201140463 36748pif 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本文中之本發明是關於記憶卡以及電子機器，且 定言之，是_可卸除式記憶卡以及包含可被插入可卸除 式記憶卡之插口的電子機器。 、 本申请案主張2010年2月5曰申請之韓國專利 案第10-2〇10-0〇1〇989號之優先權並且主張2〇〇9年12月\ 日申請之美國臨時申請案第61/282,〇41號之權利，兩 案中之每-者之全部内容以引用方式併人本文中。 【先前技術】 記憶卡為結合各種電子機器（諸如，電腦、數位相機、 數位攝錄-賴、蜂巢式電触及個人齡助理（person digital assistant，PDA))而使用以儲存或提供資料（諸如， 影像資料以及聲音資料）之可卸除式卡。存在許多種類之 έ己憶卡如’雜棒卡（memQ]rystiekeard)、安全數位 卡（讓比_ )、緊密快閃卡（compact flash card ) 以及智慧媒體卡（smart media eard)。非揮發性記憶體通常 用作記憶卡，並且快閃記憶體為最廣泛制之非揮發性記 憶體。 【發明内容】 本發明提供新類型之記憶卡。 發明概念之實例實施例提供記憶卡。在一些實例實施 例中，所述記憶卡可包含··正面、背面、第—側面、第二 侧面、頂面以及底面；所述頂面以及所述底面中之至少一 Ο ❹ 201140463 36748pif f上的第-組互連端子，所述第—組互連端子經組態以操 f性地與外部電子機器連接。所述第一組互連端子令之每 :者可具有平行於第—方向之長度，並且所述第-組互連 f子是沿著垂直於所述第一方向之第二方向，並且所述第 連端子中之至少—些可分別與所述正面_開 其長度的距離。 …在發明概念之其他實例實施例中，提供電子機器。 述電子機器包括插口(socket)，其令所述插口包含··第一組 i連端子，其經組態以操作性地與第-記憶卡連接；以及 連端子’其經組態以操作性地與第二記憶卡連 ί實^1式7"互連端子與㈣第二衫相子為平行的。 说附圖以提供發明概念之進一步理解，並且將附圖 書中並構成本朗書之—部分。諸圖說— =實例實施例並與描述_起用以解釋發明概念之’實 參看用於說明發明概念之實财 分理解發明概念、其優點以及藉由 二圍，充 目標。 久精由貫施發明概念而實現之 在下文巾，將藉岭細__ =發明概念。在諸圖中，為清楚起見可放大層 長=及大小。在諸圖中，相同參考數字表示相同元^ 應理解，雖然術語第— = 以描述各種元件，但此等元件η A ^等叮在本文中用 兀件不應受此等術語限制。此等 5 201140463 36748pif 元件用以區分-個元件與另—元件。因此，在不偏離發明 概念之教示的情況下，下文論述之第—元件可稱 件。 一凡 應理解’备元件（諸如，層、區域或基板）被稱為在 另一元件「上」、「連接至」或「耦接至」另一元件時，其 可直接在另-元件上、直接連接至或祕至另—元件，:戈 可存在介入元件。相比而言，當元件被稱為「直接」在另 、元件「上」、「直接連接至」或「直接耦接至」另一元件 或層時，不存在介入元件或層。相同參考數字在全文中代 表相同元件。如本文中所使用，術語「及/或」包含相關聯 所列項目中之一或多者之任何以及所有組合。 本文中所使用之術語僅出於描述特定實例實施例之 目的且不欲限制發明概念。如本文中 意欲亦包含複數形式，除非上下文另有:Π」 ^理解’術語「包括」及/或「包含」在用於本說明書中時， 指定所述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件之存在， 但並不排除一個或多個其他特徵、整數、 件、組件及/或其群組之存在或添加。J㈣70 除非另有定義，否則本文中所使用之所有術語（包含 =技術語）具有與一般熟習發明概念所屬領域之技術者通 =里解之含義相同的含義。應進—步理解，諸如S用辭血 中所定義之術語的術語應解釋為具有與其在相關技術之^ ^下之含義-致的含義，且將不會以理想化或過度正式之 思義來解釋，除非本文中明確地如此定義。 201140463 36748pif 圖1以及圖2為說明根據發明概念之實例實施例之記 憶卡200的透視圖。圖3為沿圖i之線a_a，截取之剖視圖。 圖1為說明記憶卡200之俯視透視圖，旅且圖2為說明記 憶卡200之仰視透視圖。在當前實例實施例中，記憶卡2〇〇 可使用非揮發性記憶體。舉例而言，所述非揮發性記憶體 可為快閃記憶體。 參看圖1至圖3 ’記憶卡2〇〇包含電路板230、半導 體晶片232以及模製部件220。半導體晶片232包含記憶 體晶片234以及控制器晶片236。記憶體晶片234以及控 制器晶片236可具有堆疊結構。舉例而言’各記憶體晶片 234可疊置於彼此上，且該控制器晶片236可置放於最上 s己憶體晶片234之頂部上。在另一實例中，可僅使用一個 記憶體晶片234。在另一實例中，記憶體晶片234可與控 制器晶片236間隔開。控制器晶片236可小於記憶體晶片 234。 電路板230包含被動組件（例如，圖π中所展示之 被動組件739)。所述被動組件可包含電容器或暫存器。互 連知>子238形成於電路板230之外表面上以與外部電子裝 置（例如，圖36中所展示之電子機器5100)電性連接。 互連端子238中最接近第一侧面245 (稍後描述）之一者 可為用於輸入/輸出（I/O)之電源互連端子。此外，導電 跡線（未圖示）形成於電路板230上以電性連接晶片234 以及236、互連端子238以及所述被動組件。模製部件22〇 經設置以完全覆蓋半導體晶片232以及電路板do之頂表 7 201140463 36748pif 面。 當自外側檢視時，記憶卡200包含頂面241、底面 242、正面243、背面244、第一側面245以及第二侧面246。 記憶卡200之正面243以及背面244彼此大致平行。此外， 吕己憶卡200之頂面241以及底面242彼此大致平行，並且 頂面241以及正面243彼此大致垂直。記憶卡2〇〇之第一 侧面245以及第二侧面246彼此大致平行。第一側面245 大致垂直於頂面241以及正面243。亦即，記憶卡2〇〇呈 有大致薄的平行六面體形狀。當自頂面檢視時，平行於第 一側面245之方向將被稱為第一方向12，並且平行於正面 243之方向將被稱為第二方向14。此外，垂直於第一方向 12以及第二方向14之方向將被稱為第三方向16。 標記（未圖示）可安置於頂面241上。所述標記可為 貼紙或以墨水印刷。在記憶卡200之底面242處，曝露了 互連端子238。互連端子238可安置於底面242之接近於 正面243之區域處。互連端子238可沿著第二方向14而配 置。此外，互連端子238可平行於第一方向12。 互連端子238與正面243間隔一預定距離。所述預定 距離可按照使得互連軒238可*疊置於大小類似於記憶 卡200之不同記憶卡之互連端子（諸如，圖37之記憶卡 5160之互連、子5162)上的方式而加以確定。舉例而言， 不同記憶卡5⑽可為微型安全數位卡，其在底面的接近於 正^區域上具有互連端子。此外，所述預定距離可大於 互連端子238之長度。互連端子238 <長度可相等。互連 201140463 36748pif =f8可彼此對準。或者，互連端子238中之-柯長 於互連端子238中之龙仙土 ^ J食 /、者。在此狀況下，互連端子238 面244之末蠕可彼此對準。舉例而言，較長的 互連鈿子238可為電源端子。 Ο Ο 夕偷L4以及圖5說明記憶+ 3〇0。圖4為說明記憶卡· 产1、視圖’並且®5為說明記針之仰視透視圖。 1卡300具有類似於圖丨至圖3中所說明之記憶卡細 之薄平行六面體職的薄平行六面體形狀1憶卡3〇〇之 f連端子338的位置可類似於圖1至圖3中所說明之記憶 卡200之互連端子238。突起312安置於記憶卡3〇〇之頂 面i41上。突起312可安置於頂面341 &接近於記憶卡3〇〇 之f面344之區域中。突起312可延伸至第一側面345以 及第二側面346。此外’突起m可圓形化(jOunded)並朝 向正面343凸起。或者，當自頂面檢視時，突起Η]可具 有矩形形狀。歸因於突起312 ’使用者可容易抓持記憶卡 300。相對厚之裝置可安置於突起312下之記憶卡3〇〇之電 路板上。 圖6以及圖7說明記憶卡400。圖6為說明記憶卡4〇〇 之俯視透視圖，並且圖7為說明記憶卡4〇〇之仰視透視圖。 η己f意卡400可具有類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡2〇〇 之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形狀。記憶卡4〇〇之 互連端子438的位置可類似於圖1至圖3中所說明之記憶 卡200之互連端子238。類似於圖4之記憶卡3〇〇之突起 312的突起412可安置於記憶卡400之頂面441上。此外， 201140463 36748pif 記憶卡4〇〇包含處於正面443與第二_ 446之間的斜面 461，並且斜® 46!隨著其自正面443伸展至第二侧面446 而變得遠離第-側面445。斜面461可自頂面441延伸至 圖8至圖10說明記憶卡40卜圖8為 的仰視透視圖，且圖9以及圖1G分別為圖8之= 之前視圖以及俯視圖，其用於說明記憶卡侧:二 片434以及控制器晶片436。記憶卡4〇1類餘圖曰曰 以及圖7中所說明之記憶卡400之形狀的形狀。㈣3如 圖8中所展示’斜面他自記憶卡彻之頂面相形成達 到記憶卡4〇1之預定深度。舉例而言，當突起犯之 ί之厚度中時’所述預定深度可為記 切1之厚度的-半。或者，當突起412之厚度不包含於 記憶卡401之厚度中日寺’所述預定深度可小於記憶卡彻 之厚度的-半。如圖9中所展示，記憶卡彻包含^模製部 件420、電路板430以及被動組件439。 如上所述，控制器晶片436可小於記憶體晶片434。 在此狀況下，當自頂面檢視記憶體晶片434時，記憶體晶 片434可部分與斜面461a重4，且當自頂面檢視控制器= 片436時，控制器晶片436可位於斜面461a外部。此外， 當自第一側面445檢視記憶體晶片434時，記憶體晶片434 可部分與斜面461a重疊。歸因於此，具有相對大的大小的 纪憶體晶片434可安置於包含斜面461a並且具有有限大小 的記憶卡401中。 201140463 36748pif 斜面（461、461a)可在使用者將記憶卡（400、 插入至電子機器之插口中時防止反向插入。舉例而言，圖 8之記憶卡401可與電子機器5300(參看圖39)一起使用， 電子機器5300在插口 5320 (參看圖39)中包含對應於斜 面461a之突起5360 (參看圖39)。 ο ο 圖11以及圖12說明記憶卡5〇〇。圖u為說明記憶卡 500之俯視透視圖，並且圖12為說明記憶卡5〇〇之仰視透 視圖。記憶卡500可具有類似於圖i至圖3中所說明之記 憶卡200之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形狀。記憶 卡500之互連端子538的位置可類似於圖丨至圖3中所說 明之記憶卡200之互連端子238。類似於圖4之記憶卡3〇〇 之突起312的突起512可安置於記憶卡5〇〇之頂面541上。 然而，記憶卡500之突起512可設置於頂面541上自接近 於第一側面545之區域至接近於第二側面5牝之區域。類 似於圖6之記憶卡400之斜面461的斜面561可設置於記 憶卡5〇0之拐角(corner)處。此外，記憶卡5〇〇可在第二 面546中包含凹口 562。凹口 562可大致安置於第二_ 546之中心。凹口 562可自記憶卡5〇〇之頂面 底面542。或者’凹口 562可形成於第—側面犯中 凹口可分別形成於第-側面545以及第二侧面546中。 圖η說明記憶卡5〇1。圖u為記憶卡5〇1之 =意卡5〇1具有類似於圖U以及圖12中所說明之記“ ^形狀的形狀。然而，凹口 5仏自翻54i g ㈣卡训之預定深度。舉例而言，當突起5i2 ^ 11 201140463 36748pif 巴3於讀卡501之厚度中肖，所述預定深度可為記憶卡 t之厚度的—半。或者’當突起512之厚度不包含於記 fe' 501之厚度中日夺’所述預定深度可小於記憶卡通之 厚度的一半。 .雖然圖13中未圖示，但在記憶卡501 _，當自頂面 ，視記憶體晶片時，所述記憶體晶片可與凹口 562a部分重 宜，且當自頂面檢視控制器晶片時，所述控制器晶片可位 於凹口 562a外部。此外，當自第二側面546，檢視控制器晶 片時，所述控制器晶片可與凹口 562a部分地重疊。 圖14至圖17說明記憶卡7〇〇。圖14為說明記憶卡 700之俯視透視圖，並且圖15為說明記憶卡7〇〇之仰視透 視圖。此外，圖16以及圖17為記憶卡7〇〇前視圖以及俯 視圖，其用於6兒明§己憶體晶片乃4以及控制器晶片736。 記，卡700可具有類似於圖丨至圖3中所說明之記憶卡2〇〇 之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形狀。記憶卡7〇〇之 互連端子738位置可類似於圖丨至圖3中所說明之記憶卡 200之互連端子238。類似於圖4之記憶卡300之突起312 的突起712可安置於記憶卡7〇〇之頂面741上。第一凹槽 763可形成於記憶卡700之頂面74丨的接近於第一側面745 ，區域中，並且第二凹槽764可形成於頂面741的接近於 第二侧面746之區域中。第一凹槽763之縱向方向可平行 於第一方向12。第一凹槽763可在其縱向方向上具有恆定 寬度GW1。第一凹槽763之末端可延伸至記憶卡7〇〇之正 面743。第一凹槽763以及第二凹槽764之長度Gli可為 12 201140463 36748pif
記憶卡700之長度Cl之約1/4至約3/4。舉例而言，長度 GL1可為兄憶卡7〇〇之長度ι/2。此外，第1槽加 伸至第一側面745。第-凹槽763之寬度— :己μ 700之寬度°w之約1/20至約1/10。舉例而言， 第凹，763之寬度Gwi可為記憶卡7〇〇之寬度〜之約 1^12第凹槽763可自700之頂面741延伸達到—預定 深度。舉^而言，所述職深度可為記憶卡之厚度之 約1/2。第一凹槽763以及第二凹槽加可對於穿過記憶 卡700之中心且大致平行於第-側Φ 745的虛線18成為對 稱。 如上所述，控制器晶片736可小於記憶體晶片734。 在此狀況下，當自頂面檢視記憶體晶片734時，記憶體晶 片734可部分地與凹槽763以及764重疊，且當自頂面檢 視控制器晶片736時，控制器晶片736可安置於凹槽加 以及764外部。此外，當自第一側面745檢視控制器晶片 736牯，控制器晶片736可與凹槽763以及764部分地重 疊。雖然記憶卡700包含凹槽763以及764並且具有有限 大小，但具有相對大的大小的記憶體晶片734可安置於記 憶卡700中。 、° 或者’僅第一凹槽763以及第二凹槽764中之一者可 形成於5己憶卡700中。此外，第一凹槽763以及第二凹槽 764可自記憶卡7〇〇之頂面741延伸至底面742。 在上述實例中，凹槽763以及764之末端延伸至正面 743 ’並且凹槽763以及764之另一末端延伸至與背面744 13 201140463 36748pif 之束端可 末端可延 間隔開之位置。然而’或者，凹槽763以及764 延伸至正面743，並且凹槽763以及764之另一 伸至背面744。 此外，在上述實例中，凹槽763以及764 至第一側面745以及第-你丨而从 丨列延伸 汉弟一侧面746。然而，或者，凹 以及764之外側可延孙$ Λ楚 03 狎至由弟一側面745以及第 746向内間隔之位置。 例面 凹槽763以及764可在使用者將記憶卡700插入至雷 子機器之插口中時防止反向插入。舉例而言，圖 卡7〇0可與電子機器5儀（參看圖40) -起使用，電g 盗5400在插口 542G(參看圖4())中包含對應於 ^ 以之突起5_(參看圖叫。如圖10中所展示，』 憶卡700亦包含模製部件72〇以及電路板730。 圖18以及圖19說明記憶卡8〇〇。圖18為說明記憶卡 _之俯視透視圖’並且圖19為說明記憶卡8⑽之仰視透 視圖。記憶=800可具有類似於圖1至圖3中所說明之記 憶卡2〇0之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形狀。記憶 卡800 =互連端子838的位置可類似於圖1至圖3中所說 明=記憶卡200之互連端子238。類似關4之記憶卡3〇〇 之犬起312的突起812可安置於記憶卡8〇〇之頂面841上。 如同，14以及圖15中所說明之記憶卡700之第一凹槽763 以及第一凹槽764 ,第—凹槽863以及第二凹槽864可形 成；己La卡8〇〇之兩個侧面845、846中。此外，第一凹口 865可形成於第一側面845中。記憶卡800之第一凹槽863 14 201140463 36748pif 之長度Gu可小於圖14以 之第一凹槽763之長戶。第一 中所說明之峨卡· 並且第-凹槽863 ^ 槽863可延伸至正面843, 之叙 夂長度仏2可短於記憶卡800之長廋c
之約1/2。舉例而言，第一 焚度CL _之長卢c之〜/! 之長度Gl2可為記憶卡 2 /4至約3/8。第-凹日865可安署於 吕己憶卡800之第—側面+丄木 δ0)』女置於 之宫谇\τ 之中心部分處。第一凹口 865 、又w可等於第一凹槽863 Ο ❹ 之長声Ν ΰτ泛铱 <見度Gw2。弟一凹口 865 第;乂 '可—凹槽863之長度GL2之約1/8至約1/6。 言，
Gt。舉例而言，第―“可專於第一凹槽863之厚度 祀—料包含突起 864以及第二凹口 8 1/2。此外，第二凹槽 ^ 8Λ/1 了幵/成於第二側面864中。第-铜 面864以及第二凹口 _可對於穿過記 側 大致平行於第一側面845的虛 ‘二 、且 f -凹口，成為對稱。第 第-凹槽863間隔一預定距離。 。上與 ❹ί者^第一凹槽863以及第二凹槽864中之一者可 中。此外’第—凹槽863以及第二凹槽 第可自雜卡800之頂面州延伸至底面842。此外 弟一凹口 865以及第二凹口 ^ 1皇 _中。Μ 812 Μ ϋ $中者可形成於記憶卡 此/ ^ 设置於記憶卡_之頂面841上。 面842。 °隐卡8⑻之頂面841延伸至底 15 201140463 36748pif 圖20以及圖21說明記憶卡900。圖20為說明記憶卡 900之俯視透視圖，並且圖21為說明記憶卡9〇〇之仰視透 視圖。記憶卡900可具有類似於圖1至圖3中所說明之記 憶卡200之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形狀。記憶 卡900之互連端子938的位置可類似於圖1至圖3中所說 明之§己憶卡200之互連端子238。類似於圖4之記憶卡300 之突起312的突起912可安置於記憶卡9〇〇之頂面941上。 如同圖14以及圖15中所說明之記憶卡7〇〇之第一凹槽763 以及第二凹槽764，第一凹槽963以及第二凹槽964可形 成於§己憶卡900之兩個側面945以及946中。此外，類似 於圖6之§己憶卡400之斜面461的斜面961可設置於記憶 卡900之拐角處。或者，斜面961可類似於圖8之斜面461a。 圖22以及圖23說明記憶卡looo。圖22為說明記憶 卡1000之俯視透視圖，並且圖23為說明記憶卡1〇〇〇 (包 含底面1042)之仰視透視圖。記憶卡1〇〇〇可具有類似於 圖1至圖3中所說明之記憶卡2〇〇之薄平行六面體形狀的 薄平行六面體形狀。記憶卡1〇00之互連端子1〇38的位置 可類似於圖1至圖3中所說明之記憶卡2〇〇之互連端子 238。類似於圖4之記憶卡3〇〇之突起312的突起1012可 安置於記憶卡1000之頂面1041上。此外，類似於圖6之 記憶卡400之斜面461的斜面1061可設置於記憶卡1〇〇〇 之拐角處。如同圖14以及圖15中所說明之記憶卡7〇〇之 第一凹槽763，凹槽1063可形成於記憶卡1〇00之第一側 面1045中。如同圖11中所說明之記憶卡5〇〇之第二凹槽 16 201140463 36748pif 562,凹口 1066可形成於記憶卡1000之第二側面1046中。 圖24說明記憶卡11〇〇。圖24為說明記憶卡11〇〇的 仰視透視圖。記憶卡11〇〇可具有類似於圖丨至圖3中所說 明之記憶卡200之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形 狀。把憶卡11〇〇包含互連端子，並且互連端子ι138 中之一或多個互連端子1138a可長於其他端子ii38b。舉 例而言，互連端子1138a可為電源端子，其比其他端子 ❹ U38b長兩倍或兩倍以上。互連端子1138之面向背面1144 之末端可沿同一條線而配置，且電源端子1138a之另一末 端可比其他端子1138b之另一末端接近於正面1143。舉例 而言，互連端子1138a可為電源端子1138a。在另一實例 中，可设置多個互連端子1138a，並且互連端子H38a可 為電源端子。 圖25說明記憶卡1200。圖25為說明記憶卡12〇〇的 仰視透視圖。記憶卡1200可具有類似於圖丨至圖3中所說 明之記憶卡200之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形 狀。保護區域1242b可設置於記憶卡12〇〇之底面1242上 於正面1243與互連端子1238之間。保護區域1242b可由 不同於用於形成底面1242之另一區域1242a之材料的材料 形成。保護區域1242b可由相比於用於形成其他區域1242a 的材料在記憶卡1200與互連端子514〇b接觸時對電子機器 之互連％子（諸如，圖36之電子機器5100之互連端子 5140b)造成較少損壞的材料形成。保護區域1242b可具有 大致矩形的形狀。保護區域1242b之縱向方向可平行於第 17 201140463 36748pif 二方向14。保護區域1242b之長度pL可足夠大以覆蓋互 連端子1238之寬度Tw。舉例而言，保護區域1242b可自 接近於第一侧面1245之位置延伸至接近於第二側面1246 之位置。或者，保護區域1242b可自第一侧面丨245延伸至 第二側面1246。保護區域1242b之寬度Pw可大於各別互 連端子1238之長度。保護區域1242b可安置於對應於大小 類似於當前實施例之記憶卡1200的不同記憶卡之互連端 子（諸如’圖37之記憶卡5160之互連端子5162)的位置 處。舉例而言，不同記憶卡5160可為上述微型安全數位卡。 〇 在上述實例中，所述互連端子平行於第二方向14而 配置於接近於記憶卡之正面的記憶卡之底面上。然而，所 述互連端子可配置於接近於記針之冑面的記憶卡之底面 上。此外，所述互連端子可不平行於第二方向14。此外， 所述互連端子可配置於記憶卡之頂面上。 圖26為說明根據發明概念之另一實例實施例之記憶 卡1300的透視圖。圖26為說明記憶卡13〇〇的仰視透視 圖。記憶卡1300可具有類似於圖i至圖3中所說明之記，隐 (j 卡200之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形狀。記憶卡 1300包含多組互連端子1338。舉例而言，記憶卡 1300 可 包含兩組互連端子1338。舉例而言，對應於圖i至圖3中 所說明之記憶卡200之互連端子238的記憶卡13〇〇之互連 端子1338現將稱為第一組互連端子1338a，並且其他互連 端子1338將稱為第二組互連端子133%。 第、、且互連纟而子1338a之數目可不同於第二組互連端 18 201140463 36748pif 子1338b之數目。舉例而言，第一組互連端子1338&之數 目可為九個，並且第二組互連端子1338b之數目可為八 個。在此狀況下，第一組互連端子1338a可更包含專用於 I/O之插腳。專用於I/O之插腳可最接近於第一側面。或 者，第一組互連端子1338a之數目可等於第二組互連端子 1338b之數目。 第二組互連端子1338b安置於正面1343與第一組互 0 連端子n38a之間。舉例而言，安置第二組互連端子1338b 之區域可對應於安置大小類似於記憶卡13〇〇之不同記憶 卡之互連端子（諸如，圖37之記憶卡516〇之互連端子 5162)的區域。舉例而言，不同記憶卡516〇可為上述微型 女全數位卡。第二組互連端子1338b之數目可等於第一組 互連端子1338a之數目，並且第二組互連端子1338b可按 照與第一組互連端子H38a相同之間隔來配置。在此狀況 下’第二組互連端子1338b可分別與第一組互連端子1338a 對準，如圖26中所展示。或者，互連端子1438可交錯 〇 (Staggered)。舉例而言，記憶卡1400之第一組互連端子 1438a，與第二組互連端子143孙可交錯，如圖27中所展示。 第一組互連端子1338a以及第二組互連端子1338b可 用於不同電子機器。第一組互連端子1338a可插入至第一 電子機器之插口中以與第一電子機器電性連接，且第二組 互連端子1338b可插入至第二電子機器之插口中以二 電子機器電性連接。 〃 第一以及第二電子機器可用於不同目的。第一以及第 19 201140463 36748pif 二電子機ϋ中之每-者可包含可完全插人記憶卡之插口。 第一以及第二電子機器可與不同記憶卡一起使用，且 電子機器之插口處所設置之互連端子之數目、大小以及: 置可不同於第二電子機n之插口搞設置之互連端子之= 目、大小以及配置。 要文 圖28說明實例的第一電子機器2100以及實例的 電子機器2200。第-電子機器21〇〇可為諸如電腦、數: 相機、數位攝錄一體機、蜂巢式電話以及個人數位助理 (PDA)之裝置中的一者’並且第二電子機器22⑻可為所 述裝置中之另一者。或者，第一電子機器21〇〇以及第二電 子機器2200可為同一種類之電子機器。舉例而言，第一電 子機為2100以及第二電子機器2200可為蜂巢式電与。 第一電子機器2100以及第二電子機器22〇〇可包含具 有類似大小之插口 2120以及2220。互連端子214〇以^ 2240設置於插口 2120以及222〇處以與外部記憶卡（諸 如’圖26中所說明之記憶卡13〇〇)電性連接。舉例而言， 互連端子2140以及2240可設置於插口 2120以及222〇之 底面處。第一電子機器21〇〇之插口 2120之互連端子214〇 與插口 2120之入口 2122之間的距離短於第二電子機器 2200之插口 2220之互連端子2240與插口 2220之入口 2222 之間的距離。在此狀況下，若記憶卡1300 (參看圖26)插 入至第一電子機器21〇〇之插口 2120中，則第一組互連端 子1338a電性連接至第一電子機器21〇〇之互連端子 2140。此外’若記憶卡1300 (參看圖26)插入至第二電子 20 201140463 36748pif 機器2200之插口 2220中，則第二組互連端子1338b電性 連接至第二電子機器2200之互連端子2240。 圖29說明另一實例記憶卡1500。圖29為說明記憶卡 1500的仰視透視圖。記憶卡1500可具有類似於圖1至圖3 中所說明之記憶卡200之薄平行六面體形狀的薄平行六面 體形狀。s己憶卡1500包含多個互連端子1538a以及 1538b。舉例而言，記憶卡1500可包含第一組互連端子 1538a以及第二組互連端子1538b。記憶卡1500之第一組 互連端子1538a可安置於接近於記憶卡1500之背面1544 之底面1542的區域中。記憶卡1500之第二組互連端子 1538b可安置於接近於記憶卡15〇〇之正面1543之底面 1542的區域中。 圖30以及圖31說明記憶卡1600。圖30為說明記憶 卡1600之俯視透視圖，並且圖31為說明記憶卡16〇〇之仰 視透視圖。記憶卡1600可具有類似於圖1至圖3 _所說明 之記憶卡200之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形狀。 記憶卡1600包含多個互連端子1638a以及1638b。舉例而 言，記憶卡1600可包含第一組互連端子1638a以及第二組 互連端子1638b。第一組互連端子1638a可安置於記憶卡 1600之頂面1641上，並且第二組互連端子1638b可安置 於§己憶卡1600之底面1642上。舉例而言，第一組互連端 子1638a可安置於接近於記憶卡丨6〇〇之正面1643之頂面 1641的區域中’並且第二組互連端子1638b可安置於接近 於記憶卡1600之正面1643之底面1642的區域中。 21 201140463 36748pif 在圖26、圖27、圖29以及圖31之記憶卡uoomoo、 1500以及1600中，第一組互連端子1338a、1438a、1538a 以及1638a以及第一組互連端子1338b、1438b、1538b以 及1638b中的一組可以保護層來覆蓋。所述保護層可為阻 焊劑(solder resist)或其他材料。舉例而言，所述保護層可 為環氧化合物或環氧膠帶。 參看圖32，第一電子機器3100包含插口 3120，並且 互連纟而子3140设置於插口 3120之頂面上。第二電子機哭 3200包含插口 3220 ’並且互連端子3240設置於插口 3220 之底面上。記憶卡1600可與第一電子機器31〇〇以及第二 電子機器3200兩者一起使用。 在上述實例中，圖25、圖26、圖27、圖29以及圖 30中所說明之記憶卡可具有類似於圖1至圖3中所說明之 記憶卡之形狀的形狀。然而，記憶卡可具有類似於圖4、 圖6、圖8、圖11、圖13、圖14、圖18、圖20以及圖22 中所說明之記憶卡之形狀中的任一者的形狀。亦即，圖 25、圖26、圖27、圖29以及圖30中所說明之記憶卡可包 含突起 312 或 612、斜面 461 或 461a、凹口 562、562a、 865、866或1066、第一凹槽763或863以及第二凹槽764 或864中的·一者或多者。 圖33以及圖34說明記憶卡1700。圖33為說明記愧 卡Π00之俯視透視圖，並且圖34為說明記憶卡17〇〇之仰 視透視圖。記憶卡1700可具有類似於圖4以及圖5中所說 明之記憶卡300之薄平行六面體形狀的薄平行六面體形 22 201140463 36748pif 狀。然而，凸起部分1758以及凹陷部分1759安置於記憶 卡1700之弟一側面1746 (相對於第一側面1745 )上。凸 起部分1758可安置得接近於凹陷部分1759。凸起部分1758 可比凹陷部分1759更接近於正面1743。如圖所示，記憶 卡1700包含頂面1741以及突起1712。 圖35為說明另一實例記憶卡18〇〇的分解透視圖。在 上述實例中’已解釋記憶卡200至1700是按照藉由模製方 ❹法封入上面安裝有半導體晶片之電路板的方式來製造。然 而，代替此情形，記憶卡1800可藉由將上面安裴有半導體 晶片1834以及1836 (例如，控制器以及記憶體晶片）之 電路板1830插入於外殼1801中來製造。舉例而言，外殼 (case)1801包含上罩蓋1810以及下罩蓋182〇。上罩蓋181〇 面向電路板1830之頂面，並且下罩蓋182〇面向電路板 1830之底面。當上罩蓋1810以及下罩蓋182〇耦接時，一 谷納空間形成於上罩蓋1810以及下罩蓋1820内部，以使 得可谷納電路板1830。下罩蓋1820按照使得電路板183〇 〇 之互連端子1838可曝露於外殼1801之外部的方式而成 形。舉例而言，大小以及形狀對應於互連端子1838之開口 1822可形成於下罩蓋1820中於對應於電路板183〇之互連 端子1838之位置的位置處。 圖36為說明根據發明概念之實例實施例之電子機琴 5100的透視圖。電子機器5100可與外部記憶卡（諸如， 圖37中所說明之記憶卡5150或5160)電性連接以將諸如 相片Η料、語音資料、視訊資料或其他資訊的資料儲存於 23 201140463 36748pif 記憶卡515G或5160中，以及自記憶卡515〇或讀取 此類資料。舉例而言，電子機器遞可為電腦、數位相機、 數位攝錄-體機、蜂巢式電話或pDA。電子機器51〇〇包 含主體以及插口 5120。 插口 5120可設置於所述域之外部，以使得插口 512〇 可直接曝露於電子機器51〇〇之外部。插口 512〇之入口 5m可由設置於主體處之罩蓋（未圖示）封閉或開放。插 口 5120包含容納空間以收納記憶卡515〇或516〇。舉例而 言’所述容納空間可具有用以完全收納記憶卡515〇或516〇 的充分體積。 插口 5120包含多組互連端子514〇。舉例而言，插口 5120可包含第一組互連端子514〇a以及第二組互連端子 5140b。第一組互連端子5140a以及第二組互連端子514〇b 可與不同種類之記憶卡電性連接。舉例而言，第一組互連 端子5140a安置於適當位置，以使得當（第一）記憶卡515〇 插入至插口 5120之容納空間中時，第一組互連端子5M〇a 可電性連接至第一記憶卡5150之互連端子5152 ;第二組 互連端子5140b安置於適當位置，以使得當（第二）記憶 卡5160插入至插口 512〇之容納空間中時，第二組互連端 子5140b可電性連接至第二記憶卡516〇之互連端子 5162。第一記憶卡515〇之互連端子5152之數目、大小以 及配置不同於第二記憶卡5160之互連端子S162之數目、 大小以及配置。 舉例而言’第一組互連端子5140a以及第二組互連端 24 201140463 36748pif 子5140b設置於插口 5120之容納空間之底面上。第一組互 連端子5140a以及第二組互連端子5140b可配置於同一方 向上。弟一組互連端子5140a可比第二組互連端子5140b 接近於入口 5122。 圖37說明電子機器5100與記憶卡5150以及5160 — 起使用之實例。舉例而言，第二記憶卡5160可為上述微型 安全數位卡，並且第一記憶卡5150可為不同種類之記憶 Q 卡。第一記憶卡515〇可為現有記憶卡或新種類之記憶卡。 舉例而言’第一記憶卡515〇可為圖1、圖4、圖6、圖8、 圖11、圖13、圖14、圖18、圖20或圖22中所說明之記 憶卡。當記憶卡5150插入於所述容納空間中時，電子機器 5100之插口 5120之第一組互連端子5140a電性連接至第 一 δ己憶卡5150之互連端子5152。此外，當第二記憶卡5160 插入於所述容納空間中時，電子機器5100之插口 5120之 第一組互連端子5140b電性連接至第二記憶卡5160之互連 端子5162。第一記憶卡5150可大於第二記憶卡5160。選 ❹ 擇性地，第一記憶卡5150可與第二記憶卡5160為相同大 /J、〇 圖38說明包含多個互連端子524〇之另一電子機器 5200。電子機器5200類似於圖36之電子機器5100。然而， 第一組互連端子5240a安置於插口 5220之容納空間之頂面 上’並且第二組互連端子5240b安置於插口 5220之容納空 間之底面上。如圖38所示，插口 5220包含入口 5222。 圖41以及圖42說明可用於上述記憶卡中之實例三維 25 201140463 36748pif (3D)記憶體晶片。圖41以及圖42之記憶體晶片為韓國 專利申請公開案第2009-93770號以及第2007-96972號中 所揭露之記憶體裝置的實例，兩個公開案之全部内容以引 用方式併入本文中。上述實施例之記憶體晶片可為韓國專 利申請公開案第2009-93770號中所揭露之垂直類型之記 憶體裝置或韓國專利申請公開案第2007-96972號中所揭 露之非揮發性半導體記憶體裝置。 上述實例實施例之記憶卡可更包含保護器以保護半 導體晶片免受靜電放電（ESD)的影響。圖43為說明具備 保護器之記憶卡的示意圖。詳言之’圖43說明保護器280 包含於記憶卡200,中之狀況。除記憶卡200,包含保護器2 8〇 外，記憶卡200,與記憶卡200相同。應理解，記憶卡2〇〇, 可代替記憶卡200用於實例實施例中。此種保護器可包含 於其他實例實施例之記憶卡中。參看圖43 ’保護器280包 含接地端子28卜保護性圖案282以及開關裝置283。電路 板230可劃分為第一區域、第二區域以及第三區域。半導 體晶片232安裝於所述第一區域中，並且接地端子28ι安 置於所述第二區域中。保護性圖案282安置於所述第三區 域中以保護半導體晶片232。舉例而言，所述第—區域; 為電路板230之中心區域，所述第二區域可為所述中心區 域之一面，並且所述第三區域可為安置於所述第—區二二 圍除了所述第二區域外的區域。 S σ 接地端子281之末端連接至外部接地部分，並且 端子281之其他末端連接至保護性圖案282。接地'端子2= 26 201140463 36748pif 可直接地或經由導電圖案而連接至所述接地部分或接地端 子281。接地端子281之數目可為兩個，並且保護性圖案 282之兩末端可分別連接至接地端子281。雖然:說明兩個^ 地端子28卜但可改變接地端子281之數目。接地端子281 可由導電材料形成。所述導電材料可包含金屬或金屬化合 物。舉例而言，所料電材料可為銅或銅化合物。° 保護性圖案282形成於電路板23〇之第二區域中， Ο ο 且與半導體晶片232間隔一預定距離。保護性圖案28 接至接地端子281。在使用兩個接地端子281之狀況下， ，護性随：之兩末端可分別在関半導體晶片 %路形狀中連接至接地端子281。保護性圖案282可由導 電材料形成。所述導電材料可包含金屬或金屬化合物 例而言，所述導電材料可為銅或銅化合物。 開關裝置283串聯連接於接地端子281與 2之間。舉例而言，開關裝置283可 = 282上，如圖43中所展示。在另-實例中，開關【置2f3 可直接連接至接地端子281。在當前實施射，ρ= 283 283之數目可為兩個，並二间關裝置 詈接地^子分別經由開關裝 =83而連接至接地端子281之兩末端。雖然說明兩 ^置283 ’但可改變開難置283之數目。 近於接地端子-以最小化開： Ϊ 之間的距離。在此狀況下，當在諸 靜電放電狀之高壓狀態下產生火花時，高 速經由保護性圖案282而流動至接地端子281。開關2 27 201140463 36748pif ίΓ-可 =曾納二極體（Zenerdi〇de)、電感器以及可變電 阻益（變阻器）中之一者。 人J踅冤 上述實例實施例之記憶卡可更包含獅電源供 101 ’其用於在發生突然斷電事件時，穩定地執行突^ 電操作（諸如，資料備份操作）。圖4 = 供應器1601之實例々产丰办主门， ^3補助电源 1601句人笛^卡。參看圖輔助電源供應器 3 超級電容器6111、S二超級電容器6112、 路612(3、開M 6i3G、__ _以及控制電 第一超級電容器6111以及第二超級電容器6112 ^儲存向容量電荷之電源儲存裝置。當所述記憶卡通電或 按照正常狀態操作時’可對第—超級電容器6ΐιι以及第二 超級電^益6112充電。第一超級電容器6111以及第二超 、’及电今⑤6112巾所儲存之電荷可作為獅電源而供應至 内部電路61G2。第-超級電容器6111以及第二超級電容 器6112之電容可根據時間而減小。若第一超級電容器6ιιι 歸因於其電容之減小而無岐肖，财能會不良地進行所 述記憶卡之突_電_。在錄況下，第二超級電容器 6m可供應輔助電源，並且可正常地進行所述記憶卡之突 然斷電操作。 。可依序供應第-超級電容H 6111以及第二超級電容 器6112之輔助電源、。亦即，若第一超級電容器6111歸因 於降級(degradation)而無法使用，則使用第二超級電容器 6112。接地電路GND可連接至第二超㈣容H 6U2。接 28 201140463 36748pif 地包路GND用以在第-超級電容器6111得以使用時 二超級電容器6112放電。充電電路⑽用以對第-超級 電谷器61U以及第二超級電容器6ιΐ2充電。充電電路 關可包含内部電源供應器（未圖示）。在此狀況下，充 ，電路6m可藉由使用内部電源供應器而對第一超級電 谷器6111以及第二超級電容器6112充電。 Ο 〇 r 土闽或^ ’充電電路6120可藉由使用自外部電源供應器 (未圖示）供應之電源而對第—超級電容器6ln以及第二 超級電容器6112充電。充電電路_可經由充電路徑① 而將充電電流供應至第-超級電容器6111以及第二超級 電容器6112。關613G連接於第二超級電容器6m與充 電電路6120之間。開關613()可用以控制充電電流至第二 超級電容器6112之供應。亦即，當開關6130接通時，充 =流Γ應至第二超級電容器6112，並且當開關⑽斷 幵、冑電流未供應至第二超級電容器6112。此外，開 S二可用以控制第二超級電容器6112之放電。亦即， :開關6130接通，則自第二超級電容器6m供應放電電 關613G斷開’則並未自第二超級電容器_ 仏應放電電第-超級電容器6111以及第二超級電容哭 6112可經由放電路徑②而供應放電電流。 °。 電壓偵測器6140可偵測第一超級電容器6111以及 二電電壓或放f電壓。電壓偵測器 了猎由在第一超級電容器6111第二 仙充㈣放糾制N節點之來侧= 29 201140463 36748pif 放電電壓。 612〇控^路Μ%控制所述接地電路GND、充電電路 電容器I!】6Γ以及電壓制器6140。在使用第一超級 時，控制電路_控制所述接地電路_， 控：C級電容器6112放電。此外，控制電路_ 器611lt路/I20,以使得充電電流供應至第一超級電容 制門顧Mi 、一超級電容器6112。該控制電路6150可控 若第-—不使料二超級電容11 6112。舉例而言， 6150之#ti電合^ 61U之電容充足，則根據該控制電路 6112時，不必要地儲存於第二超級電容器 接龄々〜个了可根據該控制電路6150之控制而經由所述 Ϊ 1 D完全放電。該控制電路6150可根據接收自 带壓偵測器614〇之充電電壓或放電電壓來計算等效串聯 禮ESR°ESR^ N節點至第—超級電容器仙或第 二超ί電容器6112之電阻成分。當充電電流供應至第-超 級電容器6111時’ Ν節點之電卿因於ESR而於一預定 時間急劇地增加。可藉由使用充電電心以及 Vn來計算ESR。 卩‘，、占电堙 該控制電路6150可自電壓谓測器614〇接收充電或放 電電壓以計算第-超級電容器6111或第二超級電容器 6112之電容。舉例而言，控制電路615〇可自充電電流、 充電時間以及n節點電壓Vn來計算第—超級電容器6 之電容Cs卜控制電路615〇可包含内部計時器（未°圖示） 30 201140463 36748pif =計算充電時間。該控制電路6150可藉由使用ESR以及 第一超級電容器6111或第二超級電容器6112之 破 定開關6130接通之時間。 、上述實例實施例之記憶卡可更包含旁路襯墊(pad)。所 述旁路襯塾可電性連接至記憶體晶片。操作者可經由所述 旁路襯墊來測試記憶體晶片之電特性。圖45至圖47說明 包含旁路襯墊2040之實例記憶卡2000。圖45為記憶卡 ❸ 2000之仰視圖。圖46為說明在自記憶卡2〇〇〇卸除保護罩 2044時之記憶卡2〇〇〇的視圖，並且圖47為沿圖45之線 B-B'截取之剖視圖。 參看圖45至圖47,記憶卡2000可具有類似於圖i至 圖3中所說明之記憶卡2〇〇之薄平行六面體形狀的薄平行 六面體形狀。記憶卡2〇〇〇之互連端子2038的位置可類似 於圖1至圖3中所說明之記憶卡200之互連端子238。控 制器晶片2036以及記憶體晶片2034可按照使得控制器晶 片2036在水平方向上與記憶體晶片2034間隔開的方式而 〇 安裝於電路板2030上。或者，如同圖1至圖3中所說明之 記憶卡200的狀況’控制器晶片2036可安置於記憶體晶片 2034上。互連線2039可形成於電路板2030中，並且控制 器晶片2036以及記憶體晶片2034可經由互連線2039以及 導線2048而彼此連接。旁路襯墊2040設置於電路板2030 之底面上。旁路襯墊2040連接至自互連線2039延伸之旁 路線2042。若記憶卡2000異常地操作，則操作者可經由 旁路襯墊2040來測試記憶卡2000之功能以檢查記憶卡 31 201140463 36748pif 2000之錯誤。 此外，保護罩2044可敍却· ® 、丰成+认“ 】、，工5又置以使得旁路襯墊2040無 之㈣。倾罩綱錢旁路概塾 可按照絕緣層之形式加以設置。舉例而 麻而二2044可由阻焊劑形成。亦即，電路板2030之 Ϊ面^阻焊劑來塗佈，喊得所有旁路襯墊2_可經覆 二ί /要職記憶卡_，職作者可在藉由經㈣ „光來移除阻焊劑而曝露旁路襯塾2_後執行測 保護罩2044可為由絕緣材料形成之絕緣層，其可容 易精由選擇性_製程來移除。舉例而言，保護罩2〇44 :由基於環氧樹脂之聚合物形成。或者，倾罩麗可由 一種囊封(capsulation)材料形成。或者，保 〇44 絕緣勝帶形成。 圖48說明用於選擇性地使用記憶卡（諸如，圖％、 ，29、圖30以及圖31 _所說明之記憶卡）甲之兩組互連 %子中之，組的實例結構。目48為記憶卡之示意性仰視 圖。圖48之記憶卡具有類似於圖26中所說明之記憶卡 1300之結構的結構。在所述記憶卡中，藉由使用控制器晶 片2136之輸出信號Τχ或輸入信號Rx經由第一互連端子 2138a或第二互連端子2138b傳輸或接收自記憶體晶片接 收或待儲存於記憶體晶片中之資料。僅一個控制器晶片 =36可安裝於電路板213〇上。第一電容器襯墊2i7i以及 第二電容器襯墊2172可安置於控制器晶片2136與第一互 連端子2138a之間。 32 201140463 36748pif 弟一電谷器概塾2171經設置以用於控制器晶片2136 與第一互連端子2138a之間的電性連接。第一電容器襯墊 2171包含第一襯墊2171a以及第二襯墊2171b。第一襯墊 2171a以及第二襯塾2171b彼此間隔一預定距離並安置成 面對彼此。第一信號線2162以及第二信號線2163形成於 電路板2130上。控制器晶片2136以及第一襯墊2171a直 接經由弟一信號線2162而形成電性連接。第二襯塾2i7lb 以及第一互連端子2138a直接經由第二信號線2163而形成 電性連接。 弟一電各器襯墊2172經設置以用於控制器晶片2136 與第二互連端子2138b之間的電性連接。第二電容器襯墊 2172包含第三襯墊2172a以及第四襯墊2172b。第三襯墊 2172a以及第四襯墊2172b彼此間隔一預定距離並安置成 面對彼此。第三信號線2164以及第四信號線2165形成於 電路板2130上。第三信號線2164自第一信號線2162延伸 並且電性連接至第三襯墊2i72a。第四襯墊2172b以及第 Ο 二互連端子2138b直接經由第四信號線2165而電性連接。 、第一襯墊2171a經由電’容器2173而電性連接至第二 襯墊2171b’或第三襯墊2172a經由電容器2173而電性連 ，至第四襯墊2172b。電容器2173可為DC阻隔電容器。 右電容器2173連接於第一襯墊2171a與第二襯墊2171b 之間，則所述記憶卡可經由第一互連端子2138a而連接至 外邛電子機器。若電容器2173連接於第三襯墊2172a與第 四襯墊2172b之間，則所述記憶卡可經由第二互連端子 33 201140463 36748pif 2138b而連接至外部電子機器。 在實例實施例中，所述記憶卡可為以下各者或可結合 以下各者而加以使用：CompactFlash類型（例如，類型j 或 II )、SD 記憶卡、miniSD、microSD、TransFlash、
MultiMediaCard ( MMC )、MMCplus、RS-MMC、DV RS-MMC、MMCmobile、MMCmicro、記憶棒、記憶棒 pR〇、 記憶棒 Duo、記憶棒 PRO Duo、SmartMedia 卡、xD_Picture 卡、PC卡（例如，類型I、II或III)及/或USB隨身碟(Flash Drive)。 以上所揭露之標的物被認為是說明性且並非限制性 的’且隨附申請專利範圍意欲涵蓋屬於發明概念之真實精 神以及範圍内的所有此類修改、增強以及其他實施例。因 此’在法律所允許之最大範圍内，發明概念之範圍應由以 下申請專利範圍以及其等效物之最廣泛可准許的解釋來確 定，且不應由以上詳細描述加以限定或限制。 【圖式簡單說明】 圖1為說明根據發明概念之實例實施例之記憶卡的俯 視透視圖。 圖2為圖1中所說明之記憶卡的仰視透視圖。 圖3為沿圖1之線A-A’截取之剖視圖。 圖4為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的俯視透 視圖。 圖5為說明圖4之記憶卡的仰視透視圖。 圖6為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的俯視透 34 201140463 36748pif 視圖。 圖7為說明圖6之記憶卡的仰視透視圖。 圖8為說明圖記憶卡之另一實例實施例的俯視透 視圖。 圖9以及圖10為用於說明圖8之記憶卡之記憶體晶 片以及控制器晶片的前視圖以及俯視圖。 圖11為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的俯視 透視圖。 〇 圖12為說明圖11之記憶卡的仰視透視圖。 圖13為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的仰視 透視圖。 圖14為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的俯視 透視圖。 圖15為說明圖13之記憶卡的仰視透視圖。 圖16以及圖17為用於說明圖14之記憶卡之記憶體 晶片以及控制器晶片的前视圖以及俯視圖。 〇 ® 18為說明圖1之記憶卡之另-實例實施例的俯視 透視圖。 圖19為說明圖18之記憶卡的仰視透視圖。 圖20為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的俯視 透視圖。 圖21為說明圖2〇之記憶卡的仰視透視圖。 圖22為說明圖1之記憶卡之另一實例實施例的俯視 透視圖。 35 201140463 36748pif i 24 t明圖22之記憶卡的仰視透視圖。 透視圖。‘”關1之記憶卡之另—實例實施例的仰視 透视圖。為說日㈣1之記憶卡之另—實例實施例的仰視 遷視圖。為說明圖1之§己憶卡之另—實例實施例的仰視 遷說^。27為糊1 1之記憶卡之另—實例實施例的仰視 意性透視圖 圖1之記憶卡之另一實例實施例的仰視 例為可與’26之記憶卡—起使用的根據實例實施 子機器的示惫性诱視圖。 遷規=3G為說明811之記憶卡之另-實例實施例的俯視 圖31為說明圖30之記憶卡的仰視透視圖。 圖32為說明可與圖3G之記憶卡—起使用的根據實例 也例之電子機器的示意性透視圖。 _ 33為說明圖丨之記憶卡之另—實施例的 烫現_。 圖34為說明圖33之記憶卡的仰視透視圖。 35為說明81 1之記憶卡之另—實例實施例的分解 圖36為說明根據發明概念之實例實施例之電子機器 36 201140463 36748pif 的示意性透視圖。 圖37為可與圖36之電子機# 施例之記憶卡的透視圖。 ° 的根據實例實 圖38為說明圖36之電子& @ 意性透視圖。 电子機為之另一實例實施例的示 圖39為說明可與圖8之 實施例之電子機器的透視圖己隐卡一起使用的根據實例 圖40為說明可與圖14之印产丰如沾 〇實施例之電子機器的透視圖仏卡一起使用的根據實例 …說明可用於上述記憶卡中之根據實 例實施例之S己憶體晶片的視圖。 圖43為說明設有保護5|之轵舍 的示意圖。 蔓益之根據實例實施例之記憶卡 圖4 4為說明具備輔助電源供應器之記憶卡的示意圖。 圖45為說明根據實例實施例之包含旁路概塾之記憶 卡的仰視圖。 〇 圖46為說明在自記憶卡卸除保護罩時之圖45之記憶 卡的視圖。 圖47為沿圖45之線B-B，截取之剖視圖。 圖48為說明根據實例實施例之用於^擇性地使用記 憶卡之兩組互連端子中之一組的結構的視圖。 【主要元件符號說明】 12 :第一方向 14 :第二方向 37 201140463 36748pif 16 :第三方向 18 :虛線 200 :記憶卡 200':記憶卡 220 :模製部件 230 :電路板 232 :半導體晶片 234 :記憶體晶片 236 :控制器晶片 238 :互連端子 241 :頂面 242 :底面 243 :正面 244 :背面 245 :第一側面 246 :第二側面 280 :保護器 281 :接地端子 282 :保護性圖案 283 :開關裝置 300 :記憶卡 312 :突起 338 :互連端子 341 :頂面 201140463 36748pif 正面 背面 第一側面 第二側面 記憶卡 記憶卡 突起 Ο 模製部件 電路板 記憶體晶片 控制器晶片 互連端子 被動組件 頂面 底面 正面 第一側面 第二側面 斜面 :斜面 記憶卡 記憶卡 突起 互連端子 39 201140463 36748pif 541 ： 頂面 542 ： 底面 545 ： 第一侧面 546 ： 第二侧面 546': 第二側面 561 ： 斜面 562 ： 凹口 562a :凹口 700 ： 記憶卡 712 ： 突起 720 ： 模製部件 730 ： 電路板 734 ： 記憶體晶片 736 ： 控制晶片 738 ： 互連端子 739 ： 被動組件 741 : 頂面 742 ： 底面 743 ： 正面 744 ： 背面 745 ·· 第一側面 746 : 第二侧面 763 ： 第一凹槽 764 ： 第二凹槽 201140463 36748pif
800 ： 記憶卡 812 ： 突起 838 ： 互連端子 841 ： 頂面 842 ： 底面 843 ： 正面 845 ： 侧面 846 ： 側面 863 ： 第一凹槽 864 ： 第二凹槽 865 ： 第一凹口 866 ： 第二凹口 900 ： 記憶卡 912 ： 突起 938 ： 互連端子 941 ： 頂面 945 ： 側面 946 ： 側面 961 : 斜面 963 ： 第一凹槽 964 ： 第二凹槽 1000 :記憶卡 1012 :突起 1038 :互連端子 41 201140463 36748pif 1041 :頂面 1042 :底面 1045 :第一側面 1046 :第二側面 1061 :斜面 1063 :凹槽 1066 :凹口 1100 :記憶卡 1138 :互連端子 1138a :電源端子 1138b :其他端子 1143 :正面 1144 :背面 1200 :記憶卡 1238 :互連端子 1242 :底面 1242a :其他區域 1242b :保護區域 1243 :正面 1245 :第一側面 1246 ··第二側面 1300 :記憶卡 1338 :互連端子 1338a :第一組互連端子 42 201140463 36748pif 1338b :第二組互連端子 1343 :正面 1400 :記憶卡 1438 :互連端子 1438a :第一組互連端子 1438b :第二組互連端子 1500 :記憶卡 1538a :第一組互連端子 ® 1538b:第二組互連端子 1542 :底面 1543 :正面 1544 :背面 1600 :記憶卡 1638a :第一組互連端子 1638b :第二組互連端子 1641 :頂面 〇 1642 :底面 1643 :正面 1700 :記憶卡 1712 :突起 1741 :頂面 1743 :正面 1745 :第一側面 1746 :第二側面 43 201140463 36748pif 1758 :凸起部分 1759 :凹陷部分 1800 :記憶卡 1801 :外殼 1810 :上罩蓋 1820 :下罩蓋 1822 :開口 1830 :電路板 1834 :半導體晶片 1836 :半導體晶片 1838 :互連端子 2000 :記憶卡 2030 :電路板 2034 :記憶體晶片 2036 :控制器晶片 2038 :互連端子 2039 :互連線 2040 :旁路襯墊 2042 :旁路線 2044 :保護罩 2048 :導線 2100 :第一電子機器 2120 :插口 2122 :入口 44 201140463 36748pif 2130 :電路板 2136 :控制器晶片 2138a :第一互連端子 2138b :第二互連端子 2140 :互連端子 2162 :第一信號線 2163 :第二信號線 2164 :第三信號線 〇 2165:第四信號線 2171 :第一電容器襯墊 2171a :第一襯墊 2171b :第二襯墊 2172 :第二電容器襯墊 2172a :第三襯墊 2172b :第四襯墊 2173 :電容器 Q 2200:第二電子機器 2220 :插口 2222 :入口 2240 :互連端子 3100 :第一電子機器 3120 :插口 3140 :互連端子 3200 :第二電子機器 45 201140463 36748pif 3220 :插口 3240 :互連端子 5100 :電子機器 5120 :插口 5122 :入口 5140 :互連端子 5140a :第一組互連端子 5140b :第二組互連端子 5150 :記憶卡 5152 :互連端子 5160 ··記憶卡 5162 :互連端子 5200 :電子機器 5220 :插口 5222 :入口 5240 :互連端子 5240a :第一組互連端子 5240b :第二組互連端子 5300 :電子機器 5320 :插口 5360 :突起 5400 :電子機器 5420 :插口 5460 :突起 46 201140463 36748pif 6101 :辅助電源供應器 6102 :内部電路 6111 :第一超級電容器 6112 :第二超級電容器 6120 :充電電路 6130 :開關 6140 :電壓偵測器 6150 :控制電路 Rx :輸入信號 Tx :輸出信號
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