TW201100437A - Solution based zirconium precursors for atomic layer deposition - Google Patents

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Description

201100437 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於原子層沉積之新穎且有用的以溶 液為主的前驅物。 本發明之以溶液為主的ALD前驅物係關於由本申請案之 發明者及受讓人實施之工作。特定言之，美國專利申請案 號11/400904係關於使用用於ALD之以溶液為主的前驅物之 方法及裝置。美國專利申請案號12/396806係關於使用用 Ο 於ALD之以溶液為主的前驅物之方法及裝置。美國專利申 請案號12/3739 13係關於使用用於ALD之以溶液為主的前 驅物之方法。美國專利申請案號12/374066係關於蒸發及 傳送用於ALD之以溶液為主的前驅物之方法及裝置。美國 專利申請案號12/2611 69係關於用於ALD之以溶液為主的鑭 前驅物。 【先前技術】 原子層沉積（ALD)係一種用於先進薄膜沉積之致能技 術，其提供令人滿意的厚度控制及階梯覆蓋。此外，ALD 係一種可於矽晶圓處理中提供新一代導體障壁層、高介電 常數閘極介電層、高介電常數電容層、覆蓋層及金屬閘電 極之致能技術。ALD生長之高介電常數及金屬閘極層業已 展現超越物理氣相沉積及化學氣相沉積方法之優勢。ALD 亦已應用於諸如平板顯示器、化合物半導體、磁學及光學 儲存、太陽能電池、奈米技術及奈米材料之其他電子工 業。ALD係用於在傭環沉積方法中一次一層地建造超薄且 147735.doc 201100437 高保形的金屬、氧化物、氮化物及其他層。業已藉由ald 方法利用氧化或氮化反應製造許多主族金屬元素及過渡金 屬元素（諸如鋁、鈦、鍅、铪、及钽）之氧化物及氮化物。 亦可利用ALD方法經由還原或燃燒反應沉積諸如Ru、、 Ta及其他之純金屬層。 ALD方法之廣泛採用面臨涉及有限的合適前驅物選擇、 低晶圓生產量及低化學利用率之挑戰。於HKMGt有用的 許多ALD前驅物係以具有相對低之揮發性之固相存在。為 克服此等挑戰，本發明發展一種名為Flex-ALDTM2以溶液 前驅物為主的ALD技術。藉由以溶液為主的前驅物技術， ALD前驅物選擇將得以大幅地擴增以包括低揮發性固體前 驅物’曰曰曰圓生產量隨著車交高的膜生長率而升高，且化學利 用經由稀釋化學品之使用而改良。此外，藉由蒸氣脈衝之 液體注射會提供均一的前驅物劑量。 典型的ALD方法使用連續的前驅物氣體脈衝以一次一層 也"L·積膜。特疋吕之，將第一前驅物氣體導入處理室，及 於《亥至内中之基板表面處藉由反應製造單層。然後導入第 一刖驅物來與該第—前驅物反應並於基板上以由第一前驅 物與第二前驅物兩組份構成而形成單層膜。每一對脈衝 (-，盾，)會製造單層或更少層的膜，其容許根據實施的沉 積循％次數極精確地控制最終膜厚度。 半導體裝置之堆積越來越致密，通道長度亦需製得 於來越紐對於未來的電子設備技術，其將需求以具有小 於1 ·5 nm之有效氧化物厚度（EQT)之超薄高介電常數氧化 147735.doc 201100437 物替代Si〇2及SiON閘極介電質。較佳地，高介電常數材料 應具有高帶隙及帶偏移、高介電常數值、於矽上之良好穩 定性、最小化的Si〇2界面層、及於基板上之高品質界面。 亦期望非晶性或高結晶溫度膜。 氧化锆（Zr〇2)係一種用於先進CMOS設備中之可希望的 ^ 高介電常數介電材料，因其具有相對穩定的介電常數（3〇 至40)。已發現，藉由還原界面層，同時保留有效的高介 電常數值，Zr〇2係一種用於πι-ν族高電子遷移率通道之較 佳閘極介電質。此外，Zr〇2可用作32 nm2DRAM技術節 點及以後之記憶容量材料。 ALD係一種沉積超薄Zr〇2層之較佳方法且—般係基於使 用以醯胺或Cp為主的液體前驅物。然而，針對習知前驅物 使用標準ALD沉積技術需要高來源溫度，其會導致過早的 前驅物分解。為克服此問題，可直接注射以醯胺為主的前 驅物，諸如TEMAZ或TMAZr，然而該等分子於沉積溫度 ❹下不穩定，其會導致類CVD自生長，進而損失均勻沉積之 品質及控制能力。 於本技藝中仍需求改良以溶劑為主的ALD前驅物。 【發明内容】 本發明提供一種經改良之以溶劑為主的前驅物配方。特 定言之，本發明提供一種以自限制且保形方式生長Zr〇2或 其他ZHb合物膜之以溶液為主的無氧錯ALD前驅物。 【實施方式】 本發明提供用作ALD前驅物之以Zr為主的材料。首先， 147735.doc 201100437 評價一新種類的含有除金屬-碳鍵之外還含有金屬-氧鍵之 基於環戊二烯基（Cp)之前驅物。此等含氧前驅物展現高分 解溫度，然而其等並未經證實係理想的ALD材料。其一原 因係大部份無氧Cp前驅物於室溫下呈固態及因此需要高來 源溫度。 特定言之，評論含氧Cp複合物、TEMAZ及 (MeCp)2Zr(OMe)(Me)。發現TEMAZ係熱不穩定且 (MeCp)2Zr(OMe)(Me)展現自生長。據信於前驅物中存在氧 會實質上導致自生長。 考慮到含氧前驅物所遭受之以上問題，本發明係關於使 用無氧Cp銼前驅物形成真Zr02之ALD膜。特定言之，本發 明係關於具有以下化學式中之一者之無氧Cp Zr複合物： (MeCp)2ZrMe2、（Me5Cp)2ZrMe2 或（t-BuCp)2ZrMe2，其各自 將於下文分別論述。 單支鏈Cp環前驅物（MeCp)2ZrMe2不穩定，因此無法證實 可用作ALD前驅物。甲基飽和之Cp環前驅物 (Me5Cp)2ZrMe2展現甚差的溶解度，故亦無法用作ALD前 驅物。 關於無氧以溶液為主的ALD前驅物之最佳候選物係（t-BuCp)2ZrMe^可於室溫下以大於0·2Μ之溶解度將此固體 前驅物溶於諸如正辛烷之經純化的溶劑中。該固體前驅物 及該溶劑均不含氧。用於ALD應用之溶液濃度較佳係0.05 Μ至0.15 Μ且更佳係0.1 Μ。 可藉由直接液體注射方法於室溫下將溶於溶劑之以溶液 147735.doc 201100437 為主的前驅物（即’（t-BuCp^ZrMe2)，傳送至使用點蒸發 器。隨後利用惰性氣體開關使經完全蒸發之溶液前驅物搏 動進入沉積室中以建立ALD前驅物傳送之理想方波。該蒸 發器溫度係較佳介於15(TC與250。(：之間，且更佳係 190。。。 % 使用本發明之岫驅物配方’於含有使用石英晶體微量天 平之就地生長監視器之熱壁室中沉積Zr〇2及其他心化合物 0 膜。用於Zr〇2膜之氧前驅物係水蒸氣、臭氧或其他含氧氣 體或蒸氣。特定言之，氧前驅物可為水蒸氣、〇2、…、 N20、NO、C〇、c〇2、CH3〇H、C2H5〇H、其他醇其他 酸及氧化劑。較佳的氧化劑前驅物係於室溫下來自去離子 水蒸氣源之水蒸氣。膜生長溫度較佳係18〇。(：至28〇。(：，且 更佳係2G0°C至240°C。生長之飽和度係藉由增加△前驅物 劑量或水蒸氣劑量測試。其表明該生長係真自限制ALD生 長而不含自生長。 Ο 此外，氮化錘膜可根據本發明藉由將諸如nh3、n2h4、 胺等之含氮反應物用作第二前驅物製得。相似地，金屬鍅 ALD膜可藉由將氫氣、氫原子或其他還原劑用作第二前驅 物形成。 鍅前驅物溶液亦可包含其他溶劑及添加劑。然而，此等 溶劑及添加劑必須不干擾氣相中或基板表面上之ALD處 理此外’該等溶劑及添加劑在ALD處理溫度下應係执穩 定而不^分解。烴適宜作為主要溶劑以藉㈣拌或超聲^ 混口（右必要）之方法溶解ALD前驅物。烴係化學惰性且可 147735.doc 201100437 =驅=目容且不會與該等前驅物競爭基板表面上之反應 免m =溶劑之满點應高得足以匹配溶f之揮發性以避 免於4¾處理期間產生顆粒。 本二月之前驅物提供數種優勢，包括可將固體前驅物用 埶^夜為主的ALD處理。藉由使用此等化學，使低 …、异之至溫傳送成為可能並因此克服與諸如temar =準㈣前驅物有關之熱分解問題。本發明之以Cp為主之 合液二驅物係熱穩定的，且採用無氧溶液化學會消除因含 氧Cp $驅物而發生之自生長。 ^發明之_物可用於數種應用中。料言之，本發明 W㈣"Γ用於形成用於基於si' Ge及（^IV族元素半導 體之高介電常數閘極介電層或形成用於㈣心、㈣士 =其他m至v族高電子遷移率半導體之高介電常數間極介 電層。此外，本發明之前驅物可用於形成用於dram、快 閃及鐵電記憶設備之高介電常數電容器。本發明之前驅物 亦可用作氣體純化、有機合成、燃料電池膜及化學偵測 °" X及於燃料电池中之經釔穩定氧化鍅（YZT)固體陽極 材料中之基於Zr之觸媒’或用作於約100 κ下維持液相之 過冷的基於Zr之合金。 預期藉由參照以上論述，本發明之其他實施例及變化可 輕易地為熟練技術者瞭解，且期望此等實施例及變化同樣 包含於後附申請專利範圍所列出之本發明範圍内。 147735.doc

Claims (1)

  1. 201100437 七、申請專利範圍： 1. 一種用於原子層沉積之前驅物，其包含無氧鍅環戍二婦 基化合物。 2. 如請求項1之前驅物，其中該化合物具有下式： (RiR2R3R4R5Cp)2MR6R7 其中 Ri、R2、R3、R4、R5、或具有式 CnHm2 烴，其中n=l至10且m=1至2n+1，Cp係環戊二烯基且厘係 IV族元素。 〇 1 2.如請求項2之前驅物，其包含（t_BuCp)2ZrMe2。 4.如請求項3之前驅物，其係溶於溶劑以形成前驅物溶 液。 5·如請求項4之前驅物，其中該溶劑係正辛烷且該前驅物 溶液具有〇.05 Μ至0.15 Μ之濃度。 6. 如請求項3 4之前驅物，其中該濃度係〇.1Μβ 7. 一種氧化鍅膜，此膜係使用包含無氧鍅環戊二烯基化合 Q 物之前驅物藉由原子層沉積而沉積製得。 8. 如°月求項7之膜，其中該前驅物係（t-BuCp)2ZrMe2。 9. 種氮化锆膜，此膜係使用包含無氧锆環戊二烯基化合 物之前驅物藉由原子層沉積而沉積製得。 1 月驅物藉由原子層沉積製得。 2 12.如凊求項"之膜，其中該前驅物係（t_BuCp)2ZrMe2。 3 Π· 一種原子層沉積之方法，其包含： 4 147735.doc 201100437 將溶於溶劑之包合I董 〜巴3無軋锆環戊二烯基化合物之 驅物導入一蒸發器； 蒸發該蒸發5| + > # & ^ 益中之该第一則驅物溶液； 將經蒸發之笫—i 私你 弟别驅物傳送至沉積室； 藉由基板上之表面反應形成含鍅分子之單層； 沖洗該沉積室； 將έ氧化合物之第二前驅物導入該沉積室； 藉由該基板上之表面反應形成氧化錯之單層；及 重複A等步驟以於該基板上製造具預定厚度之氧化錯 膜。 。 14.如明求項13之方法，其中傳送該經蒸發之第一前驅物包 含以理想方波之形式傳送該第一前驅物。 15·如請求項13之方法，其中導入該第二前驅物包含以理想 方波之形式傳送該第二前驅物。 16_如明求項13之方法，其中該蒸發器之溫度係介於150°C 與250 C之間且該沉積溫度係介於18(Γ(：與28〇0C之間。 17.如請求項16之方法’其中該蒸發器之溫度係l9(rc且該 沉積溫度係介於2〇0°c與24〇。〇之間。 18·如請求項13之方法，其中該第二前驅物係水蒸氣、〇2、 〇3、N20、N〇、CO、C02、CH3OH、C2H5OH、醇、酸 或氧化劑。 19. 一種原子層沉積方法，其包含： 將溶於溶劑之包含無氧锆環戊二烯基化合物之第一前 驅物導入蒸發器； 147735.doc 201100437 热發該蒸發器中之該第一前驅物溶液； 將該經蒸發之第一前驅物傳送至沉積室； 藉由基板上之表面反應形成含錘分子之單層； 沖洗該沉積室； 將包含含氮化合物之第二前驅物導入該沉積室； 藉由該基板上之表面反應形成氮化锆之單層；及 重複該等步驟以於該基板上製造具預定厚度之氣化生 膜。 ’雀。 Ο 20· t請求項19之方法，其中傳送該經蒸發之第—前驅物包 含以理想方波之形式傳送該第一前驅物。 21.如請求項19之方法，其中導入該第二前驅物 w b Μ理相 方波之形式傳送該第二前驅物。 、 22·如請求項19之方法，其中第二前驅物係νη3、N2H D、 胺。 2 4或 23. —種原子層沉積方法，其包含： 〇 將溶於溶劑之包含無氧锆環戊二烯基化合物之笛 驅物導入蒸發器； 第-前 蒸發該蒸發器中之該第一前驅物溶液； 將&蒸發之第一前驅物傳送至沉積室； 藉由基板上之表面反應形成含锆分子之單層； 沖洗該沉積室； 將包含還原劑之第二前驅物導入該沉積室； 藉由該基板上之表面反應形成锆金屬單層；及 重複該等步驟以於該基板上製造具預定厚度之錯金屬 147735.doc 201100437 膜。 之第一前驅物包 24·如請求項23之方法，其t傳送該經蒸發 含以理想方波之形式傳送該第—前驅物 前驅物包含以理想 25.如請求項23之方法，其中導入該第二 方波之形式傳送該第二前驅物。 26_如請求項23之方法，其中該還原劑係氣氣或氫原子 147735.doc 4- 201100437 四、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：（無） (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (無） 147735.doc -2-
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG177399A1 (en) * 2009-07-06 2012-02-28 Linde Ag Solution based precursors
EP2499274B1 (en) * 2009-11-09 2016-04-20 L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Deposition methods using hafnium-containing compounds
US9978585B2 (en) * 2012-06-01 2018-05-22 Versum Materials Us, Llc Organoaminodisilane precursors and methods for depositing films comprising same
US9444049B2 (en) 2012-07-03 2016-09-13 University Of Vermont And State Agricultural College Methods for forming one or more crystalline layers on a substrate
KR102251989B1 (ko) 2014-03-10 2021-05-14 삼성전자주식회사 유기 금속 전구체 및 이를 이용한 박막 형성 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04232272A (ja) * 1990-07-27 1992-08-20 Kali Chem Ag チタン、ジルコニウム又はハフニウムを含有する層の基板上への析出方法
FI117979B (fi) * 2000-04-14 2007-05-15 Asm Int Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi
US20040168627A1 (en) * 2003-02-27 2004-09-02 Sharp Laboratories Of America, Inc. Atomic layer deposition of oxide film
US7514119B2 (en) * 2005-04-29 2009-04-07 Linde, Inc. Method and apparatus for using solution based precursors for atomic layer deposition
EP2029790A1 (en) * 2006-06-02 2009-03-04 L'AIR LIQUIDE, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Method of forming high-k dielectric films based on novel titanium, zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing
WO2008045972A2 (en) * 2006-10-10 2008-04-17 Asm America, Inc. Precursor delivery system

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