TW201224682A - Developing solution for photoresist and developing processing apparatus - Google Patents

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201224682 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種使基板上的光阻膜顯影之光阻用顯影液， 以及使用該光阻用顯影液之顯影處理裝置。 【先前技術】 例如在半導體裝置的製造程序中的光微 如辦導體晶，下簡稱「晶圓」）上塗佈光 圖 案 將既定的圖案曝光在該光阻膜之曝光處理、使 ，先的光_顯影之顯影纽等，於晶圓上形纽定的光阻 一在形成上述光阻圖案之際’為了謀求半 咼積體化，而尋求該光阻圖案的微細 、 ^ 寸精度形成微細的光阻圖案，而要μ ^尺 精度使光阻膜顯影。 縣在上34顯影處理中以更高的 以 之 第四了例如在使用顯影液使光阻臈顯影之後， 液具有她的有機^劑 著於顯影處理後的光跡’錢處理中，去除附 謀求光阻圖案尺寸與晶因之交界部之光阻殘渣，以 [習知技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1:日本特公平：6_38161號公報「 ) 【發明内容】 [發明所欲解決的問題] 成了^間層。，光阻圖案的外側因顯影液而膨潤，形 膜顯影。而在㈣量達魏定量時，彡瓣溶解而使光阻 所以在從膨潤層形 為所求之光阻圖案的尺寸微細， 4 201224682 « ，到溶解之躺’顯影液進人細膜 ^形’若使用專利文獻1的方法，則在存在。在此 f且膜内的狀態下藉由混合物來進行ί處'fft液已進入 光阻膜更加地溶解，光阻圖案的在後處理 有上述情形存在。 ，“、去成為所求之形狀， 本發明，係鑒於上述諸點所製成， . 基板上的光阻膜顯影，來接弁 了 9在方；.以高精度使 精度。 从升域於该光阻膜的光阻圖案之尺寸 [解決問題之技術手段] 為了達成上述目的，本發明為一 板上的光阻膜顯影，該光阻用顯影液之ίΓΓ且ΐ 士其可使基 可溶於該光阻膜的顯影原液，且不與該顯有機溶劑， 根據本發明，若光阻用顯影液(以下有ϋ稱為應。 因顯影液而膨成光阻f案的部分之光阻臈的外側 有機溶劑而溶解。因此，維持膨潤以液:的 既定量，則錢使然Γ在，技術中膨潤量沒有達到 術未能溶解_鸦/=^!==本發明’可溶解此習知技 薄，因此可較習“二層的厚度較習知技術 速度。亦即，.可提’以加_光_的顯影 顯影液進入光阻ΐ度:如苎，則不會如習知技術’ 料形成於該光度使光阻膜顯影，能 如進用光阻膜。另外，請用光阻’係例

Vio_料^ =〜=麵 6刺;外、_ EUV(E咖me Ultra j /尤=理亦即所謂的EUV微影處理所用之光阻。 0/10 、A r別史用輸出較習知技術所用的KrF雷射(波長 上iT^jv ί ^ni93mn)、们雷射(波長i57nm)更短波長的 上述EUV之切’此事受到歧的討論。 201224682 然而’EUV用光阻感度低下，因顯影液所致之溶解速度遲緩。 ，且’進REUV微影所形成之光阻圖案的線寬為例如20nm極度 巧細。因此，在使EUV用光阻膜顯影之情形，膨潤層從形成到& 角Γ之期間顯衫液谷易進入euv用光阻膜内，而難以將光阻圖幸 形成為所求之形狀。 ^ 在此，對EUV用光阻添加光酸產生劑(PAG，p；h〇t〇Acid 二職^，來提升該EUV用光阻的感度，此乃吾人所思及之。 ^而^雜下Euv用光阻内的光產生劑之添加量幾乎 限，無法期望能更加提升EUV用光阻的感度。 | 又，使在曝光處理中的EUV光源㈣光量 =光吾人触及之。然而，EUV郷 ^^ H&光源的曝光量增加在技術上係困難的。 膨潤ΐίίϋ為Ϊ據本發明，可如上所述讓EUV用光阻膜的 ϋίΪ ΐ㈣，來加快EUV用光阻膜的顯影速度，所以顯Ϊ f膜_，祕升贼賊EUV暇阻寸用精 的顯S該;;====圖=據該光阻膜 依別的觀點之本發明，係一種顯影處 用顯影液來對基板上的光阻膜進行顯其使用該光阻 特徵為具有：顯影液喷嘴字阻用Ί 影處理裝置之 影原液供給源，於甘咖Α 用‘頌衫液供給至基板上；顯 於其内部储存有該;機丄有機溶劑供給源: f影原液供給源所供給的該顯影原液;用以混合由該 =該有機溶劑來產生該光阻用顯影i劑供給源所供 、··°至5亥顯影液噴嘴。 W將°亥光阻用顯影液供 201224682 [對照先前技術之功效] 來提升形 本發明，能以高精度使基板上的光阻膜顯影 成方；该光阻膜的光阻圖案之尺寸精度。 【實施方式】 以下說明本發明的實施形態。圖丨係 2 置之塗佈顯影處理系統1的概略構==ί 糾，在本實施形態中，進行使用EUV的曝光處理，亦 = 彡處耗在塗細影處理純1進行。、 -體系統1，如圖1所示具有將例如下列元件連接成 晶圓W送入送出出’或對晶_盒。將 處理站3所設的曝丼奘罟4 任興#接 裝置4，具有輪出進仃曰曰圓W的傳遞。另外，曝光 於曰ριΐΐΐ U波長聰〜14nm)的光源(未圖示）。 :於晶圓任7=fX個 於X方向的各晶_盒(：内的^，可對排列 晶圓運送體8，可繞著zm擇n妾近。 行晶fw的傳遞之傳送裝置61 度5周即裝置6〇或用以進 多層配置之站3具有:複數個處理裝置呈 方_中的下方向ί 〜G5。於處理站3的X方向負 第1處理裝置群9日日匣盒裝卸站2側，依序配置有： 置群G1弟2處理裝置群G2。於處理站3的/方有向 201224682 ΐ Τ ΐ (L1中的上方向)側，從晶_盒裝卸站2側，依序配置有. 、第4處理裝置群04、第5處理裝置群i

ίί i運^丨笛钱置A1的内部，設有可支餘運送晶圓W 處ί广運送臂1Q ’可對第1歧裝置群G1、第3 =裟置群G3以及第4處理裝置群G4内的各處理裝置進 群"〇?^!^\圓w。於第4處理裝置群G4與第5處理裝置 ^ 1第2運送裝置A2。於第2運送裝置A2的内部， ΐΪΙΪΪΐί送晶圓W之第2運送臂U °第2運送臂11，可 G5m/群⑵、第4處理裝置群G4以及第5處理聚置群 内的各處理裝置進行選擇性地接近來運送晶圓W。 遇5 ΐ圖於第1處理裝置群G1，下列裝置係由下方依序重 二對曰曰既定的雜來進行處理之液處理裝置，例 、子阳圓W塗佈EUV用的光阻液之光阻塗佈裝置20、21、22 ; =形，防it麵光處理時光的反狀反射防止膜之底部塗 ^4。於第2處理裝置群G2，下列裝置係由下方依序重最、 i之番例如對晶圓冒供給光阻用顯影液來進行顯景:處 臂3G〜34。又’於第1處理裝置群G1以及第2處 的最下層’分別設有用以對各處理裝置群G卜G2内 的液處理農置供給各種處理液之化學室40、41。 疊8ί圖處理裝置群G3 ’下列褒置係由下方依序重 ^曰^ w皿ί郎裝置傳送裝置61、在高精度的溫度管理下 、、^^曰n W订溫度調節之高精度溫度調節裝置62、63以及以高 '凰子日日圓W進行加熱處理之高溫度熱處理裝置64〜67。 井阻處理裝置群以，下列裝置係由下方依序!重疊8層：對 礼肩办處理後的晶圓w進行加熱處理之後烘烤裝置74〜77。 曰圓縣置群G5，下列装置係由下方依序重疊8層：對 ΪΙ熱處理之減個熱象球·如高齡溫度調節裝置 80〜82、曝光後烘烤裝置83〜87。 201224682 如圖1所示於第i運送裝置A1的乂 複數個處理裝置，如圖3所示，由下方依序i晶=側’配置有 t2V：m^92'93 ° 1 2 ^f；aA02 ^ J j 邊曝光94配置有例如僅將晶圓W的邊緣部選擇性地曝光之周 上移有：在朝X方向延伸之運送路⑽ 1〇r，ta7 i讀101、以及緩衝晶随盒102。晶圓運送體 曝先/f/ 動且亦可於θ方向旋轉，可對鄰接介面站5的 裏置進行接近來運送晶圓w。 以抑的各處理 ，著’說明上述顯影處理裝置3G〜34_成。顯 0老如圖4所示具有於側面形成有晶^ 之處理容器].10。 Jk出口（未圖不）

浐絲理容器U〇内的中央部，設有固持晶圓W並使1旋轉之 ，，夾盤120。旋轉炎盤120，具有水平的頂面，於該頂面，J 二Γί引晶圓…之吸引口 (未圖示)。藉由來自該吸引口的吸弓°「， 可將日a圓W吸附固持在旋轉夾盤丨2〇上。 ㈣越120，具有例如具備馬達等之夾脑動部⑵ 二人盤驅動部121能以既定的速度旋轉。又，於夾盤驅動2曰 设有缸筒等升降驅動源，旋轉夾盤120係可任意升降。 於旋轉央盤120的周圍，設有接住從晶圓w飛濺 液體而進行回放之杯體122。杯體122，於頂面形;; 的開口部俾使旋轉夾盤12〇可進行升降。於杯體122的底. 接有將所回㈣液體排出之排出管123、以及將杯體m内1 進行排氣之排氣管124。 〇豕亂 如圖5所示，於杯體122的χ方向負方向（圖5的下方 形成有沿著Y方向（圖5的左右方向)延伸的轨道13〇。轨道13〇， 例如從杯體122的Y方向負方向（圖5的左方向)側之外方形成至γ • 方向正方向(圖5的右方向)側之外方。於軌道130，安裝有例如2 201224682 根臂桿131、132。 於第1臂桿131，如圖4及圖 影液噴嘴133。第1臂桿131， ^支持著供給顯影液之顯 道130上任意移動。藉二_液^；^驅動部134， 122的γ方向正方向側的外方所設置 =133 ’可從於杯體 内的晶圓W之中心部上方，更可 曰^ 135移動至杯體122 的徑向移動。又，第1臂桿⑶，藉由的表面上往晶圓W 可調整顯影液噴嘴133的高度。 、’’力。卩134可任意升降， 於顯影液喷嘴133，如圖4所示，連 ⑶之顯影液供給管137。另 連通至顯影液區塊 的詳細構成。 ；後敘述此顯影液供給區塊136 140。^ 意移動。藉此，清洗液喷;14。， 向側的外方所設置之待機部M2移動ΐίί f22 方 意升降，可調節、、主特動部141，第2臂桿】32可任 進行晶圓w的清HfH!0的高度。另外，在本實施形態中， 清洗液。月洗處理之清洗液，雖使用純水，但亦可使用其他 143 ^如圖4所示連接有連通至清洗液供給源 於清洗請内，爾清洗液。 節部等之供給設備群g = 3 洗液的流動之閘閥或流量調 液的顯影液喷嘴m ^另/’在以上的構成申，雖然供給顯影 臂桿所支持，、 /、仏給&洗液的清洗液喷嘴140係為個別的 動，來控制顯旦為同一臂桿所支持，藉由控繼臂桿的移 接著二、二夜喷鳴133與清洗液喷嘴14〇的移重力與供給時序。 塊136，如^明上述顯影液供給區塊136的構成。顯影液供給區 源150。与;^示’具有於内部儲存有顯影原液之顯影原液供給 %droxide用例如鹼性 TMAH(Tetrame衂1 Amm〇n_ T基虱氧化銨)顯影原液或TBAH (Tetrabutyl 201224682

Ammonium Hydroxide四丁基氫氧化銨）顯影原液等。 液供給源15Q的上部，連接有用⑽該顯影原液供 =源50内供給空氣例如非活性氣體之空氣供給管i5i。空氣料 二3，連通至在内部儲存有空氣之空氣供給源152。又，於空 設有包含控制空氣的動之_或流量調節部等之供 氣從空氣供給源152供給至顯影細共給^ 旦原液供給源150内的壓力維持在既定的壓力，且顯 衫原，的顯影原液供給至後述的顯影原液供給管⑼員 影液供給源貞連接f用以對後述的顯 含控制嶋液的流動之間闕或流量調節部; 溶劑供給存有有機溶劑之有機 影原液產生中和反岸之;9 α可，谷於顯影原液，且不與顯 四氫吼喃_、*定等(。又略細_)、乙醇、 (EL)之類的酯化合物。 "有機―，不能使用乳酸乙酯 於有機溶劑供給源16〇的上 給源160内供給空氣例如非^ ^連=用以對該有機溶劑供 管⑹，連通至在内部儲存有工氣供給管⑹。空氣供給 供給管⑹，設有包含空氣供給源162。又，於空氣 給設備群！63。而空氣;動之閘閥或流量調節部等之供 ⑽内，使有機溶劑供“ 16^^62^至有機溶劑供給源 機溶劑供給源16G的錢 既定_力，且有 又，於有機溶劑供給源]6Π、二，後述的有機溶劑供給管164。 影液供給源—供給有機溶右，，連接有用以對後述的顯 供給管⑹，設有包含供給管164。於有機溶劑 之供給設備君f 165。 θ 動之閘閥或流量調節部等 再者，顯影液供給區塊136，具有在内部產生顯影原液之顯影 201224682 口 f财連通至上義影原液供 有機溶劑液與連通至有機溶劑供給源⑽之 其後，在顯影液給源160供給有機溶劑。 頒衫液。亦即，顯影液供給源 產生 於顯影液供給源170,連接有^通^為/ς 口揮功能。又， 供給管137。而修夜上述顯影液喷嘴133之顯影液 另外，二，液供給源170供給至顯影液噴嘴I33。 3〇的構成相同，所〜34的構成與上述顯影處理裝置 控制設― 部，儲存有實行在顯影處理f程式儲存 程式。又除此之外，於程式儲存部，W 處理之 =裝=、處理站3、曝_ 4

之運达，或在處理站3中的驅動系統之 W 影處理系統1中的晶圓處理。另外，^'在k佈顯 電腦讀取的硬碟(HD)、軟碟(FD)、光^ 例如可用 記憶體等可於電腦it行讀取之帥^ )磁絲碟(MO)、 安裝於控制部200。 ^顧H，亦可觀記憶媒體Η 依本實施形態的塗佈顯影處理系統士 明在該塗佈顯影處理系統！所進行的晶圓處理^構成。接者，說 首先’若將收納了複數片未處理 晶圓ϋ盒載置台6上，則由晶圓運送體8，^曰曰曰圓載置於 圓W -片一片地取出，運送至第 C内的晶 置60。對運送至溫度調節裝置60的晶圓w置群J13之溫度調節裝 定溫度。其後，晶圓W由第i運送裝 進仃溫度調節至既 23，於晶圓W上形成反射防止膜。^ =至底部塗佈裝置 圓W，由第1運送裝置A1依序運送、交’已形成反射防止膜的晶 調節裝置62、疏水化處理裝置9〇， ^、理】置92、高精度溫度 合慝理凌置中施以既定的處 12 201224682 理。其後晶圓W，由第1運送裝置A1 在光阻塗佈裝置20中，於晶圓w上 3 置= 晶圓W上形成EUV用光_。土佈刪用的植液，於該 已形成EUV用光阻膜的晶圓％，由第j運送穿f A】、重、μ ί 烤處理°接_w:由第2 Si ίί置光ii94、高精度溫度罐跡在 置❿夂既疋的處理。其後，晶 體，運送至曝光褒置4。在曝光裝置4中由^^曰曰圓運^ =的EUV用t阻膜，既定的圖案選擇性地曝光於細^光阻 拼拔處理的晶圓w ’由晶圓運送體101運送至曝光後 裝置㈣送至f後’㈣W由第2運送 運送裝置A2運送至顯影‘裝置30。 使該:V用光 给至？ W上的_用光阻膜， 中的晶®w_影處^。另卜於後敘述在此顯影處理裝置30

Ifi ®EUV ^ 處理之後，由第1運送id A1 進行溫度調節。而曰圓w n 精&皿度调即裝置63來 61 ’由晶圓運送體8送曰 f送裝^Α1，送至傳送裝置 接菩，馆日日卢t^ 固金連串的光微影步驟結束。 阻卿影之3G中使_卿用光 盤的曰曰曰圓W ’首先’吸附固持於旋轉夾 動至晶圓W的日外周^上1干。131 ’待機部135的顯影液喷嘴133移 既定ϊί速=夹ί，部121，藉由旋轉爽盤120使晶圓W以 供給顯S，：從ίί，影液供給區塊136對顯影液喷嘴133 、、再從该顯衫液喷嘴133對晶圓W的外周部供給顯影 13 201224682 液0 定量之顯影原液從顯影 鮮155所調節的既 no。又，由供給設備群165所:周=^^至顯影液供給源 劑供給源16()供給域％ 2 1溶雜有機溶 此等顯影原液仏篇影== 給源m供給至聽液噴=。所產生的 嘴m所供給的帶狀顯=ί;;二;Ϊ圓，影液喷 分溶解：晶^影，用光阻膜的曝光部 ，而_的區域即光阻層R。又’右上斜線部分表系 ^用 層^轉部分表: 若顯影液供給至EUV用光阻膜上，則如圖7戶斤示，Euv 光阻膜的外侧因顯影液而膨潤，形成膨潤I S。此時;如習知枯併， ，影液僅_影原液所構成，未如本實施_混合了有機溶劑之’ ^形，則如圖8所示膨潤層Sp的厚度增厚。亦即，若在習知技術 =因顯影液所產生的膨潤量沒有達到既定量，廳法使膨潤層心 溶解。因此，膨潤層Sp從形成到溶解之期間，顯影液進入了 用光阻膜的光阻層R之内部，光阻圖案的形狀無法成為所求之形 狀，/有此情形存在。相對於此，在使用了本實施形態的顯影液^ 情形，因為顯影液中的有機溶劑溶解此膨潤層Sp的外侧，所以如 ，7所示，膨潤層s的厚度變薄。亦即，在本實施形態中，維持 膨潤層S的厚度在較薄的狀態，來進行EUV用光阻膜的顯影。因

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此，可知技術快速溶解EUV 阻膜的顯影速度。亦即，可 =膜，以加快該EUV用光 不會如習知技術，顯影液 ^阻膜的感度。如此，則 _用光阻膜顯影，能於該酸用=1因此，能以高精度使 另外，為了像這樣於EUV用光阻膜开^成所求之光阻圖案p。 所以如上所述令相對於顯影原液的有機容求之光阻圖案P， I二，容劑之濃度，係根據EUV用=阻度為5質量％以 後形成於EU:V^_之光關^ 齡彡速度，與顯影 即，有機溶劑的濃度，係今定赤/古。]面形狀來進行設定。亦 層的外側，適當地維持°El^用適當速度溶解膨潤 不進入光阻層R内。又，有機溶劑的=的使顯影液 的形狀不因有機溶劑而崩塌，而維持適Γ的^又疋成：光阻圖案 剖面形狀。而本案發明人等調查發】適例如矩形的 之濃度宜為5質量％以下。 /足此專條件的有機溶劑 上所i: 成且 ，如 形，此有機溶劑直接完全溶ί 情 吏用可溶於顯影原液的有機溶劑。又，在盘 化反應之有機溶劑’使用例如與顯影原液產生^ 原液的驗而水解，分解成乳酸以因 Ϊ 2，所以鹼性顯影液之顯影能力降低，EUV用光阻膜的顯^ 开;。，像Ϊ樣無法提升EUV用光阻膜的感度’所以無法 應阻圖案p。因此，必須使用不與顯影原液產生中和反 ，者，顯影原液，雖如上所述使用TMAH顯影原液或tbah 京，4，但ΤΒΑΗ原液為較佳。因為ΤΒΑΗ的分子尺寸大於ΤΜΑΗ =分子尺寸，所以使用ΤΒΑΗ能讓膨潤層s的厚度變薄。、又，因 為TBAH的分子尺寸大，所以TBAH顯影原液難以進入光阻層r 201224682

=度因此’可更加提升於EUV用光阻膜所形成的光阻圖案的 若如上所述使晶圓w上的EUV 臂桿m，顯影液喷嘴133從晶圓w 藉由第1 ，。同時，藉由第2臂桿132，待“^ ί 待機部 ，物供給至晶圓”心部， 薄’所以相較厚先二之〔 因此，可較習知技術縮短清洗處理所費的時門液為少量。 的之情f，可職處理厚度之 之供給，且使晶圓W加速旋轉Γ使^ ；ff喷嘴⑽的清洗液 除之。如此-連串的晶圓w之顯影處曰1的清洗液乾燥而去 根據以上實施形態’用於晶圓. ;溶於顯影原液，且不與顯影原液產影液，具有 有機溶劑溶解膨潤層Sp的外側 t、t反應之有機溶劑。此 可維持膨潤層s的厚以的===度變薄。亦即’ 影。因此’可較習知技術加快用光阻膜的顯 咖用光__度。如此，财㈣、^，《彡速度，可提升 阻層R内。因此，能以高精度使册(:°技術，顯影液進入光 於該EUV用光阻膜 圖度mg阻膜顯影，能提升形成 另外，在本實施形態申，相對於顯旦彡塔、产 係根據EUV用光阻膜的顯影逮度十，溶劑之漠度， 膜之光阻圖案的剖面形狀來進行設定、，’例^形成於EUV用光阻 輪狀不鳴^ ===== 16 201224682 形的剖面形狀。因此，能於Euv用光阻膜形成所求之光阻圖案。 〜如i所述，在使用本實施形態的顯影絲進行晶® w的顯影 二升EUV用光阻膜之感度。其結果，在顯影處理 ，所進:了的曝光處理中，可減低其EUV光源的曝光量。因此，可 鈿短曝光時間’以提升晶圓處理的產出。例如若提升EUV用光阻 ，之感度、力1G/。’則可減低曝光量約1Q%，縮短曝光時間約1〇%。 如此，則亦可提升晶圓處理的產出約1〇%。 於㉗在ϋif r月人等，對於上述可減低曝光量的效果進行了 旦中，使用輸出KrF雷射的曝光光源來將光阻膜曝 ί右來使該光賴㈣。具體_雜，係使用： 無為1知_液」）、對於2.38質量％的τ y 5質量％的異_(ΙΡΑ)之依本實施 液口 「含IPA顯影液」）、對於2.38質量％的為 質量％的乳酸乙_L)之顯影液(以下簡稱為「含^口 了 而令顯影後的光阻圖案之目標線寬為12〇麵進行了檢^夜」）° 本檢驗琴果示於圖9。圖9的縱軸顯示光阻圖宰 顯示曝光量。又’圖9中，「Ref j軸 係使用修顯影液二 J光=光阻圖案之目標線寬為120随，但在進行 ί阻，ί目標線寬為例如2〇娜之微細的情形，亦^^見0 9 所不之傾向，此已由本案發明人等所確認。 K現Η 9 ill 11〇/〇 5 另外’像這樣在使用依本實施形態的含IPA顯影液之情形， 201224682 認了光阻圖案的1^(Line Width Roughness，線寬粗糙度)不 在使用含EL顯影液之情形，光阻圖案未能形 寬12〇nm。此原因如同先前所述，因從乳酸乙醋水解的 驗性顯影液的顯影能力減低之故。 '使 =康以上實施形態’因為如上所述能讓膨潤層s的厚 f =較於習知技術的厚膨潤層Sp，顯影後殘存的顯影少專 里。因此.，可較習知技術縮短清洗處理所費之時間。*、、、 以顯以上實施形態’因為顯影原液混合著有機溶劑，所 的表面張力變小。在此，若表面張力作用於光』所 在案傾斜倒塌’亦即所謂的圖案崩塌發生 | t在本貫施形態中，因為顯影液的表面張力變小，戶 此種圖案崩塌的發生。 {哪刀d所Μ可抑制 有儲上實施形態’因為於顯影液供給區塊136，分別执 I、、、。源160、混合騎原液與有機 城冷劑 ，所以可因應形成於晶液供給 思設定相對於顯影原液的有機劑^ =之 =尺寸’任 阻圖案的尺寸精度 度。因此，可更加提升光 顯影液供給至顯影液喷嘴P將從顯影液供給區塊136將 影液，所以相忿人，影液供給_產生顯 可抑制顯影液的劣^先存 口有機溶修_影液之情形， 適用=====光^ 於晶圓w上形成微細光月猎由所謂的雙重圖案化 雙重圖心#圖梁際，亦可使用本發明。 阻骐之形成、曝光万而言’藉由第1次的第！光 後藉由第2次的第2 ;二二形成第1光阻圖案，其 形成第2光阻圖案。由^^顯影，於第2光阻膜 猎由σ成此4弟1光阻圖案_第2光阻圖 來形成微=阻光，步驟，合成2個光阻圖案，

S 18 201224682 案，貫現了微細的光阻圖案。 在此等第1光阻膜的顯影處理鱼 使用具有在上述實施形態所敘述阻膜的顯影處理中， 阻膜的顯影速度。因此，可提 ^ ^厚度變薄，可加快光 別的尺寸精度，可於晶圓w ^案與第2光阻圖案個 可提升光阻膜的感度，所以可減低圖案p。又，因為 光時間，來提升晶圓處理的產出。_处里的曝光量’可縮短曝 又’因為若在第1次的顯影處理後， 則無法適當地進行第2 :场光郷鄉殘存’ 光阻膜之顯影後，適當地進行清洗處理 ^在弟1次的第i 施形態在第】次的顯影處理中，第 點’因為在本實 以可較習知技術縮短清洗二 所費的時間縮短成習知技術的而先處理 費㈣的清洗處理，在本實施形態；秒可令f習^^花 圓處理的產出。 衫。因此，可提升晶 以上，雖已參照附加圖式詳細說明了本發明 態，但本發明並不限定於該等例。吾人應了解到:勺口 具通常知識者，自能在記載於㈣專 明的技術性範圍。本發日月並不限於此例’可採用各種 =亦可適用於基板為晶圓以外的FPD(Flat panel Dis細，平 器）、光罩用的倍縮光罩等其他基板之情形。 '、、η 【圖式簡單說明】 顯影處 圖1係顯示具有依本實施形態的顯影處理裝置之塗佈 理系統的概略構成之平面圖。 圖2係依本實施形態的塗佈顯影處理系統之前視圖。 圖3係依本實施形態的塗佈顯影處理系統之後視圖。 19 201224682 S ί不員景，置的概略構成之縱剖面圖。 ^ 6 處理裝置的概略構成之撗剖面3。 示Ϊ影液供給區塊的概略構成之說«。 光嗎施形態的顯影液而·v用光阻膜狗 知技術的顯影液而於Ε訓光阻膜形成光 圖9係顯示光阻圖案的線寬與曝光量之關係之圖表。 【主要元件符號說明】 1塗佈顯影處理系統 2晶圓匣盒褒卸站 3處理站 4曝光裝置 5介面站 6晶圓匣盒載置台 7運送路 8晶圓運送體 10第1運送臂 11第2運送臂 20'21 '22光阻塗佈裝置 23、24底部塗佈裝置 30〜34顯影處理裝置 40、41 化學室 60溫度調節製置 61傳送裝置 62、63高精度溫度調節裝置 64〜67高溫度熱處理裝置 70〜73預烘烤裝置 74〜77後烘烤裝置

20 S 201224682 — 80〜82高精度溫度調節裝置 83〜87曝光後烘烤裝置 90、91 疏水化處理裝置 92、93加熱裝置 94周邊曝光裝置 100運送路 101晶圓運送體 102緩衝晶圓匣盒 110 處理容器 120旋轉夾盤 121 夾盤驅動部 122杯體 123排出管 124排氣管 130軌道 131、132 臂桿 133顯影液喷嘴 134 噴嘴驅動部 135待機部 136 顯影液供給區塊 137顯影液供給管 140清洗液喷嘴 141 喷嘴驅動部 142待機部 143 清洗液供給源 144清洗液供給管 145供綸設備群 150顯影原液供給源 151 空氣供給管 152 空氣供給源 21 201224682 153 供給設備群 154 顯影原液供給管 155 供給設備群 160 有機溶劑供給源 161 空氣供給管 162 空氣供給源 163 供給設備群 164 有機溶劑供給管 165 供給設備群 170 顯影液供給源 200 控制部. A1 第1運送裝置 A2 第2運送裝置 C 晶圓匣盒 G1〜G5第1〜第5處理裝置群 Η 記憶媒體 Ρ (所求之)光阻圖案 R 光阻層 S 膨潤層 Sp 膨潤層 w 晶圓 22 s

Claims (1)

1. 201224682 七、申請專利範圍： 該光阻用的光姐獏顯影， 膜的顯影原液，且不與該幾溶劍，可溶於該光阻 2、如申請專利範圍中J:反應。 該光阻膜為EUV用。先阻用顯影液，其中， ·，、 員，度，與顯影後形成於光阻4膜之1阻又，=根據該光阻膜的 Iff *3° 、於補影原液的該有機溶劑農' 暂、’ 5、—種顯影處理裳置，1使用由^為5負罝％以下。 來對基板上的光_進^^圍第1或2項之 5亥顯影處理裝置之特徵為具有：處理 2⑦嘴’將該光阻用顯影液供給至義板上. ^原液供給源，於其内部儲 ’ 有機溶劑供給源，於其内 j衫原液； 顯影液供給源，用以混合由 溶劑；以及 用顯影液，並將該光阻用顯影液供產生該光阻 23