TW201115801A - Magnetic memory structure and operation method - Google Patents

Description

201115801 P51980035TW 3 1689twf.doc/n 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於磁性記憶體的技術，且特別是有關於 利用磁壁移位的一磁性移位記憶體。 【先前技術】 傳統的磁性記憶體已有多年的研發，然而近年來利用 電流脈衝來移動磁壁（current-driven domain wall 相關的理論與實驗陸續提出與發展成熟，美國專利第 6834005文件提出可大幅提尚晶片或硬碟資訊儲存容量的 元件結構，其又簡稱為磁性移位暫存記憶體(magneticshift register)。這種記憶體有機會取代現在的動態隨機存取記憶 體（DRAM)、靜態隨機存取記憶體（SRAM)以及快閃記 憶體（FLASH)晶片，甚至還可以讓‘‘記憶體硬碟晶片 (disk drive on a chip)”變成事實。此記憶體主要採用類似 於硬碟的磁性記錄盤，藉由電流驅動使產生磁壁移動 (domain wall motion)的方式，將資訊逐一的記錄其中。堆 豐的效果可讓其等效的位元尺寸可以縮小許多，且操作速 度超過傳統的快閃記憶體晶片以及硬碟的速度。 圖1繪示傳統藉由電流驅動的磁壁移動的機制所設計 的磁性移位暫存記憶體示意圖。參閱圖丨，在記憶磁轨觸 上有多個磁區(magnetic d〇main) 1〇2。每—個磁區1〇2的磁 化方向對應可以儲存一位元資料例如“ Q，，或“卜如果相鄰 的二磁區所儲存的位元資料不同時，即代表二個磁區的磁 201115801 P51980035TW 31689twf.doc/n 場方向相反，會成一磁壁104。藉由驅動電子流j的流動 方向’磁壁104會移動’將記憶執道上的磁區移動。於磁 區移動經過讀取元件106或是寫入元件108的位置時，藉 由讀取元件106以及寫入元件可以讀取磁區1〇2上的資 料，或是寫入一資料到磁區102上。 ' 然而，如何有效且正確地寫入區域磁區資訊同時兼具 元件的穩定度是記憶體元件性能的重要的研發方向其一。 【發明内容】 本發明提供一種低耗電的磁性位移暫存記憶體結 構，其利用軌道形狀設計，内嵌資料訊號源於磁性執道之 中。在此結構中不需製作寫入元件，因此可以省去製作寫 入元件之成本與操作寫入元件所需之電源。 本發明提出-種磁性記憶體結構，包括一記憶軌道， 具有連續的多個磁區’每-個該磁區有—位元的記 量。又’―第—磁壁注人層與該記憶軌道的—端點交^ 接’且固定儲存-第-位元資料。 = 於該第—磁挪人層與胁㈣道_賴蚊ίΓϊ 固定儲存與該第-位元資料相異的—第二位元資料 磁it層與第二德入層的其-與記憶轨道之間構成 一本發明也提出-種磁性記憶體結構賴作方法 於前述的磁性記賴結構。操作方法包減加_寫入脈^ 電流給該第-磁餘人層或相第二磁躲人層使該第〜 201115801 F3iy»u035TW 31689twf.doc/n 位元資料或是該第二位元資料移入該記憶軌道上的一磁 區。 本發明也提出一種磁性記憶體結構的操作方法，使用 於前述的磁性記憶體結構。操作方法包括施加一第一脈衝 電流給該第一磁壁注入層或是該第二磁壁注入層使該第一 位兀資料或是該第二位元資料移入該記憶軌道上的一端部 磁區。接著施加一第二脈衝電流給該記憶執道，使 _ 磁區的一資料被移入該記憶執道中。 為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特· 舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。 【實施方式】 以下舉一些實施例來說明本發明技術，但是本發明不 僅限於所舉的一些實施例。又，所舉的一些實施例之間也 可以適當相互結合。 圖2A〜2B繪示依據本發明一實施例，磁性記憶體結 構的立體與上視示意圖。參閱圖2A與圖2B，對於磁性記 憶體結構的一記憶軌道100，其具有連續的多個磁區，每 一個該磁區有一位元的記憶容量。又，兩個磁壁注入層 200、210與記憶轨道1〇〇的一軌道端點22〇交又連接其 中例如疋以直角方式連接，但其不是唯一的方式。磁壁注 入層200例如固定儲存一位元資料，磁壁注入層210則固 定儲存不同的另—位元資料。 於此所謂的固定儲存一位元資料，其代表所儲存的位 201115801 P51980035TW 31689twf.doc/n 元資料不會因操作使用而改變，但是在製作時可以依需要 將特定的磁化方向寫入’構成内嵌的寫入資料。就垂直式 的磁性物質而言’其磁化方向是垂直於記憶軌道100的平 面，如箭頭所示。磁化方向對應一位元資料，例如磁壁注 入層200的磁化方向固定為朝下，而磁壁注入層210的磁 化方向固定為朝上。也就是說，在記憶轨道1〇〇製作時， 磁區資訊“0”與“1”會預先製作於磁壁注入層2〇〇，210中。 從圖2B可以看出記憶執道1〇〇上的磁區1〇2都具有 一磁化方向，例如都是朝下與磁壁注入層2〇〇的磁化方向 相同。磁壁注入層200與記憶執道1〇〇上相鄰的磁區1〇2 之間沒有磁壁’然而磁壁注入層210與記憶軌道上相鄰的 磁區102之間會構成一磁壁。換句話說，由於磁壁注入層 200與磁壁注入層21〇為的磁化方向相反，因此其—會盘 記憶轨道100構成一磁壁。 在寫入操作時，驅動電流源300.或是驅動電流源310 會將可以將磁區資訊“〇，，或“丨，，依所要寫入相鄰磁區的資 料將磁壁注入層200或210推入軌道區100中，如流動路 徑230a或230b，如箭頭230所示。在此，推動磁區的電 流源分別為300及310除了能將‘‘〇，，與“1”注入記憶軌道1〇^ 外，同時兼具驅動磁壁於執道中運行的功用，因此可省下 寫入元件所需要的電源。 — 以下更描述磁壁移動的機制。圖3繪示依據本發明一 ^施例，磁壁移動機制示意圖。參閱圖3，依照圖2八的狀 恕，如果要將磁壁注入層21〇的資料注入到記憶轨道 201115801 P51980035TW 31689tw£doc/n 上。其磁壁依電流注入時間的變化如在磁壁位置25〇、磁 壁位置252、磁壁位置254的幾何變化。由於有角隅24〇 的結構，磁壁的一端被一角隅240a固定住，而磁壁被推動 往另一個角隅240b移動。磁壁會於最後接觸另_個角隅 240b而裂成二個’達到注入記憶軌道1〇〇的作用。 圖4繪示依據本發明一實施例，磁壁移動機制隨時間 變化的示意圖。參閱圖4，其是更細部的以“〇，，與“〗，，資气 _ 注入之模擬結果。在不同時間點上，磁壁在Τ型軌道中的分 佈狀況，依序為時間（1)初始狀態，記憶軌道上的資料假設^ 是“0”。時間(2)是上方的磁壁260注入，產生磁壁彎曲。時 間(3)是上方磁壁持續注入，磁壁26〇 一分為二成為磁壁26〇 與262 ’其中磁壁262是被注入軌道中達到寫入“ρ，的結果， 而磁壁260的位置被箝制在轉角處。時間⑷例如是接著要寫 入“〇”的情形。此時下方的磁壁260要被注入到軌道中。在時 間(5) ’下方注入的磁壁260又一分為二個磁壁260，264，其 中磁壁264被注入軌道，即是“〇”被寫入軌道的磁區中。由模 # 擬的結果可以發現磁區注入的想法確實可行，“〇，，與“1”的資訊 可隨需妻寫人的-資料φ ’依序推人軌道+，達到寫入磁區的 效果。磁壁注入執道的同時也扮演了驅動磁壁位移的角色，因 此在此系統中，驅動電流即是傳統的寫入電流，省去傳統寫入 電流的路徑，達到一舉兩得之效。 前述是以Τ型執道的結構為例。然而實際上也可以是γ 型軌道或是更多的其他的設計。圖5繪示依據本發明一實施 例，Υ型軌道磁性記憶體結構的示意圖。參閱圖5，二個磁 201115801 P51980035TW 31689twf.doc/n 壁注=層200、210是以斜角連接的方式達成。電流的動路 徑如前頭所示400，402，而記憶轨道上的個別磁區都儲存 一個位元資料。由於磁壁移動的機制，每一次的驅動，磁 區的資料也會移位下一個磁區中。 圖6繪示依據本發明一實施例，磁性記憶體結構的磁 壁注入層200、210的結構變化示意圖。參閱圖6(a)，其 是T型的設計。由於軌道上鄰近的磁區也是儲存“丨，，， 因此磁壁發生在下方的磁壁注入層。參閱圖6(b)，磁壁注 入層200、210的結構也可以有其他變化，例如外緣有内凹 的結構。參閱圖6(c)，磁壁注入層200、210甚至也可以是 彎曲的結構，其主要是能夠與執道構成角隅使具有折角的 結構。參閱圖6(d)，角隅的折角方式也可以是内凹的結構。 其他更多的設計變化會於後面再加以描述。 前述的執道100與磁壁注入層2〇〇、210之間的結構 是二端結構。也就是說’驅動電流從二個磁壁注入層2〇〇、 210輸入即可將磁壁注入到軌道上。然而，其也可以採用 所謂三端的設計，其是電流控制端有三個。圖7繪示依據 本發明一實施例，軌道採用三端設計的結構示意圖。圖8 繪不依據圖7的實施例，驅動電流示意圖。參閱圖7與圖 8，記憶執道1〇〇的端點除了與磁壁注入層2〇〇、21〇構成 τ型結構具有注入的緩衝區域412，另外還有一電流輸入 端點410。磁壁注入層200、21〇維持與記憶轨道1〇〇連接 於緩衝區域412。在此结構下，驅動電流分為兩階段。第 一階段的驅動電流如箭頭404、406所示，是往上或是往下 201115801 P51980U35TW 3 1689twf.doc/n 其是以圖面的上下來說。往上的驅動電流如箭頭4〇4會將 磁壁注入層200的“〇，，資料往緩衝區域4丨2推入到記憶軌道 100。圖8(a)的情形是以往下的驅動電流如箭頭4〇6為例， 將磁壁注入層210的資料往下推入到記憶軌道1〇〇的緩衝 ，域412。接著如圖8(b)的情形，另一個驅動電流是沿著 箭頭408的方向將緩衝區域412上的資料往記憶軌道1〇〇 的磁區推人。換㈣說’寫人触作是藉㈣個步驟在兩 • 個方向上分別依序進行而達成。在電流輸入端點410的磁 方向不^衫響操作結果，其是因為只要是記憶軌道刚 :在有磁壁則磁區就會被移位。即使記憶執道1〇〇所存的 f料都相同而沒有磁壁的存在，其代表就算是磁區不被移 位而所儲存的資料仍相同。 “ 執道科概念如T。磁壁注人區的轉折處需有折 =,磁壁則進。折角處可分別設計在不同磁壁區與軌 ^連之處。圖9綠示依據本發明-實施例，磁壁注又區 & 、，磁壁爻到箝制產生拖曳，當磁壁碰觸 磁壁便一分為二，磁壁資料注入： 磁壁來說，3然形成磁壁在另一端的注入區。然而對於 道中的位置^ ^有不同的幾何結構以限制磁壁兩端在執 角處鳥時，磁理’ Ϊ磁壁碰觸到對向的折 可以有多種變化\^ 〇 、210的幾何結構變化 >閱圖9(b)，一邊角隅的折角處28〇a 201115801 P51980035TW 31689twf.doc/n 是磁壁的固定端。當脈衝的驅動電流持續注入時，磁壁260 會被推向另一邊角隅的折角處280b而最後碰觸時分裂成 二個磁壁。參閱圖9(c)，若是磁壁注入層200、210的另一 邊也有凹刻(notch) ’則磁壁260在初始狀態時，尖角處與 角隅的折角處280a會穩定箝住磁壁260。 以下分別二端元件與三端元件分別提供更多的變 化。圖10繪示依據本發明實施例，磁壁注入層2〇〇、21〇 與記憶軌道100之間的連接結構示意圖。參閱圖1〇，左邊 的五種5又§十結構疋一端元件的設計。依相同的方式對於也 可以應用到二端元件其僅是在記憶執道100的初始端再設 置一驅動電流輸入端即可。 又，圖11繪示依據本發明實施例，磁壁注入層2〇〇、 210與記憶執道1〇〇的連接結構示意圖。參閱圖u，記憔 軌迢100上在對相鄰二磁區之處更設計有凹刻（n〇tch) 285。凹刻285的機制可以箝住磁壁，使得從磁壁注入層 200、210注入磁壁時，可以更確保資料是僅注入到相鄰的 一個磁區，不會由於施加時間較長而產生錯誤。 更詳言之，圖12繪示依據本發明一實施例，驅動電 流的波形與磁區能量位障的關係示意圖。一般而言，軌道 中的凹刻285設計會使位障高於磁壁通過轉角處之位障， 如圖12⑷所示。能量位障5〇〇是磁壁在執道上通過轉=户 的能障。能量位障搬在是磁壁在軌道上從凹刻移 = 障。因此，如果操作能量5〇4是在能量位障5〇〇與能旦 障502之間，則其僅能移動不被凹刻箝住的磁壁。 201115801 P51980035TW 31689twf.doc/n 基^騎量，本發明提峻用如圖 :辟波長5〇8之波型作用為解箝住) 後置，同時也將磁壁於注入區轉入磁執。之 後車乂長時間51G之波形的振鍾可推動磁壁移動，而益法

==二t解箝住。如此的波形可提高整體執道中磁 的，性’在前半段波型中將所有的磁壁於凹刻及 轉角=住，而後半段波型推動磁壁且無法越過下一個凹 刻二=的:障限制。如此可確認磁性皆向前移動一個位 ==㈣糊議成，動爾帶來的位 =3..會示依據本發明—實施例，圖12_波形於實 應用不思圖。參閱圖13,驅動電流512的波形如圖12⑼ 所^可以用來將上方的磁壁注人層⑽所儲存的資料往 記憶軌這移入。另外驅㈣流514的波形如圖12(b)所示’ 可以用來，下方的磁壁注人層所儲存的㈣往記憶轨 道移入如前頭所示。上述的驅動電流的波形雖然是對於記 憶軌道上具有_的設計會有㈣顯效果，

執道上沒有凹刻其也可以使用。 果U 接著描述如何製作磁壁注入層200、210。圖14繪示 =據本發明一實施例，γ型磁性記憶體結構的製作流程示 思圖。參閱圖I4(a)，就水平式的磁性材料而言，以γ型 的結構來描述，然而轨道形狀不限Y字型，任何可達成此 效果構造皆可適用。在製作轨道材料完成後，首先施以一 y方向大的重置磁場(Reset field)6〇〇改寫全轨道磁區方 11 201115801 P51980035TW 31689twf.doc/n 向，爾後關閉重置磁場。參閱圖14(b)，磁區方向會順應軌 道形狀排列。在Y字型轉角處會自然生成磁壁，成為^久 的磁區資訊來源。參閱圖H(C)，當元件操作時根據所需寫 入的磁區資訊將磁壁注入層210的位元資訊，依箭頭^〇4 的方向將資料移入記憶執道100上的磁區6〇6，而記憶軌 道100上的原有磁壁602會移動到下一個磁區。另外磁 壁注入層210與記憶執道100之間會自然生成磁壁_於 Y字型轉角處’因此磁壁注入層細可持續維持磁區方 向二不至於被改寫。參閱圖14(d)，如果磁壁注入層2〇〇 的資料要被注人記憶軌道⑽，磁壁_會被注入^憶軌 道100中。此時，另一磁壁612自然形成。 〜 接著對於垂直式材料的設計其無法藉由執道形狀 設計來決定初始磁壁注人區之方向，因此需要藉 (pre-wnte)之方式來完成磁壁注入層2〇〇、21〇的設 據本發明—實_，垂直式材料的磁壁^區: =方法不意圖。垂直式材料的概念同水平式材料竿構 =道之中’達成等效於傳統方法寫入區域的磁 = 以下描述幾個垂直式材料的設計中，磁辟 珊、210的製作與預寫。除了前 ^件= 用軌道形狀達到磁場預寫磁壁注 式讀引 =平細及垂直式材料之預寫 據本發明-貫關磁壁^區職的實施麻意圖。 201115801 P51980035TW 31689twf.doc/n 圖16，以自旋傳輸力矩(Spin transfer torque，STT)的設計 為例’在磁壁注入層200、210上製作穿隧層(tunnei juncti〇n) 210a 及磁性固定層(magnetic pinning iayer)2 j 〇b。磁壁注入 層200、210視為自由層，其與STT元件同理’可藉由相 向的電流700,701來改寫磁壁注入層的方向，完成預寫步 驟。值得注意的是，預寫的步驟在元件完成後僅需使用一 次，因此較無STT元件的使用壽命的問題，MTj元件同時 可供偵測磁壁注入區是否寫入錯誤，必要時仍可再做預寫 之步驟。 圖17繪示依據本發明一實施例磁壁注入層的預寫實 施例示思圖。參閱圖17，其以摻雜^^叩丨叩)方式達到磁壁 ，入層2〇〇 21〇的預寫。摻雜特殊元素可改變區域磁性物 質的異向性，目前已知例如有Ni，Au，Cu，Agi摻雜可 達到此一功效，如圖17(a)所示，摻雜單一磁壁注入區（或 =側摻雜皆可)之異向性與軌道之異向性不同。如果選取適 當之重置磁場，其可產生局部改變或是局部未改寫之效 > 果’達到磁壁注入區反向的功用，完成預寫步驟。又如圖 17(b)所示，迴路7〇2是用於寫入一狀態的資料。迴路7〇4 是用來於將資料從磁壁注入層而寫入軌道1〇〇。 ^ 18系會示依據本發明一實施例，磁壁注入層的預寫動作示 f圖。參關18，磁性交互作用層(Magnetic Exchange Layer)設置在二個磁壁注入層觸、2ι〇其中之一 =一層的磁性交互作用層，因其與磁壁注入層之間^交互 作用力，可改變區域的磁區之異向性。如實施例所示，佐 13 201115801 P51980035TW 31689twf.doc/n 以適當之重置磁場(Resetfield)，可改寫區域磁區方向或是 不改寫區域磁區方向，如箭頭所示，以完成預寫步驟。 本發明提出一個低耗電的磁性位移暫存記憶體結 構，利用軌道形狀設計，内嵌寫入資料的訊號源於磁性軌 道之中。如此’對於這種結構，由於要寫入的資料可以直 接注入，記憶執道上不需要製作寫入元件。

本發明也因此至少可以省去製作寫入元件之成本與 操作寫入元件所需之電源。當使用高異向性材料作為軌道 磁區之材料以提升記憶體元件熱穩定性時，由於不須額外 的寫入線改寫磁區方向，更可避免寫入線操作的巨大耗 能，簡化記憶體架構。 雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定 本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離 本發明之精神和範圍内’當可作些許之更動與潤飾，故本 發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】

圖1綠示傳統藉由電流驅動的磁壁移動的機制所設計 的磁性移位暫存記憶體示意圖。 圖2A〜2B繪示依據本發明一實施例，磁性記愫體社 構的立體與上視示意圖。 ° 圖3繪示依據本發明一實施例，磁壁移動機制示意圖。 圖情示依據本發明—實施例，磁壁移動機制隨時間 ’又化的示意圖。 14 201115801 i^3i^6uy35TW 31689twf.doc/n 圖5繪示依據本發明-實_，Y型軌道磁性記憶體結 構的示意圖。 圖6繪示依據本發明一實施例，磁性記憶體結構的磁 壁注入層200、210的結構變化示意圖。 圖7繪示依據本發明一實施例，軌道採用三端設計的 結構示意圖。 圖8繪示依據圖7的實施例，驅動電流示音圖。 圖9繪示依據本發明一實施例’磁壁注入區與執道之 間的設計機制示意圖。 圖ίο繪示依據本發明實施例，磁壁注入層2〇〇、21〇 與記憶轨道100之間的連接結構示意圖。 圖11繪示依據本發明實施例，磁壁注入層2〇〇、210 與記憶轨道100的連接結構示意圖。 圖12繪不依據本發明一實施例，驅動電流的波形與 磁區能量位障的關係示意圖。 / 圖13繪示依據本發明一實施例，圖12(b)的波形於實 際的應用示意圖。 ' ' 圖14繪示依據本發明一實施例，γ型磁性記憶體結 構的製作流程示意圖。 圖15繪示依據本發明一實施例，垂直式材料的磁劈 注入區之操作方法示意圖。 圖16繪示依據本發明一實施例磁壁注入區預寫的實 施例示意圖。 圖17繪示依據本發明一實施例磁壁注入層的預寫實 15 201115801 P51980035TW 31689twf.doc/n 施例示意圖。 圖18繪示依據本發明一實施例，磁壁注入層的預寫 動作示意圖。 【主要元件符號說明】 100:記憶執道 102 :磁區 104:磁壁 106 :讀取元件 ® 108 :寫入元件 200、210 :磁壁注入層 220:軌道端點 240a、240b :角隅 250、252、254、260、262、264 :磁壁 280a、280b :折角處 230、400、402、404、406、408 :箭頭 410:電流輸入端黥 φ 412:缓衝區域 230a、230b :流動路徑 300、310 :驅動電流源 16

Claims (1)

1. 201115801 r ji7〇u035TW 31689twf.doc/n 七、申請專利範圍： 1. 一種磁性記憶體結構，包括： 一記憶轨道，具有連續的多個磁區，每一個該磁區有 一位元的記憶容量； 一第一磁壁注入層，與該記憶軌道的一端點交叉連 接，_S·固定儲存一第一位元資料；以及 /第二磁壁注入層，相對於該第一磁壁注入層與該記 憶軌道的該端點父叉連接，且固疋儲存與該第一位元資料 相異的一第二位元資料’ 其中該第一磁壁注入層與第二磁壁注入層的其—與 該記憶軌道之間構成一磁壁。 2. 如申請專利範圍第1項所述之磁性記憶體結構，其 中该e憶軌道’該第一磁壁注入層與該第二磁壁注入層的 磁化万向是水平式。 3. 如申請專利範圍第2項所述之磁性記憶體結構，其 中该纪憶軌道與該第一磁壁注入層及該第二磁壁注入層構 $〆Y字型結構。 • 4.如申請專利範圍第3項所述之磁性記憶體結構，其 中該記憶軌道的該端點有一第一端面與一第二端面，該第 〆磁璧注入層與該第二磁壁注入層分別從該第一端面與該 第二端面連接’構成該γ字型結構。 5.如申請專利範圍第1項所述之磁性記憶體結構，其 中該e憶執道’該第一磁壁注入層與該第二磁壁注入層的 磁化方向是垂直式。 17 201115801 y5iy»0035TW 31689twf.doc/n 6.如申請專利範圍第5項所述之磁性記憶體結構，其 中該第一磁壁注入層與該第二磁壁注入層分別是一堆最展' 結構，包括： 14 一磁性固定層； 一穿隧層；以及 一自由層’其中該自由層分別儲存該第一位元資 該第二位元資料’且與該記憶軌道連接。 、/或 7.如申請專利範圍第5項所述之磁性記憶體結構， 中該第一磁壁注入層與該第二磁壁注入層的古’其

   /、负穆雜預 定的元素而構成不同的磁性異向性。 8.如申請專利範圍第5項所述之磁性記憶體、纟士構 中該第一磁壁注入層與該第二磁壁注入層皆有摻雜預」其 元素而構成不同的磁性異向性。 &的 9.如申請專利範圍第5項所述之磁性記憶體結構，复 中該第一磁壁注入層與該第二磁壁注入層的其—更包括f 磁性交互作用層，以構成不同的磁性異向性。

   10_如申請專利範圍第1項所述之磁性記憶體結構， 其中該弟一磁壁注入層與該第二磁壁注入層是與讀吃軌 道橫向交叉，允許將該第一位元資料或該第二位元資^移 入該記憶軌道上的一端點磁區，且該記憶軌道的該端點^ 一電流輸入端用以將被移入的該第一位元資料或該第一位 元資料推入該記憶軌道中。 11.如申請專利範圍第1項所述之磁性記憶體結構， 其中該第一磁壁注入層及第二磁壁注入層分別與該記憶轨 18 201115801 r ji^〇v035TW 31689twf.doc/n 道的二夾角都是相等的鈍角、直角或是銳角》 12. 如申請專利範圍第1項所述之磁性記憶體結構， 其中該第一磁壁注入層及第二磁壁注入層分別沿著朝向該 記憶軌道的一縱向方向是等寬度，或是漸減寬度。 13. 如申請專利範圍第1項所述之磁性記憶體結構， 其中在該記憶執道上，相鄰二個該磁區之間更有一凹刻。 14. 一種磁性記憶體結構的操作方法，使用於如申請 專利範圍第1項所述之磁性記憶體結構，包括： 施加一寫入脈衝電流給該第一磁壁注入層或是該第 二磁壁注入層使該第一位元資料或是該第二位元資料移入 該記憶軌道上的一磁區。 。15.如申請專利範圍第14項所述之磁性記憶體結構 的操作方法，其中該寫入脈衝電流包括一解固定區以及隨 後的-傳遞H，其巾該觸超的脈衝高度大於該傳遞區 的脈衝高度。 、。16·如申請專利範圍第14項所述之磁性記憶體結構 方法’其中該寫人脈衝電流是等脈衝高度且有一時 如申請專利範圍第14項所述之磁性記憶體結構 拟方法，在該記憶執道上的相鄰二個該磁區的界面處 " 凹刻，以防止磁壁的移動超過二個磁區。 春刹二二種磁性記憶體結構的操作方法，使用於如申請 第^項所述之磁性記憶體結構，該操作方法包括: &加—第一脈衝電流給該第一磁壁注入層或是該第 19 201115801 FMy80035TW 31689twf.doc/n 二磁壁注入層使該第一位元資料或是該第二位元資料移入 該記憶軌道上的一端部磁區；以及 施加一第二脈衝電流給該記憶軌道，使該端部磁區的 一資料被移入該記憶軌道中。 19. 如申請專利範圍第18項所述之磁性記憶體結構 的操作方法’其中該寫入脈衝電流包括一解固定區以及隨 後的一傳遞區’其中該解固定區的脈衝高度大於該傳遞區 的脈衝高度。 20. 如申請專利範圍第18項所述之磁性記憶體結構 的操作方法’其中該記憶執道是磁化方向是垂直該記憶軌 道的表面。

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