TW201103721A - Dual zone template chuck - Google Patents
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Description
201103721 六、發明說明: 【潑^明戶斤屬之· #支系好冷貝域^】 參考相關申清案 本申請案係對於2009年6月19曰提申的美國臨時申請 案Νο·61/218,686主張優先權,該案整體合併於本文中以供 參考。 本發明係有關於雙區模板夾具。 t先前技冬好3 背景資訊 奈米製造係包括製作具有100奈米或更小級數的特徵 構造之小結構。一種其中奈米製造具有可觀影響之應用係 在於積體電路的處理。半導體處理業不斷致力於更高的生 • 產良率同時增加一基材上所形成之每單位面積的電路,因 此奈米製造變得日益重要。奈米製造係提供較大的製程控 制同時容許持續降低所形成結構的最小值特徵構造維度。 已採用奈米製造之其他發展領域係包括生物科技、光學科 技、機械系統、及類似物。 現今使用的一示範性奈米製造技術係常稱為壓印微影 術。示範性壓印微影術製程係詳述於許多公開案中,諸如 美國專利公開案No.2004/0065976、美國專利公開案
No.2004/0065252、及美國專利案No_6,936,194,其皆合併 於本文中以供參考。 上述美國專利公開案及專利案各者中所揭露的一壓印 微影術技術係包括形成一浮雕圖案於一可成形(可聚合化) 201103721 層中並將一對應於該浮雕圖案之圖案轉移至一下方武材 内。基材可耦合至一動作階台以獲得一所需要定位以利於 圖案化製程。圖案化製程係使用一與基材分開之模板以及 一被施加於模板與基材之間的可成形液體。可成形液體係 被固體化形成一剛性層,其具有一順應於與可成形液體接 觸的模板表面形狀之圖案。固體化之後,模板係自剛性層 分離使得模板及基材分開。基材及經固體化的層隨後係接 受額外製程以將對應於經固體化層中的圖案之一浮雕影像 轉移至基材内。 c發明内容3 依據本發明之一實施例,係特地提出一種奈米壓印微 影術方法’包含以一模板壓印被定位於一基材上的可聚合 化材料而形成一圖案狀層於該基材上,該模板耦合至一夾 具而使該模板設有一第一自由跨距長度;及分離該模板及 該圖案狀層,該夾具使該模板設有分離前之一第二自由跨 距長度。 依據本發明之另—實施例,係特地提出一種奈米壓印 微影術方法’包含將―模板定位成疊置於-基材而界定該 模板與$基材之間的_容積該模板係麵合至—具有一壓 印外彎折區、一内蠻 $祈區、—背壓力區及一分離外彎折區 炎>、’儿積可聚合化㈣於該容積中;啟動該壓印外彎 折區、該内彎折區及分北 $者壓力區使得該模板形成一具有一 第一自由跨距長度之 吳每面壓印形狀;將該模板定位成接 觸方;该可聚合化材料.1 ’使該可聚合化材料固體化;啟動該 201103721 等分離外彎折區及背壓力區並解除啟動該壓印外彎折區及 内彎折區使得該模板形成一具有一第二自由跨距長度之單 ' 波;及使該模板自該圖案狀層分離。 依據本發明之另一實施例,係特地提出一種夾具,勺 含一内彎折區;一背壓力區,其環繞該内彎折區;—壓印 外彎折區’其環繞該背壓力區,該壓印外贊折區係組構為 提供壓印期間之一第一自由跨距長度;及一分離外彎折 區,其環繞該壓印外彎折區,該分離外彎折區係組構為提 供分離期間之一第二自由跨距長度,其中該第二自由跨距 長度的量值係近似為該第一自由跨距長度的量值之三件。 圖式簡單說明 為了可更詳細瞭解本發明,參照附圖所顯示的實施例 ' 來提供本發明的實施例之描述。然而,請注意附圖只顯示 本發明的典型實施例,且因此不視為限制住範圍。 第1圖係為一包括一先前技術夾持系統之微影系統的 簡化側視圖; 第2圖顯示一基材的俯視圖; 第3圖顯示第1圖所示的基材之簡化側視圖,其上設有 一圖案狀層; 第4圖顯示第1圖所示的先前技術夾持系統之簡化侧視 圖; 第5圖顯示根據本發明的一實施例之一夾持系統,其具 有多重自由跨距區; 第6圖顯示根據本發明的一實施例之一夾持系統; 201103721 第7圖顯示壓印前之第6圖的失持系統; 第8圖顯示壓印期間之第6圖的夾持系統; 第9圖顯示分離前之第6圖㈣㈣統; 第圖”員示根據本發明的一實施例之一用於壓印一基 材上的可聚合切料之方法的流程圖。 C 方包】 詳細描述 °月,照圖式,且特別參照第1及2圖,其中顯示-用 形成/于雕圖案於基材12上之微影系統ι〇。基材η可具 -圓形形狀;然而,應瞭解基材12可具有任何幾何形狀 譬如,基材12可具有—包含1半如及—外半^之碟 形狀’其中仏,小於外半徑r”内半徑&與外半徑 進一步界定—中間半如。中間半㈣可被定位為相距内 徑。及外半徑ο呈實質等距。 基材咖耗合至基材夾具…如圖所示,基材失星 係為一真空炎具^而’基材夾具14可為任何失具,= 但不限於真空、銷針型、溝槽型、靜電式、電磁式、匕 類似物。示範性夾㈣述於美國專利飾6 873,〇87, 合併於本文中以供參考。 基材12及基材爽具14可由階台⑽進—步支撐。 16可提供沿著X '此軸的動作。階台16、基材12、及 夾具14亦可被定位於一基底(未圖示)上。 模板18係與基材12分開。模板18係可包括自其襄 向基材12之台面2〇’台面20上具有-圖案化表面22'” 6 201103721 台面20可稱為模具20。或者,模板18可形成為不含台面2〇。 模板18及/或模具2〇可由包括但不限於熔合矽土、石 • 英、矽、有機聚合物、矽氧烷聚合物、硼矽酸鹽破璃、氣 碳聚合物、金屬、硬化藍寶石、及/或類似物等材料形成。 如圖所示,圖案化表面22係包含由複數個分開的凹部24及/ 或突部26所界定之特徵構造,但本發明的實施例不限於此 等組態。圖案化表面22可界定任何原始圖案’其構成—將 形成於基材12上的圖案之基礎。 系統10可進一步包含流體配送系統32。流體配送系殊 32可用來沉積可聚合化材料34於基材12上。可聚合化材料 3 4可利用§者如滴落配送、旋塗、沾塗、化學氣相沉積(cv〇) 物理氣相沉積(PVD)、薄膜沉積、厚膜沉積、及/或類似物 _ 等技術被定位於基材12上。依據設計考量因素而定,可在 一所需要的容積被界定於模具20與基材12間之前及/戈之 後使可聚合化材料34配置於基材12上。可聚合化材料34可 包含一單體混合物,如美國專利案1^〇.7,157,036及美國專利 公開案No.2005/0187339所描述,兩案合併於本文中以供參 考。 參照第1及3圖’系統1 〇可進一步包含能量供源3 8,其 沿著路徑42被耦合至直接能量40。壓印頭30及階台16可組 構為將模板18及基材12定位成疊置於路徑42。系統1〇可由 導通於階台16、壓印頭30、流體配送系統32及/或供源“之 處理器54作調節,並可以記憶體56中所儲存的—電腦可讀 取式程式運作。 201103721 壓印頭30、階台16、或兩者係改變模具20與基材12之 間的一距離以界定位於其間被可聚合化材料充填之一所 需要容積。譬如,壓印頭30可施加一力至模板18使得模具 20接觸可聚合化材料34。所需要容積充填有可聚合化材料 34之後,供源38係產生能量4〇,譬如紫外輻射,而造成可 聚合化材料34順應於基材12的表面44及圖案化表面22形狀 產生固體化及/或交聯’而界定基材12上的圖案狀層46。圖 案狀層46可包含一殘留層48及複數個被顯示為突部5〇及凹 部52之特徵構造,其中突部5〇具有一厚度q而殘留層具有一 厚度t2。 上述系統及製程可進一步使用於美國專利案 Νο·6,932,934、美國專利公開案No.2004/0124566、美國專 利公開案No_2〇〇4/〇188381 、及美國專利公開案 No.2004/0211754中所參照的壓印微影術製程及系統中各 案合併於本文中以供參考。 如上述,模具20與基材12之間的一距離可改變使得其 間可界^有-所需要容積’而該所需要容積能夠被充填有 可聚合化材料34。尚且,固體化之後,可聚合化材料34可 順應於基材丨2表面的形狀以界定圖案狀層46。在基材以上 的可聚合化材料34小滴之間所界定的容積中,可出現有氣 體且因此彳聚合化持料34的小滴概括分散於基材I2上 方藉以防止或避免氣體及/或氣體囊袋困陷於基材。與模 具20之間的*積中。氣體及/或氣體囊袋可導致圖案狀層% 中所开ϋ徵構’_案扭曲,圖案狀層46中所形成之 8 201103721 特徵構造的低保真度(fidelity)、及/或殘留層48的不均勻厚 度t2。 . 基材12的超環面壓印係可提供一用於驅出基材12與模 具20之間的氣體之方法。譬如,第丨及4圖顯示能夠更改模 板18形狀之夾具28的一先前技術實施例。夾具28進一步描 述於美國專利申請案No.11/749,909,其整體合併於本文中 以供參考。模板18的形狀可由夾具28作更改以使位於基材 12的中間半徑ο之模具20與基材12間所界定的距離(顯示於 第2圖)可小於位於模具20其餘部分之模具與基材間所界定 的距離。譬如’藉由控制夾具28的腔室6〇a-60c内之壓力, 模板18有部分可弓起遠離基材12而模板18的其他部分則可 弓起朝向基材12。一範例中,可藉由加壓腔室6〇b並在腔室 ' 6加及6如中提供真空力藉以控制壓力。藉由控制壓力以弓 起模板18,模具20的一部分(譬如,疊置於基材12的中間半 徑〇之部分)係接觸於基材12上所沉積之可聚合化材料“小 滴的一次部分。這可能造成小滴分散並可提供一鄰接膜的 可聚合化材料34。 鄰接膜的邊緣可界定一液體-氣體介面,其功用係將氣 體推往基材12的邊緣。可聚合化材料34小滴之間的容積係 界定氣體通道,氣體可經由其被推到基材12的邊緣。結果, 液體-氣體介面連同氣體通道可防止或盡量減少氣體困陷 於鄰接膜中。 參照第2及4圖,為了控制位於中間半徑η之模具2〇的初 始接觸並維持朝向内半徑!*,及外半徑η之一恆定流體前鋒 201103721 速度’一般可能需將夾具28内的壓力控制設定尺寸及區位 以使模板18的偏向沿中間半徑〇呈對稱。這可能降低模板18 的自由跨距長度Wi。自由跨距長度W|可被界定為未被夾具 28及基材12所支撐之模板18的長度(亦即,模板18在夾具28 上的最後拘束點與基材12上的圖案狀層46邊緣之間的距 離)。減小的自由跨距長度%可能增大分離力,這一般是不 利的作用。 第5及6圖顯示根據本發明之一夾具128。夾具128係提 供分離前的一第二自由跨距長度W2,其不同於壓印期間的 第一自由跨距長度W|(維持中間半徑〇接觸及實質均勻的流 體前鋒控制所需要卜譬如,如第5圖所示,第二自由跨距 長度Μ的量值可大於第一自由跨距長度W|。較大之分離前 的自由跨距長度係可降低使模板18自基材分離所需要之力 的量值。 夾具128可包括第一66及第二68側。第一側66可包括凹 部70a-70d及支撐件72a-72d。腔室62a-62d可由凹部70a-70d 以及模板18在支撐件72a_72d上的定位所界定,如第6圖所 示。譬如,凹部70a、支撐件72a及72b、及模板18的一部分 係界定腔室62a。凹部70b及模板18的另一部分係界定腔室 62b。一般而言’腔室62a-62d提供四個不同區,一分離外 彎折區Z,,一壓印外彎折區Z2,一背壓力區&,及一内彎 折區Z4。分離外彎折區Z|係環繞壓印外彎折區Z2,壓印外 彎折區Z2環繞背壓力區Z3,背壓力區Z3環繞内彎折區Z4。 一實施例中,内彎折區Z4、背壓力區Z3及外彎折區z2 10 201103721 的維度可實質地類似於先前技術夾具的維度,諸如美國專 利申請案編號11/749,909所描述者,該案整體合併於本文中 以供參考。相反地,相較於先前技術夾具的外區,分離外 彎折區Z,可組構具有一增大的直徑以提供分離期間的第二 自由跨距長度w2。第二自由跨距長度w2可近似為自由跨距 長度w!的三倍。譬如,自由跨距長度\¥,概括約為2.5mm。 相較於先前技術夾具的外區,分離外彎折gZ,可組構具有 一增大的直徑以提供約14mm之分離期間的第二自由跨距 長度w2。 一範例中,内彎折區Z4可具有近似18mm的一直徑。背 壓力區Z3可從近似19mm延伸至近似67mm。壓印·彎折區Z2 可從近似68mm延伸至近似90mm,而分離彎折區Zi可從近 • 似91mm延伸至近似117mm。應注意可以模板18的尺寸及組 — 態為基礎來決定分離外彎折區冗,的延伸及區Z,_3的維度。 一泵系統係可操作以控制各gZrZ4内的壓力。泵系統 可以通路呈流體導通。一實施例中,單一泵系統可操作以 控制各區Z「Z4内的壓力。或者,兩或更多個泵系統可操作 以控制各’區Z1 -Z4内的壓力。壓力可包括區Z 1 -Z4内的壓力施 加(亦即壓力狀態)及/或區zrz4内的真空力施加(亦即真空 狀態)。一般而言,壓力狀態可位於近似1至]OkPa之間,而 真空狀態可位於近似0至-90kPa之間。 第7圖顯示爽具128在壓印前之使用。壓印之前,泵系 統可提供處於一真空狀態之壓印外彎折區Z 2及内彎折區 Z4。外彎折區Z2及内彎折區Z4的真空狀態可能實質地類 201103721 似。替代性地,相較於内彎折區A,外彎折區匕的真空狀 態之量值係可能增大,或者相較於内彎折區24,外彎折區 Z2的真空狀態之量值係可能減小。 壓印之前,背壓力區Z3可以一壓力狀態被提供。藉由 使外彎折區Z2及内彎折區Z4處於一真空狀態且背壓力區& 處於一壓力狀態係以一超環面壓印形狀提供模板丨8,如第7 圖所示。超環面壓印形狀對於模板18提供一第一自由跨距 長度w,。自由跨距長度%的量值可位於近似丨5〇1111至4爪爪 之間。譬如,自由跨距長度%的量值可為2.5mm。 壓印之前及/或期間,分離外彎折區2|可在一開啟及/ 或阻絕狀態中被解除啟動。第6圖顯示分離外彎折區Z|處於 一阻絕狀態,其中並無壓力或真空被泵系統施加至腔室 7〇a。第7圖顯示分離外彎折區&處於—開啟狀態,其中腔 室70a呈開啟係因為模板18只接觸於支撐件72上。替代性 地,分離外彎折區4可以一壓力狀態被提供,但比起背壓 力區Z3而言處於一顯著較低壓力狀態,或者,分離外彎折 區可以顯著低於壓印外彎折區厶及/或内彎折區Z4之一真 空狀態被提供。 參照第2及8圖,壓印前所生成的超環面壓印形狀係可 使模板18的偏向在壓印期間沿基材丨2的中間半徑r 3呈現對 稱。壓印外彎折區&及内彎折區厶的定位(譬如,沿中間半 徑I·3)及真空狀態係可組構為在基材12及模板18的介面處提 供一曲率半徑,其可加快可聚合化材料34的充填。曲率半 徑可為800mm至8000mm的級數。 12 201103721 參照第9圖,模板18及基材12(譬如,第2圖所示的圖案 狀層46)的分離期間,分離外彎折區^及背壓力區Z3可被啟 動且麼印外彎折區Z2及内彎折區Z4可被解除啟動而對於模 板18提供一具有自由跨距長度%之單波。譬如,分離外彎 折區Z1可被啟動成為一真空狀態而背壓力區Z 3可被啟動成 為一壓力狀態’同時壓印外彎折區z2及内彎折區可被解 除啟動處於—阻絕狀態。替代性地,壓印外彎折區Z2及/或 内彎折區Z4可被啟動處於一極小壓力狀態。 與壓印外彎折區心及内彎折區&具有極小或毫無交互 作用之分離外彎折區Ζι及背壓力區乙的啟動係將第一自由 跨距長度%更改至一第二自由跨距長度%。從第一自由跨 距長度Wl增至第二自由跨距長度%係使分離力達到最小。 自由跨距長度%的增加係可放大概括在模板18及基材12分 離期間所提供之-往上分離力,且因此比起自由跨距長度 %而δ可對於相同的往上力提供—較大的裂角(^^汰 angle)。這可降低使模板18從基材12分離所需要的力。譬 如,近似2.5mm的第-自由跨距長度W|可提供近似〇8π^ 的U。提供近似14mm的第二自由跨距長度%係可提供 近似3.lmrad的-㈣。對於从128,_可因此大於近 似1.5mrad,而比起提供分離期間的自由跨距長度%而言使 分離力降低超過近似40%。 一實施例中’如第9圖所示’除了第—自由跨距長度% 增加至第二自由跨距長度%外,基材夾具26的真空狀態可 在分離期間增高。-般而言,基板夾具26總是處於一真空 13 201103721 狀態(譬如-5kPa)藉以在壓印期間固持住基材12。增高分離 期間基材夾具26的真空狀態係可能在分離期間幫助扣持住 基材12。譬如’真空狀態可在分離期間增加至近似 第ίο圖顯示一用於壓印基材12上的可聚合化材料34之 方法100的流程圖。一步驟1〇2中,模板18可被耦合至夾具 28b。一步驟1〇4中,模板18可被定位成疊置於基材12而界 定模板18與基材12之間的一容積。一步驟106中,可聚合化 材料34可被沉積於模板18與基材12之間所界定的容積中。 一步驟108中,泵系統可啟動壓印外彎折區&、内彎折區 Z4、及背壓力區Z3而生成一具有自由跨距長度%的超環面 壓印形狀。譬如,泵系統可提供處於一真空狀態之壓印外 彎折區Z2及内彎折區Z4以及處於一壓力狀態之背壓力區 Z3。一步驟11〇中,模板18可接觸於可聚合化材料34。一步 驟112中,可聚合化材料可被固體化。一步驟114中,泵系 統可啟動分離外彎折區2|及背壓力區Z3,並解除啟動壓印 外彎折區Z2及内彎折區厶以對於模板18提供一具有自由跨 距長度%之單波。譬如,泵系統可提供處於一真空狀態之 分離外彎折區Zl及處於一壓力狀態之背壓力區Z3,同時外 彎折區Z2及内彎折區Z4被解除啟動(譬如阻絕)。此外,泵系 統可增加基材失具26的真空狀態。譬如,泵系統可將基板 夾具26的真空狀態從近似_5kpa增加至近似_2〇kpa。一步驟 116中,模板18可從圖案狀層46的至少—部分分離。一範例 中,模板18可從圖案狀層46完全地分離。 【圖式《簡辱_ ^明】 201103721 第1圖係為一包括一先前技術夾持系統之微影系統的 簡化側視圖; 第2圖顯示一基材的俯視圖; 第3圖顯示第1圖所示的基材之簡化側視圖,其上設有 一圖案狀層; 第4圖顯示第1圖所示的先前技術夾持系統之簡化側視 圖; 第5圖顯示根據本發明的一實施例之一夾持系統,其具 有多重自由跨距區; 第6圖顯示根據本發明的一實施例之一夾持系統; 苐7圖顯不堡印别之苐6圖的爽持糸統, 第8圖顯示壓印期間之第6圖的夾持系統; 第9圖顯示分離前之第6圖的夾持系統; 第10圖顯示根據本發明的一實施例之一用於壓印一基 材上的可聚合化材料之方法的流程圖。 【主要元件符號說明】 10…微影系統 12…基材 14…基材夾具 16…階台 18…模板 20…台面,模具 22…圖案化表面 24,52,70a-70d…凹部 15 201103721 26…突部(第1圖),基材夾具(第9圖) 28,28b,128 …夾具 30…壓印頭 32…流體配送系統 34…可聚合化材料 38…能量源 40…直接能量 42···路徑 44…基材12的表面 46…圖案狀層 48…殘留層 50…突部 54…處理器 56···記憶體 60a,60b,60c,62a-62d...腔室 66…第一側 68…第二側 72a-72d·..支撐件 100···用於壓印基材12上的可聚合化材料34之方法 102,104,106,108,110,112,114,116 …步驟 rr··内半徑 r2…外半徑 rr··中間半徑 V··突部厚度 16 201103721 t2···殘留層厚度 Wi…第一自由跨距長度 W2…第二自由跨距長度 ΖΓ··分離外彎折區 ζ2…壓印外彎折區 Ζ3…背壓力區 Ζ4…内彎折區
Claims (1)
- 201103721 七、申請專利範圍: 1 ·—種奈米壓印微影術方法,包含: 以一模板壓印被定位於一基材上的可聚合化材料 而形成一圖案狀層於該基材上,該模板耦合至一夾具而 使§亥模板設有一第一自由跨距長度;及, 分離該模板及該圖案狀層,該夾具使該模板設有分 離前之一第二自由跨距長度。 2·如申請專利範圍第1項之奈米壓印微影術方法,其中該 第一自由跨距長度小於該第二自由跨距長度。 3.如申請專利範圍第丨項之奈米壓印微影術方法其中該 第二自由跨距長度係組構為可降低使該模板自該圖案 狀層分離所需要之力的量值。 4·如申請專利範圍第丨項之奈米壓印微影術方法,其中該 失具係包括四區:一分離外弯折區,一壓印外彎折區, 一背壓力區,及一内彎折區,該分離外彎折區係環繞該 壓印外彎折區,該壓印外彎折區環繞該背壓力區,該背 壓力區環繞該内彎折區。 5.如申請專利範圍第4項之奈米壓印微影術方法,其中一 泵系統係在該壓印步驟及該分離步驟期間控制各區内 的壓力。 6·如申請專利範圍第5項之奈米壓印微影術方法,其中在 壓印之前,該泵系統係提供處於一真空狀態之該壓印外 彎折區及該内彎折區,及處於一壓力狀態之該背壓力 區,使彳于s亥模板形成一具有該第一自由跨距長度之超環 18 201103721 面壓印形狀。 7·如申請專利範圍第6項之奈《印微影術方法’其” 超環面壓㈣狀係在騎期間使該模板的偏向沿該基/ 材的一中間半徑呈現對稱。 8. 如申請專題圍第6項之奈米壓印微影術方法直中今 等壓印外彎折區及内彎折區係組構為在該基材與該模/ 板的一介面處提供-曲率半徑,其在該壓印步驟期間加 快該基材與該模板之間的可聚合化材料之充填。 9. 如申請專利範圍第6項之奈米壓印微影術方法,其中在 壓印之前’該分離外彎折區被解除啟動。 10_如申請專利範圍第5項之奈米壓印微影術方法,其中在 5玄模板及该圖案狀層的分離期間,該泵系統提供處於一 真二狀態之該分離外彎折區及處於一壓力狀態之該背 壓力區使得該模板具有該第二自由跨距長度。 11_如申請專利範圍第10項之奈米壓印微影術方法,其中在 δ亥模板及該圖案狀層的分離期間,該壓印外脊折區及該 内彎折區被解除啟動。 12.如申請專利範圍第1項之奈米壓印微影術方法,其中該 基材係耦合至一基材夾具,且在該分離步驟期間,該基 材灸具處於一真空狀態。 13· —種奈米壓印微影術方法,包含: 將一模板定位成疊置於一基材而界定該模板與該 基材之間的一容積,該模板係耦合至一具有一壓印外彎 折區、一内彎折區、一背壓力區及一分離外彎折區之夾 19 201103721 具; 沉積可聚合化材料於該容積中; 啟動該壓印外彎折區、該内彎折區及該背壓力區使 得該模板形成一具有一第一自由跨距長度之超環面壓 印形狀; 將該模板定位成接觸於該可聚合化材料; 使該可聚合化材料固體化; 啟動該等分離外彎折區及背壓力區並解除啟動該 壓印外彎折區及内彎折區使得該模板形成一具有一第 二自由跨距長度之單波;及 使該模板自該圖案狀層分離。 14. 如申請專利範圍第13項之奈米壓印微影術方法,其中該 啟動壓印外彎折區、内彎折區及背壓力區係包括提供處 於一真空狀態之該等壓印外彎折區及内彎折區以及處 於一壓力狀態之該背壓力區。 15. 如申請專利範圍第13項之奈米壓印微影術方法,其中該 啟動分離外彎折區及背壓力區係包括提供處於一真空 狀態之分離外彎折區以及處於一壓力狀態之背壓力區。 16. 如申請專利範圍第13項之奈米壓印微影術方法,其中該 模板與該可聚合化材料的初始接觸係近似地位於該基 材的中間半徑處。 17. 如申請專利範圍第16項之奈米壓印微影術方法,其中該 可聚合化材料的小滴係沉積於該基材上且該等可聚合 化材料小滴之間的容積係界定氣體通道,氣體經由該等 20 201103721 氣體通道被推至該基材的一邊緣。 18. 19. 20. 如申請專利範圍第13項之奈米壓印微影術方法,其中解 除啟動該壓印外彎折區及該内彎折區係包括提供處於 一開啟狀態之該等區。 如申請專利範圍第13項之奈米壓印微影術方法,其中該 第二自由跨距長度大於該第一自由跨距長度。 一種夾具,包含: 一内彎折區; 一背壓力區,其環繞該内彎折區; 一壓印外彎折區,其環繞該背壓力區,該壓印外彎 折區係組構為提供壓印期間之一第一自由跨距長度丨及 —分離外彎折區,其環繞該壓印外彎折區,該分離 外彎折區係組構為提供分離期間之一第二自由跨距長 度’其中該第二自由跨距長度的量值係近似為該第一自 由跨距長度的量值之三倍。 21
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