TW201002618A - Production of silanes by acid hydrolysis of alloys of silicon and of alkaline-earth metals or alkaline-earth metal silicides - Google Patents
Production of silanes by acid hydrolysis of alloys of silicon and of alkaline-earth metals or alkaline-earth metal silicides Download PDFInfo
- Publication number
- TW201002618A TW201002618A TW098115988A TW98115988A TW201002618A TW 201002618 A TW201002618 A TW 201002618A TW 098115988 A TW098115988 A TW 098115988A TW 98115988 A TW98115988 A TW 98115988A TW 201002618 A TW201002618 A TW 201002618A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- reaction
- alloy
- water
- patent application
- pressure
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 title abstract description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 title abstract description 3
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 title abstract 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 title abstract 2
- 238000005903 acid hydrolysis reaction Methods 0.000 title description 2
- 229910000941 alkaline earth metal alloy Inorganic materials 0.000 title 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 title 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 9
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 33
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 23
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 8
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 238000010992 reflux Methods 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012263 liquid product Substances 0.000 claims description 4
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910005347 FeSi Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- -1 Ca0.5Si Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004709 CaSi Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910017639 MgSi Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- 244000089409 Erythrina poeppigiana Species 0.000 claims 2
- 235000009776 Rathbunia alamosensis Nutrition 0.000 claims 2
- 229910004161 SiNa Inorganic materials 0.000 claims 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims 1
- 238000004508 fractional distillation Methods 0.000 claims 1
- 235000003642 hunger Nutrition 0.000 claims 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 abstract description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 description 7
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 7
- 229910052902 vermiculite Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010455 vermiculite Substances 0.000 description 7
- 235000019354 vermiculite Nutrition 0.000 description 7
- 229910003822 SiHCl3 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 4
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 4
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 4
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000019738 Limestone Nutrition 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 3
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000011116 calcium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000012065 filter cake Substances 0.000 description 3
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000006028 limestone Substances 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012429 reaction media Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005997 Calcium carbide Substances 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- NKWPZUCBCARRDP-UHFFFAOYSA-L calcium bicarbonate Chemical compound [Ca+2].OC([O-])=O.OC([O-])=O NKWPZUCBCARRDP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000020 calcium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000020083 shōchū Nutrition 0.000 description 2
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- CLZWAWBPWVRRGI-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-[2-[2-[2-[bis[2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-2-oxoethyl]amino]-5-bromophenoxy]ethoxy]-4-methyl-n-[2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-2-oxoethyl]anilino]acetate Chemical compound CC1=CC=C(N(CC(=O)OC(C)(C)C)CC(=O)OC(C)(C)C)C(OCCOC=2C(=CC=C(Br)C=2)N(CC(=O)OC(C)(C)C)CC(=O)OC(C)(C)C)=C1 CLZWAWBPWVRRGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- PUNXVEAWLAVABA-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4-tetrahydroanthracene;1,2,5,6-tetrahydroanthracene Chemical compound C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1.C1=CCCC2=C1C=C1CCC=CC1=C2 PUNXVEAWLAVABA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTEHOZMYMCEYRM-UHFFFAOYSA-N 1-chlorodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCl ZTEHOZMYMCEYRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001494479 Pecora Species 0.000 description 1
- 101000797621 Rattus norvegicus Ameloblastin Proteins 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 229940058905 antimony compound for treatment of leishmaniasis and trypanosomiasis Drugs 0.000 description 1
- 150000001463 antimony compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- BCZWPKDRLPGFFZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynecerium Chemical compound [Ce]#N BCZWPKDRLPGFFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L barium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ba+2] RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001863 barium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000012824 chemical production Methods 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000005189 flocculation Methods 0.000 description 1
- 230000016615 flocculation Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 230000030279 gene silencing Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930003658 monoterpene Natural products 0.000 description 1
- 150000002773 monoterpene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 235000002577 monoterpenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 150000003304 ruthenium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910021647 smectite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 210000000952 spleen Anatomy 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001648 tannin Substances 0.000 description 1
- 235000018553 tannin Nutrition 0.000 description 1
- 229920001864 tannin Polymers 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004772 tellurides Chemical class 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
- C01B33/043—Monosilane
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
201002618 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明關於藉由矽合金或矽化物之酸水解生產石夕氮化 物或矽烷。 【先前技術】 特定矽烷’更具體言之單矽烷或四氫化矽(SiH4)係用於 沉積非晶矽、多晶矽、亦已知為奈米形或微形矽之奈米晶 或微晶矽、矽石、氮化矽或其他矽化合物之技術中,例如 氣相沉積技術中作為矽載體。 非晶石夕之薄膜沉積物及由矽烷獲得之微晶矽使製造太 陽能電池可行。 亦可藉由矽烷裂解及如碳化矽之化合物的製造獲得耐 酸姓塗層。 最後,可將矽烷加入不飽和烴之單或多重鍵中以獲得 有機矽烷。 單矽烷之市場將經大幅擴展以製造積體半導體及製造 薄膜或晶質太陽能(光伏打)電池、半導體組件及製造平面榮 幕。 迄今已使用下述數種方法。 首先,已知在KCl/LlC1浴中介於45(Γ(:與55〇τ:之溫戶) 下以LiH還原SiCl4。及庫姦鱼在古…t 夕 夂應產羊係有利的,但該方法一方3 係基於裡來源極有限時 ^ ^ ^ 取侍性及另一方面基於素 ^ 了此性。反應介質係極具腐蝕性並右 用特疋物質。此方法係用於製造小量石夕烧。 201002618
係基於此等兩個原因。 4。此 化學生產之副產物)及鈉以便製造氣 實行的。此方法不容易使用,特別
SiMg2 另一已知反應係液態NH3介質中化學計量合金 之酸侵蝕。該反應之平衡方程式如下:
SiMg2 4 HCI SiN, + 2 MgCl2 nh3液體 此方法係在接近周圍溫度之溫度及大氣壓力下進行。 由於驅動此方法之困難度及液態氨之經高度控制用量,故 此方法係無法令人滿意的。 另一已知反應係硼基樹脂或其他樹脂上之SiHC13歧化 作用。該完整反應係以下方式描述·· a) 4Si 金 *+12 HC1 4 4 SiHCl3 + 4 H2 (溫度在約 8〇〇它與約 1100°C 之間) b) 4 SiHCl3 SiH4 + 3 SiCl4 (周圍溫度) 3 SiCl4 + 3 H2 — 3 SiHCl3 + 3 HC1 (溫度為約 1〇〇〇。〇 ; 即下列反應平衡: 4Si 金屬 + 9 HC1 j SiH4 + 3 SiHCl3 + Η2 上述反應之變化例係以下方式描述: a) 4Si 金屬 + 16 HC1 — 4 SiCl4 + 8H2 (溫度在約1〇〇〇°c與約 ll〇〇°C之間) b) 4 SiCl4 + 4H2 4 4 SiHCl3 + 4 HC1 (溫度為約 1〇〇〇〇c) 4 SiHCl3 — SiH4 + 3 SiCl4, 即下列反應平衡: 5 201002618 4Si 金屬 + 12 HC1 -> SiH4 + 3 SiCl4 + 4 Ή
此方法在極具腐触性之介質中愛I 貝T而要向溫且消耗大量能 夏(對於步驟b,約50 kWh/公斤)。為達 b)需要許多氣矽烷混合物循環迴路。 ^ 步驟 主 ,、丨使用極具腐蝕性、 毋性及可燃性產品外,此一類型之方法係極耗能量。 藉由石夕化物及石夕合金在一酸性或驗性介質中水相Μ 應以產生單矽烷及高級矽烷已描述於 τ Amelin Handbook of
Inorganic Chemistry,Si-Silicon 中。 專利中ttt EP146456及w⑽_㈣?!描述藉將 XSlyCaz粉末(x、y及z分別代表紹、石夕及飼之百分率)捧 雜入HC1溶液以在水相中合成單# p 私後认 所產生之氣體組合 物㈣帆單石夕烧、10%二石夕烧及5%三石夕燒以及痕量之二 氧1元此種方法具有操作及儲存純或高度濃縮之Η。之 :點。源自此一反應之副產物係大量產生並對環境有危 ^此$法之另一缺點係反應介質中大量形成泡殊,其 反應產率並需要消泡劑存在。此—反應係高度放埶且 右合金粉末之導入速率盔基 一 迓羊無顯者降低,南於loot:之溫度係極 迅迷到達。 : 述此等研究皆保證實現一有利於工業發展之方 法的所需條件。 t <吏用便宜原料並以卫業產率產生石夕氫化物且 -所有如上所見缺點之簡單方法。 【發明内容】 本發明一目的從;* _ 约係克服如上所揭示先前技術之所有或部 201002618 分缺點。 基於此目的,本發明之一主韻 μ二. 、咏 糸—種製備式SinH2n + 2 (其中η為大於或專於1且小於岑笼妖 4寺於4之整數)化合物之方 法’其包括使至少一種呈粉末形戎夕斗 个〜%之式ΐν^Μ2#,(其中Μ1 為還原性金屬,M2為驗金屬或驗土么屈 盔屬,X、y及Z係從〇 變化至卜z不為0且x+y之總和不為〇)之矽化物或矽合金 與一含C〇2之水溶液反應之步驟b),該水溶液在反應溫度 及壓力下可能經或可能未經C02飽和。 該水溶液較佳係在反應溫度及壓力下經C〇2飽和。 當所導入之C〇2不再溶解及形成沉積物時,溶液已飽 和 〇 舉例而言,表1代表在大氣壓力下隨溫度變化之建議 添加至該溶液中以獲得經C02飽和之溶液之C〇2質量: __ 表 1-.:__^_ 溫度(°c) 質量 4 8 10 12 14 16 18 (以每公升溶液参示)__31392J- _ 2.9jjj-_2.5JJL1 __2^i- _ 2.196J,__2^0591- _ 1.9ΐϋ 1.8220, 20 \.l2〇3. 7 201002618 22 1.6284 24 1.5447 26 1.4655 28 … 1.3907 30 1.3203 40 1.0025 50 0.7352 60 0.5431 75 0.3646 該水溶液可包含一在反應溫度下可能經或可能未經 c〇2飽和之酸溶液,其包含礦物酸(例如:HCh h2S〇4、H3P〇4) 或有機酸如介於0.1N與3N間之CH3COOH。 該還原性金屬係(例如)A卜B、Ga、In。該鹼金屬係(例 如)Li、Na、K、Cs。該鹼土 金屬係(例如)Mg、ca、Sr ' Ba。 此外’本發明具體表現可包含下列特點中之一或多者: • M1係鋁且μ2係鈣或鎂。 -該矽合金包含30%至38%之鋁、35%至45%之矽及 15〇/。至25%之鈣,該等百分率代表合金中所存在各元 素之重量百分率。 -该矽合金係選自 Sio.sMg'SiuCansiCa'CaSi、 Cao.sSi、MgSi、縫Na、A1SlMg、以如、㈣旧、㈣、
Ca〇5A1Sl〇.33及Ca〇.5AiSl〇75或此等物之混合物,較佳係 ^為、心流、_、81〇;、81〇5仏、81〇5&或就。 適合用於本發明之其他石夕合金係石夕鐵類型之合金,例如 201002618
FeSi、FeSiMg、FeSiCa。 -該含C〇2之水溶液係藉由添加C〇2至水中而製得, 其初始pH係介於6.5與7.5之間。 -該酸溶液係包含C02及至少一種選自HC1、H2S04、 h3po4、CH3COOH之酸之混合物。 -該矽合金之粒徑係介於〇_2毫米與0.9毫米之間,較 佳係介於0.2毫米與〇 5毫米之間。 -該反應係在介於〇。〇與1 00。〇之間之溫度及大氣壓力 下,較佳係介於0°C與75°C之間,更佳係介於〇。(:與5(rc之 間及接近大氣壓力之壓力下進行。 -該反應係在低於6,較佳係介於4與6之間,更佳係 介於4.5與5之間之pH下進行。該反應之pH因此高於告 水解期間所用之酸僅為-種(例如)HC1、H2S〇4、KM類: 之強酸時。pH低於4之反應係該水溶液除了 c〇2外另包含 至少一種強酸之反應。 3
-該方法的特徵在於該反應係在至少 下進行。 一種觸媒的存在 a) 將含C〇2及水之水溶液注入反應器中; b) 將矽合金或矽化物導入該反應器中; C)沉降並過濾步驟b)中所獲得之副產物; d)矽烷以尚壓液體或氣體形式冷凝· 愧近周圍壓力之分館,以期自奸 能獲得之痕量二石夕氧院分離出單石夕烧广及步驟b)中可 201002618 f)回收純單石夕燒。 -該方法係如申請專利範圍帛^ ^項所述。 措詞”局級石夕燒,,據了解係指二石夕烧、三石夕院或四石夕烧。 元勺括用於實施如先前所以之製造㈣的方法之現場單 =:?!!有“粉狀妙合金(機物)之構件及 導入酸溶液之構件之反應器; m已3至v 一個用於收集水蒸氣之迴流塔、霧氣清除 :的::分離矽烷之分餾塔及用於回收純單矽烷之雙蒸餾 ^的純化回路; 至少—個用於沉降及過濾液體產物之槽。 用於實施根據本發明方法之合金或石夕化物係亦可用於 控制鑄鋼廠中㈣之發泡及去氧化之合金或石夕化物。此等 物係低成本之工業產物。為本發明主題之方法之優點係可 在接近周圍條件(溫度及壓力)下在無機化學工業常見設 備々’例如烙網玻璃所製成之反應器中進行該等反應。使^ 此等合金或矽化物之方法使可在極接近市場之小尺寸單元 中製造錢。不管可用之合金及⑪化物及操作和環境限 制’可藉由調整操作參數使用相同單元。 在所有情況下’副產物係可重複使用之礦物產物。 亦已發現合金粉末之粒徑對反應動力學且後續對反應 產率有影響。當顆粒大小降低時,動力學增加。反應期間 泡沬之形成構成限制顆粒大小之因素。另外在所有條 Q卜,€顆粒大小除以i 0時,以相同時間製得之矽烷量 10 201002618 係乘以約1 5。 此外,根據本發明方法具有下列優點:相較 前技術方法之反應,水解反應期間之發泡顯著降低且^ 速率明顯加快,其改善所需矽烷之製造產率品新-汉應 根據本發明方法亦具有下列優點: 久愿期間所形志 單矽烷相較於所製得矽烷之比例至少笼 ^ ^ 寸於7〇〇/〇 ’其對老. 本發明目標應用所需之矽烷特別為單矽垸之 思 的。 ’貫係重要 此外,使用⑶2作為用於根據本發明方法期間 之水解的酸特別具有下列優點:對於接近大氣壓力之2 而言,反應溫度係與周圍溫度同數量級,然而此不必二 石夕石合金之導入速率。 & 根據本發明方法之另一 ^ ^ ^ ^ ^ _ 傻點係在合成步驟期間石夕掠 月II驅物之製造不必有氫存在。 疋 【實施方式】 其他特殊特點及優點將在閱讀下列藉由參考圖丨 成之描述時顯露。 π 70 -圖1代表一用於進行根據本發明方法之裝置圖。 生產單元i包含至少三個部件,包括反應器3、纯 統及用於沉降及過濾液體產物之槽13。 糸 用於生產矽烷之水解反應係在一農設有混合構件4 使可攪拌固相/液相部分之刮刀或混合器之反應器3心 仃。該反應器係藉由面經源自水槽6之水填滿且另— 方面經源自酸溶液儲存系統7之酸溶液填滿之傾斜管4 201002618 充。該酸溶液可為一僅含c〇2之溶液或與其他酸如(例 如)HC1、H2S〇4、Η3Ρ〇4之混合物。混合物之比例係在反應 月'J經使用者基於獲得最佳可能產率之目的考慮如上所指待 解決之問題而選擇。為以水/酸混合物經由管5填充反應器 3,水及酸溶液係利用混合器8混合。僅c〇2可(例如)以液 體形式由液態c〇2槽倒入反應器中。該反應器3可(例如) 經由頂端連接至可拆卸蓋並以鉤環閂住。然後,數個傾斜 s 5亦連接至該蓋上並經排列以便接觸反應器3之器壁。 f蓋具有一使可連接防漏加料漏斗9之防漏開口。該反應 器較佳係由絕熱護套圍繞。 用於排放矽合金之流動構件9係存在於反 ' 1舉例而α此一流動構件為起初經呈粉末形式之式 之石夕化物填滿之加料漏斗9,其中Mi &還原性金 屬’ M2為驗金屬或驗土金屬,x、y及ϋ 〇變化至^z :為〇。例如’加料漏斗9包含-蛇管及-使可隔離加料漏 斗9與反應3之收縮營彳〇 rt, 。舉例而言,加料漏斗9的設 計係類似於用於將碳化鈣倒 乙快反應裔之加料漏斗。該 &金係以類似乙炔生產簞 〇 早70中運送碳化鈣所用之桶的桶子 運送。該酸溶液之注入速率 疋4*可糟由pH探針1 8驅動。
根據本發明一特定且辨± Q ^ „ /、體表現,排列在反應器3蓋頂端 者為兩個串聯之防漏氣體 >八祕^Θ閉闊’在此兩者之間包括—可 在刀離月ϋ先沖洗反應器3 ^ ^ . c ^ 〈側支官連接。一類似裝置丨}俜 式§又在反應器3之底部屮 係 " 以排放液體。該反應器;3之底 糸以一可防止液體產物 & 滯在底部通道之構件1 2,例如 12 201002618 -圓頂室密封。此圓頂室係藉由啟動底部閥u而升起。 該等液體係經由導管15送至一沉降/過濾槽13。 該反應區係保持在無空氣存在並在反應結束時中和未 反應之合金。該反應區就如此區所有附屬部件及分餾區 (2 1、22)般係經氮氣或其他惰性氣體如氬氣沖洗。 沉降/過濾槽1 3經由在惰性氣體下加壓反應器3接收該 溶液及反應H 3中所進行之水解反應結束時呈懸浮態之產 物。此槽13具有至少一工作體積,其為反應器3之工作體 積的2倍。在該槽中除氣期間所放出之矽烷係被送入如下 細述之純化回路中。該槽13於其高度底部包含一可拆卸護 套16,該護套16包含一支撐過濾介質14之環形橫木。 為最適化純化/過濾步驟,源自混合器8之水/酸混合物 可經由導管1 9送至純化/過據槽1 3。 然後,將此純化/過濾步驟之澄清廢棄溶液送至儲存槽 1 7中此等廢棄洛液具有不傷害環境並由於根據本發明方 法之反應而可回收之優點。 為回收所需矽烷,藉由導管24將未送至沉降槽13之 水解產物導向純化系、統。該純化系統包含至少—個收集反 應器3中水解反應之水蒸氣之迴流塔2。在該回流塔2之出 口處導入-希望攔住大氣中可能攜帶之水滴之霧氣清除 Hi個㈣及中和容H 2G係並聯放置在該霧氣清除器下 游處。此等兩個容器係經含鈉之氧化鋁填充。接著,存在 -分顧塔21以分離#及所存在之錢燒且最後將雙蒸館 塔22用於回收純單矽烷,然後將其用於所需應用中。 13 201002618 數個非限定反應流程之實例係列於下以根據本發明方 法進行反應: 實施例1 :
AfSiCa + 2 C02 - 5 H20 AI(OH)3 + SiH4 + Ca(HC03}? + y2 h; (1) | 此反應流程未曾描述於文獻中。藉由使用經c〇2飽和之溶 液,可將Ca(OH)2溶入可溶碳酸氫鈣中’其可容易地轉化成 可重複使用之碳酸鈣(石灰石)。同樣地,c〇2之存在易破壞 鋁與矽石氫氧化物之膠體結構。此等兩個因素係有利於高 反應速率及高產率。 验質干衡.(基_於民應(1)):假設砍烧相對於所存在之石夕之產率 至少60%。 ^~^斤矽烷(等於 5公斤之AlSiCa ; 4.85公斤之C02 ; 4.7公斤之ΗζΟ ’此量相較於先前技術反應所需質量(數立方 米)係極低的; 4.95 公斤之 Al(OH)3 ; 8.44公斤之Ca(HC03)2->14.74公斤之可容易目收的副產物; 1.25公斤之矽石膠體; 〇_58立方米之H2。 此途徑提供僅獲得已自然存在之副產物、加上重複使 用所放出之c〇2並產生更容易利用沉降/過濾槽丨3過濾及處 理之副產物”濾餅”之優點。 在反應流程(1)中,溫度上升係有利於高級矽烷的形 14 201002618 成。因此,接近周圍溫度之反應溫度係憑# c〇2之使用有 利於單矽烷之形成。 該反應可在水中中性pH下進行,但氫氧㈣、銘膠體 及矽石膠體之形成阻礙反應直到賦予極低之反應速率為 止0 實施例2 :
SiCa2 + 4 C〇2 + 4 Hz〇 ^ SiH4 + 2 Ca(HC03)? (2) 在此所用之合金係SiCh,但結果將與使用SiMg2者類 似。 該矽化物自發地與水在中性pH下反應,但導致形成不 太〉谷解之Ca(OH)2,而降低反應速率。 此反應流程未曾描述於文獻中。藉由使用經c〇2飽和 之溶液可溶解Ca(OH)2並因此使該溶液自然獲得矽化物並 破壞氫氧化矽之膠體結構。 基於反應(2)1:假設矽烷相對於所存在之石夕之產率 至少60%。 Γ公ϋ烷(等於siHj 6.25 公斤之 siCa2 ; 10公斤之co2; 3.75公斤之Ηι〇,此量相較於先前技術反應所需質量(數立 方米)係極低的; 18.87 公斤之 Ca(HC03)2 ; 1.25公斤之石夕石膠體。 此反應流程之優點在於僅得到矽石膠體為固態副產 15 201002618 物、加上使用已放出之c〇2並產生可回收成石灰石之溶解 碳酸氫鈣。 實施根據本發明方法所欲遵循之程序實例可如下所述 般。 1 -反應器之製備: 在先河反應循環結束時,在惰性氣體下沖洗反應器3 並將其保持在些微超壓下。 2-合金之導入: 該合金之粒徑係介於〇.2毫米與〇5毫米之間以得到介 於1.5公斤/公升與2公斤/公升之間之密度。該合金較佳係 在初始酸溶液已導入反應器3後導入該反應器3中。 流動速率係藉由實際經驗決定並隨發泡作用而變。 連續導入合金用量而使溶液高度保持低以有利於除 氣。 3 -反應方法: 該反應溫度係保持在50°c以下以有利於單矽烷之生 產。该反應器係經一定體積源自儲存系統7之酸溶液填充 以致低溶液高度有利於該溶液之除氣並最小化發泡作用。 在已開始以反應器3之攪拌器4攪拌後持續導入加料漏斗9 之合金。酸的注入係在將pH保持在所選值下時同時進行。 當使用C〇2作為唯一酸反應物時,將c〇2直接注入該 >谷液並提供部分冷卻反應介質所需之冷卻。 16 201002618 鐘,然後 在該順序結束時,該反應器3保持搜掉數分 將反應器3中所含液體送入沉降/過濾槽丨3中。 4_該溶液之沉降/過濾: 各順序後,該溶液及呈懸浮態之產物係藉由重力及輕 微超壓而移入沉降/過濾槽13中並憑藉構件Μ攪拌之。該 溶液係保留在擾拌槽中數分鐘以完成除氣,,然後打開該槽 13之底閥23以開始過濾。該溶液流過該過濾介質14。視 斤用S夂而疋,該洛液包含經由水蒸發而獲得石灰石之 Ca(HC〇3)2)或可以化學或藥學方式回收之caC〗2 6H2〇。然 後由該槽13取出過濾介質14上所獲得之濾餅。此濾餅包 含氧化鋁及矽石,其經由煅燒可獲得一黏土或僅可轉化成 矽膠之矽石。
為具體指明數量級,利用C〇2作為酸反應物生產100T/ 年之單石夕烧之生產單元1的條件及完整物質平衡係列於下。 在下表中,it = 1000公斤。 假設: -石夕轉化成石夕院之產率:6 〇 -生產循環:24小時; -總反應時間:15小時; -生產天數:330天/年 -反應器尺寸:直徑2米,工作高度:j米
AlSiCa SiCa2 每年之量
500T 625T 17 201002618 每天之量 1.51T 1.9T 每小時之流率 1〇〇公斤 125公斤 每年之水量(反應) 5〇〇立方米 400立方米 每天之水量 I·5立方米 1 ·3立方米 每年之co2量 500T 1000T 每天之C〇2量 1.51T 3T 每小時之C02流率 10 〇公斤 200公斤 每年之固體殘餘物 1000T 1200T 每天之固體殘餘物 3T 3.5T 每天之矽烷量 300公斤 300公斤 每天之矽烷流率 2〇公斤 20公斤 不管使用矽化物或合金’普遍使用一般條件: -該反應可在水中於中性pH下進行,但氫氧化物之形 成減緩反應速率。酸或鹼溶液之添加加快反應速率及—邱 分減緩反應之副產物的溶解; -該反應係在酸溶液中迅速進行; -該反應亦可在鹼性介質(pH 8至10)中進行以溶解大 部分氫氧化物; -提高溫度係有利於高級矽烷之形成; -可將聚石夕氧基消泡劑加入溶液中以防止阻礙該反應 之泡沫形成,但不像使用如(例如)HC1之醆般,使用c〇2作 為酸溶液降低對此一消泡劑之需求。 一般而言,相較於上述先前技術之方法,根據本發明 方法具有下列優點·· 18 201002618 _添加c〇2作為酸係有利於副產物如氧化紹之沉澱及絮凝 且此因此有助於過濾之,然後處理之。 -副產物如氧化紹及碳酸鹽之質量較小,因此較少泡泳存 在。因此,較大部分反應可在反應器3中進行;然後產率 明顯增高。 -此根據本發明技術係比涉及氯矽烷之方、、表 7戍文便宜。 -根據先前技術方法每公斤所製得單烷之能量消耗量在低 於100°C之溫度下係大於50 kWh,坱而對於认 一 ,、、、向對於根據發明方法, 每公斤所製得單烷之消耗量係約1 〇 kWh。 -C〇2 —旦被消耗,可經由一流體以液體 心丹注入之以致 該反應可以使用者所需之流率及速度持續進行。 ••不管反應之合金、矽化物及酸溶液,根 常見化學設備及在相同生產^中進:據本發明方法可以 -所進行之反應產生可以常見化學方法或 影響之顆粒回收之副產物。 兄/、有較小 【圖式簡單說明】 圖1代表一用於進杆奸姑_ 士 仃根據本發明方法之裝置圖 【主要元件符號說明】 1 生產單元 2 迴流塔 3 反應器 4 混合構件 19 201002618 5 傾斜管 6 水槽 7 酸溶液儲存系統 8 混合器 9 力口料漏斗 10 收縮管 11 閥 12 圓頂室 13 沉降/過濾槽 14 過濾介質 15 導管 16 可拆卸護套 17 儲存槽 18 pH探針 19 導管 20 乾燥及中和容器 21 分餾塔 22 蒸餾塔 23 閥 24 導管 20
Claims (1)
- 201002618 七、申請專利範圍: 1_一種製備式SinH2n+2 (其中 η為大於或等於1且小於液反應,該水 反應,該水溶液在反應溫度及壓力下可能經或 1,ζ不為〇 C〇2之水溶 或可能未經 C〇2飽和。 其特徵在於該水溶 2.根據申請專利範圍第1項之方法,其 液在反應溫度及壓力下係經c〇2飽和。 3·根據申請專利範圍第1及2項中任一項之方法,其特 徵在於M1係鋁且M2係齊或鎂。 4. 根據申請專利範圍第3項之方法,其特徵在於該矽合 金以該合金中所存在之各元素重量計包含3〇%至38%之 紹、35%至45%之矽及15%至25%之鈣。 5. 根據申請專利範圍第1及2項中任一項之方法,其特 徵在於該矽合金係選自FeSi、FeSi]VIg、FeSiCa、Si。5Mg、 Si0 5Ca、AlSiCa、CaSi、Ca0.5Si、MgSi、AlSiNa、AlSiMg、 SiNa、AlSiLi、SiK、Ca0.5AlSi0.33 及 Ca〇.5AlSi〇 75 或此等物 之混合物’較佳係 Si〇.5Mg、AlSiNa、SiNa、Si。5u、Si。5Na、 Si〇.5K 或 SiK o 6. 根據申請專利範圍第丨及2項中任一項之方法,其特 徵在於該含C〇2之水溶液係藉將C〇2添加至水中而製得, 其初始pH係介於6.5與7.5之間。 21 201002618 7. 根據申請專利範圍第1及2項中任—頊夕女、+ , $ <万法,其特 徵在於該水溶液係含co2及至少一種選自Hc丨、Hs〇 、 h3po4、ch3cooh之酸之酸混合物。 4 8. 根據申請專利範圍第1及2項中任— / 哨乏方法,其 徵在於該矽合金之粒徑係介於〇 2毫求與〇 9享 、、 •y毫水之間,知 佳係介於0.2毫米與〇_5毫米之間。 平x 9. 根據申請專利範圍第1及2項中任一 / 貝 < 万法,其 徵在於該反應係在接近大氣壓力之壓力下進行。 /、、 1 〇.根據申請專利範圍第1及2項中任一 巧I万法,甘 特徵在於該反應係在介於代與饥之間,較佳係介^ 與50°C之間之溫度下進行。 、C Π .根據申請專利範圍第1及2項中任一 .. Μ <方法,苴 特徵在於該反應係在低於6,較佳係介於4盥 ^ 係介於4.5與5之間之ρΗ下進行。 又1主 其 1 2.根據申請專利範圍第丨及2項中任一 % t方法 包含下列步驟: a) 使該含C〇2之水溶液與水混合; b) 使該石夕合金與步驟a)所產生之混合物混合; c) 沉降並過濾步驟b)中所獲得之副產物;並 (3)藉由以高壓液體或氣體形式冷凝來儲存奸 驟:Π.根據巾請專利範圍“項之方法,其亦^下列步 e)接近周圍壓力之分餾,以期古 4目同級矽烷及步驟中玎 能獲得之痕量二矽氡烷中分離出單矽烷。 22 201002618 14.一種現場單元(1) ’其係用於實施根據申請專利範園 第1至13項中任一項之製造矽烷之方法,其包含: •至少一個反應器(3),其裝設有導入粉狀矽合金之構 件(9、10)及導入酸溶液之構件(5、7); -純化回路,其包含至少一個用於收集水蒸氣之迴流塔 =)、霧氣清除器、用於分離㈣之分料(21)及用於回收純 單矽烷之雙蒸餾塔(22); f -至少一個用於沉降及過濾液體產物之槽(13)。 八、圖式: (如次頁)23
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0853321A FR2931472B1 (fr) | 2008-05-22 | 2008-05-22 | Production de silanes par hydrolyse acide d'alliages de silicium et de metaux alcalino-terreux ou siliciures de metaux alcalino-terreux |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201002618A true TW201002618A (en) | 2010-01-16 |
Family
ID=40020252
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW098115988A TW201002618A (en) | 2008-05-22 | 2009-05-14 | Production of silanes by acid hydrolysis of alloys of silicon and of alkaline-earth metals or alkaline-earth metal silicides |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8551438B2 (zh) |
EP (1) | EP2294007A2 (zh) |
JP (1) | JP2011520754A (zh) |
KR (1) | KR20110020773A (zh) |
CN (1) | CN102036913B (zh) |
FR (1) | FR2931472B1 (zh) |
TW (1) | TW201002618A (zh) |
WO (1) | WO2009141540A2 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2989072B1 (fr) * | 2012-04-06 | 2014-09-26 | Air Liquide | Production de silanes a partir d'une poudre d'alliages de silicium et de metaux alcalino-terreux ou siliciures de metaux alcalino-terreux et d'acide chlorhydrique |
CN113797568B (zh) * | 2021-08-20 | 2022-12-23 | 洛阳中硅高科技有限公司 | 电子级三(二甲氨基)硅烷的合成装置及合成方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE926069C (de) * | 1952-09-17 | 1955-04-04 | Metallgesellschaft Ag | Verfahren zur Herstellung von Silanen aus Magnesiumsilicid |
US2915368A (en) * | 1958-12-22 | 1959-12-01 | Union Carbide Corp | Preparation of mono-silane |
FR2556708B1 (fr) * | 1983-12-19 | 1986-05-02 | Air Liquide | Procede de production d'hydrures de silicium, application et appareil de mise en oeuvre |
JPS60180910A (ja) * | 1984-02-25 | 1985-09-14 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 水素化ケイ素の製造方法 |
JPS61122112A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-10 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 水素化ケイ素の製造方法 |
WO2006041272A1 (en) * | 2004-10-12 | 2006-04-20 | The Ministry Of Education And Sciences Of Republic Kazakhstan Republican State Enterprise 'center Of Chemical-Technological Researches' | Method of silane production |
-
2008
- 2008-05-22 FR FR0853321A patent/FR2931472B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-04-21 CN CN200980118546.4A patent/CN102036913B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-21 KR KR1020107025838A patent/KR20110020773A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-04-21 JP JP2011510021A patent/JP2011520754A/ja not_active Ceased
- 2009-04-21 EP EP09750021A patent/EP2294007A2/fr not_active Withdrawn
- 2009-04-21 US US12/994,095 patent/US8551438B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-21 WO PCT/FR2009/050734 patent/WO2009141540A2/fr active Application Filing
- 2009-05-14 TW TW098115988A patent/TW201002618A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011520754A (ja) | 2011-07-21 |
CN102036913B (zh) | 2014-06-25 |
US8551438B2 (en) | 2013-10-08 |
WO2009141540A3 (fr) | 2010-11-04 |
FR2931472B1 (fr) | 2010-06-11 |
KR20110020773A (ko) | 2011-03-03 |
FR2931472A1 (fr) | 2009-11-27 |
WO2009141540A2 (fr) | 2009-11-26 |
US20110076220A1 (en) | 2011-03-31 |
EP2294007A2 (fr) | 2011-03-16 |
CN102036913A (zh) | 2011-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20120128568A1 (en) | Production of silanes from silicon alloys and alkaline earth metals or alkaline earth metal silicides | |
TW201136830A (en) | Methods for reducing the deposition of silicon on reactor walls using peripheral silicon tetrachloride | |
NL8320390A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het verkrijgen van silicium uit kiezelfluorwaterstofzuur. | |
CN110527833A (zh) | 利用单原子碳还原制备单质材料的方法 | |
CN1085746C (zh) | 生产碳化硅单晶的方法 | |
JPWO2018074009A1 (ja) | アンモニアを合成する方法、および、その装置 | |
TW201002618A (en) | Production of silanes by acid hydrolysis of alloys of silicon and of alkaline-earth metals or alkaline-earth metal silicides | |
CN114314596B (zh) | 利用微波加热固定床连续合成高阶硅烷的方法及系统 | |
JPS6366770B2 (zh) | ||
WO2009133929A1 (ja) | ジアルキル亜鉛及びジアルキルアルミニウムモノハライドの製造方法 | |
Ji et al. | Cu3Si formed by vacuum evaporation deposition enhances hydrogenation of silicon tetrachloride | |
JP5217162B2 (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
CN103648980B (zh) | 在泡罩塔中制备硅烷的方法 | |
CN117185299B (zh) | 有机金属催化剂在制备乙硅烷中的用途及乙硅烷的制法 | |
CN108473512A (zh) | 选择性合成三烷氧基硅烷的方法 | |
US1178205A (en) | Process for producing sodium silicate and hydrogen. | |
JPS60255612A (ja) | 水素化ケイ素の製造方法 | |
FR2989076A1 (fr) | Production de silanes a partir de cacl2 et d'alliages de silicium et de metaux alcalino-terreux ou siliciures de metaux alcalino-terreux | |
TW201231394A (en) | Methods and systems for producing silane | |
FR2989073A1 (fr) | Production de silanes a partir d'alliages fluidises de silicium et de metaux alcalino-terreux ou siliciures de metaux alcalino-terreux | |
JPH01197489A (ja) | 高純度水素化ジメチルアルミニウムの合成 | |
FR2989074A1 (fr) | Procede de production de germane et de silane | |
FR2989077A1 (fr) | Production de silanes a partir d'alliages broyes et fluidises de silicium et de metaux alcalino-terreux ou siliciures de metaux alcalino-terreux | |
FR2989075A1 (fr) | Production de silanes a partir d'alliages de silicium de formule caxmgysiz | |
FR2989072A1 (fr) | Production de silanes a partir d'une poudre d'alliages de silicium et de metaux alcalino-terreux ou siliciures de metaux alcalino-terreux et d'acide chlorhydrique |