高電流數值改變，在此 ，取決於被分配至像素的像素數值，舉例而言，在二個 時脈週期巾在-瓣素巾的小電流的像素數值，以及在 下一個像素中的最大電流必須被分配。根據本發明，其 反而是試圖要具有施加至一類比線而包括在低頻較小電 流數值改變的電越徵或糕函數。此可藉由施加，例 如，作為電流特徵的一斜函數至該類比線而達成。接著 ，單獨的像素取決於被施加至該類比線的電流特徵，以 及尤其是，取決於被施加至該類比線的真實電流數值而 10013144#單編號A〇101 第】〇頁/共75頁 1013075385-0 201227684 進行定址。換言之在對應於被分配至一特殊像素的像素 數值之該電流特徵的電流數值被應用到類比線，該特殊 像素被定址。因此，可避免一高頻率電流特徵（至少相 對於像素％脈托圍（pixel clock range))被應用至 6亥類比線，以及一較平順或較低頻率的電流特徵被應用 至5玄類比線，為了完成此，必須讓像素的定址相依於被 應用至該類比線的像素特徵，其可能導致像素定址類似 於任意存取。此最可能的是導致高頻訊號被應用至像素 電路系統的定址線。然而，此接著相關於相同（低）電 壓的數位訊號被應用的數位定址電路（非較高電流或電 壓可被應用的類比線電路）^ Ο *單煸號 10013144# 對高解析度顯示器而言，有騎是具有較小的電晶體以 及線結構尺寸，以具有高像素鶴。此將降低可能的最 大驅動電流，與此相反，習知顯示器的狀態需要較高的 電流來達成較快的轉換時間，進而保持訊框率，儘管線 的數量增加^低電純結構尺核可降低電晶體間極 容量。本㈣獲益自較小的結構尺寸，因顧小的閘極 容量允許較高的電晶體切換頻率，較低的電麼位準，以 及較低的電流。相較於習知執行方式的狀態，較低的電 壓以及較低的電流造成降低的電力浪費。 被分配至像素的像素數財取決於杨像素的光源 的電流。電流數值越高’像素的光源將越亮。替代地或 額外地/7 g己至像素的像素數值可取決於電流施加至 該像素之光源的__。舉例而言若每—個像素有 -平均致能持續期間’則藉由控制—像素而使其致能持 續期間短贿-個像素醉均雜觸_，就可將較 0101 第η頁/共75頁 1013075385-0 201227684 低的像素數值分配至此像素。此像素的該致能持續期間 越短’此像素所代表的像素數值越低。假設若在如此之 每個像素的-平均致能持續期間後有一空白時間，則藉 由控制-像素而將-較高的像素數值分配至該像素，以 使其致能持續期間長於每一個像素的平均致能持續期間 並延伸進入該空白時間。 該光源，尤其是-GLED，可包括_臨界數值或—通量電 壓（flux voltage)。如此之一光源的臨界數值可被視 為-像素特徵。因此’在本發明的一較佳實施例中，以 及作為-特殊像素特徵的分類，光源矩陣的所有光源的 臨界數值皆進行測量（例如，於該光源矩陣的產生期間 的-初始校準步驟中），光源的臨界數值可由最低（高 )儲存至最尚（低）臨界數值，以及臨界數值與分別像 素的位址儲存在一起。接著，光源的開啟及/或關閉順序 ’以及因麟於定址該統鱗之像素的順序的影響， 可取決於此特別的像鱗徵，亦即，該光源矩陣的所有 光源的臨界數值，且非必然要取決於該底板裝置上之像 素的位置。 根據本發_-另-健實及作為—特殊像素特 徵的另-分類，該像素特徵可為該像素的光源碰操作 所藉的亮度或電流數值。若所有的絲，以及尤其是所 有的0LED’皆包括幾肋fi]的電流_亮度反應曲線（或特 徵曲線），要施加至該光源矩陣像素的電流數值將直接 相關於此像素之光源的亮度，以及因此，相關於被分配 至此像素的像素紐。在域的情況下，統的開啟及/ 或關閉順序即取決於此特殊像素特徵，亦即，受施加之 10013144#單編號A0101 第12頁/共75頁 201227684 光源的亮度、或流經該光源矩陣之光源的電流數值。若 該光源矩陣之光源的該電流-亮度反應曲線彼此不同時， 也可以應用此特定像素特徵，然而，可能需要導入一校 準步驟來測量以及儲存該光源矩陣之光源的該電流—亮度 反應曲線的如此測量結果。該光源矩陣之光源的不同電 流-亮度反應曲線可能對定址像素的順序產生影響。 在一較佳實施例中’像素的光源被操作一預定的時間期 間。此可在一旦根據一特殊像素特徵決定光源切換順序 後實現以及分別利用此方式而實行，接著，舉例而十， 〇 ° 取決於受施加像素之光源的像素數值、或亮度，像素的 光源可被操作一可預定的時間期間。在此實施例中，像 素的光源因此可被致能、或操作較長的時間期間，以及 因此比起有較低亮度的另一像素而言顯得具有一較亮數 值’以及因此擁有較低像素數值，因為其被操作較短時 間期間。在如此的一實施例中，被施加至光源矩陣的所 有像素的光源的電流可包括本質上相同的電流數值。因 r \ 此’像素的光源插作持續時間決定了像素所展示的像素 數值。 較佳的是，該等像素用於像素之致能及/或失能的定址於 本質上是為了包括相同像素特徵的像素而實行。包括相 同像素數值的像素的定址是以彼此時間相鄰的方式執行 在該底板裝置的一操作模式中。此可特別地應用，若電 流特徵包括一斜向上及/或一斜向下函數(如下所解釋）。 在該底板裝置的一另一較佳操作模式中，分配以相同像 素數值之所有像素的定址是於本質上相同的時間執行。 該底板裝置如此的一操作模式可應用，若許多、或所有 10013144#單編號A0101 第13頁/共75頁 ^3075385-0 201227684 像素皆必須被分配至該_的像絲值、或若許多或所 有像素的像素數直接必職纽為—敢像素數值。在 該底板裝置的再-較佳操作模式中，分配以相同像素數 值之所有像素的定址是—時_間喊行。該底板裝置 的此操作模式尤其可應用，若一像素數值—次被分配至 僅-個像素。接著’若有5個像素須要分配至相同的像素 數值’則《作花費5個像素“週_時_間因為 一次僅有一個像素數值被分配至一個像素。 該底板裝置的該至少-驅動器可被調適而使得流經_光 源的電流包括-本質上為固定的數值，尤其是在該像素 被活化的一可預定時間期間内。在如此的-實施例中， 特殊像素的光源可焚控(相較於一脈衝寬度調變模式） ’及/或施加至-像素的電流本質上包括—方形函數，其 中，若一像素的光源被致能以及因此電流流經此光源， 則該電流數值（也許在致能後的—短時間後）在此操作 日^間内於本質上為m定。如此的-操作模式可應用於該 光源矩陣的-些像素或光源。替代地，該光源矩陣的所 有像素或光源亦可利用此種方式進行控制。若該光源矩 陣的所有像素受到本質上相同之固定電流數值的驅動時 ’則像素的不同亮度數值或像素數值可藉由該等單獨像 素被活化/致能的不同時間期間而達成。 一電流特徵可被施加至該光源矩陣的可預定光源◊該電 流特徵可為一電流斜向上函數、或一電流斜向下函數。 1013075385-0 較佳的疋，應用兩者的結合，亦即，在施加一電流斜向 上函數後接著一電流斜向下函數。替代地、或額外地， 可應用一類鋸齒函數。如此的一類鋸齒函數可包括一陡 10013144#單編號A〇101 第14頁/共75頁 201227684 峭上升緣，以及一緩慢減少特徵或一緩慢增加特徵緊接 著一陡峭下降緣，或一緩慢增加特徵緊接著一緩慢減少 特徵。通常，一光源在一可預定的電流數值被驅動—可 預定的活化時間，以達成光源的特定亮度。如此的可預 定電流數值通常落在介於該光源的最小以及最大操作電 流間的限定細内。電流特徵可包括相較_等光源的 常見駆動特性而言，用於一較短預定活化時間的一較高 電流數值。替代地鑛外地’該電麟徵可包括相較於 该等光源的常見购雛而言，用於__較長秋活化時 間的-較低電流數值。如此的—較高或較低電流數值， 無論何時合適’皆可额躺其他賴特徵-起結合應 用0

通常，«鱗徵可即畴化，並且，可佔優勢地具有 數學單調函數或序觸碰。此麟表示該電流特徵可 能不包括單獨的㈣上升或下降緣^然而，在發生一單 獨的陡Λ肖上升或下降賴，接續的電·徵通常佔優勢 地具有數學單數或序觸特徵。特_是，該電流 特徵可為單調增加、或單調減少。—般而言，該電流特 伐可為用於以献驗陣所顯示之制内容紐別應用 而要被實仃所可能必需的任何電流形式或電流流動。 根據本發_特殊錄實_，觀加至該至少一類比 線_^生電鱗徵財辦像素的順序 。舉例 而口右破施加至該至少一類比線的該已產生電流特徵 包括以低電流數值開始並增加至高電流數值的 一斜向上 10013144^^^ 函數，則高像素數_被分配的像素（因為分配至此像 Γ像素數鱗雜獅__)將先餅定址。當 1013075385-0 201227684 該斜向上函數的電流數值增加至—另一電流數值時，較 低像素數值所分配的一或多個像素會進行定址，以使得 此接下來的較低電流數值被分配至該個或這些更多的像 素。然而，這些像素將操作較短的時間，以及因此顯得 比起先前所致能之像素含有更低的亮度。因為現在有更 多的像素被致能’例如’大_同電流數值的電流流經 已致能的像素，所以，被施加至像素的總電流須要增加 (例如，藉由該電流數值的-斜向上函數）。雖然當相 同的像素數值被分配至複數個像素時沒有特別的定址像 素順序，但根據本發明的此實施例，會相對於不同的電 流數值以及因此被分配至像素的像素數值而有一像素的 定址順序。 在本發明的-較佳實施例中，已決定之像素位址被產生 為X方向以及y方向。對於一像素的像素數值分配是以相 對於X方向以及y方向為隨機存取的方式實行。若電流特 徵並未取決於配分配至像素的像素數值而決定，以及因 此，該電流特徵可能是—已產生週期函數的時候(例如， 包括一本質上直線增加/減少特徵的一正弦函數、或一斜 向上及/或-斜向下函數，或一類麟函數），則這特別 是該例子。因此，沒有定義定址像素的特殊順序，亦即 ，類似於習知技術中之底板的每一列順序地進行定址。 即使此可缺雜本㈣的紐方錢特殊狀況情形， 舉例而言’當像素的相鄰列應該被分配以猶微增加的像 素數值，以及在-顺該像素數值為固定時，此並非為 韦見的Ifl與省知技術的定址方案相反，根據本發明 此實施例的定址方案以及因此對於一像素的像素數值分 10013144^^'^ A〇101 第】6 頁 / 共 75 頁 201227684 配月t>夠以任意存取的方式實行。所以，也因為定址像素 的任意存取方式，沒有固定應用的列週期、或甚至訊框 週期。 根據本發明的一較佳實施例，該底板裝置可包括至少一 致能線、及/或至少一類比線。每一個像素電路系統皆被 連接至一致能線、及/或一類比線。在此實施例中，該電 流將經由該類比線而提供至該類比線連接的每一個像素 電路系統。在連接至一像素電路系統之該致能線的幫助 & 下，此像素電路系統之光源的真實致能、或失能可在此 像素藉由將該轉換TFT (亦稱之為驅動器TFT)(作為該 像素電路系統的TFT負責經由通過此像素之光源到接地的 該類比線而切換一電流源之間的一電流）帶入一電傳導 '或非傳導模式而進行定址時實行。較佳的是，該底板 裝置被調適而使得該已產生電流特徵應用於該至少一類 比線’以用於將像素數值分配至像素的目的。 該底板裝置可包括至少一像素定址裝置，其中，如此的 Ο 一 像素定址裝置包括X定址線以及y定址線。每一個像素 電路系統被連接至一 X定址線以及至一 y定址線。該像素 定址裝置可包括至少一 X位址解碼器以及至少_y位址解 瑪器。該X位址解碼器被連接至該X定址線以及該y位址解 碼器被連接至該y定址線。 S亥位址解碼器包括執行單獨或所有定址線之致能的邏輯 電路。該X位址解碼器、及/或該y位址解碼器可以是基於 一動態N0R解碼器（Dynamic N〇R-decoder)、及/或基 於一動態MND解碼器（Dynamic NAND-decoder)、及 /或基於一0R解碼器（〇R-decoder)、及/或基於包括 10013144#單編號 A0101 1013075385-0 第Π頁/共75頁 201227684 _以及職電路的CMOS解碼器（CMOS-Decoder)(尤 八在LTPS)及/或基於一AND解碼器（AND-decoder) 〇 取決於光源矩降的種類以及意欲於藉其而實現的應用， 該x位址解碼器、及/或該y位址解碼器可被設置在該底板 裝置上不同位置或姆於底«置而被設置於不同位置 。5亥X位址觸器、及/或該y位址解碼器可配置為與該底 板裝置分開，例如，在分開的板子上。替代地，該X位址 解碼器、及/或該y位址解碼器可位在該底板裝置的外部 邊緣。一進一步的替代是該x位轉碼器、及/或該y位址 解碼器可位在像素間的該底板裝置上。 韻5#tft以及電晶體在敘述以及中請專利翻中為可互 換表示所有的電晶體可以是由TFT所製造，以及所有的 TFT可舉例而s ’由單晶發或其他半導體材料所製成的其 他型態電晶體或其他主動浦元件所取代。 接下來’所敘述的是實現底板裝置之像麵控制電路（ 像素電路系統）的不同可能性。要注意的是，通常，光 源矩陣或底板裝置的所有像料包括相_控制電路， 然而，也有可能林_控觀路_於—光源矩陣或 底板裝置的像素。 在第實施例中，-像素電路系統包括三個抓，該第 TFT連接至紐能線、至_戊赠、以及至第二抓。 該第二TFT連接至該第一TFT、至一汉址線、以及至第三 TFT。該第三TFT被連接至該第二抓。該第三τ職調適 來切換或提供通戦像素之該絲到接地_類比線之 ^間的一電連接。如此之—像素電路系統的第三TFT (以及 1001314#單編號A0101 第18頁/共75頁 201227684 接下來二個實施例的像素電路系統）亦可被視為一轉換 TFT，因為其被調適來致能或失能通過一像素之光源的電 ,流，以及因此，该類比線以及通過該像素之光源的接地 間的電荷轉換。 在一第二實施例中，一像素電路系統可包括三個TFT，對 位置彼此相鄰以及藉由相同y定址線進行定址的二個像素 而言，該第一像素的該第一TFT (作為一致能功能）被連 接至β玄第·—像素的*亥X疋址線、至該y定址線、以及至該 第一像素的該第一TFT。该第一像素的該第二tft連接至 β第-像素的该第-ΤΠ、至該第—像素的—沒址線、 以及至該第一像素的該第三TFT。該第一像素的第三tft 連接至該第一像素的第二TFT。該第一像素的該第三tft 被調適來切換通過該第一像素的該光源到接地的該類比 線之間的一電連接。該第二像素的該第一TFT (作為一致 能功能）被連接至該第一像素的該χ定址線、至該y定址 線、以及㈣帛二像素賴fTFT。該帛二像素的該第 ) 二TFT連接至該第二像素的該第一TFT、至該第二像素的 一χ定址線、以及至該第二像素的該第三Tft。第二像素 的第*=^7連接至第二像素的TFT。該第二像素的該第三 TFT被調適來嫌通過鱗二像素的觀賴該接地的該 類比線之間的一電連接。 在一第二實際例中，一像素電路系統包括三個TFT。對位 置彼此相鄰以及藉由_7定址線進行定址_個像素而 言’該第-像素的該第-TFT (作為一致能功能）被連接 至该第二像素的該X定址線、至該y定址線、以及至該第 一像素的該第二TFT。該第一像素的該第二册^^連接至該 1001314#^^ A〇101 第 19 頁 / 共 75 頁 1013075385-0 201227684 第一像素的該第一TFT '至該第一像素的一x定址線、以 及至該第一像素的該第三TFT。該第一像素的第三TFT連 接至第一像素的第二TFT。該第一像素的該第三TFT被調 適來切換通過該第一像素的該光源到接地的該類比線之 間的一電連接。該第二像素的該第一TFT (作為一致能功 能）被連接至該第一像素的該X定址線、至該y定址線、 以及至該第二像素的該第二TFT。該第二像素的該第二 TFT連接至該第二像素的該第一TFT、至該第二像素的一X 定址線、以及至該第二像素的該第三TFT。該第二像素的 該第三TFT連接至該第二像素的該第二TFT。該第二像素 的該第三TFT被調適來切換通過該第二像素的該光源到接 地的該類比線之間的一電連接。該第三像素的該第一TFT (作為一致能功能）被連接至該第四像素的該x定址線、 至該y定址線、以及至該第三像素的該第二TFT。該第三 像素的該第二TFT連接至該第三像素的該第_TFr、至該 第三像素的一X定址線、以及至該第三像素的該第三TFT 。該第三像素的該第三TFT連接至該第三像素的該第二 TFT »該第二像素的該第三TFT被調適來切換通過該第三 像素的該光源至接地的該類比線之間的一電連接。該第 四像素的该第-TFT (作為_致能功能）被連接至該第二 像素的該X定址線、至該y定址線、以及至該第四像素的 該第：TFT。鮮㈤料物^^連接㈣第四像素 的該第-TFT、至鄕四像素的_χ定址線、以及至該第 四像素的鮮三抓。轉四像素_第三TFT連接至該 第四像素的該第-TFT。該第四像素的該第三抓被調適 1013075385-0 來切換通過該第四像素到接地的該光源的該類比線之間 1〇〇13144#單編號A_1 第20頁/共75頁 201227684 的一電連接。 即使上述提及的是TFT或電晶體元件，但也反而可以使用 或應用其他電路、及/或其他切換元件於底板裝置中，其 他的電路、及/或其他切換元件主動實現轉換以及選擇電 晶體、或第一、第二、及第三TFT的功能。 可能具有優勢的是，一像素的該第一TFT以及相同像素的 該第二TFT結合成為一雙閘極TFT ’這造成更簡單的像素 電路系統’其包括較低的漏電流以及節省的空間。此可 應用於上述的二個實施例。 雖然原則上從在有許多連結一TFT之閘極、源極、以及汲 極的可能性’然而’在接下來將會敘述連接上述三個實 施例之TFT的最為較佳方式。這些結合方式亦可彼此結合 一X定址線、或一y定址線可與一像素的該第一TFT的閘極 相連接，或是與該像素的該第二TFT的閘極相連接，或是 與根據申請專利範圍第19項的該雙閘極TFT的閘極相連接 一致能線、或作為一致能線的該x定址線可與一像素的該 第一TFT源極相連接。替代地或額外地，一像素的該第一 TFT的汲極可與相同像素的該第二TFT的源極相連接。再 者，一像素的該第二TFT的該汲極可與相同像素的該第三 TFT的閘極相連接。 1013075385-0 該類比線可連接至-像細該帛㉛⑽雜，以及被連 接至接地之相同像素的光源可與相同像素的該第三TFT的 沒極相連接。替代地’被連接至—像素的规的該類比 線可連接至相同像素的該第力源極，以及該接地與 10013144^單編號Α〇101 第21頁/共75頁 201227684 相同像素的該第三TFT的雖相連接。換言之，該光源可 位在該第三抓任-側，X要鮮致能或失能通 過類比線之電赫_電流流動，纖比線通過像素的 光源而到接地。 根據-較佳實施例’該底板裝置包括—像素測量方案， 其包括較佳地於一預定時間期間内所應用之像素、及/或 像素電路魏的—測量函數。如此的—像棚量方案可 應用於一訊框時間的部分時間内。一像素的該像素測量 是在連接至該像素的至少一驅動器的幫助下而實行。藉 由如此的一像素測量方案，其即有可能測量一像素電路 系統的單獨元件、及/或如此之__像素的絲_量特徵 。如此之一測量的結果可儲存，且其可針對將來像素控 制而被考量。對於像素的一如此之測量可重複。 如此的測量函數可利用下列的方式實現：一像素電路系 統的該轉換電晶體（一像素的第STFT)的閘極藉由定址 該像素的該X位址線以及該y定址線而連接至該致能線。 可變電壓函數被應用於該致能線。該可變電壓函數包 括’應用從一第一電壓數值（例如’ 〇V)至一第二電壓 數值（例如，Vmax)的電壓數值增加或減少^ —測量麥 置被調適來測量電流在通過該像素之該光源到接地的該 類比線之間時於哪一可變電壓函數的電壓數值流動或不 再流動，藉由此測量函數的幫助，即有可能測量影響兮 像素電路系統之該臨界電壓的該轉換電晶體的閘極偏壓 應力。 替代地或額外地，另一測量函數可利用下列的方式實現 :一像素的該像素電路系統是藉由該定址裝置而進行定 10013144#單編號A0101 第22頁/共75頁 201227684 址，以使得從該類比線通過該個像素的該光源而到達接 地的電流流動被致能。一電流函數應用於該類比線。該 電流函數包括應用從一第一電流數值（例如，〇mA)至一 第二電流數值（例如，imax)的電流數值增加或減少。 一測量裝置測量通過該像素的該光源到接地的該類比線 之間的真實電流流動。藉由這些裝置，像素的光源的臨 界數值或通量電壓（尤其是當像素的光源為0LED時）可 進行測量。要注意的是，此二個測量函數實例可在不添 加進一步元件至一像素電路系統的情形下實現。相反地 ，例如，底板裝置的驅動器會存在或需要增加另外的元 件’以提供此特定測量函數的功能。 根據本發明底板裝置的一較佳實施例，該底板裝置包括 由非晶矽、非晶氧化物、或多晶矽、或有機電性材料所 製成的一電路系統。其有可能將必需的有機電子材料印 在一層上，以提供一部份的底板裝置。 根據本發明的一較佳實施例，該光源矩陣、及/或該底板 裝置包括像素的至少二叢集的一叢集配置。每一個叢集 包括一類比線，以及用以定址該叢集的像素的一像素定 址裝置。每一個叢集的該類比線連接至叢集本身以及（ 例如，該底板裝置的一驅動器裝置的）一外部電流源之 間。 1013075385-0 較佳的是，該等叢集獨立於彼此地受到控制。因此，在 一特別叢集的像素數值藉由該定址裝置以及此特別叢集 的該類比線而被分配至此特別叢集的像素的同時，另一 叢集的像素數值是於同時間或及時偏移地而獨立地藉由 該疋址裝置以及此其他叢集的類比線而被分配至此其他 10013144产單編號第23頁/共75頁 201227684 叢集的像素。不同應用之合適叢集的例子可以是正方形 形狀，且可包括64 X 64個像素、128 X 128個像素、 256 X 256個像素或1024 X 1024個像素。在本發明中 ，用語“叢集”特別地表示，複數個像素被配置，以及 因此形成該光源矩陣的一相連接或一相鄰區域。如此的 一區域的形狀可為矩形形狀、正方形形狀、或蜂巢狀。 較佳的是，一叢集不延伸於該光源矩陣的整體寬度或整 體長度上。在該X或y方向中的叢集的像素數量並不須要 為2 η，η為自然數。 一種包括如申請專利範圍第1至28項其中之—所述之一底 板裝置的光源矩陣可具優勢地用於產生一場景或内容的 一二維及/或三維表現的一顯示器裝置.再者，一種產生 一場景的一二維及/或三維表現的顯示器裝置，及尤其是 一立體、或全像式顯示器裝置，可包括如申請專利範圍 第1至28項所述的一底板裝置 '或可包括如申請專利範圍 第29項所述的該光源矩陣。 1013075385-0 包括含有本發明底板裝置之一光源矩陣的如此一顯示器 及/或如此一光源矩陣具有優於LCD顯示器的高影像品質 的優點。因此，如此的一顯示器裝置造成極佳的黑階、 傳送尚對比、包括短反應時間、以及因此具有減少的動 態模糊，以及用於創造自然影像的高色域，如此的顯示 器裝置不需要額外的背光單元，以及若使用不同的光源 以用於光（顏色）的不同發射波長時，不需要具有彩色 濾光片，因而使得光學膜的數量可具優勢地被減少。 上述的問題可藉由申請專利範圍第3〇項的特徵所定義本 發明而以操作一光源矩陣的一底板裝置的方法而獲得解 1001^44^單編號A0101 第24頁/共75頁 201227684 决被为配至該光源矩陣的一光源的該底板裝置的一像 素電路系統被用來控制該光源。一個光源以及一個像素 電路系統構成一像素。該光源矩陣、或該光源矩陣的一 叢集的像素根據一像素特徵而進行分類。開啟、及/或關 閉光源的順序取決於該像素特徵，且並未必然取決於該 像素於該底板裝置上的位置。一被施加至光源的電流受 到至少一驅動器的控制。該至少一驅動器可電性地連接 至至少一像素，以及該至少一驅動器不屬於該像素的該 像素電路系統。一光源較佳地為一 LED或一 0L]ED。 根據本發明的方法特別地設計來操作根據申請專利範圍 第1至28項其中之一的該底板裝置。在根據申請專利範圍 第1至28項其中之一的該底板裝置的了解中，本領域具通 常知識者被建議其方法以及變化來操作根據申請專利範 圍第1至28項其中之一的該底板裝置。因此，可參考先前 的敘述，以避免重複。 在一特別較佳實施例中，提供一種用於一光源陣列或一 g 光源矩陣的底板裝置，尤其是位在用來產生一場景或内 1013075385-0 容的一二維及/或三維表現的一顯示器裝置中的一光源矩 陣。該光源矩陣所包括的像素具有像素位址，並且可受 將像素數值分配至像素的該底板裝置的電性控制。該底 板裝置包括用於每一個像素的至少一光源、至少一類比 線、以及至少一像素定址裝置《如此的一像素定址裝置 包括X定址線以及y定址線。每一個像素被連接至一類比 線、一X定址線、以及至一y定址線。作為一像素數值分 配方案’一產生裝置被調適來產生施加於至少一類比線 的一電流特徵，以使得該電流特徵可取決於被分配至像 10013144#單編號A〇1〇l 第25頁/共75頁 201227684 素的像素數值。該底板裝置被調適而使得像素位址是取 決於作為一像素定址方案的該已產生電流特徵而進行決 定，以及使得該已產生電流特徵被施加於該至少—類比 線’以用於將像素數值分配至像素的目的。 換言之，上述的問題可更進一步地藉由用於一光源陣列 或一光源矩陣的一底板裝置而獲得解決。一光源可為一 LED或一0LED。一電路系統被分配至一光源，以控制該光 源。一個光源以及一個像素電路系統構成一像素。一叢 集的像素根據一像素特徵而進行分類。開啟、及/或關閉 光源的順序取決於該像素特徵，且並未必然取決於該像 素於該底板裝置上的位置。驅動光源的電流受到至少一 驅動器的控制。該至少一驅動器可電性地連接至至少一 像素，但不屬於該像素的該像素電路系統。 較佳的是’該底板裝置包括至少二叢集，一叢集包括形 成§玄底板裝置的一相鄰區域的複數個像素。 有各種以具優勢的方式建構以及發展本個之教示的可 能性。就此方面’參考應首先指向附屬於申請專利範圍 第1項的巾請專糧® ’以及再者，應細本發明較佳實 施例之以下解釋而利用圖式做為參考。通常，本教示的 較佳建構以膽展亦是參相式，胁本發明較佳示 範性實施例解釋而被解釋。 [_要注意的是’顯示在圖式中的相同或相似構件由相同的 參考符號而被提及。 HHH314#單編號 A〇101 第26頁/共75頁 在本發明的一實施例中，使用的是利用一 3_TFT方式的) ^置u個雙閘選擇m + 1個轉換TFT)。相較於用 201227684 於空間光調節器而設置的3-TFT底板裝配（如在EP 10156572, 9中、或在PCT/EP/2011/053912中所敘述者 )，會插入一OLED來取代像素容量（pixel capacity )。據此’在EP 10156572. 9中、或在 PCT/EP/2011/053912中所揭示之底板裝置的基本原則 可被應用於根據本發明之用於光源矩陣、或光源陣列的 底板裝置。因此’文件EP 10156572. 9、或 PCT/EP/2011 /053912的全部内容在此併入做完參考。 0 對本發明的該底板而言，連接至類比線的電壓源被電流 源所取代。該TFT僅進行數位切換’因而使得不會有類比 回饋進入該像素、或進入該像素的電路系統。該電流流 動並非在該像素電路系統中進行調節，而是透過外部的 驅動器。此特別地可應用於該底板裝置的叢集，其中， 該底板裝置包括至少二個，較佳的是，許多個叢集。 第1圖顯示底板設計的一實施例的一個4 χ 4像素叢集。 第2a圖以及第2b齡放大絲巾顯示被制為用於驅動 〇 -〇LED的一像素電路系統20的二個電力系統實例，其可 被使用作為如在第1圖中虛線圈所顯示之該4 χ 4像素叢 集的-個像素。用·至綱位贿碼觀的示意表示 疋由第1圖中該4 χ 4像素叢集上方的矩形來顯示。用於 Y0至Y3的位址解碼器24的示意表示則是由第j圖中該4 χ 4像素叢集左手側的矩形來顯示。雖然未顯示於第1圖中 ’亦有可能的是’ X位址解瑪器、及，位址解瑪器的電 日日體整合於4 χ 4像素叢集。換言之，該χ位址解碼器、 及/或該Υ位轉碼器的電晶體可被置於像素之間，以使 得即使每個單獨的像素叢集皆包括其本身的χ位址解瑪 1013075385-0 1〇〇13丨44#單編號Α〇1〇ΐ 第27頁/共75頁 201227684 器、及/或γ位址解碼器，無縫的像素叢集順序、或配置 仍可在沒有間隙的情形下達成。該X位址解碼器、及/或 該Υ位址解碼器的電晶體的設置能夠以讓該恤址解碼器 、及/或該Υ位址解碼器的電晶體不累積於—個位置處， 但部疋分散於該叢集的區域的方式而完成。 因此，根據本發明的該底板裝置16可包括用來提供單獨 像素14的開啟/關閉控制的像素電路系統。再者，位址解 碼器電路可提供來定址單獨像素14。用於-像素叢集18 的至少-位址解碼器電路可被分配在、及/或位在於該像 素叢集18的邊緣或觸處的該像«集18處或位置附近 的底板裝置16上(正如在第8圖中所顯示）。替代地，用於 一像素叢集18的至少一位址解碼器電路可整合於該像素 叢集18並因此位在該像素叢集18中。用於一像素叢集 的該位址解碼器電路可分散於該像素叢集18内。 0Lm)驅動：一驅動方案被假設為支援該等像素14/0LED Di，500，的個別活化以及去活化。用來敘述〇LED驅動 的3-TFT解決方案顯示於第2a圖，第2b圖，第9圖，以及 第ίο圖中，並以使用類似一開關的轉換TFT (T-ti，3〇() )而經由該OLED Di，500 ’來關閉或打開該類比線22以 及一接地線之間的連接的方式而被調適。在第23圖，第 2b圖，第9圖，以及第1〇圖中的選擇tft T_xi，1〇〇， 以及T_yi，200，被用來定址每一個叢集之僅單一個像素 。顯示在第2a圖，第2b圖，第9圖，以及第1〇圖中的該“ 致月&線30選擇插作的型態，例如，‘1’ =致能，以 及‘〇’ =失能。 在定址操作之後，在該轉換TFT T_ti，300的閘極G處的 10013144#單編號Α〇1(Π 第28頁/共75頁 201227684 電流電壓數值是藉由額外的閘極儲存容量c_Si而進行維 持（請參見第2a圖以及第2b圖）。幾近相同的原則被使用 來將數值儲存在DRAM記憶胞元中。該底板震置可被調適 ，以使得由一致能定址操作所致能的像素在整個訊框維 持為已致能，直到其藉由一失能定址操作而失能為止。 在訊框開始時，所有的像素14皆被失能。首先，一些像 素14會被致能。若已預定數量的N個像素被致能，則該類 是通過 比線即被用來施加一電流I = n * I , #.φ , τ Τ ρ τ a ρ ^ Ν個已致能像素的每一0LED像素的預定或所欲電流，總電 *’<•1 藉由連接至該0LED顯示器的一外部可程式化電流 源而進行調節。若已致能像素的數量N改變時，該電流源 所提供的電流亦必須被調整至新的數值。因為在一實施 例中，每一個位址週期僅一個像素被致能或失能，因此 ，相較於定址操作，總電流的大略數值僅緩慢地改變（若 總數Ν相當高）。 對具有非常低灰階尺度解析度以及亮度廣幅一致性的 q 0LED顯示器而言，可以假設，所有0LED的臨界電壓皆大 亦皆

約為相等，以及所有轉換TFT (T_ti，300)的R

、 ON 大约為相等，現在，一〇LED像素的亮度可藉由一況奶被 致能的持續其間而進行調整。因此，最亮的像素會在訊 框的早期被啟動，並在訊框的末端被失能。換言之，該 像素的光源會被操作於一可預定的時間期間。黑色的像 素未被活化，以及暗色的像素僅被活化短暫的時間。因 為一0LED的非線性特徵曲線，非常小的臨界電壓變量就 將會導致0LED電流非常大的改變（I = f(u))。若具有 不同臨界電壓的0LED並聯連接時，電流就不會是在所有 1001314#單编號A0101 第29頁/共75頁 1013075385-0 201227684 已致能像素間均等地分開。 為了對此進行補償，_GL轉素的致能時間必須藉由由 此«的電流-電歧細_財魏已雜像素的曲 線計鼻制的校正因子而進行難。若有大量的像素被 致能，則就有可能使用平均電壓反應曲線來取代所有其 他已致能像素的疊加。此將降低計算的力氣因為僅有 -個為了每-個像素财轉的校正數值必須絲上所欲 像素亮度來計算-像素的開啟時間。然而此卻顯示了 根據-像素特徵之該等像麵分類，以及_的是該 等像素的GLED的分贱有助於蚊取決_像素特徵之 啟動、及/或關閉該等單獨光源的順序。 若該等臨界電壓太過於獨時，職乎所有的電流皆會 流經具有最低臨界電壓的0LED。為了避免此情形，一次 僅致能具有類似臨界電壓的0LE；D像素。舉例而言，訊框 開始時具有高臨界電壓的像素，以及縣時具有低臨界 電壓的像素。在此情形下，被用來計算該等校正數值的 平均電壓反應崎必騎對鱗已致能像素的平均數值 而被相·#地調適。為了決定具有類似臨界電麼的像素， 可以執行所有像素的校準。此可藉由施加前面所提及的 測量方案而完成。這些特徵可被儲存。 1013075385-0 在本發明的一實施例中，僅執行具有類似臨界電壓的像 素的啟動。因此，該像素會藉由作為一像素特徵的該 0LED臨界電壓VT而進行排序。數量n個之具有類似ντ的 像素被連接至該類比線22。一可程式化電流源（ I_analog)被連接至該類比線22。總電流（i_anai〇g )被除以並聯連接至0LED像素的數量。通過一個〇LED的 loom44产單編號A〇101 第頁/共75頁 201227684 電流是大約I一Pixel = I一anai〇g / N。 像素特徵的測量可執行如下：若每個叢集僅—働哪像 素父到選擇（T_t conductive)，則每一個單獨loed 的電性特徵可透過该類比線22而一個一個進行測量。此 可在開啟電源後馬上、或於背景中完成。舉例而言，若 1%的訊框時間被用來測量1%的像素，則1〇〇個訊框的測量 週期就會短到足以補償老化效應。0LED以及非晶石夕TFT的 老化效應正常是在大於120秒的時間期間。有可能除了測 篁臨界電壓外，亦根據上述測量方案而測量電壓對電流 反應曲線。 在一較佳實施例中，有提供一外部電流調節以及一最大 電流驅動。一0LED像素（亦即，一像素的該L〇ED光源） 被連接至被調適作為一電流源的該類比線，並藉由該致 能操作（致能線30打開，X以及γ位址線26，28打開）而 被致能。若一新像素被連接至該類比線22，則該總電流 I_analog必須藉由該外部可程式化電流源而增加 ，以維 1 持流經每一個已致能像素以及因此通過該等已致能像素 的每一個0LED光源的最大電流。取決於像素亮度，在一 時間期間後，該像素藉由一失能操作（X以及γ位址線26 ’ 28打開’致能線3〇關閉）而與該類比線斷開。一被致 能之像素的時間期間的開始是藉由其臨界電壓而定義。 該時間期間的持續期間主要是藉由該像素的亮度而定義 。因為大量的像素會在同時間被致能，因此，這些像素 的該等臨界電壓會相似但不相等。此可能導致與理想電 流I_Pixel = l_anal〇g / ν間的小變化。利用小偏移 數值而對該時間期間的開始以及持續期間（位置以及長 1013075385-0 1001314#^^ A〇101 帛 31 頁 / 共 75 頁 201227684 又）進仃補償輯算是取決於該等已致能像素間的電流 的^開。®為具有最大亮度的像雜被雖―部份的訊 框時間’因此’該等已調適的較高最大像素電流 而被脈衝化。 名員外地、或替代地’提供驅動具有不同電流的娜的驅 動。’ -0LED顯示器提供非常大的〇η/〇簡比率。一非 ¥曰像素的時間期間取決於所欲的亮度_解析度而短到無 法疋址’稍此像素而言該像素以最大電流驅動。為了 解决這個問題，所有具有触臨界電謝的暗像素皆僅 在該驅動電流被降低至該最大電流的-小部分（舉例而 10%)的特殊暗期間才會被致能。具有類似臨界電壓 ^的儿像素亦可在$暗期間被致能，以縮短其工作週期 仁若這些像素被失能，則該電㈣分開可目在相同時 間時較少數量的已致能像素而獲得改善。因此，取決於 名等像素特徵’可以決定至少二群的像親，G2。每一 個像素群G1或G2的像素可集體地進行控制。二個像素群 G1 ’G2如幻騎顯示的是由不隨線的二個像素群^， G2而進行標示。此可應用在完整的光源矩陣上、或在一 叢集中。 在實行一OLED底板結構或底板裝置π時，使用像素的叢 集18，並且，較佳的是，該〇LED底板結構僅包括數位切 換TFT (薄膜電晶體）。尤其，根據本案的像素叢集是形 成該光源矩陣或該顯示器的一已連接或一相鄰區域的複 數個像素。如此的一區域的形狀可能為矩形形狀、正方 形形狀、蜂窩狀、或任何其他合適的形狀。較佳的是， 一叢集不延伸在該顯示器的整個寬度、或整個長度。數 10013144#單編號A〇101 第32頁/共75頁 201227684 個叢集可以無縫的方式彼此相鄰配置。一叢集可以被視 為是一次顯示器（sub-display)。 若使用否定以及非否定位址線，位址解碼器可僅利用 NM0S非晶石夕TFT而被整合。相較於CMOS的實行，此需要 雙倍量的全域位址線。具有6〇 fps (每秒訊框）以及每 個叢集64 X 64像素的顯示器需要大約35〇 kHz的一非晶 矽TFT切換頻率。需要總共0.22 TFT/像素來實行該等位 址解碼器。因此’此實施例利用非晶矽位址解碼器而致 月匕該0LED的驅動。第3圖顯示包括4 X 4像素的實例叢集 設計。第3圖更進一步顯示未被嵌入於該像素矩陣中的像 素電路以及位址解碼器電路。如上且針對第3圖中該4 χ 4像素電路系統之左侧所示的位址解碼器電路對應至如第 1圖中所顯示的矩形所指示的該X以及?位址解瑪器Μ。 靜態以及動態像素特徵可利用適當的模型進行預測，以 計算用於外部電流源以及位址操作的數值。 因為該底板電路僅藉由數位數值堪動來補償大的Tft變化 ，因此，類比像素特徵必須要藉由外部電路來測量/決定 。其可能必須的是，需要一訊框記憶體以及一計算單元 來決定每一個像素的驅動參數。 根據一較佳實施例的底板裝置的特徵可藉由下列的特性 而進行概述：提供一具有0LED光源的光源矩陣，該光源 矩陣被使用作為僅3.25 TFT/像素的一顯示器。非晶石夕 、多晶石夕、以及非晶氧化物TFT是可能的。數位切換TFT 邊緣化（marginalize) LTPS臨界電壓變化。由於該等 0LED是直接透過該轉換TFT的非常低R ⑽而被驅動，因而 可達成電力節省。僅需要每叢集一個DAC (數位類比轉換 1001314#單峨 Α0101 第33頁/共75頁 1013075385-0 201227684 為），而非每個行線一個。本發明支援非常高的開/關電 流比。 新的像素電路可藉由一類比線以及一位址線的多工。致 能線以及一位址線的結合、或兩者而達成。多於1〇個變 化疋可I的’其取決於qled的行為的特定特徵。四個實 例闡明於第2a圖、第2b圖、第9圖 '以及第1〇圖中。 位址解碼器正常存在的變量（像是“誦£)位址解碼器，，或 _位址解碼器”可被躺。位址解碼料减入於該 像素矩陣中，或可被安排為而非嵌入於該像素矩陣。 全域的資料分佈可藉由應用位移暫存器、及/或具有放大 的全域線及/或具有臨界電路的全域線而達成。這樣的例 子敘述於，例如，W0 2009/024523 A1或WO 2009/092717 A1中。第4圖顯示用於第1或3圖中所示之 4 X 4像素叢集例子的驅動方案實例。顯示於第牝圖中的 表被το成於第4a圖中所顯示之表的右手侧。在第如圖中 ’顯示的是該X以及Y定址以及該致能£操作。在第4a圖左 邊的表中，所顯示的是二個全域7定址線G_Y〇以及G_Y1 以及四個y定址線γ〇、Υ1、γ2、以及γ3的該y定址操作。 在第4a圖中間的表中，所顯示的是二個全域乂定址線G_x〇 以及G_X1以及四個x定址線χ〇、χι、χ2、以及χ3的該叉定 址操作。在第4a圖的最左邊表項目中，所指示的是像素 叢集的該致能線上的致能或失能操作。此亦顯示於第乜 圖的最右邊表中。定址以及致能的順序是以從上面的列 至下面的_序完成。在第侧的最左上表巾，像素p〇〇 至P33的轉換電晶體的閘極G〇〇至〇33上的邏輯位準以如 在第4a圖中所示定址以及致能操作結果而被顯示。參考 10013144#單編號A0101 第34頁/共75頁 201227684 G00相關於像細0的轉換電晶體的閉極，參考G〇1相關 於像素PG1畴換電晶體的_，以此赫。—轉換電晶 體可以處於料崎（卿輯位料1)或是處於非傳導 狀態（則邏輯位準為〇) 8當在閘極G00至G33的其中一個 上的邏輯位準從〇改變至丨、或是從丨改變至〇時，其是利 用灰色背景作為標示。舉伽言，像素pu在訊框週期期 間完全不被致能(如在第4a圖以及第4b圖中的表所顯示） ，像素P21首先被致能，P12接著被致能。像素p21以及 D P12被致能相同的時間量，且因此以相同亮度出現，並且 i ，由於它們被致能最長的時間期間，它們如具有數值3〇 的最焭像素出現(正如在第牝圖被標示以“亮度總和”的 最低列所指示）在右邊的表中，所指示的是施加於該類比 線I一analog的電流數值。在此實例中，每一個光源皆是 以相同的電流數值進行操作。例如，利用1任意單位（1 a. u.)，例如，若有二個像素被致能，則該電流數值的 兩倍（=2 a.u.)被供應在該類比線上。因此，當12個 ) 像素被致能時，就會有12倍的電流數值（=12 a u ) 被供應至該類比線上。 第5圖顯示示意圖中根據習知技術之一底板裝置的一類比 線的電流特徵實例。 s亥電流I以一個訊框之持續期間的像素數量N為函數而顯 示為任意單位（a.u.)。由於習知技術的定址方案其 中，空間光調變器的、及用於光源陣列或矩陣的像素是 逐行被定址，且於單行内，是一個接著一個進行定址， 介於範圍0 a.u.以及6 a.u.之間不同之均勻分佈的電流 被施加於習知底板的類比線上，無論根據固定之定址方 10013144#單編號A〇1〇l 第35頁/共75頁 201227684 、的下個像素是何時被定址。此結果造成以非常快速 的方式從顯示區域外部驅動·數值，這導致到達一底 板裝置之電子裝置的物理關，舉例而言，大的線容量 止了連續之類比線的切換頻率的增加。此方式亦使得 所應用TFT之面準確度是需要的，以確纖比訊號的品質 °然而’空間細變H或光轉顺矩陣軌框率或更 新率可根據本發明的特色而增加。 根據本發明’使關是不赚—人根據f知技術所已知 的像素數值分配方案。此可藉由顯示於第6a圖中的示意 圖而看出，在第6a圖中的圖式顯示作為施加至像素所連 接之該底板裝置的類比線的電流函數的一電流特徵1〇。 此顯示於該圖式中的電流特徵1〇包括在二個訊框期間被 施加至該類比線的電流數值。該電流特徵1〇包括實質上 第一個訊框的斜向上函數的形狀以及包括實質上第二個 訊框的斜向下函數的形狀。該像素數值、或是流經該像 素之光源的電流的高精準度可以達成的原因是，該電流 特徵10的改變包括相對而言較低的頻率。根據本發明的 此實施例，該電流特徵10已經取決於必須藉由該底板裝 置而被分配至該光源矩陣的單獨像素的該等像素數值而 產生。因為該電流特徵10幾乎是包括該第—訊框的一線 性增加以及幾乎是該第二訊框的一線性減少的函數，因 此，被分配至该專像素的像素數值反而高度地分散。換 言之’不會有包括相同像素數值的區域出現在將藉由第 6a圖的該電流特徵10而進行分配的該兩個訊框中，因為 ，舉例而言，若所有像素的1/3具有相同的像素數值，則 1013075385-0 此將造成該電流特徵10的一區域水平或平行於橫座標（如 10()13144#單編號A0101 第36頁/共75頁 201227684 第6a圖的圖式中所顯示）》根據第6b圖的示意圖顯示施加 至該第一訊框的底板裝置的該等定址線的像素位址訊號 。正如可見’在此實施例中’高頻率訊號被施加至該等 定址線。然而，因為這些定址訊號是具有不是〇就是 邏輯數值的數位訊號，因此，這比起實現高頻類比數值 可在較高的頻率被實現(正如它們在第5圖作為舉例所顯 示的一樣）。 第7a圖顯示根據習知技術之包括像素μ及包括一底板裝 g 置（未顯示）的一光源矩陣12的一部分的示意表示。如 第7a圖中所顯示之該光源矩陣12的該等像素μ包括四個 由不同影線指示的不同像素數值15。在第7a圖的實例中 ，四個像素被分配以100%的最大像素數值15。三個像素 14包括66%的像素數值15❶六個像素14包括33%的像素數 值，以及剩下的三個像素包括〇%的像素數值15。藉由第 7a圖的該光源矩陣12的每一個像素中的數量而進行指 示，該等單獨像素14的位址標號被指示為在丨開始，且在 1 16結束。在第7a圖的該光源矩陣12下方所指示的是圖令 作為電流函數的電流特徵1〇，該電流函數被施加至該等 像素14所連接之該底板裝置的該類比線。在橫座標上， 顯示的是已定址之該等像素14的固定時脈週期。如在橫 座標上所顯示，該等像素14是以固定的順序進行定址， 亦即，由像素1開始，且以像素16結束。如此的結果是， 相較於在第5圖申所顯示者，必須要被施加至該類比線的 是高頻“任意’’數值《該電流特徵1〇 (為〇%至1〇〇%)根 據像素位址（為1至16)而顯示。正如可見，取決於以該 光源矩陣12而顯示的像素數值，該電流特徵1〇是非常波 10013144#單編號Α0101 第37頁/共75頁 201227684 動的、或是包括交流電數值，因此限制了該光源矩陣12 可被疋址或編碼的最大速度。 第7b圖顯示顯示根據本發明之包括具有一底板裝置（未 顯示）的像素14的一光源矩陣12的一部分的示意表示。 如第7b圖中所顯示之該光源矩陣12的像素14顯示與第7a 圖中所顯示之該光源矩陣12相同的像素數值15。因為相 較於習知技術，如第7b圖中所顯示之該光源矩陣12的該 等像素14的定址是以不同的方式實行，因此，該光源矩 陣12的該等像素14的位址編碼（由寫在每一個像素14中 的號碼進行標示）是取決於分配至每一個像素14的像素 數值15。 第7b圖下方示意的表示中顯示被施加在該類比線上（未 顯示於第7a圖以及第7b圖中）的電流特徵10，該類比線 用於如第7b圖上方所標示之像素數值15分佈。在第几圖 的橫座標上，顯示有已定址的像素丨至16，並且，編號指 示於該光源矩陣12的該等像素14之中。然而，該些16個 像素進行定址的順序則是該等已定址像素下方的列中所 指示的順序。在此所展現的是，定址該等像素〗4的順序 疋任意的。不過’定址該等像素14的順序取決於利用該 光源矩陣12進行顯示的像素數值15。據此，被分配至該 等不同像素14的類比數值可包括具有改變電流之低頻率 之斜向上函數的特徵。正如可見，對應於〇 %像素15的電 流被施加至用於總共3個像素定址週期的類比線，亦即， 具有位址1、4、以及11 (其對應於第7a圖的該等像素14 中所指示的位址編號）的像素1、2、以及3。對應於33 % 之像素15的電流被施加至用於6個像素寫入週期的類比線 10〇13144^單編號A0I01 第38頁/共75頁 201227684 ’亦即，用於像素4-9。對應於66 %之像素數值丨5的電 流被施加來用於3個定址週期，亦即，用於像素1〇_丨2。 對應於1GG %像素15的電騎對4轉素紐聊而被分 配，以完成一個訊框之該光源矩陣12的所有16個像素14 的分配(如第7b圖中所顯示）。每一個像素14僅被致能一 個像素週期的持續期間，其中，該等像素週期的持續期 間實質為相同。 正如可由第6a圖以及第7b圖中所見，該電流特徵1〇可即 %變化，並且，在該些實例中，佔優勢地具有數學單調 函數的特徵。 Ο 10013144^^'^^ 從如第7a圖，第7b圖中所顯示之該光源矩陣12之該等像 素14的像素數值分佈開始，產生如第几圖下方所顯示的 該電流特徵10。在此實例中，應用的是斜向上函數。因 此，該電流特徵10從最低的電流開始，並增加至最高的 電流。所以，該電流特徵1〇是取決於被分配至該等像素 14的該等像素數值15。特別的是，此可理解為用詞“像 素數值分配方案”。該電流特徵10是藉由未顯示於第7b 圖巾的產生裝置所產生。 一旦該電流特徵10已取決於被分配至該等像素14的該等 像素數值15而產生，待定址之該等像素14的像素位址即 可在該電流特徵10被施加至該類比線時被決定。正如所 見，包括具有0%之像素數值15的像素14將首先被定址。 具有0%像素數值15的像素14的位址沒有必要精確地在如 上面所指示的順序中。也可以使用將這些像素數值15分 配到像素14的不同順序。因此，可能的是，被用用至至 少一類比線的所產生電流特徵10決定該等像素14的定址 A0101 第39頁/共75頁 1013075385-0 201227684 順序。在此實例中，被分配以相同像素數值15的所有像 素14的定址是以彼此時間相鄰的方式執行。 具優勢的是，類比電流可利用非常少的外部驅動器而緩 地從最小數值斜上升至一最大數值。，被分配以一特 定類比數值的像素的位址或位置被數位地傳送至位址解 碼器。若該底板裝置包括複數個單獨叢集，則一叢集之 所有像素的位址皆被數位地傳送至該叢集的位址解碼器 〇 第8圖顯示包括複數個叢集18的一底板裝置16的實例。第 8圖並未顯示完整的底板裝置μ，而是僅顯示其單獨的區 塊。因此’僅有四個叢集18顯示於第8圖中。每一個叢集 18包括示意地利用單獨的方塊進行指示的像素電路2〇。 每一個像素電路20被分配至該光源陣列（未顯示於第8圖 中）的一像素。根據如第8圖所顯示的實施例，該等叢集 18所受的控制是彼此獨立。該等像素以及因此該等像素 電路20形成該底板裝置μ以及該光源矩陣的—已連接且 相鄰區域，以形成該叢集18，此實施例的該等已連接區 域具有矩形的形狀，以及該等叢集18並未延伸在該底板 裝置16、或該光源陣列的整體寬度或整體長度上。 每一個叢集18包括一類比線22以及用來定址該叢集π的 像素或像素電路20的像素定址裝置24。第8圖中示意地指 示例如用於電腦之到來的像素資料被傳送至包括有該光 源矩陣以及該底板裝置16的該顯示裝置的顯示電子裝置 。该顯示器電子裝置將像素數值以及定址數值傳送至該 底板裝置16的面板電子裝置。取決於該顯示器裝置的特 第40頁/共75頁 別架構，該電流特徵10以及該像素位址可產生於電腦中 10013144#單編號 A0101 201227684 、或是該顯示器裝置的顯示器電子裝置中、或是在該底 板裝置16的面板電子裝置中。在第8圖中指示的是，每一 個叢集18包括位在該面板電子裝置以及該像素定址裳置 24之間的·~~連接線，以用於將位址資訊傳送至該像素定 址裝置24。於第8圖中示意顯示的是，該像素定址裝置24 被連接、及/或包括X-定址線26。用來定址一像素的y位 址的該定址裝置24包括y定址線28。 為了達成冗餘’可應用一内建的“軟體”方法、及/或額 外的冗餘電路。 0 本發明的概念可特別地以具優勢的方式應用於包括利用 叢集之底板的顯示設計，舉例而言，如在W〇 2009/024523 A1、W0 2009/092717 A1、W0 2008/138983、WO 2008/138984、WO 2008/138985、 WO 2008/138986、或EP10156572. 9，或 PCT/EP2011/053912中所揭示者，其所有内容皆在此做 為參考β再者，本發明的概念可應用於可顯示2D以及3D 0 内容的顯示器。尤其是，3D顯示器可為立趙顯示器、產 生多視點的立體顯示器、追踪使用者眼睛的自動立體顯 示器、以及全像式顯示器。如此的2D或3D顯示器能以傳 輸、反射或傳輸反射模式操作。如此的2D或3D顯示器可 以根據0LED、LCD (Liquid Crystal Display，液晶 顯示器）’或PDP (Plasma Display Pane卜電漿顯示 器面板）的原則而運作。 藉由根據本發明的底板裝置，其有可能為了一光源陣列/ 光源矩陣而按比例提高至較大的尺寸以及解析度（尤其是 因為該叢集方法）。該顯示器尺寸幾近沒有限制，因為數 10013144^單編號A〇1〇l 第41頁/共75頁 201227684 位線可藉由暫存器而延伸，以及類輯具有非常低的頻 率再者冑可月匕在操作根據本發明之具有該底板袭置 的該光源陣列/光源矩陣的同時亦達到節省電力，這是由 於直接跨越該等像素電路的轉換TFT的低R 。而驅重 光源（0LED)。由於該0LED電流、及/或該通時 間（on-tirae)可以控制地非常鱗，因此可以獲得一非 常高灰階練度以輯tt。藉由根據本發_該底板裝 置’有可能藉由每-個像讀活化的工作職（或每個 時間間隔的持續期間）或是藉由施加至每一個像素（或 每-個光源）的電流數值或是藉由兩種替代的結合而控 制每一個像素的該像素數值（例如’該光源陣列、或光 源矩陣的每一個光源操作時的亮度）。像素電路系統的 該TFT的數位切換容許閘極偏壓應力（职优Mas stress)所造成的臨界電壓改變。尤其是，若該光源陣 列/光源矩陣包括作為單獨光源的沉肪時，該的壽 命可具有優勢地獲得延伸，因為相較於在被根據習知技 術的底板裝置驅動時而被切換的同時頗為具有峰值的電 流分佈，一單獨的OUD當被根據本發明的底板裝置所驅 動時，在其被切換時的工作週期期間内是以較為穩定的 電流分佈加載。 像素TFT的低工作週期使得可以在不進行補償的情形下而 於壽命内維持數位功能。像素TFT的較高工作週期具有優 勢地相對延長了其每一個的壽命，但可能需要個別的補 償。因為需要用於每一個像素電路系統的較少數量的TFT ，因此，可以達成該底板裝置的較高生產量。 TFT閘極偏壓應力的已知問題是由於非晶石夕底板的tft的 1〇〇13144^單編號A0101 第42頁/共75頁 1013075385-0 201227684 不純物陷_及其他原因所造成，其導致作為臨界電壓 偏移原因之TFT中的電荷概。磁物_是在統計上分 佈。TFT間的該閘極偏壓應力亦在統計上不同。根據本發 明的定址方案’可能例如藉由來自外部之到達每—個像 素的一直接電連接而個別地定址每一個像素以允許直 接測量該像素的舰，例如，該像素電路祕、及/或該 光源。藉由這些裝置，測量可簡單地從面板外部進行控 制。如此的一測量程序可及時地執行，以作為一背景測 量程序，例如，在1%的訊框時間内。實行如此的測量並 不需要在矩陣中/像素上實施額外的TFT。 根據本發明的選擇TFT (T一xi，1〇〇 ; T_yi，200)包括 一低工作週期。此使得可以在沒有實質的更進一步補償 的情形下，於該底板裝置的壽命期間維持選擇了^的數位 功能。亦有可能的是，利用負的閘極電壓脈衝而反轉潛 在效應（potential effects)。具有中等工作週期的 TFT (例如，位址解碼器TFT)可利用集合脈衝而獲得足 夠的補償。此集合補償亦可能用於低工作週期况位)像素 的像素TFT ( “轉換TFT”，300)。根據本發明之該底 板裝置的概念亦使得對於〇LE：D工作週期之每個像素的個 別補償可高至100%。如此的結果是，該等像素數值的亮 度以及顏色直到壽命結束為止都不會改變。 舉例而言’該位址解碼器TFT的平均工作週期落在1〇%至 20%的範圍内。對該位址解碼器TFT的補償可集合地完成 。該選擇TFT的平均工作週期（根據第2圖，T_xi，T_yi )落在0.2%至1%的範圍内。該選擇TFT (T_xi，T_yi) 1001 單編 314# 早 不需要補償。該像素驅動TFT的平均工作週期（根據第2 號A01〇l 第43頁/共75頁 1013075385-0 201227684 圖’轉換TFT，T_ti )高至80%。對於該像素驅動TFT的 補償可以取決於工作週躺長度而個別地或集合地完成 。所有三_紐1·料觀量魏夠以在個別的 基礎上實行。 第9圖顯示根據上述第二個實施例之二個鄰接像素之二個 像素電路系統的例子，每—個像素電路系統職犯包括 三個TFT則，200，_。該二個像素是藉由相同的戌 址線28而進行定址。該第一像素電路系統2〇的第一TFT 1 〇〇連接至该第二像素的電路系統32的义定址線邡（χι) (做為-致能功能以及因此由參考符號斯指示）、至 該y疋址線28、以及至該第一像素電路系統2〇的第二TFT 200。該第-像素電路系統2〇的該第二抑7 2〇〇連接至該 第一像素電路系統2〇的第一TFT 1〇〇、至該第一像素電 路系統20的-X定址線26 (χ0)、以及至該第一像素電路 系統20的第dFT 300。該第-像素電路系統2〇的該第 二TFT 3GG連接至該第一像素電路系的第二抓 2〇〇。該第-像素電路系統2〇的該第三TFT 3〇〇被調適而 切換通過該第—像素電料細之光·〇至接地G_ 類比線22之間的-電連接n像素電路系統犯的該 第-TFT 100連接至該第一像素電路系統2〇的該χ定址線 26 (Χ0)(做為—致能功能以及因此由參考符號昶所指 示）、至該y定址線28、以及至該第二像素電路系統32的 忒第一TFT 200。該第二像素電路系統犯的該第二TFT 200連接至該第二像素電路系観的該第 一TFT 100、至 1013075385Ό 该第-像素電路系統32的—x定址線26 (χι)、以及至該 第二像素電路系統32的該第三抓3〇〇。該第二像素電 1001314#單編號A〇101 第44頁/共75頁 201227684 路系統32的該第三TFT _連接至該第二像素電路系統 32的第二TFT 200。該第二像素電路綠2_《第三tft 300被調適而切換通過該第二像素電路系統32之光源5〇〇 至接地GND的類比線22之間的一電連接。此實施例並不需 要為了像素的致能功能而在該底板裝置上具有分開的致 能線。此是藉由將一個像素的該X定址線26使用作為用於 一個鄰接像素20、32之其他像素的致能線3〇而達成。該 致能線30的邏輯位準若能對應於該X定址線26的邏輯位準 ，此即可達成。取決於使用的是n通道或p通道轉換TFT 3〇〇、或η通道或p通道選擇TFT 100，200，接下來的控 制方案需要被應用（X0、Xl=應用到分別X定址線26的訊 號，Y=應用到y定址線28的訊號）： 匪襲^單編號删1 第45頁/共75頁 1013075385-0 201227684 換 ΤΓΓ& Y X1 XO 1 1 1 碰兩者 1 0 1 安 1 1 α 安能右邊 Ρ纖轉換TFT& n 選擇TFT Y X1 XO 1 1 1 安能兩者 1 0 1 致能左邊 1 1 0 致能右邊 «換 TFT& PiUiSPTFr Y X1 XO 0 0 0 致能兩者 0 1 0 失能左邊 0 0 1 失能右邊 nSJIW換 TFT& P®»選擇TFT Y X1 XO 0 0 0 安能雨者 0 1 0 致能趟 0 0 1 致能右邊 第1 〇圖根據上述第三個實施例顯示用於四個鄰接像素的 四個像素電路系統2〇，32，34，36的例子，每一個像素 電路系統20，32，34，36包括三個TFT 100，200，300 。四個像素的位址相鄰於彼此，並由相同的y定址線28進 订疋址。該第一像素電路系統20的第一TFT 100連接至 。亥第一像素的電路系統34的X定址線26 (X2)(做為-致 10013144#單編號 A0101 第46頁/共75頁 1013075385-0 201227684 此功能以及因此由參考符號3〇所指示）、至該乂位址線28 以及至该第-像素電路系統2〇的第二叮丁觸。該第 一像素電路系統20的該第3FT 200連接至該第-像素 電路系統20的第-TFT 1〇〇、至該第一像素電路系統2〇 的一X定址線26 α〇)、以及至該第一像素電路系統2〇的 第二TFT 300。該第—像素電路系統20的該第三TFT 300連接至δ亥第-像素電路系統2〇的第二抓獅。該第 一像素電路系統20的該tTFT 被調適而切換通過 該第-像素電路系統20之光源5〇〇到接地_的類比線22 之間的-電連接。該第二像素電路系統32的該第一 1 〇〇連接至該第-像素電路系統2D的該χ定址線26 (χ〇) Ο 10013144^^

(做為-致能功能以及因此由參考符號3G所指示）、至 該y定址線28、以及至該第二像素電路系統32的該第二 TFT 200。該第二像素電路系統32的該第二TFT 2〇〇連 接至s亥第二像素電路系統32的該第一tft 1 〇〇、至該第 二像素電路系統32的一X定址線26 (XI)、以及至該第二 像素電路系統32的該第三TFT 300。該第二像素電路系 統32的該第300連接至該第二像素電路系統32的 第*^7 200。該第二像素電路系統32的該第三TFT 300被調適而切換通過該第二像素電路系統犯之光源5〇〇 到接地GND的類比線22之間的一電連接。該第三像素電路 系統34的第一 TFT 100連接至該第四像素的電路系統祁 的X定址線26 (X3)(做為一致能功能以及因此由參考符 號30所指示）、至該y位址線28、以及至該第三像素電路 系統34的第二TFT 200。該第三像素電路系統34的該第 二TFT 200連接至該第三像素電路系統34的第一TFT A0101 第47頁/共75頁 1〇13〇75385-〇 201227684 100至s亥第二像素電路系統34的一x定址線26 (χ2)、 以及至該第三像素電路系統34的第三TFT 300。該第三 像素電路系統34的該第=TFT 3〇〇連接至該第三像素電 路系統34的第二TFT 200。該第三像素電路系統34的該 第二TFT 300被調適而切換通過該第三像素電路系統 之光源500到接地GND的類比線22之間的一電連接。該第 四像素電路系統36的第一 TFT 100連接至該第二像素的 電路系統32的X定址線26 (X1)(做為一致能功能以及因 此由參考符號3〇所指示）、至該y位址線28、以及至該第 四像素電路系統36的第二TFT 200。該第四像素電路系 統36的s亥第謂了 200連接至該第四像素電路系統祁的 第一TFT 100、至該第四像素電路系統36的一χ定址線26 (Χ3)、以及至該第四像素電路系統36的第三抓獅 。該第四像素電路系統36的該第三TFT 300連接至該第 四像素電路系統36的第二TFT 200。該第四像素電路系 統36的該第三TFT 300被調適而切換通過該第四像素昶 之光源到接地GND500的類比線22之間的一電連接。類似 第二個實施例，此實施例並不需要為了像素的致能功能 而在5玄底板裝置上具有分開的致能線。此可被達成，若 對一個像素而言，該四個鄰接像素的其他像素的其中之 一的該X定址線26被使用作為用於此像素的致能線3〇。此 可被達成，若該致能線30的邏輯位準對應於該χ定址線26 的邏輯位準。取決於使用的是n通道或？通道轉換TFT 300、或η通道或p通道選擇TFT 100，2〇〇，接下來的控 制方案需要被應用（X0，XI，X2，χ3 =被施加至分別χ 定址線26的訊號，γ =被施加至該y定址線28的訊號）： 10013144产單編號A〇1〇l 第48頁/共75頁 201227684

π通道轉換TFT & π通道選擇TFT Y X3 X2 X1 XO 1 1 1 1 1 致能麵 1 0 0 0 1 失雛X3的像素 1 0 0 1 0 失驗X2的像素 1 0 1 0 0 失能於X1的像素 1 1 0 0 0 失肯游XO的像素 1 1 0 0 1 失能於X0&X3的像素 1 0 1 1 0 失能於X1&X2的像素 1 1 0 1 0 致能5$·ΧΟ的像素（於X2失 能） 1 1 1 0 0 致能於Χ1的像素（於ΧΟ失 能） 1 0 0 1 1 致能於Χ2的像素C於Χ3失 能） 1 0 1 0 1 致能«*Χ3的像素（於Χ1失 能） P通道轉換TFT & η通道選擇TFT Y X3 X2 X1 XO 1 1 1 1 1 失能全部 1 0 0 0 1 致能於Χ3的像素 1 0 0 1 0 致能於Χ2的像素 1 0 1 0 0 致能^X1的像素 1 1 0 0 0 致能於XO的像素 1 1 0 0 1 1 0 1 1 0 致能於X1&X2的像素 1 0 1 0 1 失能於XO的像素（於X2致 能） 1 0 0 1 失能於X1的像素（於XO致 能） 1 1 1 0 0 失能於X2的像素（於X3致 能） 1 0 1 0 失能於X3的像素（於X1致 能） 1001314#單編號 A_ 第49頁/共75頁 1013075385-0 201227684[0005] P通道轉換丁FT & P通道選擇TFT Y Χ3 Χ2 Χ1 χο 0 0 0 0 0 失能全部 0 1 1 1 0 失能於Χ3的像素 0 1 1 0 1 失能於Χ2的像素 0 1 0 1 1 失倉游Χ1的像素 0 0 1 1 1 失能於χο的像素 0 0 1 1 0 失能於Χ0&Χ3的像素 0 1 0 0 1 失能於X1 &Χ2的像素 0 0 1 0 1 致能於χο的像素（於Χ2失 能） 0 0 0 1 1 致能於Χ1的像素（於χο失 能） 0 1 1 0 0 致能於Χ2的像素（於Χ3失 能） 0 1 0 1 0 致能於Χ3的像素（於Χ1失 能） η 醒雛 TFT & n 擇 TFT Y Χ3 Χ2 Χ1 χο 0 0 0 0 0 失能输 0 1 1 1 0 致饊Χ3的像素 0 1 1 0 1 致倉辦Χ2的像素 0 1 0 1 1 致能於Χ1的像素 0 0 1 1 1 致能於Χ0的像素 α 0 1 1 0 gf^XD&X3的像素 0 1 0 0 1 致能於X1&X2的像素 0 0 1 0 1 失能於X0的像素（於X2致 能） 0 0 0 1 失能於X1的像素（於X0致 能） 0 1 1 0 0 失能於X2的像素（於X3致 能） 0 0 1 0 失能於X3的像素（於X1致 能） 當本發明以關連於特定實施例而進行敘述的同時，可以 理解的是，對本領域具通常知識者而言，許多的替代、 修飾、以及變化將可根據前面的敘述而變得明顯。特別 的是，本領域具通常知識者從圖式中所揭示的該底板裝 置以及對於此申請的敘述而衍生操作根據本發明之該底 板裝置、及/或使用根據本發明之該底板裝置以用於特殊 目的（例如，將其用於一顯示器裝置）的方法。據此， 1013075385-0 1()()13144#單編號A0101 第50頁/共75頁 201227684 有如此之落在所附申請專利範圍 的祀舞中的替代、修辞、以及變化。 :圖式簡單說明】 [0006] 第1圖：顯示根據本發明的—部分背板裝置的實例； 第2a圖以及第2b圖：备 认电 母—個顯示一像素的一像素電路系 例’其中’如此的—像素電路系統包括3個ΤΡΤΪ 第㈣：顯示根據第1圖的該底板裝置的-部分，其中，’ 更詳細地顯示位址解碼琴. 第4a圖以及第4b圖：翔千田认 〇 素叢集的驅動方案；用於第3圖中所顯示之像 第5圖：顯示示意圖中根據習知技術之底板裝置類比線的 電流特徵實例，其是利用、匕線的 』用出現在全像式顯示ϋ應用中的 均勻分佈像素數值； 第圖：赫根據本發明之底板裝置類轉的電流特徵 實例的一示意圖； 寻徵 =圖：顯示根據中的本發明之像素定址訊號的 第7a圖：在上絲轉據習吨狀包純分配以 不同的灰階數值的像素數值⑽個像素之光源矩 ，以及在圖式下錢示被施加於該類比線上、以將該 個不同灰階數值分配至該切㈣賴16個像二 實例； 机 第7« :在上㈣隸據本發明之包括被分配以四 同的灰階數㈣像素數值的16個像素之光源矩陣實例， 以及在圖式下方顯示被施加於马·艇士城l 於該類比線上、以將該 不同灰階數值絲至該切__⑽像 10013144产單編號A0101 第51頁/共75頁 J电机特 201227684 徵實例； 第8圖：顯示根據本發明之包括複數個叢集的底板裝置的 實例，其中僅顯示四個叢集； 第9圖：顯示用於該光源矩陣的該底板裝置的二個相鄰像 素的實例，其中，每一個像素包括含有3個TFT的一像素 電路系統；以及 第10圖：顯示用於該光源矩陣的該底板裝置的四個相鄰 像素的實例，其中，每一個像素包括含有3個TFT的一像 素電路系統。 【主要元件符號說明】 [0007] 10 電流特徵 [0008] 12 光源矩陣 14 、Pxy像素 15 像素數值 [0009] 16 底板裝置 18叢集 [0010] 20 、32、34、36像素電路系統 [0011] 22 類比線 [0012] 24 像素定址裝置 [0013] 26 X定址線 [0014] 28 y定址線 [0015] 30 致能線 Di 、500光源 圆训#單編號删1 第52頁/共75頁 1013075385-0 201227684

I_analog 電流 [0016] GND 接地 [0017] D 汲極 [0018] S 源極 [0019] G 閘極 [0020] 100 第一 TFT [0021] 200 第二 TFT 300 第三TFT Ο 10013144产單編號 Α〇101 第53頁/共75頁 1013075385-0

Claims (1)

1. 201227684 七、申請專利範圍： 1 . 一種用於—光源矩陣的底板裝置，其t，一光源（Di， 5〇〇)較佳地為-LED或-0LED，其中，該底板裝置（16 )的-像素電路系統（2〇 ’ 32，34，36)被分配至該光 源矩陣（12)的一光源⑼，5〇〇)，以控制該光源⑼ ，500 )，其中，一個光源（Di，5〇〇)以及一個像素電 路系統（20’32’34’36)構成—像素如，14)， 其中，該光源矩陣（12)的該等像素（pxy，14)根據一 像素特徵而進行分類，其中，開啟、及/或關閉該光源（ h，500)的該順序取決於該像素特徵，且並未必然取決 於該底板裝置（16)上的該像素（Pxy，⑷的該位置， 其中，被施加至該光源（Di，5〇〇)的一電流（ I—analog)受到至少一驅動器的控制其中該至少一 驅動器可電性地連接至至少—像素（pxy，⑷，以及該 至》-驅動器不屬於該像素（Pxy，⑷的該像素電路系 統（20 ’ 32，34，36)。 2.如申請專利範圍第丨項所述之底板裝置，其中，被分配至 一像素（14)的一像素數值（15)取決於被施加至該像 素（14)之該光源（Di，5〇〇)的該電流（I—时“叩） 、及/或取決於電流（I —ana 1 〇g )施加至該像素（14 ) 的該光源（Di，500 )的持續期間。 3 ·如申請專利範圍第丨或2項所述之底板裝置，其中，該光源 (Di，500 )，尤其是一LED或一〇LED，包括一臨界數值 以及其中，该像素特徵是如此之一光源（w，5〇〇)的 該臨界數值。 第54頁/共75頁 1013075385-0 201227684 4 .如申請專利範圍第丨至3項其中之一所述之底板裝置，其中 ’該像素特徵是該像素（14)的該光源（Di，500)被操 作所伴隨的亮度、或該電流數值。 5 .如申請專利範圍第4項所述之底板裝置，其中，該像素（ 14)的該光源（Di，500)將被操作一可預定的時間期間 〇 6 .如申請專利範圍第1至5項其中之一所述之底板裝置，其中 ，用於該等像素之一致能及/或一失能的該等像素的一定 址於本質上是為了包括相同像素特徵的該等像素（14)而 〇 實行’及/或其中，包括相同像素數值（15)的該等像素 (14)的該定址是以彼此時間相鄰的方式執行在該底板裝 置（16)的一操作模式中，及/或其中，在本質上相同的 時間的該底板裝置（16)之另一操作模式中，及/或其中 於一段時間内在該底板裝置（16)的又另一操作模式中， 及/或其中，在一像素數值（15)被分配至僅一個像素（ 14)的一時間》 Q 7 .如中请專利翻第1至6項其中之-所述之底板裝置，其中 ，該至少一驅動器被調適而使得流經一光源（以，5〇〇) 的該電流本質上包括一固定的數值，尤其是在該像素（14 )被活化的一可預定時間期間内。 1013075385-0 8 .如申請專利範圍第1至7項其中之一所述之底板裝置，其中 ，一電流特徵（10)被施加至該光源矩陣（12)的可預 定光源（14)，該電流特徵（1G)是—電流斜向上(卿 up)函數、及/或一電流斜向下(ramp d〇wn)函數、及/或 -類鑛齒函數’及/或其中’該電流特徵（1Q)包括相較 於該等統的該常脑動雛而言，驗__條預定活化 10013144#單編號 A〇101 第 55 頁 / 共 75 1 201227684 時間的-較高電流數值，及/或其中，該電流特徵包括相 較於該等光源職常見驅轉性而言，聽—較長預定活 化時間的一較低電流數值。 9.如中請專利範圍第丨至8項其中之—所述之底板|置其中 ，一電流特徵（10)被施加至該光源矩陣（12)的可預 定光源（14)，該電流特徵（1〇)可即時變化，並且， 佔優勢地具有一數學單調函數的該特徵，尤其是單調增加 、或單調減少。 10 .如巾請專利顧第丨至9項其巾之—所述之底板裝置，其中 ’被施加至至少一類比線（22)的已產生電流特徵（1〇 )決定該像素（14)的定址該順序。 11 .如申請專利範圍第miG項其中之一所述之底板裝置，其 中，被決定之該等像素位址針對該X方向以及該y方向而被 產生，以及其中’對於一像素（14)的一像素數值（15 )的該分目味以姉於該坊㈣及該y方向之—隨機存取 的方式而實行。 12 ·如申請專利範圍第項其中之一所述之底板裝置，其 包括至少一致能線（3〇)、及/或至少一類比線， 每-個像素電路系統皆被連接至一致能線⑽）、及/或 一類比線（22)。 13 .如申凊專利範圍第項其中之一所述之底板裝置其 包括至少一像素定址裝置（24)，其中，如此的一像素定 址裝置（24)包括X定址線（26)以及y定址線（28)， 其中，每一個像素電路系統（2〇，32，34，36)被連接 至一X定址線（26)以及至一y定址線（28)。 14.如巾請專利範圍第1至13項其中之—所述之底板裝置，其 圓襲产單編號A0101 第56頁/共75頁 201227684 中，該像素定址裝置（24)包括至少一x位址解碼器，以 及至少一y位址解碼器，該X位址解碼器被連接至該等乂定 址線（26)以及該y位址解碼器被連接至該等y定址線（ 28)。 15 .如申請專利範圍第Η項所述之底板裝置，其中，該χ位址 解碼器、及/或該y位址解碼器配置為與該底板裝置（16 )分開，或其中，該X位址解碼器、及/或該y位址解碼器 位在該底板裝置（16)的該外部邊緣，或其中，該χ位址 解碼器、及/或該y位址解碼器位在該等像素（14 ; 2〇， 32 ’ 34 ’ 36)間的該底板裝置（16)上。 16 .如申請專利範圍第12至15項其中之一所述之底板裝置， 其中’一像素電路系統（20，32，34，36)包括三個 TFT (100 ’ 200，300)，其中，該第一TFT (100)連接 至該致能線（30)、至一χ定址線（26)、以及至該第二 TFT (200)，其中，該第二tft (200)連接至該第一 TFT (100)、至一y定址線（28)、以及至該第sTFT ( 300)，其中，該第三TFT被連接至該第二TFT (200)， 以及其中，該第三TFT (300)被調適來切換通過該光源 (500)到該接地（GND)的該類比線(22)之間的電連接 17 .如申請專利範圍第12至16項其中之一所述之底板裝置， 1013075385-0 其中’一像素電路系統（2〇，32，34，36)包括三個 TFT (100，200，300) ’其中，對位置彼此相鄰以及藉 由相同y定址線（28)進行定址的二個像素（μ ; 20，32 )而言，該第一像素（2〇)的該第—TFT (100)是作為 一致能功能而被連接至該第二像素（32)的該χ定址線（ 10013144#單編號删1 第5?頁/共75頁 201227684 26)、至該y定址線（28)、以及至該第一像素（2〇)的 該第二TFT (200)，其中’該第—像素（2())的該第二 TFT (200)連接至該第一像素（2〇)的該第__TFT 〇〇〇 )、至該第一像素（2〇)的一x定址線（26)、以及至該 第一像素（20)的該第三TFT (3〇〇)，其中該第一像素 (20)的该第二TFT(300)被連接至該第一像素(2〇)的該第 :TFT(200)，以及其中，該第一像素（2〇)的該第三 TFT (300)被調適來切換通過該第一像素（2〇)的該光 源（500)到該接地(GND)的該類比線（22)之間的一電 連接，其中，該第一像素（32)的該第一TFT (100)是 作為一致能功能而被連接至該第一像素（2〇)的該χ定址 線（26)、至該y定址線（28)、以及至該第二像素（32 )的該第一TFT (200)，其中，該第二像素（32)的該 弟一TFT (200)連接至該第二像素（32)的該第一tft (100)、至該第二像素（200)的一x定址線（26)、以 及至§亥第一像素（32)的該第三TFT (300)，以及其中 該第一像素(32)的該第三TFT(300)被連接至該第二像素 (32)的該第二TFT(200)，以及其中，該第二像素（32) 的§玄第二TFT (300)被調適來切換通過該第二像素（32 )的该光源（500)到該接地(GND)的該類比線（22)之 間的一電連接。 18 .如申請專利範圍第12至16項其中之一所述之底板裝置， 其中，一像素電路系統（20 ’ 32，34，36)包括三個 TFT (100 ’ 200 ’ 300) ’其中，對位置彼此相鄰以及藉 由相同y定址線（28)進行定址的四個像素（2〇，32，34 ，36)而言’該第一像素（20)的該第一tft (1〇〇)是 1013075385-0 10013144#單編號A0101 第58頁/共75頁 201227684 作為一致能功能而被連接至該第三像素（34)的該χ定址 線（26)、至該y定址線（28)、以及至該第一像素（2〇 )的該第二TFT (200) ’其中，該第—像素（2〇)的該 第二TFT (200)連接至該第一像素（2〇)的該第一τρτ (100)、至該第一像素（2〇)的—x定址線（26)、以 及至該第一像素（20)的該第三TFT (300)，其中該第 一像素(20)的該第三TFT(300)連接到該第一像素(2〇)的 該第二TFT(200) ’以及其中，該第一像素（2〇)的該第 二TFT (300)被調適來切換通過該第一像素（32)的該 〇 光源（5〇〇)至該接地(GND)的該類比線（22)之間的一 電連接，其中，該第二像素（32)的該第一TFT (1〇〇) 是作為一致能功能而被連接至該第一像素（2〇)的該χ定 址線（26)、至該y定址線（28)、以及至該第二像素（ 32)的該第二TFT (200)，其中，該第二像素（32)的 該第二TFT (200)連接至該第二像素（32)的該第一 TFT (1〇〇)、至該第二像素（32)的一χ定址線（26) 、以及至該第二像素（32)的該第三TFT (300)，其中 〇 ' ，該第二像素（32)的該第三TFT (300)連接至該第二 像素（32 )的該第二TFT (200 )，以及其中，該第二像 素（32)的該第三TFT (300)被調適來切換通過該第二 像素（32)的該光源（500)至該接地(GND)的該類比線 之間的一電連接，其中，該第三像素（34)的該第一tft (100)是作為一致能功能而被連接至該第四像素（36) 的該χ定址線（26)、至該y定址線（28)、以及至該第 一像素（34)的該第二TFT (200 )，其中，該第三像素 (34)的該第二TFT (200)連接至該第三像素（34)的 1013075385-0 多單编號A0101 第59頁/共75頁 10013144^ ^ 201227684 該第一TFT (100)、至該第三像素（34)的一x定址線（ 26) '以及至該第三像素（34)的該第三TFT (300)， 其中》該第三像素（34)的該第三TFT (300)連接至該 第三像素（34)的該第二TFT (200)，以及其中，該第 三像素（34)的該第三TFT (300)被調適來切換通過該 第三像素（34)的該光源（500)至該接地(GND)的該類 比線（22)之間的一電連接，其中，該第四像素（36) 的該第一TFT (100)是作為一致能功能而被連接至該第 二像素（32)的該X定址線（26)、至該y定址線（28) 、以及至該第四像素（36)的該第二TFT (200)，其中 ’該第四像素（36)的該第二TTT (200)連接至該第四 像素（36)的該第一TFT (100)、至該第四像素（36) 的一X定址線（26)、以及至該第四像素（36)的該第三 TFT (300)，其中，該第四像素（36)的該第三TFT ( 3〇〇)連接至該第四像素（36)的該第二TFT (200)， 以及其中’該第四像素（36)的該第三TFT (300)被調 適來切換通過該第四像素（36)的該光源（500)至該接 地(GND)的該類比線（22)之間的一電連接。 19 ·如申請專利範圍第12至18項其中之一所述之底板裝置， 其中’一像素（20，32，34，36)的該第一TFT (1〇〇) 以及相同像素（20，32，34，36)的該第二TFT (2〇〇) 結合成為一雙閘極TFT。 20 .如申請專利範圍第13至19項其中之一所述之底板裝置， 其中，一X定址線（26)或一y定址線（28)與一像素（ 20，32，34，36)的該第一TFT (1〇〇)的5亥閘極（◦) 1013075385-0 相連接’或是與該像素（2〇，32，34 ’ 36)的該第二 10013144#單編號A0101 第60頁/共75頁 201227684 TFT (200)的該閘極⑹相連接，或是與根據申請專利 範圍第19項的該雙閘極TFT_間極相連接。 21 .如中請專利_第12至2〇項其中之_所述之底板裝置， 其中’-致能線（30)或作為-致能線⑽）的該χ定址 線（26)與—像素（20,32,34,36)的該第一抓（ 1〇〇)的該源極⑻相連接，及/或其中，一像素（2〇， 32，34，36)的該第一TFT⑽）的該祕⑻與相 同像素的該第二TFT⑽）的該源極⑻相連接及/ 0 或其中’像素（20，32，34，36)的該第二TFT (200 )的該没極（D)與相同像素（2〇，％，34，36)的該第 二TFT (300)的該閘極（◦)相連接。 22 .如申請專利範圍第12至21項其中之一所述之底板裝置， 其中’該類比線（22)連接至一像素（2〇，32，34，36 )的該第三TFT (300)的該源極⑻，以及被連接至該 接地（’之相同像素（2〇，32，34，36)的該光源 (500)與相同像素（2〇，32，34，36)的該第sTFT ( Q 3〇〇)的該汲極（D)相連接，或其中，被連接至一像素 (20 ’ 32，34 ’ 36)的該光源（5〇〇)的該類比線（22 )連接至相同像素（20，32，34，36)的該第三TFT ( 300)的該源極（s)，以及該接地（GND)與相同像素（ 20 ’ 32 ’ 34，36)的該第三TFT (300)的該汲極（D) 相連接。 23.如申請專利範圍第丨至22項其中之一所述之底板裝置，其 包括一像素測量方案，該像素測量方案包括於一預定時間 的期間内，尤其是一訊框時間的一部分時間内，所應用之 該像素（14)的一測量函數，一像素（14)的該像素測 1013075385-0 1〇〇13144#單編號A01〇l 第61頁/共75頁 201227684 量是在連接至該像素（14)的該至少一驅動器的幫助下而 實行。 24 ·如申請專利範圍第23項所述之底板裝置，其中，一像素電 路系統（20，32，34 ’ 36)的該轉換電晶體（300)的 該閘極（G)藉由定址該像素（14)的該χ位址線（26) 以及該y定址線（28)而連接至該致能線（30)，其中， 一可變電壓函數被應用於該致能線（30)，該可變電壓函 數包括應用從一第一（〇V)電壓數值至一第二電壓數值（ Vmax)的電壓數值之增加或減少，以及其中，一測量裝 置被調適來測量通過該像素（14)的該光源（500)到該 接地(GND)的該類比線（22)之間的一電流在該可變電壓 函數的哪一電壓數值流動、或不再流動。 25 ·如申請專利範圍第23或24項所述之底板裝置，其中，一 像素（14)的該像素電路系統（2〇，32，34，36)是藉 由該定址裝置而進行定址’以使得從該類比線（22)通過 該個像素（14)的該光源（5〇〇)而到達接地（GND)的 一電流流動被致能，其中’一電流函數被應用於該類比線 (22) ’該電流函數包括應用從一第一（〇mA)電流數值 至一第二電流數值的電流數值增加或減少，一測量裝置測 量通過該像素（14)的該光源（500)到該接地(GND)的 該類比線（22)之間的該真實電流流動。 26.如申請專利範圍第1至25項其中之一所述之底板裝置，其 包括由非晶矽'非晶氧化物、或多晶矽、或有機電性材料 所製成的一電路系統。 27 ·如申請專利範圍第1至26項其中之一所述之底板裝置，其 中’該光源矩陣（12)及/或該底板裝置（16)包括像素 10013144#單編號A0101 第62頁/共75頁 201227684 (14)的至少二叢集（18)的一叢集配置，以及其中， 母一個叢集（18)包括一類比線（22)，以及一像素定 址裝置，以定址該叢集（18)的該等像素（14)。 28 .如申請專利範圍第27項所述之底板裝置，其中，該等叢集 (18)獨立於彼此地受到控制，及/或其中，形成該光源 矩陣（12)的一相連接或一相鄰區域的複數個像素（14 )形成一叢集（18)，其中，如此的一區域可具有一矩形 形狀、一正方形形狀、一蜂巢形狀，以及其中，一叢集（ 18)較佳地是不在該光源矩陣〇2)的一整體寬度或一 整體長度上延伸。 29. -種統矩p車’尤其是用於產生__場景或内容的一二維及 /或二維表現的一顯示器裝置，該光源矩陣包括如申請專 利範圍第1至28項其中之一所述的一底板裝置〇6)。 30 · —種用於產生一場景的一二維及/或三維表現的顯示器裝 置，尤其是一立體、或全像顯示器裝置，該顯示器裝置包 括如申請專利範圍第1至28項其中之一所述的一底板裝置 (16)或包括如申請專利範圍第29項所述的該光源矩陣 31 · —種用於操作一光源矩陣的一底板裝置的方法，尤其是用 於操作如申請專利範圍第1至28項其中之一所述的該底板 裝置（16)，其中，一光源（Di，500)較佳地為一LED 或一0LED，其中，該底板裝置（16)的一像素電路系統 (20，32，34 ’ 36)被分配至該光源矩陣（12)的一光 源（Di ’ 500)來控制該光源（Di，500)，其中，一個 光源（Di ’ 500)以及一個像素電路系統（2〇，32，34 1013075385-0 ，36)構成一像素（Pxy ’ 14)，其中，該光源矩陣（12 10013144#單編號A〇101 第63頁/共75頁 201227684 )、或該光源矩陣（12)的-叢集（18)的該等像素（ ~ ’ 14)根據-像素特徵而進行分類，其中，開啟、及 /或關閉該光源（Di ’ 500)的該順序取決於該像素特徵 ’且亚未必然取決於該像素（Pxy，14)於該底板裝置（ 16)上的該位置’其中，被施加至該等光源⑼，咖） 的—電流（I_analog)受到至少一驅動器的控制，其中 ，该至少—驅動11可紐地連接至至少-像素（Pxy，14 )’以及該至少-驅動器不屬於該像素（Pxy，14)的該 像素電路系統（20, 32, 34, 36)。 32 .種用於一光源陣列或一光源矩陣（12)的底板裝置尤 其是在用來魅-場景朗容的—二維及/或三維表現的 —顯不器裝置巾的-辆矩陣（12)，該光驗陣所包括 的像素（14)具有像素位址，並且可受將像素數值（15 )分配至該等像素（14)賴底板裝置（16)的電性控 制，該底板裝置（16)包括用於每一個像素（14)的至 少—光源（Di’500)、至少一類比線（22)、以及至少 像素疋址裝置（24)，其中，如此的一像素定址裝置（ 24)包括X定址線（26)以及y定址線（28)，其中，每 一個像素（14)被連接至一類比線（22)、一χ定址線（ 26)、以及至一y定址線（28)，其中，作為一像素數值 分配方案，一產生裝置被調適來產生施加於該至少一類比 線（22)的一電流特徵（10)，以使得該電流特徵（1〇 )取決於被分配至該等像素（14)的該等像素數值（15 )，其中，該底板裝置（16)被調適而使得該等像素位址 是取決於作為一像素定址方案的該已產生電流特徵（10) 而被決定，以及使得該已產生電流特徵（1〇)被施加於該 1001314# 單M A〇1()1 第 64 頁 / 共 75 頁 201227684 至少一類比線（22)，以用於將該等像素數值（15)分 配至該等像素（14)的目的。

   10013144^^^* A0101 第65頁/共75頁 1013075385-0