TW201227109A - Display device and manufacturing method thereof - Google Patents

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conductive
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Shih-Hao Tseng
Shih-Hsing Hung
Chih-Jen Hu
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Au Optronics Corp
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Description

201227109 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於-種顯示元件及其製造方法，且特別 是有關於一種顯示器之顯示元件及其製造方法。 【先前技術】 隨著顯示技術的突飛猛進，顯示器已從早期的陰極射 線管Ο顯示器逐漸地發展到目前的平面顯示器㈣
Pand此㈣FPD)。相較於硬質載罐如玻璃基板)所 構成的平面齡H ’由於可祕基板(諸如_基板)具有 可撓曲及耐衝料雜，因此近年來已料研究將主動元 件製作於可撓性基板上的可撓式顯示器。 •般來說 一_〜肩不益疋由多個畫素結構所構成，而每— 個晝素結構包括_電晶體以及與賴電晶體電性連 畫素電極對於穿透式顯示面板來說，畫素電極通常是 用，錫氧化物_)透明電極材料。傳統形成晝素電極的方 法是利用沈積方式形成銦錫氧化物薄膜之後，再以微影以 及姓刻程序將上叙娜氧化_顧案化，⑽成各查 素電極圖案。 ~~ 然而，由於銦锡氧化物屬於無機氧化物，此種材料本 身具有易驗。因此，若將轉氧錄制於可撓式顯示 器之畫素f極時，將容易有晝素電極碎裂㈣ek)的問題產 生，如此將導致該晝素結構無法正常驅動。 201227109 【發明内容】 =㈣提供元件及其製造方法，其可以避免 V，器之晝素電極容易產生碎裂的問題。 =明提出—種顯示元件，其包括主動元件、保護 i中及第—導電材料。保護層覆蓋主動元件， 2^^^.具有第一接觸窗開口以暴露出主動元件的一 導二二Ϊ電極位於保護層上，其中晝素電極是由多個微 子材:。楚成的非薄_式之電極或是包括有機導電高分 ^ λ,,,.導電材料位於第一接觸窗開口處並且與被暴 電性連接動7^電性連接’其巾晝素電極與第-導電材料 其如—軸示元件的製造方法。此方法包括於 ;。在=在f板上形成保護層以覆蓋主動元 一部份。於保__口以暴露出主動元件的 由多個素電極，其中所述晝素電極是 導雷古八H冓構成的非薄膜形式之電極或是包括有機 I 第一接觸窗開口處形成第-導電材 接，且查·^ 導電材料與被暴露出的主動讀電性連 接ί晝錢極與第-導電㈣電性連接。 觸圖案構，其包括接塾、保護層、接 上，豆中接網路出接墊。接觸圖案位於保護層 式之圓荦2是由多個微導電結構所構成的非薄膜形 式圖案。導電材料位於接觸窗㈣處並與被暴露出的i 201227109 墊電^連接’其中接觸_與導電材料電性連接。 土於上述，本發明採用由微導電結 是有機電高分子材料作為晝素電== 發明亦制由微導電結構所構成的非薄卿式n =結=接觸圖案。由於由微導電結構所構成的非S 形式之電極或是有機電高分子材财有可撓曲性質而 將其用於可撓式顯示器不會有碎裂的問題。另外 明是透過第-導電材料將晝素電極與主動元件電性^ 因此可以避免晝素電極因是非薄卿式之故 元件之間有電性接觸不佳的問題。 易與主動 為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特 舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。 ’ 【實施方式】 圖1疋根據本發明一實施例之顯示元件的剖面示音 圖。圖9是根據本發明一實施例之顯示元件的上視示意 圖。請參照圖1以及圖9，本實施例所提出的顯示元件^ ®方法首先提供基板100。根據本實施例，基板1〇〇且 有顯示區Α以及接合區β。 基板100之材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是 不透光/反射材料(例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷' 或其它可適用的材料）、或是其它可適用的材料。若使用導 電材料或金屬時，則在基板100上覆蓋一層絕緣層（未繪 6 201227109 示）’以避免短路問題。 動元# Ϊ ^基板1GG之顯示區A中形成主動元件T。主 極G電性連接掃㈣/道CH、源極S以及汲極D。間 Λη.^. ，源極s電性連接資料線DL·。一 件 70件Τ之_包含底閘型元件及頂閘型元 上述一種兀件，以通道ch位於 之通道叫4㈣方， 而頂閘型7L件之通道CH位於_ G上方。本發明實施例 =動疋件^以底閘以件為範例’，然而，主動元件T ，為頂閘型元件亦可實施之。因此，本發縣動元件T以 底問型元件為範例說明如下：閘極G位於基板刚上，且 成閘極G時-般會同時在基板⑽上形成與閘極〇電 性連接的掃描線SL。另外，在閘極G上方覆蓋有絕緣層 102 ’此絕緣層102 一般又可稱為閘極絕緣層。通道CH是 位於閘極G的上方的絕緣層1〇2上。源極s以及没極d是 位於通道CH的上方。在此，於形成源極s時可同時形成 與源極s電性連接的資料線DL。另外，在通道CH與源極 S及汲極D之間可進一步形成歐姆接觸層〇M。 根據本發明之一實施例，在基板1〇〇之主動區A形成 主動元件T的同時，更進一步在基板1〇〇之接合區B形成 接墊電極BP。接墊電極BP可為與閘極G同一層或是與源 極S/汲極D同一層。本實施例之圖示之接墊電極Bp是以 與閘極G同一層為例以詳細說明之，但不限於此。 在形成主動元件T之後’接著在基板1〇〇上形成保護 7 201227109 層104，H)6以覆蓋主動元件 可為單層結構或多層結槿，日甘^據本只施例，保護層1〇4 氧化石夕、氮切、氮氧切、其它 含無機材料(例如是 組合)或是有機材料，（例如是或上述之 聚碳酸醋類、聚環纽類、聚、/ f貞、聚丙酿類、 聚醇類、聚_、或其它合適的材料或、 層106可為單層結構或多層結構，且1材^組合）。保護 層104所述材料。本菸明奢〃材科亦可選用保護 材料且保護層104是選用無機 於, 材科為乾例，但不限於此。 粗例，保護層1〇4與保護層1〇6可選用相同的材 科或不同的材料。t，保護層廳是選用有機材料時，一 般又可以稱為平坦層。再者，上述之保護層1〇4，1〇6也可 選擇性的進一步覆蓋接墊電極BP。 值得一提的是，雖然本實施例是以在主動元件τ上形 成保護層104, 106為例來說明，然本發明不限於此。根據 其他實施例，也可以在主動元件T及/或(and/or)接墊電極 BP上僅形成保護層104，或是在主動元件τ及/或接墊電 極BP上僅形成保護層106。 在形成保護層104, 106之後，接著在保護層104, 106 中形成第一接觸窗開口 C1以暴露出主動元件T的一部 份。更詳細來說，第一接觸窗開口 C1是暴露出主動元件T 的汲極D。另外，也在保護層104, 106中形成第二接觸窗 開口 C2以暴露出接墊電極BP。在保護層104, 106中形成 第一接觸窗開口 C1及第二接觸窗開口 C2的方法例如是採 8 201227109 用微影程序以及蚀刻程序。 no m第棠^觸窗開。ci内形成第一導電材料 Γ開口C2内形成第二導電材料 &歹 弟一/第二導電材料110, 112例如是 =一^積程序以及圖案化程序所形成之膜層。在此，第一/ 電材料110, 112疋分別覆蓋第—接觸窗開口 C1與 =^觸窗開σ C2的表面。也就是說，第一/第二導電材 H 以完全覆蓋第一/第二接觸窗開口 C1，C2的 或是部分覆蓋第-/第二接觸窗開口 u，c2的底部。 2材料110，112可為單層或多層結構，且其材質可包括 :電材料(例如是銦、鋁、鈦、钽、金、銅、銀、或其它合 ^的材料、或上述材料之合金、或上述材料之氮化物、或 疋上述材料之氧化物)或是透明導電㈣(例如是氧化姻錫 (Indium-Tin Oxide, IT〇) , ft li # (Indium-Zinc Oxide, IZO)、氧化鎵鋅(Gallium_Zinc 〇xide，Gz〇)、氧化辞錫 (Zinc-Tin 0xide，ZT〇)等等）’且形成第一/第二導電材料 110, 112的步驟可以在同一製程或是不同製程中完成。 接著，於保護層104, 1〇6上形成畫素電極！>£，晝素電 極PE直接覆蓋導電材料11〇。每一晝素電極1>£與對應的 主動凡件T構成一個晝素單元P。另外，在保護層104, 100 上形成接觸圖案150,其中，畫素電極ΡΕ*會與接觸圖案 150係相互分隔開來的。特別是，所形成的畫素電極卩五與 接觸圖案150是由多個微導電結構所構成的非薄膜形式之 電極。在圖1之實施例中，所述微導電結構是彼此堆疊， 201227109 =如疋彼此交錯堆4❾細齡^ et 奈米管。更詳細來說，所述細J屬= -以及單一接觸圖^:早晝素早疋p内之晝素電極 细緻於畫钱極托以及接觸圖案150是由 m 米管所構成，其並非傳統的薄膜形 ί及^圖宰敏^屬^^電/米管所構成的晝素電極-茶50具有較佳的可撓性及延展性。者 素電極ΡΕ以及接觸_15()_ ^ ς 可避免因撓曲而產生碎裂。另外，因為構if素電 膜形式，因而細緻金屬導電不米管並非連續薄 有可能虚主動元第第二接觸窗開口 C1，C2内 的面積不；^她接㈣_題。目 形成晝素電極ΡΕ以及接觸圖案15〇之前，先在第=在 接觸窗開口 Cl，C2Rm /贫、首无在弟-/第一 使第成第—/第二導電材料110,112,以 电r玍運接。之後，於保護層 素電極PE以及接觸圖案15〇讀，日=上軸旦 圖案150便可直接與第 ^電極四以及接觸 觸。如此一來，晝素電極PE可透過n^性接 112而姐極D以及接_案15()電性連材枓H0, 201227109 根據另一實施例，上述之晝素電極PE以及操觸圖案 150也可以是包括有機導電高分子材料。 另外，根據本發明之一實施例，上述之書素電極PE 以及接觸圖案15〇中更包括黏著劑，以將微導電結構黏著 在一起。根據另一實施例，在晝素電極pE以及换觸圖案 150上更包括覆蓋層ον以增加晝素電極卩丑以及换觸圖案 150之微導電結構的附著性’如圖μ所示。所述覆蓋層 C^V包括有機材料，且其厚度相當薄。由於覆蓋層〇v之 厚度足夠薄，因而可使得畫素電極PE以及接觸圖案150 之部分金屬絲(或金屬線段)可凸出於覆蓋層〇v，如此一來 後蓋層OV不會影響接觸圖案與後續元件之間的接合。 為了詳細說明上述之晝素電極PE以及接觸圖案150 =、、且成結構’以下以圖2A至圖2C之圖示來說明，且圖 至圖^2C疋對應圖i之第一接觸窗開口 C1處（區域R) ^上視示意圖。請先參照圖1以及圖2A，在本實施例中， ^觸_開口 C1暴露出沒極D，且導電材料⑽是形 士ίΪ 一接觸窗開口 C1内以與没極D電性連接。另外， 是直接與晝素電極㈣性接觸，因此構 no而與汲極㈣過導電材料 導電本實施例在晝素電極PE與汲極D之間形成 ’使得導電材料_形成 2 ⑽讀汲㈣電性連接，以改 1 201227109 緻金屬絲120與汲極D之間可能有電性接觸不佳的問題。 而由於導電材料110僅形成在第一接觸窗開口 C1内，在 此顯示元件内之大部分的晝素電極PE仍是細緻金屬絲 120。因此，此種顯示元件仍具有絕佳的可撓曲特性。 在上述之圖1以及圖2A實施例中，晝素電極pE是由 彼此堆疊的細緻金屬線段120所構成。然，本發明不限於 此。根據另一實施例，上述之畫素電極PE亦可為導電奈 米管(nano-tubes)。另外，根據其他實施例，晝素電極^ 還可以疋由其他種形式之微導電結構所構成，如圖2b以 及圖2C所示。 請參照圖2B，其為對應圖丨之第一接觸窗開口（：1處 的示意圖，在圖2B之實施例中，構成晝素電極1^之微導 電結構是組成網狀結構之金屬線/絲13〇。在本實施例中， 由於畫素電極PE是由組成網狀結構之金屬線13〇所構成 的非薄膜形式。換言之，本實施例之畫素電極pE是由金 屬網狀結構130所構成。藉由所述網狀結構之金屬線13〇 來構成晝素電極PE同樣具有甚佳的可撓性。此外，本實 施例同樣在網狀結構之金屬線130(晝素電極pE)盥汲極〇 之間形成導電材料，使得導電材料11〇形成^第一接 觸窗開口 C1内以與祕D電性連接，因此可以改 結構之金屬線130(晝素電極PE)與汲極D之間可能有電性 接觸不佳的問題。 請參賴2C，其為對應圖i之第一接觸窗開口 ci處 的示意圖，在圖2C之實施例中，晝素電極pE是由奈米導 12 201227109 電顆粒(nano-particles)所構成。上述之奈米導電顆粒或是奈 米導電結構140是透過彼此堆疊或接觸的方式而使奈米導 電顆粒或是奈米導電結構140之間彼此電性接觸，以作為 單一顯示元件内之晝素電極PE。類似地，由於晝素電極 PE是由奈米導電顆粒或是奈米導電結構14〇所構成的非 薄膜形式’因此由奈米導電顆粒或是奈米導電結構所 構成的晝素電極PE具有較佳的可撓性。此外，本實施例 亦在奈米導電顆粒或是奈米導電結構14〇(晝素電極pE)與 汲極D之間形成導電材料11〇，使得導電材料11〇形成在 第一接觸窗開口 C1内以與汲極D電性連接，因此可以改 善奈米導電顆粒或是奈米導電結構140(晝素電極pe)與汲 極D之間可能有電性接觸不佳的問題。 上述圖2A至圖2C之圖示是繪示出第一接觸窗開口 C1處之結構。然實際上，第二接觸窗開口 C2處之結構也 與圖2A至圖2C之結構相同或相似。 圖3是根據本發明一實施例之顯示元件的剖面示意 圖。請參照圖3 ’圖3之實施例與圖1之實施例相似，因 此與圖1相同的元件以相同的符號表示，且不再重複贅 述。在本實施例中，於形成第一/第二接觸窗開口 C丨， 之後，先在第一/第二接觸窗開口 Cl，C2内填入第一/第二 導電材料210, 212,之後於保護層ι〇6上形成晝素電極pE/ 接觸圖案150。值得注意的是，此部分可以依設計的需求 將第一/第二導電材料210, 212填滿第一/第二接觸窗開口 Cl，C2 (圖未示）、不完全填滿（圖未示）第一/第二接觸窗 13 201227109 開口 Cl，C2、或者第一/第二導電材料21〇, 212填滿第一/ 第二接觸窗開a Cl，C2且延輕部分紐層應的表面 (如圖3所不），等任何的行式，本發明並不依此為限。在 此，於第一/第二接觸窗開口 C1，C2内填入第一/第二導電 材料210, 212之方法例如是採用噴墨印刷程序或是網板印 刷程序。根據本實施例，第一/第二導電材料21〇, 212是含 導電奈米顆粒的導電墨水材料，例如是奈米金屬粒子，包 含金、銀、銅或是其他金屬；或是奈米金屬氧化物粒子， 例如是氧化銦錫(Indimn-Tm 〇xide, IT0)奈米粒子、氧化鋅 (ΖηΟ)氧化錫（SnO)奈米粒子、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZ0)奈米粒子、氧化鎵鋅（Gamum Zinc如知， GZO)奈米粒子、氧化鋅锡(Zinc Tin 〇xide，ζτ〇)奈米粒 子或是其他的金屬氧化物粒子。類似地，由於晝素電極'ρΕ 以及接觸圖案150是由非薄卿式之微導電結構所構成之 電極，因此此晝素電極ΡΕ/接觸圖t⑼具有甚佳的可撓 性。另外，本實施例在形成晝素電極pE/接觸圖案丨5〇之 前，更進一步透過噴墨印刷程序或是網板印刷程序在第一/ 第二接觸窗開σ C1，C2填入第一/第二導電材料加 212，使得導電材料210, 212形成在接觸窗開口 c2内 以與汲極D電性連接，以改善畫素電極pE與汲極〇之 以及接觸圖案150與接墊電極Bp^間之紐接觸不佳的 問題。 另外’根據另-實施例，形成畫素電極pE/接觸 150以及第一/第二導電材料21〇, 212也可以是，先於保蠖 ⑧ 14 201227109 層104,106上形成晝素電極PE/接觸圖案15〇，再透過喷墨 印刷程序或是網板印刷程序在第一 /第二接觸窗開
2U Z PE以及接觸圖案150可以與第一/第二導電材料21〇, 212 直接接觸，因而藉由第一/第二導電材料21〇, 212可使晝素 電極PE與主動元件T之汲極D電性連接，並且使接觸圖 案150與接墊電極BP電性連接。 承上所述，若是採用先在第一/第二接觸窗開口 Cl， 内填滿第一/第二導電材料210, 212或者是先在第一/第二 接觸窗開口 Cl，C2内填滿第一 /第二導電材料21〇, 212^ 第一/第二導電材料延伸至部分保護層106的表面，再於保 δ蒦層104，1〇6上形成晝素電極pe以及接觸圖案之方 法，那麼晝素電極ΡΕ以及接觸圖案15〇將不會填入第一/ 第二接觸窗開口 Cl，C2内。換言之，當第_/第二接觸窗 開口 Cl，C2内填滿第一/第二導電材料21〇, 212時，晝素 電極ΡΕ以及接觸圖案15〇是於保護層1〇6之表面上第一/ 第二接觸窗開口 C1，C2上與第一/第二導電材料21〇, 212 電性接觸；而當第-/第二接觸窗開口 C1，C2内填滿第-/ 第，導電材料210, 212且第一/第二導電材料延伸至部分 保護層106的表面時，晝素電極PE以及接觸圖案15〇是 於第一/第二接觸窗開口 C1, C2上以及保護層1〇6之表面 上與第一/第二導電材料210, 212電性接觸。 】4是根據本發明一實施例之顯示元件的剖面示意 圖。請參照圖4 ’圖4之實施例與圖1之實施例相似，因 15 201227109 此與圖1相同的元件以相同的符號表示，且不再重複贅 述。在本實施例中’於形成第一/第二接觸窗開口 Cl，C2 之後，先於第一/第二接觸窗開口 Cl, C2内填入第一/第二 導電材料310, 312，之後於保護層1〇6上形成晝素電極pe 以及接觸圖案150。值得注意的是，此部分可以依設計的 需求將第一/第二導電材料310, 312填滿第一/第二接觸窗 開口 Cl，C2 (圖未示）、不完全填滿（圖未示）第一/第二接 觸窗開口 Cl, C2或第一/第二導電材料21〇, 212填滿第一/ 第一接觸窗開口 Cl，C2並延伸至部分保護層的表面 (如圖4所示）。在此’在第一/第二接觸窗開口 ci，C2内填 入第一/第二導電材料310，312之方法例如是採用噴墨印 刷程序或是網板印刷程序。根據本實施例，第一/第二導電 材料310, 312是含有機導電材料，其例如是聚對苯乙烯磺 酸的混合物（3,4-p〇lyethylenedioxythiophene ： polystyrenesulfonate，Pm)〇T : PSS)、聚苯胺(P〇lyanmne)、 ^^乙炔（polyacetylene)、聚石比洛(polypyrrole)、聚。塞吩 (polythiophene)或是其他的有機導電材料。類似地，由於晝 素電極PE以及接觸圖案15〇是由非薄膜形式之微導電結 構所構成之電極，因此此畫素電極PE以及接觸圖案15〇 具有甚佳的可撓性。另外，本實施例在形成晝素電極pE 以及接觸圖案150之前，更進一步透過喷墨印刷程序或是 網板印刷程序在第一/第二接觸窗開口 C1，C2填入第一/第 二導電材料310, 312，可以改善晝素電極pE與汲極Di 間以及接觸圖案150與接墊電極Bp之間之電性接觸不佳 201227109 的問題。 另外’根據另一實施例，形成晝素電極PE/接觸圖案 150以及第一/第二導電材料31〇 312也可以是先於保護 層1〇4，1〇6上形成晝素電極pE以及接觸圖案15〇。之後， ，透過噴墨印刷程序或是網板印刷程序在第一/第二接觸 窗開口 C1’C2内填入第-/第二導電材料310, 312。由於晝 素電極PE以及接觸圖案15〇可與第-/第二導電材料310, 3金 12直接接觸’因而藉由第一/第二導電材料310, 312可使 晝素電極1^與主動元件T之祕D電性連接，並使接觸 圖案150與接墊P電性接觸。 便接觸 承上所述’若是採用先在第一/第二接觸窗開口 Cl，C2 内填入第一 /第二導電材料31〇, M2之後再於保護層 刚，1〇6上形成畫素電極PE之方法，那麼晝素電極托以 及接觸，案15g將不會填人第_/第二接觸窗開口 内:換言之，當第一/第二接觸窗開口 α，C2内填滿第一/ 第-導電材料310, 312時，晝素電極PE以及接觸圖案 是於第一 /第二接觸窗開σ C1，C2上與第一 /第二導電材料 310, 312電性接觸；而當第一/第二接觸窗開口 C1，C2内填 滿第一/第二導電材料310, 312且第一/第二導電材料延伸 至部分保護層106的表科，晝素電極pE以及接觸圖案 150是於第一/第二接觸窗開口 C1，c2上以及保護層1〇6 ^ 表面上與第一/第二導電材料31〇, 312電性接觸。 值的一提的是，在上述圖3以及圖4之實施例中，晝 素電極PE是以彼此堆疊的細緻金屬絲或導電奈米管 17 201227109 為例來說明。然，本發明不限於此。根據其他實施例，畫 素電極PE/接觸圖案150還可以是由其他種形式之微導電 結構所構成。換言之，圖3以及圖4之實施例中的畫素電 極PE/接觸圖案15〇也可以是由如圖2B所示之組成網狀、结 構之金屬線所構成，或是由如圖2C所示之奈米導電賴粒 或是奈米導電結構所構成。根據另一實施例，上述之畫素 電極PE以及接觸圖案150也可以是包括有機導電高分子 材料。 值得一提的是，本發明不限接合區Β中的結構為如上 述圖1、3、4之實施例。實際上，接合區Β中的結構還玎 以是如圖5〜8所示，詳細說明如下。 圖5是根據本發明一實施例之接墊結構的上視系意 圖圖6疋I) 5沿著剖面線α-Α’的剖面示意圖。請參照圖 5以及圖6 ’在此’接墊電極Βρ上具有保護層，所述 '102或疋僅有羊獨的保護層刚或絕緣層⑽。換古之， 保濩層PV為覆蓋在接塾電極Bp上之絕緣 、° 電極BP上方之保護層〜中具有多個接觸二接^ 露出接塾電極BP。 自碣口 C2，暴 類似地，第二導電材料112覆蓋 面，且導電材料112可以完全覆 口 C2的表 嘎是邻分霜甚垃鉬介卩目 盘接觸匈開口 C2的底部 ί疋:P刀覆盘接觸肉開口 C2的底部，以與 ㈣ 導電材料112之材質可可為單 声 且立 質可包括導電材料(例如是n 二構，且其材 3八鉅、金、銅、銀、 201227109 或其它合適的材料、或上述材料之合金、或上 :物、或是上述材料之氧化物)或是透明導電材料(例如： =銦=ndi跡Tin 0xlde，IT〇)、氧化鋼卻nd_ 二e，τ.二⑸匕録辞〇Xide，GZO)、氧化鋅 锡(Zinc-Tin Oxide，ZTO)等等）。 另外，接觸圖案150形成在第二導電材料112之上方， 且接觸圖案150是由多個微導電結構所構成的非薄膜 〜6之實施例中，所述微導電結構是彼此堆 且勺,，田，致金屬絲/線段(metal wires)。更詳細來說，所述細 f金屬絲係為各自為獨立的金屬絲，並透過彼此堆疊或接 觸的方式而使峨金屬絲之·此接觸以作為單二 ^案150。上述之接觸電極150除了可以是彼此堆疊的 、、，田緻金屬絲之外，其還可以是彼此堆疊的導電奈米管 成網狀結構之金屬絲、或是奈米導電顆粒。 圖7是根據本發明—實闕之接錢構的上視示素 圖:請參照圖7，圖7之實施例與圖6之實施例相似，^ 此與圖6相同的元件以相同的符號表示，且不再重複費 述。在本實補巾，於形成接_開口 C2之後 ，窗開π C2内填人第二導電材料212，之後於保護層 上形成接顧t 150。值得注意的是，此部分可以依設 的需求將第二導電材料212填滿接觸窗開口 C2 (圖未 不）、不完全填滿（圖未示）接觸f開口 C2、或者將第 電材料212填滿接觸窗開口 C2並延伸至部分保護層^的 表面(如圖7所示）。在此，於第二接觸窗開口 〇2内填入第 201227109 二導電材料212之方法例如是採用噴墨印刷程序或是網板 印刷程序。第二導電材料212是含導電奈米顆粒的導電墨 水材料，例如是奈米金屬粒子，包含金、銀、銅或是其他 金屬；或是奈米金屬氧化物栗子，例如是氧化錮錫 (Indium-Tin Oxide，ITO)奈米粒子、氧化鋅(ZnO)氧化錫 (SnO)奈米粒子、氧化銦鋅(indium-Zinc Oxide, IZO)奈米 粒子、氧化鎵鋅(Gallium-Zinc Oxide，GZO)奈米粒子、氧 化辞錫(Zinc-Tin Oxide，ZTO)奈米粒子或是其他的金屬氧 化物粒子。另外，形成接觸圖案150以及第二導電材料212 也可以是先於保護層PV上形成接觸圖案150，之後再透過 噴墨印刷程序或是網板印刷程序在接觸窗開口 C2内填入 第二導電材料212。 圖8是根據本發明一實施例之顯示元件的剖面示意 圖。凊參照圖8 ’圖8之實施例與圖6之實施例相似，因 此與圖6相同的元件以相同的符號表示且不再重複贅 ，在本實施例中’於形成接觸窗開口 之後，先於接 窗開口 C2内填人第二導電材料312，之後於保護層pv =成接觸_ 15G。值得注意的是，此部分可以依設計 的需求將第二導電材料312填滿接觸窗開口 c2 (圖未 目未㈤接觸㈣口 C2、或者將第二導 ί LIT填滿接觸窗開σ C2並延伸至部分保護層的 電材斜Ή?8所二）如V在接觸窗開口 C2内填入第二導 程序’㈣2香法例如是採用噴墨印刷程序或是網板印刷 私序。根據本實施例，第二導電材料312是含有機導電材 ⑧ 20 201227109 剩·’其例如是聚對苯乙烯磺酸的混合物 (3,4-polyethylenedioxythiophene : polystyrenesulfonate, PEDOT : psS)、聚苯胺（p〇lyaniline)、聚乙炔 (polyacetylene)、聚础咯(p〇iypyrr〇ie)、聚噻吩(p〇lythi〇phene) 或是其他的有機導電材料。另外，形成接觸圖案150以及 第二導電材料312也可以是先於保護層PV上形成接觸圖 案150 ’之後再透過喷墨印刷程序或是網板印刷程序在接 觸窗開口 C2内填入第二導電材料312。 圖10A是根據本發明一實施例之顯示元件於顯示區 的剖面示意圖。圖10B是根據本發明一實施例之顯示元件 於接合區的剖面示意圖。圖10C是圖1〇A之顯示元件之區 域R處的上視圖。請參照圖10A、圖1〇B以及圖1〇c，本 貫施例與圖1之實施例相似，因此相同的元件以相同的符 號表示，且不再重複贅述。本實施例與圖i之實施例不相 同之處在於，在顯示區中(如圖10A所示），第一導電材料 110更延伸至第一接觸窗開口 C1之外，因此畫素電極 與第一導電材料110具有相同的圖案。因此在圖1〇c所示 之上視圖中，區域R完全被第一導電層11〇以及晝素電^ PE所覆蓋。另外，在接合區中（如圖1〇B所示），第二導 材料112覆蓋保護層pv，在此保護層pv可包含保護屑 104及絕緣層1〇2或是僅有單獨的保護層1〇4或絕緣^ 102。因此，第二導電材料112與接觸圖案15〇具有相同二 圖案。在本實施例中，畫素電極PE以及接觸圖案15〇 g 由彼此父錯堆疊的細緻金屬絲(metal wiresy金屬線段戈是 21 201227109 導電奈米管(nano-tubes) 120所構成。更詳細來說，所述細 緻金屬絲/線段或是導電奈米管為各自為獨立的金屬絲· 段或是導電奈米管，並透過彼此堆疊或接觸的方式而使細 緻金屬絲/線段或是導電奈米管之間彼此電性接觸以作為 畫素電極PE以及接觸圖案150。 圖11A是根據本發明一實施例之顯示元件於顯示區 的剖面示意圖。圖11B是根據本發明一實施例之顯示元件 於接合區的剖面示意圖。圖11C是圖1丨八之顯示元件之區 域R處的上視圖。請參照圖11A、圖11B以及圖llc，本 實施例與圖1之實施例相似，因此相同的元件以相同的符 號表示，且不再重複贅述。本實施例與圖丨之實施例不相 同之處在於，在顯示區中（如圖11A所示），第一導電材料 110更延伸至第一接觸窗開口 C1之外，因此畫素電極1>£ 與第一導電材料110具有相同的圖案。因此在圖llc所示 之上視圖中’區域R完全被第一導電層U0以及晝素電極 PE所覆蓋。另外，在接合區中(如圖11B所示），第二導電 材料U2覆蓋保護層Pv，在此保護層Pv可包含保護層 104及絕緣層1〇2或是僅有單獨的保護層104或絕緣層 102。因此’第二導電材料112與接觸圖案150具有相同的 圖案。在本實施例中，晝素電極pE以及接觸圖案15〇是 由組成網狀結構之金屬線/絲130所構成。 圖12A是根據本發明一實施例之顯示元件於顯示區 的剖面示意圖。圖12B是根據本發明一實施例之顯示元件 於接合區的剖面示意圖。圖12C是圖12A之顯示元件之區 (§> 22 201227109 域R處的上視圖。請參照圖12A、圖12B以及圖12C，本 實施例與圖1之實施例相似’因此相同的元件以相同的符 號表示，且不再重複贅述。本實施例與圖丨之實施例不相 同之處在於，在顯示區中（如圖12A所示），第一導電材料 110更延伸至第一接觸窗開口 C1之外，因此晝素電極PE 與第一導電材料110具有相同的圖案。因此在圖12C所示 之上視圖中，區域R完全被第一導電層11〇以及晝素電極 PE所覆蓋。另外，在接合區中（如圖12B所示），第二導電 材料112覆蓋保護層PV，在此保護層pv可包含保護層 104及絕緣層1〇2或是僅有單獨的保護層1〇4或絕緣層 1〇2。因此，第二導電材料112與接觸圖案150具有相同的 圖案。在本實施例中，晝素電極PE以及接觸圖案15〇是 由彼此堆疊的奈米導電顆粒或是奈米導電結構140所構 成。 圖13A疋根據本發明一實施例之顯示元件於顯示區 的剖面不意圖。圖13B是根據本發明一實施例之顯示元件 於接合區的剖面示意圖。圖13c是圖13A之顯示元件之區 域R處的上視圖。請參照圖13A、圖13B以及圖13C，本 ，施例與® 1之實施例相似，因此相同的元件以相同的符 號表不，且不再重複贅述。本實施例與圖丨之實施例不相 同之處在於，在顯示區中（如圖13A所示），第一導電材料 110更延伸至第一接觸窗開口 C1之外，因此晝素電極 與第一導電材料11G具有相同的圖案。因此在圖13C所示 之上視圖中’區域R完全被第-導電層110以及晝素電極 23 201227109 PE所覆蓋。另外，在接合區中(如圖別所示），第 材料112覆蓋保護層PV，在此保護層pv可包含 104及絕緣層102或是僅有單獨的保護層1〇4或絕綾: 102。因此，第二導電材料112與接觸圖案15〇具有相同二 圖案。在本實施例中，晝素電極PE以及接觸圖案15〇勺 括有機導電高分子材料。 、 匕 在上述各實施例中，晝素電極PE以及接觸圖案15〇 是由多個微導電結構所構成的非薄膜形式之電極或是包括 有機導電高分子材料，其中微導電結構例如是彼此堆疊的 細敏金屬絲、彼此堆疊的導電奈米管、構成網狀結構之金 屬絲或是奈米導電顆粒。但是，本發明不限制畫素電極pE 以及接觸圖案150是由單一種微導電結構所組成。換言 之，畫素電極PE以及接觸圖案15〇可以是由(勾彼此堆疊 的細緻金屬絲、（b)彼此堆疊的導電奈米管、構成網狀結 構之金屬絲、（d)奈米導電顆粒以及⑷有機導電高分子材料 之組合所構成。特別是，所述組合也可以是由(a)細緻金屬 絲、（b)導電奈米管、（c)構成網狀結構之金屬絲、奈米導 電顆粒以及(e)有機導電高分子材料之組合所構成的疊層 或是混合材料層。舉例來說，在一實施例中，晝素電極PE 以及接觸圖案150是由細緻金屬絲層以及奈米導電顆粒層 兩層所構成。在另一實施例中，畫素電極PE以及接觸圖 案150是由導電奈米管以及奈米導電顆粒混合所形成的混 合材料層。 以下表一列示出由兩種材料構成晝素電極PE以及接 24 201227109 觸圖案150的組合 組合 2 4 ~6 (a)+(b)之疊層或混合材料層 (a)+(c)之疊層或混合材料層 (a)+(d)之疊層或混合材料層 (a)+(e)之疊層或混合材料層 (b)+(c)之疊層或混合材料層 (b)+(d)之疊層或混合材料層 (b) +(e)之疊層或混合材料層 (c) +(d)之疊層或混合^料層 (c) +(e)之疊層或混合材料層 (d) +(e)之疊層或混合i料層 上述表一僅列出⑷細緻金屬絲、（b)導電奈米管、（c) ，成網狀結構之金屬絲、（d)奈米導電顆粒以及(e)有機導電 鬲分子材料之其中兩種材料所構成的疊層或是混人材料 t但本㈣祕減，«魏實關，還可由⑷細緻 太=、（b)導電奈米管、（c)構成網狀結構之金屬絲 ς未導電顆粒以及(e)有機導電高分子材料之其中三 +四種材料或五猜_成4層或是混合材料層。 成的發明各實施例是採用由微導電結構所構 電極/接機f、子導麵作為晝素 於由微導電結構所構成㈣薄_式之接//^_由 25 201227109 =是由有機導電高分子材料組成的晝素電極/接觸圖案 具有可撓曲性質，因而將其祕可撓•示|^會有碎裂 的問題。 另外’因本發明是透過導電材料將畫素電極盘主動元 件電性連接並使接觸圖案與接墊電性連接，因此可以避免 晝素電極以及接_案因是非薄細彡式之故而料與主動 兀件之間有電性接觸不佳的問題。 雖然本發明已以實施例揭露如上’然其並非用以限定 本發明’任何所屬技術領域中具㈣常知識者，在不脫離 本發明之精神和範_，當可作些許之更動與潤飾，故本 發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1是根據本發明一實施例之顯示元件的剖面示竟 圖。 一 圖2A至圖2C是根據本發明數個實施例之顯示元件之 接觸開口處的上視示意圖。 圖3是根據本發明一實施例之顯示元件的剖面示意 圖。 圖4是根據本發明一實施例之顯示元件的剖面示意 圖。 圖5是根據本發明一實施例之接墊結構的上視示意 圖。 圖6是圖5沿著剖面線a_A，的剖面示意圖。 ⑧ 26 201227109 圖7以及圖8是根據本發明之實施例的接墊結構的剖 面示意圖。 圖9是根據本發明一實施例之顯示面板的上視示意 圖。 圖10A是根據本發明一實施例之顯示元件於顯示區 的剖面示意圖。 圖10B是根據本發明一實施例之顯示元件於接合區 的剖面示意圖。 圖10C是圖10A之顯不兀件之區域R處的上視圖。 圖11A是根據本發明一實施例之顯示元件於顯示區 的剖面示意圖。 圖11B是根據本發明一實施例之顯示元件於接合區 的剖面示意圖。 圖11C是圖11A之顯示元件之區域R處的上視圖。 圖12A是根據本發明一實施例之顯示元件於顯示區 的剖面示意圖。 圖12B是根據本發明一實施例之顯示元件於接合區 的剖面示意圖。 圖12C是圖12A之顯示元件之區域R處的上視圖。 圖13A是根據本發明一實施例之顯示元件於顯示區 的剖面示意圖。 圖13B是根據本發明一實施例之顯示元件於接合區 的剖面示意圖。 圖13 C是圖13 A之顯不元件之區域R處的上視圖。 27 201227109 圖14是根據本發明一實施例之顯示元件的剖面示意 圖。 【主要元件符號說明】 100 :基板 102 :絕緣層 104, 106 :保護層 110, 210, 310, 112, 212, 312 :導電材料 120 :細緻金屬線段或導電奈米管 130 :網狀結構之金屬線 140 :奈米導電顆粒 T:主動元件 G :閘極 S :源極 D :汲極 CH :通道 OM:歐姆接觸層 PE :晝素電極 150 :接觸圖案 C1，C2 :接觸窗開口 A .顯不區 B .接合區 BP :接墊 OV :覆蓋層/黏著 (§> 28 201227109 pv :保護層 R .區域 SL :掃瞄線 DL :資料線 P:晝素單元 29

Claims (1)

  1. 201227109 、申請專利範圍： 七 1·一種顯示元件之結構，包括： 一主動元件； 保濩層，覆蓋該主動元件， 一 第-接暴露出該主動元;層中'、有 冬個料極，位於該保護層上，其中該晝素電極是由 所構成的一非薄膜形式之電極或是包括-有機導電尚分子材料；以及 美霞屮f二^電材料’位於該第一接觸窗開口處，並與被 導電材二=件電性連接，其中該畫素電極與該第- 中玆專利範圍第1項所述之顯示元件之結構，其 鸿ri 一電結構包括彼此堆疊的細緻金屬絲或 導電奈米 g、=-網狀結構之金屬絲、奈轉電雜或是其組合。 圭二4專利範圍第1項所述之顯示元件之結構，其 電極是由彼此堆疊的細緻金屬絲或導電奈米管、 古八；結構之金屬絲、奈米導電顆粒以及該有機導電 =刀；4至4其中之二所構成的—混合材料層或是一疊 層。 ㈣4查請專利範圍第1項所述之顯示耕之結構，其 中該旦素電極中更包括一黏著劑。 勺專利範圍第1項所述之顯示元件之結構，更 包括-覆I層，至少部分覆蓋該晝素電極。 6·如申請專利範圍第i項所述之顯示元件之結構，其 ⑧ 30 201227109 中該第-導電材料覆蓋該第 素電極覆蓋該第一導電材料。固開口之表面’且該晝 7·如申請專利範圍第丨項 中該第一導電材料填入該第」觸^不凡件之結構，其 中該畫素電極填入該第一接2迷之顯示元件之結構，其 性連接，或是未填人該第—接内以與該導電材料電 料於該保制之表面上電性^自心而與該第—導電材 9·如申請專利範圍第丨 — 電材料包括-有機二:不:⑵顆f 中料^專 苐項所述之顯示元件之結構，i 延伸至該第一接觸窗開口之外且該 與料—導電材料具有相同的圖案。 盆中urtr範㈣1G項所述之顯示元件之結構， 八肀第一v電材料位於該畫素電極的下方。 包括12_如申請專利範圍第1項所述之顯示元件之結構，更 一接塾； 該保護層覆蓋該接墊，且該保護層内具有 ― 接觸窗開口，其暴露出該接墊； 一接觸圖案，位於該保護層上，其中 多個微導電結構所構成的一非薄膜形式之電==由 有機導電高分子材料；以及 k包括- 31 201227109 一第二導電材料，位於該第二接觸窗開口處，並與被 暴露出的該接墊電性連接，其中該接觸圖案與該第二導電 材料電性連接。 13. 如申請專利範圍第12項所述之顯示元件之結構， 其中該些微導電結構包括彼此堆疊的細緻金屬絲或導電奈 米管、構成一網狀結構之金屬絲或是奈米導電顆粒或是其 組合。 14. 如申請專利範圍第12項所述之顯示元件之結構， 其中該接觸圖案是由彼此堆疊的細緻金屬絲或導電奈米 管、構成一網狀結構之金屬絲、奈米導電顆粒以及該有機 導電高分子材料至少其中之二所構成的一混合材料層或是 一疊層。 15. —種顯示元件的製造方法，包括： 於一基板上形成一主動元件； 在該基板上形成一保護層，覆蓋該主動元件； 在該保護層中形成一第一接觸窗開口，暴露出該主動 元件的一部份； 於該保護層上形成一畫素電極，其中該晝素電極是由 多個微導電結構構成的一非薄膜形式之電極或是包括一有 機導電if?分子材料，以及 於該第一接觸窗開口處形成一第一導電材料，其中該 第一導電材料與被暴露出的該主動元件電性連接，且該畫 素電極與該第·—導電材料電性連接。 16. 如申請專利範圍第15項所述之顯示元件的製造方 ⑧ 32 201227109 法，其中該些微導電結構包括彼此堆疊的細緻金屬絲或導 電奈米管、構成一網狀結構之金屬絲或是奈米導電顆粒或 是其組合。 17. 如申請專利範圍第15項所述之顯示元件的製造方 法，其中該接觸圖案是由彼此堆疊的細緻金屬絲或導電奈 米管、構成一網狀結構之金屬絲、奈米導電顆粒以及該有 機導電高分子材料至少其中之二所構成的一混合材料層或 是一疊層。 18. 如申請專利範圍第15項所述之顯示元件的製造方 法，其中該晝素電極中更包括一黏著劑。 19. 如申請專利範圍第15項所述之顯示元件的製造方 法，更包括在該晝素電極上形成一覆蓋層。 20. 如申請專利範圍第15項所述之顯示元件的製造方 法*其中形成該晝素電極與形成該第一導電材料的方法包 括： 於該第一接觸窗開口之表面形成該第一導電材料；以 及 於形成該第一導電材料之後，在該保護層上形成該晝 素電極，其中該晝素電極與該第一導電材料電性連接。 21. 如申請專利範圍第15項所述之顯示元件的製造方 法，其中該晝素電極填入該第一接觸窗開口内以與該第一 導電材料電性連接，或是未填入該第一接觸窗開口而與該 第一導電材料於該保護層之表面電性接觸。 22. 如申請專利範圍第21項所述之顯示元件的製造方 33 201227109 法，其中該第一導電材料包括一金屬材料或是一金屬氧化 物材料。 23. 如申請專利範圍第15項所述之顯示元件的製造方 法，其中形成該晝素電極與形成該第一導電材料的方法包 括： 於該第一接觸窗開口内填入該第一導電材料；以及 於形成該第一導電材料之後，在該保護層上形成該晝 素電極，其中該晝素電極與該第一導電材料電性連接。 24. 如申請專利範圍第23項所述之顯示元件的製造方 法，其中形成該第一導電材料的方法包括進行一喷墨印刷 程序或是一網板印刷程序。 25. 如申請專利範圍第23項所述之顯示元件的製造方 法，其中該第一導電材料包括一有機導電材料或是含導電 奈米顆粒的一導電墨水材料。 26. 如申請專利範圍第23項所述之顯示元件的製造方 法，其中該畫素電極填入第一接觸窗開口，或是未填入該 第一接觸窗開口。 27. 如申請專利範圍第15項所述之顯示元件的製造方 法，其中形成該晝素電極與形成該第一導電材料的方法包 括： 在該保護層上形成該晝素電極；以及 於形成該晝素電極之後，於該第一接觸窗開口内填入 該第一導電材料，其中該晝素電極與該第一導電材料電性 連接。 ⑧ 34 201227109 28. 如申請專利範圍第27項所述之顯示元件造方 法，其中形成料電㈣的方法包括崎 = 或是一網板印刷程序。 、要P刷私 29. 如申請專利範圍第24項所述之顯 ;，其中該第-導電材料包括-有機導電材料電 奈米顆粒的一導電墨水材料。 飞疋S等 H專利範圍第24項所述之顯示元件的製造方 法’其中该晝素電極填入第一接觸窗開口 =站 第一接觸窗開口。 及疋未填八邊 31.如申請專利範圍第15項所述 法，更包括： a m貞^件的製造方 在该基板上形成一接塾； 遠保護層覆蓋該接墊，且該保護 窗開口，其暴露出該接墊； 4具有-第二接觸 於遠保護層上形成一接觸圖案 多個微導雷姓槐接觸圖案是由 右Μ道電、，、°構所構成的—非薄膜形式之圖牵七3 Γ, / 有機導電高分子材料；以及 案或疋包括 於°亥第一接觸窗開口内形成一第二 f導電材料與被暴露出 忒J材料，其中该 案與該第二導電材料電=墊電&連接，且該接觸圖 ^如申睛專利範圍第15項所述之 外/、中該第—導電材料更延伸至今第：的製造 外’且該書音雷托“ K狎主。亥第一接觸窗開口之 33.如申導電材料具有相同的圖^。 1專_圍第32項所述之顯示元件的製造方 35 201227109 法，其中該第—導電材料與該晝素電極的形成方法包括先 料之後再形成該晝素電極，或是先形成 5亥旦素電極後再形成該第一導電材料。 34.—種接墊結構，包括： 一接墊； 縮C，覆蓋該接墊，且該保護層内具有至少-接 觸窗開口以暴露出該接墊； 丧 -接觸_，位於該保護層上， 多健導電結構所構成的—非薄膜形式之圖案；以f疋由 ^一導電材料，位於該接觸窗開σ處並與被暴露出的該 接勢電性連接，其中該接觸圖案與該導電材料電性連接。 Μ 35.如申睛專利範圍第34項所述之接墊結構，其中該 些微導電結構包括彼此堆疊的細緻金屬絲或導電奈米管、Λ 構成-網狀結構之金屬絲或是奈米導電嫌或是其組合。 36.如申請專利範圍第35項所述之接墊結構，其中該 接觸圖案更包括-有機導電高分子材料，並與彼此堆疊的 細緻金屬絲或導電奈米管、構成-網狀結構之金屬絲以及 奈米導電齡至少其巾之—構成的一混合材料層或是一疊 層0 37. 如申請專利範圍第34項所述之接墊結構，其中該 接觸圖案中更包括一黏著劑。 38. 如申請專利範圍第34項所述之接墊結構，更包括 一覆蓋層，至少部分覆蓋該接觸圖案。 39·如申請專利範圍第34項所述之接墊結構，其中該 ⑧ 36 201227109 導電材料填入該接觸窗開口内。 40如申請專利範圍第34項所述之接墊結構，其中該 導電材料覆蓋該接觸窗開口之表面，且該接觸圖案覆蓋該 導電材料。 41. 如申請專利範圍第34項所述之接墊結構，其中該 接觸圖案填入該接觸窗開口内以與該導電材料電性連接， 或是未填入該接觸窗開口而與該導電材料於該保護層之表 面上電性接觸。 42. 如申請專利範圍第34項所述之接墊結構，其中該 導電材料更延伸至該接觸窗開口之外，且該接觸圖案與該 導電材料具有相同的圖案。 43. 如申請專利範圍第34項所述之接墊結構，其中該 導電材料位於該接觸圖案的下方。 37
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