TW201135958A - Textured superstrates for photovoltaics - Google Patents
Textured superstrates for photovoltaics Download PDFInfo
- Publication number
- TW201135958A TW201135958A TW099141314A TW99141314A TW201135958A TW 201135958 A TW201135958 A TW 201135958A TW 099141314 A TW099141314 A TW 099141314A TW 99141314 A TW99141314 A TW 99141314A TW 201135958 A TW201135958 A TW 201135958A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- textured
- glass
- cladding
- light scattering
- range
- Prior art date
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 70
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 33
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 2
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 2
- 238000005314 correlation function Methods 0.000 description 2
- 238000005315 distribution function Methods 0.000 description 2
- BFMKFCLXZSUVPI-UHFFFAOYSA-N ethyl but-3-enoate Chemical compound CCOC(=O)CC=C BFMKFCLXZSUVPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000003821 2-(trimethylsilyl)ethoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si](C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C(OC([H])([H])[*])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100380295 Mus musculus Asah1 gene Proteins 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010977 jade Substances 0.000 description 1
- 239000005340 laminated glass Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052902 vermiculite Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019354 vermiculite Nutrition 0.000 description 1
- 239000010455 vermiculite Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
201135958 [0001] [0002] Ο [0003] Ο [0004] [0005] 發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明一般係關於光伏打電池，以及特別是關於光線散射 紋理化覆板以及製造光線散射紋理化覆板例如矽為主光 伏打電池。 【先前技#亍】 任何構造的太陽能電池的一項重要特性是效能；也就是在 標準的太陽能照射下每單位面積所發出的功率量。這種 特性決定每瓦最後的成本。理論上，具有非晶型和微晶矽 雙重結構的效能被認為優於單單只有非晶型或微晶矽的 電池。使用非晶型和微晶矽雙重結構的優點是藉由利用 非晶型和微晶矽的組合，設計其可加強捕獲更多的太陽能 頻譜。電池的非晶型部分可吸收太陽能頻譜的較高能量 區，而微晶矽的部分則吸收較低能量區。 合併非晶和微晶矽的典型串接電池通常含有一基板，其上 沉積透明電極，非晶矽的上方電池，微晶矽的底部電池，和 反向接觸或反電極。光線通常從沉積基板的側邊入射，使 得基板在此電池配置中變成覆板。 非晶型石夕層實際上的厚度受限於Staebler-Wronski效 應，以非晶型矽層增加的厚度減少載體的積聚。厚度受限 於只有約300奈米（nm)，所以需要最大化這層的光線吸收 。一種最大化非晶型矽層光線吸收的方法是在電池層的 介面處提供散射，尤其是在透明導電氧化物（TC0)/非晶型 碎介面。 如以上所討論的，這種薄膜太陽能電池裝置主要的挑戰是 099141314 表單編號A0101 第3頁/共30頁 1003166749-0 201135958 增加效能。在幾乎所有的例子中，由於活性的薄膜厚度因 而是吸收的限制，要找出藉由延伸光徑以增加光線捕獲的 方式。典贺的方式是提供TC0膜紋理。很多傳統的砍光伏 打電池使用紋理的TCO膜，譬如Asahi玻璃公司生產的 Asah卜U膜。 [0006] 另一種此項技術已知的TCO散射表面是以表面型態的Zn〇 製造，總透射和擴散透射可比的上Asahi-U膜。 [0007] 另一種此項技術中已知的散射TCO則是使用Forschung- szentrum Julich公司所發展的Applied Materials (AMAT)。 [0008] Asahi公司還有另一種型態的TCO膜紋理，Asahi HU。 Asahi HU的波長無關於整個看得見的和近ir區的散射。 [0009] 紋理化TC0技術包含底下的一個或多個缺點：1)紋理粗糖 度會使沉積矽的品質劣化以及產生短路，使太陽電池的整 體效能劣化；2 )紋理的最佳化受限於可以由沉積或姓刻處 理所獲得的紋理，以及較厚TC0層所造成的透射降低；和3) 在Ζ η 0的情況中，電聚處理或濕触刻來產生紋理會增加成 本。 [0010] 解決薄膜矽太陽電池之光線捕獲需求的另一種方式是在 氮化矽沉積之前，對TC0及/或矽下方的基板製作紋理，而 不是在沉積薄膜上製作紋理。在一些傳統薄膜矽太陽電 池中，使用穿孔而不是TC0來作為跟基板接觸之矽底部的 接觸。在一些傳統薄膜矽太陽電池中的紋理包含黏合劑 基材中的S i 02顆粒沉積在平面玻璃基板上。這類紋理通 099141314 表單編號A0101 第4頁/共30頁 1003166749-0 201135958 常使用溶膠-凝膠類處理來完成，在其中顆粒懸浮在液體 中將基板拉過此液體，接著燒結。熔珠保持球形，由燒結 凝膠固定在其位置上。 [0011] 還有很多在TCO沉積之前產生紋理表面的其他方法。這此 方法包括噴砂處理，聚笨乙烯微球粒沉積和蝕刻和化學 • 餘刻。這些關於紋理表面方法的限制是根據所能產生的 • 表面紋理型態。 [0012] 具有小於約1〇〇微米Si厚度的整塊晶型以太陽能電池的光 〇 線捕獲是有幫助的。以這種厚度而言，不足的厚度可有效 吸收單回或雙回（反射後的一次接觸）的所有太陽能輻射 。因此，可發展大型幾何結構的蓋板玻螭，加強光線捕獲 。例如，將乙基醋酸乙烯（EVA)封裝材料放在蓋板玻璃和 矽之間。這種蓋板玻璃的例子是Saint_G〇bainGlass& 司的Albarino產品系列。一般是使用滾軋處理來形成這 種大型結構。 [0013] 紋理玻璃基板方式包含底下的一個或多個缺點：丨）溶膠_ 凝膠化學和相關處理必須提供玻璃微球跟基板的膠合；2) 此處理在玻璃基板兩側產生紋理表面；3)矽石微球和溶膠 —凝膠材料需要額外的成本；以及4)薄膜黏附和/或在矽薄 膜中產生裂痕的問題。 [〇〇丨4]光伏打電池具有紋理覆板為有益的，例如對於具有光線散 射特性足以產生與波長無關之光線捕獲的矽串聯光伏打 電池。藉由使用來製造紋理覆板之方法能夠特別設計覆 板紋理表面之特性以提供所需要光線散射/捕獲特性亦為 099141314 表單編號A0101 第5頁/共30頁 1003166749-0 201135958 [0015] [0016] [0017] [0018] [0019] [0020] [0021] 099141314 有益的。 【發明内容】 如這裡所描述的，紋理覆板和製造紋理覆板的方法解決上 述傳統的紋理覆板和製造紋理覆板方法的一項或以上缺 點，在光伏打應用上是很有用的，譬如雙重矽的光伏打電 池。一項實施例是製造光線散射紋理覆板的方法，此方法 提供玻璃片，研磨並疊置玻璃片表面，在玻璃片表面形成 圖徵，以形成光線散射的紋理覆板。 $ —個光線散射的紋理覆板實施例包括：具有圖徵紋理表 ； 面的玻璃片，其紋理表面的RMS粗縫度在lOOnm到1. 5微米 的範圍，相關長度在500nm到2微米的範圍。 另一個實施例是包括以上述方法製造光線散射的紋理覆 板的光伏打裝置。 本發明其他特性及優點揭示於下列說明，以及部份可由說 明清楚瞭解，或藉由實施下列說明以及申請專利範圍以及 附圖而明瞭。 人們暸解先前一般說明及下列詳細說明只作為範例性及 說明性，以及預期提供概要或架構以瞭解申請專利範圍界 定出本發明原理及特性。 所包含附圖將更進一步提供瞭解本發明以及在此加入以 及構成說明書之一部份。附圖顯示出本發明不同的實施 例及隨同β羊細a兒明以解釋本發明之原理及操作。 【實施方式】 現在參考本發明優先實施例詳細作說明，其範例顯示於附 表單編號A0101 第6頁/共30頁 1003166749-0 201135958 [0022] [0023] [0024] Ο [0025] ❹[0026] [0027] 圖中。儘可能地，整個附圖中相同的參考數字代表相同的 或類似的元件。 所謂”體散射"可以定義成由於光線所行經之材料折射率 的不均勻性，對光線路徑所造成的效應。 所謂"表面散射”可以定義成由光伏打電池各層之間介面 的粗糙度對光線路徑所造成的效應。 所謂"基板”可以用來描述基板或覆板，決定於光伏打電池 的配置。例如，如果在組合成光伏打電池時它是在光伏 打電池之光線入射側的話，那麼基板就是覆板。覆板可以 保護光伏打材料免於受到碰撞和環境劣化，同時允許適當 的太陽光譜波長透射。此外，多個光伏打電池可以排列成 一個光伏打模組。 所謂"鄰近"可以定義成相當接近。鄰近結構彼此可以有， 或可以沒有實體接觸。鄰近結構可以有其他的層和/或結 構配置在它們之間。 最好在玻璃覆板上產生的表面紋理可提供散射的行為允 許在雙重梦光伏打電池的活性矽層，更有效率的捕獲入射 太陽光。 在一項實施例中，光線散射的紋理覆板包括：具有圖徵紋 理表面的玻璃片，其紋理表面的RMS粗糙度在100nm到1. 5 微米的範圍，相關長度在5〇〇nm到2微米的範圍。 在另一個實施例中，光線散射的紋理覆板包括：具有圖徵 紋理表面的玻璃片，其紋理表面的RMS粗糙度在500 nm到 099141314 表單編號A0101 第7頁/共30頁 1003166749-0 [0028] 201135958 1· 25微米的範圍，相關長度在75〇nn^lj1· 6微米的範圍。 [0029] [0030] [0031] 在另一個實施例中，光線散射的紋理覆板包括：具有圖徵 紋理表面的玻璃片，其紋理表面的RMS粗糙度在7〇〇⑽到 1微米的範圍，相關長度在800ηπ^ι]1·2微米的範圍。 一項實施例中，光伏打裝置包括如這裡實施例所描述的光 線散射的紋理覆板。在玻璃片的設計_’紋理化最大表面 積的表面。在一項實施例中，玻璃片疋真正扁平的。在一 項實施範例中，Μ破璃片有兩個相對的扁平表面。在一 項實施例中，光伏打装Χ中有一個表面是紋理化的；紋理 化的玻璃片是在覆板設計中，用來入射光線’而紋理❹ 面是在光線進人的玻❹—面。在—項實施例中，另一面 也是紋理化的。 可用來描述這裡説明的紋理覆板光線散射行為特徵的參 數是總180度的命前透射；總擴散透射，即總向前散射，排 除-2 5<6»<2 5度的部份準定義）；總和擴散反 射對波長；角度擴散作為波長的函數；表面型態；粗綠度均 方根（RMS )和空間頻率構成（功率頻譜的相關長度）；原子 力顯微（AFM)影像；和掃描電子顯微（SEM)影像。Lc(相關 長度）是相關函數，以數學相關函數來描述，測量系統中的 階數，以及說明在不同位置微小的變數是如何相關。使用 光線追蹤模式來模擬雙重矽電池的效能（最大可達電流密 度（MACD))，以定義最佳化基板紋理表面的圖徵。紋理覆 板表面是由AFM掃瞄的25微米X 25微米區域所構成尺度 大小如下3,7尺寸是2/3，1，3/2，表面高度是2/3，13/2 。總共執行9種模擬。接下來的介面是以薄祺保角增長 099141314 表單編號A0101 第8頁/共30頁 1003166749-0 201135958 (TFCG)模式導出。表丨顯示光線追蹤模式的結果。 [0032] 表1 相 對 相2/3 關1 長3/2 度 Ο [0033] Ο [0034] 099141314 相對表面粗糙度 2/3 1 3/3 5.5% 8.5% 10. 6% 1.9% 6.0% 8.1% 0. 5% 1.3% 3.3% 圖！6A，16B，16C，16D和16E是依據說明的方法製造的範 例光線散射的紋理覆板的AFM影像，具備的特性列在表1。 圖16A顯示Lc為2/3,相對表面粗糙度2/3的紋理覆板表面 從上到下的示意圖。圖16B顯示Lc為3/2,相對表面粗糙 度2/3的紋理覆板表面從上到下的示意圖。圖i6c顯示Lc 為1，相對表面粗糙度丨的紋理覆板表面從上到下的示意圖 。圖16D顯示Lc為3/2,相對表面粗糙度3/2的紋理覆板表 面從上到下的示意圖。圖16E顯示Lc為2/3,相對表面粗 賴:度3/2的紋理覆板表面從上到下的示意圖。 Lc為1’相對表面粗糙度】的模擬紋理覆板表面，顯示出提 升了 6/和先鈾結果比起來較高的值，可能是由於改善的 (較不圓的）表面擬合所導致。增加的粗趟度和/或減少的 相關長度可改善效能。只增加粗糙度或只減少相關長度 也可改善效能。增加的_度以及減少的相關長度一起 可改善最多的效能。這些限制無法不定地延伸。一般而 言，電效能會限制⑽度。TFCG可能限制減少相關長度所 得到的好處。額外的石夕沉積（經由保角增長）無法說明多 表單編號A0101 第9頁/共30頁 1003166749-0 201135958 數的提升效能。 [0035] 依據一些實施例，光線散射的紋理覆板厚度約4. 〇mm或以 下，例如3. 5 mm或以下，例如3. 2 mm或以下，例如3.0 mm 或以下，例如2. 5 mm或以下，例如2. 〇 mm或以下，例如 1 · 9 mm或以下，例如1. 8 mm或以下，例如1. 5 mm或以下， 例如1.1 mm或以下，例如0.5 mm至2.0 mm，例如〇·5 mm 至1.1 mm，例如0.7 mm至1.1 mm。這些只是範例的厚度 ，玻璃片的厚度可以是任何數值，包括範圍從〇. lmin以上的 小數位，也包括4. 0 mm。 [0036] 在一項實施例中，光線散射的紋理覆板表面的1^3粗糙度 在100nm到1. 5微米的範圍，相關長度在5〇〇nm到2微米的 範圍。在另一實施例中，光線散射的紋理覆板表面的RMS 粗缝度在500mn到1. 25微米的範圍，相關長度在750nm到 1. 6微米的範圍。又在另一實施例中，光線散射的紋理覆 板表面的RMS粗链度在700 nm到1微米的範圍，相關長度在 800nm到1. 2微米的範圍。 [〇〇37] 一項實施例是製造光線散射的紋理覆板的方法，此方法包 括提供玻璃片，研磨並疊置玻璃片表面，在玻璃片表面形 成圖徵，以形成光線散射的紋理覆板。 [0038] 在研磨和疊置處理過程可以設定參數，決定如何發展最後 的紋理覆板圖徵。例如，參數是粗粒成分，粗粒大小；粗粒 沉積，例如襯墊，稠漿；疊置技術，或和其硬度相關的玻璃 成分。 [0039] 在一項實施例中，此方法包括使用含磨蝕粒子和去離子水 099141314 表單編號A0101 第10頁/共30頁 1003166749-0 201135958 的研磨介質稠漿的研磨和疊置。磨蝕粒子的平均直徑可 以是大於0到15微米，譬如1到10微米，譬如1到5微米。在 一項實施例中，磨钱粒子包含氧化銘。 [0040] 在一項實施例中，研磨和疊置包括將研磨介質引入疊置襯 墊。依據一項實施例中，引入研磨介質包括一滴一滴地滴 下研磨介質到疊置襯墊。 [0041] Ο [0042] 依據一項實施例，疊置概墊是一塊包含選自不錄鋼，玻璃， 銅，或其組合的板。疊置板可以是紋理的表面或是圖案的 表面，譬如凹槽型玻璃板。 依據一項實施例，研磨和疊置包括在玻璃片表面下方旋轉 疊置襯墊，在這裡研磨的稠漿接觸玻璃片表面。在一項實 施範例，玻璃片是靜止的。可調整旋轉速度以最佳化覆板 最後的紋理表面。例如，假使旋轉太快，玻璃片可能變成 有到痕的，而不是研磨的。 [0043] ❹ 在一項實施例中，此方法進一步包括以酸钮刻在研磨和疊 置表面上的圖徵。餘刻的條件，譬如钱刻溶液成分和餘刻 時間，都是可以改變的參數，以進一步修整紋理表面的圖 徵。在一項實施例中，蝕刻包括將研磨和疊置表面暴露到 包含氟化氫，氯化氫，水，或其組合的酸性溶液中。酸性溶 液可包含一定比例的氟化氫酸，氯化氫酸，和水，例如1比1 比20,或4列如2比2比20，或匕5比20 〇 <可以Ιϋ! 子水。 在一項實施例中，研磨，疊置，和蝕刻處理包括以細微的粗 粒研磨和疊置玻璃片，接著再以氟化氫（HF)/氣化氫 099141314 表單編號Α0101 第11頁/共30頁 1003166749-0 [0044] 201135958 (HC1)溶液蝕刻處理，提供表面型態控制的平滑度。 [0045] 研磨和疊置，或蝕刻處理可允許修改處理過程，以控制粗 糙度和光線散射表面上的紋理圖徵，因而是總以及擴散透 射度，以及角度散射的量。 [0046] 範例： 調查後者的參數和其在表面粗糙度上的影響，以及光線散 射的行為。 [0047] 依據這裡說明的方法，製造具有低（50-250nm)，中（約 250-500nm),和高（ 500nm-l微米），或非常高表面粗糙度 紋理表面的光線散射覆板。 [0048] 測試數種不同型態的玻璃，從顯示器品質到超高品質和特 製的玻璃，譬如Eagle XGTM，HPFS,鹼石灰，CdTe太陽能 的特製玻璃等。有些玻璃比其他玻璃更適合化學-機械表 面拋光，疊置，研磨，和蝕刻處理。此外，較低指數的玻璃 由於玻璃表面較低的Fresnel反射，可提供稻微高的QE。 [0049] 依據一項實施例，紋理玻璃表面包含的圖徵具有的平均直 徑從100nm到15微米，例如從100nm到10微米，例如從 100nm到5微米。依據一項實施例，紋理玻璃表面包含的圖 徵具有的平均直徑從lOOnm到2微米，例如從250nm到1. 5 微米。
[0050] 依據一項實施例，紋理玻璃表面包含的圖徵具有大於1. 5 微米的平均直徑，有些圖徵更達到10微米或以上。通常我 們希望散射只有在散射圖徵大約等於光波長大小的時候 發生。非常高紋理玻璃表面的範例顯示於圖2 A和2B的SEM 099141314 表單編號A0101 第12頁/共30頁 1003166749-0 201135958 [0051] Ο [0052] [0053] Ο 影像。在這些例子中，光線散射的紋理坡填表面塗上一層 tco。 3 在-項實施例中，光線散射的製品包括坡萬片，表面的圖 徵以控制的方式散射光，在接續的活性♦層中加強光線的 吸收。在這個研磨和疊置，以及蝕刻的例子中，紋理玻璃 表面提供的散射函數，基本上是無關於波長。此外，在太 陽光譜上的總傳輸率是大於80%，如圖1所示有大於85% 的模糊度或散射度（角度>2. 5度的散射光線強度和總向前 強度的比例）。圖1是範例紋理玻填表面的總以及擴散透 射度的圖表，其微紋理顯示於圖2Α和2Β。線1〇顯示透射度 。線14擴散透射度。 用來研磨和疊置玻璃片的研磨介質是平均直徑範圍是從 • 5微米到1〇微米，譬如2, 3, 5, 7和9微米的氧化鋁粒子和 去離子水。在5, 7和9的粗粒大小看不出產生的紋理玻璃 覆板的光線散射行為有明顯的差異。 使用含平均直徑約2微米粗粒大小的氧化銘粒子和去離子 水的稍漿，以及利用凹槽形玻璃疊置襯塾，加以研磨和疊 置，製造範例的未蝕刻紋理玻璃表面。這些紋理表面顯示 於圖5Α和6Α的SEM中。圖8是顯示具有紋理表面玻璃覆板 的模糊度的圖表，藉由研磨和疊置和蝕刻，製造低 (50-250 nm)，中（約250-500 nm)，和高（500 nm-1微 米）粗糙度分別以線1 5，1 6和1 7來表示。模糊度可以描述 成擴散透射對總傳輸的散射比例。圖9顯示只以研磨和疊 置製造的類似表面粗縫度，兩種不同型態玻璃的總以及擴 散透射度。分別以線20和22來表示高純度熔融氧化矽的 099141314 表單編號A0101 第13頁/共30頁 1003166749-0 201135958 總以及擴散透射度。分別以線18和24來表示鹼石灰的總 以及擴散透射度。 [0054] 也測試在5%的HF/HC1溶液，從5分鐘到90分鐘範圍一系列 的蝕刻時間。圖1 〇，11 (5分鐘蝕刻），和圖12(11分鐘蝕刻 )是顯示研磨，疊置和敍刻的紋理表面玻璃覆板的圖 表，譬如分別是低（50-250nm)，中（約250-500nm)，和高 ( 500 nm -1微米）粗韆度。紋理表面的影像顯示於圖5A 和6A的SEM中，接下來蝕刻的影像則顯示於圖5B和6B。圖 5A和6A顯示的紋理表面是以5%的HF/HC1溶液，分別蝕刻5 分鐘和11分鐘，產生的紋理表面顯示於圖5B和6B。為範例 的低，中和高粗糙度表面進行Zy go雷射干涉儀測量。低粗 糙度表面的平均rms粗糙度是123. 4nm，標準差是26. 5nm 。中粗糙度表面的平均rms粗糙度是449.4nm，標準差是 63.6 nm。高粗糙度表面的平均rms粗糙度是713.1nm， 標準差是9. 3nm。最好是總透射度在85%以上，結合高擴 散透射度。中和兩粗輪度的範例紋理表面的相關長度是 7 50 mn到2微米。可藉由這裡說明的方法修改型態和粒子 大小，以及相關長度。 [0055] 以1/1/20比例的氟化氫（HF)/氣化氫（ΗΠ)/水溶液，触 刻研磨和疊置的破填覆板3〇, 45, 60,和9〇分鐘。_口 HC1疋業界可取㈣化學品。和未料的研磨和疊置玻璃 覆板比較玉個光4上的透射度。總透射度隨著⑽增加， 平-的波長顯不透射度是無關於波長，這兩種行為都是有 幫助的。以30分鐘的㈣而言，擴散散射相對於較長的姓 刻時間增加’而且總逯射度沒有耗損這是相當好的。Μ 099141314 I單編號A0101 第14頁/共30頁 1003166749-0 201135958 [0056] [0057] Ο [0058] [0059] ο [0060] [0061] [0062] 分鐘的钱刻也觀察到類似的結果。這顯示蝕刻步驟在最 佳化透射和散射的角色功能。圖3是以相同的樣本組，在 波長633nm測得的角度散射。 在波長633nm測得的角度散射寬度會隨著蝕刻時間而滅少 。圖4顯示的是範例紋理玻璃覆板蝕刻3〇分鐘的雙向透射 分配函數（BTDF)。BTDF資料顯示波長無關於紋理表面。 圖13 A和1 3 B分別顯示範例蝕刻和未蝕刻的光線散射紋理 坡續覆板，總以及擴散透射度的圖表。線32和30顯示以研 磨和疊置和蝕刻製造的範例光線散射紋理覆板的總以及 擴散透射度。線26和28顯示以研磨和疊置製造的範例光 線散射紋理覆板的總以及擴散透射度。 圖14和15的圖表分別顯示具有高表面粗糙度（~〇· 5微米） 的姓刻和未蝕刻的Eagle XGTM顯示器玻璃的ccBTDF。 散射行為和特定表面紋理之間精確的物理連結很難以簡 單的詞語來說明。表面紋理一般是根據RMS粗糙度和相關 長度來描述圖徵。 為具有微紋理的範例紋理玻璃表面進行AFM的測量顯 示於圖2A和2B。在高倍放大的SEM中可顯示更細緻的紋理 。圖徵中更細緻的紋理是歸因於散射的高空間頻率組成 。這些範例紋理表面的相關長度大於5微米。 另一項實施例是以所描述方法製造的包含光線散射紋理 覆板的光伏打裝置。依據一項實施例，光伏打裝置包括鄰 近覆板的導電性材料，以及鄰近導電性材料的主動光伏打 099141314 表單編號A0101 第15頁/共30頁 1003166749-0 201135958 [0063] [0064] [0065] 099141314 ”貝。在有些實施例中，導電性材料是透明的導電薄膜。 在-項實施範例中，透明的導電薄膜包含紋理表面。依據 -項實施例，主動光伏打介質和透明的導電薄膜物理接觸 〇 依據-項實施例，此裝置進—步包括和主動光伏打介質物 理接觸的反向電極，位在作為導電性材料的主動光伏打介 質的另一面。主動光伏打介質可包括很多層。在一項實 施例中，主動光伏打介質包括非晶形矽微晶矽或其組合 〇 表面紋理透明的導電氧化物（)基板的紐散射特性在 最佳化薄膜太陽能電池效能的處理上，是很重要的話題。 由於/zc-Si:H薄膜比a —Si:H薄膜有較低的光學吸收係數 ，雙重非晶形/微晶矽（a_Si:H//zc—Si:H)光伏打太陽能 電池中光線捕獲的效率是非常重要的，用以提供高量子效 率。有效率的光線捕獲不只會導致較高的短路電流 (Jsc)，也會允許較薄的内部"c_Si:I^TC〇層這在降 低製造這種太陽能電池的整體成本上尤其重要。就因為 這些理由和潛藏的巨大商機，3-5^/；^-^:11雙重光伏 打太陽能電池中的光線捕獲吸引很多人的注意。 光線散射也根據紋理玻璃表面（介面）的型態。因此，這些 薄膜太陽能電池有效率的光線捕獲是根據粗糙表面的光 線散射，藉由使用有紋理表面的覆板，弓丨入太陽能電池。 傳統上，覆板設計中的a_S i: Η太陽能電池使用了表面紋理 的TCO接觸層，一般是ζη〇或Sn〇2。然而，覆板和TC〇可以 是表面紋理的，以最大化光線捕獲效庵。我們發展了玻璃 表單編號A0101 第16頁/共30頁 1003166749-0 201135958 表面紋理的化學-機械式方法，再加上紋理的TCO —起使用 ，可提供高Jsc，允許a-Si :Η/ μ c-Si :Η雙重太陽能電池 中較薄的ec-Si:H和TCO内層。 [0066] Ο 表面紋理的玻璃作為覆板，可改善光線捕獲，因而是薄膜 Si-雙重光伏打太陽能電池的量子效率。以化學-機械式 處理紋理化表面，可能導致從這些表面增加的光線散射， 也可能導致Si-雙重矽層中增加的光線捕獲。然而，受益 於量子效率的表面粗糙度程度也是有限制的。例如，太粗 糙的表面可能導致太陽能電池明顯的分流。圖7A是依據 範例的方法製成的透明導電氧化物塗層的玻璃覆板SEM影 像，也是具有針孔36的粗糙表面範例。這些針孔可能導致 光伏打電池中TCO的分流或分層。換句話說太平滑的表面 ，雖然也會產生一些光散射，但可能不會明顯改善qE效能， 也不具成本效益。圖7B是依據範例的方法製成的透明導 電氡化物塗層的紋理玻璃覆板SEM影像，具有最佳的粗糙 度。 Ο [0067] 熟知此技術者瞭解本發明能夠作許多變化及改變而並不 會脫離本發明之精神及範圍。預期本發明含蓋本發明各 種變化及改變，其屬於下列申請專利範圍以及同等物範圍 内。 【圖式簡單說明】 [0068] [0069] [0070] 本發明能夠由下料細㈣單獨地或隨同關瞭解。 圖1為範例14,文理坡續表面之總及擴散透射度曲線圖。 圖2A及2B為依^:範例性方法以及塗覆τ⑶製造出紋理玻璃 099141314 表單編號Α0101 $ Π頁/共30 頁 1003166749-0 201135958 [0071] [0072] [0073] [0074] [0075] [0076] [0077] 表面之掃瞄電子顯微影像（SEM )。 圖3為範例性光線散射紋理覆板在633nmT量測散射角度 曲線圖。 圖4為範例性紋理破璃覆板研磨’疊置，再蝕刻3〇分鐘之雙 向透射分佈函數（BTDF)關係曲線圖。 圖5 A, 5 B，6 A及6 B為依據範例性方法製造出紋理玻壤表面 之掃瞄電子顯微影像（SEM)。 圖7A及7B為依據範例性方法製造出塗覆透明導電性氧化 物紋理玻璃表面之掃瞄電子顯微影像（SEM)。 圖8為曲線圖，其顯示出藉由研磨，疊置以及㈣製造出具 有例如低（50-250 nra)，中等（約25〇_5〇〇 nm)以及高 ( 500 nm-l微米）紋理表面玻璃覆板模糊度。 圖9為曲線圖’其顯不出只藉由研磨以及疊置製造出具有 類似表面_度兩種不同型式破璃之總及擴散透射度。 圖10’ 11及12為曲線圖，其顯示出範例性研磨疊置及姓 刻玻璃覆板之BTDF。 [0078] [0079] 圖UA及13B為曲線圖，其分別顯示出敍刻及絲刻範例性 先線散射紋理玻璃覆板之總及擴散透射度。 圖14及15為曲紙其分_示出具有高表面粗輪度（約 .5微米)未触細刻顯示器坡璃㈣祕之ccm卜 圖i6A，16B，16C，16u16Em__mm“ 列性紋理覆板之原子力顯微影像（afm)。 099141314 表單編號A0101 第18頁/共30 頁 1003166749-0 [0080] 201135958 【主要元件符號說明】 [0081] 總透射度10;擴散透射度14;曲線15，16，17，18, 20， 22， 24， 26， 28， 30， 32 。 〇 099141314 表單編號A0101 第19頁/共30頁 1003166749-0
Claims (1)
- 201135958 七、申請專利範圍： 1 . 一種製造光線散射紋理覆板的方法，該方法包括： 提供玻璃片；以及 研磨以及疊置玻璃片表面以在玻璃片表面形成圖徵以形 成光線散射的紋理覆板。 2 ·依據申請專利範圍第丨項之方法其中更進一步包含利用酸 触刻在研磨以及疊置表面上的圖徵。 3 .依據巾請專利範圍第2項之方法，其巾㈣包含暴露研磨以 及疊置表面於酸溶液，該溶液包含氫氟酸，鹽酸，水，或其 混合物。 4.依據申請專利範圍第i項之方法其中氯氣酸，鹽酸以及 水比例為1 : 1 : 2 0。 5 ·依據申請專利範圍第1項之方法，其中研磨以及疊置包含塗 覆研磨介質至疊置板，其中研磨介質接觸玻璃片之表面。 6 ·依據中請專利範圍第5項之方法，其中疊置板為包含不錄鋼 ，玻璃，銅，或其組合物選取出之材料。 7 .依據申請專利範圍第6項 項之方法，其中疊置板包含紋理表面 8 ·依據申睛專利範圍第1頂，士丄仕a 貝之方法，其中研磨以及疊置包含塗 覆研磨介質至疊置柘甘士 ^ 板，其中研磨介質接觸玻璃片之表面。 9 .依據申請專利範圍笫〗 祀固弟I項之方法其中研磨介f為在水 化銘粒子。 099141314 10 * 11 . 依據申請專利範圍第1項之方法 lOOrnn至15微米。 其中圖徵平均直徑為 依據申睛專利範圍 第1項之方法，其中光線散射紋理覆板具 表單編號A0I01 第20頁/共30頁 1003166749-0 201135958 有RMS粗糙度在l〇〇nm至1. 5微米範圍内以及相關長度在 500nm到2微米的範圍内。 12 .依據申請專利範圍第1項之方法，其中光線散射紋理覆板具 有RMS粗糙度在50 0nm至1. 2 5微米範圍内以及相關長度在 750nm到1. 6微米的範圍内。 13 .依據申請專利範圍第1項之方法，其中光線散射紋理覆板具 有RMS粗糙度在70 0nm至1微米範圍内以及相關長度在 800nm到1. 2微米的範圍内。 14 . 一種光線散射紋理覆板，該覆板包含：具有圖徵之紋该表面的玻璃片，其中紋理表面具有RMS粗糙度在lOOnm至1. 5微 米範圍内以及相關長度在500nm到2微米的範圍内。 15 · —種光線散射紋理覆板，該覆板包含：具有圖徵之紋ί里表面 的玻璃片，其中紋理表面具有RMS粗糙度在500nm至1· 25 微米範圍内以及相關長度在750nm到1. 6微米的範圍内。 16 · —種光線散射紋理覆板，該覆板包含：具有圖徵之紋斑表面 的玻璃片，其中紋理表面具有RMS粗糙度在700nm至1微米 範圍内以及相關長度在8〇〇nm到1.2微米的範圍内。 17 .依據申請專利範圍第14項之光線散射紋理覆板，其中玻璃 片厚度為4. Omm或較小。 18 . —種光伏打裝置，其包含依據申請專利範圍第14項製造出 之光線散射覆板。 19，一種光伏打裝置，其包含依據申請專利範圍第1項製造出之 光線散射覆板。 20 .依據申請專利範圍第19項之光伏打裝置，其中包含：導電 性材料鄰近於覆板；以及主動光伏打介質鄰近於導電性 料。 099141314 表單編號A0101 第21頁/共30頁 1003166749-0 201135958 21 .依據申請專利範圍第20項之光伏打裝置，其中導電性材料 為透明的導電性薄膜。 22 .依據申請專利範圍第21項之光伏打裝置，其中透明的導電 性薄膜包含紋理表面。 23 .依據申請專利範圍第21項之光伏打裝置，其中主動光伏打 介質實際接觸透明的導電性材料。 24 .依據申請專利範圍第21項之光伏打裝置，其中更進一步包 含反向電極實際接觸主動光伏打介質以及位於主動光伏打 介質相對表面上作為導電性材料。 25 .依據申請專利範圍第21項之光伏打裝置，其中主動光伏打 介質包含多層。 26 .依據申請專利範圍第21項之光伏打裝置，其中主動光伏打 介質包含非晶矽，微晶矽，或其組合。 099141314 表單編號A0101 第22頁/共30頁 1003166749-0
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US26492909P | 2009-11-30 | 2009-11-30 | |
| US12/955,126 US20110126890A1 (en) | 2009-11-30 | 2010-11-29 | Textured superstrates for photovoltaics |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201135958A true TW201135958A (en) | 2011-10-16 |
Family
ID=44066945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW099141314A TW201135958A (en) | 2009-11-30 | 2010-11-30 | Textured superstrates for photovoltaics |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110126890A1 (zh) |
| EP (1) | EP2507841A4 (zh) |
| JP (1) | JP2013512191A (zh) |
| KR (1) | KR20120099744A (zh) |
| CN (1) | CN102648530A (zh) |
| AU (1) | AU2010324606A1 (zh) |
| TW (1) | TW201135958A (zh) |
| WO (1) | WO2011066516A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI580654B (zh) * | 2012-09-28 | 2017-05-01 | 法國聖戈本玻璃公司 | 製造透明擴散性有機發光二極體（ｏｌｅｄ）基材之方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009039777A1 (de) * | 2009-09-02 | 2011-03-03 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Verfahren zur Herstellung und Strukturierung einer Zinkoxidschicht und Zinkoxidschicht |
| US20130340817A1 (en) | 2010-09-03 | 2013-12-26 | Oerlikon Solar Ag, Trubbach | Thin film silicon solar cell in tandem junction configuration on textured glass |
| EP2646895B1 (en) | 2010-11-30 | 2017-01-04 | Corning Incorporated | Display device with light diffusive glass panel |
| US9539736B2 (en) * | 2012-08-07 | 2017-01-10 | Palo Alto Research Center Incorporated | Mechanical method for producing micro- or nano-scale textures |
| JP2016029675A (ja) * | 2012-12-18 | 2016-03-03 | 株式会社カネカ | 薄膜太陽電池用透光性絶縁基板、及び集積型薄膜シリコン太陽電池 |
| EP2793271A1 (en) * | 2013-04-16 | 2014-10-22 | CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement | Solar photovoltaic module |
| GB201403223D0 (en) * | 2014-02-24 | 2014-04-09 | Pilkington Group Ltd | Coated glazing |
| US10822269B2 (en) * | 2014-02-24 | 2020-11-03 | Pilkington Group Limited | Method of manufacture of a coated glazing |
| CN109111859A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-01-01 | 秦皇岛市大龙建材有限公司 | 玻璃抛光液 |
Family Cites Families (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4377723A (en) * | 1980-05-02 | 1983-03-22 | The University Of Delaware | High efficiency thin-film multiple-gap photovoltaic device |
| JPS5857756A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質太陽電池 |
| JPH0680837B2 (ja) * | 1983-08-29 | 1994-10-12 | 通商産業省工業技術院長 | 光路を延長した光電変換素子 |
| US6331673B1 (en) * | 1995-10-17 | 2001-12-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module having a surface side covering material with a specific nonwoven glass fiber member |
| JP3431776B2 (ja) * | 1995-11-13 | 2003-07-28 | シャープ株式会社 | 太陽電池用基板の製造方法および太陽電池用基板加工装置 |
| RU2190901C2 (ru) * | 1996-09-26 | 2002-10-10 | Акцо Нобель Н.В. | Способ производства фотоэлектрической фольги и фольга, полученная этим способом |
| WO1998053373A1 (fr) * | 1997-05-22 | 1998-11-26 | Citizen Watch Co., Ltd. | Cadran de dispositifs d'horlogerie et procede de fabrication |
| JPH11186572A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Canon Inc | 光起電力素子モジュール |
| AUPP699798A0 (en) * | 1998-11-06 | 1998-12-03 | Pacific Solar Pty Limited | Thin films with light trapping |
| JP2000294818A (ja) * | 1999-04-05 | 2000-10-20 | Sony Corp | 薄膜半導体素子およびその製造方法 |
| AU764832B2 (en) * | 1999-05-31 | 2003-09-04 | Kaneka Corporation | Solar battery module |
| JP4229606B2 (ja) * | 2000-11-21 | 2009-02-25 | 日本板硝子株式会社 | 光電変換装置用基体およびそれを備えた光電変換装置 |
| US6750394B2 (en) * | 2001-01-12 | 2004-06-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film solar cell and its manufacturing method |
| CA2370731A1 (en) * | 2001-02-07 | 2002-08-07 | Ebara Corporation | Solar cell and method of manufacturing same |
| JP2003037281A (ja) * | 2001-05-17 | 2003-02-07 | Canon Inc | 被覆材及び光起電力素子 |
| AUPR719801A0 (en) * | 2001-08-23 | 2001-09-13 | Pacific Solar Pty Limited | Glass beads coating process |
| US6780665B2 (en) * | 2001-08-28 | 2004-08-24 | Romain Louis Billiet | Photovoltaic cells from silicon kerf |
| WO2003036657A1 (fr) * | 2001-10-19 | 2003-05-01 | Asahi Glass Company, Limited | Substrat a couche d'oxyde conductrice transparente, son procede de production et element de conversion photoelectrique |
| FR2832706B1 (fr) * | 2001-11-28 | 2004-07-23 | Saint Gobain | Substrat transparent muni d'une electrode |
| JP3979464B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2007-09-19 | 株式会社荏原製作所 | 無電解めっき前処理装置及び方法 |
| JP3866747B2 (ja) * | 2002-10-15 | 2007-01-10 | シャープ株式会社 | 太陽電池モジュール |
| US7189917B2 (en) * | 2003-03-26 | 2007-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Stacked photovoltaic device |
| JP2004342751A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Toshiba Corp | Ｃｍｐ用スラリー、研磨方法、および半導体装置の製造方法 |
| JP2005150614A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Sharp Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP4456107B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2010-04-28 | シャープ株式会社 | 光電変換装置および光電変換装置用基板 |
| US7709360B2 (en) * | 2004-06-07 | 2010-05-04 | Imec | Method for manufacturing a crystalline silicon layer |
| US20060130891A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-06-22 | Carlson David E | Back-contact photovoltaic cells |
| US20090107545A1 (en) * | 2006-10-09 | 2009-04-30 | Soltaix, Inc. | Template for pyramidal three-dimensional thin-film solar cell manufacturing and methods of use |
| US20080178922A1 (en) * | 2005-07-26 | 2008-07-31 | Solaria Corporation | Method and system for manufacturing solar panels using an integrated solar cell using a plurality of photovoltaic regions |
| US8129278B2 (en) * | 2005-11-14 | 2012-03-06 | United Microelectronics Corp. | Chemical mechanical polishing process |
| JP2007201304A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
| US7579654B2 (en) * | 2006-05-31 | 2009-08-25 | Corning Incorporated | Semiconductor on insulator structure made using radiation annealing |
| US20080264477A1 (en) * | 2006-10-09 | 2008-10-30 | Soltaix, Inc. | Methods for manufacturing three-dimensional thin-film solar cells |
| US8637762B2 (en) * | 2006-11-17 | 2014-01-28 | Guardian Industries Corp. | High transmission glass ground at edge portion(s) thereof for use in electronic device such as photovoltaic applications and corresponding method |
| CN101246924A (zh) * | 2007-02-14 | 2008-08-20 | 北京行者多媒体科技有限公司 | 基板具有纹理表面的太阳能电池 |
| US8080726B2 (en) * | 2007-04-30 | 2011-12-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Solar cell modules comprising compositionally distinct encapsulant layers |
| US20080308146A1 (en) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| CN101855181A (zh) * | 2007-08-31 | 2010-10-06 | Csg索拉尔有限公司 | 玻璃的研磨-蚀刻纹理化 |
| US8481845B2 (en) * | 2008-02-05 | 2013-07-09 | Gtat Corporation | Method to form a photovoltaic cell comprising a thin lamina |
| US20090229663A1 (en) * | 2008-03-17 | 2009-09-17 | Nanopv Technologies Inc. | Nanocrystalline photovoltaic device |
-
2010
- 2010-11-29 US US12/955,126 patent/US20110126890A1/en not_active Abandoned
- 2010-11-30 JP JP2012542122A patent/JP2013512191A/ja not_active Withdrawn
- 2010-11-30 CN CN2010800542293A patent/CN102648530A/zh active Pending
- 2010-11-30 WO PCT/US2010/058258 patent/WO2011066516A1/en active Application Filing
- 2010-11-30 EP EP10834018.3A patent/EP2507841A4/en not_active Withdrawn
- 2010-11-30 AU AU2010324606A patent/AU2010324606A1/en not_active Abandoned
- 2010-11-30 KR KR1020127017032A patent/KR20120099744A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-11-30 TW TW099141314A patent/TW201135958A/zh unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI580654B (zh) * | 2012-09-28 | 2017-05-01 | 法國聖戈本玻璃公司 | 製造透明擴散性有機發光二極體（ｏｌｅｄ）基材之方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20120099744A (ko) | 2012-09-11 |
| CN102648530A (zh) | 2012-08-22 |
| EP2507841A1 (en) | 2012-10-10 |
| US20110126890A1 (en) | 2011-06-02 |
| WO2011066516A1 (en) | 2011-06-03 |
| JP2013512191A (ja) | 2013-04-11 |
| AU2010324606A1 (en) | 2012-06-21 |
| EP2507841A4 (en) | 2013-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201135958A (en) | Textured superstrates for photovoltaics | |
| EP1142031B1 (en) | Thin film silicon solar cell on glass having a texturing silicon dioxide layer and manufacturing method | |
| Santbergen et al. | Application of plasmonic silver island films in thin-film silicon solar cells | |
| Gao et al. | Efficient light trapping in low aspect-ratio honeycomb nanobowl surface texturing for crystalline silicon solar cell applications | |
| JP2011515866A (ja) | 太陽光発電用基板 | |
| CN102668126B (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
| EP2728623B1 (en) | Thin film solar cell and method for manufacturing same | |
| Cheon et al. | Fabrication of parabolic Si nanostructures by nanosphere lithography and its application for solar cells | |
| KR20120132525A (ko) | 미세구조의 유리 기판 | |
| CN102270688A (zh) | 一种太阳能电池 | |
| JP2009070933A (ja) | 単粒子膜エッチングマスクを有する表面微細凹凸構造体形成用基板とその製法及び表面微細凹凸構造体 | |
| Addonizio et al. | Optimization of surface morphology and scattering properties of TCO/AIT textured glass front electrode for thin film solar cells | |
| Wang et al. | Solution-processed omnidirectional antireflection coatings on amorphous silicon solar cells | |
| Park et al. | Diffused transmission and texture-induced defect with transparent conducting oxide front electrode of amorphous silicon solar cell | |
| Elmi et al. | Local Schottky contacts of embedded Ag nanoparticles in Al2O3/SiNx: H stacks on Si: a design to enhance field effect passivation of Si junctions | |
| Liu et al. | Fabrication and antireflection properties of solar cells with pyramid–nanohole texture by caesium chloride lithography | |
| JP5513963B2 (ja) | 透明導電層付き導電性基板の製造方法 | |
| Nasser et al. | Advanced light trapping interface for a‐Si: H thin film | |
| TWI525847B (zh) | 使用單層之光散射無機基板 | |
| Chambon et al. | Optical properties of porous silicon surface | |
| WO2014203817A1 (ja) | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 | |
| TW201013772A (en) | Etching liquid, silicon substrate and etching method thereof | |
| Shi et al. | Extraordinary optical absorption based on diffraction grating and rear-located bilayer silver nanoparticles | |
| Ünal et al. | Aluminum induced texturing of sandy and prism glasses: Combination of micro/nano texture with macro texture | |
| Ji et al. | A blazed grating for light trapping in a-Si thin-film solar cells |