TW201143878A - Self-assembled block copolymer membrane - Google Patents

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201143878 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明之實施例包含製備乡孔膜之方法。在特定態樣 中，該等方法係關於製備具有狭窄孔徑分佈之聚合^孔 膜。可有效且有成本有效地製備本發明之多孔膜。使用本 文所述之材料及方法製得之彡減可料水純化、醫療保 健、以及許多其他工業應用中。 【先前技術】 大部分當則可用之超濾用多孔膜係藉由所謂的相轉化過 程（非溶劑誘導性相分離）製得。該等膜具有或多或少之具 有不同直徑的較大統計學孔分佈，參見s. Nunes，κ._ν Peinemann(編輯）：Membrane Techn〇1〇gy inchemicai

Industry，Wiley-VCH，Weinheim 2006，第 23-32 頁。此寬 孔徑分佈具有兩個缺點：（1)該等膜不能精確分離具有相似 分子量之分子。（2)具有寬孔徑分佈之膜通常因較大孔之孔 封阻（或結垢）而展示較大通量減小。此情形發生之原因在 於大部分液體會經過具有較大直徑之孔。根據哈根_泊肅 葉（Hagen-Poiseuille)法則，通量與孔半徑之四次方成正 比。因此’人們已付出巨大努力且使用複雜方法來製備孔 徑分佈變化較小的膜。 已闡述下列方法： 細菌包膜方法。人們已使用細菌包膜（所謂的S層）來製 備均孔膜（Sleytr等人：Isoporous membranes from bacterial cell envelope layers, Journal of Membrane Science 36, 154173.doc 201143878 。由於孔徑分佈較窄’故該等膜具有良好分離性。 然而’㈣膜在商業上不可行，&乃因其難以大規模製備 且其並非長期穩定。 銘之電解氧化。用於製備孔徑分佈變化較小之膜的另— 方法係鋁之電解氧化（R c Furneaux等人· The f〇rmati⑽ of controlled porosity membranes from anodically oxidized aluminium，Nature 337’ 1989,第 147 i49頁）。該等膜可以 商業規杈製備且其係（例如）以商品名An〇p〇reTM提供。該等 膜之明顯缺點係其極脆。 徑跡蝕刻。聚碳酸酯或聚（對笨二f酸乙二酯）之稠密膜 可藉由以下方式轉化成具有狹窄孔徑分佈之多孔微濾膜： 將其曝露於放射性衰變之裂變部分中，隨後在鹼性溶液中 蝕刻（徑跡蝕刻膜最大孔密度受限於在極高劑量下膜變 得極脆之事實。 呼吸圖。製備均孔膜之另一方式利用所謂的呼吸圖 (Srinivasaro等人：Three dimensionally ordered array of air bubbles in a polymer film，Science 292，2001，第 79-83 頁）°以受控方式將潮濕氣流引導至含有溶劑之聚合物膜 上。經由在聚合物膜之表面上凝結水滴來產生孔。此方法 不能用於製備超濾膜，此乃因其不能獲得具有足夠小直徑 之孔。 自組裝。製備均孔膜之較新穎方法係基於嵌段共聚物自 組裝成良序結構之能力（T.P. Russel等人：Nanoporous membranes with ultrahigh selectivity and flux for the 154173.doc 201143878 filtration of viruses，Adyanced Materials % 2嶋第斯 712頁）。嵌段共聚物係由兩個或更多個共價連接之不同聚 合物的嵌段構成。端視該等嵌段之相容性，在自包括嵌段 共聚物之溶液形成膜時，該等嵌段將發生分離。然而，分 離之長度標度受限，此乃因各嵌段彼此相連。因此，此過 程稱作微相分離。端視嵌段共聚物之性質，可在基質或薄 層狀結構中形成不同形態學㈣，例如球體或圓柱體。在 Russell等人闡述之方法中，將Α_Β二嵌段共聚物與某一量 之均聚物Β—起溶於溶劑中。經由受控蒸發溶劑，可在諸 如石夕晶圓等固體載體上形成膜，該等膜具有規則佈置且垂 直於表面之圓柱體圖案。使用選擇性溶劑自該等膜提取均 聚物Β，從而產生奈米孔膜。此時可藉由水來剝離膜並轉 移至多孔載體。從而產生具有均孔分離層之複合膜。此方 法因具有多個步驟而極其複雜。此方法不能以工業規模及 競爭性價格來製備膜。 亦根據嵌段共聚物之自組裝能力來製備均孔膜的較簡單 方法已由peinemann等人予以闡述（Asymmeidc ―⑽加伽代 formed in a block cop〇lymer via phase separation, Nature

Materials 6, 2007,第992_996頁，亦參見美國專利公開案 20090173 694( 694申請案））。在此文章中，組合嵌段共聚 物之上述微相分離與非溶劑誘導性相分離之習用膜形成過 程。將濃嵌段共聚物溶液澆注成膜，然後在較短蒸發時間 後使該膜在非溶劑（較佳水）中沉澱。藉由此方法，已獲得 由覆蓋有南度有序奈米孔分離層之無序多孔載體構成的不 154173.doc 201143878 對稱膜。然而，該方法難以重現。在將，694申請案中所述 之程序用於市售純化嵌段共聚物中時，其並不產生均孔 膜0 【發明内容】 本發明實施例提供製備不對稱膜或聚合物材料之方法， 該不對稱膜或聚合物材料具有分離層（含有界限清晰之 孔、狹窄孔徑分佈）及载體層。該方法通常包括下列步驟 中之一或多者： (A)使用一或多種有機溶劑製備共聚物溶液。視需要， k冷液可進步包括第一聚合物，例如適合於自組裝方法 之均聚物或其他聚合物。第二或額外聚合物可增大微相分 離期間所形成之圓柱體或球體結構的直徑。此第二聚合物 可溶於並不溶解膜或聚合物結構之溶劑中。此一溶劑^用 於形成膜後提取第二或額外聚合物。在某些態樣中，第二 或額外聚合物係喪段共聚物之圓柱體形成嵌段的均聚物， :如聚（4-乙歸基㈣卜第二聚合物不必係均聚物。通 常，自膜或聚合物材料移除或提取第二聚合物。在某些熊 樣中，共聚物包括至少兩種不相容之聚合物嵌段。在；二、 態樣中’嵌段中之一者包括可與金屬離子形成錯合物或配 位化合物之單體單元，例如，聚乙烯基Μ或聚乙二醇。 在另一態樣中，共聚物溶液包含金屬鹽。 /)將共聚物料纽成-心^線材^注結構。 在形成纽結構後，可將該結構培育—段時間以蒸發溶 脅卜蒸發可進行至少、至多、或約 a、2、3、4、5、 154173.doc

201143878 6、7、8、9、l〇、20、3〇 4U 50、或60秒或更久。 (C)將澆注結構浸漬於嵌段妓 八聚物之非 >谷劑中。在某些 也樣中，非溶劑可與用於製 侑虎庄洛液之溶劑混溶。藉由 非溶劑誘導性相分離來形成不對稱膜。 某些實施例包含製備聚合物材料之方法，其包括以下步 驟：⑷形錢注結構，其包括⑴具有至少兩種不相容聚合 物嵌段之嵌段共聚物，該嵌段共聚物具有1.4或更低之聚 口物刀政陡乳t ’其中聚合物嵌段中之至少一者能夠與金 屬形成配位錯合物，及⑼金屬鹽；及⑻將纽結構浸潰 :非〜1中’其中4洗注結構形成—包括以下之聚合物材 料.（1)第-層’其具有藉由有序圓柱體結構或對齊互連球 體結構形成之週期性有序孔，該等有序圓柱體結構或對齊 互連球體結構係延伸至表面以下且具有垂直於表面之長 及（ii)第一層’其包括載體層。在某些態樣中，繞注 、’·=構係板材或柱。嵌段共聚物可包括可包含但不限於以下 之第聚合物嵌段：聚苯乙烯、聚砜 '聚_4_乙烯基吡啶、 Λ 比咬、聚環氧燒、聚曱基丙烯酸、聚丙烯酸、聚笨 胺聚°比咯、聚三唑、聚乙烯基咪唑、聚四唑、聚乙二 胺聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯啶酮、聚噁二唑、聚乙烯基 嶒馱、聚乙烯基膦酸、或具有四級銨基團之聚合物。在另 •癌樣中’金屬鹽可包含但不限於銅、鈷、鎳、鐵、銀、 鋅、金π Δ π、鉑、金、鉻、釕、鍅、鉬、鈦、鋁、或鎘鹽。共 聚物或澆注溶液可溶於二曱基曱醯胺、二甲基乙醯胺、Ν-甲基。比。各咬酮、二甲基亞颯、或四氩呋喃溶劑、其混合 154173.doc 201143878 物、或其他該等溶劑中。 在某些態樣中，嵌段共聚物溶液可佔溶液總重量之至 多、至少、或約 5 wt%、6 wt0/〇、7 wt%、8 wt%、9 wt%、 10 wt%、11 wt%、12 wt%、13 wt%、14 wt%、15 wt%、 16 wt%、17 wt%、18 wt%、19 wt%、20 wt0/。至約 15 wt%、16 wt%、17 wt%、18 wt%、19 wt%、20 wt0/〇、21 wt%、22 wt%、23 wt%、24 wt%、25 wt%、26 wt0/〇、27 wt%、28 wt%、29 wt0/。、30 wt%、35 wt%、40 wt%(包含 其間之所有值及範圍）。 在另一態樣中，嵌段共聚物溶液佔溶液總重量之至多、 至少、或約 0.01 wt%、0.02 wt%、0.03 wt%、0.04 wt0/〇、 0.05 wt%、0.06 wt%、0·07 wt%、0.08 wt%、0.09 wt%、 0.1 wt%、0.5 wt%、1 wt%、1.5 wt%、2 wt%、3 wt°/〇至钓 1 wt%、2 wt%、3 wt%、4 wt%、5 wt%、10 wt%(包含其 間之所有值及範圍）。 共聚物溶液可進一步包括額外聚合物。在某些態樣中， 可在形成聚合物材料後自聚合物材料提取額外聚合物。在 某些態樣中，額外聚合物係均聚物。額外聚合物與共聚物 中之至少一者相容。 該等方法可進一步包括在形成聚合物材料後自聚合物材 料提取金屬。 在某些態樣中，本發明包含使用本文所述方法製備之聚 合材料。聚合材料包含但不限於膜及柱。在某些態樣中， 聚合材料表面之最大孔直徑（dmax)與最小孔直徑（dmin)之比 154173.doc 201143878 率（dmax/d mi n)為約 1、1.5、2、2.5至 2、2.5、3(包含其間之 所有值及範圍）。 在另一態樣中，本發明包含含有以下之聚合物澆注溶 液.（1)至少兩種不相容聚合物嵌段之嵌段共聚物，該嵌段 共聚物具有2、i.5、L4或更低之聚合物分散性指數，其中 聚合物嵌段中之至少一者能夠與金屬形成配位錯合物，及 (H)金屬鹽。 本文所述聚合物材料或使用所述方法製得之聚合物材料 可用於各種ϋ件及裝置中。該㈣件及裝置包含超滤或奈 米過濾盗件或裝置以及延時釋放藥物遞送器件。 其他實施例包含使用本文所述材料之方法，例如對流體 實施超瀘、或奈米過紅方法，其包括使流^經本文所述 材料或藉由所述方法製得之材料。舉例而言，本文所述組 合物可用於藉由使含有蛋白f、病毒、或其他溶解組份之 流體流經或流過本文所述材料來_該流體。 士發明實施例亦包含使用所述方法製得之均孔膜。在某 些態樣中，本文所述之均孔膜或其他材料之表面或表面層 的dmax/dm,n為約0.5、卜2至3、3、或4(包含其間之所有值 及範圍）。在某些實施例中，可在形成後藉由改變放置臈 之環境來操控孔之直徑，舉例而言，可使用卿化來㈣ 及關閉位於聚合物材料之表面上之孔。 本發明之其他貫施例亦論述於此中請案通篇中。根據本 發明-態樣論述之任一實施例亦適用於本發明之其他離樣 且反之亦然。實例部分中之實施例應理解為係適用於切

S 154173.doc 201143878 明所有態樣之本發明實施例。 在申請專利範圍及/或說明書中，詞語「一（a或an)」在 與術語「包括」連用時可能意指「一個」，但亦與「一或 多個」、「至少一個」及「—個或一個以上」之含義吻合。 本發明預期本文所論述之任__實施例皆可根據本發明之 任-方法或組合物來實施，且反之亦然。另外，本發明之 組合物及套組可用於達成本發明之方法。 在本_請案it篇t，㈣「約」詩^包㈣於用於 測疋一疋值之裝置或方法之誤差之標準偏差的值。 儘管本發明揭示内容支持所用術語「或」可僅係指替代 或」之疋義’但除非明確指出此術語僅係指替代 ，該等替代相互㈣，否射請專利範圍中所用之術語 或」用於意指「及/或」。亦涵蓋使用術語「或」列示之 任何事物亦可特定性排斥。 此°兄明書及申請專利範圍中所用之詞語「包括 (「C〇mprismg)」（及其任一形式，例如「⑶叫^心」及 「〇mPnSeS」）、「具有（having)」（及其任一形式，例如 」及「haS」）、「包含（including)」（及其任一形式， 例如「Μ1*3」及「include」）或「含有(containing)」 =其任-形式，例如「⑶ntains」及「e_ain」）皆係指囊 種情況或無限制，且並不排除額外之未列出要素或方 法步驟。 里由下列詳細說明可明瞭本發明之其他目標、特徵及優 點。然而，應理解，當闡述本發明具體實施例時，詳細說 154173.doc 201143878 月及具體實例僅以闡釋方式給出，此乃因彼等熟習此項技 術者由該詳細說明可明瞭本發明精神及範圍内之各種變化 及修改。 【實施方式】 下列圖式形成本說明書之一部分且包含其以進一步闡釋 本發明之某些態樣。可藉由參照該等圖式中之一或多者以 及本文所示具體實施例之詳細說明來更好地理解本發明。 本發明實施例提供關於均孔膜及其他聚合材料之方法及 組合物，該均孔膜及其他聚合材料具有均孔表面層及支撐 層均孔膜係適用於超據或奈米過渡溶解物質、膠體顆 粒、蛋白質、病毒及諸如此類。本文所述方法係簡單且成 本有效之方法。 製備聚合物材料之一方法實施例產生一具有均孔表面層 及支撐層之聚合物膜。此一膜可用作超濾或奈米過濾膜。 该方法包含將一或多種聚合物（其中至少一者係嵌段共聚 物）溶於流體中以產生澆注溶液。嵌段共聚物係由兩種或 更多種聚合單體嵌段構成之聚合物。在某些態樣中，嵌段 共聚物可由兩種或三種不同聚合物嵌段構成，其中至少兩 種嵌段不相容且產生微相分離。在另一態樣中，一種嵌段 係疏水性且另一種係親水性。嵌段共聚物應具有狹窄分子 量分佈。聚合物分散性指數（PDI)應小於丨5、i 4、i 3或更 低。在某些實施例中，聚合物嵌段中之一者包括與金屬離 子形成配位錯合物或鹽的官能團。該等聚合物嵌段之實例 包含但不限於聚乙烯基吡啶、聚苯胺、聚吡咯、聚三唑、

S 154173.doc 201143878 聚醯肼、聚乙二醇及聚丙烯酸。上述澆注溶液中嵌段共聚 物之農度應高於或約為5 wt%、10 wt%、15 wt%、或20 wt%至介於15 wt%、20 wt%或25 wt%之間（包含其間之所 有值及範圍）。在某些態樣中，澆注溶液含有與嵌段共聚 物中之一者形成錯合物或鹽的可溶金屬鹽。在某些態樣 中’嵌段共聚物之分子量至多、至少、或約為1〇、2〇、 40、60、80、1〇〇 及 2〇〇、300、350、400 至 800 kDa 或介於 其間。適宜金屬離子之實例係Cu2+、c〇2+、Fe2 +，3+、犯2+、 Ζπ2+、Pb2+、Cd2+、Ag+、Au2+、及 Pd2+。 洗注溶液包括至少一種用於嵌段共聚物中之至少一者的 心劑。澆注溶液可包含一或多種溶劑。溶劑通常係極性溶 劑且包含彼等可與水混溶之溶劑。該等溶劑之實例包含但 不限於二曱基曱醯胺、二曱基乙醯胺、N-曱基吡咯啶酮、 二曱基亞硬及四氫〇夫喃。 澆注溶液係可經操控以形成諸如板材線材或柱等澆注 結構之黏性溶液°為形成板材，將纽溶錢展成-薄膜 型厚度為 50、75、1〇〇、125、。。至⑵、15〇、175、 '/25、250 μιη或更厚（包含其間之所有值及範圍本 發明態樣包含在使纽溶液形成洗注結構後之較短蒸發時 、、（通吊為5至60 s)。製得堯注結構後，料浸潰於非溶劑 :(較佳為水）中。非溶劑係嵌段共聚物無法充分溶解在其 2溶液或液體’由此藉由浸潰於非溶财來誘導聚合物 不：:”!構中之相分離。藉由非溶劑诱導性相分離可形成 “合物材料。此聚合物材料係由覆蓋有具有高度有 154173.doc

S -12- 201143878 序孔結構（均孔層）之薄層的多孔結構（載體層）構成，該薄 層含有垂直於膜表面定向之圓柱體或對齊互連球體。圓柱 體結構係由嵌段共聚物之親水性嵌段形成。由該結構形成 之孔的直徑變化極小。 不期望丈限於任一具體理論，據信，本文所述方法係宏 相分離（因浸潰於非溶劑浴中）與微相分離（因嵌段共聚物之 自組裝）之組合。後者可形成高度有序表面層。 在一些貫施例中，在乾燥後會形成頂層或表面層之最終 孔結構。親水性聚合物會發生收縮並產生孔，該孔内襯有 親水性聚合物（參見實例1)。在其他實施例中，將與親水性 嵌段具有相同組成之親水性均聚物添加至澆注溶液中。若 需要，可在形成膜後提取此均聚物從而產生較大孔。 I·實例 本發明包含下列實例以闡釋本發明之特定實施例。彼等 熟習此項技術者應瞭解，以下實例中所揭示之技術代表發 明者所發現可良好地用於實踐本發明之技術。然而’彼等 熟習此項技術者借助於本揭示内容應瞭解，可對所揭示具 體實施例作出多種改變且仍獲得相同或相似結果，此並不 背離本發明之精神及範圍。 實例1 : 將肷#又共4物聚本乙烯_b-聚-4-乙烯基°比唆（ps-b~ P4VP，Polymer Source公司，產品編號：p5722)溶於二曱 基甲酿胺（DMF)與四氫呋喃（Thf)之混合物中以提供澆注 溶液。PS-b-P4VP之分子量為179千道爾頓，ps嵌段及

S 154173.doc _ 13· 201143878 P4VP嵌段之分子量分別為138千道爾頓及4ι千道_。多 分散性指數（PDI)為工· i 5。洗注溶液之組成為2。wt % ps冬 P4VP、56 败％ DMF、24 wt.% 及 〇 16 败％無水乙酸 銅。 將澆注溶液在破璃板上鋪展成200 μηι厚膜。在室溫下自 由蒸發10秒後，將膜浸潰於水浴中。膜在數秒内固化且在 洗滌3小時時間後將其取出。相分離可在至少、至多、戋 約 〇、5、10、15、20、25、30、35、4〇、5〇、6〇、7〇、 8〇°C (包含其間之所有值及範圍）之溫度下實施。 實例2 : 使用實例之方法1來製備對照膜，只是澆注溶液中並不 包含乙酸銅。 氺*氺申氺氺伞*氺丰丰氺*氺氺氺氺本幸氺 藉助本發明揭示内容無需過多實驗即可獲得並實施本發 明所揭示及主張之所有組合物及/或方法。儘管已根據一 些實施例闡述本發明之組合物及方法，但彼等熟習此項技 術者應明瞭，可對該等組合物及/或方法及本文所述方法 之步驟或步驟順序作出各種改變，此並不背離本發明之概 念、精神及範圍。更具體而言，應明瞭，某些在化學及生 理上皆相關之試劑可代替本文所述試劑並同時可達成相同 或相似結果。對彼等熟習此項技術者顯而易見之所有該等 類似替代物及修改皆視為涵蓋於由隨附申請專利範圍所界 疋之本發明的精神、範圍及概念内。 【圖式簡單說明】 154173.doc 201143878 圖1係自聚笨乙烯-b-聚（4-乙烯基吡啶）銅錯合物（聚苯乙 烯嵌段MW : 138,000，聚（4-乙烯基吡啶）嵌段MW : 41，000)製得之膜之橫截面的SEM顯微照片。 圖2係膜表面之SEM顯微照片。表面各孔具有實質上一 致之直徑，孔密度極高。 ' 圖3係不添加金屬鹽時製得之膜表面的SEM顯微照片。 154173.doc -15-

Claims (1)

1. 201143878 七、申請專利範圍： 其包括以下步驟： 1· 一種製備聚合物材料之方法 其包括⑴至少兩種不相容聚合物嵌 °玄敗段共聚物具有1 ·4或更低之聚 (a)形成澆注結構，其 段之嵌段共聚物 α物分散性指數，其中聚合物嵌段中之至少一者能 夠與金屬形成配位錯合物，及（ii)金屬鹽；及

   有序圓柱體結構或互連球體所形成之週期性有序 孔，该等有序圓柱體結構或互連球體延伸至表面以 下且具有垂直於該表面之長轴；及（ii)第二層，其包 括载體層。 2. 如請求項丨之方法，其中該澆注結構係板材。 3. 如請求項丨之方法’其中該澆注結構係柱。 4. 如請求項1之方法，其中該嵌段共聚物包括第—聚合物 喪段’其係聚苯乙烯、聚砜、聚_4_乙烯基地啶、聚_2· 。比咬、聚環氧烷、聚曱基丙烯酸、聚丙烯酸、聚苯胺、 聚0比°各、聚三唑、聚乙烯基咪唑、聚四唑、聚乙二胺、 聚乙歸醇、聚乙烯基吡咯啶酮、聚噁二唑、聚乙烯基墙 酸' 聚乙烯基膦酸、或具有四級銨基團之聚合物。 5. 如請求項1之方法，其中該金屬鹽係銅、鈷、鎳、鐵、 銀、鋅、鈀、鉑、金、鉻、釕、錘、鉬、鈦、鋁、或鎘 6.如請求項1之方法，其中該澆注結構包括二甲基甲酿 154173.doc 201143878 股、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、二甲基亞颯、或 四氫咳。南溶劑或其混合物。 如請求項1之方法，其中該澆注結構中嵌段共聚物之濃 度係佔該洗注結構總重量之約10 wt%至約30 wt〇/0。 8.如請求項丨之方法’其中該洗注結構中金屬鹽之濃度佔 δ亥淹'主結構總重量之約0·05 wt%至約5 wt%。 9. 如凊求項1之方法，其中該洗注結構進一步包括可在形 成該聚合物材料後自該聚合物材料提取之均聚物。 10. 如明求項1之方法，其進一步包括在形成該聚合物材料 後自該聚合物材料提取該金屬。 種聚合材料，其係使用如請求項1之方法製得 11. 12 ·如睛求項11之聚入分粗 甘—> π ,一 取0材枓，其包括最大孔直徑dmax與最 孔直徑dmin之比率（dmax/dmin)為約1至3之表面。 *種聚n主溶液，其包括⑴至少兩種不相容聚合 嵌段之嵌段共聚物’該嵌段共聚物具有 物分散性指數，其中 ^ 肀聚&物肷段中之至少一者能夠與 屬^成配位錯合物，及（ii)金屬鹽。 14. 一種超濾或奈米過廣 材料。 ^ 慮裝置’其包括如請求項U之聚合 15. 如請求項11之聚合物材料。 其包括使 16. 17. -種均孔膜，其係根據如請求項ι之方法 如請求項16之均孔膜，其包括 衣付 直徑dmin之比率（d ; 取孔直控 一 dmin)為約1至3之表面。 154173.doc S 201143878 18. 一種均孔膜，其包括最大孔直徑dmax與最小孔直徑乜1„之 比率（dmax/drain)為約1至3之表面層及載體層。 154173.doc