TW201037846A - Method for producing a contact, a contact and solar cell comprising a contact - Google Patents

Method for producing a contact, a contact and solar cell comprising a contact Download PDF

Info

Publication number
TW201037846A
TW201037846A TW099102856A TW99102856A TW201037846A TW 201037846 A TW201037846 A TW 201037846A TW 099102856 A TW099102856 A TW 099102856A TW 99102856 A TW99102856 A TW 99102856A TW 201037846 A TW201037846 A TW 201037846A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
contact
metal
solar cell
reflective
Prior art date
Application number
TW099102856A
Other languages
English (en)
Inventor
Erik Sauar
Andreas Bentzen
Karl Ivar Lundahl
Original Assignee
Renewable Energy Corp Asa
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renewable Energy Corp Asa filed Critical Renewable Energy Corp Asa
Publication of TW201037846A publication Critical patent/TW201037846A/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02SGENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S40/00Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
    • H02S40/30Electrical components
    • H02S40/34Electrical components comprising specially adapted electrical connection means to be structurally associated with the PV module, e.g. junction boxes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0682Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

201037846 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於製造石夕太陽能電池背面之接點的方法。 本發明亦關於以此方法製造的接點和包含此接點的太陽 能電池。 【先前技術】 D 肖1]減每能篁單位的生產成本為太陽能電池產業的主要 目標。有三種方式可達成此目標。其一為減少生產成本, 另一為提高產品效率,第三為同時並行二者。 *提高太陽能電池效率的方式為使其能捕捉更多光。在 標準多晶矽太陽能電池中,太陽能電池的整個背部一般 覆蓋金屬(通常為鋁)。此構造的缺點為鋁/矽界面的鋁鈍 化性質很差,導致過多電荷載子復合而降低電流收集效 率。 〇 製造局部背部接點可避免上述實施太陽能電池完全金 屬化背面的缺點。此容許接點間的區域覆蓋鈍化層,進 而提高電流收集效率。 、此外局部背部接點還容許製造背部接觸太陽能電 池,其能避免遮蔽前側金屬接點。背側接點需隔開p_si 接點和n-Si接點。 為達上述所有目的,製造局部接點需要圖案化,且已 知背部接點電池設計大多需施予及㈣昂#的遮罩或使 4 201037846 用昂責的金屬隔開技術,因此製造昂貴。 本發明試圖藉著提供結構化矽表面來克服上述挑戰, 其中所有非矽表面變成接點隔開區域,而矽表面 金屬導體的基礎。 為 專利申請案W02008/039078A2描述具成本效益製造 背部接點矽太陽能電池的方法。在此方法中,鋁背部接 點塗舖在整個背面,隨後以適當方法隔開接點。 專利申請案W〇2〇06/U0〇48A1描述採用由矽碳底層 之無定形矽和無定形氮化矽頂層組成之鈍化層結構的方 法。 【發明内容】 根據本發明,提出製造用於矽太陽能電池之接點的方 法,其中方法包含塗鋪具交替p型與11型導電性之摻雜 區的石夕基板、或具P型或n型導電性的矽基板。方法包 Q 含下列步驟: a) >儿積純化層至石夕基板上; b) 提供至少一接點位置; ¢)提供圖案化裸露矽表面; d) 非選擇性沉積金屬層; e) 退火處理結構而形成金屬石夕化物; 0在步驟e)後,選擇性移除過量金屬; g)塗鋪金屬至矽化物上,以形成至少一接點。 5 201037846 根據本發明,提出一種接點於含石夕基板之太陽能電池 月面纟上塗舖純化層,且在待形成接點的區域部分移 除另外,接點包含設於石夕基板上或内的_化物區。 本發月之主要目的為提出具成本效益之處理太陽能電 池背面的方法,藉以製造至少一接點。 本發月之目的可由下述說明書、後附申請專利範圍和 所附圖式提及之特徵達成。 0 纟發月係關於利用澄式化學#刻步驟完成低溫石夕化物 形成及可此的接點間隙’以製造背部接點至太陽能電池 背面的方法。 本發明之方法採用設於太陽能電池背側的背部接點, 其亦具有前側接點、或其採用所有接點位置皆製作在背 側的太陽能電池。 本發明採用任何矽晶圓或薄膜當作吸收材料。吸收材 料於此將稱為,’基板,,。基板包括晶圓或單晶、微晶與多 © 晶矽薄層或臈、和任何已知且可想見的p與η摻雜區構 造。此包括以下構造’但不以此為限: _其中在η型矽(Si)的接點位於前側並以另一方法接 觸,在P型Si的接點位於太陽能電池背侧並以本發明所 述方法製造;或 -其中在P型Si的接點位於前側並以另一方法接觸, 在η型Si的接點位於太陽能電池背側並以本發明所述方 法製造;或 其中在η型Si的接點和在p型Si的接點均位於太 6 201037846 陽能電池背部並以本發明所述方法製造。 「正面」代表太陽能電池直接曝照太陽光的表面。「背 面」為正面的對側。「背部接點」意指接觸太陽能電池的 電接點’其位於太陽能電池背面。 「背部接觸太陽能電池」意指所有接點位置皆設於太 陽能電池背面。 「 p摻雜區」意指基板表面區域,其中造成正電載子 數量變多的摻雜材料添加到表面底下一定距離内的石夕材 料,進而形成表層具p型導電性的基板區域八n摻雜區_ _才曰基板表面區域,其中造成負電載子(移動電子)數量 、多的摻雜材料添加到表面底下一定距離内的石夕材料, 進而形成表層具!!型導電性的基板區域。 「正面接觸太陽能電池」意指太陽能電池具有設於正 面和背面的接點。 摻雜區可以下列任何製程或製程組合製作: _使摻雜材料從基板表面内擴散(i 表面底下一定距離内的基板; ^儿積適當摻雜之無定形矽、微晶 晶梦,「谪杳 ln~ciiffusi〇n)到基板
微晶石夕、奈米晶矽或結 至 lxl〇21cm-3 ; -利用加速摻質物種 以適當溫度進行熱處超 表示摻質濃度可隨厚度變化且值 化且值為 進行為擊來佈植摻f## :而電性活化石夕材料中的 、然後 中的摻質物 石夕材料 代表任何含矽材料, ,經適當熱處理後,其 7 201037846 矽化物。此包含結晶矽、無定 。矽材料可包括0-40原子%的 將與沉積金屬層形成金屬 形矽、微晶>5夕和奈米晶矽 氫。 接點位置」於 區域。此區域位於 型矽材料》 此意指基板表面待接觸太陽能電池的 η摻雜區、p摻雜區、n型矽材料或p
❹ 提供接點位置」表示處理結構使接點位置與待沉積 金=層間,僅接點位置頂部留有特料。重點在於不論 先前步驟如何,接點位置應只留有矽材料。 「矽化物」代表具有矽和更多正電元素的化合物。這 些元素一般例如為鎳、纪、鈦、銀、金、銘、銅、嫣、 釩、鉻。 裸露石夕表面」表示接觸周遭的矽材料。 「結構」代表處於任何處理步驟的裝置。 用於背部接觸太陽能電池的基板應具有至少一 ρ型和 n 5L導電性區域於其背側,但一般有數個具交替導電性 且呈叉合圖案的摻雜區。 本發明提出不論在應用本文所述方法前的正面處理如 何,用以製造太陽能電池之至少一背部接點的方法。本 發明更關於背部接點和包括背部接點的太陽能電池。 圖式顯示太陽能電池的正面面對頁面底部’背面面向 頁面頂部。圖式乃概要繪示,而非按比例繪製。在圖式 中,圖式顯示通常設於背部接觸太陽能電池的接點位 置。所附圖式顯示本發明之實施例。 201037846 【實施方式】 更詳細地說,本發明係關於製造用於石夕太陽能電池背 面之至少-接點的方法。方法包含塗舖具摻雜區的矽基 板2、接著沉積鈍化層3至碎基板2上(如帛^圖所示 在本文中,鈍化層3意指單-鈍化層或鈍化層堆叠結構。 以本發明方法製造的背部接點結構i包含沉積在矽基 〇 & 2上之鈍化層鈍化層3較佳包含氫化無定形砂 (.H)層4和氫化無定形氮化石夕層5。 /儿積鈍化層3後’藉由處理結構使接點位置與待沉積 金屬間只留切材料’以提供接點位置。此-般包含移 除位於定義成接點位置的任何非矽材料,例如 a SiNx.H。般來說,此步驟將構成開口 7的圖案供接 點形成。 至少一開口 7位於待製造至少一接點處。形成至少一 © 開口 7後’利用非選擇性方法,沉積金屬層8至結構1 非選擇性金屬沉積方法包含濺射或蒸錢,並且意指金 屬沉積在所有裸露表面。也可以非選擇性方式進行電鍍。 沉積金屬層8後,結構丨經退火處理(溫度處理卜矽 化物的形成溫度一般為⑽至55(rc,較佳為⑽至 500 C,更佳為275。(:至450°C,歷時5-60秒,此視使用 金屬而疋熱處理可包含隨時間線性或非線性變化的溫 201037846 度分布。溫度處理步驟例如由快速熱退火達成。 開口 7中的金屬層8與矽材料反應形成矽化物區9。 非石夕化物金屬可利用本發明所述實施例1之選擇性蝕刻 移除。石夕化物區9經電鍍或無電電鍍,以降低接點的電 阻。電鍵金屬例如為銅。 本發明亦提出一種太陽能電池,其包含根據本發明方 法製造的背部接點結構。 ❹ 純化層3的作用為藉由加強表面鈍化而增強矽結構的 電流收集性質。就一些應用而言,期提高背面反射率, 同時鈍化層3不單只做為通過矽基板2之光的最理想背 部反射器。在此例中,反射層6放置在鈍化層3的頂部, 並用以提高光子返回矽結構的背面反射率,進而增強矽 結構1的電流產生性質’如實施例2、3、4及5所述。 圖式顯示製造二接點的方法。然應強調此方法包含製 造一或多個接點。 © 纟本發明之第一實施例中,包含無定形矽底層和氮化 矽頂層的鈍化層3先沉積在矽基板2上。 接著,移除區域Α的氮化石夕層5而於至少—特定換雜 區13上方區域的氮化石夕層5中形成至少一開口 7,以提 供接點位置。在此製程中,如第lb圖所示,至少_開口 7内底下的無定形石夕層4亦部分或全部移除。如此 供接點位置。此外,亦同時提供圖案化裸露碎表面 除至;一 口 7内之無定形矽層4可以與移除至少 口 7内之氮化矽層5相同的步驟或以個別 2 10 201037846 後’如第lc圖所示,金Μ恳。、 隹屬層8沉積在鈍化層3上且至 填充至少一開口 7。填充音社„ 死意扎開口 7露出的矽全部或大 多被金屬8覆蓋。接著,如笛 , 有如第ld囷所示,矽結構1經適 當退火處理(溫度處理),以於 )以於金屬8接觸矽材料的區域 形成金屬料物9。然後,如第u圖所示,藉由選㈣ 餘刻金屬來移除未形成石夕化物9的金屬8而隔開接點。 鈍化層3-般包含氫化無定料(a_si:H)層或氫化無定 ❹ 〇 形氮化矽(a-SiNx:H)層。在;g:仙杳,,丄 ^隹具他實施例中,鈍化層3包含 a-Si:H層4和a-SiNx:I^5。在另一實施例中,純化们 包含a-Si:H層、a-SiNx:H層和a_Si:H層(從矽基板往上 算起)。本發明不限於這些材料。 在製造背部接點之方法的第二實施例中,如第2a圖所 示,圖案化反射層6沉積在具至少一開口 7的鈍化層3 上,開口 7界定待形成接點的位置。如第2b圖所示,開 口 7露出的鈍化層3全或大多被移除,此將詳述於後。 在區域A中,至少一開口 7内接觸周遭的整個氮化矽層 5和整個無定形矽層4已經移除。如此可形成接點位置。 此外,亦同時提供圖案化裸露矽表面。下一步驟涉及非 選擇性沉積金屬層8。接著,結構1經退火處理而於矽 基板2表面上或底下設置至少一開口 7處形成矽化物區 9 °然後,藉由選擇性蝕刻金屬來移除未形成矽化物9的 金屬而隔開接點,此如第2c圖所示。一般來說,碎化物 區9可塗鋪更具導電性的金屬,以增厚接點1〇而降低電 阻,此如第2d圖所示。 201037846 第3a圖繪示製造至少一背部接點之方法的第三實施 例’其依反射層6定義的圖案移除a_siNx:ii層5。第3b 圖顯示矽結構,其中金屬層依反射層6定羲的圖案塗鋪 覆蓋反射層6及填充開口 7〇第3c圖繪示同樣的矽結構, 其經退火步驟處理而形成矽化物9。第3(1圖顯示移除未 形成矽化物之金屬8後的矽結構。第3e圖緣示下一步 驟’其已塗鋪金屬形成接點連接矽化物區。 Ο Ο 第4a圖繪示製造至少一背部接點之方法的第四實施 例,其中鈍化層3包含a-Si:H層4,其上沉積 層5’其上沉積心8丨汨層n。第仆圖顯示同樣的矽結構 1,其已移除開口 7内的至少部分鈍化層3,藉以移除 a-Si:H層11和心8丨队:11層5,並於開口 7中留下至少部 刀a-Si.H層4,此將說明於後。如此可提供接點位置。 此步驟通常利用雷射剝離或喷墨蝕刻完成。第补圖顯示 同樣的結構,其已塗鋪反射層至心以汨層u上而至少覆 蓋未製作開口 7的區域。藉此提供圖案化裸露矽表面。 第4d圖顯示沉積金屬層至少填充開口 7後的結構卜第 抖圖顯示同樣的結構i ’其經退火步驟處理而於金屬層 8接觸的區域形成碎化物9。第4f圖顯示同樣的 結構1’其-般利用選擇性钱刻移除未形成石夕化物9的 金屬8°接著,金屬塗鋪於耗物9而形成接點1〇。 第5a圖%示製造至少一背部接點之方法的第五實施 例’其中鈍化層3包含a_Si:H層4°純化層3上沉積具 待形成至少-接點之至少一開口 7的圖案化反射層6, 12 201037846 因而提供圖案化裸露矽表面。結構丨上沉積金屬層8(第 5b圖)’並且經後續溫度處理使金屬層8與裸露矽表面反 應形成至少一矽化物區9(第5c囷)。然後’如第5d圖所 示’選擇性蝕刻移除未反應金屬8,以留下完好的矽化 物區。最後’金屬10沉積在至少一石夕化物區9上。 本發明之實施例 這些實施例論及只處理太陽能電池背側’並假設已充 分處理前侧。本發明之方法不限於此假設,且尚涵蓋在 0 依本發明處理背側後處理前側、或同時或在本發明所述 步驟之間完成前側處理步驟的情況。 實施例提及製造一個以上的接點,但本發明之方法涉 及製造至少一接點。 第一實施例 本發明之第一方法實施例的出發點為矽基板2 一般包 括具摻雜區13的背面且前侧已充分處理。摻雜區n可 Q 具相同導電性類型、或具交替p型與η型導電性。摻雜 區13的摻雜濃度可與基板相同或不同。矽結構丨可由單 晶矽晶圓、多晶矽晶圓或矽基薄膜製得。背面可為平坦 或遭織構’例如使用溼式化學劑或電漿處理。 背面例如先接觸硫酸(ΗβΟ4)與過氧化氫(Η2〇2)之混合 物、氣化氫(HC1)、Η2〇2與水(出0)之混合物、或氨水 (ΝΗ4〇Η)、Η2〇2與仏〇之混合物、然後進行氧化物移除 (如使用稀釋氫氟酸(HF))而加以清潔。 純化層3塗鋪在矽基板2的背面。如專利 13 201037846 W02006/110048A1 所述 〜_ 一 σ叫丨。热疋形石夕 (a-Si:H)層4和氫化無定形氮化矽(a_SiNx:Hw 5。鈍化層 可利用電漿辅助化學氣相沉積(PECVD)或其他適合的沉 積技術塗鋪’例如熱線CVD(HWCVD)、膨脹熱電漿 (ETP)、電子迴旋共振(ECR)、濺射或類似技術。結構此 時如第la圖所示。
鈍化層3的作用為加強;g夕基板2之表面和塊體的帶電 載子傳輸性質,進而增強其電流收集能力。a_ShH層4 的厚度一般為5-200奈米(nm),較佳為1〇_6〇nm<5aSiNx:H 層的厚度為10-150nm ’較佳為20-100nm。 在下一步驟中,至少一開口 7形成於鈍化層3中並對 準換雜區13’以構成後續待形成接點的區域。此如第lb 圖所示開口,,意指至少a_SiNx:H層5被移除,a_Si:H 層4則被移除或至少部分保持完好。第1 b圖繪示至少部 分a-Si:H層4保持完好的方法。 此程序設立在包含開口 7的區域提供接點位置。 鈍化層3中的至少一開口 7可以下列技術製造,但不 以此為限: -噴墨蝕刻; -雷射剝離; -塗鋪圖案化蝕刻遮罩、蝕刻(使用溼式化學劑或電漿 蝕刻)鈍化層3、然後移除遮罩; -網印蝕刻。 形成至少一開口 7後,如第lc圖所示,非選擇性沉積 14 201037846 金屬層8,使金屬至少填充至少一開口 7。金屬層8例如 以蒸鍍或濺射塗鋪,但不以此為限。 適合蒸鍍及後續形成矽化物的金屬包括鎳、鈀、鈦、 銀、金、鋁、銅、鎢、釩、鉻或這些金屬的任何組何物。 用於背側矽化物形成的相關金屬為鎳。矽化物形成期 間最好為單矽化物(NiSi),因其合金有矽化鎳最小電阻。 為此’製程需最佳化使矽與矽化物間有最小接觸電阻。 0 塗鋪金屬層8後’結構1經適當退火步驟處理,以助 於在金屬層8接觸矽材料處形成矽化物9(第1(1圖)。至 少一開口 7内的金屬與矽材料反應形成至少一矽化物區 9。矽化物的形成溫度一般為i75°c至55〇〇c,較佳為225。〇 至500°C ’更佳為275°C至450°C,歷時5-60秒,此視使 用金屬而定。熱處理可包含隨時間線性或非線性變化的 溫度分布》溫度處理步驟例如由快速熱退火達成。 在塗鋪金屬層8前,退火處理鈍化層4、5是有益的, Ο 因最佳化鈍化層3及形成矽化物9所需的退火溫度和時 間可能不匹配。 若本發明之方法施行於正面接觸太陽能電池的背側, 則不需隔開接點。 但若本發明之方法應用到背部接觸電池的背側,則通 常會有一個以上的接點,故需隔開接點(如第U圖所 示)。移除未反應形成矽化物9之金屬8的相關方法為利 用選擇性蝕刻、使用蝕刻矽化物9的速度遠比金屬8慢 的蝕刻液。此例如可藉由接觸硝酸(HNO3)、或hn〇3與 15 201037846 HC1之混合物達成。 或者,接點可利用雷射剝離、網印飯刻或喷墨银刻隔 開。 隨後,藉由電鍍或無電電鍍增厚接點,以形成電阻較 小的大接點1 〇。 第二實施例 本發明之第二方法實施例的出發點為矽基板2 一般包 0 &具乂替p型與β導電性之摻雜區的背面且前側已充 刀處理。矽結構可由單晶矽晶圓、多晶矽晶圓或矽基薄 膜製得。背面可為平坦或遭織構,例如使用渔式化學劑 或電漿處理。 背面例如先接觸仏8〇4與Η2〇2之混合物、HO、η2〇2 與AO之混合物、或ΝΗ4〇η、Η2〇2與Η"之混合物、 然後進行氧化物移除(如使用稀釋HF)而加以清潔。 純化層3塗鋪在矽基板2的背面。如專利 ❹ W〇2〇〇6/U0048A1所述’鈍化層3包含氫化無定形石夕 (a-Si:H)層4和氫化無定形氮化矽(心“队:⑴層卜鈍化層 可利用電漿輔助化學氣相沉積(pECVD)或其他適合的沉 積技術塗鋪,例如熱線CVD(HWCVD)、膨脹熱電漿 (ETP)、電子迴旋共振(ECR)、濺射或類似技術。 鈍化層3的作用為加強矽基板2之表面和塊體的帶電 載子傳輸性質,進而增強其電流收集能力。a_Si:H層4 的厚度一般為5-20〇nm,較佳為1〇-6〇nm。a_SiNx:H層的 厚度為10-15〇nm,較佳為2〇_1〇〇nm。各層厚度可個別調 201037846 整’以最佳化背部反射率’同時維持純化性質。 鈍化層3的頂部通常利用噴墨塗鋪圖案化反射層6, 並於反射層6中留下至少一開口 7,其對準至少一接點 位置13,此如第2a圖所示。或者,反射層6塗鋪覆蓋 大部分或全部的鈍化層3’接著移除部分反射層6而定 義至少一開口 7。此二方法為均等且可以「塗鋪具至少 一開口 7之反射樹脂層6」一語涵蓋。
反射層6的材料包含樹脂,其更包含反射增強添加 劑。在此實施例中,反射層的目的為: -定義鈍化層之開口 7的圖案; 虽忭純化層的保護遮罩 •在後續蝕刻步驟中 _確保增強未被矽基板2吸收之光子的背部反射率。 反射層6内的開口 7界定供鈍化層3開向矽基板2的 圖案。鈍化層3以適當溶液蝕刻’其移除所有或部分鈍 化層3’即&-_』層5和心沿層4(如第2b圖所朴 適當溶液可為稀釋、濃縮或缓衝HF溶液、或稀釋或 濃縮氫氧化卸(随)溶液、或稀釋或濃縮氫氧化納⑽〇h) 溶液、或包含HF、HN〇3與乙酸(CH3C〇〇H)之混合物、 或其組合物’但不以此為限。得到開口的方法選擇並不 重要。重要特徵在錢化層3必須局部移除而露出底下 的石夕材料。如此可提供接點位置。 敵開反射層6定義之圖案中的純化層3後,利用適當 方法塗鋪金屬層8至反射層6的頂部及填充鈍化層^ 的開口 7’使金屬層8接觸矽基板2。 17 201037846 此方法可選用金屬蒸鍍、濺射或無電電鍍,其將完全 覆蓋矽基板2的背側,即非選擇性沉積金屬層8。適合 蒸鍍及後續形成矽化物的金屬包括鎳、鈀、鈦、銀、金、 鋁、銅、鎢、釩、鉻或這些金屬的任何組何物。 用於背側矽化物形成的相關金屬為鎳。矽化物形成期 間最好為單矽化物(NiSi),因其合金有矽化鎳最小電阻。 為此,製程需最佳化使矽與矽化物間有最小接觸電阻。 〇 矽化物的形成溫度一般為175。(:至55〇。(:,較佳為225。〇 至500 C ’更佳為275°C至450°C,歷時5-60秒,此視使 用金屬而定。熱處理可包含隨時間線性或非線性變化的 溫度分布。溫度處理步驟例如由快速熱退火達成。 塗鋪金屬層8後’結構1經適當退火步驟處理,以助 於在金屬層8接觸至少一開口 7内的裸露矽表面處形成 石夕化物9。矽化物的形成溫度一般為i75。〇至55(rc,較 佳為225。(:至50(TC ’更佳為275°C至450°C,歷時5_6〇 〇 秒,此視使用金屬而定。熱處理可包含隨時間線性或非 線性變化的溫度分布。溫度處理步驟例如由快速熱退火 達成。 在塗鋪反射層前退火處理鈍化層4、5是有益的,因最 佳化鈍化層3及形成矽化物9所需的退火溫度和時間可 能不匹配。 如實施例1和第2c圖所示’未形成矽化物的金屬可利 用選擇性触刻移除^ 隨後’藉由電鍍或無電電鍍增厚接點,以形成電阻較 201037846 小的大接點1〇(第2d圖)。 第三實施例 第3a至3e圖繪示根據本發 喚也 I月之第二方法實施例。 第一步驟與第二實施例的第_ 罘步驟相同。本方法始於 石夕基板2,其一般包括具交替 ^ ^ 瞀15型與η型導電性之摻雜 區的背面且前側已充分處理。 /、结構可由單晶矽晶圓、 多晶石夕晶圓或石夕基薄膜製得。背面可為平坦或遭織構,
例如使用座式化學劑或電黎處理。背側通常以與第一實 施例相同的方式清潔。 。純化層3之堆 其上為氫化無定 沉積方式與第一 矽基板2上塗鋪鈍化層3之堆疊結構 疊結構包含氫化無定形矽(a_Si:H)層4, 形氮化矽(a-SiNx:H)層^各層4、5的 實施例相同。 鈍化層心5的作用為加強石夕基板2之表面和塊體的帶 電載子傳輸性質,進而增強其電流收集能力。a_si:H層 © 4的厚度一般為5~2〇〇nm,較佳為i0_60nm。a_SiNx:H層 的厚度為10-15〇nm,較佳為2〇_1〇〇nm。各層厚度可個別 調整’以最佳化背部反射率,同時維持鈍化性質。 下一步驟是以與第一實施例相同的方式塗鋪圖案化反 射層6至層5上。反射層6通常利用喷墨沉積,並於反 射層6中留下至少一開口 7,其對準接點位置13。或者, 反射層6塗鋪覆蓋大部分或全部的鈍化層5,接著移除 部分反射層6而定義具開口 7的圖案。這些方法為均等 且可以「塗鋪具圖案定義之至少一開口 7的反射樹脂層 201037846 6」一語涵蓋。 反射層6的材料包含樹脂,其更包含反射增強添加 劑°塗鋪反射樹脂的目的為: -定義鈍化層之開口7的圖案; •在後續蝕刻步驟中’當作鈍化層的保護遮罩; _確保增強未被矽基板2吸收之光子的背部反射率。 反射層6内的開口 7界定圖案以露出鈍化層5。 ❹ 第3&圖顯示下—步驟,其移除未被反射層6覆蓋的部 分a-SiNx:H層5,且留下至少部分保持完好的aSi:H層 4。此一般是藉由接觸稀釋hf溶液來達成。 第3b圖顯示下一步驟,其非選擇性塗鋪金屬層8至反 射層6的頂部,且沉積金屬經由反射樹脂層6定義的開 口 7 接觸 a-Si:H 層 4。 金屬的塗鋪方式與第一實施例相同。適合金屬也和第 一實施例的適合金屬相同。 Q 塗铺金屬層8後’結構1經適當退火步驟處理,以助 於在金屬層8接觸至少一開口 7内的裸露石夕表面處形成 矽化物9(第3c圖)。矽化物的形成溫度一般為175。〇至 550°C ’ 較佳為 225°C 至 500°C,更佳為 275°C 至 450°C, 歷時5-60秒,此視使用金屬而定。熱處理可包含隨時間 線性或非線性變化的溫度分布。溫度處理步驟例如由快 速熱退火達成。 在此實施例中,形成矽化物的溫度通常比第二實施例 低’因結晶矽變成矽化物需要較高溫度。此將造成矽化 20 201037846 物形成主要止於a-Si:Η/石夕基板2之界面<5此如第圖 所示。 在塗舖反射樹脂層前,退火處理鈍化層4、5是有益 的’因最佳化鈍化層3及形成矽化物9所需的退火溫度 和時間可能不匹配。 若本發明之方法施行於不需隔開接點的前側接觸太陽 能電池背側,則不需另進行處理步驟。 0 但若本發明之方法應用到背侧接觸電池的背側,則通 常會有一個以上的接點,故需隔開接點(如第3e圖所 不)。移除未反應形成矽化物9之金屬8的相關方法為利 用選擇性蝕刻,其只移除殘留金屬8。此例如可藉由接 觸HN〇3、或hn〇3與HC1之混合物達成。 或者,接點可利用雷射剝離、網印蝕刻或喷墨蝕刻隔 開。 隨後’藉由電鍍或無電電鍍增厚接點,以形成電阻較 〇 小的大接點1〇(第3f圖)。 第四實施例 第4a至4f圖繪示根據本發明之第四方法實施例。 本方法始於基板2具有鈍化層3沉積其上。在本發明 之實施例中,鈍化層3包含底部無定形矽層4,其上沉 積無定形氮化矽層5,其上沉積無定形矽層11〇此鈍化 堆疊結構如第4a圖所示。 鈍化層可以本發明第一實施例之上述技術塗鋪。 接著,至少移除頂部無定形矽層n和無定形氮化矽層 21 201037846 5,以於至少部分無定形矽層4保持完好處留下開口 第4b圖顯示移除步驟,並續示至少一開口 7對準至,丨、一 接點位置13,參見第4b圖。 移除步驟可包含採行噴墨餘刻、網印蝕刻、雷射剝離、 塗鋪微影遮罩’然後蝕刻及移除遮罩、或其他適當技術。 反射層6塗鋪在殘留鈍化層3頂部上後續不欲形成矽 化物的區域,此繪示於第4c圖。 ❹ 完成最後二步驟的順序並不重要。反射層6也可完全 覆蓋所有鈍化層3,在下一步驟中,移除反射層、頂部 a-ShH層和a-SiN:H層,以形成開口 7。移除上述材料層 例如可利用雷射剝離達成。 第4d圖顯示下一步驟,其非選擇性塗鋪金屬層8及至 少填充未被反射樹脂層6覆蓋的區域。金屬層例如以蒸 鍍、濺射或其他適當技術塗鋪。 適合蒸鍍及後續形成矽化物的金屬包括錦、把、鈦、 〇 銀、金、鋁、銅、鎢、釩、鉻或這些金屬的任何組合。 本發明不限於選用這些金屬,其當可應用到使用任何 材料形成馬導電性碎化物或碎合金至p型與n型梦上。 塗鋪金屬層8後,結構1經適當退火步驟處理,以助 於在金屬層8接觸至少一開口 7内的裸露矽表面處形成 矽化物9(第4e圖)。矽化物的形成溫度一般為175。〇至 550°C,較佳為225eC至500t,更佳為之”艺至45〇〇c, 歷時5-60秒,此視使用金屬而定。熱處理可包含隨時間 線性或非線性變化的溫度分布。溫度處理步驟例如由快 22 201037846 速熱退火達成。此製程在金屬接觸無定形矽層4或Π的 區域形成夕化物9。 故反射層ό上的金屬不會形成矽化物。 在所形成之接點需隔開的情況下,例如用於背部接觸 太陽能電池,未形成矽化物的金屬可例如利用上述實施 例1的選擇性蝕刻移除。
就做為兩側接觸太陽能電池之背部接點的應用而言, 電池亦接觸電池前側,故不需移除未形成矽化物的金屬。 隨後,藉由電鍍或無電電鍍增厚接點,以形成電阻較 小的大接點1 0。 第五實施例 第5a-5e圖繪示本發明之第五實施例。 本方法始於基板2具有鈍化層3沉積其上。在本發明 之實施例中,鈍化層3包含無定形矽(a_Si:H)層4。 鈍化層3的頂部通常利用嘴墨塗鋪圖案化反射層6, 並於反射層6中留下至少一開口 7,其對準至少一接點 位置13 〇此如第5a圖所示。或者,反射層6塗鋪覆蓋 大部分或全部的鈍化層3,接著移除部分反射層6而定 義至少一開口 7。此二方法為均等且可以「塗鋪具至少 一開口 7之反射樹脂層6」一語涵蓋。 在此步驟後,如第5b圖所示,利用蒸鍍或減射,非選 擇性塗鋪金屬層至整個結構1上》 ' 適合蒸鍍及後續形成矽化物的金屬包括鎳、鈀、鈦、 銀、金、鋁、銅、㉟、釩、鉻或這些金屬的任何組何物。 23 201037846 塗鋪金屬層8後,結構i經適當退火步驟處理,以助 於在金屬層8接觸至少—開口 7内的裸露碎表面處形成 矽化物9(第5c圖)。矽化物的形成溫度—般為⑽至 55〇°C^,^ 225〇c^ 500〇c,^,i4 275〇c^45〇〇c> 歷時5-60秒’此視使用金屬而定。熱處理可包含隨時間 線性或非線性變化的溫度分布。溫度處理步驟例如由快 速熱退火達成。如第5c圖所示,此製程在金屬接觸無定 形矽層4的區域形成矽化物9。
❹ 故反射層6上的金屬不會形成矽化物。 在形成接點需隔開的情況下,例如用於背部接觸太陽 能電池,未形成矽化物的金屬例如利用上述實施例丨的 選擇性蝕刻移除(參見第5d圖)。 就做為兩侧接觸太陽能電池之背部接點的應用而士, 電池亦接觸電池前側,故不需移除未形成矽化物的金屬。 隨後’藉由電鍍或無電電鍍增厚接點,以形成電阻較 小的大接點10(參見第5e圖)。 【圖式簡單說明】 本發明將參照所附圖式詳細說明,其顯示本發明之實 施例,其中: 第1 a-f圖繪示本發明之第一方法實施例的截面; 第2a-d圖繪示本發明之第二方法實施例的截面; 第3a-e圖繪示本發明之第三方法實施例的截面; 24 201037846 第4a-g圖繪示本發明之第四方法實施例的截面; 第5a-e圖繪示本發明之第五方法實施例的截面。 【主要元件符號說明】 〇 1 結構 2 基板 3 鈍化層 4、 11 矽層 5 氮化矽層 6 反射層 7 開口 8 金屬(層) 9 矽化物(區) 10 接點/金屬 13 摻雜區/接點位置 A 區域 25

Claims (1)

  1. 201037846 七、申請專利範圍: I 一種提供具至少一接點之一結構(1)於一太陽能電池 之一背面上的方法,該太陽能電池包含一矽基板(2)、至 少一摻雜區(13),其中該方法包含下列步驟: a) 沉積一鈍化層(3)至該矽基板(2)之一背面上; b) 提供至少一接點位置; c) 提供一圖案化裸露矽表面; 0 d)非選擇性沉積一金屬層; e) 退火處理該結構(丨)而形成一金屬矽化物(9); f) 在該步驟e)後,移除一過量金屬(8);以及 g) 塗鋪一金屬至該矽化物(9)上,以形成至少—接點 (10)。 ’ 2.如申請專利範圍帛1項所述之方法,其中該步驟b) 和該步驟c)係同時完成。
    3.如申請專利範圍第1 @ 固弟1項所述之方法,其中該步驟 係在該步驟b)之前進行。 4.如申請專利範圍第1 罘項所述之方法,其中該步驟b) 更包含沉積具至少一開口(7) W)之一反射層(6),然後在該至 少一開口(7)中提供該接點位置。 26 201037846 5. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該步驟c) 更包含沉積一反射層(6)至該鈍化層(3)上。 6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之方法,其 中該步驟a)包含沉積一氫化無定形矽(a_si:H)層(4)。 7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之方法,其 0 中該步驟a)包含沉積一氫化無定形矽(a_Si:H)層(4),接 著沉積一氫化無定形氮化矽(a_SiNx:H)層(5)至該a Si:H 層(4)的一頂部上。 8‘如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之方法,其 中該步驟a)包含沉積一氫化無定形矽(a_Si:H)層(4),接 著沉積一氫化無定形氮化矽(a_siNx:H)層(5)至該a Si:H 層(4)的一頂部上,然後沉積一 aSi:H層至該 O a-SiNx:H層(5)的一頂部上。 9.如申凊專利範圍第4或5項所述之方法,其中該反射 層(6)為一反射樹脂層。 •如申請專利範圍第4或5項所述之方法,其中該反 射層(6)為一反射加強聚合物或一反射加強環氧化物。 U.如中請專利圍第4、5、9及1G項中任-項所述之 27 9 201037846 方法,其中該反射層(6)係以噴墨或噴塗沉積 任—項所述之方法 為錄。 12.如申請專利範圍第1至η項中 其中該步驟d)中該金屬層(8)的金屬 所述之方法 13.如申請專利範圍第1至12項中任一巧 其中該步驟d)係以蒸鍍或濺射塗鋪—金屬 〇 14. -種用於一太陽能電池之—背面的接點⑽,包含一 矽基板(2)、沉積於該矽基板(2)上之一無定形矽層⑺、 具有至少一開口(7)且沉積於該無定形矽層(3)上之—反 射層⑹,在該至少一開口⑺中留有一矽化物(9),並有 一附加金屬覆蓋該矽化物(9)。 15. —種包含一背面的太陽能電池,該背面包含一接 〇 點,其特徵在於,該接點(ίο)係利用如申請專利範圍第i 至13項中任一項所述之方法設於該太陽能電池的該背 面0 16. —種包含一背面的太陽能電池,該背面包含如申請 專利範圍第14項所述之一接點。 一種提供具至少一接點之一結構(1)於一太陽能電池 之一背面上的方法,該太陽能電池包含具至少一掺雜區 28 201037846 (13)的一矽基板(2),其中該方法包含下列步驟: a) 沉積一鈍化層(3)至該矽基板(2)上; b) 提供至少一接點位置; c) 提供一圖案化裸露矽表面; d) 非選擇性沉積一金屬層(8); e) 退火處理該結構(丨)而形成一金屬矽化物(9);以及 0塗舖一金屬至該矽化物(9)上,以形成至少一接點 (10)。 〇 I8·如申凊專利範圍第17項所述之方法,其中該步驟b) 和該步驟c)係同時完成。 .如申%專利範圍第17項所述之方法,其中該步驟c) 係在該步驟b)之前進行。 〇 如申吻專利範圍第i 7項所述之方法,其中該步驟b) 更包含沉積具至少-開口⑺之-反射層⑻,然後在該至 少-開口⑺中提供—接點位置。 21.如申請專利範圍第17項所述之方法,其中該步驟c) 包含沉積—反射層(6)至該鈍化層(3)上。 22. 法, 如申請專利範圍第 其中該步驟a)包含 17至19項中任一項所述之方 沉積一氫化無定形矽(a_Si:H)層 29 201037846
    23. 如申請專利範圍第17至ι9項中任一項所述之方 法,其中該步驟a)包含沉積一氫化無定形矽(aSi:H)層 (4) ’接著沉積一氫化無定形氮化矽(a SiNx:H)層至該 a-Si:H層(4)的一頂部上。 24. 如申請專利範圍第I?至19項中任一項所述之方 法’其中該步驟a)包含沉積一氫化無定形石夕 (4) ’接著沉積一氫化無定形氮化矽(a SiNx:H)層至該 a-Si:H層(4)的一頂部上,然後沉積一 a_Si:H層(11)至該 a-SiNx:H層(5)的一頂部上。 25. 如申請專利範圍第2〇至22項中任一項所述之方 法’其中該反射層(6)為一反射樹脂層。 26. 如申請專利範圍第2〇至22項中任一項所述之方 法’其中該反射層(6)為一反射加強聚合物或一反射加強 環氧化物。 27·如申請專利範圍第20、21、25及26項中任一項所 述之方法’其中該反射層(6)係以喷墨或喷堂沉積。 28.如申請專利範圍第17至27項中任一項所述之方 30 201037846 法,其中該步驟d)中該金屬層(8)的金屬為鎳。 29·如申請專利範圍第17至28項中任一項所述之方 法,其中該步驟f)係以電鍍或無電電鍍塗鋪一金屬。 3 0. —種包含一背面的太陽能電池’該背面包含—接 點,其特徵在於,該接點(丨0)係利用如申請專利範圍第 17至29項中任一項所述之一方法設於該太陽能電池的
    31
TW099102856A 2009-01-30 2010-02-01 Method for producing a contact, a contact and solar cell comprising a contact TW201037846A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14841509P 2009-01-30 2009-01-30
GB0901604A GB2467360A (en) 2009-01-30 2009-01-30 Contact for a solar cell

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201037846A true TW201037846A (en) 2010-10-16

Family

ID=40469385

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099102856A TW201037846A (en) 2009-01-30 2010-02-01 Method for producing a contact, a contact and solar cell comprising a contact

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20120085403A1 (zh)
JP (1) JP2012516567A (zh)
CN (1) CN102356466A (zh)
DE (1) DE112010000755T5 (zh)
GB (1) GB2467360A (zh)
TW (1) TW201037846A (zh)
WO (1) WO2010087718A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI459572B (zh) * 2010-10-20 2014-11-01 Mitsubishi Electric Corp Light power device and its manufacturing method
TWI464784B (zh) * 2011-10-28 2014-12-11 Iner Aec Executive Yuan 一種製作微晶矽薄膜的方法
US9997646B2 (en) 2012-08-24 2018-06-12 Industrial Technology Research Institute Solar cell, and solar cell module employing the same

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110089497A (ko) * 2010-02-01 2011-08-09 삼성전자주식회사 기판에의 불순물 도핑 방법, 이를 이용한 태양 전지의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 태양 전지
JP2012023343A (ja) * 2010-06-18 2012-02-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置及びその作製方法
US10011920B2 (en) 2011-02-23 2018-07-03 International Business Machines Corporation Low-temperature selective epitaxial growth of silicon for device integration
US8859322B2 (en) 2012-03-19 2014-10-14 Rec Solar Pte. Ltd. Cell and module processing of semiconductor wafers for back-contacted solar photovoltaic module
CN102738307A (zh) * 2012-07-11 2012-10-17 辽宁朝阳光伏科技有限公司 光谱散射共振调制高效晶硅太阳能电池制备方法
KR20140011462A (ko) * 2012-07-18 2014-01-28 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
US8852990B2 (en) * 2012-08-20 2014-10-07 United Microelectronics Corp. Method of fabricating solar cell
NL2009754C2 (en) * 2012-11-05 2014-05-08 M4Si B V Protective cover for a copper containing conductor.
US8912071B2 (en) * 2012-12-06 2014-12-16 International Business Machines Corporation Selective emitter photovoltaic device
KR102045001B1 (ko) * 2013-06-05 2019-12-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
CN104241402A (zh) * 2013-06-20 2014-12-24 晶科能源有限公司 太阳能电池减反射膜及其制备方法
US9911874B2 (en) * 2014-05-30 2018-03-06 Sunpower Corporation Alignment free solar cell metallization
TWI573284B (zh) * 2015-03-26 2017-03-01 茂迪股份有限公司 太陽能電池、其模組及其製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3664874A (en) * 1969-12-31 1972-05-23 Nasa Tungsten contacts on silicon substrates
US4278704A (en) * 1980-01-30 1981-07-14 Rca Corporation Method for forming an electrical contact to a solar cell
US4751191A (en) * 1987-07-08 1988-06-14 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating solar cells with silicon nitride coating
KR100366351B1 (ko) * 2001-01-02 2002-12-31 삼성에스디아이 주식회사 태양전지의 후면전극부 형성방법
KR100852700B1 (ko) * 2002-04-03 2008-08-19 삼성에스디아이 주식회사 고효율 태양전지 및 그 제조 방법
JP2004266023A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Sharp Corp 太陽電池およびその製造方法
US20060060238A1 (en) * 2004-02-05 2006-03-23 Advent Solar, Inc. Process and fabrication methods for emitter wrap through back contact solar cells
WO2006110048A1 (en) 2005-04-14 2006-10-19 Renewable Energy Corporation Asa Surface passivation of silicon based wafers
KR20080075156A (ko) * 2005-11-07 2008-08-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 광전지 콘택 및 배선 형성 방법
US20070169806A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell production using non-contact patterning and direct-write metallization
US8575474B2 (en) * 2006-03-20 2013-11-05 Heracus Precious Metals North America Conshohocken LLC Solar cell contacts containing aluminum and at least one of boron, titanium, nickel, tin, silver, gallium, zinc, indium and copper
US20070277874A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-06 David Francis Dawson-Elli Thin film photovoltaic structure
GB2442254A (en) 2006-09-29 2008-04-02 Renewable Energy Corp Asa Back contacted solar cell
JP5166745B2 (ja) * 2007-03-07 2013-03-21 信越化学工業株式会社 単結晶シリコン太陽電池の製造方法
US7842596B2 (en) * 2007-05-07 2010-11-30 Georgia Tech Research Corporation Method for formation of high quality back contact with screen-printed local back surface field
US8163330B2 (en) * 2007-10-24 2012-04-24 Applied Materials, Inc. Molten metal spraying for metallization application in solar cells
WO2009067483A1 (en) * 2007-11-19 2009-05-28 Applied Materials, Inc. Solar cell contact formation process using a patterned etchant material
US20090159111A1 (en) * 2007-12-21 2009-06-25 The Woodside Group Pte. Ltd Photovoltaic device having a textured metal silicide layer

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI459572B (zh) * 2010-10-20 2014-11-01 Mitsubishi Electric Corp Light power device and its manufacturing method
TWI464784B (zh) * 2011-10-28 2014-12-11 Iner Aec Executive Yuan 一種製作微晶矽薄膜的方法
US9997646B2 (en) 2012-08-24 2018-06-12 Industrial Technology Research Institute Solar cell, and solar cell module employing the same

Also Published As

Publication number Publication date
GB2467360A (en) 2010-08-04
DE112010000755T5 (de) 2012-06-21
WO2010087718A1 (en) 2010-08-05
JP2012516567A (ja) 2012-07-19
US20120085403A1 (en) 2012-04-12
CN102356466A (zh) 2012-02-15
GB0901604D0 (en) 2009-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201037846A (en) Method for producing a contact, a contact and solar cell comprising a contact
US8859324B2 (en) Methods of manufacturing solar cell devices
JP6398144B2 (ja) 太陽電池金属被覆の無電解導電率向上の方法
JP6203271B2 (ja) 酸素イオン注入を用いる太陽電池におけるスペーサー形成
JP2012516566A (ja) 二個の太陽電池のバックコンタクト及び相互接続
JP2004266023A (ja) 太陽電池およびその製造方法
US7820472B2 (en) Method of forming front contacts to a silicon solar cell without patterning
TW201007968A (en) Hybrid heterojunction solar cell fabrication using a doping layer mask
US8846431B2 (en) N-type silicon solar cell with contact/protection structures
JP2011503910A (ja) パターン付きエッチング剤を用いた太陽電池コンタクト形成プロセス
JP2015512563A (ja) 背面接触型太陽光発電モジュールの半導体ウエハのセル及びモジュール処理
JP2009533864A (ja) 太陽電池およびそれを製造するための方法
JP2010505262A (ja) バックコンタクト太陽電池
TW201017911A (en) Method of manufacturing back electrode of silicon bulk solar cell
JP2010527514A (ja) 太陽電池を製造するための保護層
JP2013526045A (ja) 太陽電池
TW201216492A (en) Fine line metallization of photovoltaic devices by partial lift-off of optical coatings
TWI306622B (en) Method of forming silicided gate structure field of the invention
US20130199606A1 (en) Methods of manufacturing back surface field and metallized contacts on a solar cell device
US20220320355A1 (en) Solar cell and a manufacturing method therefor
TW201104907A (en) Surface treatment of silicon
WO2016129686A1 (ja) 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール
JP2014067804A (ja) 光電変換素子
TW201312784A (zh) 太陽能電池電介質結構
CN112133768A (zh) 背接触太阳电池的制作方法及背接触太阳电池