TW201021045A - Reliability test method for solid storage medium - Google Patents
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Description
201021045 • ^ly/uinTW 29227twf.doc/n 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種測試方法’且特別是有關於一種 儲存裝置的測試方法^ 【先前技術】 固態硬碟,例如由快岗記憶體構成,其產業市場正處 ❿ ❹ 於起飛階段。快閃記憶體為一種非揮發性可程式可抹除的 吕己憶儲存襄置。但是,快閃記憶體的生命週期受限於抹除 次數之限制。因此’使用快閃記憶體構成的固態硬碟時, 其糸統的可靠度便顯得十分重要。但是’可靠度的驗證又 需要依靠固態硬碟的使用者(client)端的測試工具來進行測 試。 ’、 目前固態硬碟的可靠度測試並沒有標準方法,而各薇 商所使用的方法又無法全面性地測試出固態硬碟的可靠 度。目前固態硬碟測試的技術中’例如利用抹除位元組與 寫入位元組之比值㈣咖㈣以/研肋㈣以加叫以表示耗 損平均(wear leveling)的負擔(〇verhead),或者使用快取與 熱資料(hGtdata)時節省抹_比例等。 ς (;r=r計算固態硬碟之抹除次數,也可= 另二抹除數標準差與平均值的應用也 整體二;度其可以表示耗損平均的水平,亦即 此外’目_測試方式大部分是以整個儲存媒體為單 3 結果產生誤差 ❿ 鲁 201021045 * 29227twf.d〇c/n 位’因此其測試報告的解析度不高。若是能以區塊為單位, 則測試結果則更能具有可信賴性。另外,f知技術大部分 僅以抹除為基準,並未考慮其侧素,故難免會使測試 【發明内容】 、基於上,題,本發明提出—種固態儲存媒體的 方法,以提高測試的可靠性與實用性。 ^此,依據本發明一實施範例,提出—種固態儲 體可罪度的測試方法,固態儲存媒體包含多數個區塊。首 先,取得固態儲存媒體的各區塊的生命週期。測試上 塊的抹除數,並且判斷該區塊的抹除數是否大於一 除數。將上述各區塊中,抹除數大於預定抹除數的區塊數 加以累加,以產生問題區塊數,並輸出測試報告。 、另和本發明更提出-種固態儲存媒體可^度 方法,固態儲存媒體包含多數個區塊。首先, ㈣ 程。通過-介面命令,由關儲存媒體向傳測:^ 目的數據。比侧試項目在測試前後的差異值1 =項 =效=項目可為各區塊的袜除數、錯誤更‘ 综上,本實施範例可以透過主機系統與 之間的介面命令,主動地從固態儲存媒體子 目的數據,以作成測試報告。各_項目是^ 項 所以更能有效地顯示出該固態儲存媒體之測乂^^早^ ’ 4 201021045 . rais-zuniTW 29227twf.doc/n 性與信賴性。 ,下文特 為讓本發明之上述特徵和優點能更明噸 舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如;。’ 【實施方式】 本實施範例在進行測試時,測試的目標為得到測試報 告⑽t report),測試報告是利用市場上及工業上常使用的 ❹技純準語言,例如失效間平㈣間(mean time between fail麵,MTBF)、長期資料耐度值(1〇ngtem _ , LDE)等。 圖/1A繪不本實施範例的基本流程示意圖,圖1B為其 應用的系統架構不意圖。首先,在步驟sl〇,測試工具會 選定各種測試流程(或測試圖案),以對儲存媒體進行測 ,。在本範例中,將以由快閃記憶體夠成的固態硬碟做為 说明例。例如,由圖1B所示,使用者由電腦(系統端)1〇 經由介面Η送出各種測試流程給固態硬碟12。此介面例 ® 如疋ATA、SATA等任何可以運用的介面規格。固態硬碟 12在本實施範例中是由快閃記憶體所構成’而快閃記憶體 可以包含多數個區塊(BL0〜BLn) 16。 接著,在步驟S12,透過介面12,在進行測試前,取 付固態硬碟對應於要進行測試項目的測試前的資料數據 =。此步驟亦可以在選定侧視圖案之前為之。接著,在步 私S14 ’利用步驟sl〇所選定的測試流程(圖案)對固態硬 碟12進行讀寫動作等。 5 201021045 * P51970111TW 29227twf.doc/n 接者,於步驟S16 ’在測試—段時間之後,經由自定 ^面命令’冑取出所需要的測試項目,即本實施範例的 ,方法所職出的數據值。接著,在倾⑽,將測試 則後的資·行比較,取得差異值。最後,在步驟s2〇, 如果有需要’制試結果經由公歧算成測試報告。 上述步驟S10所提到的測試流程(測試圖案)可以由如
::幾種類型來進行。首先’例如利用實際使用的動作或 二買寫迪動作.,其可以根據不同的作業環境(如Wlnd_、 =X/L贿、Mac^)、制者特性與平台(如筆記型電腦、 PC、伺服器等)差異、應用的差異(如資料庫、監控系統等), 做出不同的測試流程。 其次,測試流程也可以特殊圖案進行測試。此方式是 針對各種較可能使固態補降低效能的動作進行攻擊性的 測試,如姻大量小難的寫人、在碟機容量快滿的時 候進仃寫入動作、或者循序/隨機地讀寫等。此外,也可以 利用針對各種U態硬術所造成的副效應,進行攻擊測 試,例如針對多通道架構做大量小檔案以及 雜寫入等。 〗里八如系奶 另外,測試項目也可以是壓力(stress)測試,亦即利用 長時間大量讀寫的方式來進行顺。以上僅列舉出數種可 行的方案,其他方式在不失本實施範例的範嘴下,也可以 加以應用,在此不--列舉。 本實施範例重點在於測試所使用的方法,以下將針對 本只施範例的測g式方法做進一步的說明。在測試方法中,' 6 201021045
Wiy/UiiiTW 29227twf.doc/n
例如可以針對如固態硬碟中之快閃奇 測試錯誤、隱含錯誤、ECC耐度值、 ❿跑^^崎^,首先在倾祕'%統透過介面(如 人、;丨、、)’取得固態儲存媒體之快閃記憶體的區塊生 〒週期’並且⑤定-個gj定的百分比,例如冒。。區塊生 :週期例如疋可執行抹除的總數,而上述固定百分比即表 示該區塊是否已經被抹除到一預定抹除數以上。當超過該 抹除數(及固定百分比),該區塊在可靠度上將會變得極 低’而系統也會避免將資料寫入該區塊。 之後在步驟S102,測試該區塊的抹除數,亦即取得該 區塊已經進行抹除的次數。接著在步驟S104,判斷該抹除 次數是否大於對應該固定百分比的預訂抹除數。若未達到 該預定抹除數,則表示該區塊之可靠度高。此時,便經由 步驟S112,進行下一個區塊的測試。 反之’若該抹除次數大於對應該固定百分比的預訂抹 除數’則表示該區塊已經讀寫到可靠度低的狀態’此時便 將該區塊加入問題區塊數的累加數(步驟S106)。 之後,在步驟S108,判斷是否所有區塊都測試完畢。 如果尚未測試完畢,則經由步驟S112再進行下一個區塊 7 201021045 ^iy/uinTW 29227twf.doc/n 的測試;若所有區塊均測試完畢,則執行步驟su〇,計算 出問題區塊數與整個總區塊數的比例。之後可將此比例作 為測試結果輸出,使用者便可以知道該固態儲存媒體的目 前可靠度為何。 在上述範例中,是假設每個區塊的生命週期都可能不 同的極端其況,所以步驟SU2會回到步驟sl〇〇,以重新 取得各區塊的區塊生命週期。假如記憶體製程條件控制得 ❹ ^好,各區塊之生命週期應該可達到幾乎相同的狀況,此 時步驟S112則可以直接到步驟sl〇2,即區塊生命週期的 取得只要執行一次即可、 另外,關於區塊生命週期的取得,可以透過自訂的碟 機命令(本例為ΑΤΑ命令)’使碟機自動回報記憶體之生命 週期,或者是也可以透過使用者輸入的方式來進行。另外, 關於區塊抹除數大於預訂抹除數(固定百分比之數目)也可 透過介面命令來取得。 經由圖2的測試方法,可以更正確地取得每個區塊的 ® 受命指數。比起習知僅測試整體的抹除數要來得更為精 準,且更具以可信度。 圖3繪示本實施範例的一種測試方法的流程示意圖。 圖3所示的方法主要是利用錯誤更正碼(err〇r c〇rrecti〇n code,ECC)的測試來做為固態儲存媒體之可靠度測試。圖 3所不之測試方法主要是取的記憶體各區塊之Ecc;耐度值 (endurance)來進行測試的方式,關於Ecc耐度值會在下文 做詳細解釋。基本上,ECC耐度值是表示記憶體區塊可能 8 201021045 F5iy7011lTW 29227twf.doc/n 發生錯誤的隱含錯誤機率。經由隱含錯誤區塊的辅助測言式 項目,可以讓測試報告的可靠度更為提高,也更具實益。 如圖3所示,在步驟S200 ’系統經由介面命令,取得 各區塊的ECC耐度值錯誤總數。接著,在步驟S2〇2,取 得隱含錯誤的數目,即ECC耐度值得變化。 之後,在步驟S204,判斷是否所有的區塊均測試完 畢’右尚未測έ式完畢’則經由步驟S210,繼續下一個區塊 φ 的ECC耐度值測試。反之若所有區塊均測試完畢,則在 步驟S206,計算隱含錯誤的總數。 另外,圖3所示的方法也可以更配合圖丨所示的方法, 即配合抹除數’而能夠更精準地判斷每個區塊的壽命指數。 圖4繪不本實施範例的一種測試方法的流程示意圖。 圖3所示的方法主要是利用無效頁數做為測試項目,此方 式了以避免垃圾回收(garbage c〇uecti〇n,一種記憶體管理 方式)先做與後做時所產生之抹除數的差異。無效頁的存在 t影響咖態儲存雜的可靠度,@此在計算抹除數時, 響也必須將其計算在内,以提高測試結果的可靠性。 甘例如,假如一個區塊的無效頁數多了 256頁,而一區 塊疋包含128胃,所以抹除總數便必須要加人256/128, 即2。 叙六如圖4所示,在步驟S300,經由介面命令取得區塊的 ^ j頁數,並计算出對應的抹除數。接著,在步驟S302, ^抹除數超過預定抹除數的區塊(例如圖2所示測試流 王。在步驟S304,判斷是否所有區塊均做完測試,若否, 9 201021045 fMV /υ u 1TW 29227twf.doc/n 則經由步驟S310,進行下一個區塊的測試流程。反之,當 所有區塊均做完測試,則執行步驟S306,即計算問題區塊 數。此問題區塊數除了依據圖2所示流程所計算出的區塊 數外,更加上因無效頁產生之對應的區塊數。 加上無效頁的考量後,可以讓固態儲存媒體的可靠度 測试更為精確且有實益。 以上圖2製圖4所示之流程,在進行測試時可以—併 • 執行·,或在抹除數的基礎上加上ECC耐度值或無效頁妁測 D式另外’此二種測试方式可以利用自定碟機(固態儲存媒 體)的介面命令’使碟機回報快閃記憶體的生命週期、大於 某一固定百分比之抹除數的區塊數、區塊總數、抹除數的 最大值等。 接著’對上述實施範例所提到的ECC耐度值做說明。 圖5繪示包含ECC單元的資料區塊的結構示意圖。以下的 實施例將以快閃記憶體做為說明例。在快閃記憶體中,以 圖5的資料區塊20做為最小的讀寫單位。資料區塊2〇 — ® 般可包含一或多數個ECC資料區塊22。做為最小讀寫單 位的資料區塊20的大小例如可以是512B或2KB等,其 可以具設計需求做適當的調整。而各ECC資料區塊22則 包含可修正位元數的資料,例如16位元。藉由Ecc資料 區塊22可以對讀取或寫入的資料進行錯誤更正的處理程 序。 母個ECC資料區塊具有它可以檢查出的錯誤位元數 及其可以更正的錯誤位元數。另外,每個資料區塊2〇也有 201021045 ^iy/wnlTW 29227twf.doc/n 查出的錯誤位元數及其可以更正的錯誤位元數, :Ρ其有ECC資料區塊22中可檢查出的錯誤位元泰 的、心和及其可以更正的錯誤位元數的總和。 圖6緣示本實施例的耐度區塊的架構示意圖。如圖^ 不=據本實施例,快閃記憶體中的耐度區塊㈣ •V 〇|1㈣可以包含整數個圖5所㈣資料區塊2 G。在快閃 記錄與計算快閃記憶體的損壞程度時,以对 ❿ ’將儲存在快閃記憶體中的資料或槽案 分類’而將耐度區塊3G職予不同的參數耐度 本换Y卿對5&憶體_存區域的損壞程度附上-個參 考^戴,使系統可以預測該區塊的耐用 將錯誤的程度給予細值為等。㈣ =越小,衫_魏_可靠度越高,越適合儲存重 要性局的檔案或資料。透過這種方式,可以預估記憶體中 ,r率‘二:將下重6== 太要性分類是可赠“本身依據觀或資料 :獻等等來進行區分分類’或者是也可以 ^ 〃做疋義與分類。經過分類分層後,Endu的 品免便可依重要性,對應到不同層重躲的標案。 行定義為例,可以將系統檔和隱藏檔等與系 、=”相關的檔案與資料儲存在如制㈣的區域, 貝仙可存放在End㈣的區域,影音播可存放在腕㈣ 201021045 x. w, ., 1TW 29227twf.doc/n 的區域,而備份檔或資料則存放在Endu=i的區域。 吹、另外若疋使用者本身自己定義的話,可以將重要的 貝料或影音鮮存放在Endu=〇的區域。—般資料與影音 槽可以存放在例如Endu=1的區域,而不 音樓可以存放在例如End㈣的區域。當然,以上僅是說 明之用’何種資料要存放在Η—值多少的區域端視系 統或使用者的定義方式。 φ 圖7繪示本實施例的記憶體中的儲存區域的示意圖。 如圖7所示,其為記憶體的邏輯儲存區域的配置示意範 例。例如,可以將儲存區域4〇分成管理區域(映射表)42、 使用資料區域44、備份區域46與缺陷區域48。其中,在 此圖例中,使用資料區域44更可以依據Endu值區分為區 域1〜區域4 ’藉以依據構案或資料的重要性來分配儲存的 區域。 在管理區域42中可以存放一個記錄表,即耐度表 (endurancetable)。此記錄表記錄有耐度區塊的位置、區塊 • 的寫入次數(cycles)、ECC錯誤更正位元數(ECC)和耐度值 Endu (即將錯誤的程度)。圖8繪示本實施例的管理區域中 的耐度記錄表示意圖。如圖8所示,Endu值可以是次數與 ECC的函式或判斷式。一般快閃記憶體在出廠後會有E/w 參考值(抹除/寫入參考值,即可以執行幾次)以及分佈(即寫 入幾次後會開始產生缺陷)。而利用E/W參考值、ECC的 錯誤更正以及前述分部等等,定義一個對應函式或判斷 式’由次數與ECC計算Endu值。此對應函數或判斯式可 12 201021045 29227twf.doc/n
*·*^·*〆 ’V/·*·.ITT 次加料⑽m朗當時的 使用狀況與毀損狀況做修正。 ^體 上述的記錄表,便可依不同的此如值,將使用 3,:子區分成數個區域(嶋),即上述耐度區塊。例如 θ ,又不同的Endu值0-3’分成了區域!到區域4〇 另外’Endu值的對應函式或判斷式也可依各層檔
調整。此外,f理區域42因為重要性高,實作時可 便用較局可靠度的儲存體,例如MRAM。 綜上,本實施範例可以透過主機系統與固態儲存媒體 之間的介面命令,主動地從固態儲存媒體取得各種測試項 的數據,以作成測试報告。各測試項目是以區塊為單位: 所以更能有效地顯示出該固態儲存媒體之測試報告 性與信賴性。 胃π 雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定 本1明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離 本發明之精神和範圍内,當可作些許之更動與潤飾,故本 發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖%示本實施範例的基本流程示意圖,圖1Β為其 應用的系統架構示意圖。 圖2繪示本實施範例的一種測試方法的流程示意圖。 圖3繪示本實施範例的另一種測試方法的流程示意 13 201021045 jl ~j y y / w jl x
1TW 29227twf.doc/n 圖4繪示本實施範例的另一種測試方法的流程示意 圖。 圖5繪示包含ECC單元的資料區塊的架構示意圖。 圖6繪示本實施例的耐度區塊的架構示意圖。 圖7繪示本實施例的記憶體中的儲存區域的示意圖。 圖8繪示本實施例的管理區域中的耐度記錄表示意 圖。 【主要元件符號說明】 10 :電腦(系統端) 12 :固態儲存媒體 14 :介面 20 :資料區塊 22:ECC資料單元 3 0 .对度區塊 40 :儲存區域 42 :管理區域(映射表) 44 :使用資料區域 46 :備份區域 48 :缺陷區域 14
Claims (1)
- 2〇1〇21〇45tw 29M〇c/n 七、申請專利範圍: 1. 一種固態儲存媒體可靠度的測試方法,其中該固態 儲存媒體包含多數個區塊,該固態儲存媒體可靠度的測試 方法包括: 取得該固態儲存媒體的各該區塊的一生命週期; 測試該區塊的·抹除數, 判斷該區塊的該抹除數是否大於一預定抹除數;以及 將該些區塊中,該抹除數大於該預定抹除數的區塊數 加以累加,以產生一問題區塊數,並輸出一測試報告。 2. 如申請專利範圍第1項所述之固態儲存媒體可靠度 的測試方法,其中該生命週期為該區塊的總抹除數。 3. 如申請專利範圍第1項所述之固態儲存媒體可靠度 的測試方法,其中該預定抹除數為該生命週期的一固定百 分比。 4. 如申請專利範圍第1項所述之固態儲存媒體可靠度 的測試方法,其中該生命週期由一使用者輸入一主機系統。 5. 如申請專利範圍第1項所述之固態儲存媒體可靠度 的測試方法,其中該生命週期由一主機系統,透過該主機 系統與該固態儲存媒體之間的一介面命令所取得。 6. 如申請專利範圍第1項所述之固態儲存媒體可靠度 的測試方法,更包括: 計算該問題區塊數與該固態儲存媒體之總區塊數的比 例,做為該測試報告。 7. 如申請專利範圍第1項所述之固態儲存媒體可靠度 15 201021045 -iTW 29227twf.doc/n 的測試方法,更包括-: 取得各該區塊的一錯誤更正碼对度值; 依據該錯誤更正碼耐度值,獲得—隱含錯誤,·以及 將各該些區塊的各親含錯誤併人糾題區塊數,以 做為該測試報告。 8.如甲請專職㈣7項所述 的測試方法,其中該錯誤更正碼耐度值由Ϊ ,機系統與該固態儲存媒體之間的一介::所; 的二:請S圍第1項所述之固態儲存媒體可靠度 算:==效頁數,並依據該無效頁數計 丨,題區槐數,以做為該測試報告。 川.如曱晴專利範圍篦Q 度的測試方法,其t該無效儲存媒體可靠 機系統與該_儲存媒體之統’透過該主 η.-種介面命令所取得。 儲存媒體包人减的測試方法,其中該固態 =媒體包3多數_塊,_態儲存雜_試方法包 決定一測試流程; 主機傳送 通過-介面命令,由該固態 測試項目的數據; 卄琛骽向 差異值,以輸出一測試 比較該測試項目在測試前後的 16 201021045 J· J ……1TW 29227twf.doc/n 報告。 12. 如申請專利範圍第11項所述之固態儲存媒體可靠 度的測試方法,其中該測試項目為各該區塊之抹除數是否 大於一預定抹除數,該傳送該測試項目的數據更包括: 將該些區塊中,該抹除數大於該預定抹除數的區塊數 加以累加,以產生一問題區塊數,並輸出該測試報告。 13. 如申請專利範圍第12項所述之固態儲存媒體可靠 鲁 度的測試方法,其中該預定抹除數是由各該區塊一生命週 期的一固定百分比所決定。 14. 如申請專利範圍第12項所述之固態儲存媒體可靠 度的測試方法,其中該測試項目更包括一無效頁,其中傳 送該測試項目的數據更包括: 取得各該些區塊之一無效頁數,並依據該無效頁數計 鼻出對應的一區塊數;以及 將該區塊數併入該問題區塊數,以做為該測試報告。 鲁 15.如申請專利範圍第u項所述之固態儲存媒體可靠 度的測試方法,其中該測試項目為各該區塊的—錯誤更正 瑪耐度值。 16.如申請專利範圍第15項所述之固態儲存媒體可靠 度的測試方法,其中傳送該測試項目的數據更包括: 取得各該區塊的該錯誤更正碼耐度值; 依據該錯誤更正碼耐度值,獲得一隱含錯誤;以及 將各該些區塊的各該隱含錯誤,做為該測試報告。 17
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW097144536A TWI410976B (zh) | 2008-11-18 | 2008-11-18 | 固態儲存媒體可靠度的測試方法 |
US12/372,692 US7992061B2 (en) | 2008-11-18 | 2009-02-17 | Method for testing reliability of solid-state storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW097144536A TWI410976B (zh) | 2008-11-18 | 2008-11-18 | 固態儲存媒體可靠度的測試方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201021045A true TW201021045A (en) | 2010-06-01 |
TWI410976B TWI410976B (zh) | 2013-10-01 |
Family
ID=42172924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW097144536A TWI410976B (zh) | 2008-11-18 | 2008-11-18 | 固態儲存媒體可靠度的測試方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7992061B2 (zh) |
TW (1) | TWI410976B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US20110283044A1 (en) * | 2010-05-11 | 2011-11-17 | Seagate Technology Llc | Device and method for reliable data storage |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7992061B2 (en) | 2011-08-02 |
TWI410976B (zh) | 2013-10-01 |
US20100125767A1 (en) | 2010-05-20 |
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