TW201006304A - Organic EL device and process for producing the same - Google Patents

Description

201006304 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在顯示器用途上適用之有機電激發光裝 置及其製造方法。對於更詳細而言，係關於防止來自外部 環境之水份的侵入，長時間顯示優越之發光效率的有機電 激發光裝置及其製造方法。 φ 【先前技術】 近年，在顯示器用途上，積極地進行使用自發光型之 有機電激發光元件之有機電激發光顯示器的硏究。有機電 激發光顯示器係期待實現高發光亮度及發光效率之情況。 原因係因可以低電壓實現高電流密度。特別是多彩顯示， 特別是可全彩顯示之高精細的多色發光有機電激發光裝置 顯示之實用化，在顯示器之技術領而被期待。 在作爲彩色顯示器而將有機電激發光裝置作爲實用化 • 上之重要的課題，係加上實現高精細度者，含有色再現性 而具有長期的安定性。但，對於多色有機電激發光顯示器 ，係據有經由一定期間的驅動而發光特性（電流-亮度特 性）顯著下降之缺點。 其發光特性之下降原因之代表性的構成係爲暗點的成 長。其暗點係指發光缺陷點。其暗點係認爲經由元素中的 氧或水份，根據在驅動時及保存中’有機電激發光元件之 構成層的材料之氧化或凝集進行者而產生。暗點的成長係 當然進行在通電中，而對於保存中亦進行。特別是暗點的 -5- 201006304 成長認爲（1)經由存在於元件周圍的外部環境之氧或水 份而加速，（2)作爲吸付物而存在於構成層中的氧或水 份而影響，以及（3)由吸付於使用在元件製作時之構件 的水份，或在製造時之水份的侵入而影響。當其成長持續 時，暗點乃擴散於有機電激發光裝置之發光面全體。 以往，作爲防止對於有機電激發光元件的構成層水份 之侵入的手段，進行有使用金屬罐，玻璃板而密封有機電 激發光元件之方法，或於密封有機電激發光元件之空間內 ⑩ ，配置乾燥劑之方法。但，爲了發揮輕量且薄型之有機電 激發光裝置的特徵，注目有未使用乾燥劑，而以薄膜密封 的技術。 作爲密封用的薄膜，使用氮化矽素，氮化氧化矽素等 。但，爲了控制對於在此等材料之製膜時之發光層的損傷 ，有必要將製膜面的溫度上升至少控制在發光層之玻璃移 轉溫度以下。因此，有著對於有機電激發光裝置而言，無 法適用以半導體處理所開發之製膜方法，而無法形成具有 Θ 充分防濕性之密封用的薄膜之課題。 對此，在日本特開2 00 5-2 85659號公報（專利文獻1 )，提案有作爲可適用於有機電激發光裝置之密封用薄膜 ，將經由電漿CVD法所形成之矽素及氮化矽素做爲主成 分的膜。對於專利文獻1，係揭示有經由根據X線光電分 光法所測定，對於與氮素結合的矽素數量之結合於矽素之 矽素數量乃0.6以上2.0以下之時，顯示此膜優越之密封 性者。 -6 - 201006304 [專利文獻1]日本特開2005-285659號公報 【發明內容】 [發明欲解決之課題] 近年來’爲了使主動矩陣驅動型之有機電激發光裝置 的開口率提昇，由製作含有TFT等之開關電路之基板的相 反側取出光，所謂前放射型構造之裝置乃成爲主要。在其 φ 構造中’於有機電激發光層之上方形成透明電極及密封膜 ，發射在有機電激發光層的光係通過密封膜而釋放於外部 。但，專利文獻1之密封膜係因含有相當量之矽素-矽素 結合而可視光的透過率爲低，無法作爲前放射型構造之密 封膜而使用。 本發明之目的係提供：經由使用具有高可視光透過率 及優越之防濕性的保護膜之時，具有長期安定性之有機電 激發光顯示器。本發明之其他目的係提供如前述之有機電 Ο 激發光顯示器之製造方法。 [爲解決課題之手段] 本發明之有機電激發光裝置，包含基板、和形成於前 述基板上之有機電激發光元件，其特徵乃前述有機電激發 光元件乃由下部電極、有機電激發光層、上部電極及保護 層所成，前述保護層乃由一個或複數之無機膜所成，前述 一個或複數之無機膜的至少一個乃包含氫之氮化矽膜，經 由紅外吸收光譜測定所求得之含前述氫之氮化矽中之對於 201006304

Si-N結合而言之N-H結合之伸展模式之尖峰面積比乃較 0.06爲大，且爲0.1以下者，且對於Si-N結合而言之Si-Η結合之伸展模式之尖峰面積比乃較0.12爲大，且爲 0.17以下者。本發明之有機電激發光裝置係亦可具有保護 層與基板及下部電極接觸的構造。或、又，本發明之有機 電激發光裝置係亦可具有保護層與下部電極接觸，以及下 部電極與基板接觸的構造。另外，構成保護層之1個或複 數之無機膜的個應力係具有較20MPa爲小之絕對値爲佳。 ❹

在本發明之N-H結合、Si-H結合及Si-N結合之伸展 模式之尖峰面積乃可經由：（a)測定波數爲橫軸之氮化 矽膜之紅外吸收光譜的工程，（b )從所得之紅外吸收光 譜減算基線加以補正的工程，（c)將前述N-H結合、Si-H結合及Si-N結合之吸收，使用高斯函數，分離尖峰的 工程，以及（d)求得分離之尖峰之面積的工程；而求得 者。在此，前述N-H結合之伸展模式之尖峰面積乃由存在 於3250〜3400CHT1之尖峰求得，前述Si-H結合之伸展模 G 式之尖峰面積乃由存在於2100〜2200(:1^1之尖峰求得， 前述Si-N結合之伸展模式之尖峰面積乃由存在於83 0〜 87 0cm·1之尖峰求得。 本發明之有機電激發光裝置之製造方法，其特徵乃包 含：（1)準備基板之工程，和（2)形成由下部電極、有 機電激發光層、上部電極及保護層所成有機電激發光元件 之工程中，前述保護層乃由一個或複數之無機膜所成’前 述一個或複數之無機膜之至少一個乃含氫之氮化矽膜’經 -8- 201006304 由紅外吸收光譜測定所求得之含前述氫之氮化矽中之 Si-N結合而言之N-H結合之伸展模式之尖峰面積比 0.06爲大，且爲0.1以下，且對於Si-N結合而言之 結合之伸展模式之尖峰面積比乃較0.12爲大，且爲 以下的工程；於工程（2)中，含前述氫之氮·化矽膜 由對於含單矽烷、氨及氮的混合氣體，施加25MHz 60MHz以下之高頻電力的化學氣相成長法所形成，在 φ 對於單矽烷而言之氨的流量比乃0.5以上1以下者。 [發明之效果] 在要求更高發光效率之有機電激發光顯示器的開 近年來的狀況，本發明係可提供：經由使用具有優越 濕性的保護膜之時，可維持長時間優越發光效率之有 激發光顯示器。另外，本發明之保護層係因具有高可 透過率之故，本發明之構成係特別在前放射型有機電 φ 光裝置而爲有效。 【實施方式】 本發明之有機電激發光裝置，包含基板、和形成 述基板上之有機電激發光元件，其特徵乃前述有機電 光元件乃由下部電極、有機電激發光層、上部電極及 層所成，前述保護層乃由一個或複數之無機膜所成， 一個或複數之無機膜的至少一個乃包含氫之氮化矽膜 由紅外吸收光譜測定所求得之含前述氫之氮化矽中之 對於 乃較 Si-H 0.17 乃經 以上 此， 發之 之防 機電 視光 激發 於前 激發 保護 前述 ，經 對於 -9- 201006304

Si-N結合而言之N-H結合之伸展模式之尖峰面積比乃較 〇·〇6爲大，且爲0.1以下者，且對於si-N結合而言之Si-H結合之伸展模式之尖峰面積比乃較0.12爲大，且爲 0.17以下者。 於圖1顯示有本發明之有機電激發光裝置之一個例。 圖1之有機電激發光裝置乃前放射型有機電激發光裝置， 含有基板10，和於基板10之上方依序層積下部電極21、 有機電激發光層22、和上部電極23及保護層24之有機電 @ 激發光元件20。另外，雖爲任意選擇之構成，但於形成有 基板10之有機電激發光元件20之側，將載置有變換濾光 層40之密封基板30，由黏著層50而加以黏著。 於圖2顯示有本發明之有機電激發光裝置之其他例。 在圖2的例，保護層24係位置於基板10與下部電極21 之間。圖2之有機電激發光裝置乃底部放射型有機電激發 光裝置。在圖2係顯示於基板10與保護層24之間，更含 有任意選擇要素之色變換濾光層40及平坦化層60的例。 〇 本發明之基板10係可使用可耐於使用在其他的構成 層之形成之各種條件（例如，所使用的溶劑，溫度等）之 任意的材料而加以形成者。另外，基板10係具有優越之 尺寸安定性爲佳。對於形成基板10時所使用之透明材料 ’係含有玻璃，或聚烯烴，聚甲基丙烯酸甲酯等之丙烯酸 樹脂、聚乙烯對苯二甲酸酯等之聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂 及聚醯亞胺樹脂等之樹脂。使用前述之樹脂情況，基板10 係可爲剛直性，亦可爲可撓性。或者、又，特別是圖1所 -10- 201006304 示之前放射型有機電激發光裝置之情況，亦可將基板10, 使用矽，陶瓷等之不透明材料而加以形成。亦可使用絕緣 性，及具有可保持有機電激發光元件型態之剛性的平坦材 料而加以形成。 另外，基板10係於表面上，亦可更含有複數之開關 元件（TFT等）及配線等。其構成係對於具有複數之獨立 發光部之主動矩陣驅動型有機電激發光裝置之製作爲有效 ❹ 位至於基板1〇與有機電激發光層22之位置的下部電 極21，及位置於與有機電激發光層22之基板10相反側之 上部電極23乃具有對於有機電激發光層22之載體注入及 與外部驅動電路之連接的機能。下部電極21及上部電極 23係亦可各爲陽極（電洞植入電極）或陰極（電子注入電 極）之任一。但，下部電極21及上部電極23之任一方乃 陽極，另一方乃陰極。另外，下部電極21及上部電極23 • 係將任一方爲透明電極者作爲條件，亦可爲反射電極，亦 可爲透明電極。在圖1所示之前放射型構造，下部電極21 乃反射電極爲佳，上部電極23乃透明電極。在圖2所示 之底部放射型構造，上部電極23乃反射電極爲佳，下部 電極21乃透明電極。 作爲下部電極21或上部電極23所使用之反射電極， 係可使用高反射率的金屬（鋁、銀、鉬、鎢、鎳、鉻等） 或此等合金，或非晶形合金（NiP、NiB、CrP或CrB等） 所成者。從對於可視光而言得到8 0 %以上之反射率的觀點 -11 - 201006304 ，特別理想的材料係含有銀合金。可使用之銀合金係含有 銀，和選自10族之鎳或白金，第1族之铷，及第14的鉛 所成的群之至少一種之金屬的合金，或者，選自2A族之 鎂及鈣所成的群之至少一種的金屬之合金。 作爲下部電極21或上部電極23所使用之透明電極係 可使用 Sn02、In2〇3、In-Sn氧化物、In-Zn氧化物、ZnO 、或Zn-Al氧化物等之導電性金屬氧化物而形成。透明電 極係成爲從爲了將來自有機電激發光層22的發光取出於 @ 外部的路徑之情況，在波長400〜800 nm的範圍內作爲 5 0%以上者爲佳，而理想係具有85%以上之透過率爲佳。 下部電極21及上部電極23係可使用電阻加熱方式或 電子束加熱方式之蒸鍍法，或濺鍍法而加以形成。對於蒸 鍍之情況，在1 .〇xl〇_4pa以下的壓力，可以0.1〜10nm/秒 之成膜速度進行成膜者。另一方面，DC磁控管濺鍍法等 之濺鍍法的情況，作爲濺鍍氣體而使用 Ar等之不活性氣 體，可以0.1〜2.0Pa程度之壓力進行成膜者。以濺鍍法形 〇 成上部電極23之情況，爲了防止成爲被成膜基板的表面 之有機電激發光層22之劣化，不直接將形成於標把附近 之電漿照射於有機電激發光層22爲佳。 有機電激發光層22係位置於下部電極21與上部電極 23之間，與各電極接觸。構成發光部之中核的層。有機電 激發光層22係至少含有發光層，因應必要而含有電洞輸 送層、電洞植入層、電子輸送層及/或電子植入層。例如 ，有機電激發光層22係可具有如下記之層構造。 -12- 201006304 (η陽極/發光層/陰極 (2) 陽極/電洞植入層/發光層/陰極 (3) 陽極/發光層/電子植入層/陰極 (4) 陽極/電洞植入層/發光層/電子植入層/陰極 (5) 陽極/電洞輸送層/有發光層/電子植入層/陰極 (6) 陽極/電洞植入層/電洞輸送層/發光層/電子植入 層/陰極 # ( 7 )陽極/電洞植入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送 層/電子植入層/陰極 然而’在上述（1)〜（7)的各構造中，陽極及陰極乃 各爲下部電極21及上部電極23之任一。 發光層係可使用公知的材料而加以形成者。作爲了得 到從藍色至藍綠色之發光的材料，例如，含有苯并噻哩系 化合物、苯并咪唑系化合物，或苯并噁二唑系化合物等之 螢光增白劑；如由三（8-羥基喹啉）鋁錯合體（Alq3 )所 ® 代表之鋁錯合體之金屬螯合化氧正離子化合物；如4,4-雙 (二苯基乙烯基）聯苯（DPVBi)之苯乙烯基苯系化合物 ;芳香族次甲基系化合物；縮合芳香環化合物；環集合化 合物、及卟啉系化合物等。 或者另外’經由添加摻雜劑於主化合物之時，亦可形 成發射各種波長域的光之發光層者。此情況，做爲主化合 物’係可使用聯苯乙烯基次芳基系化合物、n，N，-二甲苯 基-Ν,Ν’-二苯基聯苯胺（TPD)、或Alq3等。另一方面， 作爲摻雜劑，係可使用茈（藍紫色）、香豆素6(藍色） -13- 201006304 、喹吖酮系化合物（藍綠色〜綠色），紅螢烯（黄色）、 4-二氰基亞甲基-2- (p-二甲胺基苯乙烯基）-6•甲基-4H-吡喃（DCM、紅色）、白金八乙基卟啉錯合體（PtOEP、 紅色）等。 電洞輸送層，係可使用具有三芳基胺部分構造、咔唑 部分構造、或噁二唑部分構造之材料而加以形成。電洞輸 送層之最佳材料，係含有TPD、4,4’-雙[N-(l-萘基）-N-苯 胺]聯苯（a -NPD) ’ MTDAPB ( o-，m-，p-) 、m-MTDATA 等 _ 。電洞植入層，可使用包含銅酞花青錯合體（CuPc)等之 酞花青（Pc)類、陰丹士林係化合物等之材料而加以形成 〇 電子注入層，係可使用如Alq3之鋁錯合體，如PBD 或TPOB之噁二唑衍生物、如TAZ之三唑衍生物、三氮雜 苯衍生物，苯基噁類，如BMB-2T之噻吩衍生物等之材料 而加以形成。對於電子植入層，係可使用如Alq3之鋁錯 合體、或摻雜鹸金屬或鹼土類金屬之鋁的羥基喹啉錯合體 © 等之材料而加以形成。 亦可加上於如以上的各構成層，任意選擇性地，於有 機電激發光層22與作爲陰極所使用之下部電極21或上部 電極23之任意之間，任意選擇地形成爲了更提昇載體植 入效率之緩衝層者（未圖示）。緩衝層，係可使用鹼金屬 ，鹼土類金屬或此等合金，或者稀土類金屬或此等氟化物 等之電子植入性材料而加以形成。 更且，對於有機電激發光層22之上表面，爲了緩和 -14- 201006304 上部電極23形成時之損傷，形成由MgAg等所成之損傷 緩和層（未圖示）者亦佳。 構成有機電激發光層22的各層係對於實現所期望的 特性，具有充分的膜厚者爲重要。在本發明中，發光層， 電洞輸送層，電子輸送層及電子注入層乃具有2~50nm的 膜厚，而電洞注入層乃具有2〜200nm之膜厚爲佳。另外， 任意選擇的緩衝層係從驅動電壓降低及透明性提昇之觀點 . ，具有l〇nm以下之膜厚者爲佳。 有機電激發光層22之各構成層，緩衝層及損傷緩和 層係可使用在蒸鎪（電阻加熱蒸鍍或電子束加熱蒸鍍）等 之該技術所知道之任意方法而製作者。 保護層24乃爲了防止從外部環境或含有水份之虞的 層，水份侵入於電極及/或有機電激發光層22的層。保護 層24乃由一個或複數的無機膜所成。構成保護層24之無 機膜之至少一個乃含氫之氮化矽膜（SiN: H)。從複數之 φ 無機膜構成保護層24之情況，加上於SiN : Η，亦可使用 SiOx 膜、SiOxNy 膜、Α10χ 膜、TiOx 膜、TaOx 膜、ΖηΟχ 膜 等。當考慮成膜的容易度時，追加的膜係作爲Si系的膜 爲佳。 保護層24乃如圖1所示，亦可接觸於上部電極23之 上方而加以設置，而亦可如圖2所示，設置於基板10與 下部電極21之間。因應需要，亦可於上部電極23之上方 及基板10與下部電極21之間雙方，設置保護層24。 構成保護層24之無機膜係爲了防止膜剝離，具有小 -15- 201006304 應力者爲佳。在本發明中，即使有收縮性或伸展性之任一 ，無機膜之應力乃具有20MPa以下的絕對値爲佳。應力係 例如，於矽晶圓上形成無機膜，可從無機膜形成前後之矽 晶圓的彎曲變化量而求得。 位置於對於放出來自有機電激發光層的光於外部之路 徑上的情況，保護層24乃具有高的可視光透過率者爲佳 。具體而言，在波長400〜800nm之範圍內具有50%以上， 理想係具有85%以上之透過率者爲佳。加上，保護層24 φ 乃具有優越之防濕性爲佳。本發明者係經由使用對於Si-N 結合而言之N_H結合之伸展模式之尖峰面積比（以下，稱 作N-H/Si-N面積比）乃較0.06爲大，且爲0.1以下者， 且對於Si-N結合而言之Si-H結合之伸展模式之尖峰面積 比（以下，稱作Si-H/Si-N面積比）乃較0.12爲大，且爲 0.17以下之SiN: Η膜之時，發現達成保護層24之優越的 防濕性及高的可視光透過率者。 構成保護層24之SiN : Η膜係可使用化學氣相成長（ ❹ CVD)法而加以形成。特別是施加高頻率電力之電漿CVD 法爲佳。另外，爲了達成前述之N-H/Si-N面積比及Si-H/Si-N面積比，而將高頻率電力之頻率數設定爲25MHz 以上60MHz以下爲佳。更理想爲使用27.12 MHz或此以上 之頻率數的高頻率電力。另外，將高頻率電力之電力密度 作爲0.1〜2W/cm2爲佳。從迴避對於基板10或於基板10 之上方既已形成的層之損傷的觀點，在70°C以下之基板溫 度，進行SiN : Η膜之行成爲佳。 -16- 201006304 在經由電漿CVD法之SiN: Η膜的形成，可將矽甲院 ’氨及不活性氣體的混合物，作爲原料氣體而使用。特別 是使用矽甲烷，氨及氮素之混合氣體爲佳。在此，爲了實 現SiN: Η膜之高的可視光透過率，而將對於矽甲烷而言 之氨的流量比作爲0.5以上者爲佳。另外，爲了實現siN :Η膜之優越的防濕性，而將對於砂甲院而言之氨的流量 比作爲1以下者爲佳。加上，經由將對於矽甲烷而言之氛 φ 的流量比作爲0 · 5以上1以下之時，可將所得到之s iN : Η 膜之應力的絕對値作爲20MPa以下者。前述之流量比係在 滿足N-H/Si-N面積比及Si-H/Si-N面積比的要件上亦爲有 效。 說明在本發明之N-H/Si-N面積比及Si-H/Si-N面積比 的決定法。最初，測定SiN : Η膜之IR光譜。在本發明之 IR光譜係使用伸展模式的吸收。其模式的吸收係強度爲強 ，尖峰分離爲容易之故而爲理想。另外，作爲橫軸而使用 • 波數（單位：cnT1 )的線形軸所表示，未部分擴大等之光 譜。在此，爲了排除背景吸收，測定形成有SiN : Η膜之 被成膜基板，以及未形成有SiN : Η膜之被成膜基板的IR 光譜，得到其差的光譜者爲佳。 所得到之IR光譜係含有經由在膜中的光干擾的吸光 度之變動。爲了排除其吸光度之變動，而使用基線進行補 正。圖3係說明其補正工程的圖，顯示維持測定之IR光 譜100、基線1 10及基線補正後之IR光譜120。對於在本 發明之SiN : Η膜而言之基線乃經由以直線連結在以下所 -17- 201006304 規定之波數之IR光譜100的吸光度而得到。 400 、 612 、 1500 、 1650 、 2030 、 23 3 0、2900、3 200、3 5 5 0、400(01^1) 並且，在各波數，從IR光譜1〇〇減算基線110之吸 光度，得到基線補正後之IR光譜120。 接著，對於基線補正後之IR光譜120而言，進行尖 峰分離。尖峰分離係經由以在式（I)所表示之高斯函數 G n而表現各尖峰之時加以進行。 [數1]

Gn = A„exp(-Bn(x-Cn)2)⑴ 式中，An係各尖峰之吸光度的極大値，Cn係各尖峰 之吸光度成爲極大之波數（單位：cnT1 ) ，X係波數，Bn 係變數。並且，使用最小二乘法，求得關於各尖峰之Bn。 即，各尖峰之高斯函數Gn的和，和基線補正後之IR光譜 120之吸光度的差之二乘和乃作爲呈最小値，分離各尖峰 。於圖4顯示進行圖3之基線補正後之IR光譜120的尖 峰分離之結果。 在本發明中，將對於830〜870CHT1具有極大之尖峰 ，作爲顯示Si-N結合之伸展模式的尖峰，將對於2100〜 2200CHT1具有極大之尖峰，作爲顯示Si-H結合之伸展模 式的尖峰，以及將對於3250〜3400CHT1具有極大之尖峰 ，作爲顯示N-H結合之伸展模式的尖峰。在圖4，對於約 1 200CHT1具有極大之尖峰乃起源於N-H結合之構成，但對 201006304 於本發明之N-H/Si-N面積比的計算係未使用。 最後，將經由尖峰分離所得到之各尖峰的高斯函數 Gn作爲積分，求取N-H結合、Si-H結合及Si-N結合的伸 展模式之尖峰面積，經由此而決定N-H/Si-N面積比及si_ H/Si-N面積比。 密封基板30，係可使用玻璃；SUS、A1等之金屬；或 聚烯烴，聚甲基丙烯酸甲酯等之丙烯酸樹脂、聚乙烯對苯 φ 二甲酸酯等之聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂或如聚醯亞胺樹脂 等之樹脂而加以形成。使用樹脂情況’密封基板3 0係可 爲剛直性，亦可爲可撓性。然而，在如圖1所示之前放射 型構造，密封基板30係因接觸於放出來自有機電激發光 層22的發光於外部的路徑，故使用玻璃或樹脂等之透明 的材料而形成密封基板30者爲佳。 色變換濾光層40乃爲了調整來自有機電激發光層22 的發光之色調的層。在本發明之「色變換濾光層」係彩色 Φ 濾光片層，色變換層，及色濾光片層與色變換層之層積體 的總稱。色變換濾光層40乃如圖1所示，亦可設置於密 封基板30之內側，而亦可如圖2所示，設置於基板10與 下部電極21之間。色變換瀘光層40係爲了保護含於此之 色素而完全地進行乾燥者爲困難，有著含有水份之虞。隨 之，如圖1所示，於密封基版的內側設置色變換濾光層40 之情況，於上部電極23之上面設置保護層24者爲佳。同 樣地，如圖2所示，於基板1〇與下部電極21之間設置色 變換濾光層40之情況，於色變換濾光層40與下部電極21 -19- 201006304 之間設置保護層24者爲佳。 彩色濾光片層乃使所期望的波長域的光透過的層。彩 色濾光片層乃具有使來自有機電激發光層22或色變換層 的光之色純度提昇的機能。彩色濾光片層，係可使用平板 顯示器用之彩色瀘光片材料（例如，FUJIFILM Electronic Materials Co·, Ltd公司製之彩色鑲崁等）而加以形成。對 於彩色濾光片層之形成，係可使用旋塗法，滾塗法，鑄造 法，浸泡式塗佈等之塗布法者。另外，將經由塗布法所形 參 成的膜，經由光爲影法等而加以圖案化，形成具有所期望 圖案之彩色濾光片層亦可。 色變換層係吸收特定之波長域的光，進行波長分布變 換，釋放不同波長域的光的層。光變換層係至少包含螢光 色素，因應需要而亦可含有矩陣樹脂。螢光色素係吸收來 自有機電激發光層22的光，放射所期望的波長域（例如 ，紅色範圍，綠色範圍或藍色範圍）的光。 吸收從藍色乃至青綠色範圍的光，發射紅色範圍的螢 © 光之螢光色素，係例如含有若丹明B、若丹明6G、若丹明 3 B、若丹明1 0 1、若丹明1 1 〇、磺酸基若丹明、鹼性品紅 1 1、鹼性紅2等之若丹明系色素；酞菁系色素；1-乙基-2-[4-(p-二甲基氨基苯基）-1,3-丁二烯]-高氯酸吡啶（吡啶 1 )等之吡啶系色素；及噁嗪系色素。或另外’亦可使用具 有如前述之螢光性的各種染料（直接染料’酸性染料’鹼 性染料，分散染料等）。 吸收藍色乃至青綠色範圍的光，放射綠色範圍的螢光 -20- 201006304 之螢光色素，係例如含有3-(2 -苯并噻唑）-7 -二甲基氨基香 豆素（香豆素6)、3-(2斐-苯并咪唑）-7-二甲基氨基香豆素（ 香豆素7)、3-(2-N-苯并咪唑）-7·二甲基氨基香豆素（香豆 素 30)、2,3,5,6-111，411-四氫-8-三氟甲基喹嗪（9,93,1111)香 _a素（香丑素153)等之香豆素系色素；溶劑黃11、溶劑 黃116等之鄰苯二甲醯亞胺系色素；以及鹼性黃51等之 香豆素系染料。或另外，亦可使用具有如前述之螢光性的 φ 各種染料（直接染料，酸性染料，鹼性染料，分散染料等 )° 作爲色變換層之矩陣樹脂，係可使用丙烯酸樹脂、各 種矽聚合物，或可取代此等之構成之任意材料。例如，作 爲矩陣樹脂係可使用直接型矽聚合物，及變性樹脂型矽聚 合物。 色變換層係可使用旋塗法，滾塗法，鑄造法，浸泡式 塗佈等之塗布法，或蒸鍍法而加以形成者。對於使用複數 # 種之螢光色素而行成色變換層之情況，亦可混合特定比例 之複數種之螢光色素’及矩陣樹脂而形成預備混合物，使 用該預備混合物而進行蒸鍍者。或另外，使用共蒸鍍法， 形成色變換層亦可。共蒸鍍法，係將複數種之各螢光色素 配置於個別的加熱部位，並將此等個別進行加熱而進行加 熱而實施。亦可因應需要，將螢光色素與矩陣樹脂之混合 物配置於加熱部位’作爲蒸鍍源而加以使用。特別是在複 數種之螢光色素之特性（蒸鍍速度及/或蒸氣壓等）有大 差異之情況，使用共蒸鍍法者爲有利。 -21 - 201006304 使用含有色變換層之色變換濾光層40的情況’爲了 防止色變換層之特性劣化，而亦可呈被覆色變換濾光層40 全體地形成護層（未圖示）。護層係可使用絕緣性氧化物 (SiOx、Ti02、Zr02、A10x 等）、絕緣性氮化物〈A1NX、

SiNx等〉而加以形成者。護層係可使用如電漿CVD法之 方法而加以形成。從色變換層的劣化防止之觀點，對於在 護層形成時，將色變換濾光層40作爲最上層之被成膜基 板的溫度作爲100°c以下者爲佳。 〇 如圖2所示，於基板10與下部電極21之間設置色變 換濾光層40之情況，呈被覆色變換濾光層40地形成平坦 化層60者爲佳。平坦化層60係將爲了形成有機電激發光 元件20的面作爲平坦，在防止有機電激發光元件中的斷 線及短路等之故障發生而爲有效。平坦化層60係可使用 光硬化性樹脂、光熱倂用硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱 可塑性樹脂等而加以形成者。平坦化層60係可使用旋塗 法，滾塗法，鑄造法，浸泡式塗佈等之塗布法而加以形成 © 者。 黏著層50係爲了貼合基板10與密封基板30所使用 的層。黏著層50係例如可使用UV硬化型黏著劑、UV熱 併用硬化型黏著劑等而加以形成者。爲了降低對於有機電 激發光層22之熱的影響，使用UV熱倂用硬化型黏著劑 者爲佳。可使用之UV熱倂用硬化型黏著劑係含有環氧樹 脂系黏著劑等。在此’前述黏著劑係亦可含有爲了劃定基 板1 0與密封基板3 0之距離的間隔粒子。可使用之間隔粒 -22- 201006304 子係含有琉璃珠等。於基板10或密封基板30任一之表面 的特定位置塗布黏著劑，貼合基板10及密封基板30，並 且經由使黏著劑硬化之時，可形成黏著層50。黏著層50 係例如設置於未存在基板10及密封基板30的周緣部等之 有機電激發光元件20之發光部的位置爲佳。 於圖1及圖2係顯示具備單一發光部之有機電激發光 裝置的例。但，本發明之有機電激發光裝置，亦可具備獨 φ 立加以控制之複數之發光部。例如，亦可將下部電極及上 部電極之雙方作爲由複數之條紋狀電極所成之電極群，使 構成下部電極之條紋狀電極的延伸存在方向與構成上部電 極之條紋狀電極的延伸存在方向垂直交叉，形成所謂被動 矩陣驅動之有機電激發光裝置。在此，在顯示任意畫像及 /或文字的顯示器用途，使構成下部電極之條紋狀電極的 延伸存在方向與構成上部電極之條紋狀電極的延伸存在方 向垂直交叉者爲佳。或另外，將下部電極分割成複數之部 Φ 分電極，將複數之各部分電極，與形成於基板上之開關元 件1對1地連接，而將上部電極作爲一體型之共通電極， 形成所謂主動矩陣驅動之有機電激發光裝置。 然而，在被動矩陣驅動型裝置及主動矩陣驅動型裝置 之任一情況，亦於構成下部電極之複數之部分電極之間設 置絕緣膜爲佳。絕緣膜係可使用絕緣性氧化物（SiOx、 Ti02、Zr〇2、A10x 等）、絕緣性氮化物〈A1NX、SiNx 等 > ，或高分子材料等而加以形成者。 更且，在具有獨立加以控制之複數發光部之構成，使 -23- 201006304 用複數種之色變換濾光層，可形成可多色顯示之有機電激 發光裝置者。例如，使用紅色，綠色及藍色的色變換濾光 層，構成紅色，綠色及藍色的副畫素，經由將3色之副畫 素作爲1組的畫素，配列成矩陣狀之時，可形成可全彩顯 示之有機電激發光裝置者。 [實施例] 〈製造例1 > . 在本製造例，經由對於矽甲烷（SiH4 )、氨（NH3 ) 及氮素的混合氣體而言，施加高頻率電力之時，形成SiN :Η膜，評估其特性。在本製造例，將矽甲烷的流量作爲 lOOsccm，而將氮素的流量作爲2000sccm，在20~110sccm 之範圍使氨的流量變化。此時，將混合氣體的壓力作爲 lOOPa。另外，使用頻率數 27.12MHz 及電力密度 0.5W/cm1之高頻率電力，於500°C之被成膜基板上，形成 SiN : Η膜。 ❹ (1) Si、Ν及Η的含有量 作爲被成膜基板，使用0.5mm之Si晶圓，形成膜厚 Ιμηι之SiN : Η膜。將所得到之SiN : Η膜，倂用彈性反 彈粒子檢測法及拉賽福後方散亂法進行分析，決定SiN: Η膜中的Si、N及Η的含有量。將結果示於表1。 -24- 1 N-H/Si-N面積比及Si-H/Si-N面積比 201006304 作爲被成膜基板，使用〇.5mm之Si晶圓，形成膜厚 Ιμηι之SiN : Η膜。將所得到之SiN : Η膜之IR光譜，使 用透過型傅立葉變換紅外線分光測定器而加以測定。爲了 除去因Si晶圓引起之背景吸收，將同一組群之Si晶圓， 作爲基準而使用，測定SiN : Η膜/Si晶圓積層體與Si晶 圓的差光譜。接著，如前述進行基線的決定，基線補正， 及尖峰分離，求取N-H結合、Si-H結合及Si-N結合的伸 φ 展模式之尖峰面積，決定N-H/Si-N面積比及Si-H/Si-N面 積比。將結果示於表1。 (3 )防濕性 呈包覆膜厚l〇〇nm之鈣膜地，形成膜厚3μιη之SiN: Η膜。將所得到的樣品，歷經1 000小時放置於95 °C、 50%RH之恆溫槽中，測定鈣膜之變質面積，評估SiN : Η 膜之防濕性。 # 鈣膜係當初爲不透明。但，主要環境中的水份與鈣產 生反應時，生成氫氧化鈣，反應部分的膜乃成爲透明。在 本製造例，進行500μιηχ 500μιη之範圍的照相攝影’對於 所攝之相片而言，進行「透明」及「不透明」之2値化， 評估透過SiN : Η膜而到達至鈣膜之水份量。攝影範圍係 作爲膜厚不均最少之樣品中央部。將未透明化之非變質部 的面積之百分比，作爲SiN : Η膜之防濕性的指標。將結 果示於表1。 -25- 201006304 (4 )可視光透過性 對於在（2)所製作之Si晶圓上的膜厚Ιμιη之SiN : Η膜，使用橢圓偏光量測器，求得在波長4 5 Onm的膜之光 減係數，作爲可視光透過性的指標。原因係在大氣中的透 過率測定，經由與大氣之折射率差及膜厚的干擾影響爲大 之故。將在波長45 Onm的膜之光減係數作爲4.〇χ1(Γ4以下 爲佳。由此，在可視光的透過率乃大槪成爲95 %以上之故 。將結果示於表1。 Ο (5)膜應力 作爲被成膜基板，使用直徑4英吋（約10.2cm )之 Si晶圓。於成膜前，測定Si晶圓的彎曲。接著，形成膜 厚3 μπι之SiN : Η膜，測定成膜後之Si晶圓的彎曲。從 成膜前後的Si晶圓之彎曲的變化量，算出SiN : Η膜的膜 應力。將結果示於表1。 -26- 201006304 [表1] 表1 : NH3/SiH4流量比的效果 樣品 編號 νη3流量 (seem) 糸 诚(at%) Si-H/Si-N 面積比 N-H/Si-N 面積比 非變質部 面積比(〇/❶) 光減係數 (xlO·4) 膜應力 (MPa) Si N Η 1 20 62.6 15.0 22.4 0.05 0.03 80 75 5 2 30 51.1 21.4 27.5 0.07 0.05 85 22 6 3 40 41.6 31.1 27.3 0.11 0.06 90 6.3 6 4 50 35.8 36.4 27.8 0.13 0.07 90 3.6 6 5 60 34.4 36.9 28.7 0.14 0.08 92 2.1 7 6 70 33.0 37.4 29.6 0.15 0.08 96 2 7 7 80 32.4 37.7 30.0 0.163 0.091 95 2 11 8 90 31.5 37.6 31.0 0.16 0.09 93 2 15 9 100 30.3 38.0 31.7 0.16 0.1 90 2 17 10 110 28.9 38.6 32.5 0.15 0.12 75 2 25

SiH4流量：lOOsccm、高頻率電力頻率數：27.12MHz 從表1，了解到伴隨對於SiH4而言之NH3的流量比下 降，一般N-H/Si-N面積比及Si-H/Si-N面積比則減少。特 別是，當對於SiH4而言之NH3的流量比成爲0.4以下時 ，Si-H/Si-N面積比乃成爲0.11以下，且N-H/Si-N面積比 乃成爲0.06以下。同時，了解到膜的光減係數則增加， 可視光的吸收則變爲顯著。在對於SiH4而言之NH3的流 量比成爲0.4以下之範圍中，想定得到混入存在有Si-N結 合、Si-H結合及Si-Si結合的狀態之SiN ·· Η膜。如此， 具有顯著之可視光吸收的SiN : Η膜係作爲前放射型有機 電激發光裝置之保護層而使用者爲困難。然而，隨著對於

SiH4而言之ΝΗ3的流量比增加，光減係數則減少，在0.7 以上之流量比，顯示最小値。 -27- 201006304 另一方面，對於防濕性，係顯示nh3流量乃 50〜lOOsccm之範圍，即對於SiH4而言之NH3的流量比乃 0.5〜1.0之範圍的樣品，則具有9 0〜9 6 %之非變質部面積比 ，SiN : Η膜乃具有良好的防濕性。此係認爲因在此範圍 之SiN: Η膜中的氮素含有量接近於化學計量比之故。當 更增加ΝΗ3流量而作爲llOsccm時，N-H/Si-N面積比乃 大增，在防濕性試驗之非變質部面積比則減少，SiN : Η 膜之防濕性則下降。此係對於取入於膜中之氮素的量增加 Q ，過剩地形成SiN: Η膜中之Ν-Η結合，而N-H/Si-N面 積比乃超過0.1之情況，反而顯示SiN : Η膜之透濕性增 大。 另外，了解到隨著對於SiH4而言之ΝΗ3的流量比增 大，SiN : Η膜的應力則增加。經由將對於SiH4而言之 NH3的流量比作爲1.0以下之時，確認到可將膜應力的絕 對値作爲20Mpa以下，未有膜剝離之虞。然而，本發明者 係確認到將 NH3流量作爲 15〇Sccm時，形成具有約 @ lOOMpa之應力的SiN: Η膜。當製作將其膜，作爲被覆基 板/下部電極/有機電激發光層/上部電極之保護膜而使用之 有機電激發光裝置時，從點燈初期，觀察非點燈部。此係 認爲因在膜剝離之產生部分，於點燈前，經由大氣中的水 份而有機電激發光產生劣化之故。 <製造例2 > 在本製造力中，除將氨的流量固定爲80 seem，及將 -28- 201006304 施加的高頻率電力之頻率數，變更40·68ΜΗζ或13.56MHz 者之外，經由與製造例1相同的步驟，於被成膜基板上， 形成SiN ·· Η膜。關於所得到之SiN : Η膜，進行與製造 例1同樣的評估。將結果示於表2。 [表2] 表2 :高頻率電力頻率數的效果 樣品 編號 頻率數 (MHz) 含有量(at%) Si-H/Si-N 面積比 N-H/Si-N 面積比 非變質部 面積比(％) 光減係數 (χΙΟ-4) 膜應力 (MPa) Si N Η 7 27.12 32.4 37.7 30.0 0.163 0.091 95 2 11 11 40.68 31.7 37.5 29.9 0.158 0.086 96 1.8 16 12 13.56 27.4 39.3 33.3 0.193 0.125 25 2.1 8

SiH4 流量：lOOsccm' ΝΗ3 流量：80sccm 從表2，了解到使用40.68MHz之高頻率電力而製作 之樣品1 1係與使用27.12MHz之高頻率電力而製作之樣品 7同樣地，顯示優越之特性。另一方面，觀察到在使用 13.5 6 MHz之高頻率電力而製作之樣品12，膜中的氮素及 氫含有量增大之同時’ si_H/Si-N面積比及N-H/Si-N面積 比則同時增大之現象。此係認爲因在反應室內未充分分解 SiH4及NH3者引起。經由此膜質的變化，樣品12之非變 質不面積比則顯著下降。即’ 了解到SiN : Η膜之防濕性 顯著下降者。 從此結果，了解到S iN : Η膜的膜質係並非單經由膜 中之氮素含有量所決定’而經由 Si-H/Si-N面積比及Ν-H/Si-N面積比而顯著變化者。 <實施例1 > -29- 201006304 在本實施例，製作畫素數2x2、畫素寬度〇.3mmx 0.3 mm之紅色發光有機電激發光裝置。 作爲基板而準備融合玻璃（corning製1737玻璃、 50x 50x 1.1 mm)。使用濺鍍法，於基板上，堆積膜厚 lOOnm之Ag膜。將所得到之Ag膜，經由光微影法而加以 圖案化，形成寬度〇.3mm之2個條紋狀電極所成之下部電 極。 接著，將形成下部電極之基板，設置於電阻加熱蒸鍍 n 裝置內。經由使用光罩的蒸鍍法，於下.部電極21之上方 ，形成膜厚1.5nm的Li所成之緩衝層。接著，使用蒸鍍 法，形成電子輸送層/發光層/電洞輸送層/電洞植入層之4 層所成之有機電激發光層。電子輸送層乃膜厚20nm之 Alq3、發光層乃膜厚30nm之DPVBi、電洞輸送層乃膜厚 10nm之α-NPD、電洞植入層乃膜厚lOOnm之CuPc。對於 在有機電激發光層之成膜時，將裝置之真空槽的內壓作爲 lxl(T4Pa，以O.lnm/s之成膜速度形成各層。接著，使用 @ 蒸鍍法，形成膜厚5 nm之MgAg膜，形成損傷緩和層。 接著，使形成損傷緩和層之層積體，未破壞真空而移 動至對向濺鍍裝置。經由使用金屬光罩之濺鍍法，堆積膜 厚lOOnm之IZO膜，形成透明之上部電極。上部電極係 由延伸於與下部電極之條紋狀電極垂直交叉的方向，具有 0.3mm寬度之2個條紋狀電極所構成。 接著，使形成上部電極之層積體移動至電槳CVD裝 置，利用製造例1之樣品6的條件，使S i N : Η膜堆積， -30- 201006304 形成保護膜。即，將矽甲烷，氨及氮素之混合氣體作爲原 料而使用，施加周波數27.12MHz及電力密度0.5W/cm2之 高頻率電力，形成SiN:H膜。此時，矽甲烷，氨及氮素 之流量乃各作爲 lOOsccm、70sccm、2000sccm。另外，將 成膜時之裝置內壓力作爲lOOPa，將載持被成膜基板之載 置台溫度作爲50°C。經由以上的工程，於基板上形成下部 電極/有機電激發光層/上部電極/保護層所成之有機電激發 Φ 光元件。使所得到之有機電激發光元件，移動至將內部環 境調整成氧濃度5ppm以下及水分濃度5ppm以下之貼合 裝置內。 另外，作爲密封基板而準備融合玻璃（corning製 1 73 7玻璃、5〇χ5〇χ1.1mm)。於透明基板上，塗布紅色濾 光材料（CR700 1 FUJIFILM Electronic Materials Co., Ltd 公司製），進行圖案化，於相當於有機電激發光元件20 之畫素的位置，形成具有〇.5mmx0.5mm尺寸之4個部分 # 所成之紅色彩色濾光層。紅色彩色濾光層係具有1.5μηι之 膜厚。 接著，將形成下紅色彩色濾光層之密封基板，設置於 電阻加熱蒸鍍裝置。使用蒸鍍法，於紅色彩色濾光層上， 含有香豆素6及DCM-2，使具有30nm膜厚之紅色變換層 堆積。將各香豆素6及DCM-2，在個別的坩鍋內進行加熱 ，將香豆素6作爲〇.3nm/s，而將DCM-R的蒸鏟速度作爲 0.00 5nm/s。紅色變換層中的香豆素6: DCM-2的莫耳比乃 49 : 1。經由以上工程，形成具有紅色變換彩色濾光層之 -31 - 201006304 密封基板。將所得到的密封基板移動至前述之貼合裝置內 0 接著，在貼合裝置內，於形成密封基板之紅色變換彩 色濾光層的表面之外周部，滴下環氧系UV硬化型黏著劑 。紅色變換彩色濾光層及有機電激發光元件作爲對向，且 紅色變換彩色濾光層的位置乃呈對應於有機電激發光元件 之畫素地，使形成有機電激發光元件之基板及形成紅色彩 色濾光層之密封基板暫時黏接。接著，將貼合裝置內減壓 至約1 〇MPa，貼合基板與密封基板。在貼合結束後，將貼 合裝置內的壓力上升至大氣壓。 接著，使用光罩，只對於密封基板外周部的UV硬化 型黏著劑照射紫外線，使黏著劑暫時硬化。接著，將貼合 體，在加熱爐內持續1小時加熱爲8 0 °C，使黏著劑硬化， 形成黏著層而得到有機電激發光裝置。加熱結束後，在加 熱爐內花上30分鐘，使有機電激發光裝置自然冷卻，從 加熱爐取出。 <比較例1 > 將作爲保護層而使用之SiN: Η膜的形成，除了與製 造例1之樣品3同樣地進行者，重複實施例1之步驟而得 到有機電激發光裝置。即，將SiN: Η膜形成時之氨的流 量變更爲4〇Sccm，進行有機電激發光裝置之形成。 將在實施例1及比較例1所得到之有機電激發光裝置 ’配置於顯示於60°C、90%RH之環境，流動電流密度 201006304 O.lA/cm2之電流’持續1 000小時進行連續驅動’測定此 時之電壓及亮度。將亮度’以電流値加以除算’求取發光 效率。將實施例1之有機電激發光裝置的發光效率作爲1 ，求取實施例1及比較例1之有機電激發光裝置之初期發 光效率及1000小時連續驅動後之發光效率。將結果示於 表3。 [表3] 表3:有機電激發光裝置的長期安定性 發光效率 初期 1 0 0 0小時連續驅動後 實施例1 1 0.8 比較例1 0.9 0.3

從表3 了解到，比較例1之裝置係在初期’係對於實 施例1之裝置顯示稍微不佳之發光效率。此係認爲作爲比 較例1之裝置的保護層而使用之SiN: Η膜的光減係數乃 因在實施例1所使用的膜之光減係數約3倍引起。作爲其 結果，認爲在保護層吸收發射在有機電激發光層的光之一 部分，發光效率則降低。 另外，比較例1之裝置係與實施例1做比較，了解到 1 000小時連續驅動後之發光效率乃顯著下降。在比較例1 之裝置，認爲經由通過作爲保護層而使用之SiN: Η膜之 水份的侵入，發光效率的降低則持續進行。 【圖式簡單說明】 -33- 201006304 [圖1]乃顯示有本發明之有機電激發光裝置之〜個例 的剖面圖。 [圖2]乃顯示有本發明之有機電激發光裝置之其他例 的剖面圖。 [圖3]圖3乃顯示爲了決定氮化矽膜中之Si-N結合、 Si-H結合及N-H結合的比之IR光譜圖。 [圖4]圖4乃顯示爲了決定氮化砂膜中之Si-N結合、 Si-H結合及N-H結合的比，而實施尖峰分離之IR光譜圖 【主要元件符號說明】 10 :基板 20:有機電激發光元件 21 :下部電極 22:有機電激發光層 23 :上部電極 · 24 :保護層 3 〇 :密封基板 40 :色換濾光層 5〇 :黏著層 60 :平坦化層 100 :保持測定之IR光譜 110 :基線 120:基線補正後之IR光譜 -34-

Claims (1)

1. 201006304 七、申請專利範圍： 1· 一種有機電激發光裝置，包含基板、和形成於前 述基板上之有機電激發光元件，其特徵乃 前述有機電激發光元件乃由下部電極、有機電激發光 層、上部電極及保護層所成， 前述保護層乃由一個或複數之無機膜所成， 前述一個或複數之無機膜的至少一個乃包含氫之氮化 φ 砍膜， 經由紅外吸收光譜測定所求得之含前述氫之氮化矽膜 中之對於Si-N結合而言之N-H結合之伸展模式之尖峰面 積比乃較0.06爲大，且爲0.1以下者，且對於Si-N結合 而言之Si-H結合之伸展模式之尖峰面積比乃較0.12爲大 ，且爲0.17以下者。 2.如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置，其 中，前述保護層乃位於前述基板與前述下部電極間。 φ 3.如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置，其 中，前述保護層乃位於前述上部電極之上面。 4. 如申請專利範圍第1項至第3項之任一項之有機 電激發光裝置，其中，前述一個或複數之無機膜之各別應 力乃具有較20MPa爲小之絕對値。 5. 如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置，其 中，前述N-H結合、Si-H結合及Si-N結合之伸展模式之 尖峰面積乃經由： (a)測定波數爲橫軸之氮化矽膜之紅外吸收光譜的 -35- 201006304 工程， (b) 進行從所得之紅外吸收光譜減算基線之補正的 工程， (c) 將前述N-H結合、Si-H結合及Si-N結合之吸收 ，使用高斯函數，分離尖峰的工程， (d) 求得分離之尖峰之面積的工程；而求得， 前述N-H結合之伸展模式之尖峰面積乃由存在於 3 250〜3400CHT1之尖峰求得，前述Si-H結合之伸展模式 參 之尖峰面積乃由存在於2100〜2200^^1之尖峰求得，前 述 Si-N結合之伸展模式之尖峰面積乃由存在於83 0〜 870cm’1之尖峰求得。 6. —種有機電激發光裝置之製造方法，其特徵乃包 含：（1)準備基板之工程， 和（2)形成由下部電極、有機電激發光層、上部電 極及保護層所成有機電激發光元件之工程中，前述保護層 乃由一個或複數之無機膜所成，前述一個或複數之無機膜 〇 之至少一個乃含氫之氮化矽膜，經由紅外吸收光譜測定所 求得之含前述氫之氮化矽膜中之對於Si-N結合而言之N-H結合之伸展模式之尖峰面積比乃較0.06爲大，且爲0.1 以下，且對於Si-N結合而言之Si-H結合之伸展模式之尖 峰面積比乃較〇·12爲大，且爲0.17以下的工程； 於工程（2)中，含前述氫之氮化矽膜乃經由對於含 單矽烷、氨及氮的混合氣體，施加25MHz以上60MHz以 下之高頻電力的化學氣相成長法所形成，在此，對於單矽 -36- 201006304 烷而言之氨的流量比乃〇 · 5以上1以下者。 參

   -37-