TW201012909A - Abrasive composition and method for manufacturing semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Description

201012909 • 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種適宜用於半導體積體電路等之新賴之 研磨用組合物。 【先前技術】 近年來，針對對半導體積體電路之高集成化之需求之高 漲，正在開發半導體元件之細線化、配線之多層化等各種 微細加工技術。因此，於與配線形成相關之 ❹ Mechanical Polishing(化學機械研磨，以下稱為〇明中， 對新穎之研磨用組合物之需求較大。再者，與單純之機械 研磨用組合物相比較，CMp用之研磨用組合物要求精度非 常高之研磨，因此需要非常縝密之調整。 作為對新額之研磨用組合物之具體需求，有表面之凹凸 防止。 所謂配線之多層化’係指形成電路後，使用微影法等形 ❷纟新的電路者。若於成為下層之電路表面存在凹凸，則存 在於其上之新形成電路之層之表面亦可能出現凹凸。若如 此’則偏離微影法之焦點深度，無法形成依照設計之配 $因此於近年來之半導體積體電路之設計中，要求以極 精度使1成有電路之表面平坦化，以便不對其上之層 之表面的平坦性造成影響。 曰 又，於品質方而 φ 貝乃由，表面凹凸對配線之電氣特性造成影 響，因此為了抑鈿〇， 質上之不均，應儘可能抑制表面凹 142916.doc 201012909 例如於形成電路之表面之平坦化時同時形成電路之配 線之金屬鑲I法中，係以於半導體積體電路裝置之對象表 面形成配線用之槽圖案，於該槽圖案中埋入用以形成配線 之紹及金屬銅等比電阻較低之金屬的方式形成電路之配 線金屬首先藉由鍍敷法或濺鍍法而於表面上形成為膜， 於較多情形下，藉由CMP技術對該膜進行研磨，除去配線 部以外之金屬，形成與槽對應之配線。此時，一併進行研 磨面之平坦化。 於此情形時，於對經由障壁層而設置於絕緣層上之銅層 進行研磨，從而交替形成埋入銅之配線與絕緣層之圖案形 成中，在直至與銅層鄰接之障壁層露出為止的階段（所謂 第1研磨步驟），障壁層上殘留銅之問題（銅殘留）及銅配線 上之凹坑（凹處）形成表面凹凸而成為問題。 若有銅殘留，則與無銅殘留之部分相比較，該部分成為 凸起狀態’於其後之所謂第2研磨步驟中亦容易維持該凸 起形狀’結果容易產生表面凹凸。圖1係示意性地表示有 銅殘留21之部分較無銅殘留之部分2 2而凸起之狀態的剖面 圖。上述銅殘留容易產生於配線密度較高之部位，於此情 形時’甚至會產生該部位之銅配線之厚度較其他部位更厚 之情況。將該情況示意性地示於圖2及3中。圖2表示於配 線密度較高之部位23存在銅殘留21之狀態。於上述情形 時’若於其後之第2研磨步驟中亦殘留其影響，則部位23 之銅配線之厚度容易變得與無銅殘留之部分22的鋼配線之 厚度相比較更厚。再者，圖2及3中省略記載障壁層。 142916.doc 201012909 銅配線上之凹坑可能為銅之腐蝕之一種，係以數萬倍程 度之倍率方可看到之程度的微細者。 作為銅之研磨中所使用2CMp用之研磨用組合物，記載 有使用松香之研磨劑（例如參照專利文獻〗）、及藉由含有具 有雜環之化合物而抑制侵蝕之研磨液的發明（例如參照專 利文獻2)。進而，於專利文獻3中，記載有使用含有脂肪 族竣酸與笨并二咬之研磨液來調整對銅之研磨作用。然 而’該等研磨用組合物無法完全處理銅殘留。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]國際公開編號WO 2007/0729 18(claim) (US2008-261400) [專利文獻2]日本專利特開2002-12854號公報（US2002-016275) [專利文獻3]曰本專利特開2002-231666號公報 (US6679929) 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 本發明之目的在於提供一種可解決上述表面凹凸問題之 新穎之研磨用組合物。本發明之進而其他目的及優點可由 以下說明而明確。 [解決問題之技術手段] 根據本發明之第1態樣’可提供一種研磨用組合物，其 係於對隔著障壁層設置於絕緣層上之銅層進行研磨，從而 142916.doc 201012909 交替形成埋入銅之配線與絕緣層之圖案形成中，被用於進 行研磨直至與上述銅層鄰接之上述障壁層露出為止之步驟 (第1研磨步驟）者；並且 其包含： 十二烷基苯磺酸成分，以及 選自由烯基琥珀酸成分、聚氧乙烯烷基醚羧酸成分及聚 氧乙烯烧基謎磷酸成分所組成群中之至少一種平坦性改良 劑。 根據本發明之第2態樣，可提供如上述態樣丨所述之研磨 _ 用組合物’其中進一步含有脂環族樹脂酸。 根據本發明之第3態樣，可提供如上述態樣2所述之研磨 用組合物’其中上述脂環族樹脂酸為松香。 根據本發明之第4態樣，可提供如上述態樣i至3中任— 項所述之研磨用組合物，其中進一步含有咪唑衍生物。 根據本發明之第5態樣，可提供如上述態樣丨至4中任一 項所述之研磨用組合物，其中進一步含有膠體二氧化矽作 為研磨粒。 % 根據本發明之第6態樣，可提供如上述態樣丨至5中任〜 項所述之研磨用組合物，其中進一步含有氧化劑。 根據本發明之第7態樣，可提供如上述態樣1至6中任〜 項所述之研磨用組合物’其中進—步含有錯合物形成劑。 根據本發明之第8態樣，可提供如上述態樣丨至7中任〜 項所述之研磨用組合物，其中研磨用組合物中之油酸含量 為0.03質量。/。以下。 142916.doc •6· 201012909 根據本發明之第9態樣，可提供—種半導體積體電路裝 置之製這方法，其係製造半導體積體電路裝置者， 該半導體積體電路裝置包含：具有槽之絕緣層、形成於 該槽中的埋入銅之配線， 該半導體積體電路裝置之製造方法包含如下步驟：使用 如上述態樣1至8中任一項所述之研磨用組合物，對在該絕 緣層上依序形成有障壁層與銅配線層的該半導體積體電路 裝置用之多層結構體進行研磨，直至與上述銅層鄰接之上 述障壁層露出。 根據本發明之第丨〇態樣，可提供一種如上述態樣9所述 之半導體積體電路裝置之製造方法，其中上述障壁層含有 選自由Ta、TaN及TiN所組成群中之至少！種。 根據本發明之第U態樣，可提供如上述態樣9或1〇所述 之半導體積體電路裝置之製造方法，其中上述多層結構體 於上述絕緣層與上述障壁層之間包含上覆層。 φ 根據本發明之第12態樣，可提供如上述態樣9至11中任 一項所述之半導體積體電路裝置之製造方法，其中上述具 有槽之絕緣層具有3以下之相對介電常數。 [發明之效果] 根據本發明，可獲得一種第1研磨步驟用之新穎之研磨 用組合物，其可使第1研磨步驟中之銅配線之研磨速度變 得良好’同時解決凹陷之問題，亦不使侵蝕惡化，且可解 除銅殘留及銅配線上之凹坑之問題。 【實施方式】 142916.doc 201012909 針對將具有半導體積體電路之配線用槽的表面之銅膜進 行研磨之情形，對本發明之研磨用組合物之作用加以說 明。以下，以尤其好之用途即應用於具有銅配線之半導體 積體電路裝置之情形為中心加以說明，若本發明之研磨用 組合物為銅配線研磨用，則當然亦可用於其他情形。又， 以下說明係例示本發明者，並不限制本發明之範圍，只要 符合本發明之宗旨，則其他實施形態當然亦可屬於本發明 之範_。 本毛明之研磨用組合物係於對經由障壁層而設置於絕緣 層上之銅層進行研磨，從而交替形成埋入銅之配線與絕緣 層圖案先成中被用於進行研磨直至與銅層鄰接之障壁 層露出為止者’即第1研磨步驟用之研磨用組合物。再 者於第1研磨步驟中除去銅配線以外之銅之部分，且於 第2研磨步驟中除去障壁層’並且於大部分情況下，對絕 緣層視給要對銅之一部分進行極其輕微之研冑，形成包 含絕緣層與銅層之平坦的面。 再者，作為表面凹凸之問題，除了上述以外，亦已知下 述凹陷及侵。以下 蚀以下，所谓「平坦性提高」及「平坦 化」，係指凹陷及侵蝕中之至少一者經改善。 <所使用之材料> 以下對本發明中所使用之材料加以說明。將研磨前之 附有圖案之晶圓之概略剖面示於圖，)中。於圖4⑷中， 於Si基板1上形成絕緣層2、障壁層3及配線金屬層（銅 層）4。 142916.doc 201012909 <絕緣層> 作為絕緣層’可有以下所記載之所有者：利用使用有四 乙氧基石夕烧、石夕院等之電漿CVD(Chemieal

Deposition，化學氣相沈積）之Si〇2膜，低介電常數材料膜 (SiOF膜、有機SOG膜等）’進而組合該等與上覆層而成之 構成。 作為構成本發明之研磨用組合物之研磨對象之—即絕緣 層的材料，可使用公知之任意者。作為上述材料，可例示 二氧化矽膜。作為二氧化矽膜，一般使用包含§丨與〇之交 聯結構，且Si與Ο之原子數之比為1 : 2者，其以外者亦 可。作為上述二氧化矽膜，一般已知使用四乙氧基矽烷 (TE0S)或矽烷氣體（SiH4)，藉由電漿CVD沈積而成者。 又，近年來，以信號延遲之抑制為目的，除了該二氧化 石夕膜以外，包含相對介電常數為3以下之低介電常數材料 之膜亦用作絕緣層。作為上述低介電常數材料臈，已知： ❹包含添加氟之氧化矽（SiOF)之膜、有機8〇〇膜（藉由叶比 〇n glass(旋塗式玻璃法）所得之含有有機成分之膜广多孔 二氧切膜等低介電常數材料膜、以及主要由Si_〇鍵所構 成且含有CH3鍵之有機矽材料（一般表記為81〇(：)膜。該等 膜亦可適宜用作應用本發明之研磨用組合物之絕緣層。 /财材料作為製程技術而處於先前技術之延長線上， 藉由進行適當之製程調整而達成適應範圍較廣之量產技 術。因此’要求將使用有該低介電常數材料之膜加以平坦 化之技術，可適宜使用本發明之研磨用組合物。 142916.doc 201012909 作為低介電常數材料之有機妙材料，可列舉：商品名 Black Diamond(相對介電常數為2.7, Applied MateHals公 司技術）、商品名Coral(相對介電常數為2 7，N〇veUus

Systems公司技術）、Aurora 2·7(相對介電常數為2 7，曰本 asm公司技術）等，尤其好的是使用含有Si_CH3鍵之化合 物。 <上覆層> 本發明之研磨用組合物於在絕緣層上形成有上覆層之情 形時亦可適宜使用。例如，亦可適宜應用於以下情形··於 低介電常數絕緣層上依序積層上覆層、障壁層及金屬配線 層而成之多層結構中，將上覆層完全除去後，削入絕緣層 而進行平坦化。 上覆層係於在絕緣層中使用低介電常數材料之情形時， 為了提高絕緣層與障壁層之密著性，用作藉由蝕刻而於化 學機械性脆弱之低介電常數絕緣層上形成用以埋入金屬配 線層之槽時的遮罩材，或實現防止低介電常數材料之變質 而設置者。 作為上覆層，一般使用以矽與氧為構成要素之膜。作為 上述膜，可例不二氧化矽膜。作為二氧化矽膜，一般使用 包含Si與〇之交聯結構，且8丨與〇之原子數比為丨：2者其 以外者亦可。作為上述二氧化矽膜，一般已知使用四乙氧 基矽烷（TEOS)或矽烷氣體（SiH4) ’藉由電漿CVD沈積而成 者。 <障壁層> 142916.doc 10 201012909 所謂障壁層’係指於絕緣層上例如制濺鍵法進行製膜 而成之含有選自由Ta、TaN、TiN所組成群中之至少】種的 層，其係以阻礙銅自銅層向絕緣層中擴散為目的而配置， 於本發明中，在鋼層之研磨中，亦發揮作為用以發現其配 線部出現之時刻之擋止部（st〇pper)的作用。 <銅層> 鋼層係於絕緣層上經由障壁層進行製膜而成。作為該製 碜膜方法’可例示如下方法：於障壁層製膜後，藉由賤鑛法 而形成100 nm厚程度之Cu籽晶層，進而藉由電解鍍敷法， 於s亥Cu籽晶層上形成Cu層。 根據本發明，於將銅用作配線用金屬之情形時，可實現 精度較高之表面平坦化。因此，可獲得凹陷及侵蝕較少且 具有平坦性優異之表面狀態的半導體積體電路對半導體 積體電路之多層化、細線化而言極其有效。若對此進一步 詳細說明，則如下所述。 ❹ 通常，於研磨大口徑之晶圓之情形時，無法避免面内之 膜厚分布及對墊之研磨壓力的不均勻等，故而難以均勻地 研磨整個面内。因此，若對經由障壁層而設置於絕緣層上 之銅層進行研磨，則首先於晶圓面内之一部分，與銅層鄰 接之障壁層露出。並且，若為了遍及整個晶圓面除去障壁 層上之銅膜而繼續進行研磨（稱為過研磨），則於使用先前 技術之研磨劑之研磨中，存在依序露出的埋入銅之配線之 凹陷進一步進行的問題。 即’障壁層露出之時刻之凹陷量較大，或者於結束第1 142916.doc 201012909 研磨步驟，藉由過研磨而除去剩餘之銅層之時刻，凹陷量 較大而產生不均，進而，根據情形亦產生侵蝕。因此，先 前於第2研磨步驟中，需要於削去障壁㈣，進而削入絕 緣層與銅配線之一部分，使銅配線與絕緣層變得平滑。然 而，若增大第2研磨步驟之研磨量，則存在由於研磨之面 内分布而產生配線槽之深度不足之部位’ 線之凹陷之虞。再者，所謂㈣，係容易產生於較細之配 線部及密集之配線部者，係指如下現象：如圖5所示，與 無配線圖案之絕緣層部分（G1〇bal部）相比較，配線部之絕 緣層被過剩地研磨，絕緣層部分性地變薄。即，產生較 Global部20更進一步受到研磨之侵蝕部分18。再者，於圖 5中省略障壁層》 與此相對，若使用本申請案發明之研磨用組合物，則不 會由於過研磨而導致銅配線被過度地研磨，故於第丨研磨 步驟中，可有餘地進行過研磨而不會使凹陷進一步進行， 或者產生侵#。藉此，可獲得如下之明顯效果：即便為8 央忖以上之大口徑之晶圓，，亦可使藉由過研磨而遍及整個 晶圓面内平滑且均句地除去剩餘之銅層，结束第— 磨步驟之時刻的凹陷量為55 nm以下。 進而’於第2研磨步驟—不會多餘地削人絕緣層與銅層 而良好，故可使絕緣層、銅層變薄，使溝槽加I量（配線 槽之切削量）變淺’減少研磨量。藉此，亦可獲得如下效 果：可以較短時間進行整體之㈣’故可降低成本可抑 制配線槽深度之不均及銅配線之凹陷。 142916.doc 201012909 <研磨用組合物> 以下，對可用於本發明之研磨用組合物之各種材料進行 闡述。 本研磨用組合物必定含有十二烷基苯磺酸成分，進而含 有選自由烯基琥珀酸成分、聚氧乙烯烷基醚羧酸成分及聚 氧乙浠炫基醚填酸成分所組成群令之至少一種作為平坦性 改良劑。 ❼ 稱為「成分」之原因在於，其係指：酸其本身不用說， 除了酸本身以外，亦可含有鹽之形態。鹽之形態有使用 酸，結果與另外所添加之鹼性物質進行反應而產生之情 形，亦有以鹽之形態而添加之情形，一般而言為添加酸， 結果與另外所添加之鹼性物質進行反應而產生者。具體而 吕，於本研磨用組合物中使用氫氧化鉀作為鹼性物質的情 況較夕，故一般認為作為酸而添加者之至少一部分與該氫 氧化鉀進行反應而形成鹽之形態。 ❹ 於本發明中判明.若必定含有十二烧基苯續酸成分，進 而含有選自由烯基琥珀酸成分、聚氧乙烯烷基醚羧酸成分 及聚氧乙烯烷基醚磷酸成分所組成群中之至少一種作為平 坦性改良劑，則可抑制銅殘留及凹坑。進而判明：與先前 之研磨劑相比較，被稱為凹陷之將配線部分削得較平坦面 更低之現象亦未惡化。進而，若添加本發明之上述平坦性 良齊丨則於不僅中心部（中心晶片）而且邊緣部（邊緣晶 片）亦可變得良好的方面較為優異β χ，亦未見侵姓之惡 化0 142916.doc -13- 201012909

時具有不阻礙或促進銅之平滑之研磨的作用。 如根據上述討論可理解般，較好的是於本研磨用 疫’較好的是於本研磨用組合物 ，具體而言，油酸之含量較好的 中不含某程度以上之油酸， 是0·03質量％以下，尤其好的是〇 〇1質量％以下。 <十二烷基苯磺酸成分> 十二烷基苯磺酸成分具體可例示：十二烷基苯磺酸（參 照下式）、十二烷基苯磺酸鈉鹽、十二烷基苯磺酸鈣鹽 等。再者，十二烷基之碳鏈可為直鏈，亦可分支。 [化1]

再者’於本發明中，十二烧基苯績酸於具有作為脂環族 樹脂酸、尤其是松香之溶解助劑的作用，可高濃度地濃縮 研磨用組合物的方面非常優異。再者，研磨劑組合物由於 其搬運之容易性之需求高涨’故較好的是於濃縮後進行搬 運，於即將進行實際研磨之前加以稀釋。因此，可高濃度 142916.doc 201012909 地濃縮方面成為較大之優點。 本研磨用組合物中之十二烷基苯磺酸成分之含量為 0.002-0.2 質量。/。’ 進而為 〇·005〜015 質量。/〇、〇 〇〇5〜〇 1 量％ ’由於可有效率地濃縮本研磨用組合物，故較好。 <烯基琥珀酸成分> 烯基琥拍酸成分具體可例示：烯基琥珀酸、烯基境拍酸 二鉀鹽、烯基琥珀酸二鉀、烯基琥珀酸酐等。藉由

烯基琥珀酸’則於可有效地防止凹陷，以較少之眚 里j見到 效果的方面較為優異。藉由將烯基琥珀酸成分與脂環族樹 脂酸、尤其是松香一起使用，可大幅提高平坦性。雖未正 確瞭解其原因，但推測係由於烯基琥珀酸成分與脂環族樹 脂酸具有某種化學相乘效果。 本研磨用組合物中之烯基琥珀酸成分之含量為 0.0005〜0.01質量％，進而為〇 〇〇〇7〜〇 〇〇8質量％ : 0.0007〜0.006質量％，由於可有效地防止凹陷，故較好。 又，烯基琥珀酸成分與脂環族樹脂酸之含量比（質量比）為 1.80 1.5，尤其是1: 6〇〜1 : 3，由於可防止凹陷，同時 改善銅殘留及凹坑而較好。 <聚氧乙烯烧基驗缓酸成分> 作為聚氧乙烯烷基醚羧酸成分，具體可例示：聚氧乙烯 (3)十三烷基醚乙酸、聚氧乙烯（7)十三烷基醚乙酸、聚氧 乙烯（6)十三；^基峻乙酸、聚氧乙稀（3)十三⑨基醚乙酸 鈉、聚氧乙烯（7)十三烷基醚乙酸鈉、聚氧乙烯（6)十三烷 基醚乙酸鈉、聚氧乙烯(4·5)月桂基醚乙酸及聚氧乙烯⑽ 142916.doc •15- 201012909 月桂基鍵乙酸等。藉由將聚氧乙㈣基㈣酸成分與脂環 族樹知酸、尤其是松香一起使用可大幅提高平坦性。雖 未正確瞭解其原因，但推_由於聚氧乙狀基醚叛酸成 刀與月曰*族樹冑日酸具有某種化學相乘效果。聚氧乙稀炫基 醚羧酸成刀於如下方面較好：濃度之溫度依存性較少，對 銅之研磨性能優異。又，藉由含有十二燒基苯橫酸成分與 聚氧乙稀烧基喊幾酸成分此兩者，於可進—步進行濃縮方 面較好。 再者’於上述中’括弧内之數字表示氧乙烯基之重複 數例如，所谓聚氧乙稀（3)十三院基趟乙酸，係指含有包 含3個氧乙烯基鍵之聚氡乙稀部分與十三烧基趟乙酸的物 質 心而^’聚氧乙烯⑷燒基醚羧酸可表示成！^- β2Η20)η·(：Η2(：00Η。R係包含1〇〜15個碳之烷基可為直 鏈，亦可為支鏈。 本研磨用組合物中之聚氧乙稀院基賴酸成分之含量為 0.005〜0.1質量％，進而為G G1〜G ()7f量％，由於可有效地 防止凹陷’故較好。又’聚氧乙烯烷基醚羧酸成分與脂環 族樹脂酸之含量比（質量比）為2 : : 5 ’尤其是i : 1〜1 : 3，由於可防止凹陷，同時改善銅殘留，故較好。 又，聚氧乙烯烷基醚羧酸成分與十二烷基苯磺酸之比值較 好的是5: 1〜1 : 5，進而好的是3: : 3。 <聚乳乙稀烧基謎确：酸成分> 所明聚氧乙稀烧基醚峨酸成分，具體可例示：聚氧乙埽 (10)月桂基醚磷酸、二聚氧乙烯（10)月桂基醚磷酸、聚氧 142916.doc -16 - 201012909 乙烯（8)油基㈣酸、二聚氧乙締⑻油基㈣酸、聚氧乙 稀（2)(C12~15)院基㈣酸、聚氧乙稀（4)u院基㈣ 酸、聚氧乙烯（8)(C12〜15)燒基趟碌酸、聚氧乙稀 (lOKCw5)烧基喊碼酸、三聚氧乙烯（4)月桂基醚磷酸、聚 氧乙稀⑴月桂基驗墙酸及該等之鹽。藉由將聚氧乙烤烧基 醚磷酸成分與脂環族樹脂酸、尤其是松香一起使用，可大 幅提高平坦性。雖未正確瞭解其原因，但推測係由於聚氧 _ 〔烯烧基醚伽成分與脂環族樹脂酸具有某種化學相乘效 果。 再者，於上述中，括弧内之數字表示氧乙烯基之重複 數。例如所謂聚氧乙烯（8)油基醚磷酸，係指含有包含8個 氧乙烯基鍵之聚氧乙稀部分與油基驗磷酸部分者。一般而 言，聚氧乙烯（η)月桂基醚磷酸可表示 HJO4。又，所謂（(：…丨5)，表示烷基之結構，具體表示含 有12〜15個碳之烷基。 φ 本研磨用組合物中之聚氧乙烯烷基醚磷酸成分之含量為 0.005〜0.1質量。/〇，進而為〇 〇1〜〇 05質量％，由於可有效地 防止凹陷，故較好。又，聚氧乙烯烷基醚磷酸成分與脂環 族樹脂酸之含量比（質量比）為2 : 1〜丨：5，尤其是1 : 1〜1: 3，由於可防止凹陷，同時改善銅殘留，故較好。 稀基玻站酸成分、聚氧乙烯烷基醚羧酸成分及聚氧乙烯 烧基醚麟酸成分可全部含有’亦可僅含有其中一種成分。 與其他成分相比較，稀基號珀酸成分以非常少之量便具有 同等之效果’故可防止本研磨用組合物之黏度過度地上 142916.doc 201012909 升。又，聚氧乙烯烷基醚羧酸成分在可良好地維持研磨速 度之方面、以及研磨穩定性方面最為優異。再者，於本說 明書中，烯基琥珀酸成分、聚氧乙烯烷基醚羧酸成分及聚 氧乙烯烷基醚磷酸成分均可有助於研磨面之平坦化，故被 稱為平坦性改良劑。 本研磨用組合物於黏度較低方面較好。黏度係於如CMP 之技術領域中比預想更重要之要素。其原因在於，一般而 言，使研磨時之條件固定’於進行穩定之研磨方面非常重 要。然而，若研磨用組合物之黏度過高，則可能產生於研 _ 磨劑之搬送系統中產生堵塞’或者研磨劑殘留的情況。因 此，於長時間之研磨中能否一直以同樣之條件進行研磨， 很大程度上取決於研磨劑之黏度。再者，為了使黏度變得 良好，較好的是不含水溶性高分子，具體而言，於研磨用 組合物中為以下，尤其為〇〇5質量％以下進而 為〇.〇3質量％以下，由於可防止過度地降低研磨速度，故 較好。所謂水溶性高分子，俜沪八 门刀丁係才曰分子$為5000以上之水溶 性之南分子。 參 <錯合物形成劑> 劑 劑 述 本：磨用組合物可含有錯合物形成劑。所謂錯合物形成 ，：指形成銅與錯合物之物質。#由含有錯合物形成 ，雖不明確其機制，但 所磨迷度增大。具體如下所 Ο 具有含雜環基之幾酸（單 酸、3-吡啶甲酸、‘吡啶甲酸 竣酸、多竣酸）：2 -π比咬甲 ’ 2,3·吼咬二甲酸、2,4-°比咬 142916.doc -18- 201012909 一甲酸、2,5 -〇比淀二甲酸、2,6 -^比咬二曱酸、3，4 -〇比咬二甲 酸、3,5-吡啶二甲酸、吡畊曱酸、2,3-吡喷二甲酸、2-喹琳 甲酸（喹哪啶酸）、3-喹啉甲酸、4-喹啉甲酸、8-喹啉甲 酸。 具有胺基之羧酸（胺基酸等）：丙胺酸、甘胺酸、脯胺 酸、本丙胺酸。 具有羥基之羧酸（羥基羧酸等）：乳酸、蘋果酸、檸樣 酸 '異檸檬酸、酒石酸、乙醇酸、葡萄糖酸、水楊酸。 上述以外之多羧酸：草酸、丙二酸、琥珀酸、反丁烯二 酸、順丁烯二酸、草乙酸、戊二酸、己二酸、甲基順丁婦 一酸、衣康酸、二乙醇酸、硫代二乙醇酸、鄰苯二甲酸。 具有硫醇基之叛酸：硫代乙醇酸、硫代水楊酸。 錯合物形成劑尤其好的是具有含氮雜環基之多羧酸或單 羧酸、或者草酸等脂肪族多羧酸，尤其好的是2_ β比啶甲 酸、2’3-吡啶曱酸。藉由使用2_吡啶曱酸等具有含氮雜環 Φ 基之羧酸，可發揮如下效果：尤其是銅之研磨速度增大， 並且防止銅錯合物等附著或殘留於研磨墊上。 本發明之研磨用組合物中之錯合物形成劑之含量相對於 研磨用組合物，較好的是0]〜5質量％，尤其好的是〇3〜3 質量％ ’進而好的是0.5〜Μ質量。/。。於未達(Μ質量％之情 形時，存在銅之研磨速度降低之纟，若超過5質量％，則 存在產生銅表面之腐姓或凹陷之虞。 <脂環族樹脂酸> 本研磨用組合物較好的是冬 疋s有知ί衣族樹脂酸。所謂樹脂 142916.doc -19- 201012909 酸，係指於天然樹脂中游離或者作為酯而存在之有機酸 (羧酸）’所謂脂環族樹脂酸，係指該樹脂酸中具有脂環結 構之化合物（參照共立出版（股）發行之「化學大辭典4」之 「樹脂酸」項）。作為本發明中之脂環族樹脂酸，存在含 有脂環族樹脂酸之天然樹脂、以由天然樹脂精製（有時亦 同時產生異構化等）而成之脂環族樹脂酸為主成分的精製 樹脂酸、自天然樹脂中萃取出之單一化合物即脂環族樹脂 酸、以及該2種以上之混合物等。 作為上述精製樹脂酸，存在由松脂等所得之松香、浮油 (tall oil)、浮油松香等。尤其好的是被稱為松香之以松香 酸及其異構物、海松酸及其異構物、及氫化松香酸等脂環 族树月曰為主成分的精製樹脂酸，作為本發明中之脂環族 樹脂酸，可使用市售之松香。又，松香係根據其所由來之 天然樹脂之種類而改變所含之化合物及其組成比例者若 為以脂環族樹脂酸為主成分者，則可使用任一種類之松 香。 於市售之松香中存在含有少量之脂肪族樹脂酸者。該脂 肪族樹脂酸主要為油酸或亞麻油酸等不飽和高級脂肪酸， 其含量相對於松香整體，通常為1〇質量％左右。 作為單一化合物之脂環族樹脂酸，存在：松香酸；松香 酸之異構物即新松香酸（ne〇abietic acid)、長葉松酸 (palustric acid)、左旋海松酸（iev〇pimaric acid)等；松香酸 之氲化物即一風松香酸（dihydroabietic acid)及四氫松香 酸’私《香酸之脫氫化物即脫氫松香酸（dehydroabietic 142916.doc •20· 201012909 acid)、開環脫氫松香酸（secodehydroabietic acid)等。此 外’存在海松酸（pimaric acid)、異海松酸（isopimaric acid)、山達海松酸（sandaracopimaric acid)、理柏酸 (communic acid)、二氫貝殼杉萘甲酸（dihydroagathic acid) 等。

❹ 於研磨用組合物中，上述脂環族樹脂酸可含有2種以 上。松香專之精製樹脂酸原本為2種以上之脂環族樹脂酸 (單一化合物）之混合物，但於本發明中看作〗種脂環族樹脂 酸。因此’於研磨用組合物中，可含有2種以上之松香， 亦可含有松香與單一化合物脂環族樹脂酸之丨種以上β 及脫氫化 亦包含藉 松香酸之 又，作為脂環族樹脂酸，係上述精製樹脂酸或單一化合 物脂環族樹脂酸之衍生物，亦可為含有至少丨個羧基之化 合物或含有其之混合物。作為^生物，存在自天然樹脂中 萃取出之脂環族樹脂酸以外之異構化物、氫化物、脫氫化 物、多聚物、於脂環族樹脂酸之不飽和基上狄耳士-阿德 爾（Diels-Alder)加成不飽和化合物（例如順丁烯二酸針、^ 丁稀二酸及丙職等不餘和_(或其奸）等）所得之改質物 等。較好的是選自由順丁稀二_加成物（順了稀二酸改 質物）、反丁烯二酸加成物（反丁烯二酸改質物） 物所組成群中之1種以上。作為上述脫氫化物 由脫氫而使脂環之一部分成為芳香環者。 又，松香酸（包含松香酸之異構物新松香酸 氫化物二氫松香酸及四氫松香酸、 …a〜〜 松香酸之脫氫化物等） 之含量為0.5〜2·5質量％，進而Λ 您向為0.15〜1.5#量％ 142916.doc -21· 201012909 有效地保護銅之表面，故較好。又，就可有效地濃縮研磨 用組合物方面而言，十二烧基苯錢與脂環族樹脂酸之含 量比（質量比）較好的是4 ·· w : 4，尤其好的是3㈠ 於脂環族樹脂酸中亦包含脂環族樹脂酸之鹽。作為脂環 族樹脂酸之鹽，較好的是亦被稱為松香的松香之鹼金屬鹽 T其是鉀鹽）、松香之錄鹽、松香之有機胺鹽。又，作為 早一化合物脂環族樹脂酸之鹽，例如存在如下之鹽，亦可

使用該等之2種以上之混合物。松香酸卸鹽、脫氫松香酸 鉀鹽、四虱松香酸鉀鹽、二氫松香酸鉀鹽、海松酸鉀鹽、 松香酸銨鹽、脫氫松香酸銨鹽、四氫松香酸銨鹽、二：松 香酸銨鹽、海松酸銨鹽、松香酸有機胺鹽、脫氫松香酸有 機胺鹽、四氫松香酸有機胺鹽、二氫松香酸有機胺鹽、海 松酸有機胺鹽。 於研磨用組合物中’藉由含有脂環族脂肪酸而獲得抑制 凹陷量之效果。獲得上述效果之機制雖不明確，但一般認 為，於進行研磨時，其作為與半導體積體電路銅膜之表面⑩ 進行某種化學作用或物理作用而於銅膜表面形成保護層的 表面保4劑而發揮作用。該表面保護層未牢固至完全阻礙 銅膜之研磨的程度，於半導體積體電路基板上之銅膜上， 於研磨墊之擠壓壓力較大之凸部進行研磨，於擠壓壓力較 小之配線部分之凹部不進行研磨。一般認為，藉此可實現 高平滑之研磨表面性狀。 研磨用組合物中之脂環族樹脂酸之含量較好的是0.1〜5 142916.doc •22- 201012909 質量％，進而好的是0.3〜3皙暑0/ ^0'0·31*^21 4070'0'3 胺主。 禾達〇.01質量％之情形時，-般認為銅 ^ 見刀’於研磨中容易產生腐蝕及凹 。又，若超過2質詈〇/ ^ 重0’則存在銅之研磨速度降低之 虞0 可使研磨速度變得良好的方面而言 劑與脂環族樹脂酸之含量 ——曰…攻 3 3:比（處I比）較好的是5〇 : ι〜3〇 :

1 ’尤其好的是45 : 1〜35 : 。 <氧化劑> 關於氧化劑’其機制並不明確，但其發揮軸等金屬氧 化而生成金屬離子或氧化物之作用…般認為，以利用氧 :劑之反應所生成之銅離子與錯合物形成劑形成錯合物， 藉此進行研磨。 作為氧化劑’藉由熱或光等外部能量使氧_氧鍵解離而 生成自由基的具有氧-氧鍵之過氧化物顯示較強之氧化能 力’故較好。作為上述過氧化物系氧化劑之例，可列舉： 過氧化氫、過硫酸鹽類、過氧碳酸錢、過氧硫酸鹽類、 過氧磷酸鹽類等無機過氧化物；以及過氧化苯甲酿、過氧 化氫第三丁基、過氧化氫異丙苯、過氧化氫二異丙基苯、 過：酸、過乙酸等有機過氧化物等。較好之氧化劑為過氧 化氫、過硫酸銨或過硫酸鉀。於該等氧化劑中，若使用銨 鹽類，尤其是過硫酸銨，則對銅膜獲得較高之研磨速度， 故更好。繼而較好之氧化劑為過氧化氫與過硫酸鉀。又 相對於研磨用組合物之氧化劑之含量較理想的是〇ι〜5 142916.doc •23· 201012909 質量％，尤其理想的是0.5〜3質量％、ο% 5質量％。若未 達0.1質量％，則存在銅之研磨速度降低之虞。若超過1 量％’則容易產生銅表面之腐蝕及凹陷。為了抑制凹陷質 同時以高速來研磨銅膜，較好的是使用選自過硫酸銨、過 氧化氫及過硫酸卸中之至少！種氧化齊卜尤其好的是使用 過硫酸銨。 <水> 本發明之研磨用組合物中之主要液狀介質為水，較好的 是僅由水構成、或者包含水與水溶性溶劑之混合物。作為 水，較好的是使用進行離子交換而除去異物之純水。作為® 水溶性溶劑，可使用水溶性醇、水溶性多元醇、水溶性 醋、水溶性料。本發明之研磨用組合物中之液狀介質較 好的是僅為水、或者含水8〇質量％以上的水與水溶性有機 溶劑的混合溶劑，最好的是實質上僅由水構成。又，本發 之研磨用組合物中之液狀介質之比例較好的是包含％質 量％以上，尤其好的是包含95質量％以上。該液狀介質之 實質總量較好的是包含水，於此情形時，本發明之研磨肖❿ 組合物中之水含量較好的是9〇質量％以上’尤其好的是％ 質量％以上。 上述本發明之研磨用組合物之各成分之比例稱為進行研 磨時之組成比例。於在進行研磨之前將研磨用濃縮組合物 加以稀釋，將該稀釋物用於研磨之情形時，上述及下述之 各成分之比例為該稀釋物中之比例。研磨用濃縮組合物通 吊係以液狀介質（尤其是水）加以稀釋，因此，於此情形 142916.doc -24- 201012909 時，除液狀介質以外之各成分之相對比例於稀釋前後通常 未產生變化。 本發明之研磨用組合物之pH值較好的是7.5〜12，尤其好 的是8〜11，進而好的是8.5〜10.5。更好的是9〜1〇。若奸^值 低於7.5，則存在本發明之研磨用組合物中所含之脂環族 樹脂酸於研磨用組合物中分離而變得不均 、 J 展。了對

銅進行高速研磨，較好的是將pH值設為8 〇以上。若pH值 高於12’則銅膜之腐钮明顯，故欠佳。為了充分抑制銅膜 之研磨殘留及腐蝕，較好的是將pH值設為u以下。 為了將本發明之研磨用組合物調整為上述？11值，可使用 pH值調整劑。於向鹼性侧調整之情形時，較好的是使用氫 氧化鉀、有機胺、氨。可使用該等中之任一者，若使用形 成銅與錯離子之有機胺或氨，則對銅膜獲得較大之研磨速 度，故較好。又，關於pH值調整，亦可暫時調整為較所需 之PH值更鹼性側後，添加硝酸、硫酸、磷酸等，向酸性側 調整’從而調整為所需之pH值。 於製備本發明之研磨用組合物之一系列步驟中，混合pH 值調整劑之步驟之順序不限，但於不預先形成鹽而含有脂 環族樹脂酸等時，若預先於液狀介質中混合pH值調整劑而 形成成為驗性之液狀介質（可已含有其他成分之一部分或 全部）’則脂環族樹脂酸等之溶解〜混合變得容易，並且難 以分離’因此較好。 <研磨粒> 本發明之研磨用組合物於未調配研磨粒之情形時亦可發 142916.doc • 25· 201012909 揮其效果’但亦可調配研磨粒而使用，於此情形時，可進 一步高速地研磨銅。 作為可調配於本發明之研磨用組合物中之研磨粒，可列 舉：α-氧化鋁、δ-氧化鋁、γ_氧化鋁、二氧化矽二氧化 鈽等。然而，其中較好的是使用二氧化矽。於使用二氧化 矽之情形時，就分散性、穩定性 '研磨能力等方面而言， 更好的是使用膠體二氧化矽。 於調配研磨粒之情形時，較好的是平均2次粒徑為 10〜200 nm。若平均2次粒徑超過2〇〇nm，則研磨粒徑過大 而難以增大研磨粒之濃度，若未達1〇 nm，則難以提高研 磨速度。較好的是20〜120 nm之範圍。 相對於本發明之研磨用組合物的研磨粒之含量較好的是 0.01〜10質篁％，尤其好的是〇 〇5〜5質量％，進而好的是 0.05〜2質量。/〇、〇.〇5〜1質量〇/。、〇 〇5〜〇 6質量％。 <防銹劑> 本研磨用組合物較好的是含有防銹劑。作為防銹劑，具 體而言，就尤其可防止凹坑之方面而言，較好的是㈣衍 生物。所謂喷唑衍生物’具體而言係指味*，以及對於咪 吐，下式所示之卜5位可經甲基所取代，且4、％可成為 可附有取代基之笨環之一部分的衍生物。 ' 142916.doc •26- 201012909 [化2] 4 3

作為味唾衍生4勿，具體可列舉 基味唾、2-曱基味唾、4_甲基味唾二甲基味嗤、2_ 參〔基米唑等。該等可單獨使用，亦可混合使用2種以上。 就研磨特性方面而言，啼嗤衍生物相對於研磨用組合物之 總質量’較好的是含〇 〇〇1〜〇 5%，更好的是含 0.003〜0.3% 〇 <其他成分> 於本發明之研磨方法中所使用之研磨用組合物中，只要 不違反本發明之宗旨，則除了上述成分以外，亦可適當調 配還原劑、黏度調整劑、分散劑、防腐劑等。其中，該等 ® 之含量通常較好的是總計為10質量°/。以下，尤其好的是5 質量％以下、3質量％以下。 如此般所構成之研磨用組合物於使用銅作為配線用金屬 之情形時，可抑制銅殘留及凹坑，可實現精度較高之表面 平坦化。因此’可獲得具有優異且平坦之表面狀態之半導 體積體電路表面’對半導體積體電路之多層化、細線化而 言極其有效。 本發明之研磨用組合物作為研磨劑’適合對形成於具有 142916.doc -27- 201012909 配線用槽之表面上之銅膜進行研磨。亦可於本發明之研磨 用組合物申進一步添加其他構成成分而用作研磨劑。更具 體而言，於藉由金屬鑲嵌法而形成銅配線之半導體積體電 路裝置之製造方法中，可有效地抑制凹陷及侵蝕之進行， 故可獲得具有優異且平坦之表面狀態之半導體積體電路表 面。 <研磨用組合物> 本發明之研磨用組合物以十二烧基苯績酸成分為必須成 分’含有選自由烯基琥珀酸成分、聚氧乙烯烷基醚羧酸成 碜 刀及^^氧乙稀烧基謎碟酸成分所組成群中之至少一種平土曰 性改良劑。藉由設為如上所述之組成，可具有如下特徵： 於對經由障壁層而設置於絕緣層上之銅層進行研磨從而 交替形成寬度為1 00 μιη之埋入銅之配線與寬度為丨〇〇 ^出之 絕緣層的圖案形成中，於與銅層鄰接之障壁層露出之後， 以該障壁層露出之前之銅的研磨速度且以將該銅研磨2〇〇 nm所需之時間進行研磨時的凹陷量（無論中心晶片抑或邊 緣晶片）為55 nm以下，尤其為45 nm以下。藉此，於使用粵 銅作為配線用金屬之情形時，可實現精度較高之表面平坦 化。 研磨條件中有研磨速度、 件’關於該等並無特別限制 速度>又為200~800 nm/分鐘 Psi(換算值為27.6 kPa)以下。 研磨墊之擠壓壓力等可變條 。一般而言，較好的是將研磨 ’將研磨墊之擠壓壓力設為4 於上述中 凹陷量如下路、Λ 卜所迷，為以圖4(b)之符號7所表 142916.doc •28· 201012909 示之深度（或以圖5之符號17所表示之深度）。 <研磨方法〉 本發明之研磨用組合物可較好地用☆如下研磨方法中 該研磨方法係用於對經由障壁層而設置於絕緣層上之鋼層 進行研磨，從而交替形成埋入鋼之配線與絕緣層之圖案形 成者，其包含：利用作為上述研磨用組合物之第】研磨用 組合物進行研磨之第i研磨步驟；以及其後，於對瘦由障 ❹㈣而設置於絕緣層上之銅層進研磨，從而交替形成埋入 銅之配線與絕緣層之圖案形成中，利用第2研磨用組合物 進研磨的第2研磨步驟。 藉由將該等兩種研磨用組合物分開使用之本研磨方法， 於使用銅作為配線用金屬之情形時，可面内均勻性良好地 實現凹陷及侵蝕較少的優異且平坦之表面。因此，對半導 體積體電路之多層化、細線化而言極其有效。 所謂上述第1研磨步驟與第2研磨步驟，一般較好的是於 φ 第1研磨步驟之後立即進行第2研磨步驟，由此完成研磨， 亦可視需要於第丨研磨步驟與第2研磨步驟之間、第丨研磨 步驟之前或第2研磨步驟之後包含其他步驟。關於第丨研磨 步驟之結束時間、第2研磨步驟之開始時間及結束時間， 並無特別限制，可根據研磨之實際情況而適當決定，通常 較好的是經由障壁層而設置於絕緣層上之銅層於配線以外 經除去之時刻，停止第1研磨步驟而移至第2研磨步驟，於 可獲得特定之表面平坦性之時刻停止第2研磨步驟。即， 於第1研磨步驟中除去銅配線以外之鋼之部分，於第2研磨 142916.doc • 29- 201012909 步驟中除去障壁層，並且於大部分情況下，對絕緣層、以 及視需要的銅之一部分進行極其輕微之研磨，形成包含絕 緣層與銅層之平坦的面。 [實施例] 以下使用實施例來對本發明加以說明，但本發明並不限 定於以下記載。例1〜64及86〜111為實施例，例65〜85為比 較例。 例1〜111之各例之研磨用組合物之組成如表中所總結 般。各成分之含量係以相對於混合而成之研磨用組合物整鲁 體之質量％來記載。pH值係利用橫河電機公司製造之？}1值 計pH 81-11而測定。又，膠體二氧化矽之平均2次粒徑係 使用NIKKISO公司製造之Microtrac upA_STl5〇粒度分析 計，以動態光散射法進行測定。測定樣品係以純水稀釋至 可獲得適合測定之散射、反射光強度的裝置所決定之適當 之》農度範圍而進行測定。 研磨用組合物於例^，係以如下方式而製作：將錯合 物形成劑2-吡啶甲酸之特定量添加至離子交換水卜繼❹ 而:以成為如表2中所記載之阳值之方式，添加pH值調整 劑氫氧化卸’進行充分㈣。進而，—面進行㈣，—自 添加脂環族樹脂酸KR614(荒川化學工業公司製造）、溶解 助劑十二貌基苯續酸、平坦性改良劑烯基號拍酸及氧化劍 APS(過硫酸句，繼而添加研磨粒膠體二氧切。關於⑷ =外之其他例，係以如表卜6中所記栽之組成，以與织相 同之方式進行處理而獲得研磨用組合物。 142916.doc -30- 201012909 關於所使用之KR614’ 藉由GC/MS(Gas Chromatography Mass Spectrometer ’氣相層析質譜）法’對複數批次’按如 下方式進行分析。 分析係藉由PTAH法’使用氣相層析裝置而進行。即’ 將所分析之各試料6毫克溶解於PTAH(GL Sciences公司製 造，苯基三甲基氫氧化敍（Phenyl Trimethyl Ammonium Hydroxide)0.2莫耳曱醇溶液）〇·5毫升中，將其注入至將注 射溫度設為25(TC之氣相層析裝置中’瞬間甲醋化而進行 β 測定。管柱係使用填充有DEGS(Diethylene glycol succinate，二乙二醇琥珀酸酯）的内徑為0.25 mm、長度為 25 m、膜厚為0.25 μιη之毛細管柱’烘箱溫度設為1 8 0度、 試料之注入量設為4.0 Μ。檢測器係使用FID(Flame Ionization Detector，火焰離子化檢測器）’由所得之測定 圖表上之波峰面積求出各成分之含量。根據藉由上述 GC/MS法所得之複數批次之分析結果’可知KR6 14含有脫 氫松香酸75~85質量°/。作為主成分。未檢測出油酸之峰 ❹ 值。 研磨用組合物之研磨特性係藉由下述方法進行評價。 <被研磨物> 作為被研磨物’使用毯覆式晶圓與附有圖案之晶圓。 作為毯覆式晶圓’於銅研磨速度評價用中’使用以濕式 鍍敷而於Si基板上成膜有厚度為1500 nm之銅膜的8英吋晶 圓（Sematech公司製造之〇〇〇CURO 15)。 作為附有圖案之晶圓’使用Sematech公司製造之8英11寸 142916.doc -31- 201012909 晶圓（商品名：854CMP225)。將研磨前之附有圖案之晶圓 之概略剖面示於圖4(a)中。該附有圖案之晶圓係如下者： 於形成於Si基板1上的形成有埋入式配線所埋入之凹部與 凸部的包含Si02之絕緣層2上，積層包含藉由濺鍍而成膜 之厚度為25 nm之钽膜的障壁層3，進而於其上積層包含以 濕式鍍敷而成膜之特定膜厚之銅膜的配線金屬層4，形成 配線寬度為100 μπι至1 80 nm之各種寬度之配線圖案。絕緣 層2之凸部上之包含钽膜的障壁層3之表面上之銅膜的膜厚 為初始膜厚8，絕緣層2之凸部上與凹部上所形成之銅膜之 階差為初始階差9。初始膜厚為900 nm，初始階差為350 nm ° <研磨特性之評價> 作為研磨機，使用APPLIED MATERIALS公司製造之全 自動CMP裝置MIRRA。作為研磨墊，使用2層墊1C 1400之 XYK-groove(Nitta Haas 公司製造），使用 MEC100-PH3.5L(Mitsubishi Material公司製造）進行調節。 關於例1之研磨用組合物，研磨係以如下方式進行：將 研磨用組合物之供給速度設為200 ml/分鐘，研磨頭（Head) 及研磨台（Platen)之轉速分別設為123 rpm、117 rpm，研磨 壓力設為2 psi即13.8 kPa。 又，關於例2以後，將研磨用組合物之供給速度設為200 ml/分鐘，研磨頭（Head)及研磨台（Platen)之轉速分別設為 123 rpm、117 rpm。關於例 4〜30、33、34、47~49、 57~63、90、94、95、98〜100、102〜109，研磨壓力設為 142916.doc -32- 201012909 1.5卩3丨即1〇.4让？珏，關於其他例，則設為2卩3丨即13.81<:?&。 (1)固體研磨速度 使用毯覆式晶圓之銅研磨速度之測定係使用膜厚計RS_ 75(KLA-Tencor公司製造）而進行。即，對於銅之毯覆式晶 圓，測定研磨前之膜厚與研磨1分鐘後之膜厚，由其差值 來分別求出銅研磨速度（nm/分鐘Cu之研磨速度較好的 是700 nm以上。 參 研磨用組合物之研磨中所使用之附有圖案之晶圓之研磨 係一面藉由光學式研磨終點檢測法來監控研磨終點一面進 行即，進行研磨直至伴隨研磨之進行，包含钽之障壁層 開始露出而產生之反射率降低大致停止而成為固定值之研 磨終點，其後進一步進行3〇秒過研磨。於研磨終點，除去 障壁層上之銅臈之一部分，藉由進行過研磨而除去該一部 分殘留之剩餘銅膜。 (2)凹陷量 〇 於上述附有圖案之晶圓之研磨後，對於配線寬度及配線 間隔為100 μιη之圖案，藉由輪廓儀HRp_i00(KLATenc〇r A司製k)，測足钽膜面與銅膜面之表面階差即凹陷量， 評價由於研磨而使銅配線圖案面較组膜面下陷之程度。 再者，於表1〜6中，所謂研磨終點，係指直至上述之 除去障壁層上之鋼膜_部分，障壁層露出」時刻為止的 研磨時間，過研磨時間係指其後之研磨時間。總研磨時間 t研磨終點與過研磨時間之總計。凹陷之測定係分成中心 日日片與邊緣晶片而進行。所謂中心晶片，係指晶圓上所存 1429l6.doc • 33 · 201012909 在之2 0 mm見方之晶片中位於中心部之晶片，所謂邊緣晶 片’係指晶圓上所存在之20 mni見方之晶片中最接近端部 之晶片。中心晶片及邊緣晶片之各個值較好的是5〇 nm以 下’尤其好的是30 nm以下。中心晶片與邊緣晶片之凹陷 量之差較好的是2〇 nm以下，尤其好的是10nm以下。 將研磨後之附有圖案之晶圓之概略刮面圖示於圖4(b) 中。於圖4(b)中’於絕緣層2之凸部上’包含銅膜之配線金 屬層4被完全研磨掉，包含钽膜之障壁層3之表面露出。 又’於絕緣層2之凹部上，被研磨至相對於絕緣層2之凸部 _ 上之障壁層3之表面僅下陷以符號7所示之深度。將該表面 階差之尚度設為凹陷量7。另一方面，圖4(c)係經理想地研 磨之附有圖案之晶圓的概略剖面圖，未產生上述表面階 差，形成埋入式配線。 <銅殘留> 藉由 SEM(Scanning Electron Microscope，掃描式電子顯 微鏡）照片進行評價。具體而言，將加速電壓設為2 κν， 以2000倍之倍率，對線寬度為〇18 μπι之銅線間部分檢查❹ 是否殘留銅。將幾乎未觀察到銅殘留之情形記為〇,將觀 察到之情形記為X。 〈凹坑〉 藉由SEM照片進行評價。具體而言，將加速電壓設為2 KV，以50000倍之倍率來調查表面之凹凸。將完全未觀察 到凹凸之情形記為◎，將幾乎未觀察到凹凸之情形記為 〇 ’將觀察到凹凸之情形記為χ。 142916.doc -34- 201012909 再者，於任一例中，圖案之侵钱均良好。 將評價結果示於表1〜6中。

142916.doc -35- 201012909 1__0^5__ 1_^5_ __^5_ __^5__ | 0.05 | ___ 1 0.02 1 | 0.02 | | 0.02 | | 0.05 | I 0.02 | I 0.02 I | 0.02 | | 0.02 1 __m_ | 0.02 | _m__ __m_ 1 0.02 I [ 0.02 1 1__m_i 1__m_1 _m_ I 0.02 \ 1 0.02 1 ___ | 0,02 | 1__Ml_1 1__0^1_1 1 0.02 1 [ 0.02 1 1 0.02 1 __m_ __0^]__J 1__m_1 [ 0.02 1 1__^_1 | 0.02 | | 0.03 | [- 0^3 . 1 | 0.03 | 想 泡 治 m 治 银 % 想 想 轶 寶 寶 眘 眘 寶 努 寶 % 努 種類 Η Η Μ ί4 Η Η η η ¢4 Ϊ4 $4 Ί Μ 七 ，1 + Μ Ί + Ί Ί Μ 七 Ί 七 Ί 十 Ί Μ 十 Ί + Ί 七 Ί + Ί + Ί Ί -1- Ί -V- Ί + Ί Ί 七 Ί + 十 Ί 十 Μ + Ί 七 Ί Μ 十 Ί 七 Ί Μ Ί «1 -l· Ί + Ί Ί Ί Ί + Ί «1 S! 0.06 1 0.06 | 0.06 | 0.08 1 0.06 | 0.06 1 0.04 1 0.04 | 0.06 1 0.06 | 0.04 | 0.04 1 0.04 | 0.06 | 0.03 | 0.06 | 0.03 1 0.03 I 0.06 I 0.06 1 0.03 | 0.02 1 0.02 1 0.06 1 0.06 1 0.03 | 0.06 | 0.03 1 0.03 | 0.04 ! 0.04 0.04 0.02 0.02 0.02 0.04 0.04 0.04 0.06 0.04 0.05 獎 [KR614 種類 ! KR614 Γ KR614 I KR614 | KR614 I KR614 [KR614 I KR614 | KR6H | KR6H | KR614 [KR614 | KR614 | KR6H 1 KR614 | KR614 I KR6H 1 KR6H [KR614 [ICR6H I KR614 I KR6H [KR6H [KR6H | KR6H [KR6H | KR6I4 I KR6H I KR6H | KR6H 1 KR6I4 | KR614 1 KR6H 丨 KR6H | KR6H Γ KR6H | KR614 | KR6H | KR6H | KR6H | KR6H 史i? ΓΟ — «Π V» »η 1〇 VI m V) V» m »Γ> •τι »〇 CS <Λ| *η W1 «η m m «〇 1〇 •η «η V) V) »r> *Λ •Λ <Ti *n *r\ »η δ3 番 C/D <Λ ϋ〇 ί__APS__ C/3 S ya in Ou ffi (Λ on £ £ __APS_I wo £ 1_APS_I go U0 C/3 CU ΧΛ 2 £ «! < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < 濃度 (wt%) — 〇〇 〇 〇〇 〇 〇〇 〇 — — — — — - - - - - 一 - — — 一 — — - — — — 一 - 一 - »n ~ — — - 一 — - - - -¾ *<〇 泡 兹 谘 絮 治f 兹 想 缠 溶 兹 兹 % 想 想 兹 種類 ®- Β- S- ®- a- S- fr- &- fr- &* &> &> tt- 6- β- 9- ®- S- B- Β- IS- Φ- 6- Β- &- 6- &> 6- tt- 6- B- ¢- ΙΒ- S- 6- a- ¥ ¥ Ψ Ψ Ψ ¥ ¥ Ψ Ψ Ψ 制 奴 ¥ V ¥ S2 •iS iS •ϋ £ a f f 杳! f f jk) ±! ±1 ±1 ±> ώ CS (N <N <Ν m (N (Ν fN CN CN <N <N <Ν fN (N (N (S (N (N fN (N fN (N rn ΓνΓ fN (N (N (N (Ν <Ν (N (N <N (N (N (Ν (N (N (Ν (N (N ίΝ v〇 ^ | 沄 ΓΛ ΓΛ m m m ΓΛ m m m ΓΟ «Λ 牛 51 0.25 0.25 0.25 | 0.25 | 0.25 1 0.25 1 0.25 in m iQ m »n | 0.15 一 Ο — — •Λ — — 一 — in jn j£l in «η »n »n ΙΛ jq «Λ | 0.075 «Λ *η »Λ 〇 Ο ο ο 〇 〇 〇 ο d 〇 6 〇 〇 〇 ο o ο Ο ο 〇 ο ο ο Ο 〇 〇 〇 Ο 〇 〇 〇 Ο U «5 |·) ,〇 ,〇 Μ .Π 备 λί 备 备 ο 〇 备 ,〇 ,〇 备 给 n .〇 .0 兔 Ο 备 Ο «Ο 备 η |-> 〇 ,〇 D 备 \Λ ») 種類 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 ί ί ί ί ί Μ « Μ Μ Μ Μ « ' 1 Μ « Μ « Μ Μ « Μ * 1 « Μ Μ '\ « ' 1 « Μ « « Μ « « « « « 期 « 轚 « « « Ρ 轚 辁 辁 辁 辁 辁 辁 辁 辁 辁 辁 驽 货f 雀 4Κ V ί ¥· V 1K * Η 駟 *： 駟 ί ¥ 1« ¥ V V - CN m \〇 卜 00 ON 〇 — <N ΙΠ ν〇 卜 〇〇 O' ΓΛ <Ν ΙΠ rs \£> (Ν (S 00 ίΝ ON <N cs fO <^1 m SO m Ρ； 00 m 〇 m 〇

142916.doc -36· 201012909

-37- 142916.doc 201012909

142916.doc -38-

201012909 參 寸 f 撤細配線 | 凹坑 ◎ ◎ 〇 0 Ο ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 〇 X X X X X X X 0 ο X X Ο X ο X X 銅殘留 0 〇 0 ο 0 ο 〇 〇 ο 〇 〇 〇 〇 〇 0 〇 o 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 Ο Ο X X X X % X X Ο Ο X 0 X 0 X 1 9 | 〇 δ 赛 邊緣晶片 〇〇 ΤΤ «η 宕 νο CC <s 卜 ΓΟ IS <N CO r4 2 ! 12.5 I so <N S S Ο § s fn <N s Ο § Ο Ο W1 *Λ l〇 rs 〇 〇 «ο ro «Λ ο \〇 〇 CN *η (Ν 00 <N 卜 00 V» 〇 \〇 〇 卜 Μ S S «Λ \〇 8 § VI «η γ*·> 沄 Μ Ο ο *η Ο 宕 «? 總計 〇 ν〇 O' so (Ν ΓΟ § s 〇 ON «Λ σν 三 〇 ON s 寸 5C 00 00 £ 00 〇〇 5 Z 00 00 〇s m Os B 芪 ο ο ri 卜 s s ο S S VI ΡΊ VI CN «Λ Μ 沄 沄 o 沄 沄 沄 沄 •rt »Λ 1〇 V» «Λ Vi *η 沄 Ο 沄 沄 沄 沄 沄 异 沄 沄 沄 -1 研磨终點 Ό s〇 〇 ON S ο 〇4 5 WV 00 ν·0 r4 rj OS Ό Ρ S 1 Ο C*1 m ο Ρ § V% Os VO «〇 V) 赛 黐 Ξ Cu(A/min) | 10330 1 9316 | 7830 1 6026 1 6351 1_ 9607 I | 8353 | 8668 1 9336 | 6847 | 943¾ 1 9236 | 7076 1 | 9808 | 1 8928 ι 1 8216 i 8059 _i 8085 8504 9120 Γ 8992 ι 7962 | 5992 I 丨 7399 | | 6440 j 1_>1711 _ 1 10354 Γ 10431 ι 1 6634 ι | 9539 | ! 5940 1 88S4 | I 4997 | 5971 1 1 5839 ι 9288 1 1_^_1 ! 5500 1 6971 1 「8194 j 11145 | pH值 η 〇\ »n 〇< 〇\ m ON >Λ1 σ»· Μ 0\ 〇\ σ< 〇Ν· η cK ΓΛ 〇\ •Λ 〇< ΓΛ On σ' V» 〇\ 〇\ 〇\ 1/1 Ον 〇·>· μ 〇\ m 〇«； m 〇\ ΓΛ 0< Os r*\ ΓΛ σ\ 〇\ 〇\ fn 〇Ν· 〇\ m m r*i 0*>· ΓΊ 〇\ 〇\ r〇 σ' m α< f*1 〇\ r〇 〇< On pH值調整制 _i 1 ΚΟΗ 1 | KOH | | KOH | 1 KOH i 1 ΚΟΗ 1 1 KOH 1 \ KOH | | KOH | 1 ΚΟΗ I 1 ΚΟΗ I 1 KOH I ΚΟΗ | KOH | 1 KOH 1 1 KOH 1 1 KOH I KOH KOH ΚΟΗ KOH \ ΚΟΗ Π ΚΟΗ KOH 1 I KOH | 1 ΚΟΗ Ί 1 ΚΟΗ ι ΚΟΗ ! ΚΟΗ 1 KOH \ ! ΚΟΗ 1 KOH | l KOH | KOH | ΚΟΗ 1 ΚΟΗ 1 ΚΟΗ 1 ΚΟΗ 1 ΚΟΗ 1 KOH | KOH ] KOH | 茶 霉 Sf 「 0.005 | Γ 0.005 Γ o.oi i | 0.015 I 1_m_1 1_m_ι 1 0.006 I Γ 0.02 1 0.006 | 0.007 | 「 0.007 I Γ 0.023 ι Γ 0-069 | 2 s 〇 o d o 0.006 0.01 0.007 0.01 0.007 0.003 [ ο.οιι 1 0.012 0.0067 !__1 0.005 | 1 種類 1 笨并咪唑 1 1 笨并咪唑 丨笨并咪唑 ^ 1 笨并咪唑 ψ ft Ψ 1 咪嗤 ^ 1-甲基咪唑 1 2-甲基咪唑 ^ ψ ψ Β- 4 [ 4-甲基咪唑 Ί t! Ψ B- 1·甲基咪唑 笨并咪唑 1·甲基咪唑 笨并咪唑 1,2-二甲基咪唑 笨并咪唑 1,2-二甲基咪唑 笨并咪唑 「 2·甲基笨并咪唑 Ί 卜甲基咪唑 2·甲基笨并咪唑 1 笨并咪唑 I Ψ Μ>ί 濃度 (we/〇) 1 0.003 1 「0.003 1__0^5__; Γ 0.05 1 Γ 0.05 「0.02 1 「0.02 | 0.02 i 1 0.02 1 0.02 ! Γ 0.02 1 0.02 j Γ 0.02 1 Γ__m__, 「0.02 | __〇^2__, 0.02 _I 0.02 0.02 0.02 Γ 〇.〇2 ι 0.02 1 0.02 | 1 種類 _1 1 烯基琥珀酸鉀轚 1 丨 烯基琥珀酸鉀薆 I UJ 〇 ¢- s tu Ο Β- ω 2 Β- 〇 想 9~ t 〇 兹 B- W Ο α. 9- 〇 a. 9- ，，1 U1 〇 6- 、，1 £ £ POE十三烷基醚甲酸 1 POE十三烷基鰱甲酸 1 Β- ο 丨 POE十三烷基4|甲酸 ^ 泡 tB- 3T 珀 u| ·¥ 〇 a. POE十三烷基醚甲酸 P0E十三烷基醚甲酸 ΡΟΕ十三烷基蜓甲酸 POE十三烷基醚甲酸 丨 ΡΟΕ十三烷基4|甲酸 1 Ρ0Ε+三烷基《甲酸 | 三POE(4)月桂基醚磷酸 I ίΚ ν V 军 1 實施例 實施例 埃 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 1實施例1 1 比較例 1 1 比較例 1 Γ 比較例Π 比較例 id 1 比較例 1 厂比較例 1 ! 比較例 1 1 比較例 1 比較例 1 Μ μ 5 «Λ Μ § (Ν WV ΜΊ »〇 00 1〇 S S 3 S 5 $ $ ο 厂 P jn ο 〇〇 142916.doc •39- 201012909

-40- 142916.doc 201012909 ¥ 凹坑 X X X ◎ 〇 〇 〇 Ο 〇 〇 〇 0 〇 〇 〇 ο 〇 ο 〇 〇 〇 〇 o ο 〇 〇 0 ο ο 赛 展 X X X ο 〇 〇 0 ο 〇 〇 〇 〇 〇 〇 0 0 〇 0 〇 〇 〇 〇 o ο 〇 〇 0 ο ο 1 at： 〇S Μ »Λ Ό ο 〇 00 的 iS ν> 〇 ΓΊ Μ 对 卜 00 00 O' rs «> 09 η •ο Γ*1 ΙΛ ΓΊ Μ «Λ >Λ ΓΊ 毖 3 ε © M： 〇8 y 4- 沄 βο ΓΛ 00 m r4 Ο £ 〇 〇 〇 ΓΟ fS = CS cn ίΝ 00 〇 <N s ΘΟ ΓΛ <Ν 〇 S 00 m 00 總計 V© CS οβ g 5： \〇 00 On \〇 s〇 〇〇 5： so 〇\ CN σ' <Ν O' 00 O' 5C O' ee 〇〇 Ό 00 00 00 (N 〇\ Μ ON Μ 〇\ 00 m oe Μ 龙 宕 宕 沄 *η 沄 泛 VJ 沄 *r> »Λ 沄 沄 »n w> w> »〇 IT) •Π «Λ «Λ ΙΓ> jn 研磨， 终點1 SO V» η ν〇 JJ ν〇 νο 00 00 NO Ό 00 v〇 〇 «> 00 <Ν VO «Ν νΟ 00 v〇 s 00 «Λ jn - 00 NO ΘΟ 00 ro οο οο v〇 赛 1 Γ-ί r^ ο 00 ο V) 〇 ◦ s 〇\ so ίΝ so P- ΓΟ g Ό 碧 9871 00 卜 ν〇 fM On •5 ® NO 〇 00 g 〇\ 00 vo 〇s O' O' S 2 ON ON Z \〇 On OS 00 On Μ Os 寸 σ\ v〇 O' 〇 r- 00 o 00 S § O' ON « Ξ 〇 pH值 α； m 〇\ ίΛ Ον ri Os «Π O'· σ\ ΡΊ σ\ 〇\ O' Γ*1 〇< ri Vi 〇\ >r\ 〇\ On W1 〇< >Λ O' W> 〇< »Λ σ»· »r> 0< ΓΟ •/"1 On *〇 Os •Λ 〇\ »Λ Ον *〇 0*>· W) σ< •η OS «Ο as *n 〇\ 茶 备1 _Χ X X Ο 〇 〇 _κ X 〇 〇 X X X g Π § Π X S X X s n Π X Ο η § X 班 u U ώ U U u U X «Γ ^ % Γ 0.01 [0.01 ; 0.027 _Mi_i Γ 0.01 丨0.01丨 Γ_μι__, Γ o.oi 1 L_0^1_1 | 0.01 1 _m__1 L_m_1 Γ_ p^Qj_1 Γ- Q~〇l_1 [_m_1 0.005 _Mi_1 _MJ__1 [_Mi_ 0.023 0.003 0.006 0.003 Γ 0.01 1 1__^21_ Γ 0.01 I 0.012 0.003 1_ ! 0.069 1 1 0.003 1 ! 0.003 l 0.006 祭 種類 ti ¥ t* Hi f ti 1ft Ψ Ψ ψ ff f ψ t* 嗲f Ψ f t* ψ ψ ψ ψ ψ f1 ψ Ψ Ψ Ψ ψ ψ ψ Ψ Ψ ψ Ψ ψ Ψ ψ Ψ ψ Ψ Ψ 蝴嗲 Ψ 嗲 Ψ ^ ψ Q- Ψ ♦0 耸 珠 i 味 耸 耸 fr·耸 ¢- '4： i Β-珠 6- l-Jj 44 s4 $4 i4 J. ^ 44 -1 Stf •Λ城 濃度 i (wt%) 0.02 1 0.02 __2^2_1 1 0.02 1 _2^2__i 1 0.02 I 1__1 0.015 0.02 I 0.02 1 1 0.02 1 1 0.02 1 1_」 0.02 0.02 ___1 [ 0.02 1 0.02 0.02 1 0.015 ] 1 0.012 1 1 0.02 1 0.02 ! 0.02 1 1_^__ 0.02 31 却 我 治 兹 治 治 想 治 泡 治 « 堆 湛 试 想 ¢- φ~ 篇 Β- 篇 fe~ 篇 B- B- &> B- » 篇 B- B- 8- 9- 9- 篇 B- 18- 篇 fr- fi- 篇 B- M Β> Β- ft- 3T B- 3f 讀 珀 达 ，·Ι »、1 »Ί »«| "1 ”1 "1 "I ”1 *，l ，_l ”1 ，·ι »Ί W ”1 W ”1 »Ί '•I + UJ + ω Ϊ + ω 〇cr + ϋϋ 4- 〇 〇. -^- o 0. -h ω oi -h UJ +· UJ + LU 4- tu + 七 + + 4· 4- 〇 Ο 〇 ο CL Ο 〇 〇 ο 〇 〇 〇 〇 〇 〇. Ο 〇 o 〇 〇 〇 a. CL. Ο 〇 苍 军 «ί f V V ¥ V ¥ fn 00 s *η 00 SS S O' S； 〇 〇 S S § W 1__1〇?_1 ο 142916.doc -41 - 201012909 留、凹坑均良好之結 表現出凹陷量、銅殘 例如若觀察例（比較 實施例全部表現出凹陷量、銅殘 果。與此相對，其他的比較例全部 留、凹坑之任一者均不充分之值。 例）65及66，由於不含平坦性改良劑而僅添加十二烷基苯 磺酸，故可滿足銅殘留及凹坑之結果的另一 J力万面為凹陷量 惡化。與此相對’可知例如例2及例43由於含有特定之平 坦性改良劑，故未使銅殘留及凹坑惡化，凹陷得到非常大 的提高。 又，若觀察例82〜84，則可知雖然添加苯并咪唑，但含 有油酸，銅殘留及凹坑惡化。 詳細且參照特定之實施態樣對本發明進行了說明，但本 領域技術人員明白，可於不脫離本發明之精神與範圍之情 況下施加各種變更及修正。 本申請案係基於2008年8月28曰申請之曰本專利申請案 2008-218944及2008年10月16日申請之曰本專利申^案 2008-267450者，其内容被引入此處作為參照。 [產業上之可利用性] 根據本發明，可獲得一種第丨研磨步驟用之新穎之研磨 用組合物，其可使第i研磨步驟中之鋼配線之研磨速度變 得良好解決凹陷問題’亦不使侵蝕惡化，且可解除 銅殘留及銅配線上之凹坑之問題。 【圖式簡單說明】 圖1係示意性地表示有銅殘留之部分較無銅殘留之部分 而凸起之狀態的剖面圖。 142916.doc -42- 201012909 示於配線密度較高之部位有銅殘留之 圖3係示音枓认 _ 驟後之“將® 2狀態之剖面供給至第2研磨步 驟後之狀態的剖面圖。 圖4(a)〜(c)係埋入銅之配線形成步驟中之cMp步驟前後 之附有圖案之晶圓的示意剖面圖。圖4⑷係研磨前之半導 體積體電路之剖面圖，圖4(b)係由於研磨而產生凹陷之半

圖5係用以說明侵蝕的附有圖案之晶圓之概略剖面。 【主要元件符號說明】

圖2係示意性地表 狀態的剖面圖。 導體積體電路之剖面圖，圖4(c)係經理想地研磨之半導體 積體電路之研磨後的剖面圖。 1 Si基板 2 絕緣層 3 障壁層 4 配線金屬層 6 埋入銅之配線 7 凹陷量 8 銅膜之初始膜厚 9 銅膜之初始階差 17 凹陷部分 18 侵蝕部分 19 最大階差 20 Global 部 21 銅殘留 142916.doc •43· 201012909 22 23 無銅殘留之部分 配線密度較高之部位 142916.doc 44-

Claims (1)

1. 201012909 七、申請專利範圍： 1. 一種研磨用組合物，其係於對隔著障壁層設置於絕緣層 上之銅層進行研磨’從而交替形成埋入銅之配線與絕緣 層之圖案形成中，被用於進行研磨直至與上述銅層鄰接 之上述障壁層露出為止之步驟者；並且 其包含： 十二垸基苯績酸成分、以及 選自由烯基琥拍酸成分、聚氧乙烯烷基醚羧酸成分及 聚氧乙烯烷基醚磷酸成分所組成群中之至少一種平坦性 改良劑。 2_如請求項丨之研磨用組合物’其中進一步含有脂環族樹 脂酸。 述脂環族樹脂酸為 3.如請求項2之研磨用組合物，其中上 松香。 4·如請求们之研磨用組合物，其中進—步含有咪唾衍生 物。 膠質二氧 5.如請求項1之研磨用組合物，其中進一步含有 化矽作為研磨粒。 形 求項^研磨用組合物’其中進—步含有氧化齊卜 成:未項1之研磨用组合物，其中進-步含有錯合物 8·如-月求項1之研磨用組合物，其中研磨用組合 酸之含量為0.03質量%以下。 物中之油 其係製造半 導體 9. 一種半導體積體電路裝置之製造方法， 142916.doc 201012909 積體電路裝置者， 該半導體積體電路裝置包含：具有槽之絕緣層、形成 於該槽中的埋入銅之配線， 該半導體積體電路裝置之製造方法包含如下步驟：使 用如請求項⑴中任-項之研磨用組合物，對在該絕緣 層上依序形成有障壁層與銅層的該半導體積體電路裝置 用之多層結構體進行研磨，直至與上述銅層鄰接之上述 障壁層露出。 10. 如请求項9之半導體積體電路裝置之製造方法，其中上 、章壁層3有選自由Ta、TaN及TiN所組成群中之至少工 種。 11. 如印求項9之半導體積體電路裝置之製造方法，其中上 述多層結構體於上述絕緣層與上述障壁層之間 成 1瓦 層0 12. 如请求項9之半導體積體電路裝置之製造方法，其中上 述具有槽之絕緣層具有3以下之相對介電常數。’、 H2916.doc