TW200939753A - Reflowable camera module with integrated flash - Google Patents

Description

200939753 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大致上係關於一種影像感測器設置於可回銲 封裝（reflowable package)中之相機模組。更具體而言，本 發明係關於一種提供閃光燈(flash)在其中使用之可回銲相 機模組。 【先前技術】 許多手機包含一内建數位相機/攝影機（digital © camera)，如數位相機（DSC，digital still camera)。具有内 建數位相機之手機一般亦可稱為照相手機 (camera-phones)。某些照相手機亦包含電子閃光單元 (electronic flash unit)以使得照相手機之使用者可在不同燈 光條件下皆照出高品質的照片。 在照相手機中使用白光發光二極體(white-light Light Emitting Diodes)作為閃光單元正逐漸引起大眾興趣。部分 Q 之原因為白光發光二極體(LEDs)實際上可顯著提升其發光 效能。另一引起大眾對於白光發光二極體(LEDs)興趣之因 素為乱氣管（xenon tube)閃光單元之微型化（miniaturization) 並未如手機製造商對於某些應用上所要求者來得成功。例 如’飛利浦露明光學公司（philips Lumileds Lighting Company)所發表之參考設計dr〇1即為將白光發光二極體 (LEDs)應用於數位相機(DSC)及照相手機之閃光燈。露明 光學之參考設計DR01係為以Luxeon®發光二極體(LED) 技術為基礎之閃光模組（一種「Luxeon閃光燈（Luxeon 3 200939753

Flash)」）。Luxeon閃光模組係為發光二極體晶片設置於一 次座（submount)上之單元。其後，上述次座係直接設置於 一印刷電路板(PCB，printed circuit board)上。 在如照相手機之小型消費性產品中使用白光發光二 極體（LED)作為閃光燈之缺點為其係增加成本且在設計手 機時需要考慮額外之空間以容納該白光發光二極體 (LED)。一習知白光發光二極體（LED)閃光單元，例如 Luxeon閃光燈，係為一額外單元，故在製作如照相手機之 ® 消費性相機產品時增加了所需之製造及封裝之步驟。 因此，在上述問題之啟發下，本發明發展出後述之裝 ' 置、系統及方法。 【發明内容】 本發明係揭露一種可回銲(reflowable)相機模組，其中

包含一影像感測器（image sensor)及設置於一通用載體 (carrier)且與一鏡片元件封裝在一起之整合式閃光燈 (integrated flash)。在一實施中，上述閃光燈為白光發光二 極體（white_light LED)。上述相機模組中係提供光隔離 (optical isolation)以避免閃光燈之漫射光（stray light)破壞 影像品質。 在一實施中，使用晶片尺寸封裝（CSP，Chip Scale Package)之製程以形成上述可回銲(reflowable)相機模組。 影像感測器及發光二極體(LED)係共同封裝在一通用晶片 尺寸封裝内，其中通用晶片尺寸封裝具有分別的電性聯接 以聯接影像感測器及發光二極體(LED)。一通用玻璃覆蓋 4 200939753 層（glass capping layer)係覆蓋於上述影像感測器及發光二 極體（LED)上。光隔離則形成於玻璃覆蓋層内以防止發光 二極體（LED)之漫射光（雜散光）降低影像品質。在一實施 中，利用形成於玻璃覆蓋層内之光障壁（optical barrier)以 作為光隔離。在另一實施中，利用形成於玻璃覆蓋層内之 光導(light guide)作為光隔離。 【實施方式】 圖一係為相機模組100之側視圖，其具有影像感測器 © 1〇5設置於晶片尺寸封裝（CSP)載體11〇之頂面112。晶片 尺寸封裝（CSP)係為一種類型之積體電路載體。一般而言， 現今晶片尺寸封裝（CSP)之面積通常不大於其晶粒尺寸之 約I.2倍’及/或球節距(ball pitch)不大於1公厘（mm)。 衫像感測器105係為一半導體晶粒，其中一感光像素 陣列形成於其上(例如一感光影像陣列1〇6)。在一實例中， 影像感測器105可為互補金氧半導體(CM〇s)影像感測器 〇 以擷取數位影像。 晶片尺寸封裝（CSP)載體110係形成可回銲(refl〇wable) 相機模組1〇〇之基底；亦即相機模組具有銲接區（s〇lder regions)之底面114,其中利用銲接回銲（s〇lderrefl〇w)技術 可將該銲接區回銲至一印刷電路板上（未圖示）。在一實例 中，csp載體110可包含形成於csp載體n〇内之接觸區 (contact regions) 115以使得底面114與母板（未圖示）間具 有電性聯接。在一實施中，球狀柵極陣列（BGA，Ball Grid Array)之銲錫球（solder balls)係用以形成與印刷電路母板 5 200939753 間之銲接接合點（solder j〇int)。 本發明之閃光燈係整合入相機模組1〇〇中。閃光燈之 實施例以整合入相機模組1〇〇中之發光二極體(LED) 13〇 作為發光二極體(LED)閃光燈為較佳。發光二極體13()係 设置於晶片尺寸封裝（CSP)载體no,而csp載體110中之 電性聯接（未圖示）可用以向發光二極體13〇供電及提供同 步信號（synchronization signals)。在一實施例中，發光二極 體130係使用單一白光發光二極體(LED)。然而，其應可 〇 理解為其他設置亦可被實施，如複數個發光二極體 (LEDs)。發光二極體(LED) 130可包含其本身之鏡片元件 (未圖示）。擇一形式實施者為，在玻璃覆蓋層（glass capping layer) 120内及/或設置於相機模組1〇〇之頂端亦可包含另 一額外鏡片用以聚焦由相機中之發光二極體（LED)所射出 之光。 相機模組100之製作以晶圓級晶片尺寸封裝（wafer ❹ level CSP)之製程為較佳’其中在晶圓切割為個別單元前以 光學(玻璃）覆蓋層120覆蓋住整個晶圓。晶圓級鏡片元件 122係形成於相機模組之玻璃覆蓋層12〇内以聚焦光線至 影像感測器105之像素(pixels)上。由Hiltunen所發表之美 國專利公開號第20070052827號「塗佈晶圓級照相機模組 及其方法（Coated Wafer Level Camera Modules and Associated Methods)」中揭露了設計晶圓級晶片尺寸封裝 相機模組之一般原則，爰將此專利列入以作為參考文獻。 然而，根據本發明，標準晶圓級晶片尺寸封裝相機模組製 6 200939753 程之差異在黏合玻璃覆蓋層120之前’發光二極體(leDs) 130及影像感測器105二者以設置於晶圓級晶片尺寸封裝 (CSP)載體110為較佳。 相機模組1 〇〇因光學之故係分為閃光燈部分135及影 像感測部分140。相機模組100之閃光燈部分135與影像 感測部分140間係為光學上隔離。換言之，在光功率位準 (optical power level)下防止發光二極體13〇在閃光燈模式 下所產生之漫射光（stray light)進入影像感測器1〇5而避免 ❹ 破壞影像品質。習知發光二極體(LEDs)所發射之光通常具 有顯著的角轄散(angular divergence)。此外，當照相打閃光 燈時，發光二極體130之發射光功率位準可顯著高於影像 感測器105之接收光功率位準。因此，閃光燈部分1 %與 影像感測部分140間之光隔離係為必需以防止發光二極體 130所產生之過多漫射光（雜散光）進入影像感測器1〇5。 在實施中’光隔離之提供包括將閃光燈部分135與 ❹汾像感則#为I40以光障壁（optical barrier) 148分隔為光 于上刀離之部分。在一實例中，光障壁可為實體層， 可藉由吸收或反射以阻隔光之傳送。例如，在一晶圓級晶 片尺1封裝製程之實施例中，光障壁148之製作首先在玻 璃覆蓋層120内形成-凹孔(cavity)。接著，上述凹孔内可 塗布塗層（coating)以作為光障壁148。更具體而言，在一 實施例中，切割玻璃覆蓋層12〇之切口係形成一凹孔，其 中塗布了-金屬層。根據所用金屬之特性，該金屬將會光 學上反射或吸收發光二極體(LED) 13G所產生之發射波 7 200939753 長。在切割口形成一金屬層之優點為其製程步驟與晶圓級 晶片尺寸封裝（CSP)相機模組之其他製程步驟可相容。然 而，應可理解為其他可在玻璃覆蓋層120内形成_凹孔: 製程步驟亦可用以取代切割—切口。再者，其他種類之材 料亦可塗布於上述切口内以作為光障壁，例如一種具有不 同材料組成之多層塗層。 擇一形式實施方式’光隔離(0pticai isolation)之提供為 利用折射率之不同以導引來自閃光燈部分135之光線遠離 影像感測部分140。在此實施例中，光障壁148包含—或 多個光導(light guides) ’如光導管（light pipes)。上述光導’ 例如光導管’係利用内反射（internal reflection)來引導光 線。誠如熟習光學領域技術者所知，當光線自折射率較高 之光介質穿越至折射率較低之光介質時會發生内反射，例 如光線自玻璃進入空氣。更具體而言，當入射角大於一臨 界角（critical angle)時全内反射（total internal reflection)即 0 可發生。光導管係利用多重内反射（internal reflection)以導 引光線。經由在閃光燈部分135之玻璃覆蓋層120内形成 一或多個孔洞（凹孔），可使得玻璃覆蓋層120内包含一或 多個光導管以避免發光二極體130所產生之漫射光（或雜 散光）進入相機模組之影像感測部分140。當思及光導管之 手段時，應可理解其目的為在會破壞影像品質之功率位準 (power level)下，防止發光二極體130所產生之漫射光進入 相機模組100之影像感測部分140。因此，光導管之光學 特性可能與理想的光導管稍微差異。特別地是，只要光導 8 200939753 管與其他組件相連而提供充足之光學上隔離，光導管一 學特性可能與100%光學導引（在光導管内部）稍微差s異之光 此，熟習此領域技術者將可理解利用光導弓丨與一實體因 層之組合亦可提供光隔離。舉例而言，如果有額外充八壁 光吸收以降低漫射光（或雜散光）至可接受之程度，則刀2 美之光導引亦可被容忍。上述將可放寬對於光導管之不= 需求，如此全内反射可為非必須。 予 ▲ 圖一係為相機模組100之俯視圖。如圖-路- #1 q — 不，光障 壁148以延伸至相機模組10〇之整體閃光燈部分135附 為較佳。 觚 • 圖二係為相機模組1 〇〇之仰視圖。在一實施中，銲錫 球接觸墊（solder ball contact pads) 117係形成於載體之底 面以使得影像感測器105及發光二極體13〇二者皆與載體 保持電性聯接。例如，某些銲錫球接觸墊之設置可用以同 步化及供電至發光二極體13〇。例如，銲錫球接觸墊邛於 ❹ 球狀柵極陣列（BGA，Ball Grid Array)製程中配置而用以將 相機模組1〇〇設置於一母板（未圖示）。 本發明之一優點為改進了高需求消費性應用裝置之 可製造性，如照相手機。具有整合式閃光燈之可回銲相機 模組利用一般的銲接回銲（solder refl〇w)製程可使得影像 感測器及閃光燈二者皆與母板保持電性聯接。 圖四係為相機模組100應用於照相手機400之示例 圖。相機模組100由虛線所描繪，且可利用如前所述之銲 接回銲製程將其接合至照相手機400之一母板（未圖示）。 9 200939753 就消費者之角度而言，照相手機400之終端使用者即使在 週遭光線條件不佳時，仍可使用同時具有相機及閃光燈之 照相手機以改善影像品質。然而，本發明中具有整合式發 光二極體閃光燈(integrated LED flash)之相機模組丨〇〇減少 了必須組裝之分離單元之數目，亦降低了製作成本。此外， 由於發光二極體(LED)使用相同之晶片尺寸封裝（csp)載 體，亦有可能減小所有組件之總體積，此亦利於小型消費 性裝置之製造。再者’相機模組1〇〇與—銲接回銲（s〇lder ❺ reflow)製程係為可相容以設置影像感測器ι〇5及發光二極 體130於母板，減少了製程之步驟數。 前述之示例係利用發光二極體(LED)作為閃光燈，然 而’須理解本發明亦可使用其他可和影像感測器一同封裝 於晶片尺寸封裝（CSP)載體之高效能微型光源。舉例而言， 業界正積極研究其他類型之光子元件（如半導體雷射}，最 終可能成為白光發光二極體(LEDs)之商用替代方案。 0 前述因說明之目的而採用特定術語以便充分理解本 發明。然而’對熟悉此領域技術者而言，特定之細節明顯 非實施本發明所必須。因此’上述對本發明特定實施例之 描述僅為說明示例之用。然其並非窮舉式之描述亦非用以 限定本發明為所揭露之精確形式；基於上述啟示，很明顯 地’許多修改及變化亦可被實施。選擇並說明上述實施例 以最佳闡釋本發明之原則及其實際應用，以利於其他熟悉 此領域技術者得以對本發明作最佳利用，以及具有各種修 改之各種實施例可適合於特定之預期用途。本發明之範嘴 200939753 以後述之「申請專 【圖式簡單說明;圍」及其等同所述為準。 本發明之詳述纟士人 發明，其申：σ相對應之附圖將更清楚地閣釋本

之可贿實施财具有整合式閃光燈 視圖；料_本發明—實施财上述相機模組之俯 視圖圖=為根據本發明-實施例中上述相機模組之仰 於一手本發明—實施财上述相機模組應用 相同的兀件符號將用以表示各圖中相對應之元件。 【主要元件符號說明】 100相機模組 105影像感測器 1〇6感光影像陣列 110载體 112頂面 114底面 115接觸區 117銲錫球接觸墊 120玻璃覆蓋層 122鏡片元件 11 200939753

130發光二極體(LED) 135閃光燈部分 140影像感測部分 148 光障壁（optical barrier) 400照相手機 12

Claims (1)

1. 200939753 七、申請專利範圍： 1. 一種相機模組，包含： 一影像感測器，位於該相機模組之第一部分以擷取數 位影像；以及 一閃光燈，位於該相機模組之第二部分； 該影像感測器及該閃光燈係設置於一共用載體，其中 該相機模組在光學上隔離該相機模組之該第一部分與 該相機模組之該第二部分。 Ο 2. 如請求項1所述之相機模組，其中該相機模組係為可 回銲相機模組，該共用載體係為晶片尺寸封裝（CSP)載 3. 如請求項1所述之相機模組，其中該閃光燈包括發光 二極體(LED)。 4. 如請求項3所述之相機模組，其中該載體包含分別聯 接至該影像感測器及該發光二極體(L E D)之電性聯接。 5 .如請求項3所述之相機模組，其中該相機模組包含一 玻璃覆蓋層以覆蓋該發光二極體（LED)及該影像感測 器。 6.如請求項5所述之相機模組，其中一光障壁係形成於 13 200939753 該玻璃覆蓋層内以光學隔離該發光二極體（LED)與該 影像感測器。 7. 如請求項5所述之相機模組，其中至少一光導管形成 於該玻璃覆蓋層内以光學上隔離該發光二極體（LED) 與該影像感測器。 8. 如請求項5所述之相機模組，其中該玻璃覆蓋層包含 ® 至少一鏡片元件以供該影像感測器使用。 9 . 一種相機模組，包含： 一晶片尺寸封裝（CSP)載體； 一影像感測器，設置於該晶片尺寸封裝（CSP)載體之第 一部分； 一發光二極體(LED)，設置於該晶片尺寸封裝（CSP)載 q 體之第二部分以作為相機閃光燈；以及 一光障壁，設置於該相機模組中以避免該發光二極體 (LED)在閃光燈模式下所產生之漫射光破壞影像品質。 1 0 ·如請求項9所述之相機模組，更包含一玻璃覆蓋層以 覆蓋該影像感測器及該發光二極體(LED)。 11.如請求項10所述之相機模組，其中利用一晶圓級晶片 尺寸封裝（CSP)製程以形成該玻璃覆蓋層，該玻璃覆蓋 14 200939753 12 13 ❹14 15. ❹ 16. 17. 層包含至少一鏡片元件以供該影像感測器使用。 .如請求項10所述之相機模組，其中該光障壁包括形成 於s玄玻璃覆蓋層内之光障壁。 .如請求項12所述之相機模組，其中該光障壁包括形成 於該玻璃覆蓋層内一凹孔之塗布金屬。 如睛求項12所述之相機模組，其中該光障壁包含至少 一區域，其中係利用内反射以避免該發光二極體(LED) 所產生之光進入該影像感測器。 如請求項12所述之相機模組，其中該光障壁包括形成 於該玻璃覆蓋層内之至少一光導管。 如請求項9所述之相機模組，其中該載體包含分別聯 接至该發光二極體(LED)及該影像感測器之電性聯接。 一種相機模組，包含： 一影像感測器； 一發光二極體(LED)，作為一相機閃光燈； 該影像感測器及該發光二極體（LED)係設置於一共用 晶片尺寸封裝（CSP)載體，其中該載體包含分別的電性 聯接以聯接至該影像感測器及該發光二極體(L E D); 15 200939753 一共用玻璃覆蓋層，覆蓋該影像感測器及該發光二極 體(LED);以及 光隔離，設置於該玻璃覆蓋層内以防止該發光二極體 (LED)所產生之漫射光降低影像品質； 該晶片尺寸封裝（CSP)載體在可回銲相機模組中作為 一基底。 18. 如請求項17所述之相機模組，其中該光隔離包括形成 於該玻璃覆蓋層内之至少一光導管。 19. 如請求項17所述之相機模組，其中該光隔離包括形成 於該玻璃覆蓋層内之一光障壁區域。 20. 如請求項17所述之相機模組，其中該相機模組係設置 於一照像手機内。 2 1. —種形成相機模組之方法，包含： 設置一影像感測器於一晶片尺寸封裝（CSP)載體之第 一部分； 設置一發光二極體(LED)於該晶片尺寸封裝（CSP)載體 之第二部分；以及 在一玻璃覆蓋層内形成光隔離以光學上隔離該第一部 分與該第二部分。 16 200939753 22. 如請求項21所述之形成相機模組之方法，其中利用一 晶圓級製程以形成該相機模組，該方法包含在晶圓層 級形成該影像感測器及該發光二極體(LED)，且切割該 晶圓為個別之相機模組。 23. —種製造具有一影像感測器及一閃光燈之消費性裝置 之方法，包含： 提供一包含一影像感測器及一發光二極體（LED)閃光 ® 燈之可回銲相機模組，其中該影像感測器及該發光二 極體(LED)閃光燈係設置於一共用載體，該可回銲相機 模組光學上隔離該影像感測器與該閃光燈；以及 利用一銲接回銲製程以設置該可回銲相機模組於一母 板。 2 4.如請求項2 3所述之製造具有一影像感測器及一閃光燈 之消費性裝置之方法，其中該消費性裝置係為一照相 手機。 17