TW201209196A - Method of coating - Google Patents

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Chung-Pei Wang
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Hon Hai Prec Ind Co Ltd
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks

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Description

201209196 六、發明說明: 【發明所屬之技揦“領域】 [0001] 本發明涉及鍍膜加工方法,尤其涉及在薄膜沈積後的表 面形成預定圖案的方法。 [先前技術1 [0002] 傳統的鍍膜技術領域,在工件表面加工以形成圖案的方
法通常係將預定的圖案區域之外掩蓋,而直接對該預定 的圖案區域進行鍍膜。然,由於遮蓋非圖案區域的遮罩 具有一定的厚度,因此當對圖案區域鍍膜之後,因此遮 罩的厚度導致部份反應微粒附著,從而導致圖案的邊緣 不清晰且整個圖案的厚度不均。邊緣不清晰在高倍顯微 鏡下表現得邊緣模糊,即,圖案精度太低’尤其是當待 鍍表面形狀複雜時’更難形成高精度圖案。圖案厚度不 均則會引起圖案的物理性質不良,例如硬度及耐磨度變 差 hfj
【發明内容】 … [0003] 有鑒於此,提供一種高精度.鍍臈.加工方法 該 [0004] 一種鍍膜加工方法,其包括以下步驟:提供 工件具有一待加工形成圖案的第一表面;採用物理 沈積法對該第一表面沈積一膜層;提供〆鏤空的 ρη ;將該遮 該遮罩的鏤空形狀與待形成的圖案的形狀相^ ’ 罩貼設於該第一表面,在該鏤空處涂佈-遮蔽層, 該遮罩;去除該第一表面除該遮蔽層所遮蔽區威案 膜層;去除該遮蔽層以於該工件第〆表面護得該圖、 杳除外的 [0005] 相對於先前技術’本發明所提供的魏膜加 工方法係在物 〇992〇48327-0 099127502 表單編號Α0101 第3頁/共丨2頁 201209196 理氣相沈積鍍膜的基礎上在遮罩的鏤空區域涂佈遮蔽層 ’從而將圖案區域遮蔽’並對非圖案區域的膜層進行電 解拋光以去除,從而避免直接對圖案區域鍍膜時所發生 的圖案邊緣不清晰、產生暈影的缺陷,由於先對圖案所 在的表面整體沈積薄膜,所以可以最大限度地保證膜層 厚度的均勻性,使得圖案的物理性質較佳。 【實施方式】 [0006] [0007] [0008] [0009] [0010] [0011] 下面將結合圖式對本發明作進一步詳細說明。 请參閲圖1 ’本發明實施例提供的越膜加工方法至少包括 以下步驟: 首先,提供一工件10 ’該工件1〇具有一第一表面1〇1。 其次,採用物理氣相沈積法(physical Vap0r Depos一 ltion,PVD)於該第一表面ΐ(π沈積一膜層2〇。物理氣 相沈積法係以物理機制來進行薄膜沈積而不涉及化學反 應的製程技術,污染低。物理氣相沈積法一般包括真空 瘵鍍、濺射蒸锻及離子蒸鑛。本實施例採用單一腔體進 行反應式磁控濺射鍍膜法,亦可採^其他方式。 本實施例中,該膜層20為金屬單層膜,具有高度金屬質 感、色形艷離飽滿。在其他實施例中,該膜層可為複數 層膜。 請一並參閱圖2,提供一鏤空的遮罩3〇 ,該遮罩3〇的鏤空 區域300的形狀與待形成的圖案的形狀相同。在本實施例 中,該工件1 〇可以由可被磁性物質吸引的金屬或合金製 成,具體地,該工件10可由金屬製成,如鐵、鎳;或由 099127502 表單編號Α0101 第4頁/共12頁 0992048327-0 201209196 [0012] Ο [0013] [0014] 〇 含有金屬的合金製成,例如不銹鋼。為了與該工件10較 好地固定,該遮罩30可以採用具有較強磁性的材料製造 。遮罩30的大小不限。 將該遮罩30貼設於該第一表面101,在該鏤空區域300涂 佈一遮蔽層40。由於該遮罩30與該工件10可磁性相吸, 所以該遮罩可以方便快捷地吸附、固定在該第一表面101 而不會在後續流程中移動位置,從而最大限度地保證圖 案的精度。圖案可以是文字、圖形、數字、字母等各種 標記,在本實施例中,該圖案為圓形,因此鏤空區域300 的形狀為圓形。遮蔽層40的成分可以是油墨,或者光阻 材料。 然後,移走該遮罩30並去除該第一表面101的遮蔽層40之 外的膜層20。 本實施例係採用電解拋光的方式去除該遮蔽層40之外的 膜層20。電解拋光是一種利用金屬表面微觀凸點在特定 電解液中和適當電流密度下首先發生陽極溶解的原理進 行拋光的電解加工。具體地,將工件10作為陽極接直流 電源的正極。用錯、不錄鋼等财電解液腐餘的導電材料 作為陰極,接直流電源的負極。兩者相距一定距離浸入 電解液中,在一定溫度、電壓和電流密度(一般低於1安/ 厘米下,通電一定時間(一般為幾十秒到幾分鐘),工 件表面上的微小凸起部分便首先溶解,而逐漸變成平滑 光亮的表面。電解液成分通常使用具有高黏度的硫酸與 磷酸的混合物,也可以使用醋酸酐(CH3C0)20和甲醇 (CH30H)和過氯酸根離子(C104-)的混合物。遮蔽層40 099127502 表單編號A0101 第5頁/共12頁 0992048327-0 201209196 採用油墨或光阻材料或其他不參與電解拋光過程的材料 ’因此得以保留。 [0015] [0016] [0017] [0018] 請一並參閱圖3,針對遮蔽層40的材料去除該遮蔽層40 ’ 形成在該第一表面1〇1的圖案50即顯露。該圖案50的厚度 可控制在2微米以内,圖3中,圖案50的厚度被增大以便 清楚顯示圖案50與其他區域的厚度差異。如果遮蔽層40 為油墨,可選用鹼性溶液,例如氫氧化鈉(NaOH)溶液。 如果遮蔽層4 0為光I1且材料,則可選用光阻顯影液去除。 去除遮蔽層40的溶液與該膜層2〇的材料不發生反應即可 . 對該圖案50無影響。 去除該遮蔽層40之後,還可對該圖案50的邊緣進行修飾 〇 丨 本實施例所提供的鍍膜加工方法係在物理氣相沈積鍍膜 的基礎上在遮罩的鏤空區域涂佈遮蔽層,從而將圖案區 域遮蔽,並對非圖案區域的膜層進行電解拋光以去除, 從而避免直接對圖案區域鍍膜時所發生的圖案邊緣不清 晰、產生暈影的缺陷,由於先對圖案所在的表面整體沈 積薄膜’所以可以最大限度地保證膜層厚度的均勻性, 使得圖案的物理性質較佳。 综上所述,本發明確已符合發明專利之要件,遂依法提 出專利申請。惟,以上所述者僅為本發明之較佳實施方 式,自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本 案技藝之人士援依本發狀騎所作之等效修飾或變化 ,皆應涵蓋於以下申請專利範圍内。 099127502 表單編號A0101 第6頁/共12頁 0992048327-0 201209196 【圖式簡單說明】 [0019] 圖1係本發明實施例提供的鍍過膜的工件的立體示意圖。 [0020] 圖2係本發明實施例提供的鏤空的遮罩貼附在工件的第一 表面、並在鏤空區域涂佈遮蔽層後的工件的立體示意圖 [0021] 圖3係已將非圖案區域的膜層和圖案區域的遮蔽層去除、 顯現該圖案的工件的立體不意圖。 【主要元件符號說明】
[0022] 工件:10 [0023] 第一表面:101 [0024] 膜層:20 [0025] 遮罩:30 [0026] 鏤空區域:300 [0027] 遮蔽層:40 [0028] 圖案:50 0992048327-0 099127502 表單編號A0101 第7頁/共12頁

Claims (1)

  1. 201209196 七、申請專利範圍: 1 . 一種鍍膜加工方法,其包括以下步驟: 提供一工件,該工件具有一待加工形成圖案的第一表面; 採用物理氣相沈積法對該第一表面沈積一膜層; 提供一鏤空的遮罩,該遮罩的鏤空形狀與待形成的圖案的 形狀相同; 將該遮罩貼設於該第一表面,在該鏤空處涂佈一遮蔽層; 去除該遮罩; 去除該第一表面除該遮蔽層所遮蔽區域之外的膜層; 去除該遮蔽層以於讓工件第一表面獲得該圖案。 2 .如申請專利範圍第1項所述之鍍膜加工方法,其t :去除 該遮罩之後,通過電解拋光的方式去除該遮蔽層所遮蔽區 域之外的膜層。 3.如申請專利範圍第1項所述之鍍膜加工方法,其中:去除 該遮蔽層之後,對該圖案的邊緣進行修飾。 4 .如申請專利範圍第1項所述之鍍膜加工方法,其中:該遮 蔽層的成分為油墨。 5 .如申請專利範圍第4項所述之鍍膜加工方法,其中:選用 與該膜層的材料不反應的鹼性溶液去除該遮蔽層。 6 .如申請專利範圍第1項所述之鍍膜加工方法,其中:該遮 蔽層的成分為光阻。 7 .如申請專利範圍第6項所述之鍍膜加工方法,其中:選用 光阻顯影液去除該遮蔽層。 8 .如申請專利範圍第1項所述之鍍膜加工方法,其中:該工 件由可被磁性物質吸引的金屬或合金製成,該遮罩由磁性 099127502 表單編號A0101 第8頁/共12頁 0992048327-0 201209196 材料製成。 9 .如申請專利範圍第1項所述之鍍膜加工方法,其中:該膜 層為金屬膜層。 10 .如申請專利範圍第1項所述之鍍膜加工方法,其中:該膜 層為單層膜或包括複數層膜。 〇 ❹ 099127502 表單編號A0101 第9頁/共12頁 0992048327-0
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