TW201010501A - Organic electroluminescence element and method of manufacturing the same - Google Patents

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201010501 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ' 本發明係有關具有可適合照明使用的光學透明 • 度之有機電激發光（el)元件及其製造方法。 【先前技術】 有機電激發光元件（以下稱有機E L元件 以有機化合物作為發光材料之自發光元件，由於可 • 進行高速度發光，故適合於動晝顯示，此外，元件 構造簡單具有可進行顯示面板的薄型化等之特性。 由於具有此種優良特性’故有機E LS件作為行動 電話與車内顯示H，在日常生活中逐漸普及。 而且，近幾年，活用上述這類薄型面發光的特 長，作為次世代的照明亦受到矚目。 一般的有機EL元件係一方的電極是由金屬構 • 成之反射電極所形成，故其構造成為從該反射電極 之相反側的電極朝向外侧，在一方向取出光，而且 成為鏡面。 在此種有機EL元件中，其構造上，在裝置内 . 無法避免受到光干擾的影響，而產生朝外部之光取 出效率的降低以及發光頻譜的角度依賴性變大等之 弊害。而且，在反射電極之光吸收亦導致發光效率 的降低。尤其在多光子構造之元件中，其影響顯著。 相對地，以往，可藉由利用透明電極形成習知 201010501 電極，且利用擴散反射形 而構成不受到光干擾影響之有機構… 參照曰本特開2〇〇2—2 ::如’ 本特開2007 —20() 5 9 7 ^#2么報、曰 電極2為==件構造的狀態，而僅將反射 電子進行來自_極之 起之電漿損宝電極形成時的濺鍍等引 :。無法件到與使用習知的反射電極相同之元件特 細!此：f其是使用有機EL元件作為照明等之 =外：種手法，係可謀求提高從有機el 疋件朝外部之光取出效率。 【發明内容】 本發明係為了解決上述的技術課題而研創者， 其目的係在提供-種有機E L元件及其製造方法， 該有機E L元件係使用具有光學透明度之陰極材料 時，仍可利用低外加電壓來驅動，而且，無發光頻 譜的角度依賴性且發光效率高。 、 本發明之有機E L元件係在透明基板上，積層 有陽極層、與至少具有一層發光層之發光單元、以 及陰極層所構成之有機5； L元件，其特徵在於：前 201010501 述陽極層、前述發光單元及前述陰極層皆具有光學 透明度，且前述陰極層係由至少包含電子受體物質 之第一電荷產生層、以及包含陰極之積層構成所構 成。 依據此種元件構成，可由兩方的電極面來進行 發光’不需發光單元的設計變更，而可謀求提高朝 外部之光取出效率。 ❹ 粵 _在前述有機E L元件中，最好是前述陰極層在 前述第一電荷產生層與前述陰極之間具有金屬氧化 物層。 、前述金屬氧化物層係在形成透明電極時具有作 為電裝彳貝害緩衝層之功能。 前述陰極藉由前述第一電荷產生層，而可抑制 :電壓化’故可由工作函數4.〇eV以上之金屬 來構成。 &此外，最好前述金屬氧化物層係由鉬氧化物、 銳氧化物及鶴氧化物中之其中—者所構成。 别述有機E L元件係亦可設為前述發光單元經 第二電荷產生層以串聯地連接為複數層之多光子 構造。 一此外，最好由前述陽極層側或前述陰極層侧任 方取出光’且在位於該光取出側之相反側的陰極 201010501 層或陽極層之㈣，具財光健反㈣， 化 藉由汉置此光擴散反射層，即使不進行發光單 元之各積層構成材料的設計變更，亦可消除角度依 賴性，且進—步提高光取出效率，此外，可以最低 限度構成發光單元之各層的膜厚，而可達成低電壓 再者’本發明之有機E L元件的製造方法的特

徵係在製造上述有機E L开杜+ Htr、+ A 4另揭：ilLTC件之方法中，利用對向 靶濺鍍法，形成前述陰極層的陰極。 依據對向靶濺鍍法，可抑制對發光單元的有機 層造成之電漿損害。 本發明之有機E LS件係在使用具有光學透明 度之陰極材料時，亦可利用低的外加電壓進行驅 動，而且，抑制發光頻譜的角度依賴性，而可謀求 提南朝外部之光取出效率。 此外，依據本發明之製造方法，即使不重新設 &十包含發光層之發光單元的構成材料，於形成電極 時亦不致對有機層等造成損害，而可製造具有光學 透明度之有機EL元件。 干 因此，本發明之有機£ L元件係不僅習知的顯 示器用途，在照明等之光源用途中，亦可更活用作 為高演色佳的表面發光體之特性。 201010501 【實施方式】 以下，針對本發明一邊參照圖示，一邊作詳細 說明。 在第一圖，顯示本發明之有機EL元件的積層 構成之一例。第一圖所示之有機E L元件，係在透 明基板1上，積層有陽極層2、與至少具有一層發

光層之發光單元3、以及陰極層4所構成之有機E L元件。 然後，前述陽極層2、前述發光單元3及前述 陰極層4皆具有光學透明度。亦即，可將以發光單 疋3發出之光，從陽極層2侧及陰極層4側的兩方 予以取出。 並且，削述陰極層4係由至少包含電子受體物 質之第-電荷產生層4a、以及包含陰極4c之積 層構成所構成。 、 1前述陽極層2係在透明基板1上，作為透明電 =、由卫作函數大（4.0eV以上）的電極材料所 種透明電極亦可由金 銀、鎳、鈀、白金等 專的薄膜形成，一般而言，使用氧化銦錫㈠ )、銦鋅氧化物、氧化鋅等之金屬氧化物，尤苴 明性與導電性等之觀點來看，最好使用ί Τ〇。 201010501 此透明電極之膜厚，視所需之光學透明度的程 度而不同，通常最好將可視光的穿透率，設在6 〇 %以上，更理想的是設在8 〇 %以上。為了確保此 種光學透明度及導電性，膜厚通常設在5至1 〇 〇 ，最好是設在i 〇至5〇〇11111程度。 +陽極的形成通常係利用c VD法、濺鍍法、真 空瘵鍍法等來進行，而最好形成為透明導電性薄膜。 在本發明之有機EL元件中，構成前述陰極層 4之陰極4 c，亦形成為與前述陽極層2相 明電極。 在曰通的底部發射元件中’前述陰極4c例如 係由鋁、鋁鋰合金、鎂銀合金等之工作函數小 上：V以下）的金屬、合金、導電性化合物所構成， 發明中，由於設為透明電極，故使用工作函數 =述習知電極材料之金屬等還大“·〇口以 上）的電極材料。 元之知的積層構成中，於陰極與發光單 π之界面形成注入障壁，難以進 透明電極所獲致之陰極4 5:猎 月中藉由插入前述電荷產生層4a 該電荷產生層4 a之載子、、主入，才 進仃來自 4 ’來抑制高電壓化。 此外，在本發㈣，欲將構錢極層4之電荷 201010501 產生層4a ’與隔在多光子構造的發光單元間之電 荷產生層（第二電荷產生層）加以區別時，稱之為 苐一電荷產生層。 … 則述電荷產生層4 a，至少包含電子受體物 質，並且，亦可包含電子供予物質，例如，可適用 在曰本專利第3 9 3 3 5 9 1號公報所記載之構 成。關於第二電荷產生層亦相同。

再者，前述電子受體物質及電子供予物質，各 別為單一化合物，或亦可為混合物。 整個此電荷產生層4 a之膜厚，通常在丄nm 以上20〇nm以下，最好在5nm以上i()〇n m以下。 寸叼隹屬虱化物所m< 陰極4 c的成膜，由於利s c VD法與真空蒸鍍 法，而基板暴露在高溫下’故對發光單元3或前述 陰極層4时機材料所構成之電荷產生層4 a造成 損害。利用離子電鍍法，因離子衝擊引起之對發光 Ϊ元3等的損害亦大。此外，錢鑛法中，利用通 :的反應性濺鍍法與磁控濺鍍法，因伴隨放電產生 子（電子、離子）與氧自由基，而對由已形 材料二 =之發光單元3或前述陰極層4中由有機 :f成之電荷產生層4 5造成損害，且有機^ L元件產生高電壓化。 201010501 極4。進行早元3等之基板上將陰 仃成膜時’為了減低如 的損害，最好利用對向乾賤鑛法來進行=、電㈣ 時，Ϊ二：用對向乾濺鑛法形成前述陰極4 c 好‘、、' 彳對發光單元3或前述陰極層4之有機 荷產生層“造成之電漿損害1 作為r宝'、早疋3等之上形成金屬氧化物層4 b 作為知害緩衝層。 私八有作為此種濺鑛損害緩衝層功能之金屬氧化 =:b:”L5)，例如，最好-氧化= 乳化物、鎢乳化物等形成。具體，可 化銷（心CM、五氧化二叙（V 2 0 5 j舉出二乳 =屬氧化物層4b賴厚，只要達到作為如 緩衝層的效果之程度便足夠，而從確保光 子透度之親點來看，儘可能是薄的，最好在！ n m以上1 0 〇 nm以下。 於本發明之有㈣L元件的構成要素中，透明 基板1成為有機EL元件之支撐體且為發光面， 光穿透率最好在8〇%以上，更理想的是 以上。 ^ 作為前述透明基板，一般而言係使用B K 7、 BaKl、F2等之光學玻璃、石英破璃無鹼玻 201010501

璃、硼矽玻璃、鋁矽酸鹽玻璃等之玻璃基板、pM Μ A等丙烯酸酯樹脂、聚碳酸酯、聚醚磺酸酯 (polyether Sulf0nate)、聚苯乙烯、聚烯烴、環氧 樹脂、聚乙烯對苯二曱酸醋等之聚醋等的聚合物基 板0 刖通減之厚度，通常使用0.1至l〇mm程 度者，而考慮機械性強度、重量等，最好是〇 3至 5mm，更理想的是〇. 5i2mm。 此外，本發明之有機件的發光單元3， :口:要=㈣一層發光層者，不論單層或複層， 述發光單元㈣㈣造°以前 屛雷、P1私〜體的層構造而言’可舉出僅發光 層、電洞輸送層/發光層、發光 電洞輸送"發光層/電子輸送層等之構Γ 發光ί外雷亦可作為亦包含電洞注入層、電洞輸送 卷先層、電洞阻擋層、電子 層等之—般熟知的積層構造。θ電子輸送發先 構成前述發光單元3的各 制，可適用一妒勃A MB 7寸無特別限 之任一者皆可。的材料，低分子系或高分子系 之乾式法、喷：：成：利用真空蒸鍍法、濺鐘法等 喷墨法、鑄造法、浸潰法、輕塗法、到 201010501 塗：：、、、捲軸式塗佈法、凹版塗佈法、快乾印 q1佈法等之濕式法來進行。最好利用真 工蒸鑛進行成膜。 ^者’前述各層的料料慮各層彼此間的適 應性與所欲的整個層厚声黧 — 口層厚度荨，而按照適當狀況訂 疋，通常最好在5 nm至“ m之範圍内。 如上述’在本發明中 構成材料，不必重新設計 成及形成方法。 發光單元之積層構成及 而可適用習知的元件構 礬 前述有機E L元件亦可適用於前述發光單元介 由第二電荷產生層而以串聯方式連接為複數層之多 光子構造。 具備有反射電極之鏡面元件之情況，係接受光 干擾的影響以致可取出之光量有限，尤其在多光子 構造中其影響顯著。 相對地，藉由組合多光子構造的透明元件與光 擴散反射層，可更抑制光干擾的影響，而可製造壽 命長且高效率的有機EL元件。 、 ' 此外’前述有機E Lit件亦可在陽極層2或险 極層4任一方的外側’設置光擴散反射層。 β 一經設置前述光擴散反射層，即成為一種構 成，係僅從前述陽極層2側或前述陰極層4側任— 12 201010501 方取出光’而可依最小方 > 之恭4U - 構成為了取出光所需 之發先早7G的各層膜厚 錢冩 X S - 4δ ^ m Τ谋求低電壓化。此外， 不再有頻譜之角度依賴性， 率。 了謀求長:南光取出效

、之間’存在有比前述陽極層2 (或陰極 :4):射率低的樹脂等之密封構件與空氣層時， 在發光早7L發光之光中，因前述陽 層4)與密封構件或空氣之折射率差而產1= 射成分的大部分無法取出到外部。 因此，由更提高光取出效率之觀點而言，為了 減低朝光擴散反射層之入射光損失，最好將陽極層 2(或陰極層4)與折射率高的光擴散反射層予以 直接進行積層。 别述光擴散反射層，例如係可藉由將氧化鈦、 氧化鋁、硫酸鋇、沸石等之單體粒子或使上述混合 物分散之液體、樹脂、凝膠等予以塗佈而形成。 然後’藉由將業已在基板塗佈或印刷此種光擴 散反射層者’與有機E L元件之剩餘的元件構造部 進行真空貼合，即可製造有機EL元件面板。 前述光擴散反射層之膜厚係只要有得到光的擴 13 201010501 散反射效果之厚度便充分，最好在i 以上lm in以下。 以下’根據實施例更具體說明本發明，然而本 . 發明不依下列實施例而受到限制。 〔第一實施例〕 藉由以下的方法，製造由如第一圖所示之積層 構成所構成之有機E L透明元件。 (透明基板1 ·陽極層2 ) ❿ 首先，將以膜厚3 0 0 nm將已作成圖案之透 明導電膜（I T〇）成膜之玻璃基板，按照藉純水 與界面活性劑之超音波洗淨、純水之流水洗淨、純 水與異丙醇的1:1混合溶液之超音波洗淨、異丙 醇之煮沸洗淨的順序加以洗淨處理。將此基板從沸 =中的異丙醇慢慢提起，且使之在異丙醇蒸氣中乾 燥’最後’進行紫外線臭氧洗淨。 ❿ 將此基板作為陽極1，配置在真空室内，且對 ^進行真空排氣直至1χ1 〇-6T〇 r r，並於該真 二至内，藉由事先設置個別填充有蒸鍍材料之各鉬 製t、以及以預定圖案進行成膜用之蒸鍍用罩，並 對前述舟進行通電加熱，使蒸鍍材料蒸發，來依序 進2發光單元3、陰極層4的電荷產生層4 a及金 屬氧化物層4 b ( P 1 2 L 3 )的成膜。 14 201010501 (發光單元3)

在蝻述基板上，以膜严G 〇〇3)進膜；5 nm將三氧化鉬（M )進仃成膜，來形成電洞注入層。 其次，使用N S〜？ 1〆加 /V - 2 1 (新日鐵化學股份有限 么司製）作為電洞輸送性材料，與Μ〇〇有 時對各舟進行通電加熱， 1— 3 5 ◦㈣將 N …：Mo〇3=90:10 = 膜，並且，以瞍歷ς 丄。進订成 开4雷、Π/ 將“21進行成膜，來 开V成電洞輸送層。 然後’發光層係以成為白色發光元件之方 而^ 膜厚 2〇nm 將 NS2l:EY52(eRay ^ = irrniCS TeChn〇1〇gy 社（以下，簡稱 e~Ray “）衣造）=9 8. 7 : 1 . 3進行成膜，並且， 以膜厚3〇nm將EB43 (，公司製造)：e 52 (e—Ray公司製造）=98.8 : 1-2進行 成膜而予以形成。 在前述發光層上，以膜厚5 nm將雙（2 —曱 基8_經基啥琳）（P —笨基苯紛）銘（B A 1 Q ) 進行成膜，而形成電洞阻擋層。 (陰極層4 ) 使用L i q作為電子供予物質，並以膜厚3 5 nm將DP B : L i q = 7 5 : 2 5進行成膜，此 15 201010501

外以膜厚1 . 5 n m將銘（A 使用Μ ο 〇3^Αφ 進仃成獏，並i， 將 NS21 ^003” 膘厚 10_ 成電荷產生層4a。 行成膜，而形 此外，以臈厚5 n則㈣〇 〇3進 屬氧化物層4b。 仃成膜作為金 然後，藉由對向靶濺鍍法且 將IT⑽行朗料雜“。^1㈣㈣ ::使用UV硬化樹脂，且藉由別的玻璃板來 予以岔封，而得到透明元件。 將此元件之積層構成加以簡化來顯示時，係ι TO (3QQnm)/MQ〇3(5nm)/Ns2 1 : Mo 〇3 ( ! 〇 nm，9 〇 :工 〇 ) /n s 2 ι (5nm)/NS2l：EY52(2〇nm,98. ❿ 7 : 1.3)/EB43 : EB52 (3〇nm 9 8·8 · 1.2)/BAl q (5nm) / DPB : L i q ( 3 5 nm, 7 5 ： 2 5 ) Xa 1 ( 1 . 5 n m)/NS21 ·Μ〇〇3(ι〇ηπι，75 : 25) κΜο 03 ( 5 nm) / ι τ〇（工 0 〇 nm)。 〔第一比較例〕 製造具備反射電極A 1之習知的鏡面構造之底 部發射元件。 16 201010501 在第一實施例中，僅將陰極層的電荷產生層作 成 DPB : Li q (35nm，75 : 25)，且不 形成金屬氧化物層，而將真空室保持在真空狀態， 來父換罩，並設置陰極蒸鍍用罩，且以膜厚6 〇 η m將A 1進行成膜，來形成陰極。 除此之外與第一實施例相同，製造鏡面元件。 將此元件之積層構成加以簡化來顯示時，係工

丁〇（30〇nm)/Mo〇3(5nm)/NS2 1 : μ 0 〇3 ( 1 0 nm, 9 〇 ： ! 〇 ) κΝ s 2 χ (5nm)/NS2l：EY 5 2 ( 2 0 nm,98. 7:1.3)/EB43:EB52(30nm，9 8.8 1.2)/BAl q (5nm)/DPB ： L i Q( 3 5 nm, 7 5 ： 2 5 )/A 1 ( 6 0 nm)〇 〔第二比較例〕 將第一實施例之透明電極j τ〇（丄〇 〇 n爪） 替換為反射電極A 1 ( 6 Q n m)，除此之外與第一 實施例相同，製造鏡面元件。 將此元件之積層構成加以簡化來顯示時，係ι TO ^ 3 0 〇 nm) /Mo 〇3 ( 5 nm) /N S 2 l：Mo〇3(l〇nm,9〇：1〇)/NS2l (5nm)^NS2l：EY 5 2 ( 2 0 nm,98. 7:l，3)/EB43:EB52(30nm，9 17 201010501 8 ’ 8 . 1 . 2 ) / B A 1 q ( 5 n m) /D p b · 1 Q (35nm，75 : 25)/A1 (1 5n m)/NS2l：Mn〇 M〇〇3(1〇nm>75 /M〇〇3(5nm)/Al (6〇nm)。 5) 在第一圖中’顯示評估此元件的頻譜之角声 賴性之結果的圖表。 a依 電>瓜您度1 〇 0 A/m2時之各元件的電壓係 第一實施例之元件為3. 7 V’第-比較例之元件為 3 . 8 V，第二比較例之元件為3 . 4 v。 據此，可知透過第一實施例之元件構成，即使 為透明元件，亦可得到抑制與習知的鏡面元件同等 的電壓上升之透明元件。 〔第二實施例〕 在第一實施例製造之透明元件的陰極層之i τ 〇 (100nm)上，將業已於低露點中將二氧化 ❹ 鈦（關東化學股份有限公司製銳鈦礦型：粒徑〇· 1至0 . 3 # m )與氟油（大金工業股份公司（daikin INDUSTRIES, 1 td.)製歹么十厶S — 20)進行 脱水·混練脱泡之物直接予以塗佈，形成臈厚2 〇 0 /zm之光擴散反射層。 將之使用U V硬化樹脂，且藉由別的玻璃板來 予以密封，而得到有機E L元件。 18 201010501 於第三圖♦，顯示評估此元件 賴性之結果的圖表 之頻譜的角度依 從第二圖、第三圖夕μ 料；^思^ —圖較’可清楚知道設置光 ==二實施例、第二圖)，頻譜之角度 依賴性讀制，域所有角度皆看似相同的顏色。 此外’電流密度1 〇 n A / 2 /m之外部量子效 元件（第二比較例）中，為4.4[相 \ 件形成光擴散反射層時（第二實施例） 為5. 0%，可知取出光到外部之效率提高。 〔第三實施例〕 & J:* I知例相同的手法，形成各電極層 ’X光f元’且隔著第二電荷產生層使發光單元積 曰，四個單兀’·並且’使用與第二實施例相同的手法 形成光擴散反射層，來製造多光子構造的有機E L 元件。 刖述第二電荷產生層係使用L i q作為電子供 予物質，且以膜厚17nm將DPB : L i Q = 7 5 · 2 5進行成膜，此外，以膜厚〇. 5 nm將鋁 ；°_進行成膜H，單獨以膜厚2 nm將Mo 〇3 進仃成膜作為電子受體物質，形成於各單元間。

將此元件之積層構成予以簡化來顯示時，係I T0 (3〇〇nm)XM〇〇3(5nm)///f- 19 201010501 單元（藍）〔N S 2 1 r , B52(3“m，98 : Ε nm)〕//DPB : L . . i q(5 5)/Al (〇,5nm)〉M nm，75 : 2

/第二單元(黃+藍二)二7;3(^" 21·ΕΥ52( 5nm)/N E v, λ 〇 〇 n m, 9 8 7 ·-, EB43 : EB52 (, nn :丄.3)/ /BA !…^3〇nm，98.8 ： nm 7R nm)〕//DPB : L i l2) m>75 ： 25)/Ai r〇 _ L 1 Q (17 1 ϋ·5〜）/Μ〇〇3 m)/A]n ^(^)CnS2i Cl . lq3：c545t (Sn ( 1 5 n L 5 ) A l q ( 5 nm，9 8· 5 : ^^m,75?2(^n；^7PB：Liq M〇 〇3 ( 2 nm)〇. 5 nm) / "5 …/BA1/:.T·;(…〔NS21 nm，9〇 : 10)〕//DPB :^)3(30 ❹ m，75:（0.5ηη〇;^ … nm)/lTO(l00nm)/ 〇〇“5 〇 0 //m)0 疋雖散反射層（2 於第四圖中’顯示評估此元件的頻譜之角度依 賴性之結果的圖表。 〔弟三比較例〕

僅將第三實施例之陰極層的電荷產生層作成D 20 201010501

Q •1 L ·· B P (17nm，75 : 25)，且不形成 金屬氧化物層，此外，將透明電極I Τ Ο ( 1 〇 〇 nm)替換為反射電極A1 (60nm)，而形成陰 極’除此之外與第三實施例相同，製造具備四個單 元之發光單元之多光子構造的鏡面元件。 於第五圖中，顯示評估此元件的頻譜之角度依 賴性之結果的圖表。 就上述第三實施例及第三比較例之多光子構造 的元件，以及具備按各單元製造之光擴散反射層2 元件，進行電流密度1 〇 〇 A/rn2之外部量子二率 的評估，將結果顯示於表一。 【表一】 元件構成 外部量子效率(％) (電流密度ΙΟΟΑ/πί) 第三實施例 19.0 第三比較例 11.3 ΌΟ —* 弟一早兀 8.6 络一HH — 弟一單元 3.6 no 一 弟二早兀 5.4 第四單元 4.2 21 201010501 如表一所示’在多光子構造之透明元件形成光二 擴政反射層時（第三實施例），可知外部量子效率成 為發光單元之幾近於數倍程度（各單元的合計）。 此外，由第四圖、第五圖的比較，清楚知道設 置光擴散反射層時（第三實施例、第四圖），頻譜的 角度依賴性受到抑制。 〔第四實施例〕 使第三實施例的發光單元之第一單元至第四單 豢 元之積層順序相反，從第四單元進行積層，除此之 外與第三實施例相同，製造具備有四個單元之發光 早元之多光子構造的元件。 於第六圖中，將評估此元件的頻譜之光束密度 (積分頻譜）之結果的圖表，與第三實施例一併顯 示。 此元件之電流密度1〇 0A/m2的外部量子❿ 效率為2 5. 1% ’可知比第三實施例的元件還高。 再者’由第六圖清楚知道’使第三實施例的發 光單元反向地積層日寺（第四實施例），A其可知長波 長成分的光取出量變大。㈣此係取決於與發出波 長不同於光擴散反射層的光之各發光單元間的距 離，可能係根據所謂的共振腔效應。 以上所述僅為本發明之較佳可行實施例，非因 201010501 此侷限本發明之專利保護範圍，故舉凡運用本發明 說明書及圖式内容所為之等效技術變化，均包含於 本發明之權利保護範圍内，合予陳明。 【圖式簡單說明】 第一圖係示意性地顯示本發明之有機£ L元件 的積層構成之剖面圖。 第二圖係第二比較例之有機E L元件的頻譜之 角度依賴性的評估結果圖表。 第三圖係第二實施例之有機E L元件的頻譜之 角度依賴性的評估結果圖表。 第四圖係第三實施例之有機E L元件的頻譜之 角度依賴性的評估結果圖表。 第五圖係第三比較例之有機E L元件的頻譜之 角度依賴性的評估結果圖表。 第六圖係第三實施例、第四實施例之有機元件 的頻譜之光束密度（積分頻譜）的評估結果圖表。 【主要元件符號說明】 1 透明基板 2 陽極層 3 發光單元 4 陰極層 4a第一電荷產生層 23 201010501 4 b金屬氧化物層

Claims (1)

1. 201010501 七、申請專利範圍·· 層』極層種係在透明基板上，積 陰極層所構成者，^有—層發光層之發光單元、以及 學透明度陽^層則述發光單元及前述陰極層皆具有光 荷產：ί陰:D由至少包含電子受體物質之第-電 9、曰與包含陰極之積層構成所構成。 件，苴中前过、2利範圍第1項所述之有機電激發光元 極之間具有金屬氧化物層。帛冑何產生層與别述陰 激發申請//I11圍第1項或第2項所述之有機電 上的金屬所構成 陰極係由卫作函數4.0eM 件」中ΐ申t、2利範圍第2項所述之有機電激發光元 ❹ 鎢氣化物、屬乳化物層係由㈣化物、鈒氧化物及 鎢乳化物中之任一者所構成。 件，圍第1項所述之有機電激發光元 式連接為複數層之多光子構造。I了產生層以串聯方 件專利範圍第1項所述之有機電激發光元 2、、係❼述陽極層側或前述陰極層側任—方 之ϋ在位t與該絲幻狀相反侧的陰_或陽極層 之外側，具有光擴散反射層。 秘層 件圍第1項所述之有機電激發先元 層=其係利用對向乾錢錢法’形成前述陰極 25