TW201038937A - Apparatus for marking defect dies on wafer - Google Patents

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201038937 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發縣有關於-種晶圓缺陷標示系統,特別是有關於—種應用於半 導體晶圓檢測中之晶圓缺陷標示系統。 【先前技術】 Ο
在半導體的晶圓製程中,晶圓切割前除了必須使用電性測試來測試晶 圓上曰曰粒(die)的良筹之外,之後還需要請操作員$晶圓上之晶粒進行外觀表 面之目視檢測’以確保晶粒的表面無刮傷、齡"等缺陷。通^^操作員係以 顯微鏡目視檢測晶圓上之晶粒,觀察到有缺陷之異料粒後,再根據此異 ^曰粒之位置而在—紙本晶關上找出其相對應之位置予以標示。當完成 日日圓之異爷晶粒在紙本晶圓圖之標示後,需再根據此紙本晶圓圖上異常 晶粒之位置--點人點除系統中,然而當紙本晶圓圖上之異常晶粒數量愈 多’使得操作員點除異常晶粒的時間則需愈長。 —因此’承上所述,操作員以目視標示異常晶粒在紙本晶圓圖的過程中, 谷易發生人為標示不清或錯誤,造成不良晶義的產生。並且,在晶粒尺 寸=展愈雄薄短小之今日’操作員更不易在紙本晶圓圖上找到相對應之 ’此將造成作餘_工且出錯率提高。最後,在完成紙本 日日後’需再_次以人工方式點除於點除系統中,此步驟更是需要再一 次花費作業時間及成本。 【發明内容】 ^了^決上述績技術不盡理想之處,本發明提供了—種晶圓缺陷標 ,軍L括承載平台、顯微細模組、讀取模組、第—運算模組、第二 、影像顯示模組、影像轉換模組、對位模組與晶粒缺陷標示模組。 :口係用以置放一晶圓。顯微觀測模組係提供操作員觀察承載平台上 之晶粒。觀峨纟跑含兩支光學尺,分顺置在承載平台之 3 201038937 水平位置,w產生供操作貞峨察之晶粒座標資料。讀取模組侧以讀取 晶圓之晶粒位置資料難。第-運算模組翁讀取模組所讀取之晶粒位置 ,料槽案二轉換成晶圓圖形資料,且此晶Μ形資料包含有其中各晶粒的 圖二^料〜像轉換模組將晶圓圖形資料轉麟應至影像顯示模组之 晶圓^示麟轉,且此齡座標龍包含有其中各晶_晶粒顯示 資料〜像‘.、,貞示模組侧以顯示晶圓顯示座標資料與其中各晶粒的晶 粒顯示座標資料。對賴組制以接收晶圓上各晶粒之晶粒座標資料,並 將此日曰粒座^料對應至影像顯示模組之晶_示座標資料,以進行晶圓 微觀賴組與影像顯稍組之座標對位。晶粒缺陷標示模組包含一缺 陷選項表’此缺闕項表包括多個晶粒缺陷屬性以供操作貞選擇,據此, 触操作員操觸微觀聰組觀察承載平台上之純上之特定晶粒,使此 特定Μ粒自動定位於純顯示模組,並絲作貞得以烟—指示工具在影 像顯不模組上縣上述之缺輯項表⑽定的晶粒缺闕性崎此特定晶 粒以進行缺陷標示。第二運算模組制以統計晶财各晶粒缺陷屬性的晶 粒數量與其中H靖應之晶粒位置資料,以產生―缺陷統計資料。藉由 上可供操作貞直接郷細稍組上進行缺陷晶粒 之‘不作業,且此晶圓缺陷標示系統進-步,可包含輸出模組,藉以輸出 晶圓之晶粒位置資料檔案與缺陷統計資料。 因此,本發明之主要目的係提供一種晶圓缺陷標示系統,用於晶圓表 面檢測’此晶圓缺陷標示系統中之缺陷選項表,包括多個晶粒缺陷屬性以 供操作員選擇。因此’操作員於目檢後,可以直接點選此缺闕項表,以 進行晶粒缺陷標讀業’可避免以人工方式在紙本晶關上點選所造成的 人為誤差,進而提高晶圓缺陷標示之正確性。 本&明之-人要目的係提供-種晶圓缺陷標示系統,用於晶圓表面檢 剩’此缺陷標示祕中之缺陷選項表,進—步包括多個分別對應於各 固曰曰粒缺陷屬性之顏色屬性’藉此可使操作員易於確認所點選之缺陷屬性 201038937 疋否正確’更可避免人為疏失,進而提高晶圓缺陷標示之處理效率。 本發月之另目的係提供一種晶圓缺陷標示系統,用於晶圓表面檢 t藉由縣轉賴組可將晶關形,轉換對應至影細示模組,使 付影像顯不模組可以顯示晶㈣形上各晶粒之顯示座標資料,故可不限任 曰曰粒尺寸自方便操作貞直接在影像顯示歡上進行賴標示作業。 Ο 本發明之再-目的係提供—種晶圓缺陷標示紐,用於晶圓表面檢 測’藉由第二運算模組,可用以統計晶圓中各晶粒缺陷屬性的晶粒數量與 其中各晶粒對應之晶粒位置資料,以產生—缺陷統計資料,可自動結算異 常晶粒總酿,以及計算最後良好晶減舰,明出貨使用。 【實施方式】 由於本發明係揭露-種晶圓缺陷標示系統,用於晶圓表面檢測,其令 晶圓晶粒測試原理、影像轉換及資料傳輸之基本原理與功能,已為相關技 術領域具有通常知識者日膽,故以下文巾之制,不再作完整描述。 同時’以下文中所對照之圖式,絲達與本發明特徵有關之結構示意,並 未亦不需要依據實際尺寸完整緣製,盍先敘明。 首先請參考第i目,係本發明提出之較佳實施例,為一種晶圓缺陷標 〇 示系統1GG ’糾於標示晶圓上具有缺陷之晶粒,此晶圓缺陷標示系 統100 ,包括承載平台卜顯微觀測模組2、讀取模、组3、第一運算模組4、 第=運算模組5、影像顯示模組6、影像轉換模組7、對位模組8與晶粒缺 陷才:不模組69。承載平台!係用以置放一晶圓2〇〇。顯微觀測模組2係提 供操作員觀察承載平台丨上之晶圓2⑻之晶粒,其中此顯微觀測模組2包 含兩支光學尺21,分別設置在賴平台i之水平位置上之水平方向H與垂 直方向v,藉以產生供操作員峨察之晶粒座標資料,而此晶 粒座標資料2〇l(Xlm,yim)進一步包含有水平χ軸資料及與其垂直之水平Y抽 資料。 上述之4取模組3為用以讀取晶圓200之晶粒位置資料播案1〇,此晶 5 201038937 粒位置資料難10可為事先建立之_種文字_extfile)。而第—運算模組 4係根據讀轉組3所讀取之晶粒位置資料翻1G,將越換成晶圓圖形 資料11,而此晶圓圖形資料11包含有其中各晶粒的晶粒圖形資料 UUXlr’yir)。 …接著,影像轉換模組7再將上述之晶_师料u轉換對應至影像顯 示模組6中之晶_示座標資料62,而此晶_示座標資料62包含有各晶 粒的Μ粒顯7F蘇資料621(Xid,yid)。此影細示模組6為用以顯示晶醜 示座標資料62與各晶粒的晶粒顯示座標資料似㈤如)。因此,在晶粒尺 寸發展愈益輕薄短小之今日,使用本發明之晶圓缺陷標示系統·,可不限 任日日粒尺彳’皆可方便操作員直接在影像顯示模組上進行缺陷標示作 業’以避免人工方式在紙本晶圓圖上點選所造成的耗時耗工且出錯率高。 德海此^為了使上述晶圓2〇0上各晶粒之晶粒座標資料2〇1(Xlm,yim)及影 $顯不馳6之晶粒顯示座標資料⑵⑹晶)可以彼此無誤的參照以確保 ^性,本發較用—對位模組8,其可接收晶圓上各晶粒之晶粒座 “料2〇1(Xlm,yin0,並將其對應至影像顯示模組6之晶粒顯示座標資料 621(x丨d,yld),以進行晶圓施在顯微觀測模組2與影像 1:=式可以是對位模組8根據顯微觀測模組 上方找出第-顆有效晶粒,以及根據影像顯示模組6之左 曰日 纟出―顆以上的有效晶粒以及根據影像顯示模组6找出 满峨繼.,鱗域組8之一對 位方式並不βχ限’只要可以符合本實施例之方式即可。 述之1圖中晶粒_示模組69部份之局部放大圖,上 这之aa粒缺純補組69包含—缺陷選項表92, 個晶粒缺赚93,娜··觸、断,、7貞表=包括多 同之晶粒缺陷屬性93以供操作員選擇 操多種不 只丁、上刼作時,操作員藉由 201038937 操作顯微觀戦組2觀穌齡台i之晶圓 S將會透過對位模組8自動定 议曰曰祖s則此特疋曰曰粒 _ a _ _ 、影像颁不模組6,此外,操作員可使用一 丨生93進祕Γ賴補組6上選取軸選項表92 _定的晶粒缺陷屬 ,而對特以日粒S以進行缺陷標示。而在影像顯示模組6上,更進
G
3供X叉的十子線61用以凸顯此特定晶粒8在影像顯示模組6上 之立目此’使用本發明之晶粒缺陷標示模組69,操作員於目檢後’可 以直接點選此缺陷選項表92,以進行晶粒缺關示作業,㈣避免以人工 方式在紙本晶Μ上點騎造成的人祕差。賴續參考第2圖,更進_ 步’此缺陷選項表92包括多個腕屬性94,其中各個顏色屬性94係分別 對應1各個Β日粒缺陷屬性93。重要的是,此晶粒缺陷標示模組69係以顏色 屬性標示在特定晶粒s在影像顯示模組6之晶粒顯示座標資料卿咖), 藉此可鶴^ #於確騎_之雜雜枝正確,_免人為疏失。 上述之々曰示工具64可以為滑鼠指標或數位板指標,此外,若影像顯示 模組6為觸控螢幕,則指示工具64為觸控工具。 上述之第二運算模組5為用以統計該晶圓2〇〇中各晶粒缺陷屬性%的 阳粒數量與其巾各晶粒對應之晶粒位置資料,以產生—缺賊計資料, 藉此’可自動結算異常晶粒總顆數及計算最後良好晶粒總顆數,以利 出知使用進步’此晶圓缺陷標示系統1〇〇包含一輸出模組9,藉以輸出 晶圓之晶粒位置資料檔案10與缺陷統計資料15。 以上所述僅為本發明之較佳實施例,並非用以限定本發明之申請專利 權利;同時以上的描述,對於熟知本技術領域之專門人士應可明瞭及實施, 因此其他未脫離本發明所揭示之精神下所完成的等效改變或修飾,均應包 含在申請專利範圍中。 【圖式簡單說明】 第1圖為一示意圖,係本發明提供之較佳實施例,為一種晶圓缺陷標 不系統。 7 201038937 第2圖為第1圖中晶粒缺陷標示模組之局部放大圖。 【主要元件符號說明】
晶圓缺陷標不系統 100 承載平台 1 顯微觀測模組 2 光學尺 21 晶粒座標資料 201 讀取模組 3 第一運算模組 4 第二運算模組 5 影像顯示模組 6 十字線 61 晶圓顯示座標資料 62 晶粒顯不座標資料 621 指示工具 64 晶粒缺陷標不核組 69 影像轉換模組 7 對位模組 8 輸出模組 9 缺陷選項表 92 缺陷屬性 93 顏色屬性 94 晶粒位置資料檔案 10 晶圓圖形資料 11 晶粒圖形資料 111 缺陷統計資料 15 晶圓 200 特定晶粒 S 水平方向 Η 垂直方向 V 8

Claims (1)

  1. 201038937 / 七、申請專利範圍: 1. 一種晶圓缺陷標示系統,用於標示一晶圓上具有缺陷之晶粒,該晶圓 缺陷標示系統包括: 一承載平台,用以置放一晶圓; 一顯微觀測模組,係提供操作員觀察該承載平台之晶圓上之晶粒; 其特徵在於: 該顯微觀測模組包含兩支光學尺,分別設置在該承載平台之水平位 置,以產生供操作員所觀察之晶粒座標資料;
    Ο 該晶圓缺陷標示系統進一步包含一讀取模組、一第一運算模組、一 第一運算模組、一影像顯示模組、一影像轉換模組、一對位模組與一 晶粒缺陷標示模組,其中, 該讀取模組用以讀取該晶圓之晶粒位置資料稽案; 該第-運算模組係將該讀取模組所讀取之該晶粒位置資料檀案,轉 換成晶圓圖形資料,且該晶圓_f料包含有其中各晶粒的晶粒圖形 資料; 該影像轉賴組將該晶Η卿資料轉換職至郷像齡模组之曰曰 圓顯示座標資料,且該晶醜示座標資料包含有其中各晶粒的晶粒^ 示座標資料; 該影像顯示模組用以顯示該晶圓顯示座標資料與其中各晶粒的晶教 顯示座標資料; 該對位模組㈣接收該晶圓上各晶粒之晶粒座歸料,並將其對應 至該影像齡池之晶賴綠歸料,錢_晶圓在觸微觀測 模組與该影像顯示模組之座標對位; 該晶粒缺陷標示模組包含—缺陷選項表,該缺陷選項表包括多個晶 ==^_嶋,觀,#峨嶋_觀測模組 傻顧二η七之晶圓上之特定晶粒’使該特定日日日粒自動定位於該影 像加她’並使操作·以—指紅具在該影像顯示模組上選取該 9 \ 201038937 缺陷選項表内特定的晶粒缺陷屬性而對該特定晶粒以進行缺陷標示; 以及 該第一運算模組用以統计該晶圓中各晶粒缺陷屬性的晶粒數量與其 中各晶粒對應之晶粒位置資料,以產生一缺陷統計資料。 2.依據申請專利範圍第1項之晶圓缺陷標示系統,該缺陷選項表更進一 步包括多個顏色屬性,其中各個顏色屬性係分別對應於各個晶粒缺陷 屬性。 3·依據巾請專概®第2項之晶圓缺陷標示系統,其巾該晶粒缺陷標示 模組係以顏色屬性標示在該特定晶粒在該影像顯示模組之晶粒顯示座 標。 4. 依射sf專利細第丨項之晶圓缺陷標示系統,其中該晶粒缺陷屬性 係選自於由該刮傷、髒污、針偏、異物與漏底材等所構成之群組。 5. 依據巾請專利細第1項之晶圓缺陷標示系統,其中該晶圓之晶粒座 標資料包含有水平X軸資料及與其垂直之水平γ軸資料。 6. 依據申請專利細第丨項之晶圓縣標示纽,#操作該顯微觀測模 、,且觀察該承載平台之晶圓上之特定晶粒時,該影像顯示模組更進一步 提供-交又的十字線,在該影像顯示模組上凸顯崎定晶粒。 7·依據申請專利範圍第i項之晶圓缺陷標示系統,其中該對位模組係根 據該顯纖測模組自該晶圓左上方找出之第一顆有效晶粒以及根據該 〜像顯不她之左上方之第—顆有效晶粒的晶粒顯示座標而進行 位置對位者。 μ 8.依據中請專利範圍第丨項之晶圓缺陷標示系統,其中 據該顯微觀測模組自該晶圓找出二顆以上的有效晶粒以及根據該^ 顯不模組找出二顆以上的有效晶粒的晶粒顯示座標而進行座標位置 位者。 1 9·依據中請專利細第丨項之晶陷標示纽,進_步包含—輸出模 201038937 組,藉以輸出該晶圓之晶粒位置資料檔案與缺陷統計資料。 10. 依據申請專利範圍第1項之晶圓缺陷標示系統,其中該指示工具為滑 鼠指標或數位板指標。 11. 依據申請專利範圍第1項之晶圓缺陷標示系統,其中該影像顯示模組 為觸控螢幕,該指示工具為觸控工具。
    11
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI779151B (zh) * 2018-01-05 2022-10-01 日商迪思科股份有限公司 加工方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6800859B1 (en) * 1998-12-28 2004-10-05 Hitachi, Ltd. Method and equipment for detecting pattern defect
EP1322941A2 (en) * 2000-10-02 2003-07-02 Applied Materials, Inc. Defect source identifier
US6882745B2 (en) * 2002-12-19 2005-04-19 Freescale Semiconductor, Inc. Method and apparatus for translating detected wafer defect coordinates to reticle coordinates using CAD data
TWI303392B (en) * 2004-12-08 2008-11-21 Marena Systems Corp A method and system for automatically focusing an image detector for defect detection and analysis
TWI268540B (en) * 2005-06-29 2006-12-11 Powerchip Semiconductor Corp Wafer defect detection methods and systems
JP2008203034A (ja) * 2007-02-19 2008-09-04 Olympus Corp 欠陥検出装置および欠陥検出方法
JP5022793B2 (ja) * 2007-07-02 2012-09-12 日東電工株式会社 半導体ウエハの欠陥位置検出方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI779151B (zh) * 2018-01-05 2022-10-01 日商迪思科股份有限公司 加工方法

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