TW201005932A - Solid-state imageing device with vertical cate electrode and method of manufacturing the same - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 33
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 22
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 16
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 15
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 claims 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 241000282326 Felis catus Species 0.000 description 1
- AJXBBNUQVRZRCZ-UHFFFAOYSA-N azanylidyneyttrium Chemical compound [Y]#N AJXBBNUQVRZRCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
- H01L27/14614—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor having a special gate structure
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
201005932 31744pif.doc 六、發明說明： 本申請案是基於且主張2008年7月31曰申請之先前 的曰本專利申請案第2008-198274號的優先權的權益，該 申請案之全文以引用的方式併入本文。 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種固態攝影裝置及其製造方法，尤 其是有關於具有垂直型傳輸閘極（verticaltransfergate)的 攝影裝置及其製造方法。 【先前技術】 迎年來 ，關於應用於數位靜態相機（digital still Camem )或附相機的行動電話方面，小型相機模組（camera module)的市場受到關注。伴隨著相機模組的小型化，電 荷耦合元件（Charge Couple Device，CCD)、互補金屬氧 化物半導體（Complementary Metal Oxide Semieonductor，
么〇S)、衫像感測器（image sensor)等的攝影元件逐年微 、、、 …、:而，感測态性能的提高與微細化相反，因此預測 =細化將逐漸變得困難。性能與微細化相反的明顯的例 艮疋，電二極體（ph〇t〇di〇de)的平面的面積的減少。亦 ^ ’猎由光電二極體的平面的_的減少賴可達成微細 =儲存於光電二極體巾的電荷量會減少。儲存於光電 二中的電荷量是決定感測器性能的重要的要素之一， 光電二極體中的電荷量的減少將使感測器性能降 粬了擴大光電二極體的面積，—個像素内的光電二極 租的零件、例如傳輸閘極電極的微細化成為關鍵。 201005932 31744pii:doc 先月il具有水平型（horizontal)傳輪 攝影元件中，於半導體 =開極電極的固態 輸閘極電極。；二、二/ : n、、邑緣臈而形成著傳 蔽㈣d)層=板卜形成著電荷儲存區域、遮 ’增電何傳輸目的地擴散芦。n, =入射的光於電荷儲存區域經光電“而射路徑 2由接，傳輸閑極電極，儲存於電荷 電荷傳輸通目的地擴散層。 马了確保充分的調變度（小 必需有充分的閘極長度， （〇dulat職岭ee)， 題。又，由於為水平型傳卜件的微細化困難的問 必需形成於傳輸二 則存在難以將平面的像素=何:存區域相反的-側， 期望像素面積可微細化Ϊ且可確題。因此’業者 影裝置及其製造方法。了確保充分的調變度的固態攝 再者’作為關聯技術，開取 了使光電轉換部中的光的種固'錄影裝置，為 穿基板的方式來弗忐羊棱向，而以閘極電極貫 號公報）。 ’ 1,照日本專利特開2007-96271 【發明内容】 本發明的第-態樣的固態攝 板，埋入至上述半導，其 罝匕祜.半V體基 域；形成於上述半導體導電型的電荷儲存區 基板的表面的第1導電型的擴散 201005932 3] 744pif.doc 層；以及形成於上述電荷f 本發明的第2態樣子 極電極。 括.於矣而且右坌1谨 心攝办衣置的製造方法，包 :第=型的半導體層的半導體基板的上 江弟料導體層内形成第 上述第1導電型的半導體層内的 =扣域，於 内形成溝样（trenrh V认 ^電1的井區域 利用閘極電極材料來填埋上 、·、巴緣膜， ❹ Φ 導電;的井區域表面形成第〗導=擴 與本發明之上述特徵和優點能更明顯驗，下文特 舉只知例’亚配合所附圖式作詳細說明如下。 寺 【實施方式】 =了:J照ί式來對本發明的實施形態進行說明。 態攝影有垂直型傳輪開極的固 件。例如，於ρ型的半導體基板11上， y :如n型的磊晶層而構成的電荷儲存 12。 於該電荷健左7 a 10 L… 1 了傾存£域 ια於…7储存&域12上’形成著例如P型的并Μ 13。 於電雜存區域12、及ρ &的井£域 達半導體基板U的例如Ρ型的擴散二1 =成著到 Μ構成將像素間分離的像素分離^層14 〇型擴散層 例二及ρ型擴散層14上，形成著 存區域12内形成著溝槽13及電荷儲 *7底部周圍形成著例如Ν型的擴散層（第槽 201005932 3J744pif.doc 於溝槽17的翻、N型擴散層]8内形成著例如p型的遮 蔽層19。 而且，於溝槽17的内壁形成著閘極絕緣膜20，經由 该閘極絕緣膜20而將傳輪閘極電極21埋入至溝槽口中。 於P型井區域13的表面區域、溝槽17的翻形成著藉由 例如N型的擴散層（第】擴散層）而構成的電荷傳輸目的 地擴散層22。此外’於電荷館存區域12的表面上 型遮蔽層23。藉由形成於溝槽” =傳輸目的地擴散層22、開極絕緣膜2Q及傳^曰^ ^卜而形成N通道金屬氧化物半導體㈤
Semiconductor ’ MOS)雷日 _ 形成於構絲純件的，傳_極電極2〗 邊部偏離的位置。^^域12❸自中央部向周 於上述構成中，通過箭頭 的光於電荷儲存區域12中進 射路！而入射 號。於該狀能ΊΓ ** 光电轉換’彳< 而成為電性作 ㈣，則於p型：區二 =極電極21為高位準(high 輸目的地擴散層22之間形成内的^型擴㈣18與電荷傳 存區域u +的電荷通過ϋ輪通道。儲存於電荷儲 所示被讀出至電荷傳輪二專輪通道，如圖示箭頭Β 對於基板表一錢物成層22。電荷傳輪通道相 輸。 此邊構造被稱為垂直型傳 其次，參照圖2至圖6 . 裝置的製造妓（⑽像^丨實卿態，態攝影 像4_製造過程）¾亍說明。 201005932 31744pif.doc 如圖2所不5例如，於p刑f石々、士 瓦r j (矽）+導體基板11上 Λ〇]5 ί，η日:層該蟲晶層12_N型雜f濃度例如為 ^石〜日ΐ /藉由離子注人法而將P型的雜質導入 • 至該猫日日層12的一部分，形成p型的井區域。 . 摻雜量例如為IxlO12〜lxI〇14cm-2。 — " 由-ft圖3所示，為了將攝影元件間分離，例如藉 由同加速離子注入法以到達半導體基板u的 ❿的雜貝導入。藉此，形成擴散層14。該擴散声14的雜質 的摻雜量例如為lxl0】]〜]x〗〇13cm-2。萨^ j雜質 中"fc/vM丄私， 擴散層14並不限 疋；藉由離子>主入法來形成，亦可由 層來形成。 两里入一種P型擴散 於該整個表面形成例如氧化石夕膜15, 戰脑。_y)技術及反應使用通常的 Etching，RIE)技術來形成如下 d (Reacts I〇n 氮化石夕膜16、氧化石夕膜15、P型丼^7 ’該溝槽17貫穿 參 磊晶層12。 斤^域丨3’而到達 其次，如圖5所示，於電荷儲存 17的周圍形成N型擴散層18，存=U内’於溝槽 槽17的周圍形成P型遮蔽層19c>N ^散層18内，於溝 度設定得比電荷儲存區域12的 $散層18的雜質濃 存區域12 _質濃度設定為，下述即，電荷儲 其他部分高。 寻掏閘極電極的附近比 Ν型擴散層18藉由如下步驟而 小成.例如，垂直地將 201005932 31744pif.doc N型雜質離子、、 注入的離子至溝槽17内’之後’藉由熱處理而使已 1Q 子於電荷儲存區域12内擴散。另外，p 19亦可藉由如^丨r 土心蚊層 子注入至伽 形成：例如’垂直地將P型雜質離 於電荷储存散藉由熱處理而使該已注入的離子 作為另一製造方法，上述N型擴散 ^驟而形成：於溝槽17的底部，堆積包含例如N型雜質 = =UiCateglaSS)，之後:藉由熱 ==另外，p型遮蔽層19亦可藉由如下步驟而开;^ w «的底部，堆積包含例如P型雜質的矽酸鹽玻璃， ，由熱處理而使該P型雜f自溝槽17的底部及侧壁向電 荷儲存區域12内達成_擴散。N型擴散層18的雜質濃 度例如為lxlG16〜lxlW，p型遮蔽層丨 例如為1χ1〇]8〜lxl0]9cm-3。 貝辰又 其次，如圖6所示，於溝槽丨7的内壁形成閘極絕緣膜 2〇 ’堆積聚石夕層21a而填埋該溝槽17。之後，將氮化石夕膜 16作為擋止層（stopper)，並藉由例如化學機械研磨 (Chemical Mechanical P〇iishing，CMp)而將聚矽層 21a 平坦化，從而形成傳輸閘極電極21。 其次，將氮化矽膜16除去之後，將例如N型雜質導 入至溝槽17周圍的P井區域13内，如圖丨所示，形成電 荷傳輸目的地擴散層22。N型雜質的摻雜量例如為1χ1〇]5 〜lxl016cm·2。此外，於電荷儲存區域12的表面上形成1χ 201005932 31744pif.doc ίο18〜lx]019cm_3左右的Ρ型遮蔽層a。 根據上逑第1實施形態，於電 三 輸目的地擴散層22之間設置著垂.啫存區域12與電荷傳 因此，可將電荷傳輪目的地擴散 1 傳輸閘極電極21。 12的上方。纽，可減少像素=置於電荷儲存區域 細化。 τ甸面積，且可使像素微 另外，於電荷儲存區域12蛊 22之間設置著垂直型傳輸閘極電極2^^的，散層 域12向電荷傳輸目的地擴散層22的 ^何儲存區 作為垂直母】值給鬥权+ &。Ί "的傳輪距離，由 定。了 由此，不會使像素的平 日、衣又較冰。 問極的通道長度，且可實現=微更當地調整傳輸 此兩者。 T轉的微細化與調變度的提高 參 ^卜’可藉由使形成㈣直型傳輸閘極 的j面積減小，而使垂直型傳輸閘極電極21丄的溝槽 J了儲存區域12的面積減小。因此’無需增大』= 文人且可使感測器性能提高。 γ (第2實施形態） 來能ΐ 7〜圖1f表示本發明的第2實施形態。於第2實施 =、’對與第！實施形態相同的部分附加相 對不同的部分進行說明。 」付唬，亚 第2實施形態是使用例如絕緣層上覆石夕（Silic〇n 〇n 201005932 31744pif.doc
Insulator，SOI)基板來形成固態攝影裝置。 圖7表示SOI基板30。SOI基板30藉由半導體基板 31、埋層氧化（Buried Oxide，BOX)層 32、SOI (Silicon On Insulator)層33而構成。SOI層33為p型結晶石夕，其 雜質濃度例如為】χ】〇18〜lxl〇2Gcnf3左右。 其次’如圖8所示，於SOI層33上，形成例如n型 的磊晶層34。該磊晶層34的雜質濃度例如為1χ1〇ΐ5〜1χ 1017cnf3 左右。
接著，如圖9所示，使用與第1實施形態相同的CM0S 影像感測器製造過程來形成固態攝影裝置，該固態攝影裝 置具有電荷儲存區域12、P型井區域13、將像素間分離的 P型擴散層14、溝槽17、N型擴散層18、P型遮蔽層19、 閘極絕緣膜20、傳輸閘極電極21、以及電荷傳輸目的地擴 散層22。之後，於基板表面上形成未圖示的金屬氧化物半 導體％效電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET )等的周邊電路。 ❹ 其次，如圖10所示，形成包含配線36等的層間絕 膜及鈍化膜（passivation film) 35。 接著，如圖11所示，使用貼合技術，將支撐基板 黏接於層間絕緣膜及鈍化膜35上。此處，支撐基板p 需為半導體基板，可為如玻璃基板等般可支撐固態攝影 置的基板。 .然後，如圖12所示，使用研磨法、或濕式蝕刻（wet etching)法等，將構成s〇I基板的半導體基板μ與Βοχ 10 201005932 31744pif.doc 層32除去’而露出s〇l層33。 其次，如圖13所示，於S〇I層％上，於至少攝影 ，上的^個表_成抗反射膜38。此處，抗反射膜3 =層腰或積層膜巾的任—者均可，可藉㈣當選擇折射 率，而提高攝影it件的感度。此外，於抗 彩色遽光W) 39舆微透鏡（m_lens) ^成 ❹ 丄t上述構成中’沿著箭頭所示的光入射路徑而入射的 透鏡40、彩色濾光片39、抗反射膜38而被弓 電二極體的電荷儲存區域12，並轉換為電^ 得輸至電何傳輸目的地擴散層22。 態攝第】於具有傳輸閘極電極21的固 電荷儲存區域12的^個mi2 ’可將 高。 電一極體變大，從而可使感測器性能提 徑，=可^^==12的整個表面用作光入射路 的形成位置:自::閑，荷儲存區域η 極電極21形成於電^諸二:第1 Λ施形態中’傳輸閘 然而，‘第2^ 2的偏離中央部的位置。 有效地利用電m Λ區域㈣中央部。因此，可更 D.子區域12 ,藉由使電荷儲存區域12微 11 201005932 31744pif.doc 細化而實現像素的進一步微細化。 (變形例） 圖^5表示第卜第 第2實施形態相同的部分附加相同符號_幻、 圖關示的變形例表示了如下情況，即 2貫施形態相比，將p型井區域右第 高。於該情況下，可省略N型擴散層18充分 且溝槽17戦於p型相域i 3内。於 ’ 可省略N型擴散層18、p 兄下’ 作為光的受光部的光電-極Q此可進一步使 提高。 ㈣電—極體變大’從而可使感測器性能 本發者It易想到另外優勢及改質體。因此， 定細節及;表性=樣I並不限於本文所示及描述之特 專利乾圍及其等效體所&之普遍發明概念 本發明之精術領域中具有通常知識者，在不脫離 發明之保護範圍，當可作些許之更動與潤_，故本 【圖式簡單朗之巾請專概_界定者為準。 圖1是表开'餘1 + 圖2至圖曰1貫施形態的固態攝影裝置的剖面圖。 造方法的剖面圖是表示第1實施形態的_攝影裝置的製 201005932 31744pif.doc 圖7至圖13是表示第2實施形態的固態攝影裝置的製 造方法的剖面圖。 圖14是表示第2實施形態的固態攝影裝置的變形例的 . 剖面圖。
I 圖15是表示第1、第2實施形態的固態攝影裝置的變 形例的剖面圖。 【主要元件符號說明】 11 :半導體基板 ® 12、34: N型磊晶層 13 : P型井區域 14 : P型擴散層 15 :氧化矽膜 16 :氮化矽膜 17 :溝槽 18 : N型擴散層 19 : P型遮蔽層 φ 20 :閘極絕緣膜 21 :傳輸閘極電極 21a :聚砍層 22 :電荷傳輸目的地擴散層 23 :P型遮蔽層 30 : SOI基板 31 :半導體基板 32 :埋層氧化層 13 201005932 31744pif.doc 33 SOI層 35 鈍化膜 36 配線 37 支樓基板 38 抗反射膜 39 彩色濾光片 40 :微透鏡 A、 B :箭頭
Claims (1)
- 201005932 31744pif.doc 七、申請專利範圍： 1.一種固態攝影裝置，包括： 半導體基板； 内 第1導電型的電荷儲存區域’埋人至上述半導體基板 面 導電型的擴散層，形成於上述半導體基板的表 Μ及 ❿ 鲁 傳輸閘極電極，形成於上述電射轉區域上。 2.如申請專利範圍第！項所述之固態攝影裝置 =於土=基板内且底部到達上述電荷儲存區域 溝f上述傳輸閘極電極形成於上述溝槽的内部。 括，二=範Γ 2項所述之固態攝影裝置，更包 2導電型的存區域與上述傳輸閘極電極之間的第 ==範圍第3項所述之固態攝影農置 附近的==荷儲存區域中上述傳輸閘極電極 專利範圍第4項所述之固態攝影裝置，其中 置。L曰軸於上輕荷儲存區域的偏離中央部的位 如申明專利範圍第4項所述之固態攝影I 7 ^^形”電荷儲存區域的中央部。八 上、十、车t專利範圍第6項所述之固態攝影I置，1中 上迷半導體基板的表面為受光面。 ’、中 15 201005932 31744pif.doc 8. 如申請專利範圍第6項所述之固態攝影裝置，其中 上述半導體基板的背面為受光面。 9. 一種固態攝影裝置的製造方法，包括： 於表面具有第1導電型的半導體層的半導體基板的上 述第1導電型的半導體層内形成第2導電型的井區域； 於上述第1導電型的半導體層内的上述第2導電型的 井區域内形成溝槽； 於上述溝槽内壁形成閘極絕緣膜； 利用閘極電極材料來填埋上述溝槽内部；以及 ® 於上述第2導電型的井區域表面形成第1導電型的弟 1擴散層。 10. 如申請專利範圍第9項所述之固態攝影裝置的製 造方法，更包括： 於形成上述閘極絕緣膜之前，於上述第1導電型的半 導體層内，於上述溝槽的周圍形成第1導電型的第2擴散 層；以及 於上述第1導電型的第2擴散層内，於上述溝槽的周 ❹ 圍形成第2導電型的遮蔽層。 11. 如申請專利範圍第10項所述之固態攝影裝置的製 造方法，其中 上述第1導電型的第2擴散層的雜質濃度比上述第1 導電型的半導體層的雜質濃度高。 12. 如申請專利範圍第11項所述之固態攝影裝置的製 造方法，其中 16 201005932 3I744pif.doc 薦槽形成於作為電荷儲存區域的上述第1導電型 的+導产層的偏離中央部的位置。 造方之如其申^專利範圍* U項所述之固態攝影裝置的製 的本槽形成於作為電荷儲存區域的上述第1導電型 的+導體層的中央部。 ▼电主 態攝影裝置的製 ❹ 造方L4.如其申Γ利範圍第"項所述之固 上述半導體基板的表面為受光面。 15.如申請專利範圍第u 造方法，其中 項所述之固恶攝影裝置的製 上述半導體基板的背面為受光面。 17
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008198274A JP5231890B2 (ja) | 2008-07-31 | 2008-07-31 | 固体撮像装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201005932A true TW201005932A (en) | 2010-02-01 |
| TWI395326B TWI395326B (zh) | 2013-05-01 |
Family
ID=41607426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW098122429A TWI395326B (zh) | 2008-07-31 | 2009-07-02 | 固態攝影裝置及其製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8310003B2 (zh) |
| JP (1) | JP5231890B2 (zh) |
| CN (1) | CN101640214B (zh) |
| TW (1) | TWI395326B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TWI467751B (zh) * | 2011-12-12 | 2015-01-01 | Sony Corp | A solid-state imaging device, a driving method of a solid-state imaging device, and an electronic device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8285201B2 (en) * | 2009-05-11 | 2012-10-09 | Qualcomm Incorporated | Wideband echo cancellation in a repeater |
| US8531567B2 (en) * | 2009-10-22 | 2013-09-10 | Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas | Image sensor with vertical transfer gate |
| JP5794068B2 (ja) * | 2011-09-16 | 2015-10-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
| TW201334169A (zh) * | 2012-02-10 | 2013-08-16 | Sony Corp | 攝像元件、製造裝置及方法、及攝像裝置 |
| KR101931658B1 (ko) | 2012-02-27 | 2018-12-21 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 단위 픽셀 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
| JP2015053296A (ja) * | 2013-01-28 | 2015-03-19 | ソニー株式会社 | 半導体素子およびこれを備えた半導体装置 |
| US8773562B1 (en) | 2013-01-31 | 2014-07-08 | Apple Inc. | Vertically stacked image sensor |
| JP2014199898A (ja) * | 2013-03-11 | 2014-10-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに、電子機器 |
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| KR102456530B1 (ko) | 2015-09-09 | 2022-10-20 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| CN106981495B (zh) * | 2016-01-15 | 2019-10-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种cmos图像传感器及其制作方法 |
| US10147829B2 (en) | 2016-09-23 | 2018-12-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric sidewall structure for quality improvement in Ge and SiGe devices |
| US10490596B2 (en) * | 2016-11-30 | 2019-11-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for fabricating an image sensor |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5021355A (en) * | 1989-05-22 | 1991-06-04 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating cross-point lightly-doped drain-source trench transistor |
| JPH08255888A (ja) * | 1995-03-16 | 1996-10-01 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
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| JP2007096271A (ja) | 2005-09-05 | 2007-04-12 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| CN100463205C (zh) | 2005-09-05 | 2009-02-18 | 株式会社东芝 | 固体摄像装置及其制造方法 |
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-
2008
- 2008-07-31 JP JP2008198274A patent/JP5231890B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-07-02 TW TW098122429A patent/TWI395326B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-07-27 US US12/509,810 patent/US8310003B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-29 CN CN2009101655391A patent/CN101640214B/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5231890B2 (ja) | 2013-07-10 |
| TWI395326B (zh) | 2013-05-01 |
| CN101640214B (zh) | 2011-08-10 |
| US8310003B2 (en) | 2012-11-13 |
| CN101640214A (zh) | 2010-02-03 |
| JP2010040557A (ja) | 2010-02-18 |
| US20100025738A1 (en) | 2010-02-04 |
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|---|---|---|---|
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