TW201044122A - Lithographic apparatus and method - Google Patents

Lithographic apparatus and method Download PDF

Info

Publication number
TW201044122A
TW201044122A TW099110622A TW99110622A TW201044122A TW 201044122 A TW201044122 A TW 201044122A TW 099110622 A TW099110622 A TW 099110622A TW 99110622 A TW99110622 A TW 99110622A TW 201044122 A TW201044122 A TW 201044122A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
mirror
substrate
projection system
movement
final
Prior art date
Application number
TW099110622A
Other languages
English (en)
Inventor
Bob Streefkerk
Jongh Robertus Johannes Marinus De
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW201044122A publication Critical patent/TW201044122A/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70325Resolution enhancement techniques not otherwise provided for, e.g. darkfield imaging, interfering beams, spatial frequency multiplication, nearfield lenses or solid immersion lenses
    • G03F7/70333Focus drilling, i.e. increase in depth of focus for exposure by modulating focus during exposure [FLEX]
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70233Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70258Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G03F7/70266Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

201044122 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置及方法。 【先前技術】
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板 之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路 (ic)之製造中。在該情況下,圖案化器件(其或者被稱作光 罩或比例光罩)可用以產生待形成於Ic之個別層上的電路 圖案。可將此圖案轉印至基板(例如,矽晶圓)上之目標部 分(例如,包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通 吊經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上 而進订圖案之轉印。—般而言,單—基板將含有經順次圖 案化之鄰近目標部分的網路。藉由投影系統執行圖案至基 板上之成像,該投影系統可包含複數個透鏡或鏡面。 生'攻〜被廣泛地遇為係在Ic以及其他器件及/或結構之製 中之關鍵步驟中的—者。然而,隨著使賴影所製造之 '的尺寸憂得愈來愈小,微影正變為用於使能夠製造小 型1C或其他器件及/或結構之更具決定性的因素。 圖案印刷極限之理論估計可藉由瑞立(Rayleigh)解析度 準則給出,如方程式⑴所示: CD=k!X/NAPS ⑴ 於$所使用之輪射的波長,NAPS為用以印刷圖案之 瑞立二先的數值孔#,kl為程序依賴性調整因數(亦被稱作 )且CD為經印刷特徵之特徵大小(或臨界尺 147210.doc 201044122 寸)。自方程式(l)可見,可以三種方式來獲得特徵之最小 可印刷大小的減小:藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值 孔徑NAPS ’或藉由降低h之值。 為了縮短曝光波長且因此減小最小可印刷大小,已提議 在微影裝置中使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射源經 組態以輸出約5奈米之輻射波長。因此,EUV輻射源可 構成針對達成小特徵之印刷的重要步驟。 由EUV微影裝置之投影系統所提供的聚焦深度可能相對 較小。此外,聚焦深度隨著投影系統之數值孔徑的增加而 降低(聚焦深度與1/(NAPS)2成比例)。 【發明内容】 需要提供一種能夠提供一較大有效聚焦深度之Euv微影 裝置及方法。 根據本發明之一實施例,提供一種使用一 Euv微影裝置 將-經圖案化輻射光束投影至一基板上之方法該euv微 影裝置具有包含複數個鏡面之一投影系統,該方法包含以 下步驟。i吏用該#影系統以將該經圖案化輻射光束投影至 该基板上,同時在實質上垂直於該基板之表面的—方向上 移動该投影系統之—最終鏡面。旋轉該最終鏡面以實質上 補償歸因於該鏡面之該移動而致使在該基板上該經投影之 經圖案化輻射光束之非想要平移。 根據本發明之另-實施例’提供—種贿微影裝置,該 EUV微影裝置包含:一投影系統,其具有複數個鏡面;及 -基板台,其經組態以切—基板。該投料統之一最終 147210.doc 201044122 ' 鏡面經配置以將一經圖案化輻射光束引導至該基板上。該 裝置進一步包含一致動器,該致動器經組態以在實質上垂 直於該基板之表面的一方向上移動該投影系統之該最終鏡 面’且經組態成以一方式來旋轉該最終鏡面,該方式將實 質上補償歸因於該鏡面之該移動而致使在該基板上該經投 影之經圖案化輻射光束之非想要平移。 下文參看隨附圖式來詳細地描述本發明之另外特徵及優 ^ 點,以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意,本 發月不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說 明性目的而呈現此等實施例。基於本文中所含有之教示, 額外實施例對於熟習相關技術者將係顯而易見的。 【實施方式】 併入於本文中且形成本§兒明書之部分的隨附圖式說明本 發明,且連同實施方式進一步用以解釋本發明之原理且使 熟習相關技術者能夠製造及使用本發明。 〇 本說明書揭示併有本發明之特徵的一或多個實施例。該 (该等)所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限 於該(該等)所揭示實施例。本發明係藉由此處附加之申請 專利範圍界定。 所描述之该(該等)貫施例及在本說明書中對「一實施 例」—貫例實施例」等等之參考指示所描述之該(該等) 實施例可能包括一特定特徵、結構或特性,但每一實施例 .可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外,此等短語 未必才曰代同一實施例。另外,當結合—實施例來描述_特 147210.doc 201044122 定特徵、結構或特性時,應理解,無論是否明確地進朴 述,結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性均係在: 習此項技術者之認識範圍内。 本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合加 以實施。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可^體 上之指令,該等指令可由-或多個處理器讀取及執行。機 器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可由機器(例如 算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言,機器 可讀媒體可包括:唯讀記憶體(R〇M),·隨機存取記憶體 (RAM);磁碟儲存媒體;光學儲存媒體;快閃記憶體: 件;電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如,載 波、紅外線信號、數位信號’等等);及其他者。另外, 韋刃體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行特定動 作'然而’應瞭解’此等描述僅僅係出於方便起見,且此 等動作事實上係由計算器件、處判、控制器或執㈣ 體、軟體、常式、指令等等之其他器件引起。 然而’在更詳細地描述此等實施例之前,有指導性的係 呈現可實施本發明之實施例的實例環境。 圖1示意性地描繪體現本發明之微影裝置2。裝置2包 含:照明系統(照明器)IL,其經組態以調節輻射光、束B(: 如,極紫外線(EUV)輕射);支撐結構(例如,光罩 其經建構以支#圖案化器件(例如’光罩)μα,且連接至經 組態以根據特定參數來準確地定位圖案化器件之第一定位 器ΡΜ;基板台(例如,晶圓台)资,其經建構以固持基板 147210.doc 201044122 (例如,塗布抗㈣之晶圓)w,且連接至經組態以根據特 定參數來準確地定位基板之第二定位器Pw ;及投影系統 (例如’反射投影透鏡系統)PS,其經組態以將藉由:案化 器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板w之目標部分 C(例如’包含一或多個晶粒)上。 照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型 之光學組件,諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他 〇 光學組件’或其任何組合。在大多數euv微影裝置 中,照明系統主要地係由反射光學組件形成。 支撐結構支撐(亦即,承載)圖案化器件。支撐結構以取 決於圖案化器件之定向、微影裝置2之設計及其他條件(諸 如圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖 案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他炎持 術來口持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台, 其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案 〇化11件(例如)相對於投影线處於所要位置。可認為本文 中對術_比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用 之術語「圖案化器件」同義。 户本,中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為 、0用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以 :更在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意,例 如,若被軾予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔 徵,則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中 、斤要圖案。通常’被賦予至輕射光束之圖案將對應於目 147210.doc 201044122 標部分尹所產生之考件 心益仵(诸如積體電路)中的 ^ 在_器件之實例包括光罩及可程式化鏡二功:層光罩 :微影中係熟知的,且通常在_射微影裝;= 射的。可程式化鏡面陳列 中將為反 置,兮箄實例使用小鏡面之矩陣配 置。亥等小鏡面中之每一者可個別地傾斜,以 向上反射入射輻射光束。傾 ° ^ ± 鏡面將圖案賦予於藉由镑面 矩陣所反射之輻射光束中。 错由鏡面 如此處所描繪,裝置2為 罩)。 耵頬型(例如,使用反射光 微影裝置可為具有兩個(雙載物二 u 一、 以戰物口)或兩個以上基板台(及/ 或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在此等「多載物台」 機器中,可並行地使用額外台, a j在一或多個台上進行 預備步驟,同時將一或多個其他台用於曝光。 參看圖1,照明器IL藉由收隼哭 叹木态總成/輻射源so而自輻射 發射點接收輻射光束。輻射源與 、做,v裝置可為分離實體。 在此等情況下’不認為收集器總成形成微影裝置之部分, 且輪射光束係憑藉包含(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展 器之光束傳送系統而自收集器總Μ⑽遞至。在 其他情況下’輻射源可為微影裝置之整體部分。收集器總 0CK包括輻射產生⑸及㈣器IL連同光束傳送系統(在 需要時)可被稱作輻射系統。 照明器IL可包含用於調整輪射光束之角強度分布的調整 器。通常,可調整照明器之光瞳平面中之強度分布的至少 外部徑向範圍及/或内部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部 147210.doc 201044122 及σ内部)。此外,照明器几可包含各種其他組件,諸如積 光器及聚光器。照明器IL可用以調節輻射光束β,以在其 橫截面中具有所要均一性及強度分布。 輻射光束Β入射於被固持於支撐結構(例如,光罩台Μτ) 上之圖案化器件(例如,光罩ΜΑ)上’且係藉由圖案化器件 而圖案化。在由光罩ΜΑ反射後,輻射光束β傳遞通過投影 系統ps,投影系統PS將光束聚焦至基板w之目標部分c
上。憑藉第二定位器Pw及位置感測器IF2(例如,干涉量測 器件、線性編碼器或電容性感測器),基板台贾了可準確地 移動,例如,以使不同目標部分c定位在輻射光束B之路 徑中。類似地,第一定位器PM及另一位置感測器IFi可用 以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於 輻射光束B之路徑而準確地定位光罩MA。_般而言,可馮 藉形成第一定位器P Μ之部分的長衝程模組(粗略定位)及短 衝程模組(精細定位)來實現光罩SMT之移動。類似地,可 使用形成第二定位器P W之部分的長衝程模組及短衝程模 組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情 況下,光罩台MT可僅連接至短衝程致動器,或可為固定 的。可使用光罩對準標記Ml、M2及基板對準標記?1、p2 來對準光罩ΜΑ及基板W。儘管如所說明之基板對準標記 佔用專用目標部分,但其可位於目標部分之間的空間中 (此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地,在一個以上 晶粒提供於光罩隐上之情形中,光罩對準標記可位於該 專晶粒之間。 147210.doc 201044122 根據本發明之一實施例的偵測器D提供於基板台WT中。 下文進一步描述該偵測器。 所描繪裝置2可用於以下模式中之至少一者中: 1·在步進模式中,在將被賦予至輻射光束之整個圖案 一次性投影至目標部分C上時,使光罩台MT及基板台资 保持基本上靜止(亦即,單次靜態曝光)。接著,使基板台 WT在基板之平面中移位,使得可曝光不同目標部分c。在 /進模式中’曝光%之最大大小限制單次靜態曝光中所成 像之目標部分c的大小。 .你外彳田供,在將被賦予至輻射光束之圖案投, 至目㈣分C上時,同步地掃描光罩台MT及基板台资(功 即,單次動態曝光)。可藉由投影系統^之放大率(縮小率 及影像反轉特性來判定基板台”相對於光罩台Μτ之速肩 及方向。在掃描模式中,曝光場之最大大小限制單次動能 曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上),而掃描料 之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。 至3目二二模式中,在將被賦予至11射光束之圖案投影 至目t部分c上時,使光罩台町保持基本上靜止,從而固
持可私式化圖案化器件,且移動或掃描基板台WT
模式中’通常使用脈衝式輻射源,且在基板台WT 移動之後或在掃描期間㈣次㈣脈衝之間 新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應 程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型呈: 面陣列)之無光罩微影。 式化鏡 147210.doc 201044122 亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或 完全不同的使用模式。 圖2更a羊細地展示根據本發明之一實施例的投影系統 PS杈衫系統PS包含六個鏡面Ui16,鏡面丨丨至“經配置 &將經圖案化輕射光束B自圖案化器件MA投影至基板w 上。 在圖2中(及在後續圖中)指示笛卡爾(Cartesian)座標。為 〇 了便於理解,可認為2方向垂直地向上,其中X方向及y方 向係水平的。然而,笛卡爾座標不限於此形式,且可定向 於任何適當方向上。 在此貫例中,技景^系統pS之第一鏡面1丨接收輻射光束 B,且經配置以將輻射光束對角地向上引導至投影系統之 第二鏡面12。第二鏡面12經配置以將輻射光束8對角地向 下引導至第二鏡面13,第三鏡面13經定位成鄰近於第二鏡 面12。第三鏡面13經配置以將輻射光束B對角地向上引導 〇 至第四鏡面14。第四鏡面14經配置以將輻射光束B對角地 向下引導朝向第五鏡面I5。第五鏡面15經配置以將輻射光 束B對角地向上引導朝向第六鏡面16。該第六鏡面經配置 • 以將輻射光束引導至基板W上。 ^ 在一實例中’鏡面11至16中之一或多者可為彎曲的。舉 例而言’第六鏡面16可為凹形的。第六鏡面16之曲率半徑 可與投影系統PS之數值孔控成比例’及/或與在第六鏡面 與基板W之間的距離成比例。第六鏡面16之直徑可關聯於 在第六鏡面與基板W之間的距離(較大距離引起較大直 147210.doc -11 - 201044122 徑)。 在此實例中技衫系統Ps之鏡面u 16的組合效應係在 基板W上形成圖案化器件MA之影像。可能為如下情況: 形成於基板W上之$像不精確地對應於圖案化器件mA上 之圖案。舉例而言’圖案化器件MA可包括所謂的辅助特 铽。亥等辅助特徵有助於在基板评上形成圖案特徵且其不 為在基板上所見之其本身。 在實施例中,第六鏡面16經組態成使得其可在圖案至
土板W上之杈衫期間被致動於ζ方向上。藉由雙頭式箭頭A 來指示第六鏡面16之移動。在圖案至基板W上之投影期間 於Z方向上移動第六鏡面16會增加投影系統ps之有效聚隹 深度。 … 已知的係藉由使基板台傾斜來增加習知(非euv)微影裴 f之投影系統之聚焦深度(該傾斜係圍繞橫向於基板台之 掃描方向的軸線)。此傾斜具有如下效應:導致曝光輕射 在ζ方向上入射於基板上之各種位置處,藉此提供有效聚 焦深度之增加。以此方式使基板台傾斜不會顯著地減小將 圖案形成於基板上之準;度。此係因為藉由微影裝置所照 明之曝光區域的形狀相對於傾斜之軸線對稱(術語「曝光 區域」指代藉由輻射光束所照明的基板之區域)。 ^看圖2,本發明之實施例之EUV微影裝置之基板台wt 的掃描方向可為7方向。曝光區域可具有圍繞延伸於父方向 上之軸線不對稱的形狀。由於對稱性之此缺乏,基板台 WT之傾斜將顯著地減小將圖案投影至基板W上之準確 1472】 0.doc 201044122 度。本發明之實施例藉由使用完全不同之方法(亦即,經 由第六鏡面16在ζ方向上之移動)來增加投影系統ps之聚焦 深度而解決此問題。 圖3示意性地展示根據本發明之一實施例的投影系統p s 之曝光區域20之一實例。在此實例中,曝光區域2〇具有彎 曲形狀。自圓3可看出,曝光區域2〇圍繞延伸於乂方向上之 軸線不對稱。曝光區域20之寬度被指示為〇。
在-實例中,在微影裝置之操作期間,基板台·(見圖 W在掃描運動中移動於y方向上(術語「掃描料」意欲意 谓以穩定速度之運動)。圖3中藉由箭頭3來指示此運動。 由於此掃描運動,曝光區域2G移動遍及基板之表面。舉例 ^言:#光區域可相對於基板移動距離D,如藉由已位移 曝光區域20a所表示。 動:離,第六鏡面16可經組態成使得其在基板评移 費之時f”即’移動等於曝光區域20之寬度的距離)所花 費之時間期間於z方向上行進通過一移動循環(… ::ment)。術語「移動循環」意欲意謂第六鏡面16自一 起點移動、通過在 點。 在2方向上之—位置範圍且返回至該起 費之可經組態成使得其在基板你移動距離D所花 而言,㈣IS方向上行進通過複數個移動循環。舉例 何其他=可為2個循環、6個循一環或任 在一實例中,第六鏡面16之2位置可遵循正弦量變曲線 147210.doc •13- 201044122 (slnusoidai profile) 〇 第丄於 處於移動循環之頂置 瞬時地加速至特定針對將第六鏡面16 ^ 度之需要(在移動循環之頂部或底邻 處鏡面之起始速度為零)。 在一實例令,在ζ方向 至其祐弟八鏡面16之移動可引起投影 ^基板W上之影像在π向上之非想要 ^ 域之y方向平移)。舉例而 U於曝Μ 奈米之致動可引起影像在上 == 〇 二=除(或顯著地減小)影像之非想要的卿移千 弟^鏡面16可經組態以在 夕 旋轉。嗲旌鐘叮图法 冑於2方向上的同時經歷某種 ^ ^轉可圍繞延伸於^向上之行。 了、&配置U貫質上補償影像之非想要的y方向 不存在影像之淨方向平 夕 侍 方向平銘、 千移(或存在影像之顯著減小量心 R二二可A旋轉與2方向移動。此可表達為 轉,Ai 圍繞X抽及相對於㈣的第六鏡面之旋 轉z為相對於中間位置的第丄_ 常數。 1的弟,、鏡面之4向位移,且A為
Q f根據本發明之—實施例的在— 面16之移動,連_繞延伸於4向上之軸線的第 Sa t傾斜。在此實例中,第六鏡面始於初始位: :“立置16a處於弟六鏡面之移動循環 之角度α傾斜。第六鏡面通過中間= 之:動:,:广底w 移動一的底部。在中間位置16b處,第六鏡面之傾斜 I47210.doc * 14 - 201044122 .Γ第零二即,不存在相對於y軸之傾斜)。在底部位置-弟/、鏡面以相對於y轴之角度-«傾斜。 鏡面返回至頂部位置16a,藉此完成在z方 循環且完成一傾屏宁& π s 移動 •专貝斜疋向循環。術語「傾斜定向循環」意欲 .鏡面16自-起始定向移動、通過一傾斜範圍且返 回至該起始定向。 動彳中’第六鏡面16可經組態成使得其在基板卿 €) ㈣,移動等於曝光區域20之寬度的距離)所花 費之時間期間傳遞通過一傾斜定向循環。第六鏡面16可經 組怨成使得其在基板w移動距離〇所花費之時間期間行進 通過複數個傾斜定向循環。舉例而言,循環之數目可為η 個循環,或任何其他適當數目。 再次參看圖3,歸因於在2方向上的第六鏡面此移動, 在曝光區域20之外部部分21處可能會發生影像之某種非想 要放大。舉例而言,沿著X軸可能存在放大之放大誤差, ❹此導致影像之非想要放大。放大誤差可與第六鏡面16之2 移動成比例。此非想要放大之效應為在曝光期間沿著圓案 影像之X方向的衰退。所得對比度損耗可又導致經印刷特 徵之臨界尺寸誤差。可藉由調整傳送至曝光區域20之輕射 強度來補償此非想要放大之此效應。舉例而言,曝光區域 之外部部分21中的輕射強度可大於曝光區域之中心處的輕 射強度。輻射強度之此增加抵消非想要放大之效應(例 如,減小曝光區域之外部部分21處的臨界尺寸)。 在一實例中’可藉由將不透明指狀物(〇paque如㈣引 147210.doc -15- 201044122 入至輻射光束中來調整傳送至曝光區域21之輻射強度,藉 此減小在特定空間部位處輻射光束之強度。舉例而言,不 透明指狀物可位於投影系統PS外部,接近於圖案化器件 MA。在一實施例中,為了向曝光區域2〇之外部部分21提 供強度高於向曝光區域之其他部分所提供之輻射強度的輕 射’使用不透明指狀物來減小曝光區域之該等其他部分中 的輻射強度。 在一實例中,第六鏡面16可(例如)被致動通過約2〇〇奈 米之移動範圍(例如,中心位置之任一側被致動通過約1〇〇 奈米)。第六鏡面之傾斜可足以補償每1〇〇奈米的第六鏡面 之z方向移動約15奈米(例如,總計約3〇奈米)的在y方向上 〜像之平移舉例而s,第六鏡面之傾斜可為每1 〇 〇奈米 之Z方向移動約10奈弧度(nrad)(例如,中心位置之任—側 傾斜約10奈弧度)。 基板台wt之掃描速度可(例如)為約25〇毫米/秒且曝光 區域20之寬度D可(例如)為約14毫米。因此,基板台冒了移 動距離D所花費之時間將為約5 6毫秒。在z方向上的第六 鏡面16之一移動循環及一對應傾斜循環可以約5·6毫秒發 生。此對應於约178赫茲之頻率。 在一貫例中,可藉由致動器3〇來調整第六鏡面16之位置 及定向,致動器30可藉由控制系統31控制。控制系統叫 包含低頻組件及高頻組件。低頻組件可用於(例如)以校正 投影系統PS之緩慢變化之光學屬性的方式來移動第六鏡面 .高頻組件可用於以上述方式在ζ方向上移動第六鏡面 147210.doc -16· 201044122 • 16且圍繞x軸旋轉第六鏡面16。 圖5展示根據本發明之一實施例的控制系統3丨之實例。 控制系統3 1之低頻組件係由點線lf環繞,且高頻組件係由 虛線HF環繞。 在此實例中,低頻組件包含第一設定點產生器1〇〇及第 一前饋控制器102 ^高頻組件HF包含第二設定點產生器1〇3 及第二前饋控制器104。設定點產生器100、ι〇3兩者均將 輸入提供至回饋控制器ιοί,回饋控制器ιοί連接至第六鏡 ^ 面 16。 在此貫例中,在使用中,比較第一設定點產生器J 0 i及 第二設定點產生器1〇3之組合位置輸出pSPG、pFD與第六 鏡面16之實際位置協定(positi〇n pact),且將差£傳遞至回 饋控制器ιοί。回饋控制器101產生輸出FFB,輸出ffb用 以相應地調整第六鏡面16之位置。 在一實例中,第一前饋控制器102使用第一設定點產生 Q 器1〇0之加速度量變曲線輸出aSPG以產生位置調整輸出。 第二前饋控制器104使用第二設定點產生器1〇3之加速度量 變曲線輸出aFD以產生額外位置調整輸出。組合此等輸出 . 且將其添加至來自回饋控制器101之輸出’以提供調整第 . 六鏡面16之位置的組合輸出。 在貫施例中,第六鏡面具有靜止的中心位置(圖4中之 位置16b)。第一设定點產生器i 及前饋控制器^ 提供輸 出信號,該等輪出信號將第六鏡面移動至(例如)在中心位 置(圖4令之位置16a)上方約1〇〇奈米。此位置i6a為第六鏡 147210.doc -17· 201044122 面16之初始位置。第二設定點產生器丨及前饋控制器1 輸出信號’該等信號以(例如)178赫兹之頻率將第六鏡面移 動至在中心位置(圖4中之位置16c)下方約200奈米且返回至 初始位置’等等。第二設定點產生器1〇3及前饋控制器⑽ 亦導致第六鏡面以對應頻率貫穿相對於_之所要角度而 傾斜。 又 ^ 一貫例中’在基板W之目標部分c(見圖υ之曝光開始 之别,將第六鏡面移動至初始位置16a。當基板之目標部 为之曝光開始時,第六鏡面通過圖4所示之位置循環的移 動開始。 在-實例中’高頻組件103、104可經配置以在特定頻率 I#作。舉例而言’該頻率可在基板台WT移動對應於曝 -區域20(見圖3)之寬度的距離所花費的時間期間提供一或 夕個移動循環。在特定頻率下操作高頻組件103、1〇4可提 供如下優點··有可能 有了此判疋進入弟六鏡面之其他自由度中的 限=)串擾且補償此串擾(串擾可能起因於第六鏡面之有 率之操作頻率可變化。舉例而言,該操作頻 ^ 〇案至基板上之投影可不同。舉例而言,當投 二第:案時’可使用基板台资之第—掃描速度,且當 又:圖案時,可使用基板台资之第二不同掃描速 :寬^地:當投影第-圖案及第二圖㈣,曝光區域2。 得二:问。可調整高頻組件103、1〇4之操作頻率,使 “鏡面之移動及傾斜以對應於等於曝光區域之寬度之 147210.doc 201044122 .基板移動的猶環發生。若改變高頻系統之操作頻率,則亦 可相應地修改串擾之補償。 在以上描述中,已將第六鏡面16之移動描述為處於Z方 .肖上。術語「Z方向」可被理解為意謂實質上垂直於基板 W之表面的方向。
在以上描述中,已將第六鏡面16之旋轉描述為圍繞X 軸。術語「X軸」可被理解為意謂實質上垂直於基板台资 之掃描運動方向的軸線。 〇 & 儘官有可能藉由移動其他鏡中之一者來增加由 f影系統PS所提供之有效聚焦深度,但該等鏡面中之一或 f者之移動可能引起投影至基板上之影像的實質上失真或 貫質上非想要平移。在-實施例中,第六鏡面16之移動因 此係較佳的。 本發明之上述實施例係關於一種包含六個鏡面丨丨至“之 投影系統。然而,該投影系統可包含任何其他適當數目之 〇 鏡面。舉例而言,投影系統可包含4個或4個以上鏡面。投 影系統可包含8個或8個以下鏡面。在每一情況下,其為複 數個鏡面中之最終鏡面(亦即,將圖案引導至基板上之鏡 面)’該最終鏡面移動於z方向上且旋轉。 本發明之上述實施例係關於一種在掃描模式中操作之微 衫裝置(在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分c上 時,同步地掃描光罩台Μτ及基板sWT)e然而,本發明之 實施例亦、可用於在步進模式中操作之微影裝置中(在將被 賦予至輻射光束之整個圖案—次性投影至目標部分0上 147210.doc -19· 201044122 吩,使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止)。在此情況 下,微影裝置可具有類似於圖2所示之投影系統的投影系 統ps。第六鏡面16可移動於2方向上,且可圍繞延伸於X方 向上之軸線旋轉(以便補償投影至基板W上之影像在y方向 上之非想要平移)。可使第六鏡面之旋轉與第六鏡面之4
向移動同步。第六鏡面16可經組態成使得其在目標部分C 被^所花費之時間期間於z方向上行進通過複數個移動 擔%。類似地’第六鏡面16可經組態成使得其在目標部分 C被曝光所花費之時間期間行進通過複數個旋轉循環。舉 例而言,循環之數目可為2個循環、6個循環、12個循環, 或任何其他適當數目。 在以上描述中,街古五「ρΤτΛ
^°° Ευν」意欲指代極紫外線輻射。 儘管微影裝置中$搞I 备' 外線輻射通常係以約13 · 5奈米為中 =但術語「極紫外線輕射」可涵蓋其他波長(例如,在$ 不米至20奈米之範圍内的波長)。 儘管在本文中可特定地參考微影裝置在積體電路製造中 應用,諸如製造整述之微影裝置可具有其他 摘測圖案、平㈣^予^於磁噚記憶體之導引及 等等。 、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭, 應瞭解’[實施方式1查γΓ 要]章節意欲_解容]及[中文發明 發明摘w章節I專利乾圍。[發明内容]及[中 ]述如由發明人所預期的本發明之一 147210.doc -20* 201044122 乡個而非所有例示性實施例,且因此,不意欲以任何方式 來限制本發明及附加申請專利範圍。 大 上文已憑藉說明指定功能及其關係之實施的功能建置區 -&來描述本發明。本文中6為了便於描述而任意地界定此 ,建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關 係,便可界定替代邊界。 /、關 特定實施例之前述描述將因此充分地揭露本發明之—般 ❹擁:在不脫離本發明之—般概念的情況下,其他人可藉 由應用熟習此項技術者之知識針對各種應用而容易地修^ 及/或調適此等特定實施例,而無不當實驗。因此,基於 本文:所呈現之教示及指導,此等調適及修改意欲係在所 厂、只她例之等效物的意義及範圍内。應理解,本文中之 措辭或術語係出於描述而非限制之目的,使得本說明金之 術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該 行解釋。 〇 本發月之廣度及範彆不應由上述例示性實施例中之任一 者限制,而應僅根據以下申請專利範圍及其等效物進行界 定。 1 【圖式簡單說明】 圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置,· 圖2為圖丨之微影裝置之更詳細的示意性說明; 圖3不意性地描繪根據本發明之一實施例的藉由微影裝 置所照明之曝光區域; 圖4示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置之 1472l0.doc •21 · 201044122 鏡面之移動;及 圖5示意性地描繪根據本發明之 控制系統。 實施例的微影裝置之 根據上文在結合該等圖式時所 闡述之實施方式,本發明 之特徵及優點將變得更顯 件符號始終識別對應元件 而易見,在該等圖式中,相似元 。在該等圖式中,相似元件符號 通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。一 儿件第一次出現時之圖式係藉由對應元件符號中之最左邊 數位進行指示。 【主要元件符號說明】 2 微影裝置 11 第一鏡面 12 第二鏡面 13 第三鏡面 14 第四鏡面 15 弟五鏡面 16 第六鏡面 16a 初始位置/頂部位置 16b 中間位置 16c 底部位置 20 曝光區域 20a 已位移曝光區域 21 曝光區域之外部部分 30 致動器 147210.doc •22· 201044122 31 控制系統 100 第一設定點產生器 101 回饋控制器 102 第一前饋控制器 103 第二設定點產生器/高頻組件 ' 104 第二前饋控制器/高頻組件 B 輻射光束 C 目標部分 O ifi 位置感測器 IF2 位置感測器 IL 照明系統/照明器 Ml 光罩對準標記 M2 光罩對準標記 MA 圖案化器件/光罩 MT 支撐結構/光罩台 〇 P1 基板對準標記 P2 基板對準標記 PM 第一定位器 . PS 投影系統 PW 第二定位器 so 收集器總成/輻射源 w 基板 WT 基板台 147210.doc -23-

Claims (1)

  1. 201044122 七、申請專利範圍: 1. 一種使用一EUV微影裝置將一經圖案化輻射光束投影至 一基板上之方法,該EUV微影裝置具有包含複數個鏡面 之一投影系統’該方法包含: Ο 使用該投影系統以將該經圖案化輻射光束投影至該基 板上,同時在實質上垂直於該基板之表面的—方向上移 動"亥技衫系統之一最終鏡面,及旋轉該最終鏡面以實質 上補償歸因於該鏡面之該移動而致使在該基板上該經投 〜之Ik圖案化輻射光束之非想要平移。 2. 如請求項1之方法,其中使該最終鏡面之該旋轉與該最 終鏡面之該移動同步。 3·=求項1或2之方法,其中該微影裝置為一掃描裝置, ::拖裝置在—掃描移動中相對於該投影系統來移動該 :板’且該最終鏡面之該旋轉係圍繞實 板之該掃描移動方向的一輔線而進行。 、該基 I 2=之方法,其中一曝光區域之外部部分處的 度。a大於該曝光區域之其他部分處的一輻射強 1 二方二’τ其中該基板之該掃描移動的速度係 圖案化:::nr移動對應於藉由該經 且其中在該時間週期;;;曝光區域之寬度的一距離, 通過-或多個移動循環=該最終鏡面自一初始位置 置且返回至該初始位置,該最終鏡面在該時間週期丁 147210.doc 201044122 結束時返回至該初始位置。 6. ^請求項3之方法’其中該基板之卿描移動 圖索^ ,祕板移動對應於藉由該經 =匕轄射光束所界定之一曝光區域之寬度的—距離, :中在該時間週期丁期間’該最終鏡面自一初始定向 心1多個W循環而移動至—經旋轉定向且返回至 心始定向’該最終鏡面在該時間週射結束時返回至 該初始定向。 I 項1或2之方法,其中該基板之位置在-目標部分 *先期間相對於該投影系統固^,該目標部分之該曝 光遍及—時間週期τ發生,且其中在該時間週期丁期間;*、 5亥取終鏡面自一初始位置通過-或多個移動循環而移動 至自該初始位置所位移之位置且返回至該初始位置1 最終鏡面在該時間週期丁結束時返回至該初始位置。 8.如請求項2之方法,其中該基板之位置在—目標部分之 曝光期間相對於該投影系統固定,該目標部分之該曝光 遍及—時間週射發生,且其中在該時間週期丁期^、該 :終鏡面自一初始定向通過一或多個定向循環而移動至 一經旋轉定向且返回至該初始定向’該最終鏡面在該時 間週期Τ結束時返回至該初始定向。 9.如請求項5之方法,其中該最終鏡面之該初始位置處於 位置範圍之一極端,該最終鏡面在該最終鏡面之一移 動循環期間傳遞通過該位置範圍。 1〇*如請求項1或2之方法,其中該投影系統包含至少4個鏡 147210.doc 201044122 面 Π·如請求項1〇之方法,其中該投影系統包含6個鏡面。 12. 一種咖微影裝置,其包含:―投影系統,其具有複數 ㈣面;及一基板台,其經組態以支撐-基板,該投影 系統之-最終鏡面經配置以將-經圖案化輻射光束引導 至該基板上,其中«置進—步包含„致動器,該致動 器經組態以在實質上垂直於該基板之表面的一方向上移 Ο 動该投影系統之該最終鏡面’且經組態成以—方式來旋 轉該最終鏡面,該方式將實質上補償歸因於該鏡面之該 移動而致使在該基板上該經投影之經㈣化輻射光束之 非想要平移。 如請求項12之裝置,其中該致動器經組態以使該最終鏡 面之該旋轉與該最終鏡面之該移動同步。 14. 如請求項12或13之裝置,其中該微影裝置為_掃描裝 置,該掃描裝置經配置以在一掃描移動中相對於該投影 Q 系統來移動該基板,且該最終鏡面之該旋轉係圍繞實質 上垂直於该基板之該掃描移動方向的一軸線而進行。 15. 如請求項12或π之裝置,其中該致動器經組態成使得該 最終鏡面之一初始位置處於一位置範圍之一極端,該最 終鏡面在該最終鏡面之一移動循環期間傳遞通過該位置 範圍。 16.如請求項12或13之裝置,其中該投影系統包含至少4個 鏡面。 17·如請求項16之裝置,其中該投影系統包含6個鏡面。 1472l0.doc 201044122 18·如研求項12或13之裝置,其中該致動器係藉由―控制系 統控制,該控制系統包含高頻組件及低頻組件。 19. 一種方法,其包含: 使用-投影系統以將—經圖案化光束投影至一基板 上;及 旦在實質上垂直於該基板之一表面的一方向上移動該投 影系統之一鏡面, 藉以,該鏡面之旋轉實質上補償歸因於該鏡面之該移 動而致使在該基板上該經圖案化光束之非想要平移。 2〇·如請求項19之方法,其進—步包含使該鏡面之該旋轉與 s亥鏡面之該移動同步。 2 1 ·如請求項1 9之方法,中料旦〈驻 -中诞衫裝置為-掃描裝置,該掃 W置在-掃㈣料相料該投㈣絲移動該基 板乂該最終鏡面之該旋轉係圍繞實質上垂直於該基板 之该掃描移動方向的一軸線而進行。 θ长項19之方法,其中一曝光區域之外部部分處的一 =度大於該曝光區域之其他部分處的—韓射強度。 23.如凊求項22之方法,其中: 該基板之該掃描移動的速度係使得在一時間週期 間,該基板移動對應於藉由該經圖案化光束所界定之— 曝光區域之寬度的一距離;且 在該時間週期T期間,該鏡面自一初始位 多個移動循環而移動至自該初始位置所位移之位置且X 回至該初始位置,該鏡面在該時間週期丁結束時返二 I47210.doc 201044122 該初始位置。 24.如請求項22之方法,其中: 該基板之該掃描移動的速度係使得在一時間週期τ期 間,該基板移動對應於藉由該,經圖案化光束所界定之— 曝光區域之寬度的一距離;且 在該時間週期τ期間,該鏡面自—初始定向通過_或 多個定向循環而移動至一經旋轉定向且返回至該初始定 肖’該鏡面在該時間週期T結束時返回至該初始定向。 2 5.如請求項19之方法,其中: 該基板之位置在一目標部分之曝光期間相對於該投影 系統固定; / 該目標部分之該曝光遍及一時間週期丁發生;且 在該時間週期T期間,該鏡面自一初始位置通過—或 多個移動循環而移動至自該初始位置所位移之位置且返 回至該㈣位置,該鏡面在該時間週期了結束時返回至 ❹ 該初始位置。 26.如請求項20之方法,其中: -亥基板之位置在-目標部分之曝光期間相對於該投影 系統固定; "衾目軚部分之該曝光遍及一時間週期τ發生;且 在該時間週期T期間,該鏡面自一初始定向通過一或 多個定向循環而移動至一經旋轉定向且返回至該初始定 肖’該鏡面在該時間週期T結束時返回至該初始定向。 .27·如請求項23之方法,其中該鏡面之該初始位置處於一位 147210.doc 201044122 移動循環期 置範圍之一極端,該鏡面在該鏡面之 遞通過該位置範圍。 間傳 4個鏡 28.如請求項19之方法,其中該投影系統包含至小 面 29·如請求項28之方法,其中該投影系統包含6個鏡面 30_ —種EUV微影裝置,其包含: 面為—最$ 一投影系統,其具有複數個鏡面,— 終 面; 一基板台’其經組態以支撐一基板;及 一致動器, 其中δ亥複數個鏡面中之—蠢炊於品3 - 〈&終鏡面經配置以將—細 案化光束引導至該基板上, ,,、二 其中該致動器經組態以在實質上垂直於該基 =二向上移動該最終鏡面且以一方式來旋轉I 面’该方式將實質上補償歸因於該最終鏡面之”動 ==基板上該經圖案化韓射光束之非移。 3 1 ·如凊未項30之裝置,1 ^ 罝/、中&亥致動器經組態以使該最玖^ 該旋轉與該最終鏡面之該移_步。 ς 32.如請求項3〇之裝置,其中: 掃=^置為_掃描裝置,該掃“置_置《在-相對於該投影系統來移動該基板;且 婦描移動方向的—轴線而直於該基板之髮 33.如請求項3〇之裝置,其: ^致動器經組態成使得該最终 147210.doc 201044122 鏡面之〜初始位置處於一位置範圍之一極端,該最終鏡 面在該最終鏡面之一移動循環期間傳遞通過該位置範 圍。 34.如凊求項3〇之裝置,其中該投影系統包含至少4個鏡 面。 3 5.如睛求項3 4之裝 36.如請求項3〇之裝 制,該控制系統
    置,其中該投影系統包含6個鏡面。 置,其中該致動器係藉由一控制系統控 包含向頻組件及低頻組件。
    147210.doc
TW099110622A 2009-04-27 2010-04-06 Lithographic apparatus and method TW201044122A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17288609P 2009-04-27 2009-04-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201044122A true TW201044122A (en) 2010-12-16

Family

ID=42225080

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099110622A TW201044122A (en) 2009-04-27 2010-04-06 Lithographic apparatus and method

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20120044471A1 (zh)
JP (1) JP2012524988A (zh)
KR (1) KR20120020135A (zh)
CN (1) CN102414623A (zh)
NL (1) NL2004425A (zh)
TW (1) TW201044122A (zh)
WO (1) WO2010124903A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105954979A (zh) * 2016-07-13 2016-09-21 无锡宏纳科技有限公司 通过移动透镜进行光刻的方法
CN105929641A (zh) * 2016-07-13 2016-09-07 无锡宏纳科技有限公司 透镜可移动的光刻机
CN105954978A (zh) * 2016-07-13 2016-09-21 无锡宏纳科技有限公司 透镜可移动的浸入式光刻机
CN105974749A (zh) * 2016-07-13 2016-09-28 无锡宏纳科技有限公司 通过浸入式光刻机进行光刻的方法
US10775700B2 (en) 2018-08-14 2020-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography system and method for exposing wafer

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4708420A (en) * 1984-05-24 1987-11-24 The Commonwealth Of Australia Focal plane scanning device
JP2714838B2 (ja) * 1989-01-09 1998-02-16 コニカ株式会社 電子写真感光体
JPH0490552A (ja) * 1990-08-02 1992-03-24 Canon Inc 露光装置
JPH05343283A (ja) * 1992-06-04 1993-12-24 Hitachi Ltd 半導体露光装置
JP3028028B2 (ja) * 1994-04-22 2000-04-04 キヤノン株式会社 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JP3231241B2 (ja) * 1996-05-01 2001-11-19 キヤノン株式会社 X線縮小露光装置、及び該装置を用いた半導体製造方法
US6147818A (en) * 1998-12-21 2000-11-14 The Regents Of The University Of California Projection optics box
DE10134387A1 (de) * 2001-07-14 2003-01-23 Zeiss Carl Optisches System mit mehreren optischen Elementen
JP4146673B2 (ja) * 2002-06-18 2008-09-10 株式会社 液晶先端技術開発センター 露光方法及び装置
CN1466001A (zh) * 2002-06-24 2004-01-07 中国科学院光电技术研究所 自适应全反射极紫外投影光刻物镜
JP4497831B2 (ja) * 2003-04-15 2010-07-07 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
US7760452B2 (en) * 2003-04-25 2010-07-20 Canon Kabushiki Kaisha Driving apparatus, optical system, exposure apparatus and device fabrication method
JP4378109B2 (ja) * 2003-05-30 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置、投影光学系、デバイスの製造方法
JP2004140390A (ja) * 2003-12-01 2004-05-13 Canon Inc 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP4893310B2 (ja) * 2004-10-26 2012-03-07 株式会社ニコン 光学装置、鏡筒、露光装置、及びデバイスの製造方法
US7307262B2 (en) * 2004-12-23 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4817702B2 (ja) * 2005-04-14 2011-11-16 キヤノン株式会社 光学装置及びそれを備えた露光装置
WO2007086557A1 (ja) * 2006-01-30 2007-08-02 Nikon Corporation 光学部材保持装置、光学部材の位置調整方法、及び露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012524988A (ja) 2012-10-18
NL2004425A (en) 2010-10-28
WO2010124903A1 (en) 2010-11-04
CN102414623A (zh) 2012-04-11
US20120044471A1 (en) 2012-02-23
KR20120020135A (ko) 2012-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI422993B (zh) 照明系統及微影裝置
US10678152B2 (en) Layout method, mark detection method, exposure method, measurement device, exposure apparatus, and device manufacturing method
TW200944968A (en) Method and lithographic apparatus for measuring and acquiring height data relating to a substrate surface
TWI266963B (en) Method for exposing a substrate and lithographic projection apparatus
TWI417679B (zh) 微影裝置及圖案化元件
TWI519733B (zh) 照明系統、微影裝置及形成照明模式的方法
JP2006114899A (ja) リソグラフィ装置及び装置製造方法
TW201104366A (en) Optical apparatus, exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP3916877B2 (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれによって製造されたデバイス
TW201044122A (en) Lithographic apparatus and method
CN104094171B (zh) 包括用于保持物体的支撑件的光刻装置、以及用于在光刻装置中使用的支撑件
JP2019517022A (ja) リソグラフィ装置
JP4429267B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2009004775A (ja) リソグラフィ装置及び旋回式構造アセンブリ
JP5600138B2 (ja) 位置決めデバイス、位置決め方法及びデバイス製造方法
TW201109856A (en) Lithographic apparatus and method
JP4838295B2 (ja) パルス修正器、リソグラフィ装置
TWI437379B (zh) 照明系統及微影裝置
JP2005020012A (ja) 基板テーブル上に基板を位置決めする方法および装置
US7817246B2 (en) Optical apparatus
JP6243927B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP5127684B2 (ja) 露光スリットの形状が調整された、基板トポロジーによる焦点誤差の抑制を可能にするリソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP4902685B2 (ja) ステージシステム、当該ステージシステムを含むリソグラフィ装置、およびデバイス製造方法
JP2009105385A (ja) リソグラフィシステム、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP7519465B2 (ja) 高さ測定方法及び高さ測定システム