CN102376895A - Oled照明基板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种OLED照明基板及其制造方法，所述OLED照明基板包括基板，所述基板上依次设置有阳极、有机功能层和阴极,其中，所述基板和阳极之间设有电阻层，所述电阻层划分成多个块状电阻，所述阳极被分割成多个子阳极，每个子阳极和一个块状电阻相串联，多个块状电阻通过互联线相连在一起。本发明提供的OLED照明基板及其制造方法，通过在电源和阳极之间加入串联电阻层，从而起到了电流限制的作用，整块大面积的阳极被分割为较小面积的子阳极，被电阻隔离的阳极，产生的汇聚电流强度会减弱，减弱了电流聚集效应，减少阴阳极短路机率，从而解决电极容易被烧坏，以及发光不均匀的问题。

Description

OLED照明基板及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种照明基板及其制造方法，尤其涉及一种OLED照明基板及其制造方法。

背景技术

近年来，已经开发出重量轻且体积小的各种类型的平板照明装置。在各种类型的平板照明装置中，由于有机发光二极管（OLED）来照明，通常具有能耗低，能平面化，大型化等诸多优点，已经成为下一代照明装置的焦点。

图1A为现有的有机发光二极管照明装置的像素结构示意图，现有OLED照明器件一般包括基板1和后盖2，其中，基板1上沉淀有阳极3，阳极3上设有非常薄的多层有机功能层4，以及位于有机功能层4上的阴极5。OLED发光的原理就是通过在阴极5，阳极3之间加直流电驱动而使有机功能层4发光，如图1B所示。

现在技术中，基板1上的阳极3采用直接蒸镀或沉淀形成整体的大面积阳极，此类方法虽然简单，但是现有技术中的阳极会使得电流聚集时产生很大的电流强度，并进一步带来较强的电流聚集效应，产生的大电流导致电极被烧坏，发生阴阳极短路和发光不均匀等问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种OLED照明基板及其制造方法，可有效解决大电流导致的电极被烧坏，发生阴阳极短路以及发光不均匀等问题。

本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种OLED照明基板，包括基板，所述基板上依次设置有阳极、有机功能层和阴极,其中，所述基板和阳极之间设有电阻层，所述电阻层划分成多个块状电阻，所述阳极被分割成多个子阳极，每个子阳极和一个块状电阻相串联，多个块状电阻通过互联线相连在一起。

上述的OLED照明基板，其中，所述多个块状电阻为矩形块状电阻，所述矩形块状电阻的宽度为1纳米～1米，长度为1纳米～1米。

上述的OLED照明基板，其中，所述多个子阳极为矩形块状子阳极，所述矩形块状子阳极大小和所述矩形块状电阻大致相同。

本发明为解决上述技术问题还提供一种上述OLED照明基板制造方法，包括如下步骤：提供一基板，并在该基板上沉积第一金属层和第一光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成电源的互联线图形和电源接线端子；在刻蚀后的第一金属层上继续沉积第一绝缘层和第二光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成接触孔图形；在刻蚀后的第一绝缘层上继续沉积形成电阻层和第三光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成多个块状电阻层图形；在刻蚀后的电阻层上继续沉积形成第二绝缘层和第四光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成通孔图形；在刻蚀后的第二绝缘层继续沉积形成阳极层和第五光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成多个块状阳极层图形；最后在刻蚀后的阳极层上依次形成有机功能层和阴极覆盖在阳极上，形成OLED照明基板。

上述的OLED制造方法，其中，所述第一金属层材料为钼钨、钼铝钼或镁银合金。

上述的OLED制造方法，其中，所述第一绝缘层材料为二氧化硅、氮化硅或正硅酸乙酯。

上述的OLED制造方法，其中，所述电阻层材料为多晶硅或氧化铟锡。

上述的OLED制造方法，其中，所述阳极层材料为氧化铟锡或镁银合金。

本发明对比现有技术有如下的有益效果：本发明提供的OLED照明基板及其制造方法，通过在电源和阳极之间加入串联电阻层，从而起到了电流限制的作用，整块大面积的阳极被分割为较小面积的子阳极，被电阻隔离的阳极，产生的汇聚电流强度会减弱，减弱了电流聚集效应，减少阴阳极短路机率，从而解决电极容易被烧坏，以及发光不均匀的问题。

 

附图说明

图1A为现有的有机发光二极管照明装置的像素结构示意图；

图1B为现有的有机发光二极管照明装置的像素等效电路示意图；

图2为本发明的电阻驱动有机发光显示装置结构示意图；

图3为本发明的电阻驱动有机发光显示装置的像素等效电路示意图；

图4为本发明的OLED照明基板制造方法示意图。

图中：

1 基板               2 后盖                3 阳极

4 有机功能层          5 阴极

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。

图2为本发明的电阻驱动有机发光显示装置结构示意图；图3为本发明的电阻驱动有机发光显示装置的像素等效电路示意图。

请参见图1～图3，本发明的OLED照明基板包括基板1，所述基板1上依次设置有阳极3、有机功能层4和阴极5,其中，所述基板1和阳极3之间设有电阻层，所述电阻层划分成多个块状电阻，所述阳极3被分割成多个子阳极，每个子阳极和一个块状电阻相串联，多个块状电阻通过互联线相连在一起。

图2中电阻驱动有机发光显示装置101由OLED照明像素102的列阵构成。所有的OLED照明像素102均连接到第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS。电阻器件与OLED器件串联后分别连接到第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS。由于串联电阻的电流限制作用，使得该短路的OLED像素器件不会影响到其他OLED像素器件的正常工作，极大的提高了整个OLED照明器件的良率和可靠性。减弱了电流汇聚效应，减少阴阳极容易短路，电极容易被烧坏，以及发光不均匀的问题。

图4为本发明的OLED照明基板制造方法示意图。

请继续参照图4，本发明的OLED照明基板制造方法包括如下步骤：

步骤S401：在基板上采用溅射或者其他方法沉积形成第一金属层，所述基板为绝缘基板，如玻璃基板；第一金属层可选钼钨，钼铝钼，镁银合金等材料；在第一金属层上涂敷第一光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成电源互联线图形和电源接线端子，互联线图形可以为网格状，条状，或者其他任意形状；原来的电源接线端子现在要在互联线层上实现；进入步骤S402；

步骤S402，在刻蚀后的第一金属层上继续形成第一绝缘层，第一绝缘层可选二氧化硅，氮化硅，正硅酸乙酯（TEOS）等；所述第一绝缘层完全覆盖互联线，在第一绝缘层上涂覆第二光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成接触孔图形，接触孔图形形状为任意形状；进入步骤S403；

步骤S403，在刻蚀后的第一绝缘层上继续形成电阻层，电阻层可选用多晶硅，氧化铟锡等；刻蚀电阻层之前涂覆第三光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成多个块状电阻层图形，电阻层图形通过接触孔图形和电源互联线图形相连；电阻层图形优选为矩形块状，矩形块状电阻的线宽范围为1纳米～1米，电阻的线宽设计的越小则电阻的阻值就越大，通过电阻的电流就越小，矩形块状电阻的长度范围为1纳米～1米，电阻的长度设计的越大则电阻的阻值就越大，通过电阻的电流就越小；对于底发射技术，矩形块状电阻的面积设计可以增加发光材料的发光面积；进入步骤S404；

步骤S404，在刻蚀后的电阻层上继续形成第二绝缘层；第二绝缘层选用材料与第一绝缘层情况相同，在第二绝缘层上涂覆第四光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成通孔图形，通孔图形形状为任意形状；进入步骤S405

步骤S405，在刻蚀后的第二绝缘层继续上形成阳极层；阳极层可选用氧化铟锡，镁银合金等；所述阳极层通过通孔图形和电阻层相连；刻蚀阳极材料层之前涂覆第五光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成多个块状阳极层图形，阳极层图形形状优选为多个矩形块状子阳极，矩形块状子阳极大小优选和矩形块状电阻大小大致相同；进入步骤S406；

步骤S406，在刻蚀后的阳极层上依次形成有机功能层和阴极覆盖在阳极上，形成OLED照明基板。

将OLED照明基板与后盖封合，形成OLED照明器件。

综上所述，现有技术的OLED照明器件中基本上通过蒸镀或沉积形成整体的阳极，但是形成的整块大面积的阳极上往往会出现电流聚集效应，聚集后的大电流进而极易导致电极被烧坏，发生阴阳极短路和发光不均匀等问题。电流聚集效应的产生原因，一是在阴阳极形成过程中容易存在微缺陷，而微缺陷会直接诱导电流聚集，二是阴极和阳极电流采用整体设计，导致阴极和阳极的连续面积较大，阴极和阳极的电阻相对较小，一旦整个阳极上的电流聚集，形成的汇聚电流强度过大。微缺陷是难以完全避免的。基于此，本发明通过将电阻串联在电源互联线和阳极之间，将整个阳极细分，电阻起到了电路限制和隔离OLED照明像素的作用，减弱了电流汇聚效应和强度，减少阴阳极容易短路，从而解决电极容易烧坏，以及发光不均匀等问题。即使某个OLED像素器件内部发生短路，由于串联电阻的电流限制作用，使得该短路的OLED像素器件不会影响到其他OLED像素器件的正常工作，极大的提高了整个OLED照明器件的良率和可靠性。

虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims (8)

1.一种OLED照明基板，包括基板（1），所述基板（1）上依次设置有阳极(3)、有机功能层（4）和阴极（5）,其特征在于，所述基板（1）和阳极(3)之间设有电阻层，所述电阻层划分成多个块状电阻，所述阳极(3)被分割成多个子阳极，每个子阳极和一个块状电阻相串联，多个块状电阻通过互联线相连在一起。

2.如权利要求1所述的OLED照明基板，其特征在于，所述多个块状电阻为矩形块状电阻，所述矩形块状电阻的宽度为1纳米～1米，长度为1纳米～1米。

3.如权利要求2所述的OLED照明基板，其特征在于，所述多个子阳极为矩形块状子阳极，所述矩形块状子阳极大小和所述矩形块状电阻大致相同。

4.一种如权利要求1所述的OLED照明基板制造方法；其特征在于，所述方法依次包括如下步骤：

提供一基板，并在该基板上沉积第一金属层和第一光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成电源的互联线图形和电源接线端子；

在刻蚀后的第一金属层上继续沉积第一绝缘层和第二光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成接触孔图形；

在刻蚀后的第一绝缘层上继续沉积形成电阻层和第三光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成多个块状电阻层图形；

在刻蚀后的电阻层上继续沉积形成第二绝缘层和第四光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成通孔图形；

在刻蚀后的第二绝缘层继续沉积形成阳极层和第五光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成多个块状阳极层图形；

最后在刻蚀后的阳极层上依次形成有机功能层和阴极覆盖在阳极上，形成OLED照明基板。

5.如权利要求4所述的OLED照明基板制造方法；其特征在于，所述第一金属层材料为钼钨、钼铝钼或镁银合金。

6.如权利要求4所述的OLED照明基板制造方法；其特征在于，所述第一绝缘层材料为二氧化硅、氮化硅或正硅酸乙酯。

7.如权利要求4所述的OLED照明基板制造方法；其特征在于，所述电阻层材料为多晶硅或氧化铟锡。

8.如权利要求4所述的OLED照明基板制造方法；其特征在于，所述阳极层材料为氧化铟锡或镁银合金。

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