201135980 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一基板形成有環繞壁之發光二極體元件及其製造方法， 尤其疋-種可輕易製作環繞壁且使出光均勻的發光二極體元件及其製造方 法。 【先前技術】 目前發光二極體(LED)已相當普及，LED組件不僅體積小、反應時間 快、使用奇命長、亮度不易衰減、且耐震動，因此LED組件漸漸取代包括 籲顯示器背光光源、照相機閃光燈、交通號諸、車頭及車尾燈，甚至逐漸有 取代照明燈泡的趨勢。 一般太陽光所提供的白光，在光譜分佈上相當廣泛，且各種波長的成分 均具備。但是對於人舰覺而言，真正可以被視覺神喊測的色光，依照 其光波長主要區分為波長約為622 nm〜780 nm的紅光、波長約為492 nm 577 nm的綠光、及波長約為455 nm〜492 nm的藍光，只要三種色光兼 備’且彼此以-個預定的比例組合，就會被認定為白光。故為提供人類視 覺上所認知的白光光源，可以採取紅、綠、藍三色的咖晶粒光源組合； • 但是更簡單的方式’則是如圖1所示，將藍光LED晶粒1設置在基板4上， 經由焊墊41供電使其發出短波長的藍光，再於LED晶粒1發光處塗上一 層混有發出黃色螢光的螢光層2，或者是同時混入可發紅光的榮光材料與據 光的螢光材料，LED晶粒1所發的藍光因而被螢光層2部分吸收，並受到 激發而從螢光層2射出與藍光互獅黃光，並與LED晶粒丨發出且未被吸 收而透射出的藍光混合，便可欺編人類視覺而混合出肉眼所認定的白光。 但在習知技術的製造過程中，由於螢光層2是以膠狀被傾倒在焊接於 基板4的LED晶粒1之上，並且任其凝結固著，一旦當分佈於led晶粒1 上的螢光層2厚度不均而形成如圖上標號所示的較薄區域21及較厚區域 201135980 22 ’故當LED晶粒丨發光時’較薄區域U因騎光材f較少，透射出的 藍光較多’受激發射出的黃色螢光較少，使得射出顏色傭；相反地，較 厚區域22所吸收藍光與所放射出的黃色螢光較多，使得該區域所發黃光比 例較高’使螢光層厚度不同之區域的色光分佈不均。 為解決螢光層厚度分佈不均的問題，已有業者提出如圖2所示之結構， 在陶竟基板3’上-體化地燒結形成一個杯狀部，杯狀部中自然形成向内凹 陷的容置空間；LED晶粒i，則是以覆晶方式成形於一個基板上，並且將基 板與lED晶粒卜同放置於-賴具巾，從而將含有螢光粉轉均句成ς • 在晶粒Γ的外表面上’使得將來成形的覆晶LED單體1〇,具有完整包 覆LED晶粒1’的平坦螢光層2’。 另方面’由賊形LED晶粒的過程，通常是在_圓上同時規劃成 形例如兩萬顆LED晶粒，最後再將佈局好電路的晶圓分離為眾多的晶粒， 因此在分離的過程中，往往會有一定比例的晶粒，其邊界並非完全筆直， 而疋有部分凹凸的部分存在。而上述習知技術在將晶粒覆晶固定於基板上 後’需要將LED晶粒1，反向置入模具中，藉以成形包覆該LED晶粒i，的 螢光層2’，此時，一旦LED晶粒邊界有所突出，將造成製作上的困難，無 φ 謂降低產品良率而提昇製造成本。 再者，亦有業者提出在陶瓷基板上貼附一個預先成形的杯狀環繞壁， 並供LED晶粒及螢光層設置其中的解決方案，但一方面，以機械設備貼附 的精度有限，誤差常可達數十至數百微米；另方面，貼附效果並非相當牢 罪。故經由此種製程製造出之產品，品質並非絕佳，產品定位因而較低。 因此’如何促進螢光層的平坦與均勻，且同時提高產品良率並便於因 應後端客戶需求而改變產品尺寸、提供製造上的彈性，將是提昇產品市場 競爭力的重要思維方向。 【發明内容】 本發明之一目的在提供一種使LED晶粒外表之螢光層均勻平坦、使 201135980 LED元件各不同位置所發之光的波長分佈均勻之發光二極體元件。 本發明之另一目的在提供一種具有易於改變規劃尺寸之環繞壁、故可 因應客戶需求而提供多樣產品之發光二極體元件。 本發明之又一目的在提供一種具有環繞壁，使得LED晶粒置入時不受 晶粒邊界不整齊所限制的發光二極體元件。 本發明之再一目的在提供一種製造可發出均勻光譜的發光二極體元件 製造方法。 本發明之又另-目的在提供次製造良軸高發光二極體元件的 製造方法。 依照本發明揭露的發光二極體元件製造方法，包含下列步驟：b)在一個 基板表面設置至少-對雜料，及在該紐表面龍該至少—對致能焊 墊設置形成至少-個與該基板共同形成至少一個容置空間的環繞壁；c)將至 少-個具有二電極之發光二極體晶粒，以該二電極分別電氣連接至該至少 -對致能·之方式安裝至該至少—個容置空間中之該基板上;$將含有榮 光材質之液態膠體注人該至少—個容置空間至覆蓋該至少―個發光二極體 晶粒；e)待職態賴覆蓋該至少—個發光二極體晶㈣厚度均勻時使其固 化；及0設置-個具有-個預定形狀之模穴的模具於該基板上，並注入一 透明材質，以職-师合該歡形狀之缝，完絲魏至少一個發光 二極體晶粒、該至少-個環繞壁、及化後之含錢光材狀膠體。 若欲批次製造上述發光二極體元件，則製造方法包含下列步驟：^將一 片基材預_賴數彼此連結、且各連結_成有__悔神之複數基 板；b)在每_上祕板表面設置至少—賊鱗塾，及在轉基絲面對應 該至少-對絲設歧少—健轉基板朗形成至少—個容置 空間的環繞壁；e)將複數個具有二電極之發光二極體晶粒，分別以該二電極 201135980 分別電氣連接至該等基板上該至少一對致能焊墊之方式安裝至該等基板之 該至少-個容置空間中的該等基板上;#將含有魏材質之雜膠體注入該 等基板的該至少一個容置空間至覆蓋該等發光二極體晶粒；e)待該液態膠體 覆蓋該等發光二極體晶粒達厚度均勻時使其固化；f)設置一組具有複數個分 別對應該等基板之預定形狀模穴的模具於該基材上，並注入一透明材質， 以形成複數個符合該等模穴預定形狀之封裝，完整覆蓋該等發光二極體晶 粒、該等環繞壁、及該等固化後之含有螢光材質之膠體；及g)由該等脆弱 部分離該等基板’成形複數發光二極體元件。 • 或者亦可採取下列步驟:b)將一片可供分割為複數基板的基材預區分為 複數基板，並在每一上述基板表面設置至少一對致能焊墊，及在該等基板 表面對應該至少一對致能焊墊設置形成至少一個與該等基板共同形成至少 個谷置空_環繞壁；e)將複數個具有二電極之發光二極體晶粒，分別以 該二電極分別電氣連接至該等基板上該至少一對致能焊墊之方式安裝至該 等基板之该至少一個容置空間中的該等基板上;d)將含有螢光材質之液態膠 體注入該等基板_至少—個容置空覆蓋鱗發光三極體晶粒⑷待該 液態膠體覆蓋該等發光二極體晶粒達厚度均勻時使其@化；f)設置一組具有 _ 複數個分別對應該等基板之預定形狀模穴的模具於該基材上，並注入一透 明材質’鄉紐數個符合該等模穴默雜之封裝，完整覆蓋該等發光 -極體晶粒、該等環繞壁、及該等固化後之含有營光材質之膠體；及齡 離該等基板’成形複數發光二極體元件。 經由上述揭露，本案中的基板形成有環繞壁之發光二極體元件包含： 片形成有至少-對致能焊墊之基板’該基板形成該對致能焊塾側面設置 形成至少-個與該基板共同形成至少—個容置空間的環繞壁；至少一個設 置於4基板上、且位於該容置空間中之發光二極體晶粒，該發光二極體晶 粒具有兩個分別電氣連接該二致麟墊m明勻厚度覆蓋該發 光一極體晶粒之螢光材質膠體；及一層具有一個預定形狀且完整覆蓋該至 201135980 少一個發光二極體晶粒、該至少一個環繞壁、及螢光材質膠體之透光層。 由於本案所揭露之基板形成有環繞壁之發光二極體元件及其製造方 法，製作時，會於基板或致能焊墊上形成一個環繞壁，從而形成一個環繞 封閉的容置空間，本案的環繞壁不僅可以依個別需求而改變設置形成的位 置及數置使诗依照本案製造產品具有相當彈性。另方面，由於環繞壁與 LED 粒間會留下供led晶粒置入的間距，使得LED晶粒邊界的些許突 出不會影響產品成形’藉以降低不良比例，提昇產品良率而降低成本。尤 其因為含有螢光材質的液態膠體被填充於環繞壁内，可待其厚度均勻而使 • 其固化，故所製造而成的LED元件在LED晶粒表面所成形的螢光層相當均 勻而理想，從而確保LED元件在不同位置的發光，具有均勻的光譜配置， 達成上述所有之目的。 【實施方式】 有關本發明之前述及其他技術内容、特點與功效，在以下配合參考圖 式之較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。 圖3所示為本案第一較佳實施例之流程圖，如圖4所示，係在步驟101 將一片基材6預切割成複數彼此連結的複數基板5，使得各基板5連結間分 φ 別形成有一個如圖5所示的脆弱部52 ;再於步驟102在各基板5表面同時 濺鍍形成一對彼此間隔一段距離的致能焊墊51，在本例中，各基板5上的 兩致能焊墊51均係由銅所構成，並分別沿圖式水平方向與相鄰基板5的致 能焊墊51相連，並跨越上述脆弱部52。 步驟103如圖5所示’先於致能焊墊51壓印一第一層乾式光阻膜541， 並於步驟104將一層光罩50覆蓋於該光阻膜541上進行曝光，使該光阻膜 541裸露部分被固化，形成一個預定的環繞壁形狀；隨後於步驟1〇5如圖6 所示使用顯影劑(TMAH; Tetra methyl ammonium hydr〇xide)將未被固化的光 阻膜541洗掉進行顯影，由於目前光阻膜的厚度約乃μιη，若壓印的第一層 201135980 光阻膜541未達預定厘谇蛀 層光阻_上，择域步驟1〇6再如圖7所示，於已經顯影的第一 影，直财喊P第二層光阻膜542，並如圖8重複上述曝光與顯 ㈣,且層達成例如2難250㈣的預定厚度為止，而此時所 ^細味阻疊層54 ’即構成傾9關H)所稀環繞壁53。
讀j &縣本技術領域者所驗易理解，本實關中所指的乾式光 、、¥侷限’亦可選擇铜濕式光阻膜，關如旋雜佈或印刷等的方 式成形並隨後曝光觸影，亦可製成_結構。尤其，此種以乾、满式光 阻膜曝光顯影疊層所製成的環繞壁，技基板成形後才設置形成於基板 相較之下，既有技術是在基板上同步成形杯狀部並進行燒結，不僅需 針十不同尺寸刀別準備特定的不同模具，使得尺寸與形狀的彈性極度受 限更因為燒結過程中不免猶有受熱膨脹不均勻處，因此產品之精度必然 受到舰：姆地’本案以絲方式獻彡，精度尺寸相當符合預期，誤差 可限制在10 μηι以下，且以後製過程在例如陶竟基板上成形環繞壁，可以 提供絕佳之製造彈性，完全配合市場需求。此外，本例巾所指每一層光阻 成形後逐-曝光麟亦非闕，亦可將較厚之單層或疊置之多層光阻單次 曝光顯影而一次成形該環繞壁。 後，於步驟107將LED晶粒7如圖10所示，安裝至容置空間中的 致能焊墊51上，本例中之LED晶粒7的二電極端中，其一是形成在LED 晶粒7的底部而接觸致能焊墊51，另一電極則形成在LED晶粒7發光面的 導電端部72，由導線71電氣連接至另一致能焊墊51 ;再於步驟1〇8 一併 參考如圖11所示，將含有螢光材質之液態膠體的螢光材質膠體8注入環繞 壁53内之容置空間中，直到完全覆蓋住LH)晶粒7且充滿環繞壁幻内； 如上述，由於依照本發明所製成的環繞壁53精度絕佳，使其尺寸可以設計 得僅略大於LK3晶粒7，因此注入的螢光材質膠體不必太多，更可藉由環 繞壁53的頂面作為標準，將突出的螢光材質膠體去除，使得螢光層相當平 坦而厚度均勻，充分解決習知技術的難點。 201135980 步驟109待螢光材質勝體8厚度均勻時，使其固化；此時，於步驟u〇 進行封裝作業，如圖11所示，將尚未被分離的諸多基板5所構成的完整基 材共同置入一個模具90中，模具90内形成有複數分別對應各基板5的預 定形狀模穴’並向模穴中注入透明材質樹脂，經過一定時間後將模具9〇卸 除，即會在各基板5上形成一個預定形狀之封裝的透光層9，並完整覆蓋住 LED晶粒7、環繞壁53、及固化後的螢光材質膠體8 ;最後再於步驟⑴ 以例如敲擊方式，令基板5與基板5由脆弱部52處斷裂分離，製成如圖12 所不具有環繞壁之發光二極體元件。當然，如熟悉本技術領域者所能輕易 • 理解，若需製造側邊電極，亦可在此時將發光二極體元件先以條狀分離， 並使各側邊暴露，疊置後進行例如濺鍍，再將整條元件逐個分離，並隨後 滾鑛而完成側邊電極。 另方面，批次製造發光二極體元件的流程中，未必需於流程開始時先 排入預切割而成形脆弱部的步驟，且環繞壁亦未必侷限於光阻膜材質，本 案第二較佳實施例之製造流程如圖13所示，為便於說明起見，如圖14所 示’在此將整片基材6’依照未來將切割的虛線標示處，標定成複數基板5,， 當然，在實際製程中並無圖式中之虛線存在；步驟2〇1時，於各基板5，表 • 面濺鍍包括一對分開一預定距離的致能焊墊51，，以及介於該對致能焊墊 51’中的種子層531，，在本例中’上述濺鍍材料係以銅為例；再於步驟2〇2 在種子層531，上電鍍-層增厚層532’ ’使得種子層531，位置形成一個環繞 封閉空間的環繞壁53,。 一併參考圖15所示，步驟203時，將LED晶粒7,安裝至環繞壁53, 内之晶粒安裝焊墊513,上’由於本例中之LED晶粒7,的兩個電極均位於發 光面側，因此將二電極分別以導線71，電氣連接至上述兩個致能谭塾51，： 並於步驟204將含有螢光材質膠體8,注入環繞壁53，内之容置空間中，直到 略超過喊壁53,的高度’並完全覆蓋住LED晶粒Γ，再將多餘的營光材 質勝體8’到除，使該登光材質膠體8,表面呈水平且厚度均勾；雜盆固化 9 201135980 1進行步驟205的封裝作業，待完成透光層9’後，則財驟2⑽例如雷 射切割而將基板5,與基板5’分離，最後在步驟2〇7將整片基材沿圖Μ的上 下方向切赋數排，並堆疊成如圖16所示，秘多層堆疊的成條基板5, 側面濺鍍側邊電極的種子層531，，使其與縣位於頂面的致能焊塾Μ，導 接’完成後再於步驟208將各條的複數基板5，逐一分離成顆粒，而在步驟 209進行滾鍍，就此形成如_ 17所示具有端電極的ud元件。 、由於本例中的環繞壁是以賤鍍及電鍍增厚的方式以金屬材料成形，故 必須限制其與焊墊_可鱗，但熟於本技術領域者可喃㈣解，若要 • 進行良好屏蔽’亦可將諸多金屬環繞壁導接至電路板上之共同接地位置， 即可對位於其中的LED元件構成更好的保護，尤其金屬材質的環繞壁，經 過表面處裡後更可增加反射效能。 本案第三較佳實施例如圖18所示，係透過穿孔％，，的方式將[ED元件 基板5”正面的致能燁墊如”、犯”，導接至基板5，，背面的表面安裝電極位 置，由於致能焊塾511”並未與環繞壁53”接觸，即使環繞壁53”為金屬製成， 仍可導接致此焊塾M2無礙，LED晶粒7”表面的電極則同樣靠導線^，，而 跨越環繞壁53”導接至致能焊墊51〗，，上。 • 當然’如熟悉本技術領域者所能輕易理解，每個環繞壁所醜的容置 空間中，未必限於設置-顆LED晶粒，且環繞壁的高度可以隨需求不同而 改變，以及上述實施例中之透光層並非絕對必要，如圖19及2〇本案第四 較佳實施例所示，在本例中之每一基板5”，上，形成有兩對致能谭塾Μ，”， 以及介於每對致能焊墊51”，間的晶粒安裝焊塾513”，，而例如直接以旋轉塗 佈的濕式光阻膜整片成形於基板5”，上，達到例如35〇师之高度並以曝 光及顯影流程’製成覆蓋於基板5”，周緣的環繞壁53”，，兩顆高亮度⑽ 晶粒7”，則分別焊接於環繞壁53”，中央所暴露出的晶粒安裝焊塾上犯”，， 各自的兩電極則分別打線連接至各對致能焊墊51，，’，最後則如圖2〇所示將 勞光材質雜8”，注人填滿整姆置空間，並待其耻，經過_分離各基 201135980 板後，即完成高亮度的LED元件。
由於本發明之基板形成有環繞壁之發光二極體元件及其製造方法，是 在基板上額外成形設置環繞壁，並非與基板同步燒結而成，使得製程較具 彈性，可以完全配合市場需求尺寸。再者，由於環繞壁並非燒結而成，透 過尚精度的光阻膜曝光顯影、或金屬濺鑛增厚，均可確保環繞壁的大小尺 寸精密而符合預期，不僅可預留些許安裝縫隙，從而容許LED晶粒切割後 在邊界處形成的不平整邊緣，也不必因噎廢食，容留過大空間而浪費螢光 材質膠體，更不至因螢光材質膠體注入空間過廣而使螢光層之平坦度受 損，從而確保製成之發光二極體元件的光譜分佈均勻，提昇產品品質。 惟以上所述者’僅本發明之較佳實細而已，#不如此較本發明 實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明内容所作簡單的等 效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍内。 【圖式簡單說明】 圖1是一種習知技術的發光二極體元件結構側視圖。 圖2是另一習知技術的發光二極體元件結構爆炸圖。 圖3是本案發光二極體元件製造方法第一較佳實施例之流程圖。 圖4是圖3實施例中，經預切割之基材俯視示意圖。 圖5是圖3實施射，壓印第—層光阻並曝光之側剖示意圖。 圖6是圖3實施例中’第-層光_經顯影後結構側剖示意圖。 —圖7是圖3實施例中，在第-層光阻膜上壓印第二層光阻膜之結構側 剖不意圖。 圖8是圖3實施射，對第二層光賴曝光之結構側剖示意圖。 圖9是圖3實施例中，在基板上成形環繞壁結構之㈣圖 圖H)是圖3實施例中，將LED晶粒安裝至焊墊上的俯視示音圖。 圖U是圖3實施例中’於環繞壁中注入螢光材質膠體，糾未分離的 基材整片置入模具中，成形透光層的側剖示意圖。 201135980 圖〗2是圖3實施例，已經成形有透光層且彼此分離之發光二極體元件 示意圖。 圖13是本案第二較佳實施例製造方法之流程圖。 圖〗4是圖13實施例中，未經預切割之基材俯視示意圓。 圖15是圖13實施例中，尚未切割分離的整片基材側剖示意圖。 圖16是圖13實;^例中’基材經過切條而疊置錢鑛側邊電極之側剖示 意圖。 圖17是圖13實施例之成品側剖示意圖。
圖18是本案第三較佳實施例之立體示意圖。 圖19及圖20分別是本案第四較佳實施例之俯視及側剖示意圖測。 【主要元件符號說明】 1、Γ、7、7’、7”、7”， LHD晶粒 10， LED單體 2 ' 2， 螢光層 21 較薄區域 22 較厚區域 3， 陶瓷基板 4、5、5,、5”、5”， 基板 41 焊墊 51 ' 5Γ ' 511” 513, 、 513”， 512”、5Γ”致能焊墊 52 53、53,、53”、 晶粒安裝焊墊 脆弱部 ;3”’ 環繞壁 12 201135980 531， 種子層 532， 增厚層 54 光阻疊層 541 、 542 光阻膜 55， 端電極 56” 穿孔 50 光罩 6、6， 基材 7 卜 71，、71” 導線 72 導電端部 8 、 8, 、 8”， 螢光材質膠體 90 模具 9、9， 透光層 L SI. 13