201034245 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關發光元件。 【先前技術】 以往，在具備化合物半導體層（例如，氮化鎵系）的 半導體發光元件中，於其半導體層表面，形成作爲n側電 φ 極及P側電極之金屬膜，經由於該金屬膜間，施加電壓之 時，從半導體發光元件釋放光。 如此之金屬膜係在唯單成膜於半導體層中，無法得到 金屬膜與半導體層之電阻性接觸之故，亦有經由熱處理， 於金屬膜與半導體層之界面，使合金層形歲之情況。由此 ，可得到對於金屬膜之半導體層表面而言之電阻性接觸。 但在如此之半導體發光元件中，例如P型層之電阻爲 高之故，不易引起在其P型層內之電流得擴散。由此，由 Φ 著只在連接於P型層之P側電極正下方附近，優先產生發 光之情況。 爲了迴避如此之發光的偏移，亦考慮有將較P型層電 阻低的金屬膜，從主電極導出於半導體層表面之方法（例 如，專利文獻1 )。 [專利文獻1]日本特開2005-2523 00號公報 【發明內容】 如根據本發明之一型態，提供具備含有第1半導體層 -5- 201034245 ，和第2半導體層，和設置於前述第1半導體層與前述第 2半導體層之間的發光層之半導體多層構造體，和連接於 前述半導體多層構造體之前述第1半導體層的第1電極’ 和設置於前述半導體多層構造體之前述第2半導體層上方 的第2電極，和連接於前述第2電極之第3電極；前述第 2電極係具有對於前述半導體多層構造體之主面而言’從 垂直的方向而視，設置於前述第1電極與前述第3電極之 間，朝向於連結前述第1電極與前述第3電極之路徑而延 伸存在的缺口乃至少形成有1個之第1範圍，和設置於前 述第1電極的周圔，未形成有缺口之第2範圍，和設置於 前述第3電極的周圍’未形成有缺口之第3範圍者爲特徵 之半導體發光元件。 【實施方式】 以下，參照圖面同時，對於本發明之實施形態加以說 明。 ❿ [第1實施形態] 圖1乃半導體發光元件之要部圖’圖1(a)乃半導 體發光元件之要部斜視模式圖，圖1(b)乃半導體發光 元件之要部剖面模式圖。圖1(c)乃半導體發光元件之 要部平面圖。對於圖1(b)係例示有圖1(a)之X-Y 剖面。對於圖1 ( c )係例示有從半導體發光元件之電極 300眺望基板1〇之方向的半導體發光元件1之要部平面 -6 - 201034245 如圖1 ( a )及圖1 ( b )所例示地，半導體發光元件 1係具有於基板1〇之上方，依GaN緩衝層20、η型GaN 層（第1半導體層）30、n型GaN引導層40、活性層（ 發光層）50、p型GaN引導層60、p型GaN層（第2半 導體層）70的順序加以設置之半導體多層構造體。即， 活性層50係夾持於η型與p型之半導體的層積體。 〇 作爲基板1 〇，係例如使用藍寶石。活性層5 0係例如 可由 Iη〇. 15Ga〇 .85N/1η〇.〇2Ga〇.98Ν-MQW ( Multi-Quantum Well)構造構成，從活性層50例如放射藍色光，紫色光 等。對於η型GaN層30之上方的一部分，係選擇性地形 成作爲主電極之η側電極（第1電極）1〇〇。 對於ρ型GaN層70之上面，係配置使電流擴散之電 極（第2電極）300，於電極300上之一部分，選擇性地 配置作爲主電極之ρ側電極（第3電極）200。η側電極 φ 100及Ρ側電極200係在層積半導體層之基板10的主面 上層（半導體多層構造體的上面側）選擇性地加以配置。 在η側電極100係顯現出於半導體多層構造體的上面側。 作爲電極300，例如可使用金屬膜，將ΙΤΟ (氧化銦錫） 作爲主成分之導電膜。對於作爲電極300之材料而使用 ΙΤΟ之情況，係成爲可使從活性層30所釋放的光，透過 電極300而取出於外部者。另外，對於作爲電極300而使 用遮光性的金屬膜之情況，係成爲可將從活性層3 0所釋 放的光，從基板1〇側而取出於外部者。 201034245 作爲P側電極200，係可使用AuZn/Mo/Au (依AuZn 與Mo與Au的順序加以層積之層積體），或Ti/Pt/Au等 者。作爲 η側電極 1〇〇，係可使用 AuGe/Mo/Au，或 Ti/Pt/Au 等者。 對於半導體層40，50等，與η側電極100之間，係 例如介入設置未圖示之絕緣層亦可。對於η側電極100與 η型GaN層30之界面，係形成未圖示之合金層亦可。 電極300係從p側電極200朝向η側電極100延伸出 。電極3 00的終端係呈被覆η電極100之周邊地加以配置 〇 並且，對於半導體發光元件1之電極3 00係於其一部 分，設置至少一個之缺口 300a。由將如此之缺口 300a形 成於電極300者，調節擴散在電極300之電流的流動，可 均一地讓發光分布靠近者。 例如，圖1所示之具體例的情況，對於電極300，係 對於連結P側電極200之中心部與η側電極1 〇〇之中心部 之直線a而言，成爲略垂直之方向’設置對向之2個缺口 3〇〇a。此等缺口 300a係從電極300的端朝向電極300之 內部加以形成。但，缺口 300a係未延伸存在至直線a之 位置。即，電極300係在直線a的附近，未經由缺口 3 00a而分斷，而成爲連續體。在其電極300中’將直線a 位置作爲主路徑，成爲流動有電流者。換言之’對於P型 GaN層70之上方，係從p側電極200至η側電極100之 方向，確保可成爲電流之主路徑之ΙΤΟ膜的連續體。 201034245 並且，電極3 00係具有設置於η側電極100與p側電 極2 00之間的第1範圍300A，和設置於η側電極100之 周圍的第2範圍300Β，和設置於ρ側電極200之周圍的 第3範圍300C。對於第1範圍300Α係形成有缺口 300a 。缺口 300a係朝向連結η側電極1〇〇與ρ側電極200之 路徑而延伸存在。另一方面，對於第2範圍3 00Β與第2 範圍3 00Β係未形成有缺口。 φ 另外，在半導體發光元件1之平面視的長度方向與短 方向之長度比係例如成爲2 : 1 (參照圖1(c))。例如 ，在半導體發光元件1之平面，長度方向爲5 00μπι之情 況、短方向係作爲250μιη。 另外，將圖1所示之電極300的寬度作爲Υ1之情況 ，缺口 3 00a之長度Υ2係例如構成爲Υ1之1/3程度。延 伸存在於電極3 00內部之缺口 3 0 0a的末端間之距離Y3係 可作爲ΙΟμιη以上者。 • 如此之半導體發光元件1係將基板1 〇側安裝於安裝 構件之上方，於η側電極100與ρ側電極200可各連接導 線等而使其發光者。此情況，由對於電極300使用ΙΤΟ者 ，可取出透過電極300的光者。 另一方面，可將半導體發光元件1進行覆晶安裝者。 此情況係於η側電極100與ρ側電極200連接突狀體，於 安裝構件的上方安裝半導體發光元件1。發光係可從基板 1 〇側取出光者。 接著，對於半導體發光元件1之作用加以說明。在以 -9 - 201034245 下中，將具備缺口 300a之半導體發光元件1，與未存在 有缺口 300a之半導體發光元件作對比之同時，說明半導 體發光元件1之作用。 圖2乃爲了說明半導體發光元件之作用的要部剖面模 式圖。 首先，對於未設置缺口 3 00a之比較例的半導體發光 元件加以說明（參照圖2 ( b ))。 在此比較例中，較P型GaN層70，電極300乃電阻 ^ 爲低之故，當於P側電極200與η側電極1 00之間施加電 壓時，藉由ρ側電極200而流入的電流係成爲容易擴散於 電極300之面內方向 如此之情況，電流係流在電極300面內，到達至接近 η側電極100之末端部，通過其下方之ρ型GaN層70、 活性層50、η型GaN層30，η側電極100的順序之電流 路徑而流入於η側電極100。即，電流路徑係成爲呈圖2 (b)所示之箭頭Β。 ❹ 或者，在此比較例中，爲了不易引起在P型GaN層 70之膜面內的電流擴散之故，從P側電極200流入於電 極3 00之電流係有從ρ側電極200對於正下方向，經由活 性層50，流動在η型GaN層30面中，流入於η側電極 100之情況可能性。即，電流路徑係成爲呈圖2(b)所示 之箭頭C。 如此，在未存在有缺口 3 00a之比較例的半導體發光 元件中，電流路徑乃選擇如箭頭B，C之局部的路徑。由 -10- 201034245 此’在比較例的半導體發光元件中，在P側電極200之正 下方，或η側電極1 00之電極300的端部300η之正下方 ’優先地進行發光。也就是，發光分布乃容易成爲不均一 〇 然而，電極300的電阻變越低，以箭頭β所示之電流 路徑乃有成爲優先的傾向。 對此，本實施型態之半導體發光元件1中，關於圖'1 @ 如前述，在Ρ側電極200與η側電極100之間，於電極 3 00設置有缺口 300a。 由設置如此之缺口 300a者，在電極300內，電阻則 明顯的存在有高的部份。即，部分地抑制在電極300面內 方向之導電性，在電極3 00內中，產生有所謂電流之積存 效果。 當產生如此之電流之積存時，所積存之電流係非移動 、擴散於半導體發光元件1之下方。即，在如圖2(a) Φ 所示之半導體發光元件1中，除了於箭頭8的線路以外， 另新產生有如以箭頭A所示之電流路徑。也就是，可分 散在電流的路徑，更接近均一的發光者。 也就是，在半導體發光元件1中，經由於電極3 00設 置缺口 3 00a之時，可使在活性層50之電流的分布分散， 接近於均一的發光分布者。 即，圖2 ( a )所例示之箭頭A係爲一例，在箭頭A 的線路以外之部分，亦當然有可能產生電流路徑。 更且，在半導體發光元件1中，於連結n側電極100 -11 - 201034245 與P側電極200之直線a之附近，未使缺口 300a延伸存 在（參照圖1 ( c ))。 即，對於從P側電極200延伸出的電極300係在面內 方向，形成有流動電流之主路徑。隨之，從P型GaN層 70流動至η型GaN層30之電流係從電極3 00之中心部所 供給之傾向乃變強。 由此，在半導體發光元件1中，從元件中心部擴散於 周圍之電流成分則產生，成爲可更均一之發光。對於活性 _ 層50而言，經由更均一地注入電流之時，提昇發光效率 ，較未存在有缺口 3 00a之半導體發光元件，作爲全體之 發光強度則變強。 另一方面，如圖2(b)所例示之產生局部的電流集 中時，有可能引起經由高密度電流之發光效率的下降，而 發熱即缺陷增加等則產生，元件之信賴性乃下降者。 對此，在半導體發光元件1中，如上述，從電極300 ，可更均一地流動電流於η型GaN層30，可控制局部性 © 之電流集中。作爲結果，抑制了上述之發光效率的下降， 元件之信賴性下降。 另外，缺口 3 00a之圖案係可經由公知的成膜技術以 及光微影技術而容易地形成之故，在製造半導體發光元件 1時，亦未有成本大幅度地提昇者。 但，對於上述之實施型態而言，有著於從半導體發光 元件之p側電極延伸出之電極，周期性地設置貫通孔而作 爲網目狀之型態，或將前述所延伸出的電極作爲條紋狀之 -12- 201034245 型態’作爲疏型之型態（例如，日本特開2004_55646號 公報、日本特開2005-252300號公報、日本特開2006· 1 28227號公報）。 但在網目狀之電極中，因周期性地使電極作爲中斷， 不易形成如圖2(a)所例示之主路徑。隨之，從發光元 件的中心部’供給電流於元件內者則困難。另外，在作爲 網目狀之型態中，因無部分性地控制電極內之導電性的作 〇 用之故，結果，有著發光偏向於P側電極，或η側電極之 任一的可能性。 在條紋狀之電極中，發光圖案乃成爲線狀&間隙狀， 得到均一之發光分布者則困難。另外，即使將電極作爲條 紋狀，對於各線的電極，係因爲設置有上述之缺口 300a 之故，結果，在各電極線，引起圖2(b)所例示之電流 集中。 在疏型的電極中，電極本身乃平面狀，細的電極線乃 〇 從主電極，或從疏型的幹之電極複數延伸存在成條紋狀。 在如此之型態中，電極線本身乃成爲細的形狀，有著未充 分地流動電流至其末端爲止之虞。例如，對於此型態之發 光裝置之4角，係亦有電流乃無法充分地通行之情況產生 。另外，電極乃疏型之故，發光圖案乃成爲線狀或間隙狀 。隨之，發光分布未成爲如半導體發光元件1良好》 對此，在半導體發光元件1中，設置將平面狀之電極 300配置於p型GaN層70上，於其電極300具備缺口 300a之第1範圍300A，和未於η側電極100周圍配置缺 -13- 201034245 口之第2範圔300B，和未於p側電極200周圍配置缺口 之第3範圍300C。並且，將半導體發光元件1之中心部 分的直線a附近作爲主路徑而流動電流，將其電流的流動 ，從缺口 300a，在電極300內部分地進行控制同時，從 主路徑之任意位置未遺漏地從P型GaN層70流動電流於 η型GaN層30側。另外，對於η側電極100周邊及P側 電極200周邊的電極300，係因未有缺口之故，對於半導 體發光元件1之主電極附近之4角，係充分地擴散有電流 ❹ 〇 由此，半導體發光元件1係發光分布乃更均一地接近 ，可作爲發光效率高之發光元件者。 圖3乃說爲了明半導體發光元件之發光特性的圖。圖 3(a)的橫軸係顯示在半導體發光元件內之觀測處的位置 ，縱軸係顯示發光強度的實測値（規格値）。所觀測之部 分係圖3 ( b )所例示之ρ側電極200與η側電極1 〇〇之 間的矩形狀的範圍Ρ (長度方向之長度L)。圖3(a)之 〇 橫軸之+ L/2乃對應於Ρ之右端（位置+ L/2 )，橫軸之-L/2乃對應於範圍Ρ之左端（位置-L/2 )。做爲L，例如 適用 1 60μιη。 在圖3中，例示4種之半導體發光元件之發光特性。 4種之半導體發光元件係指將一對之缺口 3 00 a設置於半 導體發光元件之中央部的元件A，和將一對之缺口 300a 設置於半導體發光元件之ρ側電極200側的元件B，將一 對之缺口 300a設置於半導體發光元件之η側電極100側 -14 - 201034245 的元件C，和未設置缺口 300a之半導體發光元件D (參 照圖3(B))。 然而，在元件B及元件C之缺口 300a與範圍P的中 央之距離係例如爲60μιη。 首先’在未設置缺口 300a之半導體發光元件D中， 了解到P之右端（位置+ L/2)，和範圍P之左端（位置-L/2 )，發光強度變高者。 〇 在半導體發光元件D中，如在圖2(b)所例示，引 起在η側電極1 00附近及p側電極200附近之電流集中， 在η側電極1〇〇附近及ρ側電極200附近之發光乃成爲優 先。在半導體發光元件D中，了解到因引起局部性的電 流集中之故，遍佈於除η側電極100附近及ρ側電極200 附近之範圍Ρ全域，其發光強度則變低者。 對此，在半導體發光元件Α中，了解到較半導體發 光元件D，遍佈於範圍P全域，發光強度變強者。 ❹ 即，認爲經由將缺口 300a形成於電極300內之時， 控制在圖2 ( b )所例示之箭頭B之電流路徑，電流則成 爲容積存於電極3 00之中央附近。由此，認爲電流乃從電 極3 00之廣泛範圍流動至n型GaN層30側’在範圍P全 域，發光強度則增加。 如此，經由於電極300設置缺口 300a之時’發光分 布’發光效率則成爲良好。經由改變如此之缺口 300a的 位置之時，可控制發光分布。 例如，在半導體發光元件B中，因將缺口 300a配置 -15- 201034245 於P側電極200側之故，在電極300內之電流的積存效果 乃聚集於p側電極200側，在p側電極200側產生強的發 光。在半導體發光元件C中，因將缺口 3 00a配置於n側 電極100側之故，在電極300內之電流的積存效果乃聚集 於η側電極1 00側，在η側電極1 〇〇側產生強的發光。如 此，經由缺口 300a的位置，可控制發光分布。 另外，如此之效果係對於實測以外，亦可經由模擬所 確認。 將結果示於圖4。 圖4乃說爲了明半導體發光元件之發光特性的圖。 在圖4中，以濃淡顯示從半導體發光元件之上面進行 發光的光之相對強度。 濃淡越濃之部分，顯示發光強度越高者。 首先，在未設置缺口 3 00a之比較例的半導體發光元 件D中，在η側電極100側產生強的發光（參照圖4(a ))。此係因以模擬條件，降低電極300之組抗，在圖2 (b)所例示之電流路徑B乃較電流C設定成成爲優先的 條件" 接著，在在半導體發光元件B中，將缺口 3 00a設置 於P側電極200側。隨之，在上述之電極300內之電流的 積存效果乃在p側電極200側加以促進，p側電極200側 之發光強度則增加（參照圖4 ( b ))。 在半導體發光元件A中，於電極3 00之中央部設置 有缺口 300a。隨之，在電極300內之電流的積存效果乃 201034245 從P側電極200側移轉至電極300之中央部，從P側電極 2 00側至電極300之中央部，產生強的發光（參照圖4 ( c ))° 在半導體發光元件C中，將缺口 3 00a設置於η側電 極100側。隨之，在電極300內之電流的積存效果乃移轉 至η側電極1 00側，產生強發光的部份乃擴散至電極3 00 之全體（參照圖4(d))。 φ 即，對於η側電極1 00乃相對性產生強發光之情況， 由將缺口 3 00a設置於η側電極100側者，可將發光分布 作爲更均一者。 對此，對於Ρ側電極200乃相對性產生強發光之情況 ，由將缺口 300a設置於ρ側電極200側者，亦確認到可 使發光分布作爲更均一者（未圖示）。 另外，對於缺口 300 a的寬度與發光圖案之關係，亦 經由模擬加以確認。將結果示於圖5。 〇 圖5乃爲了說明在缺口的寬度與發光圖案之關係的圖 。在圖5中，以濃淡顯示從半導體發光元件之上面進行發 光的光之相對強度。濃淡越濃之部分，顯示發光強度相對 性高者。 首先，對於圖5(a)，係顯示使缺口 3 00a的寬度變 化時之發光圖案的變化樣子。作爲缺口 300a的寬度，係 例示有 1 μιη ' 2μιη、3μιη、5 μπι ' ΙΟμιη。 如以其模擬所示，缺口 300a的寬度d乃至2μχη爲止 ，發光強度比係接近於90%，缺口 300a本身的強度不明 -17- 201034245 顯的傾向爲強。在缺口 3 00a的寬度d乃至3μιη爲止’發 光強度比係略80%’對於發光強度之分布而言’缺口 300 之圖案所帶來的影響爲少。另一方面’當缺口 300a的寬 度成爲5μιη時，發光強度比係從70%依序降低，其圖案 則變爲更明確。 也就是，從由發光圖案帶來之影響，缺口 300的寬度 係3微米以下者爲佳，而2微米以下者爲更佳。 對於圖5(b)，係顯示缺口 3 00a的寬度d，和發光 φ 強度的比例關係。 在此，發光強度的比例係指電極300部之發光強度la ，和在缺口 3 00a內部之發光強度lb的比（Ib/Ia)。 結果，在缺口 300a的寬度d乃Ιμιη中，（Ib/Ia )爲 〇.93、在寬度d乃2μιη中，（Ib/Ia)爲0.88。在寬度d 乃3μπι中，（Ib/Ia )爲0.83。但在寬度d乃5μιη中，（
Ib/Ia)爲 0.73、在寬度 d 乃 ΙΟμιη 中，（Ib/Ia)爲 0.32。 即，經由將缺口 300a的寬度d作爲3μιη以下之時、 ◎ 了解到（Ib/Ia)成爲0.8 ( 80%)以上者。 從此等情況，在半導體發光元件1之平面，作爲不會 對於發光圖案帶來影響之缺口 300a的寬度，係3μιη以下 爲佳’ 2μιη以下爲更佳。 [第2實施形態] 接著’對於缺口之圖案的變形例加以說明。然而，在 以下’對於與半導體發光元件1同一之構件，附上同一符 -18- 201034245 號，對於其詳細的說明係省略之。 圖6乃爲了說明在缺口的圖案之變形例的要部平面圖 〇 在圖6(a)所示之半導體發光元件2，係具備p側電 極2 00和η側電極100，在p型GaN層70之上面，電極 300乃從p側電極200朝向η側電極1〇〇而延伸出。電極 300的終端係呈被覆η電極100之周邊地加以配置。 φ 對於電極3 00，係以直線a連結ρ側電極200之中心 部與η側電極1 00之中心部之情況，於直線a成爲略垂直 之方向，設置對向之3組的缺口 300a。即，電極300係 於兩側，設置有6個缺口 300a。但，缺口 300a係未延伸 存在至直線a之位置。即，電極300係具備在直線a的附 近成爲連續體，於直線a附近流動有電流之主路徑。 在如此之形態，在半導體發光元件2中，亦可得到與 半導體發光元件1相同的作用及效果。特別是在半導體發 參 光元件2中，因較半導體發光元件1，使缺口 300a的條 數增加之故，發光分布之控制性更提昇。 在圖6(b)所示之半導體發光元件3，係具備ρ側電 極200和η側電極100，在ρ型GaN層70之上面，電極 3〇〇乃從ρ側電極200朝向η側電極100而延伸出。電極 300的終端係呈被覆η電極100之周邊地加以配置。 對於電極3 00，在ρ側電極200側，於直線a成爲略 垂直之方向，設置有未延伸存在至直線之位置的2個缺口 300a，而在η側電極100，於直線a成爲略垂直之方向， -19- 201034245 設置有呈跨越直線a地與直線a垂直交叉之缺口 3 00b。 即，鄰接於2個缺口 300a之缺口 30 0b乃配置於電極300 之內部。 在如此之型態，電極300係亦在缺口 300a，300b以 外的部份成爲連續體。即，對於半導體發光元件3，係形 成有從P側電極200至η側電極100的方向成爲主路徑之 連續體。隨之，在半導體發光元件3中，亦可得到與半導 體發光元件1相同的作用及效果。特別是在半導體發光元 件3中，流動在電極300內之電流亦擴散於電極300之側 邊之故，較半導體發光元件1，發光效率，發光分布的控 制性更提昇。 在圖6(c)所示之半導體發光元件4，係具備ρ側電 極200和η側電極100，在ρ型GaN層70之上面，電極 3 00乃從ρ側電極200朝向η側電極100而延伸出。電極 3 00的終端係呈被覆η電極1〇〇之周邊地加以配置。 對於電極3 00係於直線a成爲略垂直之方向，設置有 對向之 3組的缺口 300a，300c，300d。即，在電極 300 係於兩側，設置有6個缺口。但，各缺口係未延伸存在至 直線a之位置。各缺口係從ρ側電極200朝向於η側電極 1 00 ’呈窄化其對向之間隔地加以配置，流動電流之主路 徑的寬度乃從ρ側電極200朝向於η側電極100，呈狹窄 地加以構成。 在如此之型態，電極300係亦在缺口 300a，300c， 300d以外的部份成爲連續體。即，對於半導體發光元件4 201034245 ，係形成有從P側電極200至η側電極100的方向成爲主 路徑之連續體。隨之，在半導體發光元件4中，亦可得到 與半導體發光元件1相同的作用及效果。 特別是在半導體發光元件4中，因將各缺口對向之間 隔（在對向之缺口間之電極300部分的長度），在電極 3〇〇內進行改變之故，較半導體發光元件1，發光分布的 控制性更提昇。 φ 在圖6(d)所示之半導體發光元件5,係具備ρ側電 極200和η側電極100，在ρ型GaN層70之上面，電極 3〇〇乃從ρ側電極200朝向η側電極100而延伸出。電極 3 00的終端係呈被覆η電極100之周邊地加以配置。 對於電極3 00係於直線a成爲略垂直之方向，設置有 2個缺口 300e。但在2個缺口 300e中，係未相互作爲對 向，將一方配置於ρ側電極200側，而將另一方配置於n 側電極100側。即，從電極300之一方端延伸存在於電極 φ 3 00之內部的缺口 300e，和從電極300之另一方端延伸存 在於電極3 00之內部的缺口 3 00e乃鄰接而配置。各缺口 3 00e係延伸存在至直線a之位置。 在如此之型態，電極300係亦在缺口 300e以外的部 份成爲連續體。即，對於半導體發光元件5,係形成有從 P側電極200至η側電極100的方向成爲主路徑之連續體 。隨之，在半導體發光元件5中，亦可得到與半導體發光 元件1相同的作用及效果。 特別是在半導體發光元件5中，流動在電極300內之 -21 - 201034245 電流亦擴散於電極300之側邊之故，較半導體發光元件丄 ’發光效率，發光分布的控制性更提昇。 在圖6(e)所示之半導體發光元件6，係具備p側電 極200和η側電極100，在p型GaN層70之上面，電極 3〇〇乃從p側電極200朝向η側電極100而延伸出。電極 3〇〇的終端係呈被覆η電極1〇〇之周邊地加以配置。 對於電極3 00係設置有2個L字狀之缺口 3 00f。即 ’在半導體發光元件6中，從電極3 00的端部朝向內部而 延伸存在之缺口的末端，對於從p側電極200朝向η側電 極100之方向而言，略平行地使缺口延伸存在。但在2個 缺口 300f中，係未相互作爲對向，將一方配置於ρ側電 極2 00側，而將另一方配置於n側電極！ 00側。 在如此之型態，電極300係亦在缺口 300f以外的部 份成爲連續體。即，對於半導體發光元件6，係形成有從 P側電極200至η側電極100的方向成爲主路徑之連續體 。隨之’在半導體發光元件6中，亦可得到與半導體發光 元件1相同的作用及效果。 特別是在半導體發光元件6中，流動在電極300內之 電流乃在元件之中央部份擴散成彎曲狀之故，較半導體發 光元件1，發光效率，發光分布的控制性更提昇。 [第3實施形態] 接著，對於半導體發光元件及缺口之圖案的其他變形 例加以說明。 -22- 201034245 圖7乃半導體發光元件之要部圖。在此，對於圖7( a)係例示半導體發光元件7之要部平面，對於圖7(b )係例示有圖7 ( a )之X - Y剖面。 如半導體發光元件7所例示，在半導體發光元件7之 平面’長度方向與短方向的比係成爲1 : 1。半導體發光 元件7係具有於基板10之上方，依GaN緩衝層20、η型 GaN層30、η型GaN引導層40、活性層50、ρ型GaN引 φ 導層60、p型GaN層70的順序加以設置之構造。對於n 型GaN層30之上方的一部分，係形成有作爲主電極之^ 側電極1 0 0。 對於Ρ型GaN層70之上面，係配置有電極300，於 電極3 00上之一部分，配置有作爲主電極之ρ側電極2 〇〇 。即’ η側電極1 〇〇及p側電極200係同時配置於層積有 半導體層之基板10的主面上層。 另外’半導體發光元件7係於平面內之對向的位置， φ 具備配置於前述P型GaN層70之上層的ρ側電極200， 和配置於前述η型.GaN層30上之η側電極100。對於η 型GaN層70之上面，係形成有連接於ρ側電極200之電 極 3 0 0 ° 該電極300係從ρ側電極200朝向半導體發光元件7 之平面的4角而延伸出。並且，對於半導體發光元件7之 電極300係於其一部分，設置至少一個之缺口 3 00g。電 極300係具有具備缺口 300g之第1範圍300A，和未於η 側電極100周圍配置缺口之第2範圍3 00Β，和未於ρ側 -23- 201034245 電極2 00周圍配置缺口之第3範圍3 OOC。 例如，對於電極300係缺口 300g乃將η側電極100 作爲中心而形成成放射狀。以直線a連結ρ側電極200之 中心部與η側電極100之中心部之情況，缺口 300g乃延 伸存在至直線a的位置。即，電極300係在直線a的附近 係成爲連續體。在其電極300中，將直線a位置作爲主路 徑，成爲流動有電流者。換言之，對於P型GaN層70之 上方，係從P側電極200至η側電極100之方向，確保可 成爲電流之主路徑之IT Ο膜的連續體。 在如此之半導體發光元件7中，亦可得到與半導體發 光元件1相同的作用及效果。即，因將缺口 300g配置於 電極300內之故，促進在電極300內之電流的積存效果， 如上述，發光分布則成爲良好，更且，發光效率則提昇。 [第4實施形態] 接著，對於於電極3 00未設置缺口，使發光分布提昇 的例加以說明。 該實施例係經由模擬所確認。 圖8乃說爲了明半導體發光元件之發光特性的圖。 在圖8中，以濃淡顯示從半導體發光元件之上面進行 發光的光之相對強度。即，濃淡越濃之部分，顯示發光強 度越高者。 首先，在圖8所例示之半導體發光元件中，於電極 3 00未設置有缺口。但經由改變電極3 00的電阻或組抗率 201034245 之時，使其發光分布提昇》 例如，在此圖中，作爲電極300的組抗，顯示5. Οχ 1(Γ4 ( Ω · cm)〜1.3χ10·4 ( Ω . cm)的例。 在電極300的組抗乃3.3x1 (Γ4 ( Ω · cm)以上的場合 ，在P側電極200側產生強的發光（參照圖8(a)、圖8 (b ))。特別是阻抗越高，了解到在p側電極200側的 發光越顯著者。在電極300的組抗乃成爲2.9χ1(Γ4( Ω · ❹ cm)時，促進在電極3 00內全域之電流的積存效果，如 上述，發光分布則更提昇。即，在電極300內全域作爲強 的發光（參照圖8(c))。 並且，當成爲2.0x10_4 ( Ω · cm )以下時，如上述， 在η側電極100側之發光變強。特別是電極300的阻抗越 低，其傾向乃越顯著（參照圖8 ( d )〜圖8 ( g ))。 如此，於電極3 00未設置缺口，而亦可得到良好之發 光分布者。對此，將電極300的阻抗作爲2.0x1 (Γ4( Ω · ^ cm)〜3·3χ10'4( Ω . cm)者爲佳。而更佳爲將電極300 的阻抗作爲2·9 χ1 (Γ4 ( Ω · cm)者爲佳。 以上，參照具體例之同時，已對於實施形態加以說明 過，但亦可複合上述之實施型態。另外，本實施型態並不 限定於以上之具體例者。 例如，可作爲半導體多層構造體而使用之構成係不限 於GaN系，而亦可使用InGaAlP系、GaAlAs系、ZnSe系 爲始之各種化合物半導體。 另外，對於從半導體發光元件所放射的光，不限於可 -25- 201034245 視光，而亦可爲紫外線光，或紅外線光。例如，經由紫外 線光或藍色光，和分散配置於密封樹脂中之螢光體的組合 ，進行波長變換，得到白色光。 其他，關於構成半導體發光元件之基板、半導體層、 半導體層之組成、電極等之各要素的形狀、尺寸、材質、 配置關係等、即使有該業者加上各種設計變更者，在不脫 離本發明之主旨，均包含在本發明之範圍。 【圖式簡單說明】 圖1乃半導體發光元件之要部圖。 圖2乃爲了說明半導體發光元件之作用的要部剖面模 式圖。 圖3乃說爲了明半導體發光元件之發光特性的圖。 圖4乃說爲了明半導體發光元件之發光特性的圖。 圖5乃爲了說明在缺口的寬度與發光圖案之關係的圖 圖6乃爲了說明在缺口的圖案之變形例的要部平面圖 〇 圖7乃半導體發光元件之要部圖。 圖8乃說爲了明半導體發光元件之發光特性的圖。 【主要元件符號說明】 1' A、B:半導體發光元件 10 :基板 -26- 201034245 20 : GaN緩衝層 30 : η型GaN層（第1半導體層） 40 : η型GaN引導層引導 5 〇 :活性層 60 : p型GaN引導層引導 70 : p型GaN層（第2半導體層） 100: η側電極（第1電極） φ 200 : ρ側電極（第3電極） 300:電極（第2電極） 3 0 0 A :第1範圍 300B :第2範圍 300C :第3範圍 300g :缺□ 300a ' 300b、 300c、 300d、 300e、 300f、 -27-