TW201106506A - SMD-LED component and LED module with waterproof function, and manufacturing method thereof - Google Patents
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201106506 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種發光二極體,特別是有關於一種 具有防水功能的表面黏著型發光二極體。 【先前技術】 由於科技的日益進步,目前各種電子資訊設備的設 計,莫不以輕巧便於攜帶作為發展趨勢。由於發光二極體 Φ ( Light-Emitting Diode,LED )具有亮度高、省電、壽命 長、安全及反應快等諸多優點,且LED可展現的亮度等級 也越來越高,因此被廣泛地應用在電子裝置或燈具的照明 上0 隨著LED技術的普遍,現已逐漸取代傳統燈泡而成為 主要照明與裝飾光源,如聖誕樹裝飾、櫥窗燈飾、空間氣 氛造景燈飾、室内照明、路燈以及交通號誌等室内或室外 的光源。 傳統之LED燈泡,均經封裝製作成LED燈泡,以提 供大部分的室内或室外使用。然而,由於LED米源的廣泛 使用’其逐漸大量地使用室外的場合,甚至於被使用在部 份嚴苛的工作環境,單純的封裝製程,已不能滿足LED燈 泡的使用要求。 有鑑於此’如何能有效地增加LED元件的耐候性,進 一步増加LED元件的使用壽命與信賴度,為LED業者與 使用者所衷心企盼。 201106506 【發明内容】 鑒於上述之發明背景中,由於傳統之LED封裝製程雖 然可以提供LED照明元件所需的基本保護,然而隨著LED 照明元件的使用範圍越来越廣,使用的環境越來越嚴苛, 因此’如何能有效地改善LED照明元件的防水能力,將可 有效地提高LED照明元件的使用壽命與產品的信賴度。 因此’本發明之一態樣係揭露一種具有防水功能的表 面黏著型發光二極體元件。此具有防水功能的表面黏著型 φ 發光二極體元件包含有一支架、一發光二極體晶片、一防 水保護膜以及一封膠材料。支架係使用於表面黏著型發光 二極體元件,且至少包含有一引腳。發光二極體晶片則固 定於支架之引腳之上。防水保護膜包覆發光二極體晶片與 支架的部份區域,並露出部份的引腳,以用來與一電路板 連接。封膠材料則形成於支架上,且亦包覆發光二極體晶 片。 其中支架更可以包含有一燈杯與一基板,而防水保護 φ 膜亦可包覆於燈杯與基板。值得注意的是,防水保護膜可 以形成於封膠材料的外側,亦可以形成於封膠材料的内 側。此外,防水保護膜可包覆發光二極體晶片與支架的上 表面,或者連發光二極體晶片與支架的下表面一併包覆。 其中防水保護膜的厚度介於1〜20微米(//m)’較佳地介 於15-20微米(ym)。防水保護膜的材料係選自於,聚對 二甲苯(Poly-para-xylylene ; Parylene )、聚乙酿胺 (Polyimide ; PI )、半結晶聚對二曱苯系材料 (semi-crystalline parylene-based )、金屬氮化物(metai 201106506 nitride )、氧化銘(aluminum oxide )、聚甲基丙烯酸甲酯(p〇ly methylmethactylate ; PMMA)、ΡΙ/Α12〇3 複合材料以及類鑽 碳(diamond-like carbon ; DLC)所構成之群組。此表面黏 著型發光二極體元件,更可以利用一耐高溫貼膜,貼附於 欲使防水保護膜露出引腳的部份。 本發明之另一態樣係揭露一種具有防水功能的發光二 極體模組’例如是一發光二極體發光燈條(Led light bar ), 其包含有一基板、複數個發光二極體裝置以及一防水保護 膜。防水保護膜包覆基板與發光二極體裝置。而發光二極 體裝置可以為表面黏著型發光二極體元件,或者是發光二 極體晶片。此外,基板則可以是一電路板。防水保護膜包 覆發光二極體裝置與基板的上表面,或者是連下表面一起 包覆。 本發明之又一態樣係揭露一種具防水功能的表面黏著 型發光二極體元件的製作方法,其包含有下列之步驟。首 先,提供用於一表面黏著型發光二極體元件的一支架,且 支架包含一引腳;利用一财高溫貼膜,包覆部份的引腳; 固定一發光二極體晶片於引腳之上;打線接合發光二極體 晶片與另一引腳;形成一防水保護膜;以及利用一封膠材 料進行表面黏著型發光二極體元件的封膠製程。此表面黏 著型發光二極體元件的製作方法,更包含去除耐高溫貼 膜,以露出部份的引腳。而形成防水保護膜之步驟,則是 利用化學氣相沈積(chemical vapor deposition ; CVD)、真 空蒸鑛法(vacuum evaporation )、錢錄法(sputtering deposition )或溶膠-凝膠程序之浸潰塗佈法(dip coating ), 201106506 以形成一透明防水保護膜。 •本發明之再一態樣係揭露一種具有防水功能的發光二 極體模組的製作方法,包含有下列之步驟。首先,提供一 基板;固定複數個發光二極體裴置於基板上;以及形成一 防水保護膜’以包覆基板與發光二極體裝置。 因此,本發明有效地利用了防水保護膜進一步有效地 隔絕了 LED晶片與外部環境的接觸,進而改善了表面黏著 型發光二極體元件與發光二極體模組的防水能力’使得表 • 面黏著型發光二極體元件與發光二極體模組的使用备命得 以有效地提升,進而增加了 LED產品的信賴二 命。,此外,本發明更可以利用了耐高溫貼膜將表面黏著型 發光二極體元件的弓I腳外露的部份有效地保護,而在完成 防=保°蔓膜後,再加以移除,使得表面黏著型發光二極體 =^丨腳外露的部份’並不會受到防水保護膜的包覆, 、而有效地確保表面勘著型發光二極體元件的電器特性 【實施方式】 本發明在下列的實施例中,分別揭露了有關於_ ^水功能的表面點著型發光二極體s件,-種具有防 功月b的發光二極體榲 # ^ 、有 用了防水伴_進、ί 魏 本發明 的接觸,有效地隔絕了LED晶片與外部環 極體模組的防夂力了表面黏著型發光二極體元件與發光 的防水月匕力’使得表面黏著型發光二極 壽命得以有效地提升,進心 便用日f的㈣度。以下將㈣示及詳細說明清 201106506 說明本發明之精神,如熟悉此技術之人員在暸解本發明之 較佳實施例後’當可由本發明所教示之技術,加以改變及 修飾,其並不脫離本發明之精神與範圍。 參閱第1圖,係繪示本發明所揭露之一種具有防水功 能的表面黏著型發光二極體元件的製作方法之流程示意 圖。而第2A至2F圖則係繪示本發明所揭露之一種具有防 水功能的表面黏著型發光二極體元件之一實施例的連續剖 面示意圖。請同時參閱第1圖與第2A至2F圖。如圖中所 示,首先先提供一支架200,以用來將LED晶片260固定 於其上’步驟110。其中,支架200可以包含有引腳220, 例如是圖中所示之引腳220-1與引腳220-2,以及基板21〇 與燈杯240,然並不限於此。基板210與燈杯240可以在 引腳220成形後,再以射出成形技術,形成於引腳22〇上。 或者是’將引腳220形成於基板210上,然後再形成燈杯 240於其上’其均不脫離本發明之精神與範圍。而引腳22〇 的材料’可以是銅或銅錄合金等導電金屬材料所構成。而 燈杯240的材料則可以是一耐熱及有反射功能之材料,例 如聚鄰苯二曱醯胺(polyphthalamide ; PPA)或者是其他的 金屬或塑膠材料。 其中引腳220的部份區域,一般而言’即外露於燈杯 240與基板210的外部引腳222-1與外部引腳222-2,則利 用耐高溫貼臈230加以包覆,以於製程中有效地保護引腳 220外露的部份,並確保其導電性,步驟12(^其中,对高 溫貼膜230亦可以在沈積一防水保護膜280,步驟15〇,之 前進行’例如是圖中之步驟145即可有效地保護引腳22〇 201106506 外露的部份,並確保其導電性。此外,耐高溫貼膜23〇亦 可以在引腳220成形前即進行貼附,其均不脫離本發明之 精神與範圍。而外部引腳2224與外部引腳222_2係用來 與一電路板進行表面黏著製程時,用來與電路板電性連接 之用。 耐高溫貼膜230較佳地露出基板與引腳接合處212以 及燈杯與引腳接合處242,使得防水保護膜28〇仍能有效 地包覆基板與引腳接合處212以及燈杯與引腳接合處 242,進而避免水氣或濕氣進入結合處。 接著,步驟130將LED晶片260固定於引腳220-1的 内部引腳221-1上,然後利用打線接合製程,將LED晶片 260利用金線270電性連接另一引腳220-2的内部引腳 221-2上,步驟140。其中,另一引腳22〇_2上更可以連接 有一稽納二極體250,並利用金線270電性連接用來固定 LED晶片260之引腳220-1,如第2C圖所示。 然後,沈積一防水保護膜280於上述之表面黏著型發 光二極體元件半成品上,以有效地保護LED元件不受水氣 或濕氣的侵入’而使得元件的信賴度有效地提升。亦即, 有效地保護LED晶片260、稽納二極體250、引腳220與 相關的電子線路與電子元件,有效地提升表面黏著型發光 二極體元件的品質。 其中,沈積防水保護膜280可以使用氣相沈積(vapor deposition )製程,例如是化學氣相沈積(chemical vapor deposition ; CVD )。或者是真空蒸鍍法(vacuum evaporation)、濺鑛法(sputtering deposition),亦或者是溶 201106506 膠-凝膠程序之浸潰塗佈法(dip coating),以形成一透明薄 膜覆蓋於整個元件上表面,亦即燈杯240的内部表面,包 含LED晶片260與稽納二極體250,並可以進一步地延伸 至燈杯240以及基板210的外圍,乃至於包覆元件下表面 支架裸露的部分。藉由防水保護膜280更可以有效地保護 基板與引腳接合處212以及燈杯與引腳接合處242 ,避免 水氣或濕氣進入結合處,提升LED元件的信賴度。 薄膜厚度約介於1〜2〇微米(em),較佳地約為15_2〇 微米(以m ),而其材料則可以利用如,聚對二曱苯 (Poly-para-xylylene ; Parylene)、聚乙醯胺(Polyimide ; PI )、半結晶聚對二曱苯系材料(semi-crystalline parylene-based )、金屬氮化物(metal nitride )、氧化鋁 (aluminum oxide )、聚甲基丙烯酸甲酯 (p〇ly methylmethactylate ; PMMA)、PI/Al2〇3 複合材料、或類鑽 碳(diamond-like carbon ; DLC )。 當完成防水保護膜280後,接著可將耐高溫貼膜230 由引腳220移除,以露出表面黏著型發光二極體元件的引 腳220外露的部份,進而確保其導電性,步驟16〇。由於 上述之實施例利用了耐高溫貼膜230將表面黏著型發光二 極體元件的引腳220外露的部份有效地保護,而在完成防 水保護膜280後’再加以移除’使得表面黏著型發光二極 體元件的引腳220外露的部份’並不會受到防水保護膜280 的包覆,故能有效地確保引腳220的電器特性。此外,在 製程中,耐高溫貼膜230更有效地隔離引腳220外露的部 份,使得引腳220外露的部份受到進一步的保護。因此, 201106506 進一步提高表面黏著型發光二極體元件的品質。 在步驟170中,表面黏著型發光二極體元件則進一步 地利用封膠材料290加以密封,使得LED晶片260與相關 的電子元件受到進一步地保護,進一步地提升表面黏著型 發光二極體元件的品質與信賴度。 本實施例利用了防水保護膜280有效地包覆表面黏著 型發光二極體元件,使得表面黏著型發光二極體元件的防 水能力獲得進一步地提升。由於防水保護膜280可將支架 ❿ 200裸露的部份、LED晶片260、乃至於金線270以及其他 的電子元件與線路,例如稽納二極體250與引腳220未外 露的部份均完全包覆’使得表面黏著型發光二極體元件的 防水能力有效地提升,進而使得表面黏著型發光二極體元 件的使用壽命與信賴度獲得大幅改善。其中,封膠材料可 為環氧樹脂(epoxy resin)或矽膠(silicone gel)等材料所 構成’而封膠材料亦可混合有螢光粉,以產生各種不同的 色光或是白光。 籲 由於本案上述之實施例有效地利用了防水保護膜280 改善表面黏著型發光二極體元件的品質,更利用了耐高溫 貼膜230提升表面黏著型發光二極體元件的電器特性。然 本案並不限於此’本案亦可以利用不同的製程,使得表面 黏著型發光二極體元件及發光二極體模組的品質獲得有效 地提升’並說明如下。其中’與上述之實施例相似的標號, 代表相似的元件,故不再加以重複說明。 參閱第3圖係為本發明所揭露之一種具有防水功能的 表面黏著型發光二極體元件之另一實施例的剖面示意圖。 201106506 • 如圖中所示,此實施例係先利用封膠材料39〇進行封裝製 程,然後再進行防水保護膜38〇的包覆。因此,防水^蠖 膜380包覆於封膠材料39〇、燈杯34〇、基板31〇與引腳 320的外圍,特別是基板與引腳接合處312以及燈杯與引 腳接合處342亦可加以包覆,然後才進行耐高溫貼膜(、圖 中已剝除)的剝除。相同地,藉由防水保護膜38〇有效地 改善表面黏著型發光二極體元件的品質,更利用了耐高溫 貼膜提升表面黏著型發光二極體元件的電器特性。 • #閱第4圖係繪示本發明所揭露之-種具有防水功能 的表面黏著型發光二極體元件之又—實施例的剖面示音 圖。如圖所示,防水保護膜480係於利用封膠材料49〇進 行封裝之前,即進行包覆。其中,防水保護膜伽則包覆 於此實施例中之表面黏著型發光二極體元件的上表面,包 含上表面的基板與引腳接合處412,以及下表面之基板盘 引腳接合處412’並有效地包覆LED晶片糊、引腳42〇 與基板410的上表面,而位於外部的弓^42〇則可藉由耐 春高溫貼膜(圖中已剝除)加以保護,或者是利用治具避免 形成防水保護膜48〇於其上,進而提升引腳42〇的電器特 性。 ° 進-步參閱第5圖則係繪示本發明所揭露之一種且有防水 功能的表面黏著型發光二極體元件之再一實施㈣剖面示 意圖。如圖中所示,防水保護膜包覆此表面黏著型發 光二極體元件的上方包含封膠材料與引腳接合處敗,以 及下方基板與引腳接合處512,且係於利用封膠材料· 封裝完成後’才進行防水保護膜58〇的包覆。 12 201106506 參閱第6圖,係繪示本發明所揭露之一種具有防水功 能的發光二極體模組之一實施例的剖面示意圖。如圖中所 示,LED襞置620與其他電子元件630已固定於一基板, 例如是電路板610,之上,然後再利用防水保護膜640將 其包覆,以形成具有防水功能的發光二極體模組,例如是 一 LED發光燈條(led light bar),以有效地保護發光二極 體模組。其中,防水保護膜64〇亦可以僅形成於電路板610 的上方,或者是完全包覆整個電路板61〇與固定於其表面 φ 的電子元件。而上述之LED裝置620則亦可以是LED晶 片、上述之第2A圖至第5圖所揭露之LED元件或其他任 何其他的發光二極體裝置,固定於基板之上。 本發明所揭露之上述實施例,有效地利用了防水保護 膜改善表面黏著型發光二極體元件與發光二極體模組的品 質,其不僅使得表面黏著型發光二極體元件與發光二極體 模組的防水能力有效地提升,更進而使得表面黏著型發光 二極體元件與模發光二極體組的使用壽命與信賴度獲得大 籲 幅改善。此外,藉由耐高溫貼膜貼附於引腳外部,更能有 效地確保了表面黏著型發光二極體元件的電器特性 如熟悉此技術之人員所瞭解的’以上所逃^ 之實施例,凡其它未脫離本發明所揭示之精神下、戶、' ―心明 等效改變或修飾,均應包含在下述之申請專:完成之 π π範圍内。 【圖式簡單說明】 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點 能更明顯易懂,所附圖式之詳細說明如下: 13 201106506 ^第1圖係為本發明所揭露之—種具有防水功能的表面 黏著型發光二極體元件的製作方法之流程示意圖; 第2A至2F圖係為本發明所揭露之一種具有防水功能 的表面黏著型發光二極體元件之—實施例的連續剖面示意 圖; 第::係為本發明所揭露之一種具有防水功能的表面 黏者1發光一極體元件之另一實施例的剖面示意圖; #第4圖係為本發輯揭露之—種具有防水功能的表面 黏者型發光二極體元件之又一實施例的剖面示意圖; 第5圖係為本發明所揭露之一種具有 黏著型發光二極體元件之再一實施例的剖面示意力 -極:=,斤揭露之一種具有防水功能的發光 一極體模組之一實施例的剖面示意圖。 【主要元件符號說明】 110〜170 :步驟 200 :支架 210 :基板 212 :基板與引腳接合處 220-1 :引腳 220- 2 :引腳 221- 1 :内部引腳 221- 2 :内部引腳 222- 1 :外部引腳 222-2 :外部引腳 360 : LED 晶片 370 :金線 380 :防水保護膜 390 :封膠材料 410 :基板 412 :基板與引腳接合處 420 :引腳 460 : LED 晶片 470 :金線 480 :防水保護膜 201106506 230 耐高溫貼膜 490 :封膠材料 240 燈杯 510 :基板 242 燈杯與引腳接合處 512 :基板與引腳接合處 250 稽納二極體 520 :引腳 260 LED晶片 560 : LED 晶片 270 金線 570 :金線 280 防水保護膜 580 :防水保護膜 290 封膠材料 590 :封膠材料 310 基板 592:封膠材料與引腳接合 312 基板與引腳接合處 處 320 引腳 610 :電路板 340 燈杯 620 : LED 裝置 342 燈杯與引腳接合處 630 :其他電子元件 350 稽納二極體 640 :防水保護膜
15
Claims (1)
- 201106506 七、申請專利範圍: ' 1. 一種具有防水功能的表面黏著型發光二極體元件, 包含: 一支架,係使用於一表面黏著型發光二極體元件,該 支架包含一引腳; 一發光二極體晶片,固定於該支架之該弓丨腳之上; 一防水保護膜,包覆該發光二極體晶片與該支架的部 份區域,其中該防水保護膜露出部份的該引腳,以用來與 Φ 一電路板連接;以及 一封膠材料,形成於該支架上,且包覆該發光二極體 晶片。 2. 如申請專利範圍第1項所述之具有防水功能的表面 黏著型發光二極體元件,其中該支架更包含一燈杯,而該 防水保護膜亦包覆於該燈杯,且包覆於該燈杯與該引腳的 接合處。 3. 如申請專利範圍第2項所述之具有防水功能的表面 黏著型發光二極體元件,其中該支架更包含一基板,而該 防水保護膜亦包覆於該基板,且包覆該基板與該引腳的接 合處。 4. 如申請專利範圍第1項所述之具有防水功能的表面 黏著型發光二極體元件,其中該防水保護膜包覆該封膠材 料。 16 201106506 ^5.如申請專利範圍第4項所述之具有防水功能的表面 黏著型發光二極體元件,其中該封膠材料包含螢光粉。 #6·如申請專利範圍第1項所述之具有防水功能的表面 黏著型發光二極體元件,其中該封膠材料包覆該防水保護 膜。 7. 如申請專利範圍第1項所述之具有防水功能的表面 黏著型發光二極體元件,其中該防水保護膜包覆該發光二 極體晶片與該支架的上表面。 8. 如申請專利範圍第7項所述之具有防水功能的表面 黏著型發光二極體元件’其中該防水保護膜亦包覆該發光 二極體晶片與該支架的下表面。 9. 如申請專利範圍第1項所述之具有防水功能的表面 黏著型發光二極體元件,其中該防水保護膜的厚度介於1 〜20微米(// m)。 10. 如申請專利範圍第9項所述之具有防水功能的表面 黏著型發光二極體元件,其中該防水保護膜較佳的厚度介 於 15-20 微米(# m)。 201106506 11·如申請專利範圍第1項所述之具有防水功能的表面 黏著型發光二極體元件,其中該防水保護膜的材料係選自 於,聚對二曱苯(p〇ly-para-xylylene ; Parylene)、聚乙醯 胺(Polyimide ; PI )、半結晶聚對二曱苯系材料 (semi-crystalline parylene-based)、金屬氮化物(metal nitride)、氧化鋁(aluminum oxide)、聚甲基丙稀酸甲酯(p〇iy methylmethactylate ; PMMA)、PI/Al2〇3 複合材料以及類鑽 碳(diamond-like carbon ; DLC)所構成之群組。 12.如申請專利範圍第丨項所述之具有防水功能的表面 黏著型發光二極體元件,更包含一耐高溫貼膜,貼附於欲 使該防水保護膜露出該引腳的部份。 13.—種具有防水功能之表面黏著型發光二極體元件 的製作方法,包含: 提供一支架,係使用於一表面黏著型發光二極體元 • 件,該支架包含一引腳; % 利用一耐高溫貼膜,包覆部份的該引腳; 固定一發光二極體晶片於該引腳之上; 打線接合該發光二極體晶片與另一弓丨腳; 形成一防水保護膜;以及 利用一封膠材料進行該表面黏著型發光二極體元件的 封膠製程。 3 18 201106506 14.如申請專利範圍第13項所述之具有防水功能的表 面黏著型發光二極體元件的製作方法,更包含去除該财高 溫貼膜,以露出部份的該引腳。 # 15.如t請專職圍第13述之具有防水魏的表面黏 著型發光二極體元件的製作方法,其中該防水保護膜包覆 該發光二極體晶片與該支架的上表面。 如申請專利範圍第15項所述之具有防水功能的表 面黏著型發光二極體元件的製作方法,其中該防水保護膜 亦包覆該發光二極體晶片與該支架的下表面。 1J.如申請專利範圍第13項所述之具有防水功能的表 面黏著型發光—極體元件的製作方法,其中該防水保護膜 的厚度介於1〜20微米(以m)。 18. 如申請專利範圍第17項所述之具有防水功能的表 面黏著型發光一極體元件的製作方法,其中該防水保護膜 較佳的厚度介於15-20微米(以爪)。 19. 如申請專利範圍第13項所述之具有防水功能的表 面黏著型發光二極體元件的製作方法,其中該防水保護膜 的材料係選自於’聚對二甲苯(p〇ly_para_xylylene ; Parylene )、聚乙醯胺(p〇iyimide ; pi)、半結晶聚對二曱苯 系材料(semi_crystalline parylene-based )、金屬氮化物 [SJ 19 201106506 (metal nitride)、氧化鋁(aluminum oxide)、聚曱基兩歸 酸甲酯(poly methylmethactylate ; PMMA)、PI/Al2〇3 複合 材料以及類鑽碳(diamond-like carbon ; DLC)所構成之群 組0 20. 如申請專利範圍第13項所述之具有防水功能的表 面黏著型發光二極體元件的製作方法,其中該形成一防水 保護膜之步驟,是利用化學氣相沈積(chemical vapor φ deposition ; CVD)、真空蒸鑛法(vacuum evaporation)、賤 鍍法(sputtering deposition)或溶膠-凝膠程序之浸潰塗佈 法(dip coating),以形成一透明防水保護膜。 21. —種具有防水功能的發光二極體模組,包含: 一基板; 複數個發光二極體裝置,固定於該基板上;以及 一防水保護膜’包覆該基板與該些發光二極體裝置, 籲 其中該防水保護膜的材料係選自於,聚對二曱苯 (Poly-para-xylylene ; Parylene)、聚乙醯胺(P〇iyimide ; PI )、半結晶聚對二甲苯系材料(Semi-CrystalHne parylene-based )、金屬氮化物(metal nitride )、氧化鋁 (aluminum oxide )、聚甲基丙烯酸甲酯 (p〇ly methylmethactylate ; PMMA)、PI/Al2〇3 複合材料以及類鑽 碳(diamond-like carbon ; DLC)所構成之群組。 22. 如申請專利範圍第21項所述之具有防水功能的發 C S ] 20 201106506 光-極體模組’其中該些發光二極體裝置係為表面黏著型 發光二極體元件。 23.如申請專利範圍第21項所述之具有防水功能的發 光-極體模組’其中該些發光二極體裝置係為發光二極體 晶片。 24.如申凊專利範圍第21項所述之具有防水功能的發 鲁光二極體模組,其中該基板係一電路板。 ^ 25·如申請專利範圍第21項所述之具有防水功能的發 光一極體模組’其中該防水保護膜包覆該些發光二極體裝 置與該基板的上表面。 ^ 26.如申請專利範圍第25項所述之具有防水功能的發 光二極體模組’其巾該防水保賴包覆該些發光二極體裝 •置與該基板的下表面。 27. 如申請專利範圍第21項所述之具有防水功能的發 光二極體模組’其中該防水㈣膜的厚度介於丨〜如微米 (//m)。 28. 如申請專利範圍第27項所述之具有防水功能的發 光二極體模組’其中該防水保護膜較佳的厚度介於15-2〇 21 201106506 微米(// m)。 29.如申睛專利範圍第21項所述之具有防水功能的發 光二極體模組,其中該具有防水功能的發光二極體模組係 一發光二極體發光燈條(LED light bar)。 30. —種具有防水功能的發光二極體模組的製作方 法,包含:提供一基板; 固定複數個發光二極體裝置於該基板上;以及 形成一防水保護膜,以包覆該基板與該些發光二極體 裝置,其中該防水保護膜的材料係選自於,聚對二曱苯 (Poly_para-xylylene ; Parylene)、聚乙醯胺(Polyimide ; PI )、半結晶聚對二甲苯系材料(semi-crystalline parylene-based )' 金屬氮化物(metal nitride )、氧化紹 (aluminum oxide )、聚甲基丙烯酸甲酯(p〇iy methylmethactylate ; PMMA)、ΡΙ/Α12〇3 複合材料以及類鑽 碳(diamond-like carbon ; DLC)所構成之群纪 31.如申請專利範圍第30項所述之氣全 〜有防水功能的發 光二極體模組的製作方法,其中該些發井_上 ± ^ ^ 元〜極體裝置係為 表面黏著型發光二極體元件。 防水功能的發 極體裝置係為 32.如申請專利範圍第30項所述之具有 光二極體模組的製作方法,其中該些發光二 22 201106506 發光二極體晶片。 33. 如申請專利範圍第30項所述之具有防水功能的發 光二極體模組的製作方法,其中該基板係一電路板。 34. 如申請專利範圍第30項所述之具有防水功能的發 光二極體模組的製作方法,其中該防水保護膜包覆該些發 光二極體裝置與該基板的上表面。 35. 如申請專利範圍第34項所述之具有防水功能的發 光二極體模組的製作方法,其中該防水保護膜包覆該些發 光二極體裝置與該基板的下表面。 36. 如申請專利範圍第30項所述之具有防水功能的發 光二極體模組的製作方法,其中該防水保護膜的厚度介於 1〜20微米(//m)。 37. 如申請專利範圍第36項所述之具有防水功能的發 光二極體模組的製作方法,其中該防水保護膜較佳的厚度 介於15-20微米(/zm)。 38. 如申請專利範圍第30項所述之具有防水功能的發 光二極體模組的製作方法,其中該形成一防水保護膜之步 驟,是利用化學氣相沈積(chemical vapor deposition ; [si 23 201106506 CVD )、真空蒸鐘法(vacuum evaporation )、錢鍍法 . (sputtering deposition )或溶膠-凝膠程序之浸潰塗佈法 (dip coating ),以形成一透明防水保護膜。24
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---|---|---|---|---|
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US10686107B2 (en) * | 2011-07-21 | 2020-06-16 | Cree, Inc. | Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods |
US10211380B2 (en) * | 2011-07-21 | 2019-02-19 | Cree, Inc. | Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods |
US10490712B2 (en) * | 2011-07-21 | 2019-11-26 | Cree, Inc. | Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods |
WO2013082445A1 (en) * | 2011-12-01 | 2013-06-06 | Cree, Inc. | Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods |
US9496466B2 (en) | 2011-12-06 | 2016-11-15 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction |
DE102012201447A1 (de) * | 2012-02-01 | 2013-08-01 | Osram Gmbh | LED-Modul |
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WO2014032702A1 (en) * | 2012-08-28 | 2014-03-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting device and method for manufacturing a light- emitting device |
DE102012109177A1 (de) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
JP6243162B2 (ja) * | 2013-08-05 | 2017-12-06 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 発光素子モジュール |
US20150049488A1 (en) * | 2013-08-13 | 2015-02-19 | Baoliang Wang | Illumination assembly |
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US11307434B2 (en) * | 2016-09-01 | 2022-04-19 | 3D Live, Inc. | Stereoscopic display apparatus employing light emitting diodes with polarizing film/lens materials |
US10672960B2 (en) * | 2017-10-19 | 2020-06-02 | Lumileds Llc | Light emitting device package with a coating layer |
KR20190140352A (ko) * | 2018-06-11 | 2019-12-19 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
JP7307385B2 (ja) * | 2019-07-17 | 2023-07-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11543676B2 (en) | 2019-08-30 | 2023-01-03 | 3D Live, Inc. | Encapsulation of polarized light emitters |
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Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW537498U (en) * | 2002-02-08 | 2003-06-11 | Ritdisplay Corp | Package structure of organic light emitting diode panel |
US6891330B2 (en) * | 2002-03-29 | 2005-05-10 | General Electric Company | Mechanically flexible organic electroluminescent device with directional light emission |
US20070108463A1 (en) * | 2005-11-17 | 2007-05-17 | Chua Janet B Y | Light-emitting diode with UV-blocking nano-particles |
TWI328408B (en) * | 2006-01-12 | 2010-08-01 | Au Optronics Corp | Dual emission display |
US7719170B1 (en) * | 2007-01-11 | 2010-05-18 | University Of Southern California | Self-focusing acoustic transducer with fresnel lens |
TWI355098B (en) * | 2007-09-21 | 2011-12-21 | Cheng Kung Capital Llc | Led lamp waterproof module |
-
2009
- 2009-08-04 TW TW098126211A patent/TWI389357B/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-07-13 US US12/835,727 patent/US20110031513A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110265523A (zh) * | 2014-07-30 | 2019-09-20 | Lg 伊诺特有限公司 | 发光器件和具有发光器件的光源模块 |
US11688831B2 (en) | 2014-07-30 | 2023-06-27 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device and light source module having thereof |
CN112968092A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-06-15 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 发光器件、其制作方法及具有其的显示面板 |
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US20110031513A1 (en) | 2011-02-10 |
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