TW201115629A - Doping method - Google Patents

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Deodatta Vinayak Shenai-Khatkhate
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Rohm & Haas Elect Mat
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Description

201115629 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係大體關於有機金屬化合物的領域。本發明特 別係關於使用某些有機金屬化合物作為半導體薄膜之摻雜 劑（dopant)。 【先前技術】 化合物半導體薄膜，例如第nI-V族半導體薄膜，為 電子工業所習知且特別有用於發光裝置（1 ight emitting devices) ’ 例如發光二極體（1 ight emitting diodes，LED) 者。第111族氮化物具有能帶間隙能量（bandgap energy) 使其特別適用於LED。在此等第III族氮化物中，以氮化 鎵（GaN)特別適合用於led。 通常化合物半導體薄膜係使用氣相沉積技術成長於 基板上，例如化學氣相沉積（CVD)。在此等技術中，係將來 源物（s 〇 u r c e )之呈氣相（或蒸氣相）的反應物（或前驅物）輸 送至内含基板的沉積反應器内。金屬有機化學氣相沉積 (“M0CVD”）係利用於高溫，亦即，室溫以上，且在常壓或 減壓下，分解有機金屬前驅物化合物而沉積金屬層之技術。 摻雜劑為典型添加至化合物半導體薄膜中，特別當化 合物半導體薄膜用於發光装置時。此等摻雜劑係影響化合 物半導體薄膜的導電度（electrical c〇nductivity)。於第 III知氮化物中’石夕與鎂分別為傳統作為N型及p型之摻 n每鎂係取代氮化鎵（GaN)晶格中的蘇。 業上的（勢為採用“較軟（softer)，，的摻雜劑，例 3 94914 201115629 如鍺，代替矽’矽為“硬質（hard)”摻雜卞， ^雜劑。舉例言之， 美國專利第7, 488, 971號（Kobayakawa耸jt、』 #丄 寺人）揭示含有氮化 鎵的發光裝置’其+氮化鎵層係摻雜鍺。在此專利中，錯 摻雜劑之來源為魏、四甲基叙四乙_ 鍺源在其使用上有明顯缺失。錯烧有毒且出現明顯的處理 問題，而四甲基鍺及四乙基鍺作為摻雜劑在使用上會導致 於第111私氮化物薄膜中之顯著的碳併入。此碳併入不利 於第III族氮化物薄膜的性能。高度碳併入可使得此薄膜 絕緣且對上述薄膜之發光性能有不利的影響。業界習知於 M0CVD所沉積之薄膜中的碳併入通常可藉由在高於前驅物 之分解溫度之溫度下進行沉積而減少。然而，在如是高溫 下使用四曱基鍺或四乙基鍺摻雜氮化鎵薄膜卻無法減少碳 的併入。故對於可用於使用鍺來摻雜第ΠΙ_ν族化合物半 導體並提供減少之碳併入的適當前驅物仍有持續的需求。 【發明内容】 本發明提供一種於基板上沉積第ΠΙ_ν族化合物半導 體薄膜之方法，該方法包含下述步驟：8)於沉積室中提供 基板，b)輸送氣相第πια族金屬化合物至該沉積室；c) 輸送氣相第VA族化合物至該沉積室；d)輸送氣相之具有 式RxGeHy之鍺摻雜劑化合物至該沉積室e)於沉積室内分解 该第IIIA族金屬化合物、第VA族化合物及該鍺摻雜劑化 合物，以及於該基板上沉積摻雜有鍺之第III-V族化合 物半導體_ ;其中各R係獨立地選自（C3-W分支鏈烧 基（C3 C0環狀院基、（Cs-C2。）環戊二稀基及NfR2 ;其中 4 94914 201115629 R1及R2係獨立地選自氫及（Ct-CO烷基；x為從1至4的整 數：y為從0至3的整數，且x+y=4。 【實施方式】 如本文所使用者，下列縮寫具有下述意義，除非文中 另有清楚指明：°C =攝氏度；mo 1 =莫耳；b. ρ.=沸點；eq.=當 量；g=公克；公升；ca.=約；cm=公分；nm=奈米；A = 埃；seem =標準立方公分/分鐘；M=莫耳濃度及；mL=毫升。 除非另行註明，否則全部的量皆為重量百分比且全部比例 皆為莫耳比。全部的值範圍皆為包含上下限值且可以任何 順序組合，除了其中顯然此等數值範圍受限於加總至多 100%。冠詞“一（a)”及”一（an)”係指單數及複數。 除另行指定之某些烧基（例如“分支鏈烧基”）外， “烷基” 一詞包含直鏈、分支鏈及環狀烷基。同樣地，“烯 基”及“炔基”分別包含直鏈、分支鏈及環狀之烯基及炔 基。「鹵素」係指氟、氣、溴及蛾，而「鹵基（ha 1 〇)」係指 氟基、氯基、溴基及碘基。各個烷基可視需要地具有一個 或多個其之氫經取代基置換，該取代基例如但不限於， (Ci_Cg)烧基、（C2-C6)稀基、（Ci-Ce)烧氧基及鹵基。如在本 文中使用，“CVD”係意欲包含所有形式之化學氣相沉積例 如M0CVD、金屬有機氣相磊晶（M0VPE)、有機金屬氣相磊晶 (0MVPE)、有機金屬化學氣相沉積（0MCVD)及遠距電漿化學 氣相沉積（remote plasma chemical vapor deposition， RPCVD)。 有廣泛多種的第IIIA族金屬化合物可用於本發明 94914 201115629 中。特別合適者為具有式之第ΠΙΑ族金屬化合物， 其中Μ為第ΙΠΑ族金屬且每一 R3獨立地為（Ci_C|())有機基 團或氫。R3較佳為氫或（G-Cb)烷基且更佳為氫或（Ci_Ce；) 烷基。於此化合物中，R3基可為相同或相異，亦即，此化 合物可分別為同配位（homoiephc)化合物或異配位基 (heteroleptic)化合物。當R3為氫時，該第ΙΠΑ族化合 物可為純淨無鹼的金屬氫化物（a neat base_free metai hydride)或其三級胺加成物。μ較佳為硼、鋁、鎵或銦， 且更佳為鋁、鎵或銦。合適的R3基包括烷基、烯基、炔基 及务基。δ亥R基可視需要地經一個或多個具有Nr，r”式 子的二烷基胺基所取代’其，及R，，係獨立地為（Ci_C4) 烷基。“經取代”係意指該有機基團的一個或多個氫為二 烷基胺基所置換。R3較佳為氫或（Ci_Ci<))烷基且更佳為氫或 (Ci-G)烷基。較佳者，該第IIIA族金屬化合物具有式R3逼， 其令每個R3獨立地為（Μ)絲且M為選自銦、錄及紹。 例示性R3基包括，但不限於，甲基、乙基、正丙基、異丙 基、正丁基、異丁基、第三丁基、異戊基及新戊基。於本 發明中可使用單一種第ΠΙΑ族金屬化合物或第ΙΠΑ族金 屬化合物的混合物。 # 例示的第IIΙΑ族金屬化合物包括，但不限於，三甲 基銦、三乙基銦、三-正丙基銦、三_異丙基銦、二甲基異 丙基姻、二甲基乙基姻、二甲基第三丁基銦、甲基_二_第 三丁基麵、曱基-二-異丙基銦、烯丙基二甲基姻、甲基二 烯丙基銦、三甲基鎵、三乙基鎵、三-異丙基鎵、三—ί三 94914 6 201115629 丁基鎵、二甲基-異丙基鎵、二乙基第三丁基鎵、烯丙基二 曱基鎵、甲基-二-異丙基鎵、二曱基第三丁基鎵、二甲基 新戊基鎵、曱基乙基異丙基鎵、三曱基鋁、三乙基叙、三 正丙基鋁、三異丙基鋁、三第三丁基鋁、二曱基異丙基鋁、 二曱基乙基鋁、二曱基第三丁基鋁、甲基—二-第三丁基鋁、 曱基-二-異丙基鋁、烯丙基二曱基鋁、甲基二烯丙基鋁、 以及第IIIA族金屬氫化物之三級胺加成物。例示性之第 IIIA族金屬氫化物之三級胺加成物包括但不限於：三甲胺 紹烧加成物、甲基°比p各铭烧加成物、二甲基乙胺紹燒加成 物、四曱基胍鎵烷加成物、哏啶鎵烷加成物、曱基吡咯銦 烧加成物（methylpyrrol idine indane adduct)及四甲基乙 二胺鋁烷加成物。 本發明第IIIA族金屬化合物通常為商業上可取得者 或可藉由技術領域中所述方法製備者，例如參閱美國專利 第 5’ 756, 786 號、第 6, 680, 397 號及第 6, 770, 769 號。此 等化合物可就此使用或者可以在使用之前進一步純化。 有多種第VA族化合物適用於本發明中。例示性第VA 族化合物包括’但不限於Mv，其中每個X獨立地選自氣、 鹵素、（CA)烧基、（Cl_Ce)烧氧基及芳基；『為第 金屬。第VA族金屬〇〇包括氮、罐、録及石申。較佳者，^ 為氮、填或石申及更佳為氮或填。特別適合用於本發明之第 Μ族化合物包括氨、膦、胂及滕，且較佳為氨、膦及肿。 乳為特別適合。聯胺亦為合適的第VA族化合物。 VA族化合物通常為商業上可取得者且可就此使用或者可 94914 7 201115629 以在使用之前進一步純化。於本發明中可使用單一種第VA 族化合物或第VA族化合物的混合物。 本發明中有用之鍺摻雜劑化合物具有式RxGeHy ;其中 每個R係獨立地選自（C3_C7)分支鏈炫基、（C3-C7)環狀烧 基、dC2。）環戊二稀基及NfR2 ; R1及R2係獨立地選自氣 及（Ci-Cg)烧基；X為從1至4的整數：y為從〇至3的整 數，且x+y=4。較佳地，R係選自（Cs-C?)分支鏈烷基及（C3_C7) 環狀炫基’且更佳為（C4_C5)分支鏈烧基。較佳地，r為（c3_c7) 分支鏈烧基且y為1至3 ’更佳地，R為（C4_Cs)分支鏈烧 基且y為1至2，另一較佳地，R為（c^c：5)分支鏈烷基且y 為1。R及R較佳係選自氫及（C1-C3)烧基，且更佳為氫及 (Ci-G)烧基。較佳者’ X為1至3的整數，且更佳為！至 2。最佳者為χ=1且y=3。 R的例示性（C3_C7)分支鍵院基及（CrC7)環狀院基包 括，但不限於，異丙基、異丁基、第二丁基、第三丁基、 新戊基、環丙基、環戊基、曱基環戊基、二甲基環戊基、 環己基及曱基環己基。較佳者，R係選自異丙基、異丁基、 第一丁基、第二丁基及新戊基，且更佳地，β為異丁基、 第二丁基及第三丁基。例示（C5_C2Q)環戊二烯基包括，但 不限於，環戊二烯基、甲基_環戊二烯基、乙基—環戊二烯 基異丙基戊一稀基、雙甲基-環戊二烯、雙乙基-環戊 —烯基、雙異丙基-環戊二烯基、三曱基_環戊二烯基）、三 乙基-環戊二烯基、三異丙基_環戊二烯基、四甲基_環戊二 稀基、四乙基-環戊二婦基、四異丙基一環戊二稀基、五曱 8 94914 201115629 基-環戊二稀基、五乙基-環戊二稀基、及五異丙基_環戊二 烯基。R的典型NfR2基包括’但不限於，曱基胺基、乙基 胺基、異丙基胺基、第三丁基胺基、二曱基胺基、二乙基 胺基、二異丙基胺基及乙基曱基胺基。 剷述R、R及R之烧基及環戊二稀基之任一者可視需 要地經以一或多個胺基（nr4r5 )取代，其中R5獨立地 選自Η及（G-C6)烷基。「經取代」一詞表示於烷基上之一 或多個氫經一或多個NR4R5基團置換。例示性之經nr4r5基 團取代之烷基包括，但不限制於二曱基胺基-曱基 ((CH3)2N-CH2-)、二曱基胺基-乙基（（CH3)2N_C2H4_)、二乙基 胺基-乙基（（C2H5)2N-C2H4-)、二甲基胺基-丙基 ((CH3)2N-C3H6-)及二乙基胺基-丙基（（C2H5)2N_C3h6_)。 例示性錯摻雜劑化合物包括，但不限制於異丙基鍺 烧、一異丙基鍺烧、三異丙基鍺烧、四異丙基錯燒、第三 丁基鍺烧、一第二丁基鍺烧、三第三丁基鍺烧、四第三丁 基鍺烷、異丁基鍺烷、二異丁基鍺烷、三異丁基鍺烷、四 異丁基鍺烷'異丙基環戊基鍺烷、異丁基環戊基鍺烷、環 丙基鍺烷、環戊基鍺烷、二環戊基鍺烷、（曱基環戊基）鍺 烷、（二甲基環戊基）鍺烷、環己基鍺烷、曱基環戊二烯基 鍺烧、乙基環戊二烯基錯烧、異丙基環戊二稀基鍺烧、五 曱基-環戊二烯基錯烧、五乙基-環戊二烯基鍺烧、異丙基 (曱基％戊一稀基）錄烧、異丙基（二曱基胺基）鍺烧、二異 丙基（二曱基胺基）鍺烷、異丙基雙（二曱基胺基）鍺烷、第 二丁基（二曱基胺基）鍺烧、二-第三丁基（二甲基胺基）錯 94914 9 201115629 烷、第三丁基-雙（二曱基胺基）鍺烷、環戊基（二曱基胺基） 鍺烷、環戊基（二曱基胺基）鍺烷、二乙基胺基鍺烷、第三 丁基（二曱基胺基）鍺烷、環戊基（二甲基胺基）鍺烷 '環戊 基-雙（二曱基胺基）鍺烷、環戊基（二乙基胺基）鍺烷、環戊 基雙（二乙基胺基）鍺烷、二-異丙基-雙（二乙基胺基）鍺 烷、（二曱基胺基）鍺烷、雙（二甲基胺基）鍺烷、參（二曱基 胺基）鍺烷、第三丁基（二甲基胺基）鍺烷及二-異丙基（二曱 基胺基）錯烧。 上述錯掺雜劑化合物可經由多種程序製備。典型地， 此鍺摻雜劑化合物之製備係始於式GeY4化合物，其中，γ 為反應性基團例如鹵素、乙酸根或（CrCd烧氧基，而以齒 素為最典型。如本文所用，反應性基團為附接至金屬且於 隨後反應中被置換或交換之任何基團。舉例而言，經二烧 基胺基取代之鍺化合物可經由呈液體或氣體形式之二烷基 胺與具有一或多個反應性基團之鍺化合物反應而製備；更 典型係經由二烷基胺基鋰反應劑與該鍺化合物反應而製 備。分支鏈院基鍺化合物及環狀烷基鍺化合物可使用格林 納（Grignard)反應或有機鋰反應而製備。環戊二烯基鍺化 合物及院基環戊二烯基鍺化合物可使用具有特定金屬鹵化 物及環戊二烯單體之格林納反應或有機鋰反應與而製備。 另一具體實施例中，具有兩個或更多個反應性基團之化合 物可於一容器内’與兩種不同鋰反應劑反應。不同鋰反應 劑可為兩種不同有機鋰反應劑、兩種不同二烷基胺基鋰反 應劑、或有機裡反應劑與二烷基胺基鋰反應劑之混合物。 10 94914 201115629 於此種反應，不同鋰反應劑可同時或逐步添加至反應。分 支鏈烷基鍺化合物及環狀烷基鍺化合物可經由使用適當經 取代之紹化合物進行轉烧化（transalky lat ion)反應而製 備。適合用於製備本發明鍺摻雜劑化合物的程序係揭示於 美國專利第 7,413,776(Shenai-Khatkhate 等人）。 含有一或多個Ge-H鍵之鍺摻雜劑化合物可藉由鹵化 鍺（germanium halide)的反應製備。通常此反應係於如上 述般已脫氧之乾燥（dried)的有機溶劑中進行。美國專利第 7’ 413, 776(Shenai-Khatkhate等人）揭示用於製備此鍺摻 雜劑化合物之合適程序。
於上述錯摻雜劑化合物中存在某些雜質㈤㈣⑹） 可能不利於第III-V族化合物半導體薄骐的性能。舉例而 了身即用以作為第㈣族化合物半導體之石夕可為錯 :::之雜質：若石夕存在時’其將與所沉積薄膜之摻雜中 t鍺競筆’而導致薄膜中的錯濃度低於所需。因此本 摻雜劑化合物較佳實質上不含矽。“實質上不人” Y 示錯摻雜㈣合物含有低於hGppm一詞表 PPm，更佳為低於0.25_。本案錯推雜劑化-、一= 為實質上不含_他_雜f，= 不含鋅及紹。特別地，本案錯摻雜劑化 較佳 矽、鋅及鋁，且較佳不含此等雜質。在另」貫質上不含 案錯摻雜劑的化合物具有「5個9 f施例中，本 %。更典塑地，此化合物具有「6」:_w 2 99.9999%。 」純度，亦即純度 94914 201115629 任何適當的沉積方法皆可用於沉積（或成長）本發明 之第III-V族化合物半導體薄膜。合適的沉積方法包括 M0CVD、氫化物氣相磊晶（HVPE)及分子束磊晶（MBE)。從薄 膜厚度的可控制性及量產性的觀點考量，較佳採用M0CVD。 當使用M0UVD呀 ____________ … (Γ^ 氣體（carrier gas)。於氮化鎵（GaN)的製法中，典型使用 二曱基鎵或三乙基鎵作為鎵之來源化合物；典型使用三甲 基鋁或三乙基鋁作為鋁之來源；典型使用三甲基銦或三乙 基銦作為銦之來源；且典型使用氨或聯氨作為氮之來源。 化學氣相沉積製程中，係將第ΠΙΑ族金屬化合物、 第VA族化合物及鍺摻雜劑化合物以氣相輸送至内含某板 之反應室（反應器）内。—旦進人反應器後，彼等化3人土反 熱解離⑽ermaUy dissoclate)且於基板上沉: 雜有鍺的第III-V族化合物半導體薄膜。 斤奴之払 本發明提供-種於基板上沉積第ΠΙ 體薄膜之方法，該方法包含下述步驟：a)心導 基板，b版氣相之第IIIA族金屬化合物至該^中k供 :达氣相之第VA族化合物至該沉積 ：積室’C) 繼Hy的錯摻雜劑化合 ，相之具有 該第mA族金屬化合物 L積至e)h積室内分解 合物；以纟f)於該其板 知化合物及該諸摻雜劑化 物半導體薄各之第叫族化合 基卬獨立地選自（C3-C〇分 基、（C3 C7)衣狀燒基及NR,R2; 支鏈烷 氫及（C「W烷基； 4 ' 一立地選自 至4的整數：y為從0 13的 Q4Q14 12 201115629
’ GaAs單晶；A1N單晶；GaN單晶；及硼化物
入"匕積反應$中。合適的基板可以任何適當的材料製成 晶；SiC單晶；GaAs單晶；ain
日曰。較佳基板為藍寶石單晶及SiC單晶。 B-奶、第VA族化合物及鍺摻雜 劑化合物可為固體、液體或氣體。提供上述第Η ια族金屬 化合物、第VA族化合物及鍺摻雜劑化合物於合適的輸送裝 置。任何此等化合物可於單—輸送裝置巾結合並自其提 供’限制條件為此等化合物係可相容。典型地，每個第丨丨ια 族金屬化合物、第VA族化合物及鍺摻關化合物係經由分 開的輸送裝置所提供。每個輸送I置與沉積反應器間呈流 體相通。隨後將各化合物由其各別的輸送裝置輸送至沉積 反應室内以提供蒸氣相之第ΙΙΙΑ族金屬化合物、第㈣ 化合物及鍺摻雜劑化合物。可以理解的是為了提供一種以 上的蒸氣相第11ΙΑ族金屬化合物，可使用—個以上含有第 IIΙΑ族金屬化合物之蒸氣輸送|置。同理，為了提供一種 以上的蒸氣相第VA族化合物或鍺摻雜劑化合物，可使用一 個以上含有第IV族化合物或鍺彳參雜劑化合物之蒸氣輸送 裝置。此外’亦可於成長初始或進行過程中使用意圖含有 的雜質（例如表面活性劑）以控制所產生薄膜之結晶度的形 94914 13 201115629 成。可使用策略性的添加物及表面活性劑，以控制結構（例 如：立方體或六方體）、成長均勻性及/或摻雜劑之併入。 在化合物半導體中，原子堆疊的次序（當原子比例保持不變 時，各原子是如何相對於彼此放置）可能有所差異，因而影 響所產生晶體的物理、電子及光學性能。本發明可使用如 美國專利第7, 390, 360(Shenai-Khatkhate等人）概述之策 略性的添加物及組成物。 起泡器（也稱為鋼瓶（cylinder))為典型用來將蒸氣 ^之本發明來源化合物（第ΙΠΑ族金屬化合物、第VA族化 °物及錯摻雜劑化合物）提供纽積反應ϋ之輸送裝置。此 種起泡II典型含有填充埠口、氣體人口及連接至沉積室之 出口。其載運氣體典型雜由氣體“進人起泡器，並夹 帶或拾取前驅物蒸氣。所夾帶的或所攜帶的蒸氣隨後經由 该出口離開起泡H，並輸送至沉積^可使用多種載運氣 體諸如氫、氦、氮、氬、及其混合物。 依據所使用之特定沉積裝置而定，可使用廣泛多種的 起泡器。當特定來源化合物為固體時，可使用美國專利案 第 6’ 444, 038 號（Rangarajan 等人）及第 6, 6〇7, 785 號 (Ti_ons等人）所揭示之起泡器及其它設計之起泡器。就 液態來源化合物而言，可使用美國專利案第4,5〇6,815號 (Melas等人）及第5, 755, 885號（Mlk〇shiba等人）所揭示之 起泡器及其它液體前驅物起泡器。來源化合物係於起泡器 中維持液體或固體。固體來源化合物典型係經氣化或昇 華，然後再轉運至沉積室。 94914 201115629 於習知CVD製程中，供給液體來源化合物之起泡器及 某些供給固體來源化合物之起泡器將含有連接至氣體入口 的沉浸管。一般而言，載運氣體被導入來源化合物（也稱作 前驅物）的表面下方，並向上行進通過該來源化合物至來源 化合物上方的頂部空間，而於載流氣體中夾帶或攜帶來源 化合物蒸氣。 在另一實施例中，本案來源化合物之任一者可與有機 /谷劑組合而用於直接液體注射製程中。任何可溶解該特定 來源化合物且對該特定來源化合物具有適當惰性，以及匹 配該特定來源化合物的蒸氣壓、熱穩定性、和極性之任何 有機溶劑都可以採用。例示性有機溶劑包括，但不限於， 脂族烴類、芳族烴類、直鏈絲苯、鹵化烴類、魏化煙 類、醇類、醚類、聚醚類（glymes)、二醇類、醛類、酮類、 m酸類、續酸類、齡類、醋類、胺類、烧基猜、硫鱗類、 硫胺類、氰酸醋類、異氰酸醋類、硫氰酸醋類、石夕油類、 硝基院、烧基硝’酸酿類、及彼等的混合物。適當的溶劑包 括四氫咬嚼、二甘二甲喊、乙酸正丁醋、辛院、2_甲氧基 ^基乙酸醋、乳酸乙m嗜烧（1，4-di〇xane)、乙婦基 甲基石夕炫"比咬、1，3, 5一三甲苯（mesitylene)、甲笨和 二甲苯。也可以使用有機溶劑的混合物。在用於直接液體 射製私中時’來源化合物的濃度典型地係在〇. 至1.5 範圍内且更典型地為〇. 01至ο. 15M。該來源化合物/ ^機溶劑組成物可為溶液、漿液或分散液之形式。包括本 表明來源化合物和有機溶劍的組成物適合用於採用直接液 949 J 4 15 201115629 體庄射的氣相沉積製程中。適合的直接液體注射製程為在 美國專利申。月案第2006/0110930號（Senzaki)中所述者。 沉積反應器，包含腔室，該腔室典型為經加熱之容 器’於其内部係放置至少一個基板，且可能為多個基板。 沉積腔室有出口，該出口典型係連接至真空幫浦，俾將副 產物抽出腔室並於適當時提供減壓。M〇CVD可於壓力範圍 從 40 帕（Pa)至 101. 324 千帕（kPa)(〇. 3 托（Torr)至 760
Torr)的大氣壓或減壓下進行。沉積腔室係維持於夠高之溫 度以誘導來源化合物分解。典型沉積腔室溫度係由15〇£>c 至600 C，更典型為i5〇°c至400°C，選用之確切溫度係經 最適化以提供有效沉積。視需要，若基板係維持於高溫或 若其它能量諸如電漿係藉射頻能源所產生，則可降低沉積 腔室内的整體溫度。 /儿積I程可視需求持續進行以生產具有所需性質之 摻雜有鍺的第III-V族化合物半導體薄膜。典型地，當沉 積製程停止時’薄膜厚度將從10至幾千埃或更厚。可摻雜 本發明之鍺之例示性第111-V族化合物半導體薄膜包括
AlSb、AlAs、AIN、A1P、BN、BP、BAs、GaSb、GaAs、GaN、 GaP、InSb、InAs、InN、InP、AhGanAs、InxGa】-xAs、InGaP、 AlInAs、AllnSb、GaAsN、GaAsP、AlGaN、AlGaP、InGaN、 InGaAs 、 InGaP 、 InAsSb 、 InGaSb 、 AlInGaN 、 AlGalnAs 、 AlGalnP、InAlGaP、InGaAlP、AlInGaP、AlGaAsP、InGaAsP、 AlInAsP'AlGaAsN、InGaAsN、InAlAsN、GaAsSbN、GaInNAsSb 及GalnAsSbP。較佳者，此第in-v族化合物半導體薄膜 16 94914 201115629 為第III族氮化物薄膜。較佳的第III族氮化物薄膜包括 A1N' BN、GaN、InN、GaAsN、AlGaN、AlGaN、InGaN、A1 InGaN、 AlGaAsN、InGaAsN、InAlAsN、GaAsSbN 及 GalnNAsSb，較 佳為 GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、AlGaAsN、InGaAsN、 GaAsSbN及GalnNAsSb，且甚至更佳為GaN。 當本方法用於摻雜氮化物系化合物半導體 (nitride-based compound semiconductors)B夺，可使用各 式氮化物系化合物半導體，例如通式AlxGavInzNi-AMA (0SXS1、（^YSl、02ZS1且X+Y+Z=l ;符號Μ代表除氮以外 之第VA族元素；0<Α<1)所表示者。較佳者，此氮化物系 化合物半導體為通式AlxGavInzNi-ΑΜΑ所表示之氮化鎵系化 合物半導體（gallium nitride-based compound semiconductor)，其中 0SXS1、、0SZ21 且 X+Y+Z=l ; 符號M代表除氮以外之第VA族元素且0“<1。 氮化物系化合物半導體可包含一個以上第III族金 屬，且若需要的話，除了包含鍺，也可包含鍺以外之摻雜 劑。此等額外之摻雜劑包括，但不限於S i、Mg ' Ca、、 Be、P、As及B。再者，於某些情況下，此氮化物系化合物 半導體不僅包含有意添加的元素，且依據薄膜形成條件 等、以及原料和反應管材料中所含的微量雜質亦不可避& 地含有雜質。 本發明所製備之第ιπ-ν族化合物半導體薄膜可由底 層（under layer)、N 型接觸層（n-contact layer)及 披覆層（n-clad layer)所組成。N型接觸層亦可具有底為 201115629 及/或N型披覆層功能。 在一實施例中’底層可由AlxGai_xN層（〇红q、較佳 〇Sx^).5，且更佳0^^01)所組成。底層厚度較佳為〇工 微米或更厚，更佳為〇·5微米或更厚，且最佳為i微米或 更厚。藉由具有1微米或更厚之薄膜，使得AHN層可 輕易地獲得優良結晶度。 曰雖然就維持優良結晶度而言，底層較佳為未摻雜（摻雜 置<1χ1017/立方公分（cm3))，然底層可能摻雜範圍由 1x10 /cm3 至 lxi〇19/cm3 之 n 型雜質（鍺）。 底層之成長溫度較佳為800^：至12〇〇°c，且更佳調整為 l〇〇〇°C至1200t。若於此溫度範圍内成長，底層可輕易地 獲得優良的結晶度。此外，M〇CVD成長爐之内壓較佳調整 為 15 至 40kPa。 _ N型接觸層係由第III-V族層所組成，較佳為第m 族氮化物層，且更佳為AlxGai χΝ層、較佳〇^^〇. 5、 且更佳OSx^). 1)，其組成與底層相似。就維持與負電極間 之優良歐母賊、避免破肢雖持優良結晶度考量，~型 接觸層係摻雜本發明之鍺（Ν型雜質），且包含1χ1〇Π/(^3 至1x10 /cm3濃度的鍺，且較佳為lxl〇i8/cm3至1χ1〇19/^3 濃度的鍺。 構成N型接觸層的本發明之第ΠΙ族氮化物基化合物 半導體較佳具有與底層之第Iu族氮化物基化合物半導體 相同組成。此等層總薄膜厚度較佳設定於範圍1至2〇微 米’更佳為2至15微米，且最佳為3至12微米。若N型 94914 201115629 接觸層與底層之總薄膜厚度在此範圍内，可使得半導體保 持優良的結晶度。N型披覆層較佳提供於n型接觸層與發 光層之間。藉由提供N型披覆層，發生於n型接觸層最外 表面的非平坦部可被填補。N型披覆層可由、GaN、 GalnN或上述任何第in族氮化物薄膜之任一者所形成。 此外，N型披覆層也可採用具有異質接合（heter〇juncti〇n) 之超晶格（superlattice)結構或此等結構之多重層合物。 當N型披覆層為GalnN時，不需說明即可知其能帶間隙係 如所欲般大於發光層之Ga I nN的能帶間隙。 N型披覆層的厚度並無特別限制，然，其厚度較佳在 0· 005至0. 5微米範圍内，且更佳為〇. 〇〇5至〇.丨微米。 此外，N型披覆層之鍺摻雜劑濃度較佳在lxl〇1Vcm3 至lxl02Vcm3範圍内，且更佳為lxl0〗8/cm3至lxl〇19/cm3。 就優良結晶度之維持及發光裝置之操作電壓的降低之考量 而言，鍺摻雜劑濃度較佳於此範圍内。 實施例1 摻雜有鍺之GaN層的沉積係於大氣壓力下操作且在專 用於GaN的沉積之合適的冷牆、垂直、且經感應加熱 (inductively heated)的MOCVD反應器内進行。在具有2〇〇 微米厚度的（〇〇〇1)藍寶石基板上藉由標準M〇CVD技術於 1050至1080°C沉積出具有2微米厚度的摻雜有鍺之GaN 層。5亥藍寶石基板係在事前藉由去油污及在: H3p〇4 (3 . 1的比例）酸溶液中浸洗而化學處理過。鎵來源為三甲 基鎵（TMG)。使用氨（第V族化合物）氣體作為氮來源。鍺摻 94914 19 201115629 雜劑為異丁基鍺烷。載運氣體稀釋劑為氮氣與氫氣的5〇 : 50混合物，係在大約15至3公升/分鐘的流速下使用。 該TMG經置入於起泡器内，且以1〇至15微莫耳/分鐘的所 有鎵速率配合氫氣泡通過起泡器使用。氨係經通過分開的 管線以1至2公升/分鐘的流速導入。異丁基鍺烷係經通過 分開的管線以適當的流速導入。讓該等反應物在經加熱的 藍寶石基板上於106(TC分解。在完成摻雜有鍺之氮化鎵層 的沉積後，使該層於約1〇8〇。(：的溫度下退火。如此獲得^ 經摻雜之GaN層預期具有ixi〇17/cm3或更高的鍺濃度，且 與使用四甲基鍺烷摻雜的相應GaN薄膜相比之下本例具有 較少的碳濃度。 ^ 實施例2 重複實施例1，不同處在於鎵來源為三乙基鎵且鍺摻 雜劑之化合物為第二丁基錄烧。如此獲得之已摻雜之GaN 層預期具有lxl〇17/cm3或更高的鍺濃度且與使用四曱基鍺 烧摻雜的相應GaN薄膜相比之下，本例具有較少的碳濃度。 實施例3
重複實施例1的程序，不同處在於摻雜有錯之AlGaN 薄膜係使用三甲基鋁、TMG及氨製備，並以異丁基鍺烷作 為鍺摻雜劑化合物。 實施例4 重複實施例1的程序，不同處在於使用下面的反應物 及條件以及適當的標準M0CVD _成長技術。在每一樣品 中，使用適當的基板，例如，氮化鎵薄膜使用藍寶石，石申 94914 20 201115629 化鎵薄膜使用砷化鎵，以及含銦薄膜使用磷化銦。使用氫 氣作為載運氣體。對於每一樣品、特定的來源化合物、所 產生之第III-V族化合物半導體薄膜以及所使用之特定的 鍺摻雜劑係顯示於下表。 21 94914 201115629 樣品 Ge 摻雜劑 第IIIA族化合物/ 第V族化合物 半導體 薄膜 預計成長 溫度 (°C) 4A IBGe TMG/AsHs GaAs 650 4B IBGe TMG/NH3 GaN 1050 4C IBGe TEG/DMHy GaN 1040 4D TBGe TMG/NHa GaN 1010 4E IBIPGe TMG/PHs GaP 650 4F IPGe TMA/EDMIn/TMG/PHa AlInGaP 700 4G TBGe TEA1/TMG/AsH3 AlGaAs 720 4H EMATBGe TMI/AsH3 InAs 600 41 DIBGe TMG/MEAs GaAs 650 4J IPGe TMI/BPE InP 600 4K TBGe TMG/AsH3/PH3 GaAsP 700 4L TIBGe TMA/TMG/TMSb AlGaSb 600 4M EMAIBGe TMG/PHa/TESb GaPSb 625 4N DIPGe TMI/TMG/TIPSb InGaSb 620 40 CpIBGe TEG/AsHa/TMSb GaAsSb 600 4P IBGe TMA/TEIn/TMG/PH3 AlInGaP 650 4Q TIPGe TMA/TMG/AsH3 AlGaAs 725 4R DMAIPGe DIPMeln/TBA InAs 600 4S DIBGe TEIn/TBP InP 600 4T TBGe TMA/TMI/MIPAs A1InAs 620 4U DIPGe TIPIn/TBP InP 600 4V TIPGe TMG/NH3 GaN 1050 4W IBGe TMA/TEG/NHa AlGaN 1020 4X DEAIPGe TMA/DIPMeIn/PH3 AllnP 625 4Y TIBGe TEG/NH3 GaN 1050 4Z EMAIBGe TMA/TMI/TEG/BPE AlInGaP 650 4AA DIBGe DIPMeln/TESb InSb 425 4BB DTBGe TMA/TMG/DMHy AlGaN 1040 4CC DMATBGe TEAl/TEIn/TEG/PH3 AlInGaP 700 4DD DMATBGe TEG/NHs GaN 1050 4EE IBGe TEG/TMSb GaSb 620 22 94914 201115629 4FF DMAIBGe TMG/TMI/AsHb GalnAs 600 4GG MCpIBGe TEAl/AsHa AlAs 725 4HH IBIPGe TMG/NHa GaN 1050 411 TIBGe TEG/DMHy GaN 1020 4JJ DIBGe TMG/AsHa GaAs 650 4KK IBTBGe TMA/TEG/AsHa AlGaAs 700 4LL TIBGe TMI/TEG/NHa InGaN 1010 4MM DMATBGe TMA/TMI/TEG/NHs AlInGaN 950 4NN IBGe TEG/TIPSb GaSb 620 400 DMAIBGe TMA/TMI/AsH3 A1 InAs 625 4PP DTBGe TEG/NHa GaN 1025 4QQ DIBGe TMA/TMI/TEG/PH3 A1InGaP 700 4RR DTBGe TEG/TESb/TBP GaSbP 620 4SS DIPGe TMA/TEG/PHa AlGaP 700 4TT IBTBGe TMG/NHs GaN 1040 4UU EMAIBGe TEG/AsH3/NH3 GaAsN 950 4VV DEATBGe DIPMeln/TEG/NHa InGaN 950 4WW TBIPGe TMG/NHa GaN 1050 4XX DIBGe TMA/TMG/AsHa AlGaAs 725 4YY TIBGe TMI/MEAs InAs 600 4ZZ CpIBGe TMI/PHa InP 600 4AAA EMAIBGe EDMIn/PHs InP 650 4BBB DIBGe DIPMeln/TESb InSb 450 4CCC DMAIPGe TEG/TMI/PHa GalnP 625 4DDD EMATBGe TMA/TMI/TEG/TBP A1InGaP 700 4EEE DEAIPGe TMG/NH3 GaN 1000 4FFF TIBGe TIPAl/AsHa AlAs 725 4GGG TTBGe TMA/TMI/TEG/NHa AlInGaN 950 4HHH IBEGe TMG/NH3 GaN 1050 4III DIBGe TEG/MEAs/BPE GaAsP 650 4JJJ DEAIBGe TEA1/TMG/TBP AlGaP 700 於上面的表格中，化合物及配位基使用下列的縮寫： 23 94914 201115629 BPE=乙二膦、DIPMeIn=二-異丙基甲基銦、DMHy=非對稱二 曱基聯fee、EDMIn=乙基二甲基銦、MEAs=單乙基胂、MIPAs= 單異丙基胂、MPA=曱基吡咯酮鋁烷（methyl pyrrolidone alane)、TBA=第三丁基胂、ΤΒΡ=第三丁基膦、ΤΕΑ1=三乙基 鋁、TEG=三乙基鎵、ΤΕΙη=三乙基銦、TESb=三乙基月弟、 TIPA1 =三-異丙基鋁、TIPIn=三-異丙基銦、TIPSb=三-異丙 基月弟、TMA=三曱基鋁、TMG=三曱基鎵、TMI =三曱基銦、TMSb= 三甲基I弟、IBGe=異丁基鍺烷、DIBGe=二異丁基鍺烷、 TIBGe-二異丁基錯烧、lBIPGe=異丁基（異丙基）錯烧、 IBTBEGe=異丁基（第三丁基）鍺烷、j)MAIBGe=二曱基胺基-異丁基鍺烷、DEAIBGe=二乙基胺基-異丁基鍺烷、EMAIBGe= 乙基甲基胺基-異丁基鍺烷、TBGe=第三丁基鍺烷、DTBGe= 一-第二丁基錯烧、TTBGe=三-第三丁基錯烧、DMATBGe=二 曱基胺基-第三丁基鍺烷、DEATBGe=二乙基胺基-第三丁基 錯烧、EMATBGe=乙基曱基胺基-第三丁基錯烧、lPGe =異丙 基鍺烷、DIPGe=二異丙基鍺烷、TIPGe=三異丙基鍺烷、 IPMGe=異丙基曱基鍺烷、IPEGe=異丙基乙基鍺烷、DMAIPGe= 二甲基胺基-異丙基鍺烷、DEAIPGe=二乙基胺基-異丙基鍺 烷、EMAIPGe=乙基曱基胺基-異丙基鍺烷、CpIBGe=環戊二 烯基-異丁基緒烧、MCpIBGe=甲基環戊二稀基-異丁基緒 烷、IBTBGe=異丁基-第三丁基鍺烷、TBIPGe=第三丁基-異 丙基鍺烷及EMATBGe=乙基曱基胺基-第三丁基鍺烷。 【圖式簡單說明】無 【主要元件符號說明】無 24 94914

Claims (1)

  1. 201115629 七、申請專利範圍： 1·齡基板上沉積第ίΠ_ν族化合物半導體薄膜之方 法’該方法包含下述步驟：a)於沉積室中提供基板；b) 輸送氣相第IIIA族金屬化合物至該沉積室；c)輸送氣 相第VA族化合物至該沉積室；d)輸送氣相之具有式 獅之鍺摻雜劑化合物至該沉積室e)於該沉積室内 分解該第ΠΙΑ族金屬化合物、第VA族化合物及該錯推 雜劑化合物；以及〇於該基板上沉積摻雜有錯之第 IU-V族化合物半導體薄膜；其中各R係獨立地選自 %-⑴分支鏈烷基、（C3_C7)環狀烧基、（Cs_c2。）環戊二 烯基及NR R，其中R及R2係獨立地選自氣及烧 基；X為從1至4的整數：y為從0至3的整數，且的=4。 2. 如申請專利範圍第！項所述之方法，其中該第叫族 ^屬化合物具有式，其中M為第ΙΠΑ族金屬，各 R3獨立地為（c丨-c丨。）有機基團或氫。 3. 如申請專利範圍帛i項所述之方法，其中U(c3_c7) 分支鏈烷基且y = l至3。 4·如申請專利範圍第i項所述之方法，其中該錯摻雜劑係 選自異丁基鍺烷及第三丁基鍺烷。 5. 如申請專利範圍第！項所述之方法，其中該第μ族化 合物具有式ΧΙ'，其中每個X係獨立地選自氣、齒素、 (CrCe)炫基、（Cl —C0炫氧基及芳基；且Μ',為第VA族 屬。 、 6. 如申請專利範㈣丨項所述之方法，其中該摻雜有錯之 94914 25 201115629 第ΙΙΙ-V族化合物半導體薄膜具有lxl017/cm3至 lxl02°/cm3之鍺濃度。 26 94914 201115629 四、指定代表圖：本案無圖式 (一) 本案指定代表圖為：第（）圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 本案無代表化學式 2 94914
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8896085B2 (en) * 2009-07-10 2014-11-25 Toyoda Gosei Co., Ltd. Semiconductor light-emitting element manufacturing method, lamp, electronic equipment, and mechanical apparatus
WO2011094391A1 (en) 2010-01-27 2011-08-04 Yale University Conductivity based selective etch for gan devices and applications thereof
WO2014004261A1 (en) 2012-06-28 2014-01-03 Yale University Lateral electrochemical etching of iii-nitride materials for microfabrication
US11095096B2 (en) 2014-04-16 2021-08-17 Yale University Method for a GaN vertical microcavity surface emitting laser (VCSEL)
EP3201952B1 (en) * 2014-09-30 2023-03-29 Yale University A method for gan vertical microcavity surface emitting laser
US11018231B2 (en) 2014-12-01 2021-05-25 Yale University Method to make buried, highly conductive p-type III-nitride layers
US10554017B2 (en) 2015-05-19 2020-02-04 Yale University Method and device concerning III-nitride edge emitting laser diode of high confinement factor with lattice matched cladding layer
EP3173507A1 (de) * 2015-11-25 2017-05-31 Umicore AG & Co. KG Verfahren zur metallorganischen gasphasenabscheidung unter verwendung von lösungen von indiumalkylverbindungen in kohlenwasserstoffen
US10879420B2 (en) 2018-07-09 2020-12-29 University Of Iowa Research Foundation Cascaded superlattice LED system

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6956127B2 (en) * 2002-01-17 2005-10-18 Shipley Company, L.L.C. Alkyl group VA metal compounds
JP4954448B2 (ja) * 2003-04-05 2012-06-13 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． 有機金属化合物
JP4714422B2 (ja) * 2003-04-05 2011-06-29 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． ゲルマニウムを含有するフィルムを堆積させる方法、及び蒸気送達装置
JP4689969B2 (ja) * 2003-04-05 2011-06-01 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． Ｉｖａ族およびｖｉａ族化合物の調製
KR100884288B1 (ko) * 2003-10-02 2009-02-18 쇼와 덴코 가부시키가이샤 질화물 반도체, 질화물 반도체를 이용한 발광 소자, 발광다이오드, 레이저 소자 및 램프, 및 그 제조 방법
EP1568716A1 (en) * 2004-02-24 2005-08-31 Stichting Dutch Polymer Institute Catalyst system comprising magnesium halide
US7456445B2 (en) * 2004-05-24 2008-11-25 Showa Denko K.K. Group III nitride semiconductor light emitting device
TW200619222A (en) * 2004-09-02 2006-06-16 Rohm & Haas Elect Mat Method for making organometallic compounds
US7390360B2 (en) * 2004-10-05 2008-06-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Organometallic compounds
EP1869717B1 (en) * 2005-04-07 2017-01-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Production method of group iii nitride semioconductor element
GB2432364B (en) * 2005-11-18 2009-11-11 Rohm & Haas Elect Mat Organometallic compound purification
JP2007165613A (ja) 2005-12-14 2007-06-28 Showa Denko Kk 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
JP5232968B2 (ja) * 2006-02-17 2013-07-10 豊田合成株式会社 発光素子及びその製造方法、並びにランプ
JP2007220972A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Showa Denko Kk 半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ
JP2007258529A (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法及びランプ
CN101473382A (zh) * 2006-05-12 2009-07-01 高级技术材料公司 相变化记忆体材料的低温沉积
JP5073968B2 (ja) * 2006-05-31 2012-11-14 住友化学株式会社 化合物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法
US7547631B2 (en) * 2006-07-31 2009-06-16 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Organometallic compounds
US7531458B2 (en) * 2006-07-31 2009-05-12 Rohm And Haas Electronics Materials Llp Organometallic compounds
JP2010506001A (ja) * 2006-10-06 2010-02-25 コヴィオ インコーポレイテッド シリコンポリマー、シリコン化合物の重合方法、及びそのようなシリコンポリマーから薄膜を形成する方法
US8283201B2 (en) * 2008-06-05 2012-10-09 American Air Liquide, Inc. Preparation of lanthanide-containing precursors and deposition of lanthanide-containing films

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