201217792 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關包括導電性基材及銅-銷皮膜的半導體 檢查裝置用探針、及其製造方法以及半導體檢查方法。 【先前技術】 半導體檢查裝置用探針是在半導體檢査中，與探針的 對方側材料之焊錫重複接觸。此刻，有時焊錫的主成分之 錫會凝著於探針的接觸部。一旦此凝著的錫被氧化，則會 發生電阻的增大，檢查時產生狀態不佳。因此，錫的凝著 不僅是成爲縮短探針的壽命的原因，而且還是成爲使半導 體的生產性降低的原因。 著眼於探針的前端側的接觸部之先行技術，例如在專 利文獻1，2中提案一在探針的接觸端子表面被覆類鑽碳 中添加金屬元素的皮膜之技術。在上述技術中，可降低探 針端子部的接觸電阻，且可使接觸端子的摩耗低減。但， 有關碳皮膜本身的表面性狀對錫凝著性的影響方面未被檢 討。 [先行技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]特開2002-318247號公報 [專利文獻2]特開2〇〇1_289874號公報 【發明內容】 -5- 201217792 由使半導體檢查裝置用探針高壽命化的觀點來看，需 要防止焊錫的主成分之錫凝著於探針的接觸部。但，至今 的提案中尙未取得符合者。 本發明是有鑑於如此的課題而硏發者，其目的是在於 提供一種在導電性基材表面形成導電性皮膜而成的半導體 檢査裝置用探針，在探針與焊錫接觸時，防止焊錫的主成 分之錫凝著於探針的接觸部，將耐錫凝著性佳的導電性皮 膜形成於基材表面而成的半導體檢查裝置用探針。 本發明者等在檢討有關形成於半導體檢査裝置用探針 表面的皮膜的表面性狀與耐錫凝著性的關係之過程中，著 眼於皮膜的性質對耐錫凝著性的影響，發現使用於該皮膜 的金屬選擇特定的金屬，且將其原子數形成特定的比例， 可顯著地改善耐錫凝著性，達成本發明。 亦即，本發明的第一主題是一種半導體檢查裝置用探 針，其特徵係包括導電性基材、及含有銅及鉻的銅-锆皮 膜之半導體檢查裝置用探針，在上述銅-锆皮膜中，鉻原 子數相對於鉻與銅的總原子數之比例爲1 5〜85原子％， 上述皮膜的膜厚爲〇.〇5〜3μιη。 又，本發明的第二主題是一種半導體檢查裝置用探針 的製造方法，其特徵係製造包括導電性基材的半導體檢査 裝置用探針之方法，利用靶來進行濺射，藉此於上述導電 性基材上形成含有銅及锆的銅-锆皮膜，在上述銅-鉻皮膜 中，銷原子數相對於錐與銅的總原子數之比例爲15〜85 原子％，膜厚爲0.05〜3μηι。 -6- 201217792 又，本發明的第三主題是一種半導體檢查方法，其特 徵係使上述半導體檢查裝置用探針的前端接觸於半導體元 件的通電部所存在的焊錫，進行上述半導體元件的動作確 認。 上述及其他本發明的目的、特徴及優點可由以下的詳 細記載及附圖明瞭得知。 【實施方式】 [半導體檢查裝置用探針] 本發明的第一主題是半導體檢査裝置用探針，其係包 括導電性基材、及含有銅及锆的銅-鉻皮膜’其特徵是在 上述銅-鍩皮膜中，锆原子數相對於锆與銅的總原子數之 比例爲15〜85原子％，述皮膜的膜厚爲〇.〇5〜3μηι。 以下，根據圖面來說明本發明的實施形態。 圖1是半導體檢查裝置用探針的模式圖。探針1〇是 包括導電性基材Π及銅-銷皮膜12。探針的前端部是藉 由使與焊錫20接觸來進行半導體元件的動作確認。該焊 錫20是使連接於基板21。 導電性基材11是被銅-鍩皮膜12所被覆。 焊錫2 0並無特別加以限定，只要是公知的焊錫材料 即可，一般是使用BGA(Ball Grid Array)構成的焊錫材料 等。 (導電性基材） -7- 201217792 導電性基材的材質並無特別加以限定，可使用具有高 導電性及高彈性率的金屬。一般，該金屬爲使用材質硬具 彈性的鈹銅等的銅合金、鎢、銶鎢、鋼等。並且，亦可在 基材的表面施以電鍍。電鍍是可使用含例如由鉻、鈷、鎳 、铑、鈀、金等所構成的群來選擇的1種的純金屬或2種 以上的合金者。 另外，圖1是將探針的前端部設爲單純的點（point)型 ，但前端的形狀可按照檢查對象來任意地適用於王冠型、 三角錐型、圓錐型等，並無特別加以制限。 (銅-锆皮膜） 銅-錐皮膜之錆原子數的比例，相對於锆與銅的總原 子數是15〜85原子％，較理想是30〜70原子％。當鉻原 子數未滿15原子％時，在銅的比例變多下，表面粗度變 大，錫的附著量變多。另一方面，當锆原子數多於85原 子％時，在難以取得非晶形構造下，因爲表面粗度變大， 所以錫的附著量變多。 又，上述銅-銷皮膜更理想是含碳原子，最好碳原子 數相對於上述銅-銷皮膜的總原子數之比例爲40原子％以 下。若該碳原子數的比例超過40原子％，則會產生銅及 鉻的碳化物，引起結晶成長，因此發生錫的凝著。 在本發明的半導體檢查裝置用探針中，被覆的銅-锆 皮膜的膜厚是依探針的形狀、導電性基材的種類等而也有 所不同，爲〇.〇5〜3μηι，較理想是0.1〜Ι.Ομιη。當上述膜 201217792 厚大於3 μηι時，探針的表面的粗度增加，膜厚的均一性 差。又，當小於0.05 μΐη時，因爲皮膜薄，所以耐久性降 低。 半導體檢查裝置用探針是在半導體檢查時，與被連接 於半導體元件的焊錫重複接觸。因此，以往的半導體檢査 裝置用探針中，與上述焊錫接觸中主成分的錫會附著於探 針的前端部。因此，在附著的錫氧化下，產生電阻的增大 ，成爲在半導體檢査時狀態不佳的問題。 以往的半導體檢查用探針中，有可藉由縮小探針的前 端部的表面粗度來減少錫的附著爲人所知。於是，在探針 表皮形成對類鑽碳（diamond-like carbon)之類的非晶形碳 賦予導電性之添加鎢類鑽碳皮膜，藉此實現降低錫的附著 〇 上述添加鎢類鑽碳皮膜是若增多鎢的原子數的比例， 則無法降低電阻。但，若鎢的原子數的比例過多，則表面 粗度變粗，會有錫的附著變多的傾向。 有鑑於該等的問題，本發明者們是由探針的導電性的 觀點，針對金屬系皮膜，從表面性的觀點進行檢討。其結 果，發現銅-锆皮膜可取得非晶形構造，藉此相較於以往 技術，可降低錫的附著。 在探針的導電性基材表面被覆銷原子數的比例爲15 〜85原子％的銅-锆皮膜時，相較於其他的2元皮膜（例如 ，鎳-锆皮膜或添加金屬的非晶形碳（例如添加鎢類鑽碳） 皮膜），可取得錫附著量更少的探針。其理由，本發明者 -9- 201217792 等是如其次般思索。 在使用特定原子數的比例之銅-錐皮膜的成膜中，因 爲容易取得非晶形構造，所以容易形成平滑的表面。相對 的，在被覆鎳-銷皮膜時，難取得非晶形構造，結晶成分 殘留，所以表面粗度變大，容易發生錫的凝著。另一方面 ，在添加鎢類鑽碳皮膜是以皮膜形成時所被添加的金屬爲 中心，容易形成成簇（cluster)狀的構造。因爲此成簇而引 起的微細凹凸容易形成於皮膜表面。結果，該等特定的 銅-銷皮膜以外的皮膜、或以添加金屬的非晶形碳來被覆 時的皮膜表面的粗度，相較於以銅-鉻皮膜來被覆時，可 想像會增大。 銅-锆皮膜因爲容易藉由非平衡製程來取得非晶形狀 態，所以使用氣相成膜方法爲理想。又，氣相成膜方法可 舉真空蒸鍍法、電弧離子蒸鍍法（Arc Ion Plating)、灘射 法等的方法。藉由該等的方法所製作的銅-鉻系皮膜是可 在較廣的原子數的比例範圍取得表面平滑的非晶形構造的 皮膜。 本發明的導電性皮膜爲了強化與基材或被塗佈於基材 上的皮膜之間的密著性，亦可以各種金屬薄膜（銅、鉻、 鉻、鎢、鈦、鋁、鉬、金、白金、銀、铑等）作爲底層來 成膜。被使用於底層薄膜的金屬是0.05〜0.5 μηι爲理想。 [製造方法] 本發明的第二主題是半導體檢查裝置用探針的製造方 -10- 201217792 法’其特徵係於半導體檢查裝置用探針的基材上製造銅-銷皮膜的方法，上述銅-鉻皮膜是利用靶來進行濺射，藉 此形成於導電性基材上。 上述濺射可例如以圖2所示那樣的濺射裝置3 0來進 行。具體而言，首先將基材36排列配置於自各靶分別成 45度的角度之基材保持器（holder)35。其次，將真空腔室 31內排氣後，導入含不活性氣體的製程氣體，對基材36 表面，利用調整成預定比例的銅靶32及鉻靶33來形成 銅·锆皮膜。藉由該裝置來進行銅-銷皮膜的被覆作業下， 可製造本發明的探針。該等的手法時，可藉由基材設定位 置來使原子數的比例變化。 另外，上述銅靶32或鉻靶33亦可置換成銅-鉻複合 靶。亦即，使用锆中埋入銅的複合金屬的複合靶、或銅中 埋入銷的複合金屬的複合靶，而可對基材36進行銅-锆皮 膜的被覆作業。在使用複合靶時，亦可使基板34旋轉來 成膜。在複合靶中，可藉由使埋入至鉻的銅的個數、或埋 入至銅的锆的個數變化來令銅-锆皮膜的原子數的比例變 化。 有關膜厚是在那個的手法中皆可藉由控制成膜時間或 往靶的施加電力來形成任意的膜厚的銅-锆皮膜。 並且，在製造銅-錆-碳皮膜時，可使用與前述的銅-銷成膜同樣的方法。但，追加碳化氫等的含碳的反應性氣 體作爲製程氣體，調整碳化氫對氣體全量的比率下，可進 行所含有的碳原子數的比例控制。 201217792 (靶） 利用於本發明的濺射法的靶是銅靶或銷靶。亦即，使 用兩靶來進行濺射，藉此對導電性基材形成銅-锆皮膜。 另外，靶是如前述般，可置換成銅-銷複合靶。亦即 ，也可對靶調整锆中埋入銅的複合金屬，將銅-鉻皮膜形 成於導電性基材。 (製程氣體） 在本發明的濺射法中，製程氣體爲使用氬氣體等的不 活性氣體。亦即，將氬氣體導入至真空腔室內，以預定的 條件來進行濺射，藉此形成銅-锆皮膜。另外，在形成銅-鉻-碳皮膜時，製程氣體爲使用氬等不活性氣體與碳化氫 等含碳的氣體之混合氣體。 (濺射） 在本發明中，銅-銷皮膜是使用銅靶及锆靶、或銅-锆 複合靶，在氬氣體中進行濺射，藉此形成於接觸探針的基 材上。 由使銅-锆皮膜的表面性狀形成平滑的觀點來看，濺 射是磁控管濺射爲理想，更理想是非平衡磁控管濺射。 若藉此方法，則可將電漿空間擴大至基板附近，因此 可往基材照射Ar離子。藉由Ar離子的照射，Ar離子的 運動能量有助於到達基板之濺射粒子的熱能提升。藉由濺 -12- 201217792 射粒子的熱能提升，在基板上的粒子移動變容易，膜會緻 密化，可取得平滑的膜。爲了使該等的效果更爲增大，可 在對基板施加偏壓下控制Ar離子的能量，進而能夠更提 高表面平滑性。 (銅-銷皮膜的形成） 若利用本發明的製造方法，則可對被覆於接觸探針的 基材上的銅-鉻皮膜賦予表面性狀上的平滑度。其結果， 可使凝著於探針的接觸部之焊錫中的錫的量減少。 藉由本發明的製造方法所取得的銅-鍩皮膜是其外表 面的表面粗度（Ra)在原子力顯微鏡（Atomic Force Microscope; AFM)下於 4μιη2的掃描範圍中形成具有 0.2nm以下的表面性狀之銅-锆皮膜爲理想。若表面粗度 (Ra)爲上述範圍，則可更有效地防止焊錫中的錫凝著於探 針的接觸部。 另外，上述的表面粗度（Ra)是以3次元來求取在JIS B060 1所定義的算術平均粗度者，例如可如其次般算出。 亦即，可使用一利用 AFM裝置（SII社製SPI4000)來將 2μιη><2μιη的掃描範圍的畫像以附屬於此裝置的表面處理 軟體在X方向及Υ方向的兩方向實施平均傾斜補正之畫 像資料作爲畫像資料，藉由表面處理軟體（ProAna3D)來進 行處理而算出。 [檢查方法] -13- 201217792 本發明的第三主題是半導體檢査方法，其特徵是使上 述半導體檢查裝置用探針的前端接觸於半導體元件的通電 部所存在的焊錫，進行上述半導體元件的動作確認。具體 而言，使被覆銅-銷皮膜12的探針10觸碰於設置印刷基 板的檢査墊，由交流訊號源來施加交流訊號。然後，以配 置的探針10來檢測出被該墊所誘發的電場，藉此進行斷 線及動作不良的検出。 以上，詳細說明本發明的實施形態，但上述的說明是 在所有的局面舉例說明，本發明並非限於該等。未舉例說 明示的無數變形例亦屬本發明的範圍。 [實施例] 以下，舉實施例來更詳細說明本發明。本發明並非限 定於該等的實施例。 [實施例1] (導電性皮膜的形成） 使用神戸製鋼所製非平衡磁控濺鍍裝置（UBM202)來 進行成膜。圖2是表示將導電性皮膜形成於基材上之真空 腔室1的內部構造。將基材導入裝置內後，排氣至1 x 1 〇·3 Pa以下之後，實施成膜。 本實驗是分別製作純銅皮膜、純錆皮膜、銅-鉻皮膜 、銅-锆-碳皮膜。純銅皮膜、及純锆皮膜的製作是在各靶 的前面對該靶平行配置玻璃基板來進行成膜。 -14- 201217792 並且，銅-锆皮膜、及銅-鍺-碳皮膜的製作是使用銅 靶32及鉻靶33作爲靶來進行成膜。在銅-锆皮膜的成膜 中’基材3 6是利用玻璃基板來排列配置於自各靶分別成 45度的角度的位置，不使基材平台34旋轉來製作試料， 而作成使原子數的比例變化成各種的資料。在上述成膜中 ，製程氣體是使用Ar氣體。而且，在銅-锆-碳皮膜的成 膜是使用與前述銅-锆成膜同樣的方法。但，製程氣體爲 使用氬與乙炔的混合氣體，在使乙炔氣體相對於氣體 (Ar + C2H2)全量的比率變化下進行碳量的控制。成膜時的 氣壓全部爲〇.6Pa，設爲一定，且將成膜時的基板施加偏 壓設爲一定，-100V。往各靶的投入電力是設爲2.0k W。 並且，製作鎳-銷皮膜及含鎢類鑽碳（W-DLC)皮膜， 作爲比較用試料。可知該等的皮膜是與銅-锆同樣在塊材 中可取得非晶形構造。 鎳-锆皮膜的製作是使用與前述銅-鉻皮膜的製作同一 方法，在銅靶的位置配置鎳靶來成膜。W-DLC的成膜是 在銅靶的位置配置碳靶，使用將鎢絲配置於碳靶上的複合 靶，在配置於和靶平行的位置之玻璃基板上成膜。有關成 膜時的氣壓、成膜時的基板施加偏壓、往各靶的投入電力 ，皆統一成與上述銅一鉻系皮膜製作同樣的條件來成膜。 在表1中是針對按各不同的原子數量的比例而形成由 銅及鉻所構成的皮膜之試料（試料號碼1〜9)、及按各不同 的原子數量而形成由銅、鍩及碳所構成的皮膜之試料（試 料號碼1 〇〜1 4)來顯示下列的各試料的皮膜構成' 測定値 -15- 201217792 及評價，在表2中是針對形成由鎳及鉻所構成的皮膜之試 料（試料號碼15〜16)、及形成含鎢類鑽碳（W-DLC)皮膜之 試料（試料號碼17〜18)來顯示下列的各試料的皮膜構成、 測定値及評價。 (皮膜構成） 皮膜的膜厚是調整於〇·5 μηα〜1.0 μηι的範圍內。 皮膜的各原子數的比例是顯示根據附能量分散型X 線分析裝置的掃描電子顯微鏡SEM-EDX的分析結果。 (比電阻的測定） 電阻的測定是藉由根據4探針法的電阻測定來進行。 另外，比電阻的算出是需要銅-锆皮膜的膜厚。此膜 厚測定是利用成膜前先在基板上塗佈修正液，成膜後除去 修正液使修正液塗佈部的基材露出，測定皮膜與基材的階 差而求取的膜厚。 (錫凝著性的評價） 錫附著性的評價是實施利用錫球的滑動試驗。滑動試 驗是藉由Ball on disc試驗裝置（CSM社製：Tribometer) 來實施旋轉滑動試驗。旋轉半徑是1.5mm，旋轉速度是 0.2(；111/3，荷重是0.2>1，球是使用在81^2(直徑9.5111111)上 電鍍ΙΟμιη的錫者。滑動距離是設爲一定0.5m，根據滑動. 試驗後的錫附著量來進行評價。錫附著量的評價是以表面 -16- 201217792 粗度計來測定滑動圓周上的3點，求取各處的附著剖面積 ，將3點的平均値顯示於表中。附著量0者是未發生錫的 附著者。 (結果） 將結果顯示於表1、表2。 -17- 201217792 【1® 測定評價 錫附著量 (帅2) CO CD m ο ο Ο Ο ο ΙΟ LO τ— 00 σ> Ο Ο § 1® ? ^ a 2.3E-06 3.0Ε-05 5.3E-05 1.6E-04 1.7Ε-04 1.6E-04 1.4E-04 1.0Ε-04 8.5Ε-05 1.7Ε-04 1.8Ε-04 1.4Ε-04 6.3Ε-05 2.5Ε-04 被_成 對全原子數之 碳原子數 (原子％) 1_ Ο Ο Ο Ο Ο Ο Ο Ο Ο CO ιή CSJ ο τ-· 23.9 36.0 43.5 1_妒 ο 13.5 17.3 33.4 56.2 84.2 τ— σ> 00 ο τ— 11.3 88.3 52.8 31.7 膜種 13 Ο Cu-Zr Cu-Zr Cu-Zr Cu-Zr Cu-Zr Cu-Zr Cu-Zr ' Μ Cu-Zr-C Cu-Zr-C Cu-Zr-C Cu-Zr-C Cu-Zr-C 試料號碼 ▼—· cvj CO 寸 LO CO 00 σ> Ο τ·· OJ CO τ— 寸 -18- 201217792 由表1的結果可知，鉻原子量爲〇原子％的試料1(純 銅皮膜），相較於其他的合金皮膜，雖比電阻低，但錫附 著量變多。這除了銅容易與錫反應以外，還可想像是因爲 純銅的結晶成長的結果，表面的粗度增加。因此，在純銅 中添加锆之下，因爲锆的電阻要比銅高，所以雖電阻增加 ，但錫附著量變小。其次，在锆的原子數的比例爲13.5 原子％的試料2發生錫的附著。 並且，锆原子數的比例17.3原子％的試料3是未發生 錫的附著。這可想像是因爲锆的原子數的比例爲13.5原 子％的銅-锆皮膜尙未非晶形化，產生結晶成長，所以表面 的粗度增加，而發生錫的附著。相對的，錐原子數的比例 1 7.3原子％的試料3因爲非晶形化進展，所以表面的粗度 變平滑，可抑制錫的附著。 而且，鉻原子數的比例從33.4原子％到84.2原子％的 試料3〜7是顯示比電阻的變化少，安定的値，錫的附著 也完全不產生，因此可取得非晶形皮膜。 另一方面，銷原子數的比例爲89.1原子％的試料8是 比電阻些微降低，但發生錫的附著。可想像是因爲顯示接 近鍩的構造之結晶性的構造，所以表面的粗度增大。而且 ’在鉻原子數的比例爲1 〇 〇原子％的試料9也是相較於純 銅的試料1，錫的附著少，但產生錫的附著。這可想像是 因爲結晶成長而造成表面粗度的增加。 並且，試料10〜14是在銅與鉻的成膜中導入氬與乙 炔的混合氣體而製作者。在試料10是錐量少，亦即除了 -19- 201217792 銅量變多以外還混入碳，而生成碳化銅，產生結晶成長， 因此表面變粗，發生錫的凝著。而且，在試料11，由於 锆量多，所以因锆或碳化鉻的結晶成長而引起表面變粗， 產生錫的凝著。在試料12、13是即使被追加碳也顯示非 晶形構造，因爲未產生碳化物的生成，所以未發生錫的凝 著。在試料14，由於碳量多，所以產生銅與锆的碳化物 ，而引起結晶成長，表面粗糙，而發生錫凝著。 -20- 201217792 css 測定評價 錫附著量 (帅2) 1〇 ο CO CO 比電阻 (Ω *cm) 2.3E-04 2.4E-04 7.2Ε-04 1.0E-04 被膜構成 1 1 18.5 24.6 鄯越屮 36.7 59.6 I 1 膜種 Ni-Zr Ni-Zr W-DLC W-DLC 試料號碼 ΙΟ CO τ— CO r— -21 - 201217792 並且，在表2中，試料15，16是爲了比較而顯示與 銅-銷皮膜同樣容易取得非晶形構造的鎳-鉻皮膜的測定評 價結果。由表2的結果可知，在鎳-锆皮膜發生錫的附著 。這可想像是因爲鎳-鉻皮膜比銅-锆皮膜難取得非晶形構 造。又，可想像是因爲結晶性成分殘留，所以表面粗度增 大，產生錫的附著。 而且，有關含鎢類鑽碳皮膜的測定評價結果也在表2 中作爲試料17，18顯示》鎢量爲18.5原子％的試料17雖 未發生錫的附著，但比起上述銅-锆合金，比電阻値非常 高。另一方面，爲了降低比電阻，而提高至含鎢量24.6 原子％的試料1 8是產生錫的附著。 [實施例2] 以和上述實施例1同樣的方法，使用1個的銅-鍩複 合靶（不使用1個的靶）來形成銅-錐皮膜的試料（試料號碼 19〜24)。靶是使用在鉻內埋入銅的銷-銅的複合靶，而靶 施加電力爲2.0kW來實施成膜。成膜時是進行基材平台 的旋轉，以無基材內的組成不均之方式進行成.膜。另外， 成膜氣體是使用氬氣體，未使用碳化氫氣體，所以不含碳 成分。 另夕f ’試料1 9〜24是分別在控制成膜時間下使膜厚 變化的皮膜。並且’以該等的製法來成膜的皮膜是全部銷 原子數相對於銅與锆的合計之比例爲4 7.0原子％。 在表3顯不各試料的評價。 -22- 201217792 (結果） 將結果顯示於表3。 [表3] 試料號碼 銅-锆被膜膜厚 (// m) 錫附著量 ("m2) 19 0.45 0 、 20 1.31 0 、 21 2.23 0 、 22 2.89 0 、 23 3.11 2 24 5.24 26 ^ 由表3的結果，銅-锆皮膜的膜厚爲2.8 9μιη以下 料19〜22是錫附著未發生。但，膜厚爲3.11 μηι _ 23是發生微量的錫附著。而且，膜厚爲5.24μηι的試 是錫的附著量更多。這可想像即使表面爲平滑的銅. 膜，還是會因爲在加大膜厚下表面的粗度增加，所以 錫的附著。 本說明書是如上述般開示各種形態的技術，以下 其中主要的技術。 本發明的第一主題是一種半導體檢查裝置用探針 特徵係包括導電性基材、及含有銅及锆的銅-锆皮膜 導體檢查裝置用探針，在上述銅-鉻皮膜中，锆原子 -23- 的試 試料 料24 -鉻皮 發生 彙整 ，其 之半 數相 201217792 對於锆與銅的總原子數之比例爲15〜85原子％，上述皮 膜的膜厚爲0.05〜3μηιβ 若根據如此的構成，則形成於導電性基材表面的導電 性皮膜，可使對上述導電性皮膜的外表面之錫凝著性顯著 地降低，藉此可使半導體檢查裝置用探針的狀態不佳降低 *而謀求高壽命化。 在上述半導體檢査裝置用探針中，最好上述銅-锆皮 膜還含有碳原子，碳原子數相對於上述銅-锆皮膜的總原 子數之比例爲40原子％以下。 若根據如此的構成，則可使對上述導電性皮膜的外表 面之錫凝著性更降低。 在上述半導體檢査裝置用探針中，最好銅-鍩皮膜係 藉由氣相成膜法所形成。 若根據如此的構成，則可容易取得非晶形狀態的皮膜 〇 又，本發明的第二主題是一種半導體檢查裝置用探針 的製造方法，其特徵係製造包括導電性基材的半導體檢查 裝置用探針之方法，利用靶來進行濺射，藉此於上述導電 性基材上形成含有銅及鉻的銅-鉻皮膜，在上述銅-锆皮膜 中，鉻原子數相對於锆與銅的總原子數之比例爲15〜85 原子％，膜厚爲〇.〇5〜3μπι。 若根據如此的製造方法，則可防止焊錫中的錫凝著於 探針的接觸部，可將耐錫凝著性佳的非晶形狀態的銅-鉻 皮膜有效且容易地形成於半導體檢查裝置用接觸探針的基 -24- 201217792 材上。 在製造包括導電性基材的半導體檢查裝置用探針之方 法中，利用靶在含碳的反應性氣體中進行濺射，藉此於上 述導電性基材上形成含有銅、锆及碳的銅-鉻-碳皮膜之半 導體檢查裝置用探針的製造方法中，最好在上述銅-鉻-碳 皮膜中的鉻原子數相對於鍩與銅的總原子數爲15〜85原 子％，上述碳原子的數量相對於上述銅-锆-碳皮膜的總原 子數爲40原子％以下，膜厚爲0.05〜3 μιη。 若根據如此的構成，則可提供一種能夠使對上述導電 性皮膜的外表面之錫凝著性更降低的製造方法。 在上述製造方法中，最好上述濺射爲非平衡磁控管濺 射。 若根據如此的構成，則可基材上形成銅-銷皮膜的表 面性狀爲平滑的銅-銷皮膜。 又’本發明的第三主題是一種半導體檢查方法，其特 徵係使上述半導體檢查裝置用探針的前端接觸於半導體元 件的通電部所存在的焊錫，進行上述半導體元件的動作確 認。 若根據如此的構成’則可不使焊錫中的錫凝著於探針 的接觸部，長期間進行半導體元件的動作確認。 [產業上的利用可能性] 若根據本發明’則可提供一種當探針與焊錫接觸時， 防止焊錫的主成分之錫凝著於探針的接觸部，將耐錫凝著 -25- 201217792 性佳的導電性皮膜形成於基材表面而成的半導體檢查裝置 用探針。 【圖式簡單說明】 圖1是本實施形態的半導體檢査裝置用探針的模式 圖。 圖2是表示用以藉由濺射法在基板表面上形成本實施 形態的導電性皮膜之腔室內的構造的模式圖。 【主要元件符號說明】 1 〇 :探針 1 1 :導電性基材 12 :銅-锆皮膜 2 0 :焊錫 21 :基板 3 0 :濺射裝置 3 1 :真空腔室 3 2 :銅靶 33 :锆靶 3 4 :基板 3 5 :基材保持器 36 :基材 -26-