TW201217932A - Low noise current buffer circuit and I-V converter - Google Patents

Description

201217932 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 器，尤指 訊電流緩 本發明係指一種低雜訊電流緩衝電路及電流電壓轉換 一種可降低一系統電壓之雜訊對一輸出電壓之影響 衝電路及電流電壓轉換器。 【先前技術】 電流電壓轉糾，如能帶隙（bandgap)參考電料， 電流源輸出-輸人電流至—輪出雜喊生所需之—輸出 此傳統的‘構下’由於電流源易H統電壓之雜訊（⑽& 因此連帶縛到輸出電壓，*無法將輸出電壓轉於—穩定範圍。 請參考第u圖及第1B圖，帛1A圖為習知技術中用來產生交 溫度係數電壓之-能帶隙參考電路1G之示意圖，而第m圖為習二 技術中用來產生零溫度係數電流之-能帶隙參考電路12之示意 圖在月匕帶隙參考電路1〇中，一電晶體叫可視為一電流源）會 t 一輸入錢Iin輪出至—輸出雜RG及-二鋪Q卜以產生零 溫度，數之—輸出電壓漏；相似地，在能_參考電路12中， •電曰曰體1G4 (可視為—電流源）會將零溫度係數之-輸人電流Iin， 輸出至-輸出電阻Rq，，以產生—輸出輯V⑽，。在此情況下，當 系、’充電壓VDD受到雜訊干擾時，輸入電流Iin、Iin，亦會受到干 擾連帶衫響輸出電壓v〇ut、Vout，，使輸出電壓vout、vout，無法 201217932 維持於一穩定範圍。 舉例來說，當系統電壓VDD因雜訊而上升時，電晶體1〇2、104 會輸出較大的輸入電流Iin、Iin’，因此造成輸出電壓v〇ut、v〇ut，增 加，使得輸出電壓Vout、Vout，之準位大於穩定範圍。有鑑於此，習 知技術實有改進之必要。 【發明内容】 因此，本發明之主要目的即在於提供一種低雜訊電流緩衝電路 及電流電壓轉換器。 本發明揭露一種低雜訊電流緩衝電路，用於一電流電壓轉換器 降低-系統電壓之雜輯-輸出電壓之辟。該低雜訊電流緩衝 =路包含有-第—電流鏡、—第二電流鏡及—回授電容。該第一電 =包含有’包含有-閘極、—祕及—源極，該問 ^接於該祕，且觀極接收—輸人電流；以及—第二電晶體， 2有—·、—沒極及—源極，該閘極耦接於該第—電晶體之該 -第二用來根據該第—電晶體所接收之該輸人電流，由靱極汲取 -祕Π。該第Γ電流鏡包含有一第三電晶體，包含有一閘極、 曰體之$源極’該w蝴接於該沒極，且該汲極_於該第二電 雜，用來輸出該第一電流，·以及-第四電晶體，包含有 用來根據j極及—源極，該間極祕於該第三電晶體之該閘極， 據该第三電晶體所輸出之該第一電流，輸出-第二電流至一 201217932 輸出電阻，以產生該輪 ^ 曰曰曰體之該汲極與鄉日相授電容之—翻接於該第二電 電晶體之該汲極與該輪出汲極之間’另—端_於該第四 該系統電厂堅之雜訊對該輪出電^影^來形成一負回授迴路以消除 本發明另揭露-種電流電麼轉換器 對-輸_之影響。該電 有一==訊 生一輸墙；—_阻，物第：電輸出用電^:產 以及-低_電錢衝電路，她於該電流源電， 該低雜訊電流緩衝電路包含有—第-電流鏡一第二電、° 授電容。該第-電流鏡包含有—第—電晶體，包含有—閘極、 極及-源極，該閘_接於奴極，且槪極接收—輸以 及-第二電晶體，包含有一間極、一沒極及一源極— 該第-電晶體之該閘極’用來根據該第—電晶體所接收之該輸入電 流，由該汲極汲取-第-電流。該第二電流鏡包含有—第三電晶體， 包含有-閘極、-汲極及-源極’該閘極耗接於該沒極，且該及極 粞接於該第一電晶體之该〉及極，用來輸出該第一電流；以及一第° 電晶體，包含有-閘極叫及極及-源極，該閘極_於該第三= 晶體之該閘極’用來根據該第三電晶體所輸出之該第一電流，輪出 該第二電流至-輸出電阻，以產生該輸出電壓。該回授電容之—端 耦接於該第二電晶體之舰極與該第三電晶體之财極之間，另一 端耦接於該第四電晶體之該汲極與該輸出電阻之間，用來形成一負 回授迴路以消除該系統電壓之雜訊對該輪出電壓之影響。 、 201217932 【實施方式】

〜第2A圖及第2B圖’第2A圖及第2b圖分別為本發明 貫：：參考電路2。、22之示意圖。能帶隙參考電路2〇、η 刀:來產轉溫度係數龍及電流，其與能帶隙參考電路10、12 之、，口構大致_，因此侧及結構相同之元件，其圖示及符號與皆 1A圖及第1B圖之圖示及符號，以求簡潔。簡單來說，能帶 隙參考電路22與能帶隙參考電路12之主要差異在於，能帶隙參考 電路22於電晶體观、210、212 (可視為電流源）與輸出電阻Ro, 之間，增力口-低雜訊電流緩衝電路214，用來接收輸入電流iini，、

Iin2 Im3 ’透過負回授降低系統電壓VDD之雜訊影響後，輸出一 電抓12至輸出電阻Ro’ ’以產生不受系統電壓之雜訊影響之 輸出電壓w，因此可將輸出賴VGut，特於—穩定範圍。同樣 地，能軸參考祕2G與能㈣參考電路1G之差異可參考以上敘 述。

π參考第3圖，第3圖為第2B圖中低雜訊電流緩衝電路214 之電路示意圖。低雜訊電流緩衝電路214主要包含有電晶體 賺卜 _R2、MNR3、MPIU、ΜΝ 卜職、ΜΝ3、刪、Μρ2、 MP3及回授電容cM丨、CM2，詳細架構與連接方式如第3圖所示， 即電晶體_尺1之閘極耦接於其汲極，電晶體_1之閘極搞接於 電晶體_R1之閘極，電晶體MN2之源極耦接於電晶體_ι之汲 極及與回授電容Cm1之間，電晶體_3之源極耦接於電晶體_2 201217932 之沒極，電晶體MP1之閘極耦接於其沒極，且其沒極搞接於電晶體 MN3之汲極，電晶體MP2之閘極耦接於電晶體Μρι之閘極，回授 電容cM1之一端耦接於電晶體_丨之汲極與電晶體_2之汲極之 間，另一端耦接於電晶體MP3之汲極與輸出電阻R〇ut，之間，回授 電容CM2耦接於電晶體_2之閘極與汲極之間，其申，電晶體 MNR卜 MNR2、MNR3、MN卜 MN2、MN3 為 N 型金氧半（Metal oxide semiconductor，M0S)電晶體，而電晶體 Mpiu、、 MP2、MP3為P型金氧半電晶體。 簡單來說’電晶體MNR1與麵^ΜΡ1與^^分別形成電流 鏡’回授電容CM1可形成-負回授迴路FB以消除系統電壓vdd之 雜訊對輸出電M Vout’之影響；電晶體_2、_3、Mp3係為串接 級以提供電MMN卜MP2較佳的錢㈣（eurrent喊hing)， 回授電谷。2可進行米勒補償以;肖除系統電壓VGut，之雜訊沿一前 饋路徑FFP1經纟回授電容Cmi對該輸出電壓產生之前饋雜訊 (feed-forward noise);電晶體MNR2、贿幻、MpR1分別對應於 作為串接級之電晶體MN2、MN3、MP3。 詳細來說，電晶體_R1接收輸入電流Iin3，，使得電晶體 根據輸入電流Iin3’由其汲極汲取一電流u。由於電晶體]^[1)1與電 晶體MN1串接’因此流經電晶體MNi之電流約與n相同，使得電 晶體MP2可根據電流II輸出電流12至輸出電阻尺〇，，以產生輸出 電壓Vout’。回授電容CM1可形成負回授迴路FB以消除系統電壓 201217932 VDD之雜訊對輸出電壓Vout’之影響，而將輸出電壓v〇ut，維持於一 穩定範圍。舉例來說，如第4圖所示，假設低雜訊電流緩衝電路214 僅包含電晶體_R卜MN卜MP卜MP2及回授電容Cm丨，當系統 電壓VDD因雜訊而上升時，t晶體MI>2會輸出較大的電流12，而 造成輸出電壓v〇m，增加，此時透過回授電容Cmi所形成的回授路徑 可使電晶體MN1之-祕電壓V_上升，即可使電晶體Mp2之一 閘極電壓VG1>2上升，以降低電晶體MP2所輸出的電流12 ,達到負 回授的效果。 然而，若低雜訊電流緩衝電路214僅包含電晶體_R1、MNi、 MP1 _ MP2及回授電容cM1 ’則如第4圖所示，系統電壓VDD之 雜=會沿-前饋路徑FFP2經由回授電容Cmi，對輸出電壓彻，產 生前饋雜訊，因此低雜訊電流緩衝電路214可包含作為串接級之電 晶體MN2、_3，以消除前饋路徑FFP2。

請繼續參料3 _ ’電㈣臟可避衫統麵VDD之雜訊 沿第4圖所示之前饋路徑FFP2經由回授電容Cmi，對輸出電壓編， 產生前饋雜訊，而回授電容Cm2則用來進行米勒補償，以消除系統 電壓VDD之雜訊沿前饋路徑刪經由回授電容c如對輸出電壓 伽，產生之觸雜訊，電㈣廳_來戦纟、統麵之雜 訊影響回授電容CM2之作用。舉例來說，當系統電壓伽因雜 而上升時’電晶體顧2之-閘極電壓％會跟著上升，由於電晶 體臟的電流Π係固定的（可視為一固定電流源、），因此會連帶: 201217932 成電晶體MN2之一源極電壓VSNZ上升，再读说 丹达過回授電容CM丨使輸 出電壓Vout’增加，此時回授電容cM2會進行 订米勒補償降低電晶體 MN2之閘極電壓VGN2,進而降低輸出電壓v〇m，，以將輸出電壓伽， 維持於-穩定範圍。值得注意岐，料崎壓Vdd之㈣為高 頻雜訊時，系統電壓VDD之雜訊會沿第3圖所示之一前饋路徑㈣ 經由回授電容CM2產生前饋雜訊’但此沿前饋路徑卿3之前饋雜 訊與由回授電容CM丨所形成的負回授迴路fr ’貝’、 上的負回授訊號同相 位’因此反騎加強負回授的效果’柯助於齡系統電壓vdd 之雜訊對輸出龍漏’之辟’將輸出賴ν_，轉於—穩定範 圍。 ‘ 另-方面，請參考第5A圖’第5A圖為第3圖中低雜訊電流緩 衝電路214之小碱模型之示觸。由第3圖中低雜訊電流緩衝電 路214之電路示意圖至第5A圖中低雜訊電流緩衝電路214之小訊 號模型間的轉換’當為本領域具通常知識者所熟知，於此不再資述。 在第5A ®中，虛線部分之負回授迴路FB即為第3目中負回授迴路 FB，而轉導g_、gmN2、gmN3、㈣㈣則分別對應於電晶體

Mm、MN2、画、MM、MP3，其餘雜及電容為相對應之寄生 電阻及寄生電容，於此不逐-敘述。由第5A圖可知，透過回授電 容CM1形成負回授迴路FB後，轉導㈣、啊、_、㈣可作 為增益級，哺導gmP2會進行反向的動作，因此可⑴肖除系統電壓 VDD之雜訊對輸出電壓Vout’之影響。 201217932 此外’請參考第5B圖及第5C圖，第5B圖及第5C圖為第5A 圖中小訊號模型之雜訊示意圖。第5B圖中虛線部分表示由轉導 gmN1、gmN2、gmN3、gmp2、gmp3進入之雜訊，其中，轉導脚打直 接與系統電壓VDD連結，所以雜訊較大。第5B圖中虛線部分所示 之雜訊可由5A圖中負回授迴路FB進行抵消，第5C圖中虛線部分 之前饋路徑FFP卜FFP3則分別為第3圖中前饋路徑FFP1、fFP3， 換句話說’系統電壓VDD之雜訊由電晶體_2進入後，會沿前饋 φ 路徑FFP卜FFP3對輸出電壓Vout，產生前饋雜訊。 在第5C圖中’由於電晶體MN2係源極隨耦（source follower ), 因此電晶體MN2之一源極電壓vSN2為閘極電壓vGN2之分壓 (、=r0NI )，因此系統電壓V00之雜訊會沿前饋路徑FFP1 影響輸出電壓Vout，，此時回授電容CM2會進行米勒補償，以消除系 統電壓VDD之雜訊對輸出電壓Vout，之影響。而當系統電壓vdd φ 之雜汛為高頻雜訊時，系統電壓VDD之雜訊前饋路徑FFP3經由回 扠電容CM2產生前饋雜訊’但此沿前饋路徑FFp3之前饋雜訊與由 回授電容Cmi所形成的負回授迴路FB上的負回授訊號同相，因此 反而會加強負回授的效果，而有助於消除系統電壓VDD之雜訊對 輸出電壓Vcmt，之影響，將輸出電壓Vout，維持於一穩定範圍。 更進一步地，第5A圖中負回授迴路fb透過推導得一開迴路轉 移函數（open loop transferftincti〇n) A〇pen*f，以清楚其特性。一開 201217932 路增益A〇pen可表示如下： ^open = (^sR〇'Cm{\ + s-^^ y gmP\ 1 + 5 sCo gmN2 \r 八

sC ill' S^Nl

\SmNZ gm /V3 1 1 g^p\ CP2 ~~ Smp2---- ‘ g泔打· / Ro' 1 ίι,Ο + \ L s州尸3 _ \ sCo \SmN2 SCM、， /_ -[gmN2R〇'].

SmP1 1 + 5 •—- -- gmN1 再加上一頻率響應f可表示為： L+_1 gm NR2 1 . + · S^Ni grnNR1 sC GP2

r CM,、 g^Nl 1 + 5 CM\ g^N2

可得開迴路轉移函數A^e/f : ^open f ' mPi \.SmPi\

_(/?〇|.CA

S (1 +就扪( sr λ + 5· CP2 SmPt ) ’ sCo 1 + 5*-- { gmN2 J f sC λ l + s- SNi V S>nN3 J

另外，為了避免製程不匹配而造成形成電流鏡之電晶體 MNR1、MN卜MP卜MP2產生變異過大的電流n、I2，電晶體 MNR1、ΜΝ1、ΜΡ1、歷之尺寸會較其它電晶體之尺寸大。因此， 負回授迴路FB上回授電容Cmi會形成一主極點（d〇minantp〇ie)， 而電晶體MP2之寄生電容％較其它電晶體之寄生電容大，所以 會形成-第二極點。如此-來’低雜訊電流緩衝電路214之開迴路 轉移函數A。，可如第6A圖及第6B圖所示。由第6a圖及第6b 圖可知，由於開迴路轉移函數在頻率細時有個㈣漏）， 即頻率為〇時負回授迴路FB無作用（回授電容Cmi開路），因此增 12 201217932 益隨頻率增加而增加，直到主極點l/R〇’CM1後持平，而第二極點 gmP1/CGP2後開始下降，其餘極點可依此類推。由此可知，負回授迴 路FB主要作用之頻率範圍為i/Ro’CMfgm^/CGp2 ,而此範圍下開 迴路轉移函數Aopen*f分子項Ro，Cmi會與分母相消，因此迴路增益 為gmP2/gmP1 (即抵消系統電壓vdd之雜訊的強度）。由上述可推 知’本發明可藉由調整l/R0’CM1^gmpi/cGP2，即輸出電阻R〇,、回 授電容(：如及電晶體MP1之尺寸，以調整主要作用之頻率範圍，而 • 可藉由調整gmP2/gmP1 ’即電晶體ΜΡ2、ΜΡι之尺寸比，以調整迴 路增益。

值得注意的是，本發明之主要精神，在於利用低雜訊電流緩衝 電路214接收電流源之輸入電流，並透過負回授降低系統電壓VDD 之雜訊影響後’輸出—f流12至輸出電阻Rq，，以產衫受系統電 壓^DD之雜訊影響之輸出電壓VQut’，因此可將輸出龍維持於一 穩疋範ϋ。本領域具通常知識者當可依此進行修飾或變化，而不限 於此。舉例來說’本發明不限於能帶隙參考電路，只要是利用電流 源產生輪$1：壓之電流賴概”可使帛；此外 考電路22係將電流以輸出電阻R。，以產遍電壓⑽^ ^輸出電壓方式亦可如能帶隙參考·2()，將電独輸出至輸出 阻Ro及一極體Q1或其它元件，而不限於此；另外，低 緩衝電路214亦可如第4圖所示，僅包含電晶體麵、_2 容Cmi，，唯其㈣統電壓vdd之雜訊沿前饋路徑 剧電壓Vom’產生前饋雜訊’而無法像第3圖中低雜訊電 201217932 流緩衝電路214較佳地消除系統電壓wd之雜訊對輸出電壓v〇ut， 之影響。 在先則技術中，因電流源易受一系統電壓之雜訊干擾，因此連 帶衫響到輸出電壓’而無法將輸出賴維持於—穩定額。相較之 下’本發明利用低雜訊電流緩衝電路214接收電流源之輸入電流， 透則回授降低纽賴VDD之雜㈣，輸出_電流12以產 生不文系統賴VDD之雜訊影響之輸出頓，@此可將輸出電壓 維持於一穩定範圍。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍 所做之均等變化婦飾m本發明之涵蓋範圍。 【圖式簡單說明】 第1A圖為習知技術中用來產生零溫度係數電壓之一能帶隙參 考電路之示意圖。 第1B圖為習知技術中用來產生零溫度係數電流之一能帶隙參 考電路之示意圖。 > 第2A圖為本發明實施例用來產生零溫度係數電壓之一能帶隙 參考電路之示意圖。 ’、 第2B圖為本發明實施例用來產生零溫度係數電流之一能帶 參考電路之示意圖。 ’、 第3圖為第2B圖中一低雜訊電流緩衝電路之電路示音圖。 201217932 第4圖為第2B圖中一低雜訊電流緩衝電路之另一電路示意圖。 第5A圖為第3圖中一低雜訊電流缓衝電路之小訊號模型之示 意圖。 第5B圖及第5C圖為第5A圖中小訊號模型之雜訊示意圖。 第6A圖及第6B圖為第5A圖中低雜訊電流緩衝電路之一開迴 路轉移函數之示意圖。 【主要元件符號說明】 10、12、20、22 能帶隙參考電路 102、104、202、204、206、208、210、2:丨2、電晶體 MNR1、MNR2、MNR3、MPR1、MN1、 MN2、MN3、MP 卜 MP2、MP3 214 低雜訊電流緩衝電略 Iin、Iin，、Iin卜 Iin2、Iin3、Iinl，、Iin2,、Iin3, 輸入電流 Ro、Ro’ 輸出電阻 Qi 二極體 Vout' Vout, 輪出電壓 VDD 系統電壓 11 ' 12 電流 CmI、CM2 回授電容 FB 負回授迴路 FFP1 > FFP2 ' FFP3 前饋路經 15 201217932

VgNI、V〇N2、ν〇Ν3、V(}P2、V〇p3、VsN2、VsN3 電壓 gmN1、gmN2、gmN3、gmP2、gmP3 轉導 A〇pen *f 開迴路轉移函數

CgR2 寄生電容

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Claims (1)

1. 201217932 七、申請專利範圍： 一種低雜訊電流緩衝電路，用於一電流電壓轉換器中降低一系 統電壓之雜訊對一輸出電壓之影響，包含有： —第一電流鏡，包含有： —第一電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極 祸接於該及極，且琢次蚀按队一颗八 …一

   —第二電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極 耦接於該第一電晶體之該閘極，用來根據該第一電晶 體所接收之該輸入電流’由該汲極汲取一第一電流； 第二電流鏡，包含有： —第三電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極 耦接於該汲極，且該汲極耦接於該第二電晶體之該汲 極，用來輸出該第一電流；以及 第:電晶體，包含有一閘極、一汲極及-源極，該閘極 體第三電晶體之該閘極，用來根據該第三電晶 體所輸出之該第一電流，輸 咀m_第一電流至一輸出電 —回授電輪出電壓；以及 晶體之該及極接於該第一電晶體之該沒極與該第三電 與該輪出電阻另一_接於該第四電晶體之該沒極 電—對該輪出=響負回授迴路以消除該系統 17 201217932 2. 3. 4. 如請求項1所述之低雜訊電流緩衝電路， ( A ^ \ ^ 丹力包含一串接級 (cascade stage)，其一端耦接於該第二 Ba 电日日體之該汲極及與該 一端麵接於該第三電晶體之該，用來避 經由該回授電容，對該輸出電壓產生前饋 雜 C ieed-forward noise )。 如請求項2所述之低雜訊電流緩衝電路，其 -第五電晶體’包含有—閘極、，及1:，:= 於該第二電晶體之觀極及與該回授電容之間，用來避免 ==之雜訊峨回授電容對該輸峨= -第二回授電容於該第五電晶體之朗極與概極之 間’用來進行軸補償叫除料統電壓之觀經由該第 五電晶體之賴極及該回授電容對該輪出電壓產生之 雜訊。 如請求項3職之低雜訊桃，其另包含 體:其包，有-閘極、一汲極及一源極’娜耦接於該第： 電明體m極，且魏極输於該回授電容與該輪出電阻之 間；其中該串接級另包含有一第七電晶體，其包含有一間極、 一錄及—源極，該源_接於該第五電晶體之魏極 汲極耦接於該第三電晶體之該汲極。 201217932 5.如請求項4所述之低雜訊電流緩衝電路，其中該第一電晶體、 該第二電晶體、該第五電晶體及該第七電晶體為㈣金氧半 (Metal oxide semiconductor，MOS )電晶體，該第三電晶體、 S玄第四電晶體及S亥第六電晶體為p型金氧半電晶體。 6·如5青求項1所述之低雜δίΐ電流緩衝電路，其中該第二電晶體之 尺寸、該回授電容之電容值及該輸出電阻之電阻值係相關於該 系統電壓之一特定頻段之雜訊。 7.如凊求項1所述之低雜訊電流緩衝電路，其中該第四電晶體及 該第三電晶體之尺寸比係相關於該系統電壓之雜訊對該輸出電 壓之影響。 8· 一種電流電壓轉換器，可降低一系統電壓之雜訊對一輸出電壓 之影響，包含有： φ 一電流源，用來產生一輸入電流； 一輸出電阻，用來根據一第二電流產生一輸出電壓；以及 一低雜電k緩衝電路，耗接於該電流源與該輸出電阻之間， 包含有： 一第一電流鏡，包含有： 一第一電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該 閘極耦接於該汲極，且該汲極接收一輸入電流；以 201217932 第二電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該 閘極耦接於該第一電晶體之該閘極，用來根據該第 —電晶體所接收之該輪入電流，由該汲極汲取一第 一電流； •弟二電流鏡，包含有：

   一第三電晶體，包含有—閘極叫及極及—源極，該 間極執接於麵極，且财極祕誠第二電晶f 一之該汲極，用來輸出該第一電流；以及 一第四電晶體’包含有—閘極、—祕及—源極，該 間^接於該第三電晶體之該閘極，用來根據該^ j晶體所輪出之該第-電流，輸出該第二怖 Γ7Μ &出電阻’以產生該輸出電壓；以及 回授電容’其於該第二電晶體之紐極 二電晶體之奴極之卩彳，s ^ 之魏極與該輪出電端墟於該第四電晶體

   以消除該系統電形成一負回授迴路 <雜讯對該輸出電壓之影響。 9_如請求項8所述之電流電麼轉 stage)，其一端耦接於該第二、、另匕含一串接級（cascade 間，另-端麵接於該第三電晶及極及與該回授電容之 壓之雜訊經由該回授電容 心及極’用來避免該系統電 (齡―ise)。對該輸出電生前饋雜訊 20 201217932 雜訊；以及 10.如請求項9所述之電流電壓轉換器，其中該串接級包含有： -第五電晶體，包含有1極叫及極及1、極，該源極輕接 於該第二電晶體之該及極及與該回授電容之間，用來避免 該系統電壓之雜訊經由該回授電容對該輪出電壓產生前饋 雜訊 第二回授電容，耗接於該第五電晶體之該間極與該沒極之 間，用來進行米勒補償以消除該系統電壓之雜訊經由該第 五電晶體之該閘極及該回授電容對該輪出電壓產生之前饋 11.如請求項H)所述之電流電壓轉換器，其另包含 體之雜，且该汲極耦接於該回授電 其中該串接級另包含有-第七之間， 極及一源極，該源極祕於該第五電晶體之該、 耦接於該第三電晶體之該汲極。 4 以及極 12·如請求項11所述之電流電轉 -雷曰舻、兮赞A 亥第一電晶體、該第 型金氧半（Metal oxKlesermconductor，M0S)電晶 曰舻泠兮筮丄带曰咖a °亥第二電晶體、該第四電 曰曰體及4第六電晶體為P型金氧半電晶體。 一電曰曰體，亥第五電晶體及該第七電晶體為Ν !3.如請求項8所述之電流電壓轉換器，其中該第三電晶體之尺 21 201217932 寸、該回授電容之電容值及該輸出電阻之電阻值係相關於該系 統電壓之一特定頻段之雜訊。 14.如請求項8所述之電流電壓轉換器，其中該第四電晶體及該第 三電晶體之尺寸比係相關於該系統電壓之雜訊對該輸出電壓之 影響。 、圖式：

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