TW201120006A - Orgaic electroluminescent device and carbazole compound - Google Patents

Description

201120006 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種含有具特定結構之十坐化合物的 有機電激發光兀件’特別是有關於藉由濕式 歹 材料之有機電激發光元件。 【先前技術】 利用有機材料之元件（device)中 電激發光元件（以下稱為QLED)之研究。特 ，電激發光元件作為固態發光型大面積全彩顯示元件或^ :激發光元件由包含發光層之有機:合=及兄= 機化合物層之-對對向電極而構成 ^夾持翁 光元件施罐’則自陰極將電 電洞注入至有機化合物層。該電 式放出，由此而獲得發光。 吁將他篁以光之形 1 = Ϊ使用有機材料之元件中，自先前以來是藉由真 i 二ί作真#空蒸鍍製__有如下之問 中使用極大的能量。另-方面，濕式製轉程土 2 用濕式製膜製程製 量的研究’但存在與真空蒸鍍相比而言不能獲得二 201120006 定性高的有機元件等問題。特 件，提出了使用高分子系材料發光元 式。高分子系材料容易藉由濕式製 ==:7成良好之膜=常= 件:但存丄並製作有機元 利文獻3:_讀 『^知::化合物是賦予有機電激發光元件較高 φΓ廄：止’雖然報告了應用於濕式製膜製程 二應2例，但存在並未獲得充分之性能的情況（專利文 獻4)。特別是賴有報告為了提高溶解度祕料骨架之 3位與6位中導人蚊取代基之化合物，但存在並未獲得 充分之性能的情況（非糊錄4、專敎獻5)。而且， 報告了於啊骨架導人有三笨甲基㈤tyl)之化合物，但 於此情形_存在並未輕料之絲的情況（專利文獻 6) ° 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1:曰本專利特開2006_176699號公報 專利文獻2 :日本專利特開2〇〇7_2844〇8號公報 專利文獻3 :美國專利7,285,432號公報 專利文獻4 :日本專利特開2〇〇7_67383號公報 6 201120006 專利文獻5:日本專利特開2004-311410號公報 專利文獻6 :日本專利特開2008-1621號公報 非專利文獻 非專利文獻 1 ·· Organic Electronics，第 10 卷，第 189 頁，2009年 非專利文獻 2 . Organic Electronics，第 10 卷，第 581 頁，2009年 非專利文獻 3 ’ Journal 〇f Material Chemistry，第 18 卷，第1799頁，2008年 非專利文獻4 : Macromolecules，第33卷，第801頁， 2000 年 【發明内容】 發明之目的在於提供—種有機電激發光元件，戶) =電激發光藉即使於高溫、高濕之環境下隨時卿 Ί不出較狀效率，且驅動時初始之發光亮度降伯 二述提供—種優異之有機f激發光元件用組成彩 =電組成物可藉由濕式製膜二 率:：動二：^ 二ί濕Γ境下隨時間經過後亦顯 赛於上述狀況’本發明人進行了積極=: 201120006 ，由，用具有特定取代基之十坐化合物’可實現即使於高 ’皿、南濕之環境下隨時間經過後亦顯示出非常高之效率的 有機=件。本發明人等更發現了本發明之咔唑化合物適於 濕式製膜製程’且發賴由使用包含射唾化合物之有機 電2發光7L件用組成物，可提供即使於高溫、高濕之環境 下1^時間經過後亦顯示出較高之效率的有機電激發光元 件。另外，獲得了如下之知識見解：藉由經過濕式製膜塗 佈而進行製造，可實現即使於高溫、高濕之環境下隨時間 經過後亦顯示出非常高之效率的有機元件、特別是驅動時 初始之發光亮度降低較小之有機元件，基於該知識見解進 一步進行研究從而完成本發明。 用以解決所述課題之方法如下所述。 [1] 一種組成物’所述組成物是用於有機電激發光元件之 組成物’該有機電激發光元件在基板上具有一對電極以及 在該電極間具有包含發光層的至少一層有機層，其特徵在 於·所述組成物含有下述通式（1)所表示之化合物， 通式（1) [化1]

8 201120006. (於通式⑴巾’Αη表巧基録 八 別獨立地表示氫原子或取代臭，β ” 土， ！〜R8勿 示下述取代基⑺；糾，之至少—個以上表 之情形時，_R6表示不同之d6均f示取代基⑺ 取代基（2) ^ ； [化2]

R*m C——R \ 10 (於通式（2)中，R9、R基、芳基、或雜芳基，R9、Riq及;f 刀別獨立地表示燒日R、R月T? 及心1中之至少一個為烷基， ^;R置。)及Rll並不同時均表示相同之取代基；波線表示 [2] 如[1]所述之組成物 R3為所述取代基（2)。 [3] 其特徵是於所述通式（！） 中， 如[1]或[2]所述之組成物， 表示之化合物為下述通式（3) [化3] 其特徵是所述通式（1 所表示之化合物， 所 201120006

17 η ⑶ (於通式（3)中，Ar2表示关其 分別獨立地表示氫原子或取代基，&基；Rl6〜R23 上表示上述取代基⑺；另外，於R 16二23之至少一個以 ⑴之情_，Rl8# ^表、^、R21均表示取代基 以上之整數21表不不同之取代基^表示2 [4] 如[3]所述之組成物，其特徵是 Ar2表示伸苯基或伸料基。 W通式（3)中’ [5] 如[3]或[4]所述之組成物，苴 中，η為2。 、特徵疋於所述通式⑴ [6] 一種有機電激發光元件，所

板上具有-對f極以及在該電7機電激發光元件在基 -層有機層，其特徵在於：所有包含發光層的至少 〜f5j令所記载之以通式⑴〜、層之任意層包含如[1J 通式（3)之任意通式所表 201120006 示之化合物。 [7] 如[6]所述之有機電激發光元件，其特徵是所述發光層 包含如[1]〜[5]中所記載之以通式（丨）〜通式（3)之任意 通式所表示之化合物以及磷光發光材料。 [8] 如[7]所述之有機電激發光元件，其特徵是所述鱗光發 光材料是銥(Ir)錯合物或鉑(Pt)錯合物。 [9] 如[6]所述之有機電激發光元件，其特徵是任意的所述 有機層是使用如[1]〜[5]中任一項所述之組成物而形成。 [10] 如[6]所述之有機電激發光元件，其特徵是任意的所述 有機層是使用如[1]〜[5]中任一項所述之組成物，藉由濕式 製膜而形成。 曰 [11] 如[10]所述之有機電激發光元件，其特徵是所述濕式 製膜選自塗佈法、喷墨法、喷塗法。 [12] 一種製造方法，其特徵在於：使用下述通式（4)所表 示之化合物而製造下述通式（3)所表示之化合物， [化4] 11 201120006

以上之/數1 R—R21表示不同之心表n: [化5]

中’Ri〜Rs表示氫原子或取代基， R ^ ^個以上表示上述取代基（2);另外， 3與6均表示取代基⑺之情形時，心與！^表示不 12 201120006 之取代基）。 [13] 一種味。坐化合物，所述叶°坐化合物以下述結構式所表 [化6]

[發明之效果] 藉由本發明，提供一種組成物、化合物之製造方法及 其製造中間體，所述組成物、化合物之製造方法及其製造 中間體可提供即使於高溫、高濕之環境下隨時間經過後亦 顯示出較高之效率，且驅動時初始之發光亮度降低較小之 有機電激發光元件。而且，可提供一種使用了所述組成物、 化合物之製造方法及其製造中間體的有機電激發光元件。 【實施方式】 以下，對本發明加以詳細說明。另外，於本說明書中， 」^不包含其碰所記載之數值分卿為最小值及最 大值的範圍。 [有機電激發光元件用組成物] 本發明之有機電激發g件驗錢是祕有機電激 13 20112000$ 發光元件之組成物，該有機電激發光元件在基板上具有一 對電極以及在該電極間具有包含發光層的至少一層有機 層，所述有機電激發光元件用組成物含有下述通式（1)所 表示之化合物。 通式〇)所表示之化合物由於在咔唑基上具有特定取 代基之結構特徵，而非晶質性高，可於短時間内形成缺陷 少之膜，作為高性能元件，即使於高溫、高濕之環境下隨 時間經過後亦顯*出較高之效率，且特別是獲得於驅動時 初始之發光亮度降低較小之效果。 (通式〇)所表示之化合物） [化7]

〇 FU

之It形時’ R3與尺6表示不同之取代基） 4滩方基。:^〜^分 Rs之至少一個以上表 心均表示取代基（2) 取代基（2)[化8] 20112000$

(於通式⑴中’R9、Riq、Rii分別獨立地表示烧基、 方土、或雜芳基，R9、Ri〇、Ru中之至少一個為烧基，且 R9、R1G、並不同時均表示相同之取代基。波線表示鍵 結位置。） 氫原子亦可為氘原子。

Ri〜R·8所表示之取代基可列舉下述取代基群組v。 <取代基群組v> 可列舉：碳數為丨〜18、較佳為碳數為丨〜1〇、更佳為 碳數為1〜5之未經取代之烷基（例如甲基、乙基、正丙基、 正丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、 壬基）’碳數為1〜30、較佳為碳數為〗〜]〇、更佳為碳數 為1〜10之經取代之烷基{例如三苯基曱基、三氟甲基、 苄基、羧乙基、乙氧基羰基曱基、乙醯基胺基曱基，且於 此處碳數為2〜18、較佳為碳數為3〜1〇、更佳為碳數為3 〜5之不飽和烴基（例如乙烯基、乙炔基、〗·環己烯基、 次苄基、苯亞甲基）亦包含於經取代之烷基中丨；碳數為6 〜30、較佳為碳數為6〜20、更佳為碳數為6〜15之經取 代或未經取代之芳基（例如苯基、萘基、對羧基苯基、對 硝基苯基、3,5-二氯苯基、對氰基苯基、間氟苯基、對曱 15 201120006 苯基、4-丙基環己基_4L聯苯基、4_丁基環己基_4，聯 4-戊基裱己基-4’-聯笨基、4_丙基苯基_2•乙炔基冲 基）；碳數為1〜2G、較佳為碳數為2〜1()、更佳為= 4〜6之經取代或未經取代之雜芳基（例如N_，唑…、 咔嗤基、2-。比咬基、5_甲基_3_n比咬基、2喧吩基、=夂 基N_嗎啉基（morpholino )、四氫呋D南， ⑽ahydr〇furfuryl)、已^ s ^基）；鹵素原子二基 叙么肩、峨、氣）；氰基；竣基；磷酸基；石黃基；.’如 =二〇、較佳為碳數為2〜8、更佳為碳數為“， =(例如甲基胺甲醯基、乙 之胺 及數為〇 10、較佳為碳數為2〜8 ) =〜5之胺磺醯基(例如甲基胺磺酿基》 Ϊ數=_胺麵基）；硝基；碳數為1〜aC 厌數為1〜10、更佳為碳數 車乂佳為 乙氧基、备甘 錢基（例如甲氣其、 較佳μ二氧氧基、2·苯基乙氧基);碳數為6 ΙίίΪ為6〜12、更佳為碳數為6〜!〇之芳Λ ，本氧基、對甲基苯氧基、對氯、之^氣基（例 二、較佳為碳數為2〜12、更佳“ 2〇，碳數為 (例如乙酿基、苯甲醯義、更佳為反數為2〜8之酿 較佳為碳數為2叫"二氯乙醯基);碳數為Μ。、 乙醯氧基、佳為碳數為2〜8之醯氣義 、 土本甲醯氧基）；碳數為1〜川、鉍办虱基（例如 〜、更料碳數為2〜8 I’ 4碳數為 、較佳為碳數之:=(=，胺基)； 基(例”•基、乙•基、Ϊ:二為丨〜8 ’碳數為 201120006. 1〜20、較佳為碳數為ι〜10、更佳為碳數為i〜8之亞確 醯基（例如曱亞磺醯基、乙亞磺醯基、苯亞磺醯基）；碳數 為1〜20、杈佳為碳數為1〜1〇、更佳為碳數為丨〜8之磺 醯基胺基（例如甲磺醯基胺基、乙磺醯基胺基、苯磺醯基 胺基）； 碳數為〇〜20、較佳為碳數為〇〜12、更佳為碳數為〇 〜8之經取代或未經取代之胺基（例如未經取代之胺基、 曱基胺基、二甲胺基、节基胺基、笨胺基、二苯基胺基）； 碳數為0〜15、較佳為碳數為3〜1〇、更佳為碳數為卜6 之銨基（例如三甲基銨基、三乙基銨基）；碳數為〇〜15、 較佳為碳數為1〜10、更佳為碳數為丨〜6之肼基（例如三 :基肼基：)；碳數為1〜。、較佳為碳數為丨〜丨。、更佳為 石厌數為1〜6之脲基（例如脲基、N，N_二曱基脲基）；碳數 為1〜15、較佳為碳數為1〜1〇、更佳為碳數為之亞 胺基（例如琥賴亞胺基）；碳數為丨〜2()、較佳為碳數為 1〜12、更佳為碳數為丨〜8之烷硫基（例如甲硫基、乙硫 基：丙硫基）；碳數為6〜8〇、較佳為碳數為6〜4〇、更佳 為，，為6〜3G之芳硫基（例如笨硫基、對曱基苯硫基、 對氯苯硫基、2·_基硫基、1_萘基硫基、2_萘基硫基、 4其丙基環己基_4，_聯苯基硫基、4_ 丁基環己基_4，_聯苯基硫 基=戊基環己基木聯苯基硫基、4•丙基苯基·2_乙快基本 聯^基硫基）；碳數為Η0、較佳為碳數為卜仙、更佳 ，厌數為1〜3〇之雜芳基硫基（例如之』比咬基硫基、3_。比 唆基硫基、4-吼《定基硫基、2_啥琳基硫基、2•嗅鳴基硫基、 17 20112000$ 2-吡咯基硫基）； 碳數為2〜2G、較佳為碳數為2〜12、更佳為碳數為2 〜8之燒氧基減（例如ψ氧基錄、乙氧基麟、2节 氧幾基）；碳數為6〜2G、較佳為碳數為6〜12、更佳為礙 數為6〜1G之芳氧基緩基（例如苯氧絲基）。該些取代基 群組V亦可取苯環或萘環縮合而成之結構。另外，於該些 取代基上，亦可進一步取代選自取代基群組V之任意取代 基。 ——Ri〜Rs較佳為氫原子、烷基、芳基、雜芳基、烷氧基、 芳氧基、氟原子。特料氫原子、錄、芳基、十坐基。 取代基亦可經氘取代。

Ari表示芳基或雜芳基。

Aq所表示之芳基為碳數為6〜3〇、較佳為碳數為6〜 20三更佳為碳數為6〜15之經取代或未經取代之芳基（例 如苯基、聯苯基、萘基、對羧基苯基、對硝基苯基、3,5-二氯苯基、對氰基苯基、間氟苯基、對甲苯基、4丙基環 己f-4，-聯苯基、4· 丁基環己基_4，·聯苯基、4_戊基環己基_4,_ j本基4-丙基本基_2_乙炔基_4’_聯苯基、經味唾基取代之 苯基經咔唑基取代之聯苯基），較佳為苯基、聯苯基，特 佳為、左叶唾基取代之苯基、經^卡嗤基取代之聯苯基。 〜Ar〗所表示之雜芳基為碳數為1〜20、較佳為碳數為2 10、更佳為碳數為4〜6之經取代或未經取代 ㈤如Ν+坐基、3十坐基、2鲁定基、5_f基_3_〇比=基 2嗟％基、呋喃基、N-嗎嘛基、四氫呋喃甲基、y ^ 201120006 $ 1 基）。 ΑΓι較佳為芳基，為苯基、聯苯基，亦可進-步具有 取代基。 進一步所具有的取代基可列舉上述取代基群組ν，較 佳為烧基、芳基、雜芳基，特佳為咪嗤基。 於通式（2)中，波線表示鍵結位置。 R9、Rh)、Ru所表示之烷基可列舉上述取代基群組ν 中記載之絲，較佳為甲基、乙基、正丙基、正丁基、第 二丁f、、戊基、己基、環己基，更佳為甲基、乙基、丙基。 由㈣9、t Rn所表示之芳基可列舉上述取代基群組V 〇之方土’較佳為苯基、1-萘基、2-萘基、2-甲基苯 基甲基苯基、2_甲氧絲基，更佳為笨基。 ν中ί載所表示之料基可列舉上述取代基群組 中^己載之雜方基’較佳為2_如定基、3_吼咬基、^塞吩 基喧琳基、2·°夫絲，更佳為2·吼咬基。 RU、亦可進—步具有取代基。於此情形時之 氧笑'二]|上述取代基群組V，較佳為烧基、芳基、烧 氧土、方减、鹵素原子，更佳域氧基、鹵素原子。 、Rll中之至少一個為燒基，且R9、恥、^ 並不同時均表示相同之取代基。 R9、R1Q、Ru之組合可列舉以下之組合： ^9 = 1^10 = 1^ =燒基 R9 = R1()=烷基、Ru==芳基 尺产尺⑴二烷基、r11==雜芳基 201120006

L R9=烷基、尺1()=^11：=芳基 尺9=烷基、雜芳基。 於上述組合中，更德的是R9、R10為甲基，尺„為乙基。 較佳的是於所述通式（1)中，R3為所述取代基（2)。 較佳的是所述通式（1)所表示之化合物為下述通式（3) 所表示之化合物。 通式（3) [化9]

17 Ar2 η (於通式（3)中’Ar2表示絲或雜 分別獨立地表示氫原子或取代基，r16〜r 土。I6〜2: 上表示下述取代基（2 )。另外，於R18與R2 3 $ ^= (2)之情形時，R18與R21表示不同之^表不取代基 以上之整數） 土。η表不： 取代基（2) [化 1〇] 20 201120006

芳基、或雜^!：2)中’R9、RiQ、Ri1分職立地表示燒基、 r9、r10、r =，R9、Rl0、Rl1中之至少一個為燒基，且 結位置。）11並不同時均表示相同之取代基。波線表示鍵

Ar2表示芳基或雜芳基。 2〇、料為碳數為6〜3g、較佳為碳數為6〜 如苯基、=15之經取代或未經取代之芳基(例 m冑本基、絲、對祕苯基、_絲基、3,5-基、對氰基苯基、間氟苯基、對甲苯基*丙基環 旒二其聯苯基、4· 丁基環己基不聯苯基、4_戊基環己基_4，· 聯本基、4-丙基笨基_2_乙炔基_4，·聯苯基）。 ΑΓ2所表示雜芳基為碳數為1〜2G、較佳為碳數為2〜 1〇、更佳為碳數為4〜6之經取代或未經取代之雜芳基（例 如Ν+坐基、3+坐基、2“比咬基、5_甲基七比咬基、^ 噻吩基、2-吱喃基、嗎啉基、四氫咬味曱基、 小基）。 Αΐ"2較佳為务基，為苯基、聯苯基，亦可進一步具有 取代基。 ' 進-步所具有的取代基可列舉上述取代基群組ν，較 佳為烷基、芳基、雜芳基，特佳為咔唑基。 21 201120006

Rl6〜R23表示氫原子或取代基，R16〜R23之至少一個 以上表示下述取代基（2)。另外，於尺16與r23均表示取代 基（2)之情形時’心6與R23表示不同之取代基。取代基 可列舉上述取代基群組V。 η為2以上之整數’較佳為n=2、3、4，特佳為n=2。 通式（1)所表示之化合物之於膜狀態下之1階（最 低三重激發態之能階）較佳為45 Kcal/mol以上（188.3 KJ/mol 以上）、85 Kcal/mol 以下（355.6 KJ/mol 以下），更 佳為 55 Kcal/mol 以上（251.0 KJ/mol 以上）、85 Kcal/mol 以下（355.6 KJ/mol以下），進一步更佳為60 Kcal/mol以 上（272.0 KJ/mol 以上）、85 Kcal/mol 以下（355.6 KJ/mol 以下）。 T!階可測定化合物於膜狀態下之磷光光譜，由光譜之 短波端之波長而求出。 通式（1)所表示之化合物之玻璃轉移溫度（Tg)較 佳為80。(：以上400°C以下，更佳為100°C以上400〇C以下， 進—步更佳為120°C以上40(TC以下。 以下’例示本發明中可使用之以通式（1)所表示之化 合物之具體例，本發明並不受以下具體例任何限定。 [化 11]

22 201120006 例子編號 Ri r2 r3 r4 r5 Re r7 Re Ra ^10 Rn r12 No. 1 H H H H H H H H H ch3 ch3 CaHs No· 2 H H H H H H H H H ch3 C2H5 C2H5 No. 3 H H H H H H H H H ch3 ch3 No. 4 H H H H H H H H H ch3 ch3 CH2C(CH3)3 No. 5 H H H H H H H H H ch3 ch3 Ph No. 6 H H H H H H H ch3 H ch3 ch3 2-pyridyl No. 7 H H H H ch3 H H H H C2Hs C2H5 o'CsHb No.8 H H H H H t-Bu H H H ch3 ch3 CaH5 No. 9 Me H H H H Ph H H H ch3 ch3 C2H5 No. 10 H Me H H H H H H H ch3 ch3 C2H5 No. 11 H H ΟΜθ H H H H H H CH3 ch3 C2H5 No. 12 H H H H H H H H t-Bu ch3 ch3 C2H5 No. 13 H H H H H H H H H ch3 ch3 CzHsOMe No. 14 H H H H H H H H H ch3 ch3 4-MePh No. 15 H H H H H H H H t-Bu ch3 Ph Ph No-16 H H H H H F H H H cf3 CFa CzHs No. 17 H H H H H CF3 H H H ch3 ch3 CHaPh [化 12] 23 201120006

Re

例子編號 Ri r2 Ra R4 Rs Re r7 Ra R9 R10 R11 r12 No. 18 H H H H H H H H H ch3 ch3 C2H5 Να1θ H H H H H H H H H ch3 C2HS C2HS No. 20 H H H H H H H H H ch3 CH3 n-C^He No. 21 H H H H H H H H H ch3 CH3 CH2C(CH3)3 No. 22 H H H H H H H H H ch3 ch3 Ph Να 23 H H H H H H H CH3 H ch3 ch3 2-pyridyl No. 24 H H H H CH3 H H H H C2H5 CjHs n' CaHs Να 25 H H H H H cf3 H H CH3 CHj CH3 CzHa No. 26 Me H H H H OPh H H H ch3 ch3 Να 27 H H H H H H H H H ch3 CHa C2H4CI Να 26 H H OMe H H H H H H ch3 ch3 C2H5 No. 29 H H H H H H H H t-Bu CH3 CHa Να 30 H H H H H H H H H ch3 ch3 CzHsOPh Να 31 H H H H H H H H H ch3 CH3 3,4-M©2Ph No. 32 H H H H H H H H CN CH) Ph Ph No. 33 H H H H H F H H H CF3 cf3 C2H5 No. 34 H H H H H cf3 H H H ch3 ch3 CH2Ph 24 201120005

例子編號 Ri r2 Ra r4 Rs Re r7 Re «9 R10 R，2 No. 35 H H H H H H H H H ch3 oh3 C2H5 No. 36 H H H H H H H H H ch3 c2h5 C2H5 No. 37 H H H H H H H H H ch3 ch3 Π·〇5^11 No. 38 H H H H H H H H H ch3 ch3 CH^CtCHgh No. 39 H H H H H H H H H CHg CH3 Ph NO. 40 H H H H H H H ch3 H ch3 CH3 2-pyridyl No. 41 H H H H CH3 H H H H C2H5 C2H5 1VC3H9 No. 42 H H H H H cf3 H H CHj CH3 ch3 C2H5 No. 43 Me H H H H OPf) H H H ch3 CH3 C2H5 No. 44 H H H H H H H H H ch3 CH3 C2H4F No. 45 H H F H H H H H H cf3 CF3 C2F5 No. 46 H H H H H H H H a ch3 ch3 CjHs No. 47 H H H H H H H H H ch3 ch3 CaHgOPh No. 48 H H H H H H H H H ch3 ch3 3,4-Me2Ph No. 49 H H H H H H H Ph H CH3 . Ph Ph No. 50 H H H H H F H H H CF3 cf3 CaH5 No. 51 H H H H H CN H H H CH3 ch3 CH2Ph 25 201120006 [化 14]

例子編號 Ri r2 r3 R4 Rs «6 «7 Re Re R，〇 R11 R12 No. 52 H H H H H H H H H CHa ch3 c2hs No. 53 H H H H H H H H H ch3 CaHs C2H5 No. 54 H H H H H H H H H CH3 CH3 Π-CgH” No. 55 H H H H H H H H H CH3 CHa CHjCiCHsh No. 55 H H H H H H H H H CHa CH3 Ph No. 57 H H H H H H H ch3 H ch3 ch3 3-pyrWyl No. 58 H H H H CH3 H H H H C2HS C2Hs n_CeHi7 No.59 H H H H H H H H ch3 ch3 CH3 CHMeirvCgHz) No. 60 Me H H H H OPh H H H ch3 ch3 CzHs Np. 61 H H H H H H H H H ch3 CHa C2H4F No. 62 H H F H H H H H H cf3 cf3 No. 63 H H H H H H H H a ch3 CH3 CaHs No.64 H H H H H H H H H ch3 CHg CaHsOPh No. 65 H H H H H H H H H ch3 ch3 3-MePh No. 66 H H H H H H H Ph Ph CH3 Ph Ph No. 67 H H H H H F H H H CH3 CH3 1-naphtyl No. 68 H H H H H H H H H CH3 ch3 CH2Ph 26 201120006 [化 15]

入艰式（1)所表示之化合物可組合各種公知之合成法而 5成。例如，可使用Chemical Review、第46卷、第359 〜380頁、1947年中記载之方法。 本發明之組成物中，除通式⑴所 還可以含_(_化合物、_ = 元件性能提高之舰的化合物聚合物、具有使 劑、氧補足劑等）、塗佈溶劑、界〜氡化劑、水分補足 通式⑴所表示之化合物之“性劑等。 量而言較佳的是含有〇.i wt%〜/重，對於組成物之總重 wt%〜95 wt%，更佳的是人古 Wt/°，更佳的是含有1 而且，本發明亦關於^ ；；t：95Wt%。 方法。 ）所表示之化合物之製造 27 201120006 以下，對本發明之製造方法加以說明。 [通式（3)所表示之化合物之製造方法] 本發明之製造方法的特徵在於使用下述通式（4)所表 示之化合物而製造下述通式（3)所表示之化合物。 藉由使用該方法，可獲得純度高且元件性能高之化合 物0 [化 16]

(於通2_(3人中’ Ar2表示芳基或雜芳基Ί 分別獨立地表不虱原子或取代基，r16〜r ^ E , 23 上表示下述取代基(…另外，於R18與心 (2)之情形時，R3與R6表示不同之取代_ 代基 上之整數） 代基π表示2以 取代基（2) [化 17] 28 201120006x C-Ri 11

R 芳基、或雜ϋ中’〜、‘、^分別獨立地表示燒基、 t L 9'Rl0、Rl1中之至少一個為烧基，且 結位置）lw @時均表示相同之取代基。波線表示鍵 [化 18]

Ri (4) 〜R8之至小)中’ Rl〜Rs表示氫原子或取代基，Ri 盥仏均/ W X上表示上述取代基（2)。另外，於R3 ί基/ $取代基（2)之情形時，化與R6表示不同之取 通式（4)所表示之化合物製造通式（3)所表示 之化:物的方法可列舉了偶合反應之方法，其中，較 佳的疋使用藉由偶合反應使通式⑷所表示之化合物與齒 化合物連結之方法而合成。 通式（3)所表示之化合物及通式（4)所表示之化合 29 201120006 物之較佳之範圍及具體例可列舉與上述相同之範圍及具體 例。 藉由本發明之方法’可高產率地獲得通式（4)所表示 之化合物。 偶合反應較佳的是使用過渡金屬觸媒、特別是銅、錄、 飽觸媒之方法’具體之方法例如可列舉Mauger, C.C.Mignani，G.A·著之 AldrichimicaActa 第 39 卷、第 17 頁、2006 年；Schlummer，B.、Scholz, U.著之 Advanced-Synthetic. Catalyst. 第 346 卷、第 1599 頁、 2004 年； Anderson， K.W.著之 Angew. Chem. Int. Ed.第 45 卷、第 6523 頁、2006 年 ’ Altman, R.A.、Buchwald，S.L.著之 Organic Letters 第 8 卷、第 2779 頁、2006 年；Kiyomori，A.著之 Tetrahedron

Letters 第 40 卷、第 2657 頁、1999 年；处啦 A、BuchwaW， S丄.著之 J〇urnai 〇f the American Chemical Society 第 128 卷、第8742頁、2006年中記載之方法。 使用通式（4)所表示之化合物製造通式（3)所表示 之化合物的方法較佳的是於溶劑之存在下進行。溶劑可適 宜使用㈣、自！胺系、_代烴、芳香族系煙、g旨系溶劑。 觸媒可列舉把'銅、鎳等，較佳的是跑、銅。反應溫 度較佳的是5(TC〜30(rc之範圍，更佳的是恥它〜2〇(rc之 ，圍。反應時間較佳的是1〇分鐘〜1〇日之範圍更佳的 是1小時〜24小時之範圍。 [咔唑化合物] 本發明亦關於下述味峻化合物。本發明之叶唾化合物 201120006 疋新穎之化合物，可用作可提供即使於高溫、高濕之環境 下隨時間經過後亦顯示出較高之效率，且驅動時初始之發 光亮度降低較小之有機電激發光元件的化合物之製造中間 [化 19]

[有機電激發光元件] 本發明之有機電激發光元件是在基板上具有一對電極 以及在該電極間具有包含發光層的至少一層有機層的有機 電激發光元件，所述有機層之任意層包含以所述通式d) 〜通式（3)之任意通式所表示之化合物。 於本發明中，通式（1 )所表示之化合物可於有機層之 任意層中含有。作為通式（1)所表示之化合物之導入層， 較佳的是於發光層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輪 層、電子注入層、激子阻擋層（exciton block layer)、電荷阻 檔層之任一層或者多層中含有，較佳的是於電洞傳輸層、 電子傳輸層或發光層中含有’更佳的是於發光層中含有。 於發光層中含有通式（〇所表示之化合物之情形時， 相對於發光層之總重量，較佳的是含有1 wt%〜99 wt〇/Q , 更佳的是含有5 wt%〜95 wt%，進一步更佳的是含有⑺ 31 201120006 (1) 100

Wt%〜95 wt%。於發光層以外之層中進一步含有通 所表示之化合物之情形時，較佳的是含有50 wt^ wt%，更佳的是含有6〇 wt%〜1〇〇 wt%。 之麵1激發光元件，财情況下對其透明1 間施加2伏特〜40伏特左右之直流電遷 …3有父流成分）或直流電流則產生發光。而且，灰 驅動本發明之發光元件時，可利用日本專利特開斗 2-148687號、日本專利特開平6顧355號、日本專利^ 平5-29G8G號、日本專利特開平7视％號、日本專利特 開平8-234685號、日本專利特開平8_241〇47號、專 2^8429號、美國專利咖⑽號、日本專利第27_5 號等中找之驅動方法1下，對形成本發日种所使用之 發光積層體之各層加崎述，但本發縣不限定於該些各 層0 — (A)基材 本發明中所使用之基材較佳的是由不透過水分之材料 或者水/7透過率極其低之材料所構成。該材料較佳的是並 不使自有觀合物層發ώ之絲射或韻。其具體例可列 舉纪穩錢化錯（yttrium Stabilized zi麵ia，YSZ)、玻璃 =無機材料’聚對苯m、聚對苯二甲酸丁二醋、 聚萘一曱git乙二S旨等聚g旨或聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚喊石風、 聚芳酯、碳酸-二乙二醇酯·烯丙醇酯（allyl diglycol carbonate)、聚醯亞胺、聚環烯烴、降冰片烯樹脂、聚(三 氟氣乙烯）等有機材料等。其中，特別可較佳地使用耐熱 32 20112000$ 性、尺寸敎性、雜舰、電絕緣性及加讀優異 低通氣性及低吸濕性之有機材料。基材 姑 成’亦可以2種以上之材料形成。基材之材料早可根 電極材料而適宜選擇，例如於透明電極為氧化鋼錫（订 之情形時’較佳的是使用與ΙΤ〇之晶格常數之差小的 基材之形狀、結構、大小等可根據發光元件途 目的而適宜祕。雜通常為板狀。結構可為單層沾^ 可為積層結構。基材可為無色透明亦可為有色透 =層發出之光並不散射或衰減之方面考慮較佳的是無色 於基材之電極側之表面、與電極相反側之表面或 2面亦可設置防透濕層（阻氣層）。構成防透㊆層之材料 佳的是使用氮化石夕、氧化石夕等無機物。防透可夢較 =層㈣膜。而且’亦可視需要於基材心 (B)透明電極 電^:況下，透明電極具有作為對有機化合物層 電洞之陽極的功能，亦可作為降 爾供給 背面電極作為陽極發揮功能。：時 極之情形加以說明。 職翻電極作為陽 根據、㈣ϋ㈣鱗狀限制，可 材料可使用金>8、合1目=^=成透明電極之 些之混合物等，較佳的是使用功函料該 33 201120006 )、氧化辞銦（IZ0)等）、金屬（金、銀、 料=:·_及其與ιτο有：:等材 ㉒法可藉由印刷法、塗佈法等濕式方法，真空基 = 麟法、離子⑽法等物 :、電聚化學氣相沈積法等化學性方法等而； 頻_鑛法、真空驗法、離子電鑛法等了 時，可使用m電r材料作為透明電極之材料之情形 雷由，_刻、使用 之真办笑供充抵μ等而進仃。且，亦可藉由使用遮罩 化'广、、赠、剝離_。均法、印刷法等而進行圖案 適宜ϊ』電據發光元件之用途及目的而 ⑽〜極:nn材料而適宜選擇’通常為1〇 為50 nm〜20卿。透明電極之電阻值較 34 201120006

X 佳的是設為l〇3 Q/riunr 透明電極可為無色=二2的找為MW□以下。 侧射出發光，其透過率較色透明。為了自透明電極 設為70%以上。透佳的是設為嶋以上，更佳的是 法而進行測定。依照使用了分光光度計之公知方 而且’於「透明暮雷

、年）」（澤田豐監修、CMC 特別是使用耐熱性低=亦適驗本發明中。 1丁〇或ιζο作;^㈣f膠基材之情科，較佳的是使用 行製膜。作為翻電極材料，於挪C以下之低溫下進 (C)背面電極 八電子之“ί:功:面化合物層中注 背面綱為陰極之情發揮功能。以W %面_之形狀、結構 根據發光元件之用途及 =‘，、、特別之限制’可 材料可使用金屬 '合金、金二且二擇^成背面電極之 些之混合物等，較佳的是使導電性化合物、該 r具體例可列舉驗金屬⑴力:數 =二等)&金m納-卸合…i 使用，但為了兼顧穩定性斑電子公ft該些可單獨 二材枓中，自電子注入性之觀點考慮，較佳的 35 201120006 ，驗金屬錢土金屬；自保存穩定性之觀財慮，較佳的 是以紹為主體之材料。此處，所謂以紹為主體之材料，θ 指紹單質、紹與0.01 wt%〜10 wt%之驗金屬或驗土金= =金或混合物（HS合金、鎂合金等）。背面電極 料亦可以使用於日本專利特開平2收9 = 開平wim财巾詳狀材料。 本專利特 背面電極可藉由印刷法、塗佈法 S法電=、離子電鐘法等物理性方二學氣相ΪΪ 1、=化予氣相沈積法等化學性方法等而形成。^ ^可考慮與背面電極材料之適合性 ^成方 =:上之金屬等而作為背面電極之=二於 可同^戈者依序濺錢該材料而形成。 月开/時， 雷射由微影等之化_刻、使用 罩之真空蒸錢或濺㈣離;二了遮 背面電極之形志办罢n 丨刎忐等而進仃圖案化。 適宜選擇，較佳的是形用途及目的而 電極可形成於有機化合物==層上。此時’背面 機化合物層表面之—部八卜表面整體上亦可僅形成於有 物層之間亦可設置厚度 而且’背面電極與有機化合 土金屬之氟化物等所m 511111之由驗金屬或鹼 201120006 透明。透明背面電極可薄薄地製膜為lnm〜l〇nm厚之上 述材料層’進-步積層IT〇或IZ〇等透明導電性材料而形 成。 (D)發光層 於本發明之發光元件中，發光層含有螢光發光性化合 物（榮光發光材料）或磷光發光性化合物（鱗光發光材料）。 較，為鱗光發紐化合物。縣發絲化合物若為可由三 重悲激子而發光之化合物則並無特別之限定。磷光發光性 化合物較佳的是使用鄰位金屬化錯合物（〇rth〇metalated complexes)或卟啉(porphyrin)錯合物，更佳的是使用鄰位金 屬化錯合物。卟啉錯合物中較佳的是卟啉鉑錯合物。於本 發明中，較佳的是磷光發光材料為^錯合物或汛錯合物。 磷光發光性化合物可單獨使用亦可併用2種以上。 所明部位金屬化錯合物，是山本明夫著之「有機金屬 化學基礎與應用」、第150頁及第232頁、裳華房公司（1982 年）、H. Yersin 著之「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」、第 71 〜77 頁及第 135〜146 頁、 Springer-Verlag公司（1987年）等中記載之化合物群組之 總稱。形成鄰位金屬化錯合物之配位基並無特別之限定， 較佳的是2-苯基吡啶衍生物、7,8-苯並喹啉衍生物、2_(2_ 噻吩基)吡啶衍生物、2-(1-萘基)吡啶衍生物或2_苯基喧琳 衍生物。該些衍生物亦可具有取代基。 而且，該些鄰位金屬化錯合物除了形成所必須之配位 基以外亦可具有其他配位基。形成鄰位金屬化錯合物之中 37 201120006 心金屬為任意過渡金屬則可使用，於本發明中可較佳地使 用铑、鉑、金、銥、釕、鈀等。其中特佳的是銥。含有此 種鄰位金屬化錯合物之有機化合物層之發光亮度及發光效 率優異。關於鄰位金屬化錯合物，於日本專利特願 2000-254171號之段落編號0152〜0180中亦記載了其具體 例。 本發明中所使用之鄰位金屬化錯合物可藉由In〇rg.

Chem.，30, 1685, 1991、Inorg. Chem.，27, 3464, 1988、Inorg. Chem.，33, 545, 1994、Inorg. Chim. Acta, 181，245, 1991、 J.Organomet. Chem.，335, 293, 1987、J. Am. Chem. Soc” 107, 1431，1985等中記載之公知之方法而合成。 發光層中之發光性化合物之含量並無特別之限制，例 如為0_1 wt%〜70 wt%，較佳的是1 wt%〜2〇 wt%。若_ 光發光性化合物之含量未達0.1 wt%或者超過wt%，則 存在不能充分發揮其效果之情況。 本發明之發光元件之外部量子效率較佳的是5%以 上，更佳的是10%以上，進一步更佳的是13%以上。外部 量子效率之數值可使用於20°C下驅動元件時外部量子效 率之最大值、或者於20°C下驅動元件時於1〇〇 cd/m2〜3〇〇 cd/m2附近（較佳為200 cd/m2〜3〇〇cd/m2)之外部量子效 率之值。 本發明之發光元件之内部量子效率較佳的是3〇%以 上，更佳的是50%以上，進一步更佳的是7〇%以上。元件 之内部量子效率可藉由内部量子效率=外部量子效率/光 38 201120006 出射效率而算出。於通常之有機el元件中，光出射效率 為約20%，但藉由設法改進基板之形狀、電極之形狀、有 機層之膜厚、無機層之膜厚、有機層之折射率、無機層之 折射率等，可使光出射效率為20%以上。 θ 本發明之發光層中所含之主體材料、電子傳輸層、及 電洞輸送材料之玻璃轉移點較佳的是9〇〇c以上4〇〇(5(：以 下，更佳的是100°c以上380°C以下，進一步更佳的是12(rc 以上370 C以下，特佳的是14〇。(：以上360°C以下。 於本發明中，發光層亦可視需要含有主體化合物、電 洞傳輸材料、電子傳輸材料、電氣惰性之聚合物黏合劑等。 主體化合物較佳的是本發明之通式（丨）所表示之化合 物，另外亦可含有其他之主體化合物。此種主體材料可列 舉咔唑衍生物、三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、 米坐衍生物、多芳基烧烴衍生物、β比唾琳衍生物、吼唑琳 酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、經胺基取代之 查耳酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、第酮衍生物、腙衍生 物、芪衍生物、矽氮烷衍生物、芳香族三級胺化合物苯 婦基私·化合物、芳香族二次曱基化合 物^/卜琳化合物、蒽醒二曱烧衍生物、蒽酮衍生物、聯苯 醌衍生物、—氧化嗔喃(thiopyran dioxide)衍生物、碳二醯 生物、亞第基曱烷衍生物、二苯乙烯吡嗪衍生物、 奈茈等之雜環四羧酸酐、酞菁衍生物、8_羥喹啉衍生物之 金屬錯合物、金屬駄菁、以苯並嗎唾或苯並嗟^坐等為配位 基之金屬錯合物、聚矽烷化合物、聚(N-乙烯基咔唑)衍生 39 201120006 物、苯胺共聚物、嗟吩寡聚物、聚《7塞吩等導電性高分子、 聚噻吩衍生物、聚苯衍生物、聚苯乙炔衍生物、衍生 物等。主體化合物可單獨使用一種亦可併用2種以上。 含有本發明之化合物之發光元件之有機層的形成方法 並無特別之限定，可使用電阻加熱蒸鍍、電子束、濺鍍、 分子疊層法，作為濕式製膜方法之各種塗佈法（噴塗^、 浸塗法、浸潰法、輥塗法、凹版印刷塗佈法、反塗法、親 式刷塗法、氣刀塗佈法、簾塗法、旋塗法、淋塗法、棒塗 法、微凹印塗佈法、氣動刮刀塗佈法、到塗法、擠壓式塗 佈法、移動減佈法、接赋塗佈法、鑄塗法、擠出塗佈 法、、拉絲錠塗佈法、絲網塗佈法等）、噴墨法、印刷法、轉 印,、喷塗料方法’於特性方面、製造方面考慮，較佳 ，是濕式製膜方法、電阻加熱級，濕式製财:較佳的 是塗佈法、噴塗、喷墨法。 若使用濕式製臈方法則可容易地將有機化合物層大面 積化’可低成本效率&好地麟冑聽 =’因而較佳。濕式製膜方法可根據有機= 材枓而輕。於藉由濕式㈣方

Hi職精絲。轉㈣伽式_層之^ 壓力等條件而進行乾燥。 物層方法中所使用之塗佈液通常由有機化合 劑並容解或分散該材料之溶劑而構成。溶 二選摆!! 可根據有機化合物層中所使用之材料 *劑之具體例可列舉：鹵素緣劑（氣仿、四氣 201120006 化石反、一氣甲燒、1,2-二氯乙燒、— 酮、曱基乙基i同、二乙基_、正氣笨等）、酮系溶劑（丙 佛爾酮、薄荷_等）、芳香族奉物内基甲基0同、環己_、異 十氫萘、萘、聯苯、經烧基取代^^苯、曱苯、二甲笨、 酸乙醋、乙酸正丙g旨、乙酸正V本等）、醋系溶劑（乙 γ-丁内醋、碳酸二乙醋等)、醚系;容：酸甲，、丙酸乙醋、 等）、醯胺系溶劑（二曱基ψ1 (四虱吱喃、二魏 甲美凸緬、疢铂口从 、二曱基乙酿胺等）、- 量二::制另==固形物相對於溶劑: 意選擇。 ㈣之Μ亦可根據製膜方法而任 關於所使用之反應溶劑，並 之較佳例包括：水、醇類、关悉;;寺別之限疋。該些溶劑 類。 方香奴烴類、醚類、_類、酯 醇類例如可列舉i元醇或2元 是碳數為1〜8之#釦护肽妗γ 其中1兀％較佳的 甲醇、3 些醇類之具體例可列舉 -醇 乙二醇、乙二醇單丁鱗、乙 而且，芳香族烴類之具體例可列舉苯、甲苯、 =’·嶋之具體例可列舉四氫料、二;= 酮望f基基闕、甲基異丁基酮、二異丁A ，曰類之具體例可列舉乙酸 乙； 酯、碳酸丙二g旨等。 夂㈣乙酸丁 ^乙_正丙酵、異丙醇、正丁醇 丁醇、乙二醇、二乙-一 〃砰弟 一醇單乙越乙酸醋等 更佳為沸點 較佳之有機溶劑是沸點為10(TC以上者， 201120006 120°C以上。沸點若處於該範圍内，則可形成均一之膜而較 佳。 另外，有機溶劑亦可將2種以上混合而使用。於2種 以上混合之情形時，含有選自可溶解發光層中所含之發光 材料及主體材料、沸點為200°C以上之溶劑的至少一種作 為第一溶劑，第一溶劑之沸點較佳的是2〇(rc〜3〇(rc，更 佳的是200°C〜250°C。 由此可提高發光層塗佈膜之平滑性、提高與鄰接層之 密接性、提高有機EL元件之發光效率及元件耐久性。 第一溶劑例如可列舉醯胺系溶劑、除醯胺系之外之非 質子性極性溶劑、高沸點疏水性溶劑。 酿胺系溶劑可列舉N-曱基-2-°比略咬_ (沸點2〇2°C )、 2-吡咯啶酮（沸點245。〇、1-乙醯基-2-吡咯啶酮（沸點 231°C )、N-乙基-2-吡咯啶酮（沸點218。(：）、1,3-二曱基-2- 11米°坐°疋酉同（/弗點220 C )、曱醮胺（沸點21〇.5°C )、N，N_ 二丁基甲醯胺（沸點243°C )、間苯二曱基二胺（沸點2451 ) 等或該些化合物之衍生物。 除醯胺系之外之非質子性極性溶劑可列舉碳酸丙二酯 (沸點243°〇、γ-丁内酯（沸點204ΐ)、γ-戊内酯（沸點 207°C)、a-乙醯基个丁内酯（沸點235。〇等或該些化合 物之衍生物。 高沸點疏水性溶劑可列舉環己基苯（沸點24〇〇c；)、 1,2,3,4-四曱基苯（沸點2〇3°C )、3-曱基聯笨（沸點272°C )、 4-甲基聯苯（沸點262。(：）、1-曱基萘（沸點244.8°c)等或 42 20112000^ 該些化合物之衍生物。 劑 酮 酮 自發光材料之溶解性之觀點考慮，較佳的是醯胺系溶 其中較佳的是N-曱基_2_吡咯啶酮、乙基_2-吡咯啶 1，3-二甲基-2-咪唾啶_，更佳的是曱基_2_吡咯啶 1，3_—甲基-2-。本嗤。定酉同。 第/谷蜊進而亦可為將2種以上溶劑混合而成者。 第一/合劑較佳的是選自與水之共沸溫度為卯。c以下 η]的，4—種溶劑。於此情形時，與水之共沸溫度較 的疋98C〜5〇C，更佳的是8(TC〜50〇C。 雷可除去所製膜之有機層中的水分’從而可使有機 電激發光元件長壽命化。 第二溶劑可列舉乙醇、卜丙醇、2_丙醇、卜 2_ 丁醇、2-正丁童其7龄 嗣、己燒、f笨土 ^二 單甲喊乙酸醋、甲基乙基 丁醋、乙酸丙己^、乙酸乙酯、乙酸丁醋、乙酸異 文内転、乙酸異丙酯等。 劑進㈣可為將2種以上溶舰合而成者。 心Π 溶劑與第二溶劑之較佳組合，較佳_爾 溶劍作為辦為第L及選自醇系溶劑之 吡口各咬納、13 m i 的疋使用選自N-甲基-2-及選自2·正Γ坐=的溶劑作為第—溶劑以 第二溶劑。▲ 一 "°單甲鍵乙酸醋的溶劑作為 是50^=:=以重量比計而言較佳的 更佳的疋6G:4G〜9〇:Κ)。其原因在 43 201120006 it 彳可_發光材料、主體材料之溶解性， 可製作並不產生析出、相分離，且 主體材料中均一地分散發光材料之有機^柄明之 一另外’較佳的是於塗佈液中進—步含有 減低塗佈液中之溶存氧濃度。該第三溶劑 -醇等j::二：、乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、四乙 一知等夕70醇，亦可為將該些化合物之2種以上混人而成 之=。多元醇較佳的是選自乙二醇、二乙 二 =種;Γ的是乙二醇或二乙二醇。作為第三 =添二量^對於塗佈液之總量而言，較佳 _〜 20 wt% ’更佳的是5 wt%〜1〇以％。 ’第一溶劑、第二溶劑及第三溶劑較佳的是經過 純=處理之溶劑。具體而言可使用如下任意之方法：⑴ 石夕膠、氧她、陽離子性離子交換樹脂 之錄純化處理、⑴麻硫_、無 沸”;脫水處理、(物處理、(=氣； (氮礼I)等之起泡處理、⑷過渡、離心沈降等之雜 質^去處理等。更佳的是管柱純化處理與脫水處理之純化 方法。 本發=之有機EL元件㈣佈液之黏度較佳的是i mPa.s^〇mPa.s5^^^2mPa.^1〇mpaes〇 二且’本發明之有機EL元件用塗佈液之表面張力為 20 mN/m〜70 mN/m，更佳的是乃祕如〜4〇瓜跑。藉由 44 201120006 該範圍之表面張力’可軸無收縮或無不均之平滑塗佈膜。 而且’本發明之有機EL元件用塗佈液較佳的是滿足 關於上述之黏度及表面張力之至少-制所親值範圍， ，可為滿足2種以上任意組合之特性的條件的有機EL元 件用塗佈液，進而亦可為滿足所有特性之有機EL元件用 塗佈液。由此可製成適於塗佈之組成物。 電洞傳輸材料具有自陽極注入電洞之功能、傳輸電洞 之功能、及障壁自陰極注人之電子之功能的任意功能的材 料則並無特別之限定，可為低分子材料亦可為高分子材 料。其具體例可列舉：料衍生物、三_生物、噪唾衍 生物、。惡二飾生物、咪顿生物、多芳基舰衍生物、 =坐琳衍生物、対琳_生物、苯二胺衍生物、芳基胺 何生物、城基取代之查耳崎生物、苯乙絲蒽衍生物、 第，何生物、騎生物、$衍生物、魏麟生物、芳香 族二級胺化合物、笨乙雜胺化合物、芳香族三次甲基化 合物、/卜啉化合物、聚矽烷化合物、聚(N_乙烯基咔唑)衍 生物、苯胺共聚物、π塞吩寡聚物、聚”塞吩等導電性高分子、 聚，吩衍生物、聚笨魅物、聚苯乙炔衍生物、聚葬衍生 物等。该些化合物可單獨使用亦可將2種以上混合使用。 電子傳輸材料若為具有自陰極注入電子之功能、傳輸 電子之功能、及障壁自陽極注人之電洞之功能的任意功能 的材料則並無制之限定，例如可使用三嗤衍生物 、σ惡峻 :了生物、噁二唑衍生物、苐酮衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、 蒽嗣街生物、聯苯gg衍生物、二氧化麵衍生物、碳二酿 45 201120006 亞胺衍生物、亞葬基曱烧衍生物、二苯乙稀《»比嗓衍生物、 秦茈等之雜環四緩酸針、致菁衍生物、經喧淋衍生物之 金屬錯合物、金屬酞菁、以笨並噁唑或苯並噻唑等為配位 基之金屬錯合物、苯胺共聚物、噻吩寡聚物、聚噻吩等導 電性高分子、聚噻吩衍生物、聚苯衍生物、聚苯乙炔衍生 物、聚第衍生物等。 翠合物黏合劑可使用聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯 聚曱基丙烯酸曱酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚酯、聚砜、驾 苯醚、聚丁二烯、烴樹脂、酮樹脂、苯氧基樹脂、聚醯胺 ^基纖維素、乙酸乙烯酯、ABS樹脂、聚胺基甲酸酯、二 $氰胺樹脂、不飽和聚醋、醇酸樹脂、環氧樹脂、石夕氧相 曰聚婦丁酸、聚乙婦縮搭等。含有聚合物黏合劑之養 光層可藉由濕式製膜法*容易且大面積地塗佈形成。3 發光層之厚度較佳的是l〇nm〜20〇nm，更佳的是2| nm = nm。右厚度超過2 〇 〇 則存在驅動電壓上升之# 形，若未達lGnm則存在發光元件短路之情形。 ’ (E)電子傳輪層 材料戶光元件亦可視需要具有由上述之電子傳輕 合物黏合劑。㈣纽a卞财讀亦可含有上迷之聚 W 電子傳輸層之厚度較佳的 nm，更佳的是）n 又平乂住的疋10 nm〜2〇( 又征町疋2〇nm〜8〇nm。 驅動電壓上升之愔V ·从+ 土右与度超過200 nm則存在 之情形。 ），右未達10 nm則存在發光元件短路 (F)電祠傳輪層 46 201120006 材料要具有由上述之電洞傳輪 ^ 洞傳輸層。電洞傳輸層亦可含有上述之聚 ° σ劑。電洞傳輪層之厚度較佳的是10 ηιη〜200 Γ動2G nm〜8G nm。若厚度超過綱nm則存在 之情形。权情形’若未達1G nm則存在發光元件短路 (G)其他 。本發月之發光元件亦可具有日本專利特開平1㈣％ f、日本專利特開平7_192866號、曰本專利特開平8-22891 號、日本專利特開平㈣观t、日本專利特開平 10406746號等中記載之保護層。保護層形成於發光元件 之最上面。此處所謂最上面，於依序積層有基材、透明電 極、有機化合物層及背面電極之情形時，是指背面電極之 外側表面；於依序積層有基材、背面電極、有機化合物層 及透明電極之情形時’是指透明電極之外側表面。保護層 之=狀、大小、厚度等並無特別之限定。形成保護層之材 料若為具有抑制水分或氧等可使發光元件劣化之物質參入 或透過至元件内之功能的材料，則並無特別之限制，可使 用氧化矽、二氧化石夕、氧化鍺、二氧化鍺等。 保濩層之形成方法並無特別之限定，例如可應用真空 蒸鍍法、濺鍍法、反應性濺鍍法、分子束磊晶法、簇型離 子束法、離子電鍍法、電漿聚合法、電漿化學氣相沈積法、 雷射化學氣相沈積法、熱化學氣相沈積法、塗佈法等〔 而且，較佳的是於發光元件中設置用以防止水分或氧 47 201120006 滲入之密封層。 形成密封層之材料可使用四氟乙烯與至少一種共單體 之共聚物、於共聚主鏈上具有環狀結構之含氟共聚物、聚 乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸曱酯、聚醯亞胺、聚脲、聚 四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚二氣二氟乙烯、三氟氯乙烯 或二氯一氟乙烯與其他共單體之共聚物、吸水率為1%以 上之吸水性物質、吸水率為01%以下之防濕性物質、金屬 (In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、A1、T卜 Ni 等）、金屬氧化 物（MgO、SiO、Si〇2、Al2〇3、GeO、NiO、CaO、BaO、

Fe203、Y2〇3、Ti〇2 等）、金屬氟化物（MgF2、LiF、a%、

CaF2等）、液狀氟化碳（全氟烷基、全氟胺、全氟醚等）、 該液狀氟化碳中分散有水分或氧之吸附劑而成之材料。 實例. 以下列舉實例對本發明加以更具體之說明。以下實例 中所不之材料、試劑、物質量與其比例、操作等只要不偏 離本發明之主旨均可進行適宜之變更。因此，本發明之範 圍並不加下具體例之限制。 [合成例1] (3_第三戊基咔唑之合成） [化 20] 48 201120006l

中，滴加濃鹽酸(V^ri)、（東京化成品）之乙醇溶液 進行冷卻，，★二s 1 )，使其加熱回流6小時後， 己燒/乙酸乙酯)tli出之固體。藉由雜管柱（溶離液： 十斤侍之粗結晶進行純化，獲得白色固體 化5物M-l 18.5g (產率為65%)。 H NMR( CDC13 )： δ 7.6 (s, 1H), 7.45 (d, 1H, J = 10 Hz), 7-26 (d5 1H, J = 10 Hz), 7.1 - 7.0 (m, 2H), 2.8 - 2.7 (m, 3H), 2A (t, 1H, J = 15 Hz), 2.05 (d, 1H, J = 15 Hz), 1.7 . 1.55 (m, 1H)，1.51.3 (m，3H)，0.95 (s, 6H)，0.85 (t，3H，J = 10 Hz) 使化合物M-l 5.0 g (21 mmol)溶解於二曱苯中，添 加銳/碳觸媒（東京化成品）0.1 g後，於氮氣環境下進行 加熱回流80小時。冷卻後’濾別觸媒，於減壓下餾去濾液， 藉由矽膠管柱（溶離液：己烷/乙酸乙酯）對所得之殘渣進 行純化，獲得白色固體之3-第三戊基咔唑（ cz_i) 4.0 g(產 49 201120006 率為82%)。 !H NMR( CDC13 )： δ 8.05 (d, 1Η, J = 10 Hz), 8.0 (s, 1H), 7.95 (s，1H)，7.5 - 7.4 (m，4H)，7.2 - 7.I5 (m，1H)，1.75 (q, 2H, J = 10 Hz), 1.4 (s, 6H, J = 15 Hz), 0.7 (t? 3H? J = 10 Hz) [合成例2](本發明之化合物]Si〇.35之合成） [化 21]

C2-1

將〇2-12.0吕（8.4 111111〇1)、4,4'-二漠苯1.1§(3.4 mmol)、乙酸鈀61 mg、碳酸铷3·1 g添加至二甲苯中後， 添加P-(t-Bu)3 218 mg ’於氮氣環境下進行加熱回流4小 時。將反應液冷卻後，添加1當量之鹽酸，以乙酸乙酯萃 取有機物後，以硫酸鎂加以乾燥，然後於減壓下餾去溶劑。 藉由矽膠管柱（溶離液：己烷/乙酸乙酯）對所得之殘逢進 201120006 ▲ 行純化，獲得白色固體之目標化合物（No.35) 1.7 g (產率 為 81 % )。 iH NMR (CDC13) : δ 8.18 (d，2H，J = 1〇 Hz)，8.10 (s, 2H), 7.92 (d, 4H, J = 12 Hz), 7.70 (d, 4H, J = 12 Hz), 7.5 - 7.3 (m, 8H)，7.3 (t，2H，J = 10 Hz), 1.8 (q，4H, J = 12 Hz), 1.42 (s, 6H), 0.74 (t, 3H,J=12Hz) [實例1] (綠色蒸鍍型OLED元件） 將經清洗後之ITO基板放入至蒸鍍裝置中，蒸鑛100 nm 之 α-NPD。 於其上，以5.95之比率（重篁比）蒸鏡50 nm之Ir(ppy)3 與本發明之化合物No.35’繼而於其上蒸鍍6nm之Balq， 繼而於其上蒸鍍20 nm之Alq。於其上以1〇 : 1之比率（莫 耳比）共蒸鍍100 nm之鎂與銀，製作EL元件。於經氬氣 置換之手套箱内，使用不鏽鋼製之密封罐及紫外線硬化型 接著劑（XNR5516HV、Nagase-CIBALtd·製造）密封所製 作之積層體。 使用東陽技術公司製造之電源量測單元（Source Measure Unit) 2400型，對EL元件施加直流定電壓而使其 發光’則獲得於520 nm附近具有極大發光波長之發光。 (性能評價） (1 )濕熱經時耐久性 將上述元件於濕度為95%、溫度為80°C之環境下放置 1週。評價放置後之效率。將結果示於表i。 51 201120006 評價標準如下所示。 ’效率降低幅 ’效率降低幅 ’效率降低幅 ◎:與濕熱經時前之外部量子效率相比 度未達5% 〇：與濕熱經時前之外部量子效率相比 度為5%〜未達1〇%之範圍内 △:與濕熱經時前之外部量子效率相比 度為10%〜未達2〇〇/0之範圍内 x :與濕熱經時前之外部量子效率相比，效率 幅 度為20%以上 _ (2)驅動時初始之發光亮度變化 測定以驅動電流密度為2.5 mA/Cm2進行驅動之發光 亮度’求出驅動1小時後之發光亮度相對於驅動開始日^間 點之發光亮度的降低比例。測定是使用分光放射亮产叶（柯 尼卡美能達股份有限公司製造之C S -10 0 〇 )對有機^元件 正面之分光放射亮度進行測定。將結果示於表1。評價桿 ◎:與驅動開始時之發光亮度相比，發光亮度之降低 幅度未達1% ' 〇：與驅動開始時之發光亮度相比，發光亮度之降低 幅度為1%〜未達2%之範圍内 △:與驅動開始時之發光亮度相比，發光亮度之降低 幅度為2%〜未達5%之範圍内 X :與驅動開始時之發光亮度相比，發光亮度之降低 幅度為5%以上 52 201120006 [化 22]

lKppy)3

a—NPD

[比較例1] 於實例1之發光元件之製作中，使用下述比較化合物 1代替本發明之化合物No.35,除此之外以與實例1同樣之 方式進行而製作發光元件。 [化 23] 比較化合物1 53 201120006,

-t*Bu Q Ν’ Ο 進行與實例i同樣之評價。將結果示於表1。 [表1] 表1 (綠色蒸錢型OLED元件之性能評價結果） 試樣 主體化合物 效率之濕熱經時耐久 性 驅動時初始之發光亮 度變化 備註 A-1 No.35 〇 〇 本發明 A-2 比較化合物1 X X 比較 [實例2] (藍色蒸鍍型OLED元件） 於實例1之發光元件之製作中，使用Firpic代替 Ir(ppy)3，除此之外以與實例1同樣之方式進行而製作發光 元件。若以與實例1同樣之方法使元件發光，則可獲得於 485 nm附近具有極大發光波長之發光。 進行與實例1同樣之評價。將結果示於表2。 [化 24] 54

201120006 L

[比較例2] 於實例2之發光元件之製作中，使用比較化合物1代 替本發明之化合物Νο·35，除此之外以與實例1同樣之方 式進行而製作發光元件。 進行與實例1同樣之評價。將其結果示於表2。 [表2] 表2 (藍色蒸鍍型OLED元件之性能評價結果） 試 樣 主體化合物 效率之濕熱經時耐 久性 驅動時初始之發光 亮度變化 備註 A-3 No.35 〇 〇 本發明 A-4 比較化合物1 X X 比較 [實例3] (塗佈液之調整） 將銥錯合物（Ir(ppy)3) 〇.15wt%、下表所示之主體化 合物Νο.35 1·85 wt%、甲基乙基酮98 wt%加以混合，獲得 55 201120006 有機電激發光元件用塗佈液（塗佈液A)。 (有機EL元件之製作） 將於25 mmx25 mmx0.7 mm之玻璃基板上蒸鑛有15〇 nm厚之ITO進行製膜而成者作為透明支撐基板。對該透 明支樓基板進行姓刻、清洗。 於該ITO玻璃基板上旋塗電洞注入層（pED〇Tpss 溶液（聚伸乙二氧基噻吩_聚苯乙烯磺酸摻雜體）/Bayer& 司製造）後，於15(TC下真空乾燥1小時，作為電洞注入 層（膜厚約40nm)。 於手套相（露點為·68度、氧濃度為1〇 ppm)内，於 其上旋塗塗佈液A，作為發光層（膜厚約4〇nm)。 其次’藉由真空蒸鍍法於其上蒸鍍膜厚為 40 nm 之

Balq作為電子注入層。其次，於其上蒸鍍lnm之氟化鋰， 進一步蒸鍵70 nm之金屬鋁，作為陰極。 將所製作之積層體放入至經氬氣置換後之手套箱内， 使用不鏽鋼製之密封罐及紫外線硬化型接著劑 (XNR5516HV、Nagase-CIBALtd.製造）進行密封。進行 與實例1同樣之評價方式。將結果示於表3。 [比較例3] 於實例3之發光元件之製作中，使用比較化合物1代 替本發明之化合物Νο·35，除此之外以與實例3同樣之方 式進行而製作發光元件。以與實例1同樣之方式地進行評 4貝。將結果示於表3。 [表3] 56 201120006, 表3 (綠色塗佈型OLED元件之性能評價結果） 言式 樣 主體化合物 效率之濕熱經時耐 久性 驅動時初始之發光 亮度變化 備註 A-5 No.35 ◎ ◎ 本發明 A-6 比較化合物1 X X 比較 [實例4] (塗佈液B之調整） 將銥錯合物（Ir(ppy)3) 0.23 wt%、主體化合物No.35 1.77 wt%、溶劑（N-甲基-2-吡咯啶酮、2-正丁氧基乙醇、 乙一醇以55/35/10之重量比率加以混合而成之溶劑）98 wt%加以混合’獲得有機電激發光元件用塗佈液（塗佈液 B)。 (有機EL元件之製作） 將於25 mm><25 mmx〇.7 mm之玻璃基板上蒸鍍有15〇 nm厚之ITO進行製膜而成者作為透明支撐基板。對該透 明支撐基板進行蝕刻、清洗。 於該ITO玻璃基板上旋塗電洞注入層（pED〇T_pss 洛液（聚伸乙二氧基嗟吩_聚苯乙烯績酸摻雜體）/Bayer公 司製造）後，於HKTC下真空乾燥i小時，作為電洞注入 層（膜厚約40nm)。 於手套箱（露點為-68度、氧濃度為1〇ppm)内，於 其上旋塗塗佈液B，作為發光層（膜厚約4〇nm)。 其次’藉由真空蒸錢法於其上蒸鍍膜厚為4〇麵之 57 201120006

Balq作為電子注入層。 其次’於其上蒸鍍1 nm之氟化锂，進一步蒸鍍70 nm 之金屬鋁，作為陰極。 將所製作之積層體放入至經氬氣置換後之手套箱内， 使用不鏽鋼製之密封罐及紫外線硬化型接著劑 (XNR5516HV、Nagase-CIBALtd.製造）進行密封。 (性能評價） 以與實例1同樣之方式地進行評價。 (評價結果） 將所得之結果示於表4。 [比較例4] 於實例4之發光元件之製作中，使用比較化合物1代 替本發明之化合物No.35，除此之外以與實例4同樣之方 式進行而製作發光元件。以與實例丨同樣之方式地進行評 價。將結果不於表4。 [表4] 表4 (綠色塗佈型0LED元件之性能評價結果）

[實例5] (塗佈液C之調整） 58

201120006 ^ L 將銀錯合物（Ir(PPy)3)〇.23 wt%、主體化合物Ν〇] i 77 wt%、溶劑（Ν-甲基-2-吡咯啶酮、2_正丁氧基乙醇、乙二 醇以55/35/10之重量比率加以混合而成之溶劑）％加％加 以混合，獲得有機電激發光元件用塗佈液（塗佈液C)。 (有機EL元件之製作） 將於25 mmx25 mmx〇.7 mm之玻璃基板上蒸鍍有150 nm厚之ITO進行製膜而成者作為透明支撐基板。對該透 明支撐基板進行蝕刻、清洗。 於5玄ITO玻璃基板上旋塗電洞注入層（ped〇t_pss 溶液（聚伸乙二氧基噻吩-聚苯乙烯磺酸摻雜體）/Bayer公 司製造）後，於100。(：下真空乾燥1小時，作為電洞注入 層（膜厚約40nm)。 於手套箱（露點為-68度、氧濃度為1〇 ppm)内，於 其上旋塗塗佈液C，作為發光層（膜厚約 40 nm )。 其次，藉由真空蒸鍍法於其上蒸鍍膜厚為 40 nm 之

Balq作為電子注入層。 其次，於其上蒸鍍1 nm之I化鋰，進一步蒸鍍7〇nm 之金屬紹，作為陰極。 將所製作之積層體放入至經氮氣置換後之手套箱内， 使用不鏽鋼製之密封罐及紫外線硬化型接著劑 (XNR5516HV、Nagase-CIBALtd.製造）進行密封。以與 實例1同樣之方式地進行評價。將所得之結果示於表5。 [比較例5] 於實例5之發光元件之製作中，使用下述之比較化合 59

201120006 L 物2〜比較化合物4代替本發明之化合物No l，除此之外 以與實例5同樣之方式進行而製作發光元件。以與實例1 同樣之方式地進行評價。將結果示於表5。 [化 25] 比較化合物2

Macromolecules、第 33 卷、第 801 頁、2000 年記載之 骨架 比較化合物3 0

曰本專利特開2004-311410中記載之化合物 201120006t 比較化合物4

曰本專利特開2008-1621中記載之化合物 [表5] 表5 (、兔矣拿佈型OLED元件之性能評價結果） 試樣 主體化合物 效率之濕熱經時对久 性 NO 口 | J只、J 驅動時初始之發光亮 度變化 備考 A-9 No.l 〇 〇 本發明 A-10 比較化合物2 △ A 比較 A-11 比較化合物3 X A 比較 A-12 比較化合物4 A Δ 比較 [實例6] (塗佈液D之調整） 將銥錯合物（Ir(ppy)3) (U3 wt%、主體化合物N〇 18 1.77 wt%、溶劑（N-甲基-2-吡咯啶酮、2-正丁氧基乙醇、 乙·一醇以55/35/10之重置比率加以混合而成之溶劑）98 wt%加以混合，獲得有機電激發光元件用塗佈液（塗佈液 D)。 (有機EL元件之製作） 61 201120006 將於25 mmx25 mmx〇.7 mm之玻璃基板上蒸鍍有15〇 nm厚之ITO進行製膜而成者作為透明支撐基板。對該透 明支撑基板進行飯刻、清洗。

於該1X0玻璃基板上旋塗電洞注入層（PEDOT-PSS 溶液（聚伸乙二氧基噻吩-聚苯乙烯磺酸摻雜體）/Bayer公 司製造）後’於l〇〇°C下真空乾燥1小時，作為電洞注入 層（膜厚約40nm)。 於手套相（露點為—68度、氧濃度為1〇 ppm)内，於 其上旋塗塗佈液D，作為發光層（膜厚約 40 nm ) 0 其次’藉由真空蒸鍍法於其上蒸鍍膜厚為40 nm之 Balq作為電子注入層。 其次’於其上蒸鍍1 nm之氟化裡，進一步蒸鍍nm 之金屬鋁，作為陰極。 將所製作之積層體放入至經氬氣置換後之手套箱内’ 使用不鏽鋼製之密封罐及紫外線硬化犁接著劑 (XNH5516HV、Nagase-CIBALtd.製造）進行密封。以與 實例1同樣之方式地進行評價。將所得之結果禾於表6。 [比較例6] 於實例6之發光元件之製作中，使用下述之比較化合 物5代替本發明之化合物N〇18，除此之外以與實例6同 樣之方式進行而製作發光元件。以與實例1同樣之方式地 進行評價。將結果示於表6。 [化 26] 62 20112000^ 比較化合物5

表6 (綠色塗佈型OLED元件之性能評價結果） 試樣 主體化合物 效率之濕熱經時耐久 性 驅動時初始之發光亮 度變化 備註 A-13 No. 18 〇 ◎ 本發明 A-14 比較化合物5 △ △ 比較 [實例7] (塗佈液E之調整） 將銥錯合物（Ir(ppy)3) 0.23 wt%、主體化合物No.52 1.77 wt%、溶劑（N-曱基-2-π比洛咬酮、2-正丁氧基乙醇、 乙·一醇以55/35/10之重量比率加以混合而成之溶劑）98 wt%加以混合，獲得有機電激發光元件用塗佈液（塗佈液 E)。 (有機EL元件之製作） 將於25 mmx25 mmx〇.7 mm之玻璃基板上蒸鍍有150 63 201120006 nm厚之1το進行製膜而成者作為透明支撐基板。對該透 明支#基板進行飯刻、清洗。 於§亥IT〇玻璃基板上旋塗電洞注入層（PEDOT-PSS 浴液（聚伸乙二氧基噻吩_聚苯乙烯磺酸摻雜體）/Bayer公 司製造）後’於1〇〇。(：下真空乾燥卜〗、時，作為電洞注入 層（膜厚約40nm)。 於手套箱（露點為度、氧濃度為1〇 ppm)内，於 其上旋塗塗佈液E，作為發光層（膜厚約4〇nm)。 其次’藉由真空蒸鍍法於其上蒸鍍膜厚為4〇 nm之 Balq作為電子注入層。其次，於其上蒸鍍1 ηιη之氟化鋰， 進一步蒸鍍70 nm之金屬鋁，作為陰極。 將所製作之積層體放入至經氬氣置換後之手套箱内， 使用不鏽鋼製之密封罐及紫外線硬化型接著劑 (XNR5516HV、Nagase-CIBALtd.製造）進行密封。以與 實例1同樣之方式地進行評價。將所得之結果示於表7。 [比較例7] 於實例7之發光元件之製作中，使用下述之比較化合 物6代替本發明之化合物n〇.52，除此之外以與實例7同 樣之方式進行而製作發光元件。以與實例1同樣之方式地 進行評價。將結果示於表7。 [化 27] 比較化合物6 64 201120006 t-Bu

表7 (綠色塗佈型OLED元件之性能評價結果） 試樣 主體化合物 效率之濕熱經時耐 久性 驅動時初始之發光 亮唐#化 備註 A-15 No.52 ◎ ◎ 本發明 A.-16 比較化合物6 L—Δ_] -_Δ_ 比較 路.，評價之結果可知：使用了本發明之化合物的有機電激 光7L件具有簡料耐久性以及购時初始之發光亮度 變化小的較高耐久性。 [產業上之可利用性] 及装ίίί發明’可提供—驗絲、化合物之製造方法 間體，所述組成物、化合物之製造方法及其製 造中間體可提供g卩使於d 以以及共展 亦顯示出較高之效率，、境下隨時間經過後 之有機電激發光元件 時减之發光亮度降低較小 獨電激發先辑。而且，可提供_種使用了所述組成 65 201120006 t化合物之製造方法及造中_的麵電激發光元 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上， 限定本發明，任何所屬枯 “、、其並非用以 本申請案基於2009年8月31 更動與潤飾。 (特願2009韻151)，該專利申曰提出申請之日本專利 本說明書中。 明案所揭露之内容被結合於 【圖式簡單說明】 jjtt. 〇 【主要元件符號說明】 66

Claims (1)

1. 201120006‘ 七、申請專利範圍： 1一·一種組成物，用於有機電激發光元件，該有機電激 發光兀件在基板上具有一對電極以及在該對電極間具有包 含發光層的至少-層有機層，所述組成物之特徵在ς:^ 有下述通式（1)所表示之化合物， 、3 通式（1) [化1]

   [化2] 10 C->R R11 芳基、或’H、R;細立地表示烧基、 R9、Rl〇、；a 1〇、11中之至少一個為烷基，且 U、5時均表刮目同之取代基；波線表示鍵 67 201120006 結位置）。 述通fit Ί專她圍第1項所述之組成物，其特徵於所 述通式（1) t，R3為所述取代基⑺。 、所 特徵1====第入;1員所述之組成物’其 表示之化合物， 化合物為下述通式（3)所 [化3]

   (於通式（3)中’ An表示芳基或雜芳基；〜〜反 分別獨立地表示氫原子或取代基，r〗6〜R23之至少一個以3 ^表示上述取代基⑵；另外，於&肖&均表示取代基 ⑺之情形時’ R3與表示不同之取代基；n表示 上之整數）。 、4·如申請專利範圍第3項所述之組成物，其特徵於所 述通式（3) t ,Αι*2表示伸苯基或伸聯苯基。 5. 如申請專利範圍第3項或第4項所述之組成物，盆 特徵於所述通式（3)中，η為2。 '、 6. —種有機電激發光元件，包括在基板上具有一對電 68 201120006 極以及在該對電極間具有包含發光層的至少— ==述有:層之任意層包含如申請專利範心 通式所表示德合物。 通式⑴之任意 I.如申請專利範圍第6項所述之有機電激發光元件， 其特徵為所述發光層包含如申請專利範圍第丨項至第5 己載之以通式⑴〜通式⑴之任意通式所表示之 化合物以及磷光發光材料。 8.如巾請專職圍第7項所述之有機電激發光元件， 〃特徵為所述磷光發光材料是Ir錯合物或pt錯合物。 9·如申請專利範圍第6項所述之有機電激發光元件， 其特徵為所述有機層之任意層是使用如申請專利範圍第1 項至第5項中任一項所述之組成物而形成。 10·如申請專利範圍帛㈣所述之有機電激發 特，為所述有機層之任意層是使用如中請專利範圍 第項至第5項中任—項戶斤述之組成物，藉由濕式製膜 形成。 、q 11.如申請專利範圍第1〇項所述之有機電激發光元 件’其特徵為所述濕式製麟自塗佈法、喷墨法或喷塗法。 I2· 一種製造方法，其特徵在於：使用下述通式（4) 所表不之化合物而製造下述通式（3)所表示之化合物， [化4] 69 201120006 D

   17 η (3) (於通式⑴中，Αι·2表示芳基或雜. 分別獨立地表示氫原子或取代基，反16〜'基，Rie〜R23 上表示上述取代基（2);另外，於r16^^23之至少一個以 (2)之情形時，尺3與^表示不同均表示取代基 上之整數） n基，η表示2以 [化5]

   Ri ⑷ (於通式（4)中，Ri〜R8表示氫原子或取代基， 〜Rs之至少一個以上表示上述取代基（2);另外，於R3 與厌6均表示取代基（2)之情形時，心與R6表示不同之取 代基）。 13. ~種咔唑化合物，所述咔唑化合物以r述結構式 所表示； 201120006 [化6]

   71 201120006 四、 指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：無指定代表圖。 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明： 無。 五、 本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵 的化學式： 201120006 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本修正日期:99年12月24曰 f........... 發明專利說明書 巧㈣ (本說明書格式、順序，請勿任意更動，※記號部分請勿填€乃 ※申請案號： ※申請日： ※”(：分類： 一、發明名稱：（中文/英文） S 有機電激發光元件及咔唑化合物 ORGAIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND CARBAZOLE COMPOUND 二、中文發明摘要： \ 一 -翻於有機電激發光it件之組成物，財機電激發 光兀件包括：基板上具有一對電極以及在該電極且^ 含發光層的至少一層有機層，其特徵在於： ^ ^ 有下述通式⑴所衫之化合物。、所杨成物含

   於通式（1)中，Μ表示芳基或雜料 獨立地表示氫原子或取代基；Ri〜心之=，1〜K分別 第三丁基等特定結構之取代基（2);另外個以上表示 表示取代基（2)之情形時，R3與，於汉3與I均 表不不同之取代基。 201120006 修正日期:99年12月24日 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種含有具特定結構之叶峻化合物的 有機電激發光元件’特別是有關於藉由濕式製膜而形成該 材料之有機電激發光元件。 【先前技術】 利用有機材料之元件（device)中，正活躍進行有機 電激發光元件（以下稱為OLED)之研究。特別是期待有 機電激發光元件作為固態發光型大面積全彩顯示元件或廉 價的大面積面光源的照明用途的發展。通常情況下，有機 電激發光元件由包含㈣層之有機化合物層以及鱗該有 機化合物層之-對對向電極而構成。若·種有機電激發 =件施加電壓，則自陰極將電子注人至有機化合物層且 %極將電’就人至有機化合物層。該 層再結合，於能階自導帶恢彳川在發九 式放出，由此而獲得復％带時’將能量以光之形 於此種使用有機材料之元株 空蒸鑛製程㈣成H ，先…χ來是藉由真 題：難以製作大面籍真Γ 4料程被指出具有如下之問 中使用極大的能量。=方㈣·效率低，於製造製程 徵：容易製作大面積元件，2 式製膜製程具有如下特 製作而於製造製程中並不使太高，可於常壓下 用濕式製膜製程製作有 太二因此侧 量的研究，但存在鱼直办—雖…自先則以來進行了大 、/、二翁鍍相比而言不能獲得效率及穩 201120006. 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 修正日期:99年12月24日 定性高的有機元件等問題。特別是關於有機電激發光元 件，提出了使用高分子系材料與低分子系材料這兩種方 式。高分子系材料容易藉由濕式製膜製程而形成良好之 膜，但是另一方面容易受到雜質之影響。低分子系材料容 易獲得較高之純度且顯示出較高之性能，但是通常情況下 難以於濕式製膜製私中形成良好之膜。迄今為止，雖然有 報告使用低分子系材料利用濕式製膜製程而製作有機元 件，但存在並未獲得充分之性能的情況（專利文獻1〜專 利文獻3、非專利文獻1〜專利文獻3 )。 已廣泛知悉咔唑化合物是賦予有機電激發光元件較高 性能之骨架，迄今為止，雖然報告了應用於濕式製膜製程 中之應用例，但存在並未獲得充分之性能的情況（專利文 . 獻4)。特別是雖然有報告為了提高溶解度而於咔唑骨架之 3位與6位巾導人蚊取絲之化合物，但存在並未獲得 充分之性能的情況（非專利文獻4、專利文獻5) 。而且， 報口了於咔唑骨架導入有三笨甲基（trityl) 之化合物，但 ◎ 於此θ㈣亦存在並未獲得充分之雜的情況（專利文獻 6) 〇 - 先前技術文獻 - 專利文獻 ^利文獻1 :日本專利特開2〇〇6_Π6699號公報 利文獻2 :日本專利特開2007-284408號公報 利文獻3 :美國專利7,285,432號公報 利文獻4 :日本專利特開2007-67383號公報 5 201120006 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本修正日期:99年12月24日 專利文獻5 :曰本專利特開2004-311410號公報 專利文獻6 :曰本專利特開2008-1621號公報 非專利文獻 非專利文獻 1 : Organic Electronics，第 10 卷，第 189 頁，2009年 非專利文獻 2 . Organic Electronics，第 10 卷，第 581 頁，2009年 非專利文獻 3 ; Journal 〇f Material Chemistry，第 18 卷，第1799頁，2008年 非專利文獻 4 : Macromolecules，第 33 卷，第 801 X， 2000 年 【發明内容】 本發明之目的在於提供一種有機電激發光元件，所述 有機電激發光元件即使於高溫、高濕之環境下隨時間經過 後亦顯示出較高之效率，且驅動時初始之發光亮度降低較 小。特別是提供-難異之有機電激發光元件驗成物， 所述有機電㈣光元件賴成物可藉由濕式製膜而提供即 使於而溫、高濕之環境下隨_經過後軸示出較高之效 率，且驅動時初始之發光亮度降低較小。 而且 a 種化合物之製造方法及其製造中間體， 所歧合物之製造綠及其製造巾間财提供即使 溫=濕之環境下隨時間經過後亦顯示峻高之效率 驅動$始之發光亮度降低較小之有麵激發光元件。 餐於上述狀況，本發明人進行了積極研究，結果發現 201120006^ 修正日期:99年12月24曰 爲第99129258號中文說明書無劃nf|iIE；^ 藉由使用具有特定取代基之十坐化合物，可實現即使於巧 溫、高濕之環境下隨時間經過後亦顯示出非常高之效率的 有機70件。本發明人等更發現了本發明之十坐化合物適於 料製膜製程’且發現藉由使用包含該十坐化合物之有機 t激發光元件用組成物’可提供即使於高溫、高濕之環境 下隨時間經過後亦顯示出較高之效率的有機電激發光元 件。另外’獲得了如下之知識見解：藉由經過濕式製膜塗 〇 佈而進行製造，可實現即使於高溫、高濕之環境下隨時間 經過後亦顯示出非常高之效率的有機元件、特別是驅動時 初始之發光亮度降低較小之有機元件，基於該知識見解進 一步進行研究從而完成本發明。 用以解決所述課題之方法如下所述。 [1] —種組成物，所述組成物是用於有機電激發光元件之 紐·成物，該有機電激發光元件在基板上具有一對電極以及 在5亥電極間具有包含發光層的至少一層有機層，其特徵在 〇 於：所述組成物含有下述通式（1)所表示之化合物， 通式（1) [化1]

   7 201120006 爲第991观δ號巾 修IH日期:99年12月24日 w獨式-(L)中’Ari表示芳基或雜芳基;〜〜〜分 ==)子或取代基，Ri，之至少-個以上表 不下达取代基（2);另外，於R^R6均表 之情形時’心與r6表示不同之取代基 ^ 取代基（2) [化2] C一 -P ' K10 Rl1 (於取代基（2)中，R n )中R9、ri〇及Ri!分別獨立地表示 烷基、方基、或雜关其，R、d ^ θ p D 土 9 Ri〇及Rii中之至少一個為烷 i示鍵二置°)。Ri1並不同時均表示相同之取代基；波線 [2] 如[1]所述之組成物，其特徵是於所述通式（丨）中， R3為所述取代基（2)。 [3] 一如[1]或[2]所述之組成物，其特徵是所述通式⑴所 表不之化合物為下述通式⑴所表示之化合物， [化3] 201120006.

   爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 修正日期:99年12月24日

   (於通式（3)中，Al*2表示芳基或雜芳基；心〜 分別獨立絲錢原子或取代基，〜〜％之至少一個以 十表示上述取代基（2 );另外，於〜與&均表示取代基 、2)之情形時’ Rl8與知表示不同之取代基；η表示2 以上之整數）。 [4]

   如[3]所述之組成物，其特徵是於所述通式中， Ah表示伸苯基或伸聯苯基。 [5] 中，η為2 [6] 板上===雷:述有機電激發光元件在基 -層有機層，其特徵二所電;：有包含發光層的至少 〜_記載之以通式⑴〜:=:層意= 9 201120006 修正日期:99年12月24日 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 示之化合物。 [7] 如问所述之有機電激發光元件，其特徵是所述發光層 包含如[1]〜[5]中所記載之以通式（1)〜通式（3)之任音、 通式所表示之化合物以及磷光發光材料。 [8] 如[7]所述之有機電激發光元件，其特徵是所述磷光發 光材料是銥(Ir)錯合物或鉑(Pt)錯合物。 $ [9] 如[6]所述之有機電激發光元件，其特徵是任意的所述 有機層是使用如[1]〜[5]中任一項所述之組成物而形成。 [10] 如[6]所述之有機電激發光元件，其特徵是任意的所述 有機層是使用如[1]〜[5]中任一項所述之組成物，藉由濕式 製膜而形成。 [11] 如[10]所述之有機電激發光元件，其特徵是所述濕式 製膜選自塗佈法、喷墨法、喷塗法。 [12] 一種製造方法，其特徵在於：使用下述通式（4)所表 示之化合物而製造下述通式（3)所表示之化合物， [化4] 201120006 Li 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本修正日期:99年12月24日

   ⑶

   (於通式（3)中，Ar2表示芳基或雜芳基；R16〜R23 分別獨立地表示氳原子或取代基，R16〜R23之至少一個以 上表示上述取代基（2);另外，於R18與R21均表示取代基 (2)之情形時，R18與R2i表示不同之取代基；η表示2 以上之整數。） [化5]

   (於通式（4)中，表示氳原子或取代基，且 &〜118之至少一個以上表示上述取代基（2);另外，於 R3與R6均表示取代基（2)之情形時，R3與R6表示不同 11 201120006 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 修正99年12月24曰 之取代基）。 [13] 1士 一種咔唑化合物，所述咔唑化合物以卞述、°構式所表 示； [化6]

   Me Η [發明之效果] 藉由本發明’提供一種組成物、化合物之製造方法及 其製造中間體，所述組成物、化合物之製造方法及其製造 中間體可提供即使於高溫、高濕之環境下隨時間經過後亦 顯不出較!％之效率，且驅動時初始之發光亮度降低較小之 光元件。而且’可提供—種使用了所述組成物、 方法及其製造中間體的有機電激發光元件。 [有機電激發光元件用組成物] 本發明之有機電激發光元件用組成物是用於有機電激 .i 201120006 修正曰期:99年12月24日 爲第必129258號中文說明書無劃線修正本 發光元件之組成物，該有機電激發光元件在基板上具有— 對電極以及在該電極間具有包含發光層的至少一層有機 層’所述有機電激發光元件用組成物含有下述通式（1)所 表示之化合物。 〇 通式（1)所表示之化合物由於在°卡嗤基上具有特定取 代基之結構特徵，而非晶質性高，可於短時間内形成缺陷 少之膜’作為雨性能元件’即使於高溫、高濕之環境下隨 時間經過後亦顯示出較高之效率，且特別是獲得於驅動時 初始之發光亮度降低較小之效果。 (通式（1)所表示之化合物） [化7] 〇

   R2 0) (於通式⑴中，Arl表示芳基或雜芳基。R1〜R8分 別獨立地表錢原子絲代基，R1〜R8之 示下述取代基（2)。另外，於R3“ 之情形時，R#r6表示不同之取代基）取·⑺ 取代基（2) ^ [化8] 13 201120006 修正曰期:99年12月24日 爲第99129258號中5：說明書無劃線修正本

   —R10 R*I1 —(於取代基（2)中’仏^^尺^分別獨立地表示烷 基、方基、或雜芳基’ r9、r1〇、Ru中之至少一個為烷基， 且R9、R1〇、R"並不同時均表示相同之取代基。波線表示 虱原子亦可為氣原子。 Ri〜R8所表示之取代基可列舉下述取代基群組v。 <取代基群組v> 可列舉：碳數為1〜18、較佳為碳數為丨〜⑺、更佳為 碳數為1〜5之未經取代之烷基（例如曱基、乙基、正丙基'、 正丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、 壬基）’碳數為1〜30、較佳為碳數為1〜20、更佳為碳數 為1〜1〇之經取代之烷基{例如三苯基甲基、三氟甲基、 苄基、羧乙基、乙氧基羰基曱基、乙醯基胺基甲基，且於 此處碳數為2〜18、較佳為碳數為3〜10、更佳為碳數為3 〜5之不飽和烴基（例如乙烯基、乙炔基、1_環己烯基、 次¥基、苯亞甲基）亦包含於經取代之烷基中丨；碳數為6 〜30、較佳為碳數為ό〜20、更佳為碳數為ό〜15之經取 代或未經取代之芳基（例如苯基、萘基、對羧基苯基、對 硝基苯基、3,5-二氯苯基、對氰基苯基、間氟苯基、對甲 201120006 修正日期:99年12月24日 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 苯基、4-丙基環己基-4’-聯笨基、4_丁基環己基_4，_聯笨基、 4-戍基環己基-4’-聯笨基、4_丙基苯基_2乙炔基_4，·聯笨 基）；破數為1〜20、較佳為碳數為2〜1〇、更佳為碳 4〜6之經取代或未經取代之雜芳基（例如.卡唾基、; 料基、2-♦定基、5_甲基〜比咬基、2-嘆吩基、 基、Ν·嗎琳基（m〇rph〇lln〇)、四氮咬 1 (論hyd論rfUryl)、咖定基(pyrimidyl));齡原子 ς 〇 ❹ 石;氰f;縣鳴基 :胺㈣美(制：佳為故數為2〜8、更佳為碳數為2〜5 之甲醯基（例如甲基胺甲醯 基)胺甲酿基）；碳數為〇〜1Λ乙基⑯甲醯基、（N-嗎琳 為碳數為2〜5之胺續酿以、較佳為碳數為2〜8、更佳 醯基、，底咬基)胺俩i)列::基，=基、乙基胺續 為碳數為1〜1〇、更佳為 力基，讀為1〜20、較佳 基、乙氧基、2-甲氧基乙$二8找氧基(例如甲氧 基(例如苯氧基二佳為碳數為6〜U)之芳氧 碳數為H、較佳為對氯苯氧基、萘氧基）； 之酿基（例如乙酸基、〜12、更佳為碳數為2〜8 〜20、較佳為碳數為2酿基、三氣乙酿基）；碳數為1 (例如乙醯氧基、笨 更佳為碳數為2〜8之酿氧基 =〜12、更佳為AT〜心^ 胺基），碳數為^ 之酿基胺基（例如乙酿基 為1〜8之韻基(例如甲·;數乙為：，為碳數 兴醒基、本續酿基）； 15 201120006 爲第9_9129258號中文說明書無劃線修正本 修正日期年12月24曰 碳數為卜20、較佳為碳數為卜1()、更佳為碳 之亞磺醯基(例如甲亞磺醯基、乙亞磺醢基 酿二8 碳數為卜20、較佳為碳數為卜1()、更佳為碳數為2 之續醯基胺基（例如曱顧基胺基、乙_基 醯基胺基）； 本㉟ 碳數為0〜20、較佳為碳數為Q〜12、更佳 〜8之經喊絲經取狀絲（例如未練代之H 0 甲基胺基、二甲胺基、¥基胺基、笨胺基、二苯 f、· 碳數為G〜15、較佳為碳數為3〜1G、更佳 之銨基（例如三甲基銨基、三乙基銨基）；碳數為〇為〜= 較佳為碳數為HO、更佳為碳數為卜6之肼基 、 甲基肼基）；碳數為1〜I5、較佳為碳數為: 碳數為！〜6之縣（例如腺基、N,N•二f基職）；= 為1〜15、較佳為碳數為卜10、更佳為碳數為卜6 胺基（例如琥舰亞胺基）；碳數為卜2()、較佳為碳^ 〇 1〜12、更佳為碳數為卜8之烷硫基（例如甲硫基、乙： 基、丙硫基）；碳數為6〜80、較佳為碳數為6〜4〇 : 為碳數為6〜3〇之芳硫基（例如笨硫基、對f基苯硫基、 對乳苯硫基、2·喊基硫基、丨_萘基硫基、2•萘基硫基、 4-丙基環己基_4’_聯苯基硫基、4_丁基環己基本聯苯基辟 基、4-絲環己基卓聯笨基硫基、4_丙基苯基_2_乙炔基^ 聯苯基硫基）；碳數為卜⑽、較佳為碳數為丨〜仙、更隹 為碳數為丨〜％之雜芳基硫基（彳物2,基硫基、3_览 咬基硫基、4_«基硫基、2料基硫基、2令南基硫基、 16 201120006“ 爲第99129258號中文說明書無劃線 修正日期:99年12月24日 2-吼咯基硫基）； 反數為2〜2〇、車父佳為石炭 〜8之烷氧基羰基（例如 2圭，數為2 氧羰基）；碳數為ό〜2〇、知杜^山土、 基叙基、2_苄 %L r λ Λ ^ a- 較佳為奴數為6〜12、更彳φ 數為6〜10之芳氧基幾基（例如^佳為石厌 群組V亦可取苯環或萃, 土火土）二取代基 〇 取代基上，亦可進合而成之結構。另夕卜，於該些 基。丨了進步取代選自取代基雜v之任意取代 =鳴較佳為氫原子、烧基、芳基、 方乳基、氟原子。特佳為氫原子、烧基H 取代基亦可經氘取代。 方土卡唑基。 Ar】表示芳基或雜芳基。 20 ^所綠為碳數為6〜3G、較佳為碳數為6〜 ^為石厌數為6〜15之經取代或未經取代之芳基（例 聯本基、萘基、賴基苯基、對硝基苯基、3 5_ -=本基、對氰基笨基、間氣苯基、對f苯基、4丙基環 =4、聯苯基、4_ 丁基環己基，苯基、4戍基環己基七 ，本基丙基苯基_2_乙块基木聯苯基、經味唾基取代之 苯基經咔唑基取代之聯苯基），較佳為苯基、聯苯基， 佳為經咔唑基取代之苯基、經咔唑基取代之聯苯基。 Ar】所表示之雜芳基為碳數為、較佳為碳數為2 〜1〇、更佳為碳數為4〜6之經取代或未經取代之雜芳Λ (例如ν+坐基、3十坐基、2_π比唆基、5·尹基_3_吼咬基土、 2_嗟吩基、2·咳喃基、N_嗎琳基、四氫㈣甲基、♦定基土)。 17 201120006 爲第99129258號中文說明書無劃線修正# 修正日期:99年12月24日 、ΑΓι較佳為芳基，為苯基、聯苯基，亦可進—步具 取代基。 〃 進-步所具有的取代基可馨上述取代基群組V 佳為烷基、芳基、雜芳基，特佳為咔唑基。 於取代基（2)中，波線表示鍵結位置。 2 ' Rh)、心所表示找基刊舉上述取代基群组ν 中喊之烧基’較佳為子基、乙基、正丙基、正丁基、第 二丁基、戊基、己基、環己基，更佳為甲基、乙基、丙基。 R9、R1〇、Rn所表示之芳基可列舉上述取代基群组V ^己載之絲，較㈣苯基、丨·萘基、2萘基、2甲基苯 基、3_甲基苯基、2_甲氧基苯基，更佳為苯基。 R9、R1Q、Rll所表示之雜芳基可列舉上述取代基群組 I中記載之歸基，較佳為2_辦基、3_㈣基、2_嗟吩 基、2’啉基、2_吱喃基，更佳為2_吼啶基。 =9、R1G、R„亦可進—步具有取代基。於此情形時之 =基I列舉上述取代基群組v，較佳為烧基、芳基、烷 乳土、方氧基、鹵素原子，更佳為絲基、_素原子。 R9、r1〇、r"中之至少一個為烷基，且R9、Ri。、 不會同時全都表示相同之取代基。 %、Rio、R"之組合可列舉以下之組合： R9 =^10 = 1^11 =烷基 R9 = R10=烷基、R11=芳基 R9==Rl〇=烷基、Rii =雜芳基 R9=燒基、R1〇 = Ru=芳基 18 201120006 L J. 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 修正日期:99年12月24日 =烧基、Ri〇 = Rii =雜方基。 於上述組合中，更佳的是R9、R10為甲基，；為乙基。 較佳的是於所述通式（1 )中，R3為所述取代基（2)。 較佳的是所述通式（1 )所表示之化合物為下述通式（3 ) 所表示之化合物。 通式（3) [化9]

   (於通式（3)中，Aq表示芳基或雜芳美。 分別獨立地表示氫原子或取代基，r16〜r ^ 16 23 η表示2 上表示下述取代基（2)。另外，於R4 R23 ^至少一個以 (2)之情形時，R18與R21表示不同之取^表不取代基 以上之整數） a 取代基（2) Ut 10] 201120006 爲第99129258號中文1ft明書無劃線修正本修正日期:99年12月&日

   R” —(於取代基（2)中，R9、Rl〇、Rn分別獨立地表示烷 基、芳基、或雜芳基，R9、Rio、Rii中之至少一個為烷基， 且R9、R10、Ru並不同時均表示相同之取代基。波線表示 鍵結位置。） Ar2表示芳基或雜芳基。 ΑΓ2所表示之芳基為碳數為6〜30、較佳為碳數為6〜 20三更佳為碳數為6〜15之經取代或未經取代之芳基㈠列 如，，、聯苯基、萘基、對羧基苯基、對硝基笨基、3,5_ 一氯苯基、對氰基苯基、間氟苯基、對曱苯基、4-丙基環 己，-4’-聯苯基、4_丁基環己基卓聯苯基、4_戊基環己基_4，_ 聯苯基、4-丙基苯基_2_乙炔基_4，_聯苯基）。 1Q、ΑΓ2所表示雜芳基為碳數為1〜20、較佳為碳數為2〜 1〇、更佳為碳數為4〜6之經取代或未經取代之雜芳基（例 =基、3十坐基、2“比咬基、5•甲基_3_如定基、2_ 呍土、2-呋喃基、嗎啉基、四氫呋喃甲基、嘧啶基）。 魏為綠，為苯基聯苯基亦可進—步具有 取代暴。 社么!? Γ步所具有的取代基可列舉上述取代基群組v，較 土 ’、、、'元土、芳基、雜芳基，特佳為咔唑基。 Rl6〜&表示氫原子或取代基，&〜R23之至少一個 20 201120006 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 修正日期:99年12月24曰 以上表示下述取代基（2)。另外，於R16與R23均表示取代 基（2)之情形時，R16與R23表示不同之取代基。取代基 可列舉上述取代基群組V。 η為2以上之整數，較佳為n=2、3、4,特佳為n = 2。 通式（1)所表示之化合物之於膜狀態下之1\階（最 低三重激發態之能階）較佳為45 Kcal/mol以上（188.3 KJ/mol 以上）、85 Kcal/mol 以下（355.6 KJ/mol 以下），更 Ο 佳為 55 Kcal/mol 以上（251.0 KJ/mol 以上）、85 Kcal/mol 以下（355.6 KJ/mol以下），進一步更佳為60 Kcal/mol以 上（272.0 KJ/mol 以上）、85 Kcal/mol 以下（355_6 KJ/mol 以下）。 乃階可測定化合物於膜狀態下之磷光光譜，由光譜之 短波端之波長而求出。 通式Ο)所表示之化合物之玻璃轉移溫度（Tg)較 佳為80°C以上400。(：以下，更佳為100X：以上400。(：以下， 進一步更佳為120°C以上400。(：以下。 〇 以下’例示本發明中可使用之以通式（1)所表示之化

   21 201120006 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 修正曰期:99年12月24日 例子編號 Ri r2 r3 r4 r5 Re r7 Re Rg Rio R11 r12 No. 1 H H H H H H H H H CH3 ch3 CaHs No. 2 H H H H H H H H H ch3 C2H5 C2Hs No. 3 H H H H H H H H H CHj ch3 n-C^g No. 4 H H H H H H H H H ch3 CH3 CH2C(CH3)3 No. 5 H H H H H H H H H ch3 ch3 Ph No. 6 H H H H H H H ch3 H ch3 ch3 2-pyrbyl No. 7 H H H H ch3 H H H H C2H5 C2Hs Π~ 〇3H9 No. 8 H H H H H t-Bu H H H ch3 ch3 CaHs Να 9 Me H H H H Ph H H H ch3 ch3 c2h5 No, 10 H Me H H H H H H H CH3 ch3 C2H5 No. 11 H H OMe H H H H H H CH3 ch3 C2H5 No. 12 H H H H H H H H t-Bu ch3 ch3 〇2HS No. 13 H H H H H H H H H ch3 CHg CzHsOMd No. 14 H H H H H H H H H ch3 ch3 A-MePh No. 15 H H H H H H H H t-Bu ch3 Ph Ph No. 16 H H H H H F H H H cf3 cf3 cyHs No. 17 H H H H H cf3 H H H ch3 ch3 CH2Ph [化 12] 22 201120006. 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本修正日期:99年12月24日

   Re

   例子編號 Rz R4 «5 Re r7 r8 Rs R10 R11 r12 No. 18 H H H H H H H H H ch3 ch3 C2H5 Να 19 H H H H H H H H H CHa C2HS CaHs No. 20 H H H H H H H H H ch3 CH3 No. 21 H H H H H H H H H ch3 CHa No. 22 H H H H H H H H H ch3 CH3 Ph Να 23 H H H H H H H CH3 H CHg ch3 2-pyridyl No. 24 H H H H CHa H H H H C2H5 C2H5 Π" C^Hg Να 25 H H H H H CFa H H ch3 CHg CHa CzHs No. 26 Me H H H H OPh H H H CHa ch3 C2H5 No. 27 H H H H H H H H H CH3 ch3 C^Cl NO. 26 H H cm H H H H H H ch3 ch3 CzHs No. 29 H H H H H H H H t-Bu 0¾ CH3 CaHs No. 30 H H H H H H H H H CHa CHS CzHsOPh No. 31 H H H H H H H H H ch3 CHs 3t4Ato2Ph No. 32 H H H H H H H H CN CHs Ph Ph Να 33 H H H H H F H H H cf3 CF3 C2H5 No. 34 H H H H H CFa H H H ch3 ch3 CHaPh 23 201120006 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 修正日期:99年12月24日 [化 13]

   例子編號 Ri r2 r3 R4 Rs Re r7 Re Re Rio Rn R，2 No. 35 H H H H H H H H H ch3 ch3 CzHs No. 36 H H H H H H H H H ch3 C2H5 C2H5 No. 37 H H H H H H H H H ch3 ch3 他.38 H H H H H H H H H ch3 ch3 CH2C(CH3)3 No. 39 H H H H H H H H H CH3 CH3 Ph No. 40 H H H H H H H ch3 H CH3 CH3 2-pyridyl No. 41 H H H H CHa H H H H C2H5 C2H5 η-〇3Η9 No. 42 H H H H H cf3 H H CHs CH3 ch3 C2H5 No. 43 Me H H H H OPh H H H ch3 ch3 CzHs No. 44 H H H H H H H H H ch3 CH3 C2H4F No. 45 H H F H H H H H H cf3 cf3 C2F5 No. 46 H H H H H H H H Cl ch3 ch3 C2H5 No. 47 H H H H H H H H H ch3 ch3 i^HgOPh No. 48 H H H H H H H H H ch3 ch3 3,4-Me2Ph No. 49 H H H H H H H Ph H CH3 Ph Ph No. SO H H H H H F H H H cf3 cf3 C2H5 No. 51 H H H H H CN H H H CH3 CH3 CHzPh 24 201120006. 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 修正曰期·· 99年12月24曰 [化 14]

   例子編號 Ri r2 Rs «4 Rs Re r7 Re Re Rio r12 No. 52 H H H H H H H H H CH3 ch3 C2H5 No. 53 H H H H H H H H H CHa C2H5 C2H5 No. 54 H H H H H H H H H CH3 CH3 n*CgH^ \ No. 55 H H H H H H H H H CH3 CH3 CHzCfCHah No. 56 H H H H H H H H H CH3 CHa Ph No. 57 H H H H H H H CHS » H CH3 ch3 3-pyridyl No· 56 H H H H ch3 H H H H C2H5 CaHs n'CeHi7 No.59 H H H H H H H H ch3 CH3 CH3 CHMeOvCaH^ No. 60 Me H H H H OPh H H H ch3 CHa C2H5 No. 61 H H H H H H H H H ch3 CH3 C2H4F No. 62 H H F H H H H H H cf3 cf3 C2F5 No. 63 H H H H H H H H a ch3 CH3 CaHs No.64 H H H H H H H H H ch3 ch3 C2H5OPh No. 65 H H H H H H H M H ch3 CH3 3-MePh No. 66 H H H H H H H Ph Ph CH3 Ph Ph No. 67 H H H H H F H H H CH3 CH3 1-naphtyl No. 68 H H H H H H H H H CH3 ch3 CH2R1 25 201120006 爲第A129258號中文說明書無劃線修正本修正日期:99年12月24日 [化 15]

   通式（1)所表示之化合物可組合各種公知之合成法而 合成。例如，可使用Chemical Review、第46卷、第359 〜380頁、1947年中記載之方法。 本發明之組成物中，除通式（1)所表示之化合物以外， 還可以含有主體(host)化合物、發光材料、聚合物、具有使 元件性能提高之功能的化合物（例如抗氧化劑、水分補足 劑、氧補足劑等）、塗佈溶劑、界面活性劑等。 通式（1)所表示之化合物之含量相對於組成物之總重 量而s較佳的是含有〇 1 wt%〜99 wt。/。，更佳的是含有1 Wt/°〜95 wt% ’更佳的是含有5 wt°/〇〜95 wt%。 而且，本發明亦關於通式（3)所表示之化合物之製造 方法。 26 201120006. 爲第必129258號中文酬書無劃線修正本 修正曰期:"年I2月24日 以下，對本發明之製造方法加以說明。 [通式（3)所表示之化合物之製造方法] 本發明之製造方法的特徵在於使用下述通式（4)所表 示之化合物而製造下述通式（3)所表示之化合物。 藉由使用該方法，可獲得純度高且元件性能高之化合 物0 [化 16] 〇

   〇 (於通式（3)中’Ar2表衫基或雜料 分別獨立地表示氫原子或取代基，R16〜 土 16 R23 上表示下述取代基（2)。另外，於R # 23之至少一個以 ⑺之情形時，R18與R21表示不同之^^表示取代基 以上之整數） 絲。η表示2 取代基（2) [化 17] 27 201120006 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本

   修正日期:99年12月24曰 個為烷基， 之取代基。波線表示 J於取基（2)中〜^、〜分_立地表示燒 基、芳基、或雜芳基，R9、Riq、Rii中之至少一 且R9、R10、Ru並不同時均表示相同 鍵結位置）

   [化 18]

   R2 Ri (4)

   (於通式（4) +，Rl〜R8表示氫原子或取代基，& 〜R8之至少一個以上表示上述取代基（2)。另外，於R 與仏均表示取代基⑵之情形時，R4R6表示不同之取3 代基） 使用通式（4)所表示之化合物製造通式所表示 之化合物的方法可列舉利用了偶合反應之方法，其中，較 佳的是使用藉由偶合反應使通式（4)所表示之化合物與鹵 化合物連結之方法而合成。 通式（3)所表示之化合物及通式（4)所表示之化合 28 201120006. 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本修正日期:99年12月24曰 物之較佳之範圍及具體例可列舉與上述相同之範圍及具體 例0 藉由本發明之方法’可高產率地獲得通式（4)所表示 之化合物。 偶合反應較佳的是使用過渡金屬觸媒、特別是銅、鎳、 把觸媒之方法’具體之方法例如可列舉Mauger, C.C.Mignani，G.A.著之 AldrichimicaActa 第 39 卷、第 17 頁、2006 年；Schlummer，B·、Scholz，U·著之 Advanced. U Synthetic. Catalyst.第 346卷、第 1599 頁、2004年；Anderson， K.W.著之 Angew. Chem. Int. Ed.第 45 卷、第 6523 頁、2006 年；Altman，R.A.、Buchwald, S丄.著之 0rganic Letters 第 8 卷、第 2779 頁、2006 年；Kiyomori，A.著之 Tetrahedron Letters 第 40 卷、第 2657 頁、1999 年；81^&，八、Buchwald， S丄.著之 Journal 〇f the American Chemical Society 第 128 卷、第87^頁、2006年中記載之方法。 使用通式⑷所表*之化合物製造狀⑶所表示 之化合物的方妹匈是祕狀縣τ進行。溶劑可適 宜使⑽系、酿㈣、鹵代烴、芳香⑽、烴、S旨系溶劑。 了列，、銅、鎳等’較佳的是L反應溫 二二β 5 5〇C〜3〇〇°Ci範圍更佳的是60°C〜200〇C之 if間較佳的是10分鐘〜10曰之範圍，更佳的 疋1小時〜24小時之範圍。 [η卡嗤化合物] 本發明亦關於下述㈣化合物。本發明之十坐化合物 29 201120006 修正日期:99年12月24日 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 疋新穎之化合物，Μ作可提供較於高溫 經過後亦顯示出較高之效率，且驅動時 光冗度降健奴麵電激發光元件的化合物之製造中問 [化 19]

   [有機電激發光元件] 、本發明之有機電激發光元件是在基板上具有—财電極 ΐΐίί電極間具有包含發光層的至少一層有機層的有機 電激七光7〇件，所述有機層之任意層包含以所述通式（1) 〜通式⑴之任意通式所表示之化合物。 於本發明中’通式⑴所表示之化合物可於有機清之 ^層中含有。作為通式⑴所表示之化合物之導八廣’ 較佳的是於發光層、電洞注人層、電洞傳輸層、電孑傳輸 層、電子注入層、激子阻擋層㈣it〇nbl〇ckla㈣電荷陴 ^層之任-層或者多層中含有，較佳的是於電洞傳輸廣、 電子傳輸層或魏層巾含有，更佳的是於發光層中含有。 於發光層中含有通式⑴所表示之化合物之情衫晴’ 相對於發光層之總重量，較佳的是含有i wt%〜99 一， 更佳的是含有5 wt%〜95 wt%，進一步更佳的是含有1〇 30 201120006 爲第99麵號中文說明書無_正本 修正_9年12月μ日 wt%〜95 wt%。於發光層以外之層中進一步含有通式（j ) 所表示之化合物之情形時，較佳的是含有5〇 wt%，更佳的是含有60wt°/o〜i〇〇wt〇/^。 纟發明之有機電激發光元件，通常情況下對其透 極與背面電極之間施加2伏特〜4〇伏特左右之^流電壓 (亦可含有交流成分）或直流電流财生發光。而且，於 驅動本發明之發光元件時，可利用日本專利特開平 2·148687號、日本專利特開平W01355號、日本專利特開 〇 平5_29_號、日本專利特開平7-134558號、日本專利特 開平8-234685號、日本專利特開平8_241〇47號、美國專 利5828429號、美國專利6〇23姻號、日本專利第2784615 號等中記載之驅動方法。以下，對形成本發明中所使用之 發光積層體之各層加以詳述，但本發明並不限定於該些各 層。 一 (Α)基材 本發明中所使用之基材較佳的是由不透過水分之材料 〇 Α者jc刀透過率極其低之材料所構成。該材料較佳的是並 不使^有機化合物層發出之光散射或衰減。其具體例可列 舉紀穩疋氧彳b# (yttrium stabilized zireonia，YSZ)、玻璃 • f無機材料，聚對苯二甲酸乙二醋、聚對笨二甲酸丁二醋、 聚^二甲酸乙二酯等聚@|絲苯乙烯、聚碳_、聚醚石風、 聚芳知、碳酸-二乙二醇酯.烯丙醇酯（&⑼dig以 ^arbonate)、輯亞胺、聚環烯烴、降冰片婦樹脂、聚(三 氟氯乙稀)等有機材料等。其中，特別可較佳地使用耐熱 31 201120006 修正曰期:99年12月24曰 爲第99129258號中文說明書無劃線修正;φ； 性、尺寸穩定性、耐溶劑性、電絕緣性及加工性優異 低通氣性及低吸濕性之有機材料。基材可以單一村' 成’亦可以2種以上之材料形成。基材之材料可根據透‘ 電極材料而適宜選擇，例如於透明電極為氧化鋼 之情=，較佳的是使用與ΙΤ0之晶袼常數之差小的材料。） 基材之形狀、結構、大小等可根據發光元件之 =二ΓαΓ;常為板狀。結構可為單層結構亦 頻波S3而防透濕層可藉由高 層或底塗層。 亦可視需要於基材設置硬塗 (B)透明電極 J 電二透:電極具有作為對有機化合物層供給 背面電二=發:::=發揮功能，於此情形時 極之情形加以說明力月b。以下，對將透明電極作為陽 根據及結構、大小等並無特別之限制，可 材料可使用宜選擇。形成透明電極之 些之混合物等，較二Β、金屬氧化物、導電性化合物、該 幸又佳的疋使用功函數為4 eV以上之材料。 32 201120006. 爲第99129258號中文說明書無劃線修^# 修正曰期:99年12月24曰 歧别：yy千u月24日 ί 了銻的氧化錫(Ατο)、摻雜了氟的氧化 ^ ) +導性金屬氧化物（氧化錫、氧化鋅、氧化銦、 氧化銦錫ατ〇)、氧化辞鋼（IZ⑴等）、金屬（金、銀、 ，、錄等）、該些金屬解電性金屬 :以導，質(破化銅、硫刪^ 枓（聚本胺、聚嗟吩、聚轉等）及其與Ιτ〇之積層物等。 〇 透㈣極可藉由印概、塗佈法等濕式方法，真^ f法、濺鑛法、離子電鑛法等物理性 相積 i、電滎化學氣相沈積法等化學性方法等而开 1^：= ί:方法可考慮與透明電極材料之適合性而適 使用直、Μ=使用1το作為透明電極之材料之情形時，可 _波濺鍍法、真空蒸錢法、離子電鑛法等。 材料作為透明電極之材料丄 〇 雷射之化，敍刻、使用 r空蒸鑛或濺鍍、剝離(iif，法、印:：二:： ί於基材之表”訂亦可_成於丄表二電_極部， 伽〜靖，通常為仞 m μηι。透明電極之電阻值較 33 201120006 修正日期:99年12月24日 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 ^的是設為1〇3 Ω/□以下，更佳的是設為ίο2 Ω/□以下。 透明電極可為無色透明亦可為有色透明。為了自透明電極 上其;過率較佳的是設為_上，更二是 ί而進賴定 衬触細了分光光輯之公知方 R :二於「透明導電臈之新擴展」（澤田豐監修、CMC 〇〇 i 9年）等中詳細記載之電極亦適用於本發明中。 低之塑膠基材之情形時’較佳的是使用 電極材料，於15此以下之低溫下進 (C)背面電極 入雷下，背面電極具有作為於有機化合物層中注 妒日#~^ *城功^1 ’亦可作為陽極而發揮功能，於此情 背透明電極作為陰極而發揮功能。以下，對將 者面電極作為陰極之情形加以說明。 根據及=而t小等並無特別之限制，可 Cj 材料可使用金2 ίΓ=選擇。形成背面電極之 此之、私堃口金屬氧化物、導電性化合物、該 :之：物專，較佳的是使用功函數為45 ev以 ^=體例可列舉驗金屬（L1、Na、K、cs等）、驗土金 金、#)、金、銀、n納，合金、裡紹合 使用r 、稀土類金屬（镱等）等。該些可單獨 但為了兼顧穩定性與電子注入性較佳的是併用兩 。该些材料中，自電子注人性之觀點考慮，較佳的 34 201120006 修正曰期:99年12月24曰 爲第99129258號中文說明書無劃丨 ，驗金屬及紅金屬；自保存穩定性之觀點考慮，較佳的 ^以，為主體之材料。此處，所謂_為主體之材料，是 ^單質、㈣_ wt%〜1G wt%之驗金屬或驗土金屬之 ^或混合物（㈣呂合金、鎂·齡金等）。背面電極之材 $可以使用於日本專利特開平w测號、日本專 開平5-121172號等中詳述之材料。 〇 〇 背面電極可藉由印刷法、塗佈法等濕式方法，真空蒸 = >、濺锻法、離子電鍍料物理性方法 ^ Ϊ可==::等化學性方法等而形成:形成㊁ 使用宜選擇。例如，於 可同^者依序猶鱗料㈣成。極之材料之情形時’ 背面電極之圖案化可藉由微影等 :射等之物理性侧等而進行。 之^空顧或_、_法、_法“進 適宜選:電據發光元件之用途以的而 電極；層上。此時，背面 機化合物層表面之—部分上。而且1上亦可僅形成於有 ，之間亦可設置厚度為〇] nm〜5 與有機化合 氟化物等所形成之介電質層 减法、濺錄法、離子電鑛法等而形成。層了藉由真 咖厚度可根據歸_如卿，通常為1〇 〜為—，背面電4透=;。 35 201120006 爲第99129258號中文說明麵劃線修正本 修正日期:99年12月以日 透明。透明背面電極可薄薄地製膜為1 nm〜1〇nm厚之上 述材料層，進一步積層ΓΓΟ或IZ0等透明導電性材料而形 成。 (D)發光層 於本發明之發光元件中，發光層含有螢光發光性化合 物（螢光發光材料）或磷光發光性化合物（磷光發光材料）。 較佳為磷光發光性化合物。磷光發光性化合物若為可由三 重態激子而發光之化合物則並無特別之限定。填光發光性 化合物較佳的是使用鄰位金屬化錯合物（orthometalated 〇 complexes)或卟啉(porphyrin)錯合物，更佳的是使用鄰位金 屬化錯合物。卟啉錯合物中較佳的是卟啉鉑錯合物。於本 發明中，較佳的是磷光發光材料為lr錯合物或扒錯合物。 磷光發光性化合物可單獨使用亦可併用2種以上。 所謂鄰位金屬化錯合物’是山本明夫著之「有機金屬 化學基礎與應用」、第150頁及第232頁、裳華房公司（1982 年）、H. Yersin 著之「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」、第 71 〜77 頁及第 135 〜146 頁、 ◎ Springer-Verlag公司（1987年）等中記載之化合物群組之 總稱。形成鄰位金屬化錯合物之配位基並無特別之限定， 較佳的是2-苯基η比唆衍生物、7,8-苯並啥琳衍生物、2-(2- . 噻吩基)吼啶衍生物、2-(1-萘基)吡啶衍生物或2_苯基喹啉 衍生物。該些衍生物亦可具有取代基。 而且’該些鄰位金屬化錯合物除了形成所必須之配位 基以外亦可具有其他配位基。形成鄰位金屬化錯合物之中 36 201120006^ 爲弟99129258號中文說明書無劃線修正本 修正日期· 99年12月24日 心金屬為任意過渡金屬則可使用，於本發明中可較佳地使 用鍺、鉑、金、銥、釕、鈀等。其中特佳的是銥。含有此 種鄰位金屬化錯合物之有機化合物層之發光亮度及發光效 率優異。關於鄰位金屬化錯合物，於日本專利特願 2000-254171號之段落編號〇152〜0180中亦記載了其具體 例0 本發明中所使用之鄰位金屬化錯合物可藉由inorg. Chem” 30, 1685, 199卜 Inorg. Chem” 27, 3464, 1988、Inorg. ◦ Chem” 33, 545, 1994、Inorg. Chim. Acta, 181，245, 1991、 J.Organomet. Chem” 335, 293, 1987、J. Am· Chem. Soc” 107, 1431，1985等中記載之公知之方法而合成。 發光層中之發光性化合物之含量並無特別之限制，例 如為0.1 wt%〜70 wt%，較佳的是1 wt%〜2〇 wt%。若鱗 光發光性化合物之含量未達0.1 wt%或者超過70 wt%，則 存在不能充分發揮其效果之情況。 本發明之發光元件之外部量子效率較佳的是5%以 Ο 上’更佳的是10%以上’進一步更佳的是13%以上。外部 量子效率之數值可使用於20°C下驅動元件時外部量子效 率之最大值、或者於20°C下驅動元件時於i〇〇cd/m2〜300 . cd/m2附近（較佳為200 cd/m2〜300 cd/m2)之外部量子效 率之值。 本發明之發光元件之内部量子效率較佳的是30%以 上，更佳的是50%以上，進一步更佳的是70%以上。元件 之内部量子效率可藉由内部量子效率=外部量子效率/光 37 201120006 修正日期:99年〗2月24日 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 出射效率而算出。於通常之有機EL元件中，光 為約20%，但藉由設法改進基板之形狀、電極之形狀 機層之膜厚、無機層之膜厚、有機層之折射率、^ 折射率等，可使光出射效率為2〇%以上。 …、機層之 本發明之發光層中所含之主體㈣ 及電洞輸送材料之玻璃轉移點較⑽是 下’更佳的S1G(TC以上38G〇C以下，進-步更佳的是⑽ 以上37G°C以下，特佳的^： 14(rc以上·c以下。 〇 於本發明中’發光層亦可視需要含有主體化合物 洞傳輸材料、電子傳輸材料、電氣惰性之聚合物黏合 主體化合物較佳的是本發明之通式⑴所表示之化人 =另外亦可含有其他之主體化合物。此種主體材料可^ 舉十坐何生物、三飾生物令錄生物"惡二唾衍生物、 味哇衍生物、多芳基贿衍生物、吼。坐 〇 ^衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、_基取= 一耳酮衍生物、苯乙稀基蒽衍生物、第贿生物、膝衍生 物、/衍生物、石夕氮燒衍生物、芳香族三級胺化合物、苯 乙婦基胺化合物、芳香族二次甲基(Dimethylidene)化合 ，^卜琳化合物、蒽酿二甲烧衍生物、葱嗣衍生物、聯苯 酉比衍生物、一氧化噻喃(thiopyran dioxide)衍生物、碳二醯 ^胺衍生物、亞第基甲烷衍生物、二苯乙烯吡嗪衍生物、 ‘茈等之雜環四竣酸酐、酿菁衍生物、8·經喧琳衍生物之 金屬錯合物、金屬酞菁、以苯並噁唑或苯並噻唑等為配位 基之金屬錯合物、聚矽烷化合物、聚(N-乙烯基咔唑)衍生 38 201120006. 修正日期_· 99年12月24日 爲第99129258號中文說明書無劃線修正；^ 物、苯胺共聚物、隹吩寡聚物、聚嗟吩等導電性高分子、 聚嗟吩衍生物、聚苯衍生物、聚苯乙块衍生物、 物等。主體化合物可單獨使用一種亦可併用2種以上二生 含有本Μ之化合物之發Μ叙有機層 並無特別之限定，可使用電阻加熱蒸錢、電子束、t ^疊層法，作為濕式_方法之各種塗佈法（噴塗法又、 塗法、浸毅、_法、·㈣塗佈法、反塗法 〇;刷塗佈法、塗法、旋塗法、淋塗法、棒： =移動輥塗佈法、接觸式塗佈法、鑄塗法、擠出= 二拉絲錠塗佈法、絲網塗佈法等)、喷墨法、印刷法 法等方法’於特性方面、製造方面考慮，較佳 是ϊ佈1噴^嘴=_驗’濕式製膜方法較佳的 右使用濕式製膜方法則可容易地將有機化合物層大面 η 料低成本效率良好地獲得高亮度且發光效率優異之 〇 7 讀膜方法可根據有機化合物層 而適宜選擇。於藉由濕式製膜方法而製膜之情形 Hi1 行乾燥。選料損傷濕式製膜狀溫度、 • 壓力等條件而進行乾燥。 又 if濕式製膜方法中所使用之塗佈液通常由有機化合 劑並無容解或分散該材料之溶劑而構成。溶 而，二、、之限定’可根據有機化合物層中所使用之材科 ' 。溶劑之具體例可列舉：鹵素系溶劑（氯仿、四氣 39 201120006 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 修正曰期:99年12月24曰 化碳、二氣曱烷、二氯乙焓、 酮、甲基乙基酮、二乙基_、正丙:本甲等其):巧溶劑（丙 佛爾酮、編等）、芳香族_Γ (苯土、3苯異 =、=、錢基取代之聯笨等)、_:劑(乙 Γδθ 酸正丁醋、内酸甲醋、丙酸乙醋、 γ-丁内酉曰、石反酸二乙酯等）、醚丰 等）、醯胺嶋1(二甲基㈣胺四1^、二噪烧 ΐ選擇限制，塗佈液之黏度亦可根據製膜方法而任 關於所使用之反應溶劑，並益 之較佳例包括：水、_、芳^f別之限定。該些溶劑 類。 貞*香族_、醚類、酮類、酯 醇類例如可列舉！元醇或2 是碳數為1〜8之飽和脂肪族醇中1元醇較佳的 甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、：士員之具體例可列舉 丁醇、乙二醇、二乙二醇、三 I醇、第二丁醇、第三 二醇單乙醚乙酸酯等。—一醇、乙二醇單丁醚、乙 而且 等，·賴之具體例可列舉四氣咳嗔、々甲苯、二f苯 體例可列舉_ 1基乙基綱 ^魏等，·酮類之具 綱等，醋類之具體例可列舉 ^丁基嗣、二異丁基 酯、碳酸丙二酯等。 -曰、乙醆丙酯、乙酸丁 較佳之有機溶劑是沸點為财c以上者， 更佳為沸點 201120006. 修正曰期:99年12月24日 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 12CTC以上。沸點若處於該範圍内’則可形成均一之膜而較 佳。 、 另外，有機溶劑亦可將2種以上混合而使用。於2種 以上混合之情形時，含有選自可溶解發光層中所含之發光 材料及主體材料、沸點為载以上之溶劑的至少一種作 為第一溶劑，第一溶劑之沸點較佳的是2〇〇。 佳的是200°C〜250°C。 〇 〇 由此可，高發光層㈣膜之糟性、提高與鄰接層之 密接性、提高有機EL元件之發級率及元件耐久性。 第一溶劑例如可列舉醯胺系溶劑、除醯胺系之外之非 質子性極性溶劑、高沸點疏水性溶劑。 酿胺系溶劑可列舉N-甲基-2-吼略唆_ (彿點2〇2。〇 )、 2-料领（彿點245。〇、μ乙酿基_2_料销（沸點 231C)、N-乙基吡咯啶酮（沸點218。〇、L3·二甲基_2_ 咪唑啶酮（沸點220。〇、曱醯胺（沸點21〇•’5t：)、^N_ 二丁基曱酿胺（沸點243t：)、間苯二甲基二胺（沸點2价） 等或該些化合物之衍生物。 除醯胺系之外之非質子性極性溶劑可列舉碳酸丙二醋 (沸點243ΐ)、γ_丁内醋（沸點2〇4ΐ)、γ_戊内醋（沸點 ^7C)、a-乙醯基个丁内酯（沸點235t)等或該些化合 物之衍生物。 高沸點疏水性溶劑可列舉環己基笨（沸點24〇。〇、 1，2,3,4-四曱基笨(沸點赋)、3_曱基聯笨(沸點航)、 4_甲基聯苯（彿點262°C )、1·曱基蔡（沸點244.8〇C )等或 41 201120006 修正日期:99年12月24日 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 該些化合物之衍生物。 劑 酮 酮 自發光材料之溶雜之_麵，較麵是醯胺系溶 其中較佳的是N_曱基_2_轉咬_、N•乙基々比錢 U-二甲基-2-味嗤销’更佳的是N_曱基七比錢 1,3-二曱基-2-咪唑啶酮。 第-溶劑㈣亦可為將2種以上_混合而成者。 第二溶劑較佳的是選自與水之共彿溫度為机以下 〇 之溶劑的至少-種溶劑。於此情科，與水之共彿溫度較 佳的是50°C〜98°C，更佳的是50°c〜8(r(：。 由此可除去所製膜之有機層中的水分 電激發光it件長壽命化。 m m㈣ 第二溶劑可列舉乙醇、h丙醇、2-丙醇、丁醇、2_ 丁醇、2·正丁氧基乙醇、丙二醇單㈣乙酸§旨 ::己院：甲苯、異丙苯、乙酸乙醋、乙酸丁醋、乙酸異 丁酉曰、乙酸丙酯、乙酸異丙酯等。 第二溶劑進而亦可為將2種以上溶劑混合而成者。 〇 作為第-溶劑與第二溶劑之較佳組合，較佳的是使用 ，自醯胺系溶劑之溶劑作為第—溶劑以及選自醇系溶劑之 冷劑作為第二溶劑。而且，更佳的是使用選自N_甲基_孓 吡咯啶酮、1，3-二甲基_2_咪唑啶酮的溶劑作為第一溶劑以 及選自2-正丁氧基乙醇、丙二醇單甲醚乙酸酯 第二溶劑。 卿马 第一溶劑與第二溶劑之使用量以重量比計而言較佳的 是50 : 50〜95 : 5，更佳的是60 : 40〜90 : 1〇。其原因在 42 201120006 爲第9‘9258號中文說明書無劃線修正本 修正日期:99年12月24日 於：若為該範圍，則可維持發光材料、主體材料之溶解性， 可製作並不產生析出、相分離，且為了製膜出於本發明之 主體材料中均一地分散發光材料之有機膜。 另外，較佳的是於塗佈液中進一步含有多元醇作為第 三溶劑。由此可減低塗佈液中之溶存氧濃度。該第三溶劑 例如y列舉丙三醇、乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、四乙 二醇等多元醇，亦可為將該些化合物之2種以上混合而成 之溶劑。多元醇較佳的是選自乙二醇、二乙二醇、丙三醇 之至夕種，更佳的是乙二醇或二乙二醇。作為第三溶劑 之添加量，相對於塗佈液之總量而言，較佳的是2 wt%〜 20 wt% ’ 更佳的是 5 wt%〜10 wt%。 另外，第一溶劑、第二溶劑及第三溶劑較佳的是經過 純，處理之溶劑。具體而言可使用如下任意之方法：⑴ 矽膠、氧化銘、陽離子性離子交換樹脂、陰離子性離子交 換樹脂等之管減化處理、⑺無水硫_、無水硫酸約、 硫酸鎂、硫酸錄、硫酸鋇、氧化鎖、氧化弼、氧化鎮、分 〇 子筛、沸石等之脫水處理、⑶蒸顧處理 (氮氣、氩)等之起泡處理他慮、離心丄= • ^去處理等。更佳的是管柱純化處理與脫水處理之純化 本發明之有機EL元件用塗佈液之黏度較佳的是ι ㈣· S〜5G mPa . s ’更佳的是 2 mPa · S〜1G mPa · s。 而且，本發明之有機EL元件用塗佈液之表 20 mN/m〜70 mN/m，更佳的是25 mN/m〜4〇彷 由 43 201120006 修正日期:99年12月24日 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 該範圍之表面張力，可形成無收縮或無不均之平滑塗佈膜。 而且’本發明之錢EL元件时佈絲佳的是滿足 關於上述之黏度及表面張力之至少一種的所述數值範圍， 亦可為滿足2種以上任意組合之特性的條件的有機EL元 件用塗佈液’進而亦可為滿足所有特性之有機EL元件用 塗佈液。由此可製成適於塗佈之組成物。 電洞傳輸材料具有自陽極注入電洞之功能、傳輸電洞 之功能、及障壁自陰極注人之電子之功能的任意功能的材 料則並無特別之限定，可為低分子材料亦可為高分子材 料。其具關可解：料衍生物、三_生物、射衍 生物、κ衍生物、咪唾衍生物、多芳魏烴衍生物、 比坐啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺 何生物、祕基取代之查·魅物' 苯乙縣蒽衍生物、 _衍生物、腙衍m魅物、德射ϊ生物、芳香 族二級胺化合物、苯乙雜胺化合物、芳魏二次甲基化 合物 '外琳化合物、聚石夕燒化合物、聚(N_乙稀基咔嗤)衍 生物、苯胺共聚物"塞吩募聚物、聚嘆吩等導電性高分子、 聚，吩衍生物、聚苯衍生物、聚苯乙純生物、聚第衍生 物等。該些化合物可單獨使用亦可將2種以上混合使用。 電子傳輸材料若為具有自陰極注入電子之功能、傳輸 電子之功能、及障壁自陽極注入之電洞之功能的任意功能 的材料則並無特別之限定，例如可使用三♦衍生物、射 何生物、喔二嗤衍生物、㈣衍生物、蒽酿二甲烧衍生物、 蒽酮衍生物、聯苯_生物、二氧化麵衍生物、碳二酿 201120006“ 修正日期:99年12月24曰 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 亞胺衍生物、亞苐基曱烷衍生物、二苯乙烯吡嗪衍生物、 秦花等之雜環四竣酸針、醜菁衍生物、8-經啥琳衍生物之 金屬錯合物、金屬酞菁、以苯並噁唑或苯並噻唑等為配位 基之金屬錯合物、苯胺共聚物、β塞吩寡聚物、聚β塞吩等導 電性高分子、聚噻吩衍生物、聚苯衍生物、聚苯乙炔衍生 物、聚第衍生物等。

   聚合物黏合劑可使用聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、 聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚酯、聚砜、聚 苯醚、聚丁二烯、烴樹脂、酮樹脂、苯氧基樹脂、聚醯胺\ =基纖維素、乙酸乙烯酯、ABS樹脂、聚胺基甲酸酯、三 聚氰胺樹脂、不飽和聚酯、醇酸樹脂、環氧樹脂、矽氧樹 脂、聚乙谓、聚乙騎轉。含有聚合_合劑之發 光層可藉由濕式_法崎纽大面積地塗佈形成。X 發光層之厚度較佳的是l〇nm〜200nm，更佳的是2〇 nm〜80 nm。若厚度超過· nm則存在驅動電壓上升 形；若未達lGnm則存在發光元件腾之情形。 (E)電子傳輸層 發明之發光元件亦可視f要具有由上述之電子 制。電子傳制亦可含有上述之聚 口物卜電子傳輸狀厚度較 :動 之情形。 右達i〇nm則存在發光元件短路 (F)電洞傳輸層 45 201120006 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 修正日期:99年12月24日 材料：Πί:::可上述之電_輸 合物黏合劑。電洞傳輪層層之電:==上_ mn，更佳的是2〇nm〜8〇 — 疋腹200 山δυιιπι。若厚度超過2〇〇 驅動電壓上升之情形，若去@ 1Λ m則存在 之情形。 料右未達1Gm則存在發光元件短路 (G)其他 梦日發光元件亦可具有日本專利特開平 Ϊ 日 7_192866 M、日本專_平 8· «_46=::5二號、曰本專利特開平 炼右她外Λ處最依序積層有基材、透明電 層及極之情科，是指背面電極之 i=極=層有基材、背面電極、有機丄層 之綠、大 是指透明電極之外側表面。保護層 〇 料若為具有抑制°形成保護層之材 - Γ 4使發航件劣化之物質滲入 可使 =離:電錢法、聚合法、化學氣相沈積法、 雷射而子乳相沈積法、熱化學氣相沈積法、塗佈法等。 且’較佳的是於發光元件中設置用以防止水分或氧 46 201120006. 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本修正日期:99年12月24日 滲入之密封層。

   形成密封層之材料可使用四氟乙烯與至少一種共單體 之共聚物、於共聚主鏈上具有環狀結構之含氟共聚物、聚 乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸曱酯、聚醯亞胺、聚脲、聚 四貌乙稀、聚氣三氟乙烯、聚二氣二氟乙烯、三氟氯乙烯 或二氣二氟乙烯與其他共單體之共聚物、吸水率為1%以 上之吸水性物質、吸水率為0.1%以下之防濕性物質、金屬 (In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、A卜 Ti、Ni 等）、金屬氧化 物（MgO、SiO、Si〇2、a12〇3、GeO、NiO、CaO、BaO、 Fe203、Y2〇3、Ti〇2 等）、金屬說化物（MgF2、UF、a%、 CaF2等）、液狀氟化碳（全氟烷基、全氟胺、全氟醚等）、 該液狀氟化碳中分散有水分或氧之吸附劑而成之材料。 實例 以下列舉實例對本發明加以更具體之說明。以下實例 中所不之材料、試劑、物質量與其比例、操作等只要不偏 離本發明之主旨均可進行適宜之變更。因此，本發明之範 圍並不受以下具體例之限制。 成例1] (3-第三戊基咔唑之合成） [化 20] 201120006 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 修正日期:99年12月24日

   Cz-1

   於4-第三戊基環己酮20 g (o.n m〇l)(東京化成品） 與苯基肼12.85 g (0.12 mol)(東京化成品）之乙醇溶液 中’滴加?辰鹽酸（0.2 mol當量）’使其加熱回流6小時後， 進行冷卻，然後濾別析出之固體。藉由矽膠管柱（溶離液： 己烷/乙酸乙酯）對所得之粗結晶進行純化，獲得白色固體 之化合物M-1 18.5 g (產率為65%)。 ^NMRCCDCls)^ 7.6 (s, 1H), 7.45 (d, 1H, J= 10 Hz), 7.26 (d, 1H, J = 10 Hz), 7.1 - 7.0 (m, 2H), 2.8 - 2.7 (m, 3H), 2.4 (t, 1H, J = 15 Hz), 2.05 (d, 1H, J = 15 Hz), 1.7 - 1.55 (m, 1H), 1.5 - 1.3 (m, 3H), 0.95 (s, 6H), 0.85 (t, 3H, J = 10 Hz) 使化合物M-l 5.0 g (21 mmol)溶解於二曱苯中，添 加鈀/碳觸媒（東京化成品）0.1 g後，於氮氣環境下進行 加熱回流80小時。冷卻後’濾別觸媒’於減壓下鶴去遽液， 藉由石夕膠管柱（溶離液：己烧/乙酸乙酯）對所得之殘渣進 行純化’獲得白色固體之3-第三戊基咔唑（cz-l)4.0g(產 48 201120006. 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本修正日期·· 99年12月24曰 率為82%)。 lU NMR( CDC13 )： δ 8.05 (d, 1H, J = 10 Hz), 8.0 (s, 1H), 7.95 (s, 1H), 7.5 - 7.4 (m, 4H), 7.2 - 7.15 (m, 1H), 1.75 (q, 2H, J = 10 Hz), 1.4 (s，6H，J = 15 Hz), 0.7 (t, 3H, J = 10 Hz) [合成例2](本發明之化合物No.35之合成） [化 21]

   將〇2-12_0呂（8.4 1!1111〇1)、4,4，-二溴苯1.18(3.4 mmol)、乙酸I巴61 mg、碳酸如3.1 g添力口至二曱苯中後， 添加P-(t-Bu)3 218 mg，於氮氣環境下進行加熱回流4小 時。將反應液冷卻後，添加1當量之鹽酸，以乙酸乙酯萃 取有機物後，以硫酸鎂加以乾燥，然後於減壓下餾去溶劑。 藉由矽膠管柱（溶離液：己烷/乙酸乙酯）對所得之殘渣進 49 201120006 修正日期:99年12月24日 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 行純化，獲得白色固體之目標化合物（N〇 35 ) 17 g (產率 為 81%)。 'H NMR (CDC13) ： δ 8.18 (d, 2H, J = 10 Hz), 8.10 (s, 2H)，7.92(d，4H，J=12Hz)，7.70(d，4H,J=12Hz)，7.5- 7.3 (m, 8H)，7.3 (t，2H，J = i〇 Hz)，i 8 (士 4H，j = 12 Hz)， 1.42 (s, 6H), 0.74 (t, 3H, J= i2Hz) [實例1] (綠色蒸鍍型OLED元件）

   將經清洗後之ITO基板放入至蒸鍍裝置中，蒸鍍1〇〇 nm 之 α-NPD。

   於其上’以5.95之比率（重量比）蒸鑛5〇細之叫附)3 與本發明之化合物No.35,繼而於其上蒸鍍6nm之Balq， 繼而於其上蒸鍍20 nm之Alq。於其上以10 : 1之比率（莫 耳比）共蒸鍍100 nm之鎂與銀，製作EL元件。於經氬氣 置換之手套箱内，使用不鏽鋼製之密封罐及紫外線硬化型 接著劑（XNR5516HV、NagaseCIBALtd·製造）密封所製 作之積層體。 使用東陽技術公司製造之電源量測單元（Source Measure Unit) 2400型，對EL元件施加直流定電壓而使其 發光，則獲得於520 nm附近具有極大發光波長之發光。 (性能評價） (1)濕熱經時财久性 將上述元件於濕度為95%、溫度為80 C之環境下放置 1週。評價放置後之效率。將結果示於表1。 50 201120006. 修正日期:99年12月24曰 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 評價標準如下所示。 ◎:與濕熱經時前之外部量子效率相比，效率降低幅 度未達5% 〇：與濕熱經時前之外部量子效率相比，效率降低幅 度為5%〜未達10%之範圍内 △:與濕熱經時前之外部量子效率相比，效率降低幅 度為10%〜未達20%之範圍内 〇

   x :與濕熱經時前之外部量子效率相比，效率降低幅 度為20%以上 (2)驅動時初始之發光亮度變化 測定以驅動電流密度為2.5 mA/cm2進行驅動之發光 免度，求出驅動1小時後之發光亮度相對於驅動開始時間 點之發光免度的降低比例。測定是使用分光放射亮度計（村 尼卡美能達股份有限公司製造之CS-1000)對有機EL·元件 正面之分光放射亮度進行測定。將結果示於表丨。評價標 準如下所示。 ◎:與驅動開始時之發光亮度相比，發光亮度之降低 幅度未達1% 一〇.與驅動開始時之發光亮度相比，發光亮度之降低 幅度為1%〜未達2%之範圍内 :與驅動開始時之發光亮度相&，發光亮度之降低 幅度為2%〜未達5%之範圍内 X .與驅動開始時之發光亮度相比，發光亮度之降低 幅度為5%以上 201120006 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本修正日期:99年12月24日 [化 22]

   IKppy)3

   [比較例1] 於實例1之發光元件之製作中，使用下述比較化合物 1代替本發明之化合物No.35,除此之外以與實例1同樣之 方式進行而製作發光元件。 [化 23] 比較化合物1 52 201120006 L ± 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本修正曰期:99年12月24日

   進行與實例1同樣之評價。將結果示於表1。 [表1] 表1 (綠色蒸鍍型OLED元件之性能評價結果） 試樣 主體化合物 效率之濕熱經時耐久 性 驅動時初始之發光亮 度變化 備註 A-1 No.35 〇 〇 本發明 A-2 比較化合物1 X X 比較 [實例2] (藍色蒸鍍型OLED元件） 於實例1之發光元件之製作中，使用FIrpic代替 Ir(ppy)3’除此之外以與實例1同樣之方式進行而製作發光 元件。若以與實例1同樣之方法使元件發光，則可獲得於 485 nm附近具有極大發光波長之發光。 進行與實例1同樣之評價。將結果示於表2。 [化 24] 53 201120006 爲第咖29258號中文說明書無劃線修正本

   修正曰期:99年12月24曰 [比較例2] 於實例2之發光疋件之製作中，使用比較化合物i代 替本發明之化合物No.35 ’除此之外以與實例丨同樣之方 式進行而製作發光元件。 進行與實例1同樣之評價。將其結果示於表2。 [表2] 表2 (藍色蒸鍍型0LED元件之性能評價結果） 言式 樣 主體化合物 效率之濕熱經時耐 久性 驅動時初始之發光 亮唐轡化 備註 A-3 No.35 〇 〇 本發明 A-4 比較化合物1 X ------ x 比較 [實例3] (塗佈液之調製） 將銥錯合物（Ir(ppy)3) 0.15wt%、下表所示之主體化 合物Νο·35 1.85 wt%、甲基乙基酮98 wt%加以混合，獲得 54 201120006. 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本修正日耻99年12月24日 有機電激發光元件用塗佈液（塗佈液A)。 (有機EL元件之製作） 將於25 mmx25 mmx〇.7 mm之玻璃基板上蒸鍍有150 nm厚之ITO進行製膜而成者作為透明支撐基板。對該透 明支撐基板進行蝕刻、清洗。 於該ITO玻璃基板上旋塗電洞注入層（pED〇T_pss 溶液（聚伸乙二氧基噻吩_聚苯乙烯磺酸摻雜體）/Bayer&

   司製造）後，於150 C下真空乾燥1小時，作為電洞注入 層（膜厚約40nm)。 於手套箱（露點為-68度、氧濃度為1〇 ppm) 其上旋塗塗佈液A，作為發光層（膜厚約 40 nm ^。 其次，藉由真空蒸鍍法於其上蒸鍍膜厚為 40 nm 之 Ba_為電子注人層。其次，於其上紐^讀化鐘， 進一步蒸鍍70 mn之金屬鋁，作為陰極。 將所製作之積層體放入至經氯氣置換後之手套箱内， 使用不鏽鋼製之密封罐及紫外線硬化型接著劑 =NR5516HV、Nagase-CIBALtd.製造）進行密封。進行 與實例1祕謂價料。騎衫於表3。 [比較例3] 替太2例3之發光几件之製作中，使用比較化合物1代 式進行’除此之外以與實例3同樣之方 價。以與實例1同樣之方式地進行評 [表3] 55 201120006 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 修正日期:99年12月24日 表3(綠色㈣型QLED元件之性缺價結果） 樣 主體化合物 效率之濕熱經時耐 久性 -------1 驅動時初始之發光 __亮度變化 備註 A-5 No.35 ◎ 本發明 A-6 比較化合物1 X --------- 比較 — X [實例4] (塗佈液B之調製）

   將欽錯合物（k(PPy)3) 〇.23 wt%、主體化合物n〇 35 1.77 wt%、溶劑（沁甲基_2_吡咯啶酮、孓正丁氧基乙醇、 乙二醇以55/35/10之重量比率加以混合而成之溶劑）98 4加以混合，獲得有機電激發光元件用塗佈液（塗佈液 (有機EL元件之製作） 將於25 ―25卿_之玻璃基板上紐有i

   進㈣糾成者料翻切紐。對該 明支撐基板進行餘刻、清洗。 於该1τ〇玻璃基板上旋塗電洞注入層（PEDOT_P; 3 乙二氧基噻吩_聚苯乙烯磺酸摻雜體)/Β¥ 司衣以）後，於l〇(TC下真空乾燥i小 層（膜厚約40nm)。 作為電几主 1上為·68度、氧濃度為10醇0内， 一疋^佈液Β ’作為發光層（膜厚約4〇nm)。 其人藉由真空条鑛法於其上蒸鍍膜厚為40 nm 56 201120006. 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本修正日期:99年12月24日 Balq作為電子注入層。 其次，於其上蒸鍍1 nm之氟化鋰，進一步蒸鍍70 nm 之金屬鋁，作為陰極。 將所製作之積層體放入至經氬氣置換後之手套箱内， 使用不鏽鋼製之密封罐及紫外線硬化型接著劑 (XNR5516HV、Nagase-CIBALtd.製造）進行密封。 (性能評價） 〇

   以與實例1同樣之方式地進行評價。 (評價結果） 將所得之結果示於表4。 [比較例4] 於實例4之發光元件之製作中，使用比較化合物i代 替本發明之化合物No.35，除此之外以與實例4同樣之方 式進行而製作發光元件。以與實例丨同樣之方式地進行評 價。將結果示於表4。 [表4] 表4 (綠色塗佈型0LED元件之性能評價結果）

   [實例5] (塗佈液C之調製） 57 201120006 爲第9912·號中翅明書無劃線修正本 修正日期:99年12月24日 將銀錯合物（Ir(ppy)3)〇.23 wt%、主體化合物N〇] i 77 wt%、溶劑（N-甲基-2-吡咯啶酮、2-正丁氧基乙醇、乙二 醇以55/35/10之重量比率加以混合而成之溶劑）98加％加 以混合，獲得有機電激發光元件用塗佈液（塗佈液c)。 (有機EL元件之製作） 將於25 mmx25 mmx〇.7 mm之玻璃基板上蒸鍍有15〇 nm厚之ITO進行製膜而成者作為透明支撐基板。對該透 明支撐基板進行蝕刻、清洗。 於该1Τ0玻璃基板上旋塗電洞注入層（PEDOT-PSS 溶液（聚伸乙二氧基噻吩_聚苯乙烯磺酸摻雜體 )/Bayer 公 司製造）後，於10(TC下真空乾燥i小時’作為電洞注入 層（膜厚約40nm)。 於手套相（露點為-68度、氧濃度為1〇 ppm)内’於 其上》疋塗塗佈液C，作為發光層（膜厚約4〇 nm)。 其次’藉由真空蒸鍍法於其上蒸鍍膜厚為4〇 nm之 Balq作為電子注入層。 其次，於其上蒸鍍1 nm之氟化鋰，進一步蒸鍍70腿 之金屬鋁，作為陰極。 將所製作之積層體放入至經氬氣置換後之手套箱内， 使用不鏽鋼製之密封罐及紫外線硬化型接著劑 (又服55161^/、犯莒336(：迅人1^.製造）進行密封。以與 實例1同樣之方式地進行評價。將所得之結果示於表5。 [比較例5] 於實例5之發光元件之製作中，使用下述之比較化合 58 201120006. 修正日期:99年12月24日 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 物2〜比較化合物4代替本發明之化合物N〇1，除此之外 以與實例5同樣之方式進行而製作發光元件。以與實例1 同樣之方式地進行評價。將結果示於表5。 [化 25] 比較化合物2

   Me ❹ 骨架 Macromolecules、第 33 卷、第 801 頁、2000 年記載之 比較化合物3

   〇 59 201120006 修正日期:99年12月24日 爲第99129258號中文說明書___ 比較化合物4

   日本專利特開20〇8-1621中記载之化合物 [表5] 試樣 g._(綠色專能評價結果） 主體化合物 效率之濕熱經時耐久 性 Α-9 Α-10 No.l 比較化合物2 〇 △ 動時初始之發光亮 ---度變化 〇 備考 本發明 A-11 比較化合物3 △ 比較 X △ A-12 比較化合物4 A 比較 △ 比較 [實例6] (塗佈液D之調製） 將錶錯合物（Ir(PPy)3) 0.23 wt%、主體化合物n〇18 1.77 wt%、溶劑（Ν·曱基-2-吡咯啶_、2_正丁氧基乙醇、 乙二醇以55/35/10之重董比率加以混合而成之溶劑） wt%加以混合，獲得有機電激發光元件用塗佈液（塗佈液 D)。 (有機EL元件之製作） 201120006 .j. 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本修正曰期:99年η月24曰 將於25 mmx25 mmx〇.7 mm之玻璃基板上蒸鍍有150 nm厚之ITO進行製膜而成者作為透明支撐基板。對該透 明支樓基板進行姓刻、清洗。 於該ITO玻璃基板上旋塗電洞注入層（PEDOT-PSS 溶液（聚伸乙二氧基噻吩_聚苯乙烯磺酸摻雜體）/Bayer公 司製造）後’於l〇(TC下真空乾燥i小時，作為電洞注入 層（膜厚約40nm)。

   於手套箱（露點為_68度、氧濃度為1〇 ppm)内，於 其上旋塗塗佈液D，作為發光層（膜厚約40 nm)。 其次，藉由真空蒸鍍法於其上蒸鍍膜厚為40 nm之 Balq作為電子注入層。 ^次’於其上蒸鍍1麵之氟化鐘，進-步蒸鍍7〇腿 之金屬鋁，作為陰極。 將所製作之積層體放入至經氬氣置換後之手套箱内， 使用不鏽鋼製之密封罐及紫外線硬化型接著劑 上XNR5516HV、Nagase_CIBALtd製造）進行密封。以與 例1同樣之方式地進行評價。將所得之結果示於表6。 [比較例6] 6之發光元件之製作中，使用下述之比較化合 樣之^式進發明^化合物N°·18，除此之外以與實例“ 進行評價。將結果示於表6。 之方式地 [化 26] 61 201120006. 修正日期:99年12月24日 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 比較化合物5

   [表6] 表6 (綠色塗佈型OLED元件之性能評價結果） 試樣 主體化合物 效率之濕熱經時耐久 性 驅動時初始之發光亮 度變化 備註 A-13 No. 18 〇 ◎ 本發明 A-14 比較化合物5 Δ Δ 比較 [實例7] (塗佈液E之調製） 將銥錯合物（Ir(ppy)3) 0.23 wt%、主體化合物No.52 1_77 wt%、溶劑（N-曱基-2-吡咯啶酮、2-正丁氧基乙醇、 乙一醉以55/35/10之重置比率加以混合而成之溶劑）98 wt%加以混合，獲得有機電激發光元件用塗佈液（塗佈液 E)。 (有機EL元件之製作） 將於25 mm><25 mmx〇.7 mm之玻璃基板上蒸鍍有150 62 201120006“ 修正日期:99年12月24日 爲第99129258號中文說明書 nm厚之ΙΤΟ進行製膜而成者作為透明支縣板。對該透 明支撐基板進行蝕刻、清洗。 於"玄IT〇玻璃基板上旋塗電洞注入層（PEDOT-PSS 溶液（聚伸乙二氧基嗟吩_聚苯乙烯續酸摻雜體）/Β叮沉公 司製造）後’於100°C下真空乾燥1小時，作為電洞注入 層（膜厚約40nm)。 於手套箱（露點為-68度、氧濃度為1〇 ppm)内，於 其上旋塗塗佈液E，作為發光層（膜厚約4〇nm)。 其次’藉由真空蒸鍍法於其上蒸鍍膜厚為4〇 nm之 Balq作為電子注入層。其次，於其上蒸鍍1 ηιη之氟化鋰， 進一步蒸鍍70 nm之金屬鋁，作為陰極。 將所製作之積層體放入至經氬氣置換後之手套箱内， 使用不鏽鋼製之密封罐及紫外線硬化型接著劑 (XNR5516HV、Nagase-CIBALtd.製造）進行密封。以與 實例1同樣之方式地進行評價。將所得之結果示於表7。 [比較例7] Q 於實例7之發光元件之製作中，使用下述之比較化合 物6代替本發明之化合物No.52，除此之外以與實例7同 - 樣之方式進行而製作發光元件。以與實例1同樣之方式地 進行評價。將結果示於表7。 [化 27] 比較化合物6 63 201120006 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本修正日期:99年12月24曰

   表7 (綠色塗佈型OLED元件之性能評價結果） 試樣 主體化合物 效率之濕熱經時耐 久性 驅動時初始之發光 亮度變化 備註 A-15 No.52 ◎ ◎ 本發明 A-16 比較化合物6 Δ Δ 比較 評價之結果可知：使用了本發明之化合物的有機電激 發光το件具有>i熱經時耐久性以及驅動時初始之發光亮度 變化小的較高耐久性。 [產業上之可利用性] 藉由本發明，可提供一種組成物、化合物之 體，所述組成物、化合物之製造方法及其製 二-出二供即使於高溫、高濕之環境下隨時間經過後 亦顯不出知之效率，且鶴時初始 之有機電峨導而™1_了=: 64 201120006“ 修正日期:99年12月24日 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 物、化合物之製造方法及其製造中間體的有機電激發光元 件。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不 脫離本發明之精神和範_，當可作些許之更動與潤飾。 本申請案基於2009年8月31日揾ψ由咬々0 +击… (特願2__2〇1151)，該專财 ^申％之日本專利

   本說明書中。 月茶所揭路之内容被結合於 【圖式簡單說明】 無。 【主要元件符號說明】 無0

   65 201120006 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本修正日期:99年12月24曰 f........... 發明專利說明書 巧㈣ (本說明書格式、順序，請勿任意更動，※記號部分請勿填€乃 ※申請案號： ※申請日： ※”(：分類： 一、發明名稱：（中文/英文） S 有機電激發光元件及咔唑化合物 ORGAIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND CARBAZOLE COMPOUND 二、中文發明摘要： \ 一 -翻於有機電激發光it件之組成物，財機電激發 光兀件包括：基板上具有一對電極以及在該電極且^ 含發光層的至少一層有機層，其特徵在於： ^ ^ 有下述通式⑴所衫之化合物。、所杨成物含

   於通式（1)中，Μ表示芳基或雜料 獨立地表示氫原子或取代基；Ri〜心之=，1〜K分別 第三丁基等特定結構之取代基（2);另外個以上表示 表示取代基（2)之情形時，R3與，於汉3與I均 表不不同之取代基。 201120006 —/ 知 I ▲ p 11 1 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本修正曰期:99年12月24曰 三、英文發明摘要： A composition used to an organic electroluminescent device is provided. The organic electroluminescent device includes: a pair of electrodes on the substrate and at least one organic layer including a luminous layer between the electrodes, wherein the characteristic is: the composition includes the compound showed in the following formula (1).

   In formula (1), Ari represents aryl or heteroaryl group; Rx~ R8 independently represent the hydrogen or substituents respectively; at least one or more of Ri~Rg are represented special structures of substituent (2) such as t-butyl groups; in addition, when R3 and R6 are represented by the same substituent (2), R3 and R6 represent different substituents. 201120006 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本 修正日期·· 99年12月24曰 七、申請專利範圍： 1_ 一種組成物，用於有機電激發光元件，該有機電激 發光元件在基板上具有一對電極以及在該對電極間具有包 含發光層的至少-層有機層，所述組成物之賴在於：含 有下述通式（1)所表示之化合物， 通式（1) [化1] 尹5 ^4

   〇 …中，ΑΓι表示芳基或雜芳基;R1鳴分 = 原子或取代基，〜R8之至少-個以上表);另外’於〜與~均表示取代基⑺ 之I#开y夺R3與R6表示不同之取代基， 取代基（2) ^ [化2] ❹ C——R 10 R (於取代基（2)中，R9、R1〇、r 基、芳基、或雜芳a，r、rrt/職立地表不炫 日R、R、p芳土 9 10 11中之至少-個為烷基， 9 1。u並不同時均表示相同之取代基；波線表示 66 201120006“ 修正日期:99年12月24日 爲第99129258號中文說明書無劃線 鍵結位置）。 2.如申請專利範圍第i項所述之組成物，其特徵 述通式（1)中’ R3為所述取代基（2)。 3·如申請專利範圍第丨項或第2項所述之組成物，发 特徵為所述通式（1)所表示之化合物為下述通式（3二 表示之化合物， # [化3] 〇 D D

   ‘17 η ⑶ 〇 分別獨立縣錢肝絲絲，Ri6〜R23之^ϋ3 •^示 =取代基⑵；科，於Ris與^均表示取代基 #R21 代基；n 表示2 述通專利範圍第3項所述之組成物，其特徵於所 式（3)中，Ah表示伸苯基或伸聯笨基。 述通範圍第3項所述之組成物，其特徵於所 逆通式（3)中，n為2。 6. -種有機電激發光元件，包括在基板上具有一對電 67 201120006 9912925_— 修職99年咖曰 -層有機層， =項中任-項所 之任忍通式所麵之化合物。 通式（3) 7.如申請專利範圍第 :任項所δ己载之以通式⑴〜， 表不之化合物以及鱗光發光材料。 忍通式所 直=Γ請專利範圍第7項所述之有機電激發光元件 八寺，為所㈣紐光材料^錯合物心錯合物。牛’ 其特符'利範圍第6項所述之有機電激發光元件， 植寺徵為所述有機層之任意層是使用如申請專利範 至第5項中任一項所述之組成物而形成。 ι〇·如中請專利範㈣6項所述之有機電激發光元 、特徵域述有機層之任意層是使用如申請專利範圍 =項至第5項中任—項所述之組成物，藉由濕式製膜而 开> 成。 11. 如申凊專利範圍第1〇項所述之有機電激發光元 件，其特徵為所述濕式製膜選自塗佈法、喷墨法或喷塗法。 12. —種製造方法，其特徵在於：使用下述通式（4) 所表示之化合物而製造下述通式（3)所表示之化合物， [化4] 68 201120006 修正曰期:99年12月24日 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本

   Ar2 (於通式（3)中，Ar2表示芳基或雜芳基；R16〜R23 分別獨立地表示氫原子或取代基，R16〜R23之至少一個以 上表示上述取代基（2);另外，於R18與R21均表示取代基 (2)之情形時，R18與R21表示不同之取代基；η表示2 以上之整數） [化5]

   (於通式（4)中，RcRs表示氫原子或取代基，& 〜R8之至少一個以上表示上述取代基（2);另外，於R3 與R6均表示取代基（2)之情形時，R3與R6表示不同之取 代基）。 13. 一種味°坐化合物，所述吟唾化合物以下述結構式 所表示； 69 201120006 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本修正日期:99年12月24日

   70 201120006 Li 爲第99129258號中文說明書無劃線修正本修正日期:99年12月24日 四、 指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：無指定代表圖。 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明： 無。 五、 本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵 的化學式： ο R7

   2 R ο 3