TW201044494A - High temperature susceptor having improved processing uniformity - Google Patents

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TW201044494A
TW201044494A TW099109142A TW99109142A TW201044494A TW 201044494 A TW201044494 A TW 201044494A TW 099109142 A TW099109142 A TW 099109142A TW 99109142 A TW99109142 A TW 99109142A TW 201044494 A TW201044494 A TW 201044494A
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edge
reflector
base
support
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TW099109142A
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Danny Newman
Ronald Nasman
Richard Anthony Duff Iii
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Tokyo Electron Ltd
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Description

201044494 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 尤關於用 本發明係有關於用以耦合到材料處理系統的基座 以改善處理均勻性的基座。 【先前技術】 眾所皆知，在半導體製造與處理的巾，包括祕刻與沉 積製程的各絲程m她基㈣溫度。目此，控制基板㈤ 度的能力，或更詳細而言，對基板溫度的均勻性 : 導體處理系統的必要需求之一。基板溫度取決於:多熱= Ξ傲ϊϊΐ不限於以下各者：基板與基板支座之間的熱交換；基 /:戈基板支越聽加誠冷域板鐵隸^細 ^或散熱體之_熱交換等。在基板支座的上表面上提供適當^ 度’可用來控制基板溫度。 【發明内容】 ❹ 本發明細關於用以輕合到材料處理系統的基座 於用以改善處_自性的敍。 狀關 根據-實關，其描烟吨合到漏處理祕的基座 坐匕含具有中間部分與邊緣部分的基板支撐部，盆中，中門部八 收其f 支撐表f，而邊緣部麵伸超^基i σ * ?座更w邊緣反射@，麵合職板支樓部的邊 f以部分或完全地屏蔽基板的周圍邊緣，使周圍邊緣 免於與材料處理糸統之外部區域的輻射交換。 根據另-實施例，其描述—沉積系統。沉積系 月ΐί又S蛾裝Ϊ於製程腔室内；燈陣列’用以輻射加熱基▲; 】體刀配祕，用⑽人製減翻製健室，赌進基板 邻應ιί座包含基板支#部，基板支撐部包含中間 緣‘，其中’中間部分具有用以接收、支撐基板的支 201044494 : 刪邊緣。基座更包條 展益其心ΐ 基板支撐卩的邊緣部分，並肋部分或完全地 的輻&交換。°騎緣’使周圍邊緣免於材料處理祕之外部區域 將基述一處理基板的方法。該方法包含： 叙二處糸統内’m座具有：基板支擇部，用以 中了中間统，基板支撐部包含中間部分及邊緣部分，其 延砂二r，、*㈣魏、支躲板的支縣面，*邊緣部分 的周圍邊緣；及邊緣反射器，其綠到基板支撐部 邊緣^二3以部分或完全地屏蔽基板的周圍邊緣，使周圍 I邊緣反射器的高度’其係從基板的二二 J邊iif頂部表面；介於基板與邊緣反射器之間的橫向 圍邊緣測量到邊緣反射器的内表面；或高度盥 ^的長見比；或上述二者以上的組合。該方法更包含：將 =設，在材料處理純中的基座上；提升基觸溫度，以加熱 ^敕^或位置上測量基板、基座、或其兩者的屬性； 度或長寬比、或上述二者以上之任何組合， 以減少在二或更多個位置上所測量之屬性的變化。 【實施方式】 在以下的綱巾，所提_各觀定細節 ，何，或在該處理系統中使用之各式耕與製程 了角午釋用途’而非具有限讎。然而，應了解到， 祐 為其他不具該等特定細節的實施例。 貝她 在本說明書中所述之「-實施例」或「實施例」—詞 所描述與該實施财_特定特徵、結構、材料或 ，的至少-個實施例中，但不代表會出現在每一個= 中。因此，出現在本·書各處之「在—實施例中」或「在4 例中」之敘述，亚非為指向本發明一相同的實施例。再者，二^ 201044494 特徵、結構、材料或特色可在一或多個實施例中 人。 -^ ΐ：^ίΙ；2ΐ： ： ί^^-：!-ΐ =的角色。在沉積製程、靖程或其他=，4;; Ziff處^紐是紐溫度，奴其横跨基__。·， 的ίίΐ=積)是沉積薄膜常用的技術，其中基板溫度是關鍵
G Ο 制藉中，膜雨驅物蒸氣的連續氣流被通入具有基板的 前驅物的組成’具有存在於欲在基板上形 ίίϊ的要原子或分子㈣。在此連續性製程_，前驅物塞 板的表面’同時’不論用來協助還原化學吸附材 枓的頭外錢、齡是否存在’細物蒸氣會熱分解，並反廣， 如此形成所期望的膜。 〜 在其他處理參數中，基板温度的變化會導致沉積率或膜厚的 =化。例如，在動力限制(kinetic_limited)溫度範圍内，處理的特色 在於沉積率是高度相依於溫度。動力限制溫度範圍係指，CVD f 程的沉積耗纽於基板表面化學反應㈣力時，故積條件i 範圍1與動1限制溫度範圍不同的質傳(mass_transfer)限制範圍， 其通常在較高的基板溫度下被觀察到，其並包括沉積率受限於化 學反應物在基板表面上的通量時之沉積條件的範圍。益論 f圍，沉積率都會相依於*板溫度。然、而，動力 相依程度會更高。 又覃巳關 ^因此，本發明人了解到，本技術領域所期望的是，產生出在 空間上呈均句分佈的基板溫度分佈，或調整基板溫度分佈以反制 其他非均勻處理參數的效應。詳細而言，經本發明人觀察，基板 邊緣的沉積率(或所沉積的膜厚)有降低的現象(於後說明/，'而ς發 明人將此沉積率的降低歸因於所對應之測量到的基板溫度的降 低。本發明人認為，溫度的降低與基板邊緣的熱損失有關^而此 201044494 熱損失是目為細繞基板德冷腔錄 因此，兹參照圖式，其中相似元件用 =產生。 應的部分。圖1表示根據-實施例的材圖中代或對 統1包含:製程腔室10⑽20，安穿處理系 板25支撐在_製程空間15中；熱源％，二中^用 的k度，及氣體分配系統40，用以通#= 土座20 中’以促進基板25表面的卿成反應。^现_製程腔室1〇 H^irf ’材料處理純1包含真空泵抽系統6G，叫人到制P 月工至1〇,並用以抽空製程腔室1〇。再者，护r 、= 口 j衣私 m 10 > ^ 20 , 30 ^ 40 . 6〇，^可肋監視、調整、控繼板溫度，此如後詳述《由糸、、充 在圖1所繪不的實施例中，材料處理系統丨 ；；：ΓΪ ° 20 ί :ϊ!。舉例而言’材料處理系、统1可包括蝕刻系統，翔Ξ =ί電ί蝕刻，或乾式非電漿蝕刻。或者，材料處理系:：1 5佈腔室，如光阻旋轉塗佈系統中的加熱/冷卻模植， —者後烘烤(PAB)或曝光後烘烤(PEB)等；光阻圖案化腔 f塗ί腔室，如旋轉塗佈玻璃_)或旋 3 Ϊ2ί i'加㊣CVD(PECVD)系統、原子層沉積(ald) 二、、電水加強ALD(PEALD)系統或物理蒸氣沉積(pVD)系 或快速熱處理(RTP)腔室，如熱回火用的RTP系統。、（，、、、、， 外iif包含基板支撐部22，其具有中間部分26與邊緣部分 8、’，、中中間部分26具有用以接收、支撐基板25的支撐表面， 而邊部分28延伸超過基板25的周圍邊緣。基座2〇更包含邊緣 f；射器f4 ’其叙合到基板支撐部22的邊緣部分，並用以部分或完 全地屏蔽基板25的關邊緣’使該顺邊緣免於與㈣處理系統 1之外部區域的輕射交換。舉例而言，材料處理系統1的外部區域 可包括製程腔室10。再者，除了屏蔽基板25的邊緣之外，邊緣反 射器24可藉由輻射加熱而影響在基板25邊緣的基板溫度(亦即， 201044494 在邊緣反射器24的溫度高過基板25邊緣的基板溫度的情況下）。 熱源30可包含一或更多個燈，如燈陣列，其用以經過光學透 明® 14知、明基座2〇的背侧，而輻射加熱基座2〇。一或更多個燈 可包含鎢絲自素燈。此外，該一或更多個燈可耦合到驅動系統32， 其用以旋轉及/或移動該一或更多個燈，以調整及/或改善對基座20 的輻射加熱。再者，該一或更多個燈能夠以調整及/或改善基座20 的輻射加熱的方式，相對於彼此而對準。 、氣體$配系統4〇可包含喷淋頭氣體注入系統及一或多個氣體 分酉=板，喷淋碩氣體注入系統具有氣體分配組件，而一或多個氣 Ο 〇 體^配板係耦合到氣體分配組件，並用以形成一或多個氣體分配 ，氣部。雖未繪示，該一或多個氣體分配充氣部可包含一或多個 氣體分板。、該—或多個氣體分配板更包含一或多個氣體分配 孔，或多個氣體分配充氣部分配製程氣體到製程腔室10 中的製私空間15。此外，纽分喊統4G輕合雜程氣體供應系 統42。 製程氣體供應系統42用賴應製程氣體到氣體分配系統 40 ’而製私氣體可包括一或多個膜前驅物、一或多個還原氣體、 二或多個載體氣體、—或多個惰性氣鮮。再者，該-或多麵 Π物I包來自液相或固相源的蒸氣。例如，製程氣體供應系 可包括前驅物汽化系'统，其用以汽化液相前驅物，或昇華固 ^刖，物’以形成前驅物蒸氣。在此，「汽化」細;⑽”)、「昇 立二二巧1,011 )、「蒸發」(“evaPoration”)等詞係交換著使用， 固相或液相前驅物到蒸氣(氣體)的一般形成，而不論其轉換 疋否為_舰相職相、_職械液相到氣相等。 斗队再f „系統1包含升降組件50，其具有三或更多個 降元件52侧靖基板25垂直地移動到或 ‘到部22㈣支標表面，並且用以將基板25垂直地移 μ 腔室1G巾基板25可穿過傳送槽12而進出製程 面。如圖1所示，該三或更多個升降元件52的 口者可檢向延伸牙過邊緣反射器24的開口而到達位於基板25之 7 201044494 周圍邊緣下方、基板支撐部22中的凹部。 或者，升降組件可包含三或更多個升降銷(未繪示），其用以將 基板25垂直地移動到或移動自基板支撐部22的支撐表面，並且 用以將基板25垂直地移動到或移動自製程腔室10中基板25可穿 過傳送槽12而進出製程腔室1〇的一水平面。雖未緣示，該三或 更多個升降銷可在升降基板25時，延伸穿過基板支撐部22的開 口 ’並接觸基板25的下表面。
C —”真空泵抽系統60可包括渦輪分子真空泵(TMp)及用以調節腔 至壓力閘閥；渦輪分子真空泵之泵抽速度高達約每秒5〇〇〇公升 (以及更冋）。在用於真空處理的傳統處理裝置中，可採用每秒⑻ $ 3〇00公的ΤΜΡ。ΤΜΡ可用於通常為低於約％ mT〇rr的低壓 於尚壓處理(即大於約100 mTorr)，則可使用機械增壓泵 ΪΪί 2者’—監視腔室壓力用的裝置(未緣示)可轉合到 Γ 言，壓力_置可以是聰儀器(位於美 - ··' 〇ver)所售之628Β型Baratron®絕對電容式壓力計。 ⑽^器7〇包含微處理器、記憶體、數位1/0琿，能夠產生足 理系統1通聯、啟動對材料處理系統1的 到熱源30、7區動系:Ί系，1的輪出。此外，控制器70能輕合 真^抽李场氣體供應系統42、基板升降組件5〇、 或多個溫度雜置_，並與上述 來啟動對上述材料處理St二 25上執仃瘵氣沉積製程。 τ从在基板 部網路及/或網際網路來盘材 工 =70能利用直接連線、内 控制器70 _合到客/位址‘件% ===例而言， 合到網_路。縣，另岐，控繼70能轉 制器川，經由直接連線%；彻、値器等)能存取控 門邛同路及/或網際網路來交換資料。 8 201044494 心Ξ參！!圖2Α到圖2Ε，其係根據—實施例表示基座ΐ2〇的數 視圖’包括俯視圖與剖面圖。圖2Α、圖2D分別表示有升 牛132與無升降元件132的基座12〇的俯視圖。圖2B表示 2A一中所示線段的基座12〇剖面圖。圖％、圖2D表示在圖口犯， 所示之基座120的不同區域的分解剖面圖。 八ι2ΐϋ0包Λ基板支樓部122，其具有中間部分126及邊緣部 =28 ’ /、中，中間部分126具有用以接收、支撐基板125的 Ο Ο ，而邊緣部分128延伸超過基板125的周圍邊緣。基^ 1=0亦包含邊緣反射器、m，其輕合到基板支撐部m的邊 么’亚肋部分或完全地屏蔽基板的周_緣，使該周圍邊^ =與材料處理系統(如圖1中的材料處理系統U之外部區域的 ^換。除了屏蔽基板的邊緣之外，邊緣反射器124可藉由 …影響基板邊緣的基板溫度(亦即，在邊緣反射器124的溫度高 基板邊緣的基板溫度的情況下）。基座120包含基板支撐部122， ^用以支撐具有圓職何的基板。_，基板支撐部可用在 幾何，包括如矩形幾何。 、 —圖2C所示為基座120的分解剖面圖。基座12〇可裝設在製程 腔至之内，並藉由腔室支撐結構196以基部表面195支撐。基座 120可以固定及/或牢繫於腔室支撐結構196，但並不一定要如^。 此外，如圖2C所示，邊緣反射器124的幾何具有以下特徵： 邊緣反射器124的高度140·，邊緣反射器124與基板125之間的橫 向間隔142;邊緣反射器124之内表面143的定向，或夾角(c〇mer、 區域144的形狀，或上述一者以上之任何組合。高度140可從基 板125的底部表面(或支撐表面121)測量到邊緣反射器124的頂部 表面145。橫向間隔142可從基板125的周圍邊緣測量到邊緣反射 器124的内表面143。 _邊緣反射器124的高度140可以等於基板125的厚度。或者， 间度140可以是約1 mm (毫米）或更多。或者，高度14〇可以是約 2 mm或更多。或者，尚度140可以是約3 mm或更多。或者，高 度140可以是約4 mm或更多。或者，高度14〇可以是約5 201044494 更多。 内表面143的定向可以是實質上垂直於支撐表面121。再者， 夹角區域144的幾何可以是實質上受到減少、消除及/或最小化的 任何填角部(fillet)及/或複合夾角/斜角(angled comer/bevel)。 介於邊緣反射器124與基板125之間的橫向間隔142可以是2 mm或更少。或者，介於邊緣反射器124與基板125之間的橫向間 隔142可以是1 mm或更少。或者，介於邊緣反射器124與基板 125之間的橫向間隔142可以是0.5 mm或更少。 邊緣反射器124的幾何進一步的特徵是邊緣反射器124的高 度140與介於邊緣反射器124與基板125之間的橫向間隔142的 長寬比。δ亥長見比可大於或等於約1 : 1。或者，該長寬比可大於 或等於約2 : 1。或者，該長寬比可大於或等於約4 :)。 如圖2B所示，基座120可包含一單塊(mono丨ithic)元件。例如， 基板支#部122與邊緣反射器124從單件的材料製造出，或經由 燒結製程、硬焊製程或焊接製程而連接及/或熔接。基板支樓部 或邊緣反射益124或其兩者可包含陶究或塗覆有陶兗的金屬。基 板支撐部122或邊緣反射器124或其兩者可包含氧化物、氮化物、 石反化物或别述一者以上的任何組合。例如，基板支禮部122戎邊 緣反射器124為碳化矽所構成。 〆 或者’如圖3A所示，基座12〇,可包含多重元件。舉例而言， 基座120可包含基板支撐部122’與邊緣反射器124,，其為分開且 不同的元件。再者，舉例而言，邊緣反射器124，可設於基板支撐 部122’之上。基板支撐部122,與邊緣反射器124，可含有相同的材 料組成。或者，基板支撐部122,與邊緣反射器124,可含有不同的 材料組成。 根據圖3B中緣示的另一實施例，基座12〇”可包含一或多個 溫度量測裝置170，其係插入於基座12〇，，之中，並用以測量基板 溫^，或基座溫度，或基板溫度與基座溫度兩者。該一或多個溫 度量測裝置170可插入橫向鑽入基座〗2〇”的通道中。 该一或多個溫度量測裝置17〇可包括光纖溫度計、光學高溫 10 201044494 δ十、能ν邊緣(band-edge)>jm_度里測糸統(描述於繫屬之美國專利申 請案第10/168544號；申請曰為2002年7月2曰；在此將其内容 以參照方式併入）、或如K型熱電偶的熱電偶。光學溫度計的範例 包括：Advanced Energies，Inc.所售之型號為OR2000F的光纖溫度 計；Luxtron Corporation所售之型號為M6〇〇的光纖溫度計；^
Takaoka Electric Mfg.所售之型號為FT-1420的光纖溫度計。 Ο
G 根據圖3C中繪示的再另一個實施例，基座12〇”，可包含其板 支撐部122”，與邊緣反射器124”，，其中，基板支撐部122”,包&彼 此刀開的上支撐板150及下底座板160。此外，上支樓板15〇咬下 底座板160或上支撐板150與下底座板160兩者包含對準特徵部 155，其係使上支樓板150與下底座板16〇彼此對準。舉例而言， 對準特徵部155可包括形成在下底座板丨6〇的表面凹部或溝槽， 以及形成在上支魏15〇的表面凸部，其巾，表面凹部或溝槽係 用以嚙合表面凸部’如此連接、對準上支撐板15〇與下底座板16〇。' 此外，如圖3C所示，基座120”，可包含一或多個溫度量測 H〇，，，’其係插入於上支魏150與下底座板16〇之間。舉例而 一或多個溫度量測裝置17G，，，可設置在溝槽或通道中，而該 2形Ϊ在上支撐板15G的底部表面中，或下底座板160 部表^巾。，或上支撐板150❾底部表面與下底座板160的頂 mifrf 2E’ ®情示有包含三或更多個升降元件 2E);:㈣切ίΐΐ組件，其係用以垂直地將基板125(圖2C、 t，撐部122(圖2八到2E)的支撐表面 宗、m 或更多個升降元件132的各者可橫向延伸 下1l的開口而到達位於基板支標部122中、基板 13G(圖2B、2E)。再者，該三或更多個 、口者己^升降支撐表面136(圖2D、2E)及及射哭 部分134(圖2D、2E);升降立撐#而E)及反射。0 時接觸其把λα ^开又棕表面I36係用以在升降基板125 反射哭3的門^ ^ ’而反射器部分134對準、填充邊緣 身L 124的開口，以在不升降基板125時形成—連續的反射器 201044494 來環繞基板125。 茲參照圖4，圖中表示沉積製程的例示 =將-層多㈣㈣爾紐上。如‘ 將含魏的膜前驅物通人_上方的處理空間中，
C 如圖4所示，多晶稍的厚度係作為基板上位 中’元件符號4G1代表基板的中間料，而元件符號2 =邊緣部分/圖情示三個不_厚度分佈4iq、:、彻二 反射ϋ與基板周圍邊緣之間不同的橫广 ^對該三個不同厚度分佈的量測，其順序係從分佈4=二 到分佈430 ’而此順序對應橫向間隔的遞減。隨著 二 減少，沉積膜在基板邊緣部分的厚度會增加。 ° a w、 接著參照圖5’同時進行對基板溫度 量測。圖5緣示，在與上述相似的熱⑽^中對 J =分佈。如在圖5中觀察到的，膜厚 溫度在空壯的變化有很緊密的關雛。 I化與基板
透J對邊緣反射H的料改變，本發日狀已觀 度(以及進一步膜厚或沉積率)改變的趨勢。在。幾匕‘ 清況L”1隔的減少，會造成基板周圍邊ί之iS 造成基板周圍邊緣之基板溫度的增加。再者，邊ϊί= 成在邊緣反射器之内表面與支撐表面之角支 L消除及/或最小化任何填角㈣複合夾角/斜角等‘式^ f圖6中’根據另—實施例，說明—處理基板的 法匕έ流程圖600，其開始為步驟61〇 以方 統中。基座可咖丨_ 3中所描述置在材料處理系 舉例而,，基座包含基板支撐部，其用以搞合到材料處理系 12 201044494 統’其中基板支樓部包含中間部分及邊緣部分，且中間部分呈有 支撐表面，其用以接收、支撐基板，而邊緣部分延伸超過基板的 周圍邊緣。基座更包含邊緣反射器，其耦合到基板支携部的邊緣 部分，並用以部分或完全地屏蔽基板的周圍邊緣，使其免於與材 料處理系統之外部區域的輻射交換。至於基座的幾何，其特^在 於：邊緣反射器的高度，其係從基板的底部表面測量到邊緣反射 器的頂部表面；介於基板與邊緣反射器之間的橫向間隔，其係從 基板的周圍邊緣測量到邊緣反射器的内表面；或該高度與^橫向 間隔的長寬比；或上述兩者以上的組合。 Ο
在步驟620，將基板設置在材料處理系統中的基座上。 在步驟630，提升基座的溫度’以加熱基板。可將基板加敎來 執行沉積製程，例如上述的CVD製程、蝕刻製程或其他熱製程。 在步驟640 ’在二個以上的位置測量基板、基座或基板與基座 兩者的屬性。賴量關性可包括：基板的溫度；基座的溫度； 形成在基板上之__厚；形成在基板±之_的沉積率；從 基板移除之材料的侧量；或從基板移除之材料的 述二者以上之任何組合。 & 在乂驟依據所測量之屬性，調整基座的設計。舉例而古 整：包括調整:邊緣反射器的高度，該高度係心 底减，測1到邊緣反能的頂部表面；介於基板與邊緣及
Si s t i f隔二該横向間隔係從基板的周圍邊緣測量到^ 高度與該橫向間隔的長寬比；或上述二 ί3 ίΓί利用上述觀察到的趨勢來作躲準，可調整 參數，以達成對所測量之屬性所欲達成的改變。 域中具個γϊ實施例’本技術領 修改應視為包括於本發明之例如心修改。據此，此類 13 201044494 【圖式簡單說明】 在隨附圖式中·· 圖1繪示一實施例的材料處理系統。 圖2A表示一實施例的基座的俯視圖。 圖2B表示圖2A中基座的剖面圖。 圖2C表示圖2B中一部分之基座的分解剖 圖2D表示圖2A中基座的另一俯視圖。 ° 圖2E表示圖2B中另一部分之基座的分解剖面圖。 圖3A表示另一實施例的基座的剖面圖。 ° 圖3B表示另一實施例的基座的剖面圖。 圖3C表示另一實施例的基座的剖面圖。 圖4表示沉積製程的例示性資料。 圖5表示沉積製程的例示性資料。 圖6是一流程圖，其緣示另一實施例的基板處理方法。 【主要元件符號說明】 1材料處理系統 10製程腔室 12傳送槽 Η光學透射窗 15製程空間 20基座 22基板支撐部 24邊緣反射器 25基板 26中間部分 28邊緣部分 30熱源 32驅動糸統 40 氣體分配系統 14 201044494 42製程氣體供應系統 50 升降組件 52升降元件 60 真空泵抽系統 70控制器 120基座 120’基座 120”基座 120”，基座 121支撐表面 ^ 122基板支撐部 122’基板支撐部 122’”基板支撐部 124邊緣反射器 124’邊緣反射器 124’”邊緣反射器 125基板 126中間部分 128 邊緣部分 〇 136升降支撐表面 140局度 142橫向間隔 143内表面 144 夾角區域 145 頂部表面 150上支撐板 155 對準特徵部 160下底座板 170溫度量測裝置 170’”溫度量測裝置 201044494 195基部表面 196腔室支撐結構 401基板的中間部分 402基板的邊緣部分 410厚度分佈 420厚度分佈 430厚度分佈 600 流程圖 610、620、630、640、650 步驟
16

Claims (1)

  1. 201044494 七 '申請專利範圍 ''種基座，包含： 間讀部包含尹 :用，收、支縣板，而該邊緣部;延=板= 部ίίΐίί屏基板支撐部的該邊緣部分，並用以 材料處理純之外部區域的絲交換緣㈣顯邊緣免於與該 Ο 耸於热1 . 7 亥基板之間的板向間隔的長寬比係大於或 哭的^部表面基板的底部表面測量到該邊緣反射 ^緣娜的隔係從該基板的該周圍邊緣測量到
    3,如申請專利範圍第2項的基座 約 2 : 1。 4·如申請專利範圍第2項的基座 約 4 : 1。 5. 如申請專利範圍第1項的基座 幾何或矩形幾何。 6. 如申請專利範圍第1項的基座 反射器是一單塊元件。 λ如申請專利範圍第1項的基座 反射器疋分開且不同的元件。 其中’該長寬比係大於或等於 其中’該長寬比係大於或等於 其中’該基板支撐部包含圓形 其中’該基板支撐部與該邊緣 其中，該基板支撐部與該邊緣 201044494 座，其中，絲板支撑部與該邊緣 9. 的:所:板支撑部與該邊緣 1〇·Πΐί^範圍第1項的基座，其令，該基板支撐部與該邊緣 合氧化物、氮化物、碳化物或上述二者以上之任何ί r η.如申凊專利範圍第1項的基座，更包含： 以三或更多個升降銷’該三或更多個升降鎖係用 移動到或移動自該基板支樓部的該支撐表面， 觸瞒，穿職基板支撐賴口，且接 12.如申請專利範圍第1項的基座’更包含： 哭ipt σ f個升降元件的各者橫向延伸f過該邊緣反射 : 基板支撐部中、該基板的該周圍邊緣下方 的凹部，及 其中，该二或更多個升降元件的各者包含： 本；.ί降支榜表面’㈣在升降該基板時，接_基板的底部 表面，及 π斗ρ夂分’其對準、填充該邊緣反射器的該開口，以在 不升Μ緣板日t ’形成-連續的反射器來環繞該基板。 18 201044494 * 13ΐι申HU圍第1項的基座，其中，該基板支樓部包含彼此 板及下底座板’且其中，該上支撐板_下底座 ‘二支撐減钉底座減者包含對轉徵部，該對準特 徵4係用U將該上支撐板與該下底座板彼此對準。 如申請專利範圍第13項的基座，更包含. 溫度量測人麟上支魏絲下雜板之間。 \項的基座，其巾，_憤理祕包含蝕 〇 *糸、充"L積系統、或熱處理系統。 16. —種沉積系統，包含·· 製程腔室； 基座，设置在該製程腔室内，該基座包含： 含味合職料處理_，絲板支撐部包 U刀及故緣。|5分，其中，該中間部 支撐表面係用以接收、去g其拓， 八 I表面，5亥 板的周圍邊緣；Ϊ 牙邊緣部分延伸超過該基 〇 帛以^= 係麵合到該基板支標部的該邊緣部分，並 於與該製程腔室之外部區域的輻射交^邊緣似周圍邊緣免 f陣列’用吨射加熱絲座；及 板之程氣體到該製程腔室，以促進該基 17.如申請專利範圍第16頊的、、兄許备始甘 該基板支撐部的下方，並用’其中’該燈陣列係位於 18·=申請專利範圍第16項的沉積系統 升降組件’其包含三或衫辦降元件或更多個升降元 19 201044494 2用以將樣板垂直地移動到或移動自該基板支撐部的該支撐 器的二者=物該邊緣反射 的凹部，及 p中、5亥基板之該周圍邊緣下方 其中弁該三或更多個升降元件的各者包含： 面；及支撐表面用以在升降該基板時接觸該基板的底部表 〇 不升Him對準、填充該邊緣反射器的該開口，以在 不升降縣缺，形成—連續的反射器來環繞該基板。 19. 一種處理基板的方法，包含： 將基I設置在材料處理系統中，該基座具有： 含:二才，該基板支繼 支撐基板’而該邊緣部分延伸超賴基 用地亥基板支標部的該邊緣部分，並 侧圍邊緣免 CJ 4-其麻中及/該基座之幾何的特徵在於：該邊緣反射器的高度， =1係從該基板的底部表面測量到該邊緣反射器的頂部表 在二基板與树緣反射器之間的橫向間隔，該橫向間隔 it基板的該周圍邊緣測量到該邊緣反射器的内表面；或該 同又，、5亥彳頁向間隔的長寬比；或上述二者以上的組合； 將，板設置在該材料處理系統中的該基座上； 升高該基座的溫度，以加熱該基板； 置墙麵、觀、娜板與該基座 調整該高度、該橫向間隔、或該長寬比、或上述二者以上的任 20 201044494 何組合，以減少在該二或更多個位置上所測量之屬性的變化 含 膜厚 的飯刻量 的任何組合 ;形成在該基板上之薄膜二人次恭傲丄疋溥膜的 2〇.如申請專利範圍第I9項之處理基板的方法，其中，該屬 合：該ίϊίΐί丄該基座的溫度；形成在該基板上之薄膜& 之材料 率；或上述二者以上 八、圖式： ❹ G 21
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