TW201134300A - Organic light emitting diode lighting apparatus and method for manufacturing the same - Google Patents
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Description
201134300 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 所述技術概略關於發光設備。尤其,所述技術是概略 有關於一種配備有機發光二極體的有機發光二極體發光設 備以及製造其之方法。 【先前技術】 有機發光二極體可含有電洞注入電極、有機發射層及 電子注入電極。有機發光二極體可藉由當藉由電子及電洞 的麵接而在該有機發射層内電子自激態落至地態出現發射 時所產生的能量來發射光線。 有機發光二極體發光設備是利用一有機發光二極體以 作為表面光源。因此’有機發光二極體發光設備可藉由發 揮該表面光源的功能而為各種目的所運用。該有機發光_ 極體發光設備之電洞注入電極和電子注入電極的至少一者 是由可令光線通透的透明導體材料所形成。然而,該透明 導體材料具有相當高的片電阻。因此,若該透明導體材料 被用來作為電極’則會出現不必要的電壓降並且亮产變得 不均句。此外’該有機發光二極體發光設備雖為—表面光 源,然實際產生光線的有機發射層是會在眾客 s你來夕方向上發射 光線。所以,自該有機發射層所發射的光線在橫跨於該電 洞注入電極或該電子注入電極之方向上會被有效地運用' 不過在其他方向所發射的光線則遭略棄。 【發明内容】 在一特點裡 一種可改善光學效率性的 體發光設備。 有機發光二極 4 201134300 一特點裡,一種用以製造該有機發光二極體發光 設備的方法。 在另一特點裡,一種有機發光二極體發光設備,其中 例士 a有透明基板主體,此者具有複數條經形成於其上 的槽線,一輔助電極,此者係經形成於該等複數條槽線之 至少一者内;一第一電極,此者係經形成於該基板主體上, 藉以接觸3亥輔助電極;一有機發射層,此者係經形成於該 第電極上,以及一第二電極,此者係經形成於該有機發 射層上。 在—些實施例裡’該輔助電極具有約2/im至約1〇〇^m 辄圍内的厚度。在一些實施例裡,該等複數條槽線具有小 於該基板主體之厚度約5〇%的深度。在一些實施例裡,該 輔助電極具有約1μΐΏ至約5〇μηι範圍内的寬度。在一些實 把例裡’该辅助電極的整體面積不超過該有機發射層之實 際發射面積的約15%。在一些實施例裡,該第一電極含有 一透明材料並且該第二電極含有一反射材料。在一些實施 例裡’ s玄第一電極具有小於約2〇〇nrn的厚度。在一些實施 例裡’該輔助電極含有一導體反射材料,並且該輔助電極 含有具有比起該第一電極為較低電阻的材料。在一些實施 例裡’該基板主體含有一基於玻璃之材料並且該基板主體 具有約0.2mm至約1.2mm範圍内的厚度。在一些實施例 裡’該基板主體含有一基於塑膠之材料並且該基板主體具 有約0.01 mm至約1 mm範圍内的厚度。在一些實施例裡, 該有機發光二極體發光設備進一步含有一分隔阻障肋條 層’此者係經形成於該第一電極與該第二電極之間以重最 201134300 於該輔助電極 在另一特點裡,一種用以製造該有機 …光二極體發氺 方法’“例如包含在一透明基板主體上形成複數 ,丨一於忒專複數條經形成於該基板主體上之槽線的至 ^者内形成一辅助電極;於該基板主體上形成-第一電 極,藉以接觸該辅助電極;於該第一電極上形成一有機發 射層,以及於該有機發射層丨形成一第二電極。 ★在—些實施例裡,該輔助電極具有約2μηι至約1〇〇μηι 範圍内的厚度。在—些實施例裡,該等複數條槽線具有小 於該基板主體之厚度約50%的深度。在一些實施例裡該 輔助電極具有約1μηι至約50/m範圍内的寬度。在_些實 施例禋’肖第一電極含有一透明材料並且該第二電極含有 -反射材料。在一些實施例裡’該第一電極具有小於約 200nm的厚度。在-些#施例裡,該_電極含有—導體反 射材料’並且該輔助電極含有具有比起該第一電極為較低 電阻的材料。在一些實施例裡,該等複數條槽線是藉由短 脈衝雷射或者是藉由敍刻製帛以移除部料基板主體所形 成。在-些實施例裡’該基板主體含有一基於玻璃之材料 並且該基板主體具有約〇.〇lmm至約lmm範圍内的厚度。 在一些實施例裡,該基板主體含有一基於塑膠之材料並且 該基板主體具有約〇.〇lmm至約lmm範圍内的厚度◎在一 些實施例裡1方法進-步例如包含形成一分隔阻障肋條 層,此者係經設置於該第一電極與該第二電極之間以重疊 於該輔助電極。 【實施方式】 6 201134300 在後文詳細說明細 ..僅藉由範例方式顯示並敘述邱^ 例可按各種不同方式:=士將能瞭解所述實施 範嘴。從而,在1本質ΓΓ,然所有皆未恃離本揭示之 而不且… 應將該等圖式及說明視為說明性 …η。此外’當一構件稱為位於 時,該者可直接地位於嗲另棋从认 褥件上方」 位於該另-構件的上處&者間接地 从 ^ 具間介置有一或更多中介描 。並且,當一構件稱為「連接^ a鲁 為直接地連接於該另一構件另一構件時,該者可 该另一構件的上方處而其 接也連接於 後文裡,類似參考編號”1置有一或更多中介構件。在 性實施例,鱼本件。為清晰地描述示範 ^本說明無關聯的部份經予省略,並且在全 專利案文中類似參考編 裡,元件的尺寸及厚产僅= 件。在該等圖式 .. 又僅為便於解釋之目的所顯示,而因 此忒4不乾性實施例並 明。在該等圖式裡,薄心::所敘述及顯示的說 係經誇大以利清晰顯一。曰/膜、平板、範圍等等的厚度 的厚度係經誇大以便於解釋。 層及C域 人右一 Ate及2所不,一有機發光二極體發光設備101 :有:發射:體⑴、一輔助電極170、-第-電極710、 710有;^ 720及一第二電極73〇。其中,該等第一電極 :、二發射層72。及第二電極73。組成一有機發光二極 =一〇⑽7〇。該有機發光二極體發光設備1〇1可進一步含 有一分隔阻障肋條層150。 該基板主體1U是由—透明絕緣材料所形成。實際上, 201134300 。玄基板主體111可為一由玻璃、石英 '陶瓷、塑膠等等所 製作而成的絕緣基板。該基板主體丨丨丨被劃 域^及-塾座區域PA。該基板主體⑴具有複數= 成於其上的槽線117。該等複數條槽線丨17係按各種幾何樣 式所形成’包含例如條帶樣式及/或格絡樣式。 該基板主體111可含有一基於玻璃之材料。該基板主 體111可具有約0.2mm至約1.2mm範圍内的厚度。該基板 主體111的厚度可根據該材料、處理方法、目的等等而改 變》若該基板主體1 1 1具有少於約〇.2mm的厚度,則會令 其難以穩定地支撐多個待予形成於該基板主體丨丨丨上的薄 臈。相反應地,若該基板主體ιη具有大於約12mm的厚 度,則該有機發光二極體發光設備101的整體厚度將變成 不必要地過大,故而製造成本提高並且生產力降低。不過, 該基板主體111的示範性實施例並不受限於前述說明。例 如,該基板主體111可包含基於塑膠之材料。在一些實施 例裡基板主體111可包含具有極佳抗熱性的聚酰胺 (PI)。在其中該基板主體11丨是由基於塑膠之材料所製成的 情況下’該者可具有約0.0 i mm至約1 mm範圍内的厚度。 此外,亦可形成具有彈性的有機發光二極體發光設備丨〇 i。 同時,在其中是希望依約〇_ lmm或以下之相對極微厚 度來形成該基板主體111的情況下,可藉由在一玻璃基板 上(未予圖示)自一塑膠材料形成該基板主體m,於其上形 成多個薄臈以完成該有機發光二極體發光設備1 〇 1,然後分 離邊基板主體111和該玻璃基板(未予圖示)的方式來製造 該有機發光二極體發光設備1 〇 1。 8 201134300 該基板主體1 1 1愈薄,就愈能有效地形成該有機發光 二極體發光設備101。然而,若該基板主體i丨i具有小於約 0.1mm的厚度,則會造成難以製造該有機發光二極體發光 。又備101並使彳于其難以穩定地支揮多個薄膜。相反地,若 該基板主體1 11具有大於約lmm的厚度,則該有機發光二 極體發光設備101的整體厚度會變成不必要地過大。 在一些實施例裡,該等複數條槽線117可具有小於該 基板主體111之厚度約50%的深度。若該等複數條槽線117 具有該基板主體111之厚度約50%或以上的深度則該基 板主體111 %強度可能降低。亦gp,該基板主體⑴在沿 該等槽線117上可能會容易碎裂或受損, 該辅助電極170是藉由填入該等複數條槽線117之一 或更多者所形成。該輔助電们7〇是由導體反射材料所形 成。換言之,該輔助電们7()可包含擁有低電阻並且反射 光線的金屬材料。例如,該輔助電極m可包含像是鐘叫 妈(Ca)、職化鐘(LiF/Ca)、在呂氟化鐘(LiF/Ai)、紹⑷)、銀 (Ag)鎮(Mg)或金(Ag)的材料。此外’由於該輔助電極17〇 可填入該等複數條槽線117 β,因此該輔助電極"Ο可為 在該等複數條槽線117内按各種樣式,包含例如條帶樣式 及/或格絡樣式,所形成。該輔助電極m可具有約2㈣至 2⑽㈣範圍内的厚度。在此,該厚度是特定地指稱在交 跨於該基板主冑⑴之方向上所形成的長度。並且,該輔 助電極m具有約_至約5〇_範圍内的寬度。 該輔助電極170可改盖竑笛 & 該輔助…7"且有較電極710的電氣特徵。 八有較低的薄片電阻。同時,該輔助電 201134300 有機發射層720 換言之’該輔助 所發射的 電極 170 極170可在各種方向上反射自該 一部份光線以改善光學效率性。 亦可用以從該基板主體111收集自該有機發射層720發射 至外部的光線。圖2虛線所示之箭頭表示自該有機發射層 720所產生之光線的不同路徑。按此方式,該有機發光二極 體發光設備101即可藉由該輔助電極 學效率性。 170以有效地改善光 若該輔助電極170具有小於約的厚《,則會無法 有效地改善該第-電極71〇的電氣特徵。此外,若令該輔 助電極170能夠具有大於約1〇〇μιη的厚度,則經填入為該 輔助電極170之槽、線117的深度或將為龐大。因此該基 板主體111的整體厚度可能會不必要地過大。 土 若該輔助電極17〇具有小於約1/m的寬度,則可能會 難以穩定地形成該輔助電極17〇。而若該輔助電極17〇具有 超過約50,的寬度,則實際發射光線之有效發光範圍:面 積可能會減少,同時該有機發光二極體發光設帛⑻的亮 度可能會變得不均勻。 ^ 此外’該輔助電極17〇可擁有其中其—局部為凸出於 該基板主冑1"之表面上的結構。該輔助電極17〇的凸出 局部可供敎地接觸於該第一電極71G,並且用以將該有機 發光二極體發光設備101的發射區域EA分割成多個胞格, 並連同後文所述的分離阻障肋條f 15〇。㈣,該輔助電極 1 70的不範性實施例並不受限於前文說明。因此,該辅助電 極Π0可依於該基板主體m的表面平坦地形成,而無任 何局部凸出於該基板主體nl的表面上。 10 201134300 該第一電極710可經形成於該基板主體⑴上,故而 接觸到該輔助電極170。在一些實施例裡,該第-電極710 含=一透明導體材料。該第一雜m内之透明導體材料 的範例可包含例如氧化鋼錫(IT〇)、氧化鋼辞(ιζ〇)、氧化辞 (ZnO)或氧化銦(In2〇3)。 由此一透明導體材料所製成的第一電極71〇可比起該 輔助電極170具有相對較高的電阻。亦即,該第一電極m 的面積愈大,流過該第一電極71〇的電流在該第一電極Μ 的整個區域上就會命難J;〗士、也仏. 沉f您難以成為均勻。若該有機發光二極體 發光設備1 0 1係經供螢以兮筮 # k。 货i併置以該第一電極710而無該輔助電極 170’則薄片電阻會變得愈高並因此出現電壓降。所以,對 於由經形成在該第-電们10與該第二電極頂間之有機 發射層720所發射的光線來說,該第—電極71〇的面積愈 大’整體亮度即愈加地不均勻。然而’在一示範性實施例 裡’該輔助電& m可協助讓流過該第一電# 71〇的電流 在整個區域上為均勻。換言之,該輔助電们70可彌補該 第一電極71〇的相對較低電導性,藉以避免該有機發光二 極體發光設備101之有機發射層720所發射的光線之亮度 在整個區域上變得不均勻。 此外,該第-電極71〇具有小於約2⑻nm的厚度。該 第-電極71G冑薄,該薄片電阻就會變得愈大。然而,由 於該輔助電極170可彌補該第一電極71"相當大量的薄 片電阻,因此該第-電# 71〇的厚度可令為更小。該第一 電極710 t薄’光線的穿透度就愈高,且因而能夠進一步 改善光學效率性。 11 201134300 該分隔阻障肋條層150可為在與該輔助電極17〇相重 疊的位置處形成於該第一電極710與該第二電極73〇之 間。該分隔阻障肋條層1 50可將該發射區域EA,在此區域 是由該第一電極71〇、該有機發射層72〇及該第二電極73〇 所組成的有機發光二極體實際地發射光線,劃分成多個胞 格。在其中該有機發光二極體發光設備101的一範圍裡出 現像是短路之瑕疵的情況下,該分隔阻障肋條層丨5〇可防 止此瑕疵在整個區域上擴展。此外,該分隔阻障肋條層15〇 可含有熟諳本項技藝之人士所眾知的各種絕緣薄膜,像是 氮化矽(SiNx)及氧化矽(以〇2)。 該有機發射層720可為形成於該第一電極71〇及該分 隔阻障肋條層15G之上。同時,該有機發射層720可含有 低刀子有機材料或南分子有機材料。該有機發射層72〇可 為由多個薄層所形成,纟中包含例如發射層 '電洞注入層 (HIL)、電洞傳送層(HTL)、電子傳送層(etl)及電子注入層 ⑺IL)的一或更多者。在其中該有機發射層72〇含有全部該 等薄層的情況下,該電洞注入層係經設置於該第一電極71〇 上以作為一正電極,並且接著再將該等電洞傳送層、發射 層電子傳送層和電子注入傳送層依序地堆置於言亥電洞注 入層上。 此外,經形成於該分隔阻障肋條層15〇上的有機發射 層720可無須實際地發射光線。 然而玄有機發射層720的示範性實施例並不限於前 述說明1如’該有機發射f 72G可無須形成於該分隔阻 障肋條層150上。 12 201134300 並且,該輔助電極170的整體面積可不超過該有機發 射層720之實際發射區域的約15%。由於該輔助電極17〇 可能無法傳透光線,因此若該輔助電極170的面積變得過 大‘則。玄有機發射層720實際發射光線處的有效發射區域 會變付較小,從而降低光學效率性。相反地,由於該輔助 電極170反射光線,該輔助電極17〇可在各種方向上反射 一部份自該有機發射層72〇所發射的光線,從而收集光線。 該第—電極730可為形成於該有機發射層720上。該 電極730亦可為一電子注入電極。此外,該第二電極 730可含有一反射材料。 同時,在一些實施例裡,該有機發射層720係經形成 於忒基板主體111的發射區域EA内,並且該等第一電極 71〇、輔助電極17〇和第二電極73〇中至少一者係自該基板 主體111的發射區域EA延伸至其墊座區域pA。延伸至該 基板主體U 1之墊座區域PA的電極17〇、71〇和730係經 連接至該墊座區域pA内的一外部電源。此外,圖2中雖未 顯示,然該有機發光二極體發光設備1〇1可進一步含有一 經設置於該第二電極730上的裹封組件藉以保護該有機發 射層720。此時,該裹封組件與該基板主體111之間的空間 係經嵌封。 ^忒裹封組件可經形成為一含有玻璃、石英、陶瓷、塑 膠等等的絕緣基板,或為一由不銹鋼等等所製成的金屬基 板此外,該裹封組件可為由至少一有機或無機薄膜所形 成,或者為含有至少一無機薄膜及至少一有機薄膜而經堆 置合一的裹封薄膜所形成。 13 201134300 在前述實施例的一些組態裡,該有機發光二極體發光 設備1 〇 1可有效地改善光學效率性。 現將參照於圖3至6以說明一種製造根據一示範性實 施例之有機發光二極體發光設備1〇1的方法。首先,即如 圖3所示,複數條槽線1 1 7是藉由短脈衝雷射或者是藉由 蝕刻製程以移除部份的基板主體丨丨丨所形成。在此,該基 板體hi疋由基於玻璃之材料或基於塑膠之材料所形 成並且,该荨複數條槽線1 1 7具有小於該基板主體i η 之厚度約5 0 %的深度。 其次,即如圖4所示,該基板主體lu的複數條槽線 11 7係、填入以一導體反射材料俾形成一輔助電極17 〇。在 此,該導體反射材料係一具有相當低度電阻並且反射光線 的金屬材料。該輔助電们7G之—局部為凸出於該基板主 體ill的表面上。 接著’即如圖5所示,一第一電極710係經形成於該 基板主體111上藉以接觸到該輔助電極17〇。該第一電極 710是由一透明導體材料所形成,並且比起該輔助電極17〇 具有相對較高的電阻。此外,該第—電極m纟有小於約 200nm的厚度。 然後,即如圖6所示’一分隔阻障肋條層15〇係在重 疊於該輔助電極170的位置處形成於該第—電極71〇上。 該分隔阻障肋條層150,連同該第—電極71〇的投射局部, 將-發射區域EA分割成多個胞格。並進_步,該分隔阻障 肋條層150是由像是氮化石夕(抓)及氧化石夕(Si〇2)的絕緣薄 膜所形成。 14 201134300 接著,循序地形成一有機 係,藉以製造根據目2所示之亍二72°及一第二電極730 極體發光設備⑻。 Μ性實施例的有機發光二 藉由此一製造方法,即 1Λ, 有政地製造該有機發光二極 體發先设備1〇1的一些實施 曰Α 例並擁有獲改善的光學效率性。 現參照圖7,其中討論根攄太 據本發明的實驗性範例以及多 項比較性粑例。圖7為一顯千山α 、、’頁不出根據一實驗性範例和多項 比較性範例之亮度分佈的圖式。 」之有機發光二極體發光設備 此者是由鋁質(Α1)所製成並且具 部份係經埋覆於一基板主體111 一根據「實驗性範例 101含有一辅助電極170, 有約5μιτι的厚度,至少其一 之内,以及一第一電極710,丨士本a丄 电 υ此者是由ITO所形成且具有約 1 ΟΟμπι的厚度。 另-方面,-根據「比較性範例i」之有機發光二極體 發光設備101貝,丨不含輔助電極,而含有一由ΙΤ〇所形成並 具有約200μηι厚度的第一電極。此外,一根據「比較性範 例2」之有機發光二極體發光設備1〇1含有一由鋁質(A】)所 製成並且具有約1 μΐΏ厚度的輔助電極i 70,此者係經緊鄰 形成於一基板主體111之上,亦即並未被埋覆於該基板主 體内;以及一第一電極,此者是由IT〇所形成並且具有約 200μηι的厚度。 即如圖7所示’可自「實驗性範例1」觀察到該第一電 極7 1 0雖具有相當微小的厚度’然此者展現出最為均勻的 亮度分佈。 同時,在「實驗性範例1」裡’該薄片電阻值,亦即該 15 201134300 輔助電極170和該第一電極710的整體薄片電阻,為0.0095 歐姆/平方(〇hm/sq)。而相對地,「比較性範例!」和「比較 性範例2」則顯示出薄片電阻值分別為i〇〇hm/sq及〇 〇474 Ohm/sq。即如前述,可觀察到根據一示範性實施例的「實 驗性範例1」具有比起「比較性範例i」和「比較性範例2」 為遠低的薄片電阻。 熟諳本項技藝之人士將能瞭解確能著手進行各種修改 及變化而不致悖離本揭示範疇。熟諳本項技藝之人士亦將 能瞭解經納入於一實施例的許多部份可與其他的實施例互 換;來自其一所述實施例之一或更多部份可依任何組合之 方式納入於其他的所述實施例。例如,本揭敘述及/或圖式 描,會之任何各種元件皆可加以合併、互換或排除於其他實 施例。對於本揭所使用的大致所有複數及/或單數詞彙而 言’熟諸本項技藝之人士將能依情境及/或應㈣目的適當 情況而定自複數轉換成單數’且/或自單數轉換成複數。各 種單/複數變換在此可為簡潔之目的而顯明表述。同時,本 揭示雖既已描述多項示範性實施例,然應瞭解本揭示範略 ^二限於4等所揭不實施例;而相反地,所欲者係為涵 蓋…後載申請專利範圍及其等同項之範 改與等同排置方式。 裡^ 【圖式簡單說明】 併同於隨附圖式,將能自本案 利範圍以完整心^ W及後栽申請專 ϋ知本揭不的特性。將能瞭解該 禮7些根據本揭示的實施例’且因而不應視為限: ,本揭不將透過利用該等隨附圖式依額外的特定性與: 16 201134300 節加以說明。一根據部份所揭示之實施例的設備可具備多 貝特點’然此等特點中無一者必然地單獨涵蓋該設備的所 欲屬性。在考量本討論案文之後,並且尤其是在閱讀過標 題為「實施方式」乙節後,將隨能瞭解該等所述特性如何 用以解釋部份的本揭示原理。 圖1為一根據示範性實施例之有機發光二極體發光設 備的佈置視圖; 圖2為沿直線π_π所採切的截面視圖; “圖3至6為截面視圖,其中循序地顯示圖1之有機發 光二極體發光設備的製造程序;以及 圖7為一其中顯示根據一實驗性範例及多個比較性範 例之亮度分佈的圖式。 【主要元件符號說明】 70 有機發光二極體 101 有機發光二極體發光設備 111 基板主體 117 槽線 150 分隔阻障肋條層 170 輔助電極 710 第一電極 720 有機發射層 730 第二電極 ΕΑ 發射區域 ΡΑ 墊座區域 17
Claims (1)
- 201134300 七、申請專利範圍: 1 ·—種有機發光二極體發光設備,其中包含: 一透明基板主體,此者具有複數條形成於其上的槽線; 輔助電極,此者係形成於該等複數條槽線之至少一 者内; 第電極,此者係形成於該基板主體上,藉以接觸 該輔助電極; 一有機發射層,此者係形成於該第一電極上;以及 第一電極’此者係形成於該有機發射層上。 2·如申請專利範圍第丨項所述之有機發光二極體發光 °又備其中该辅助電極具有約2μιη至約1〇〇μπι範圍内的厚 度。 3·如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體發光 設備,其中該等複數條槽線具有小於該基板主體之厚度約 50%的深度。 4·如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體發光 設備,其中該辅助電極具有約1μπ1至約5〇μιη範圍内的寬 度。 5. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光二極體發光 設備’其中該輔助電極的整體面積不超過該有機發射層之 實際發射面積的約1 5 %。 6. 如申睛專利範圍第4項所述之有機發光二極體發光 設備’其中該第一電極含有一透明材料並且該第二電極含 有一反射材料。 7. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光二極體發光 18 201134300 °又備其申该第一電極具有小於約200nm的厚度。 # 8.M請專利範圍第1項所述之有機發光二極體發光 Tit人其中該輔助電極含有一導體反射材料,並且該輔助 。3有具有比起該第一電極為較低電阻的材料。 士中凊專利範圍帛!項所述之有機發光二極體發光 設備’其中該基板主體含有—基於玻璃之材料並且該基板 主體_有約〇 2mm至約丨2mm範圍内的厚度。 a 1〇.如中請專利範圍第1項所述之有機發光二極體發光 ^中4基板主體含有一基於塑膠之材料並且該基板 主體”有@ 0 0 i mm至約i麵範圍内的厚度。 ^ 11·如中請專利範圍第Μ所述之有機發光二極體發光 設備,其進一步含有一分隔阻障肋條層,此者係形成於該 第一電極與該第二電極之間以重疊於該輔助電極。 12·種用以製造該有機發光二極體發光設備的方法, 該方法包含: 在一透明基板主體上形成複數條槽線; 於該等複數條經形成於該基板主體上之槽線的至少一 者内形成一輔助電極; 於該基板主體上形成一第一電極,藉以接觸該輔助電 極; 於該第一電極上形成一有機發射層;以及 於該有機發射層上形成一第二電極。 13. 如申晴專利範圍第12項所述之方法,其中該輔助電 極具有約2μιη至約i〇〇gm範圍内的厚度。 14. 如申請專利範圍第1 3項所述之方法,其中該等複數 19 201134300 條槽線具有小於該基板主體之厚度約5〇%的深度。 15.如申請專利範圍第13項所述之方法,其中該輔助電 極具有約ΙμΐΏ至約50/xm範圍内的寬度。 1 6.如申請專利範圍第丨5項所述之方法,其中該第一電 極含有一透明材料並且該第二電極含有一反射材料。 1 7 ·如申β青專利範圍第丨6項所述之方法,其中該第一電 極具有小於約200nm的厚度。 18. 如申請專利範圍第12項所述之方法,其中該輔助電 極含有-導體反射材料,並且該輔助電極含有具有比起該 第一電極為較低電阻的材料。 19. 如申请專利範圍第12項所述之方法,其中該等複數 條槽線是藉由短脈衝雷射或者是藉由飯刻製程以移除部份 的基板主體所以形成。 2〇.如申請專利範圍第12項所述之方法,其中該基板主 體含有-基於玻璃之材料並且該基板主體具有約〇〇1麵 至約1mm範圍内的厚度。 21. 如申請專利範圍第12項所述之方法,其中該基板主 體含有-基於塑膠之材料並且該基板主體具有約〇〇1_ 至約1 mm範圍内的厚度。 22. 如申請專利範圍第12項所述之方法,其進一步包含 形成-分隔阻障肋條層,此者係經設置於該第一電極H 第二電極之間以重疊於該輔助電極。 〆 八、圖式: (如次頁) 20
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