TW201139378A - Substituted pyridyl compound and organic electroluminescent element - Google Patents

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Norimasa Yokoyama
Shuichi Hayashi
Musubu Ichikawa
Takayuki Yamamoto
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Hodogaya Chemical Co Ltd
Univ Shinshu
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201139378 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種適用於作為適合各種顯示裝置之自發 光元件的有機電致發光元件之化合物及元件，詳細而言係 關於一種經取代β比咬基化合物及使用該化合物之有機電致 發光元件。 【先前技術】 由於有機電致發光元件為自發光性元件，故而與液晶元 件相比更明亮、可見性更優異，能夠清晰地顯示，因此進 行有活躍地研究。 1987年Eastman Kodak公司之C. W. Tang等人藉由開發將 各種功能分配至各材料之積層結構元件而使利用有機材料 之有機電致發光元件成為實用性者。具體而言，藉由將可 傳輸電子之螢光體與可傳輸電洞之有機物積層，並將兩者 之電荷注入至螢光體之層中使其發光，而以10 V以下之電 壓獲得1000 cd/m2以上之高亮度（例如參照專利文獻1及專 利文獻2) » 迄今為止，為了有機電致發光元件之實用化而進行很多 改良’將各種功能進一步細化，藉由於基板上依序設有陽 極、電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電 子注入層、陰極之電場發光元件而達成高效率與耐久性 (例如參照非專利文獻1)。 又，為進一步提昇發光效率而正在嘗試三重態激子之利 用’研究磷光發光體之利用（例如參照非專利文獻2)。 154419.doc 201139378 "層通吊可於稱為主體材料之電荷傳輸性化合物中推 雜營光體㈣光發光體而製成。如上述非專利文獻⑷所 記载，有機電致發光元件令之有機材料的選擇會對該元件 之效率及耐久性等各種特性造成較大影響。 於有機電致發光元件中，自兩電極注人之電荷於發光層 再次結合而獲得發光，但由於電洞之移動速度較電子之移 動速度快，故而電洞之一部分穿過發光層所導致之效率下 降成為問題。因此需要電子之移動速度較快之電子傳輸材 料。 作為代表性之發光材料的三（8_經基啥琳）紹（以下簡稱為
Alq3)通常亦用作電子傳輸材料，但不認為具有電洞阻播性 能。 於防止電洞之—部分穿過發光層，提昇發光層中之電荷 再-人結合之機率的對策中，有插入電洞阻擋層之方法。作 為電洞阻擋材料，迄今為止提出有三。坐衍生物（例如參照 專利文獻3)及2,9_二甲基_4,7·聯苯]，1〇-鄰二氮雜菲（以下 簡稱為BCP)、紹之混合配位子錯合物（BAlq)(例如參照非 專利文獻2)等。 例如，作為電洞阻擋性優異之電子傳輸材料，提出有 3_(4_聯苯基）·4-苯基-5-(4-第三丁基苯基）-1，2,4·三唾（以下 簡稱為TAZ)(例如參照專利文獻3)。 TAZ由於功函數較大為66 eV，電洞阻擋能力較高，故 而藉由真空蒸鑛或塗佈等所形成之螢光發光層或碟光發光 層可用作積層於陰極側之電子傳輸性電洞阻擋層，有助於 154419.doc 201139378 有機電致發光元件之高效率化（例如參照非專利文獻3)。 但是’電子傳輸性較低成為TAZ之嚴重問題，必需與電 子傳輸性更高之電子傳輸材料組合而製成有機電致發光元 件（例如參照非專利文獻4)。 又BCP亦功函數較大為6 7 eV，電洞阻擔能力較高， 但玻璃轉移點（Tgm低為83t ’因此缺乏薄膜之穩定性， 不認為作為電洞阻擋層會充分地發揮功能。因&，對於磷 光發光it件而言，料長壽命化化之對策，亦提出有使用 BAlq作為電洞阻擋層。該元件雖改善了長壽命化化，但由 於BAlq之功函數較小為5 8心&而電洞未有效地封閉於 發光層中’與使用BCP之元件相比，發現效率下降，不認 為充分。 任-材料均係膜穩定性不足或阻擋電洞之功能不充分。 為改善有機電致發光元件之元件特性，需要電子之注入、 傳輸性能與電洞阻擋能力優異，且薄膜狀態下之穩定性較 高的有機化合物。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻I:日本專利特開平8_48656號公報 專利文獻2:曰本專利第3194657號公報 專利文獻3:日本專利第2734341號公報 專利文獻4 :日本專利特開2〇〇4 284971號公報 非專利文獻 非專利文獻1 :應用物理學會第9次講習會預稿集55〜61 154419.doc 201139378 頁（2001) 非專利文獻2 :應用物理學會第9次講習會預稿集23〜31 頁（2001) 非專利文獻3 :第50次應用物理學關係聯合講演會28ρ· A·6講演預稿集1413頁（2003) 非專利文獻4·應用物理學會有機分子·生物電子學分 科會會刊11卷1號13〜19頁（2000) 非專利文獻5:應用物理學會有機分子.生物電子學分 科會第9次講習會23〜31頁（2001) 非專利文獻6 : J. 〇rg. Chem” 60, 7508(1995) 非專利文獻 7 : Synth. Commun.，11，513(1981) 【發明内容】 發明所欲解決之問題 。本發明之目的在於提供一種有機化合物，其作為高效 率、高耐久性之有機電致發光元件用材料，而具有電子之 主入、傳輸性能優異，具有電洞阻擋能力，且薄膜狀態下 疋〖生較间之優異特性，進而本發明之目的在於使用該 化合物，提供-#高效帛、高#久性之有機電致發光元 乍為適於本發明之有機化合物的物理特性，可列舉： ⑴電子之注人特性較佳、⑺電子之移動速度較快、⑺電 洞阻擋能力優異、⑷薄膜狀態穩定以及（5)耐熱性優異。 作為適於本發明之元件的物理特性，可列舉：（1)發光 效率車乂阿、(2)發光起始電壓較低以及⑺實用驅動電壓較 154419.doc 201139378 解決問題之技術手段 因此本發明者等人為達成上述目的，而著眼於電子親和 性之吡啶環之氮原子具有與金屬配位之能力、及耐熱性優 異之方面，設計並化學合成經取代吡啶基化合物，使用該 化合物嘗試製作各種有機電致發光元件，且潛心進行元件 之特性評價，結果達成本發明。 即，本發明提供一種通式⑴、⑺或（3)所示之經取代口比 咬基化合物；以及有機電致發光元件，其係具有一對電極 與夾於其間之至少-層有機層者，且上述至少—層有機& 含有通式⑴、⑺或（3)所示之經取代_基化合物， [化1]
(式中，R丨〜R丨2可相同，亦可 了不同，表示氫原子1斤子、 氟原子、氣原子、氰基、= 氘原子 ^ —氟甲基 '可具有取代基之碳原 子數卜6之直鏈狀或支鏈狀烷 炭原 * ^ L-, «· 、生取代或未經取代之关 香族烴基、經取代或未經取代之 ^之方 代戎去Μ抱成給人> € g J裒基·'或者經取
“取代之縮合多環芳香族基，卜^表示W 154419.doc 201139378 中之整數，此處，不使所有ji'kl及ml同時取同一值；於 一分子中存在複數個之Ri〜R9可分別相同亦可不同；Αι表 示經取代或未經取代之芳香族烴之3價基、經取代或未經 取代之芳香族雜環之3價基、經取代或未經取代之縮合多 環芳香族之3價基或下述通式（1-1)所示之3價基： [化 2] "
[化3]
(子式V:13〜R2°可相同，亦可不同’表示氫原子。1 碳原子赵w * -氟甲基、可具有取代| 之芳香族：某狀或支鏈狀院基、經取代或未經耳 基、經取代或未經取代之芳香 二:::代之縮合多環芳香族基一示 整數，此處，不使灿取同一值；於—分 154419.doc 201139378 複數個之Ri广尺丨8可分別相同，亦可 』j不同；A2表示經取代 或未經取代之芳香族烴之2價基、經取代或未經取代之芳 香族雜環之2價基、經取代或未經取代之縮合多環芳香族 之2價基、或單鍵）。 、 [化4]
(3) (式中，R21〜R36可㈣’亦可不同，表示氫原子 '氖原 =、說原子'氣原子'氰基、三氟曱基、可具有取代基之 碳原子數卜6之直鍵狀或支键狀烧基、經取代或未經取代 之方香族烴基、經取代或未經取代之料族雜環基、或者 經取代或未經取代之縮合多環芳香族基，j3、k3、m3w 表不i〜”之整數；此處，不使所有”…、咖同時 取同-值；於一分子中存在複數個之R2丨〜&可分別相同， :可不同；A3表示經取代或未經取代之芳香族烴 、、經取代或未經取代之芳香族雜環之4價基、或者經取 代或未經取代之縮合多環芳香族之4價基）。 作為通式⑴、⑺或(3)令之A丨、八2或〜所示之「經取代 或未經取代之料族烴」、「經取代或未經取代之芳香族雜 I54419.doc 201139378 或「經取代或未經取代 香族煙」、「芳香族雜環」或「縮合多=香族」中的「芳 言可列舉··苯、聯苯 壤方香族」，具體而 蒽、危、苐、菲、節滿四聯笨、笨乙稀、蔡、 。比喃，、噻吩、喹啉 $、嘧啶、三畊、呋喃、 哚啉、咔唑、苯并噚 南、本开噻吩、喟 王 本并噻唑、喹 〜 °比唾、二笨并。夫H并料、 4本并咪唾、 並且，通式⑴、⑺或（3)巾之Α、Α/ °#似°丫咬等。 ^ i ^ L 之AI八2或八3所示之「經取件 或未經取代之芳香族烴之2〜 丄取代 之若吞炷M胃 土」' 里取代或未經取代 之方香族雜環之2〜4價基」或「經 代 多環芳香族$ ? I 戈或未經取代之縮合 /香之吒基」表示與上述「芳香族煙」、「芳香 :雜環”戈「縮合多環芳香族」對應之2價、3價、4價 作為通式⑴、⑺或（3)中之Ai、A2U3所示之「經取代 之芳香族烴」、「經取代之芳香族雜環」或「經取代之縮合 多環芳香族」t的「取代基」，具體而言可列舉：氣: 子、氟原子、氯原子、氰基、三敗甲基、羥基、硝基、碳 原子數1〜6之直鏈狀或支鏈狀烷基、環戊基、環己基、碳 原子數1〜6之直鏈狀或支鏈狀烷氧基、經碳原子數丨〜6之直 鏈狀或支鏈狀烷基取代之二烷基胺基、苯基、蔡基、策 基、苐基、苯乙烯基、吡啶基、吡啶并吲哚基、喳啉基及 苯并噻唑基之類的基’該等取代基亦可進一步被取代。 作為通式（1)、（2)或（3)中之厌广尺36所示之「可具有取代 基之碳原子數1〜6之直鏈狀或支鏈狀烷基」，具體而言可列 -11- 154419.doc 201139378 舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第 二丁基、正戊基、異戊基、新戊基及正己基等。又，該等 基彼此亦可相互鍵結而形成環。 作為通式（1)、（2)或（3)中之Rl〜R36所示之「具有取代基 之碳原子數1〜6之直鏈狀或支鏈狀烷基」中的「取代基」， 具體而言可列舉：氘原子、氟原子、氣原子、氰基、三氟 甲基、硝基、碳原子數丨〜6之直鏈狀或支鏈狀烷基、環戊 基、環己基、碳原子數丨〜6之直鏈狀或支鏈狀烷氧基、經 碳原子數1〜6之直鏈狀或支鏈狀烷基取代之二烷基胺基、 苯基、聯苯基、聯三苯基、四聯苯基、苯乙烯基、萘基、 第基、菲基、茚基、芘基、吡啶基、聯吡啶基、三嗜基、 Μ基、㈣基、異料基、❹基、^定并㈣基、味 坐基、啥％淋基及》比唾基之類的基，該等取代基亦可進一 步被取代。 ,、I〜厂吓不,經取代或 經取代之芳香族烴基」、「經取代或未經取代之芳香族_ 基i或「經取代或未經取代之縮合多環芳香族基」中 「关悉故、kti使 「朴& 方香族雜環基」或「縮合多環芳香 作為通式（1)、（2)或（3)中 芳香族烴基 ，-，..厂-V 工、」A 3-夕艰 基」，具體而言可列舉：苯基、聯苯基、聯三苯基、 苯基二苯乙稀基、萘基、葱基、危基、第基、菲基 基、祐基、吼咬基、聯Μ基、三#基、。密。定基、 基、：喃酮基…塞吩基、㈣基、異啥琳基、笨并 土苯并嚷吩基、0引0朵基、0卡。坐基、笨并口号》坐基、笨 唾基、㈣琳基、笨并㈣基、㈣基、料并十朵 154419.doc •12· 201139378 二苯并Μ基、二苯并嗟吩基κ基、啡録及^丫咬基 之類的基。又’ S亥等基彼此亦可相互鍵結而形成環。 乍為通式（1) (2)或（3)中之R丨〜R36所示之「經取代之芳 香族經基」、「經取代之芳香族雜環基」或「經取代之縮合 多環芳香族基」中&「取代基」，具體而言可列舉：氣原 子、氟原子、氯原子、氰基、三氟曱基、硝基、碳原子數 1〜6之直鏈狀或支鏈狀烷基、環戊基、環己基、碳原子數 1〜6之直鏈狀或支鏈狀烷氧基、經碳原子數卜6之直鏈狀或 支鏈狀烧基取代之二烧基胺基、笨基、聯苯基'聯三苯 基、四聯苯基、苯乙烯基、萘基、第基、菲基、節基、祐 基、吡啶基、聯吡啶基、三畊基、嘧啶基、喹啉基、異喹 琳基、《基、㈣和㈣基、味録、啥料基及。比。坐 基之類的基，該等取代基亦可進一步被取代。 作為本發明之通式（1)中之n、kl&ml之組合，較佳為 (jl、kl、ml)=(2,2,3)或（3,3,2)。 作為本發明之通式（1)中之A〗，較佳為「未經取代之芳 香族烴之3價基」、「未經取代之芳香族雜環之3價基」或 「上述通式（1-1)所示之3價基」，尤佳為由苯、三畊或 2,4,6-三苯基吡啶衍生之3價基。 本發明之通式（1)、（2)或（3)所示之經取代吡啶基化合物 為新穎之化合物，由於較先前之電子傳輪材料，電子之移 動更快，具有優異之電洞阻擋能力，且具有變形之對稱 性，故而薄膜狀態尤其穩定。本發明之通式（1)、（2)或（3) 所示之經取H定基化合物由於可維持穩定之薄膜狀態， 154419.doc •13· 201139378 故而於用作有機電致發光 M . i，^ ^ 疋件（以下簡稱為有機EL·元件）之 構成材料之情形時，發揮 早發先效率提昇並且驅動電壓下降 之作用。 本發明之通式（1)、（2)^Γ 次（3)所不之經取代吡啶基化合物 可用作有機EL元件之電子、、拿χ η ,,,.丄 ，主入層及/或電子傳輸層的構成 材科。藉由使用與先前之材料 一 升相比電子之注入、移動速度 更尚之材料’而發揮自雷+禮&+ 傳輸層向發光層傳輸電子之效 率提昇，發光效率提昇，並 且驅動電壓下降，有機EL元件 之耐久性提昇之作用。 本發月之通式（1)、（2)或（3)所示之經取代吼咬基化合物 亦可用作有機EL元件之電洞阻擋層的構成材料。藉由使用 電洞阻擋能力優異，與先前之材料相比電子傳輸性更優 異，且薄膜狀態之穩定性較高之奸粗 心，权问之材枓，而發揮具有較高之 發光效率，同時驅動電壓下降， ^改善電仙耐性’有機EL元 件之最大發光亮度提昇之作用。 本發明之通式⑴、⑺或（3)所示之經取代吨咬基化合物 亦可用作有機EL元件之發光層的構成材料。藉由使用與先 前之材料電子相比傳輸性更優異，且帶隙較寬之本發明之 材料作為發光層的主體材料’擔載稱為摻雜劑之登光體或 填光發光體而用作發光層，而發揮可實現驅動電壓下降、 改善發光效率之有機EL元件之作用。 本發明之有機EL元件由於使用較先前之電子傳輸材料電 子之移動更快，具有優異之電洞阻擋能力，且薄膜狀態穩 定之經取代吡啶基化合物，故而可實現高效率、高耐久 154419.doc 201139378 性。 發明之效果 本發明之經取代吼啶基化合物由於電子之移動較快，具 有優異之電洞阻擋能力，薄膜狀態穩定，因此作為有機此 7L件之電子注入層、電子傳輸層 '電洞阻擋層或發光層之
構成材料有用。使用經取代吡啶基化合物而製作之有機EL 疋件，發光效率提昇且驅動電壓下降，可提昇耐久性。 【實施方式】 本發明之經取代吡啶基化合物為新穎之化合物，該等化 合物例如可藉由使硼酸或硼酸酯（例如參照非專利文獻6)與 各種齒化呢啶進行鈴木（Suzuki)偶合等交又偶合反應而合 成（例如參照非專利文獻7)，上述硼酸或硼酸酯係由各種芳 香族煙化合物、縮合多環芳香族化合物或芳香族雜環化合 物之齒化物與頻那醇硼烷或聯硼酸頻那醇酯之反應而合 成。又，亦可藉由對具有腈基之各種芳香族烴化合物、縮 «多％芳香族化合物或芳香族雜環化合物進行使 用氫化鈉 之一井％形成反應（例如參照專利文獻4)而合成三畊環相連 接之經取代吡啶基化合物。 將通式（1)、（2)或（3)所示之經取代β比咬基化合物中較佳 之化α物之具體例示於以Τ ’但本發明並不限定於該等化 合物。 154419.doc 15 201139378 [化5]
[化7] (化合物4) (化合物5)
(化合物6) 154419.doc •16· 201139378 [化8]
(化合物7) [化9]
(化合物8) [化 10]
F
(化合物9) 154419.doc -17· 201139378 [化 11]
(化合物10) [化 12]
(化合物11) [化 13]
154419.doc -18- 201139378 [化 14]
(化合物13) [化 15]
(化合物14) [化 16]
(化合物15) [化 17]
(化合物16) 154419.doc -19- 201139378 [化 18]
(化合物17) [化 19]
[化 20]
(化合物19) 154419.doc •20· 201139378 [化 21]
(化合物20) [化 22]
(化合物21) [化 23]
154419.doc •21 - 201139378 [化 24]
(化合物23) [化 25]
[化 26]
(化合物25) 154419.doc •22· 201139378 [化 27]
[化 28]
[化 29]
154419.doc -23· 201139378 [化 30]
[化 31]
[化 32]
(化合物31) 154419.doc • 24· 201139378 [化 33]
[化 34]
[化 35]
154419.doc •25- 201139378 [化 36]
[化 37]
[化 38]
154419.doc 26· 201139378 [化 39]
[化 40]
[化 41]
154419.doc •27- 201139378 [化 42]
[化 43]
(化合物42) [化 44]
154419.doc -28- 201139378 [化 45]
[化 46]
(化合物45) [化 47]
(化合物46) 154419.doc -29- 201139378 [化 48]
[化 50] (化合物47) (化合物48)
(化合物49) 154419.doc • 30 201139378 [化 51]
(化合物50) [化 52]
(化合物51) [化 53]
(化合物52) 154419.doc •31 · 201139378 [化 54]
(化合物53) [化 55]
(化合物54) (化合物55) 154419.doc -32- 201139378 [化 57]
[化 58]
[化 59]
154419.doc -33· 201139378 [化 60]
(化合物59) [化 61]
(化合物60) [化 62]
(化合物61) 154419.doc -34- 201139378 [化 63]
[化 64]
(化合物62) (化合物63) (化合物64) 154419.doc -35- 201139378 [化 66]
(化合物65) [化 67]
[化 68]
[化 69]
該等化合物之純化係藉由利用管柱層析法之純化，利用 矽膠、活性碳、活性白土等之吸附純化，利用溶劑之再結 154419.doc -36- 201139378 晶，或晶析法等而進行。化合物之鑑定係藉由nmr (Nuclear Magnetic Resonance，核磁共振）分析而進行。測 定熔點 '玻璃轉移點（Tg)與功函數作為物性值。熔點成為 蒸鍍性之指標，玻璃轉移點（Tg)成為薄膜狀態之穩定性之 指標’功函數成為電洞阻擋能力之指標。 熔點與玻璃轉移點（Tg)係使用粉體，藉由高靈敏度示差 掃描熱量計（精工電子公司製造，DsC62〇〇)而測定。 又，功函數係於ITO(Indium Tin 0xide，氧化銦錫）基板 上製作100 nm之薄膜’利用大氣中光電子分光裝置（理研 計器製造，AC-3型）而測定。 作為本發明之有機EL元件之結構，可列舉：於基板上依 序具有陽極、電洞傳輸層、發光層、電洞阻擋層、電子傳 輸層陰極者’另外於陽極與電洞傳輸層之間具有電洞注 入層者，於電子傳輸層與陰極之間具有電子注入層者，於 發光層與電洞傳輸層之間具有電子阻擋層者。該等多層結 構中’可省略若干有機層，例如亦可形成於基板上依序具 有陽極、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層 '陰極之構 成。 亦可為上述發光層、上述電洞傳輸層、上述電子傳輸層 分別積層有2層以上之結構。 本發明之有機EL元件之陽極係使用如ιτ〇或金屬之功函 數k大的電極材料。作為本發明之有機此元件之電洞注入 層’除使用醜菁銅所代表之外琳化合物以外，亦可使用星 爆型三苯基胺衍生物、分子中具有以單鍵或不含雜原子之 154419.doc •37· 201139378 2價基將3個以上三苯基胺結構連接而成之結構的芳基胺化 合物等三苯基胺三聚物及四聚物、或者如六氰氮雜苯并 [9,1 0]菲（Hexacyano azatriphenyiene)之受體性雜環化合物 或塗佈型高分子材料。該等材料除蒸鍍法以外亦可藉由 方疋轉塗佈法或噴墨法等公知之方法而形成薄膜。 本發明之有機EL元件之電洞傳輸層可使用N，N、二苯基_ N，N'-二（間曱苯基）_聯苯胺（以下簡稱為TPD)、N，N，·二苯 基-N，N’-二（α-萘基聯苯胺（以下簡稱為npd)、n，n，n,，n，_ 四聯苯基聯苯胺等聯苯胺衍生物、匕^雙[(二_4_曱苯基胺 基）苯基]環己烷（以下簡稱為TAPC)或各種三苯基胺三聚物 及四聚物等。該等可單獨成膜，亦可作為與其他材料一起 混合而成膜之單層使用，可形成單獨成膜之層彼此的積層 結構、混合成膜之層彼此的積層結構、或單獨成膜之層與 混合成膜之層的積層結構。又，作為電洞之注入、傳輸 層，可使用聚（3,4-二氧乙基噻吩）（以下簡稱為pED〇T)/聚 (苯乙烯磺酸鹽）（以下簡稱為PSS)等塗佈型高分子材料。該 等材料除蒸鍍法以外，亦可藉由旋轉塗佈法或喷墨法等公 知之方法而形成薄膜。 又，於電洞注入層或電洞傳輸層中，可使用對通常用於 該層之材料進而P型摻雜三溴苯基胺六氣銻等而成者、或 具有TPD結構作為其部分結構的高分子化合物等。 本發明之有機EL元件之電子阻擋層可使用4,4,，4，，-三（n_ 咔唑基）三苯基胺（以下簡稱為TCTA)、9 9_雙[4 (咔唑_9_ 基）笨基]第、1，3-雙专唑-9-基）苯（以下簡稱為爪⑺、2,2_ 154419.doc •38· 201139378 雙（4-咔唑-9-基苯基）金剛烷（以下簡稱為Ad-Cz)等咔唑衍生 物，或9-[4-(咔唑-9-基）苯基]-9-[4-(三苯基矽烷基）笨基]_ 9H-第所代表之具有三苯基矽烷基與三芳基胺結構之化合 物等具有電子阻擋作用的化合物。該等可單獨成膜，亦可 作為與其他材料一起混合而成膜之單層使用，可形成單獨 成膜之層彼此的積層結構、混合成膜之層彼此的積層結 構或單獨成膜之層與混合成膜之層的積層結構。該等材 料除蒸鍍法以外，亦可藉由旋轉塗佈法或喷墨法等公知之 方法，而形成薄膜。 本發明之有機EL元件之發光層除本發明之經取代。比啶基 化合物、以Alq3為代表之羥喹啉衍生物之金屬錯合物以 外，亦可使用各種金屬錯合物、蒽衍生物、雙苯乙烯基苯 何生物生物生物或聚對苯乙块衍生物等。 又，亦可利用主體材料與摻雜劑材料構成發光層，作為主 體材料，除發光材料以外，亦可使㈣„坐衍生物、苯并味 。坐街生物或聚二院基g衍生物等。又，作為穆雜劑材料， 可使用^丫㈣ '香豆素、紅螢婦、花及該等之衍生物、 苯并°比°南衍生物、若丹明衍生物、或胺基苯乙烤衍生物 等。該等可單獨成膜，亦可作為與其他材料一起混合而成 膜之單層使用，可形成單獨成膜之層彼此的積層結構、混 合成膜之層彼此的積層結構、或單獨成膜之層與混合成膜 之層的積層結構。 人， 154419.doc -39· 201139378 體。可使用Ir(ppy)3等綠色磷光發光體，FIrpic、FIr6等藍 色磷光發光體’及Btp2Ir(acac)等紅色磷光發光體等，作為 此時之主體材料，電洞注入、傳輸性主體材料可使用4,4·_ 二（Ν-咔唑基）聯苯（以下簡稱為CBp)或TCTA、mCP等味唑 衍生物等。電子傳輸性主體材料可使用對雙（三苯基矽烷 基）苯（以下簡稱為UGH2)或2,2，，2'|-(1，3,5-伸苯基）-三（i_苯 基-1H-苯并咪唑）（以下簡稱為TPBI)等。 為避免濃度淬減，碳光性發光材料向主體材料之摻雜較 佳為以相對於發光層整體為^30重量％之範圍，藉由共蒸 鐘而摻雜。 該等材料除蒸鍍法以外，亦可藉由旋轉塗佈法或喷墨法 等公知之方法形成薄膜。 本發明之有機E L元件之電洞阻擋層除本發明之經取代〇比 啶基化合物、2,9_二甲基-4,7-聯苯-U0-鄰二氮雜菲(以下 簡稱為BCP)等啡琳衍生物或等經喹琳衍生物之金屬 錯合物以外，亦可使用各種稀土類錯合物、呤唑衍生物、 ^唑衍生物或三畊衍生物等具有電洞阻擋作用之化合物。 "亥等材料亦可兼作電子傳輸層之材料。該等可單獨成膜， =可作為與其他材料―起混合而成膜之單層使用，可形成 早獨成膜，層彼此的積層結構、混合成膜之層彼此的積層 結構、或單獨成膜之層與混合成膜之層的積層結構。該等 材料除蒸錢法以外，亦可藉由旋轉塗佈法或喷墨法等公知 之方法形成薄膜》 本發明之有機EL元件之電子傳輸層除本發明之經取代啦 154419.doc 201139378 土化σ物UAlq3、BA1“代表之羥喹啉衍生物之金屬 錯合物以外，亦可使用各種金屬錯合物、三㈣生物、三 喷衍生物、^匈生物、生物、碳二酿亞胺衍 生物七了淋何生物、啡琳衍生物或石夕羅㈣⑷衍生物 等。該等可單獨成膜，亦可作為與其他材料一起混合而成 膜之單層使用，可形成單獨成膜之層彼此的積層結構、混 合成膜之層彼此的積層結構、或單獨成膜之層與混合成膜 之層的積層結構。該等材料除蒸鐘法以外，亦可藉由旋轉 塗佈法或噴墨法等公知之方法形成薄膜。 本發明之有機EL元件之電子注人層除本發明之經取代吼 咬基化合物以外，亦可使用氟㈣、氟化料鹼金層鹽， 氟化鎂等鹼土類金屬鹽’或氧化銘等金屬氧化物等，但於 電子傳輸層與陰極之較佳選擇中，可將其省略。 進而’於電子注人層或電子傳輸層中，可使用對通常用 於該層之材料進而N型摻雜鉋等金屬而成者。 本發明之有機ELtc件之陰極可使用紹之類的功函數較低 之電極材料’或鎂銀合金、鎂銦合金或鋁鎂合金之類的功 函數更低之合金作為電極材料。 以下，藉由實施例對本發明之實施形態進行具體之說 明，但本發明並不限定於以下實施例。 實施例1 〈W-雙（2,2’-聯吡啶-6-基）-5-(2,2，;6，，2，，-三聯吡啶-6-基）笨 (化合物13)之合成> 於、盈氮氣置換之反應容器中添加3,5_二溴苯基硼酸4 5 154419.doc •41 · 201139378 g、6-漠三聯吡啶5·〇 g、2 Μ碳酸鉀水溶液24.1 ml、四（三苯基膦）鈀（〇)〇 9 g、曱苯2〇〇 ml及乙醇5〇如， 一面攪拌一面加熱回流10小時。冷卻至室溫，添加水1〇〇 ml及甲笨1〇〇…進行分液，進而利用水1〇〇…清洗有機 層°利用無水硫酸鎂將有機層脫水後進行濃縮，藉此獲得 粗產物。利用管柱層析法（載體：NH矽膠，溶離液：曱笨/ 正己烷）將粗產物純化，獲得1,3-二溴-5-(2,2，;6，，2，，-三聯吡 啶-6-基）苯5.7 g(產率75%)之白色粉末。
將所得之1,3-二溴-5·(2,2';6，，2，'-三聯吡啶-6-基）苯8.〇 g、 聯硼酸頻那醇酯1〇_4 g、乙酸鉀m g、預先以分子篩4A 脫水之 1，4-二呤烷 240 ml 及 PdCl2(dppf)-CH2Cl2 〇_9 g 添加至 經氮氣置換之反應容器中並加熱，於8〇。〇下攪拌9小時。 冷卻至室溫後’將反應溶液加入水1500 ml中，授拌3〇分 鐘。藉由過濾收取沈澱物，利用甲醇清洗沈澱物，而獲得 粗產物。將粗產物溶解於曱苯200 ml中後，藉由過滤除去 不溶物，濃縮濾液並進行己烷晶析，藉此獲得丨，3_雙 (4,4,5,5-四曱基-[1，3,2]二氧雜硼烷-2-基）-5-(2,2';6，，2"-三 聯0比咬-6-基）苯7.8 g(產率81%)之黃白色粉體。 將所得之1，3-雙（4,4,5,5-四甲基-[1，3,2]二氧雜硼烷·2_ 基）-5-(2,2，；6'，2"-三聯吼啶·6·基）苯 7.5 g、6_漠_[22,]_聯吡 咬7.0 g ' 2 Μ之碳酸鉀水溶液20.1 m卜四（三笨基鱗）纪 (0)0.8 g、曱本120 ml及乙醇30 ml添加至經氮氣置換之反 應容器中’一面攪拌一面加熱回流24小時。冷卻至室溫， 添加水100 ml及甲笨1〇〇 mi進行分液，進而利用水1〇〇 w 154419.doc •42- 201139378 清洗有機層。利用無水硫酸鎂將有機層脫水後進行濃縮， 藉此獲得粗產物。利用管柱層析法（載體：NH矽膠，溶離 液：氯仿/正己烷）將粗產物純化，獲得丨，3_雙（2,2，_聯吡啶 -6-基）-5-(2,2';6’，2’'-三聯吡啶_6_基）苯（化合物13)5.9§(產率 71%)之白色粉末。 使用NMR鑑定所得之白色粉末之結構。將ih_NMr測定 結果示於圖1。 藉由1H-NMR(CDC13)檢測以下27個氫之訊號。 δ(ρριη)=9.03(2Η)、9.00(1H)、8.79(1H)、8.76(2H)、 8·73(3Η)、8.66(2H)、8.49(1H)、8·46(2Η)、7.96-8·03(7Η)、7·88(3Η)、7.35(3H)。 實施例2 <1，3-雙（2,2|;6’，2|'-三聯吡啶-6-基）-5-(2,2，-聯吡啶-6-基）笨 (化合物37)之合成> 進行與實施例1相同之操作，藉由3,5-二溴苯基硼酸與6-溴-2,2'-聯吡啶合成1,3-雙（4,4,5,5-四曱基-[1，3,2]二氧雜硼 烷-2-基）-5-(2,2'-聯吡啶-6-基）苯。將所得之1，3-雙（4,4,5,5-四曱基-[1，3,2]二氧雜硼烷-2-基）-5-(2,2’-聯吡啶-6-基）苯5.0 g、6-溴-[2,2’;6'，2"]-三聯吡啶7.1§、2 1^之碳酸鉀水溶液 15.5 m卜四（三苯基膦）鈀（〇)〇.6 g、甲苯40 ml及乙醇10 mi 添加至經氮氣置換之反應容器中，一面攪拌一面加熱回流 27小時。冷卻至室溫，添加水1〇〇 mi及曱苯1〇〇 ml進行分 液，進而利用水100 ml清洗有機層。利用無水硫酸鎂將有 機層脫水後進行濃縮，藉此獲得粗產物。利用管柱層析法 154419.doc •43· 201139378 (載體：NH矽膠，溶離液：曱苯）將粗產物純化，獲得1，3-雙（2,2';6'，2"-三聯吡啶-6-基）-5-(2,2’-聯吡啶-6-基）苯（化合 物37)2.0 g(產率28%)之白色粉末。 使用NMR鑑定所得之白色粉末之結構。將1H-NMR測定 結果示於圖2。 藉由1H-NMR(CDC13)檢測以下30個氫之訊號。 δ(ρρηι)=9·07(1Η)、9.05(2Η)、8·82(2Η)、8·79(1Η)、8·74(3Η)、 8.69(4Η) 、 8.51(2Η) 、 8.48(1Η) 、 7.99-8.06(8Η)、 7·90(3Η) ' 7.36(3Η) ° 實施例3 藉由高靈敏度示差掃描熱量計（精工電子公司製造， DSC6200)求出本發明之化合物的熔點與玻璃轉移點。
熔點 玻璃轉移點 本發明實施例1之化合物 226〇C 96〇C 本發明實施例2之化合物 235〇C 108°C 本發明之化合物具有80°C以上之玻璃轉移點。該情況顯 示本發明之化合物薄膜狀態穩定。又，本發明之化合物具 有200°C以上之熔點。該情況顯示本發明之化合物蒸鍍性 優異。 實施例4 使用本發明之化合物，於ITO基板上製作膜厚100 nm之 蒸鍍膜，藉由大氣中光電子分光裝置（理研計器製造，AC-3 型）測定功函數。 154419.doc •44· 201139378 功函數
本發明實施例1之化合物 6.33 eV
本發明實施例2之化合物 6.50 eV 如此，本發明之化合物具有大於NPD、TPD等通常之電 洞傳輸材料所具有之功函數5.4 eV之值，而具備較大之電 洞阻擋能力。 實施例5 有機EL元件如圖3所示，係於玻璃基板1上預先形成ITO 電極作為透明陽極2’並於透明陽極2上依序蒸鍍電洞傳輸 層3、發光層4、電洞阻擋層5、電子傳輸層6、電子注入層 7、陰極（鋁電極）8而製作。 具體而言’利用有機溶劑清洗成膜有膜厚15〇 nm之ITO 之玻璃基板1後’藉由UV(Ultraviolet，紫外線）臭氧處理清 洗表面。其後’將該附有IT0電極之玻璃基板安裝於真空 蒸鍍機内，減壓至0.001 pa以下。繼而，以覆蓋透明陽極2 之方式，以蒸鍍速度6 nm/min將NPD形成為膜厚50 nm， 作為電洞傳輸層3 ^於該電洞傳輸層3上，以蒸鍍速度6 nm/min將Alqs形成為膜厚3〇 nm，作為發光層4 ^於該發光 層4上’以蒸锻速度6 nm/min將本發明實施例1之化合物 (化合物13)形成為膜厚2〇 nm，作為電洞阻撐層5兼電子傳 輸層6。於該電洞阻擋層5兼電子傳輸層6上，以蒸鍍速度 0.6 nm/min將氟化鋰形成為膜厚〇.5 nm，作為電子注入層 7。最後’將铭蒸鍍為膜厚2〇〇 nm，形成陰極8。如此製作 之有機EL元件係保存於真空乾燥器中，於大氣中在常溫下 154419.doc •45- 201139378 進行特性測定。 將於使用本發明之實施例1之化合物（化合物13)製作的 有機EL元件中流通電流密度1 0 mA/cm2之電流時的發光特 性之測定結果彙總示於表1中。 實施例6 於實施例5中，將電洞阻擋層5兼電子傳輸層6之材料替 換為本發明實施例2之化合物（化合物37)，以與實施例5相 同之條件製作有機EL元件。於大氣中，在常溫下對製作之 有機EL元件進行特性測定。 將製作之有機EL元件中流通電流密度10 mA/cm2之電流 時的發光特性之測定結果彙總示於表1中。 [比較例1] 為進行比較，而將實施例5之電洞阻擋層5兼電子傳輸層 6之材料替換為Alq3作為電子傳輸層6，以與實施例5相同 之方法製作有機EL元件。將製作之有機EL元件中流通電 流密度1 〇 mA/cm2之電流時的發光特性之測定結果彙總示 於表1中。 [表1] 驅動電壓[V] (@ 10 mA/cm2) 亮度[cd/m2] (@ 10 mA/cm2) 發光效率 [cd/A] (@ 10 mA/cm2) 電力效率 [lm/W] (@ 10 mA/cm2) 實施例5 化合物13 3.91 303 3.03 2.43 實施例6 化合物37 3.80 294 2.94 2.41 比較例1 Alq3 4.95 297 2.97 1.88 154419.doc •46- 201139378 如表1所示，流通電流密度i 〇 mA/cm2之電流時的驅動電 壓相對於將Alq3用於電子傳輸層之情形時的4.95 V，於將 本發明之實施例1之化合物（化合物13 )用於電洞阻檔層5兼 電子傳輸層6之情形時’電壓下降為3.91 V，於將本發明 之實施例2之化合物（化合物37)用於電洞阻檔層5兼電子傳 輸層6之情形時，電壓下降為3 8〇 v ^又，流通電流密度 10 inA/cm2之電流時的亮度、發光效率顯示大致相等之 值。並且，電力效率相對於將Alq3用於電子傳輸層之情形 時的1 _ 88 lm/W ’於將本發明之實施例1之化合物（化合物 13)用於電洞阻擋層5兼電子傳輸層6之情形時，上升為2 43 lm/W ’於將本發明之實施例2之化合物（化合物37)用於電 洞阻擋層5兼電子傳輸層6之情形時，上升為2.41 lm/w。 如該等結果所明確，可知使用本發明之經取代吡啶基化 合物的有機EL元件與使用作為通常之電子傳輸材料而使用 的Alqs之元件相比，可達成電力效率之較大提昇及實用 驅動電壓之顯著下降。 由如此使用本發明之經取代吡啶基化合物的有機EL元件 之驅動電壓之顯著下降，可預測本發明之經取代吡啶基化 合物之電子移動速度大幅度快於作為通常之電子傳輸材料 的 Alq3。 又，參照特定之實施態樣對本發明進行了詳細說明，但 業者明白只要不偏離本發明之精神與範圍，則可進行各種 變更或修正。 本申請案係基於2010年2月25日提出申請之日本專利申 I54419.doc •47· 201139378 請案 2010-039565者 產業上之可利用性 其内容作為參 照而併入本文中 本發明之經取代°比。定基化合物由於電子之注人、傳輸性 能較佳，電靠擋能力亦優異，薄膜狀態穩定故而作為 有機EI^件用化合物較優異。藉由使用該化合物製作有機 ELtc件，可獲得較高之效率，並且可降低實用驅動電壓， 改善耐久性。例如，可應用於家用電器或照明用途中。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明貫施例1之化合物（化合物13 )之1 H-NMR譜 線圖。 圖2係本發明實施例2之化合物（化合物3 7)之1 H-NMR譜 線圖。 圖3係表示實施例5、實施例6及比較例1之EL元件構成之 圖。 【主要元件符號說明】 1 玻璃基板 2 透明陽極 3 電洞傳輸層 4 發光層 5 電洞阻擋層 6 電子傳輸層 7 電子注入層 8 陰極 154419.doc • 48 ·

Claims (1)

  1. 201139378 七、申請專利範圍· 其以下地通式（1)、（2)或（3) 1. 一種經取代°比啶基化合物 表示： [化1]
    (式中，R1〜R,2可相同，亦可不同，表示氫原子、氘原 子、氣原子、氯原子、氰基、三氟甲基、可具有取代基 之碳原子數1〜6之直鏈狀或支鏈狀院基、經取代或未經 取代…族烴基、經取代或未經取代之芳香族雜環 基、或者經取代或未經取代之縮合多環芳香族基，“、 Μ"1表示1〜4中之整數；此處，不使所有 同時取同—值；於-分子中存在複數個之Rl〜R9可分別 相同亦可不同；Al表示絲代或未經取代之料族煙之 ^賈基、經取代或未經取代之芳香族雜環之3價基、經取 =經取代之縮合多環芳香族之3價基或下述通 式（卜1)所示之3價基： 154419.doc 201139378 [化2]
    [化3] (1 一 1) 或氮原子
    (2) (式中’ Ru〜R2。可相同，亦可不同，表示氫原子、氘原 子氟原子、氣原子、氰基、三氟甲基、可具有取代基 之碳原子數1〜6之直鏈狀或支鏈狀烷基、經取代或未經 取代之芳香族烴基、經取代或未經取代之芳香族雜環 基、或者經取代或未經取代之縮合多環芳香族基，0及 k2表不3〜5之整數；此處，不使j2及k2取同一值；於一分 中存在複數個之Ri 3〜心8可分別相同，亦可不同；八^表 =紅取代或未經取代之芳香族烴之2價基、經取代或未 經取代之芳香族雜環之2價基、經取代或未經取代之縮 合多環芳香族之2價基、或單鍵） 154419.doc 201139378 [化4]
    R32’ Γ»3 (式中’ R21〜R36可相同，亦可不同，表示氫原子、氛肩 子、山氟原子、氣原子、氰基、三氣甲基、可具有取代遵 之碳原子數1〜6之直鏈狀或支鏈狀烷基、經取 取代之芳香族煙基、經取代或未經取代之芳香族㈣ 基、或者經取代或未經取代之縮合多環芳香族基…3、 U、爪3及113表示1〜4之整數；此處，不使所有j3、k3、 m3及n3同時取同一 一 ； 刀子中存在複數個之 R2〗~R32可分別相同，亦 + 个U , A3表不經取代或未經取 代之芳香族烴之4價基、經 禾經取代之芳香族雜 =基、或者經取代或未經取代之縮合多環芳香族 之4價基）。 2 如請求項I之經&l a社，丨 一 ，.取代吡啶基化合物，其以下述通式（1-2) 表示： 1544l9.doc 201139378 [化5] F
    (式中’ 相同’亦可不同’表示氫原 子、原子、氣原子、氰基、三氟曱基、可 之T原子數1〜6之直鏈狀或支鏈狀烷基、經取代 取代之芳香族烴基、經取代或未經取代 a 斗，土〜 心方香族雜環 、5 取代或未經取代之縮合多環芳香族基；於一 分子中存在複數個之R,〜R9可分別相同，亦可不同；Αι 表生取代或未經取代之芳香族烴之3價基、經取代或 未經取代之芳香族雜環之3價基、或者經取代或未經取 代之縮合多環芳香族之3價基）。 3. 如請求項1夕奴，t <立取代吡啶基化合物，其以下述通式（1-3) 表示： [化6]
    3) 154419.doc 201139378 (式中，R^R,2可相同，亦可不同，表示氫原子、氘原 子、氟原子、氯原子、氰基、三氣尹基、可具有取代基 之碳原子數1〜6之直鏈狀或支鏈狀烷基、經取代或未經 取代之芳香族烴基、經取代或未經取代之芳香族雜環 基、或者經取代或未經取代之縮合多環芳香族基；於一 刀子中存在複數個之R丨〜I可分別相同，亦可不同；A丨 表示經取代或未經取代之芳香族烴之3價基、經取代或 未經取代之料族雜環之3價基、或者經取代或未經取 代之縮合多環芳香族之3價基）。 4. 士 口s求項1之經取代0比咬基化合物，其以下述通式（卜4) 表示： [化7]
    (式中’ Rl〜R,2可㈣’亦可不同’表示氫原子、氣原 子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、可具有取代基 之碳原:數1〜6之直鏈狀或支鏈狀絲、經取代或未經 取代之芳香族烴基、錄# 4·、+ γ , ^ 、！取代或未經取代之芳香族雜環 154419.doc 201139378 基或者經取代或未經取代之縮合多環芳香族基，j i、 干2戍3之整數，此處，不使所有ji、kl及ml同 時取同一信·认 於一分子中存在複數個之R广R9可分別相 " 不同’ A丨表示經取代或未經取代之芳香族烴之 3價基、經取代或未經取代之芳香族雜環之3價基、或者 ， 絰取代或未經取代之縮合多環芳香族之3價基)。 , 5.如-月求項1之經取代。比咬基化合物，其以下述通式（卜5) 表示： [化8]
    (式中’ R丨〜r12可相@，亦可不同，表示氫原子、氘原 子氟原子、氣原子、氛基、三敗甲基、可具有取代基 %原子數1 6之直键狀或支鏈狀烧基、經取代或未經 取代之芳香族煙基、經取代或未經取代之芳香族雜環 基、或者經取代或未經取代之縮合多環芳香族基，^、 klAml為2或3之整數；此處，不使所有ji、u&ml同時 取同一值；於一分子中存在複數個之Ri〜反9可分別相 154419.doc 201139378 同，亦可不同）。 6.如請求項1之經取代吡啶基化合物，其以下述通式（1-6) 不 I [化9]
    (式中，R^R】2可相同，亦可不同，表示氫原子、氘原 子、氟原子、氣原子、氰基、三氟甲基、可具有取代基 之碳原子數1〜6之直鏈狀或支鏈狀烷基、經取代或未經 取代之芳香族烴基、經取代或未經取代之芳香族雜環 基、或者經取代或未經取代之縮合多環芳香族基，D、 kl及ml表不2或3之整數；此處，不使所有^、^及⑴同 時取同-值，於—分子中存在複數個之R广&可分別相 同，亦可不同）。 7. 種有機電致發光元件，其係具有一對電極與夹於其間 之至/層有機層者，且上述至少一層有機層包含上述 通式⑴' (2)或（3)所示之經取代《比咬基化合物。 8. 如請求項7之有機電致發光元件，纟中上述至少一層有 154419.doc 201139378 9. 10. 如请求項7之有機電致發光元件，其中上述 機層包含電洞阻擋層’且上述通式⑴、⑺或⑺所示 化合物存在於該電洞阻擋層中。 不之 如請求項7之有機電致發光元件，纟中上述至少一 機層包含發光層，且上述通式⑴、⑺或⑺所示之^合 物存在於該發光層中。 口 少一 層有 11. 如請求項7之有機電致發光元件，其_上述至少—層有 機層包含電子注人層，且上述通式⑴、⑺或（3)所示之 化合物存在於該電子注入層中。 I54419.doc
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