TW200938295A - Devices and methods for radiation assisted chemical processing - Google Patents

Description

200938295 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大致上是關於輻射辅助化學處理的裝置和方法 ，特別是增加輻射輔助化學處理之效率的裝置和方法。 【先前技術】 輕射輔助化學處理包含輻射直接作用在反應物種上的 處理例如活化特定部位，或切斷特定化學鍵。輻射輔助化 '0 學處理進一步包含輻射作用在光觸媒材料上，而產生電子 和電洞的處理，這些電子和電洞會重新組合，或維持，或遷 移到材料的表面，在那裡它們有機會跟反應物液體流中的 吸附表面物種反應(例如吸附0,吸附H20,表面0H等)，產生 活性物種(例如〇2-，0H-，H202等)，在反應物中引起想要的 反應。在化學合成，水和空氣純化污染減量等中都可以發 現輕射輔助化學處理的應用。 【發明内容】 〇 本發明包含執行輻射辅助化學處理的裝置，此裝置包 含流體雜，至少-部分由對輻射_化學處理所使用之 ’ 輻射透明之壁板的第一個表面界定出，以及氣體放電或等 離子體室用來產生歸，此室的至少—部分由翻壁板上 跟第一個表面相對的第二個表面界定出。如此，在輻射源 和光觸媒反射區域之間提供非常靠近的聯結。 本發明進-步包麵成_觀應器的方法此方法 包含底下的步驟:提供流體路徑沿著此雜的至少一部八 有非圓形截面，此路徑的至少一部分由對預定之細媒^ 200938295 射透明巧料壁的第一個表面界定出;稀薄塗覆此流體路 徑’以?极其申沉積_媒材料。稀薄塗覆的步驊包括，.將 光觸媒材料沉積在此路徑非圓形截面的第一部分上，但是 不要將7^媒材料沉積在在说徑非圓形截面的第二部分上 ，或者可以從第二部分除去細媒材料;第二部分包含至少 些透明材料壁板的第—個表面。如此，翻^以有效地 進入流體雜，❿落在其巾之細騎綱响表面上。 示於Tm細，職熟知此 技術者可由翻_部份，祕由實施下列綱以及申請 專利範圍以及附圖而明瞭。 人們瞭解先前-般說日月及下淋發曰月實施例詳細說明 預期提供概要或架構以瞭解㈣專利細界定出本發明原 理及雛。含晒將更進—頻供了解本綱以及在 此加入以及構成說明書之一部份。附圖顯示出本發明不同 的實施例及隨同詳細說明以解釋本發B月之原理及操作。 【實施方式】 現在對本發明優先實施例作詳細說明，其範例顯示於 附圖中。儘可能地所有晒中相同的參考數目表示相同 的或類似的元件。 作為輔助完全f 了解本拥，賊騎製造方法多種 兄為有用的，其使彡成本發日肋容所使用之結構。 —為了幫助瞭解非作為限制用途，我們在圖HU中顯 示了一個方法。圖11A-UI顯示在各種玻猶構的形成方、 法中特定步驟和/或替換步驟的截面圖，例如帛一個玻璃結 200938295 S含有第一個通道30形式的單一組通道如圖讪所示而 破璃結構22或28有兩組互補_，第-組通道_二組 ^^0如圖11F或hi所示而/或進—步的玻璃結構^ έ有三或四組通道如圖11G和11H所示。 一 藉由從進料槽(沒有顯示)將玻璃膏球7〇供給到兩個加 ’、、、走轉滾子72和74上可以形成第一個玻璃結構2〇,如圖似 然後將軟玻璃薄片76捲出到有真空管穿過其中的移 缚模78上(真空管沒有顯示在圖中）。薄片％可以在還柔 =時立即由真空成形產生成形薄片80如圖11B所示，藉由真 空重新$製，讓成形薄片8〇的厚度比軟玻璃薄片76降低。、 在緊接著的第二次操作中，可以將第二個軟玻璃薄片拟放 在成形薄片80上方如圖llc所示。第二個軟玻璃薄片82立 2封閉成形薄片80的上表面如圖11D所示在所產生的中間 玻螭結_怖顧_第—蝴道％。如此可以在大約 5到1〇秒這麼短的時間内很快地產生並賴第一組通道30。 —對本發明特別有用的一種玻璃結構，玻璃結構没可以 78除去含有第—組通道3()的中間結構2〇，並將 它放在支架84的反向位置來形成。然後將先前未封閉的互 補通道40用第三個軟破璃薄片86覆蓋如圖HE所示，形成封 閉的第一組通道4〇產生圖UF的玻璃結構22,其含有互補的 ^ ϋϋΙ； 和第二組通道4〇。基本上在沿著制固通道的 母-點上’這兩組通道擁有成形薄片8〇中較垂直部分的共 用壁板，而且它們大致上—起套疊在共同的大致平面容積 內。 200938295 在圖11E和up步驟的另一個實施例中可以使用玻璃 、、’σ構20來封閉如圖所示之成形薄片n的通道，這可以 透^在熱的時候—域造，或者如果需要的話可以將 堆疊並燒結。所產生的通道可以隨意願直 接對準產生11 111的玻璃結構28。 在圖11E和UF步驟的又另一個實施例中，圖UD的第一 個玻璃結構20在還柔軟時，可以跟另一個類似的結齡疊， 鬱 或者如果需要的話這兩部分可以堆叠並燒結在-起，如此 形成圖11G的玻璃結構24,含有第一組通道3〇,第二組通道 40’和第二組通道5〇。如果想要的話，甚至可以用類似的方 法形成更多層的通道，例如進_步堆疊像第—個玻璃結構 20的結構，及/或者以另一個平坦層來封閉開口通道，例如 使用另-個平坦層來封閉結構的開口通道，產生如圖UH所 不的玻璃結構26,使其含有第一組通道3〇,第二組通道4〇， 第二組通道50和第四組通道6〇。 © 針對特定玻璃例如形成7740 Pyrex,在圖11A-11I方法 中的理想處理參數例子為:理想的熱條件通常是將 的玻璃’傳送到650 C的加熱滾子和鑄模上。可以使用脫模 劑，例如^乙炔裂解的毛胚。玻璃薄片越薄，滾子的溫度應 該要越高。為了本發明的目的，通道之間例如通道3〇和4〇 之間的壁板最好可以盡可能地薄而仍然可以提供足夠的 韌性。厚度通常應該薄到可以提供所需要的機械韌性，最 好是2公釐或更少，更好的是丨公釐或甚至〇· 5公釐或更少 。使用此處理可以先捲出並由真空形成薄到〇. 8公釐的薄 200938295 片’如此在成形形狀的底部可以提供低到〇. 2公餐或更少的 厚度。關於圖11A-HI方法及相關方法的更多討論，—可以參 看例如在2004年4月30曰提出的歐洲專利第04291114號申 請案，該專利名稱為 High Thermal Efficiency Glass Micr〇_ fluidic Channels and Methods for Fonning the Same ° 讀者將領會到當使用圖11A-11I所描述的成形處理，或 者牽涉到使用圖11B之單一波狀成形薄片8〇的類似處理，或 〇 者當考慮定義在這類薄片之對立側的通道時，所產生的第 組和帛—組通道3MG是互補的，也就是說它們分享共用 壁板’而且大致上一起套疊在共同的大致平面容積内。底 下織述由圖12A-12D和13A-13C的方法所形成的通道，也 可以疋互補的，如圖12A-12D;或者可以形成更多變的幾何 例如圖13A-13C所示。 圖12A-12D顯示另-個可以用來製造本發明所使用之 、、口構的方法例子。根據圖Ua-d的方法，將玻璃或^_玻璃 ® 材料的薄片從，放在配對鑷模或半鑄模9〇和92之間;這些鑄 模是在廣大的溫度範圍下，由跟玻璃相容的材料形成。鑄 f材料最好是碳’最好是開口孔隙率大約觀或更多的多孔 碳，例如由 Carbone Lorraine 〇f Gennevimers，&隱 製化的2450PT或2020PT等奴墨。像電腦數值控制(CNC) 力，鑽石起问速工，放電加工技術或它們的組合，都可 以用來製造特殊的鑄模表面。鎊模表面的設計，可以根據 所需要的特性來作變動。 脫模劑，最好是碳粉塵，可以選擇性地用在薄片88和/ m 9頁 200938295 或二90和92上。給破璃的薄片88和禱模9〇及& ❸面取好可以施加壓为。這 達成。然後將鎊模90及92，和薄片88 —办熱直到薄 夠軟化以形成鑄模9〇和92 % 讓鑄模90及92’和顯薄片94 一起冷卻從鎊模除去薄= 。然後可以將鑄模薄片94放在玻璃或含玻璃材料或任何 其他適合材料的平面薄片96之間，將此組合黏附在一起，例 如由適當__，使用或不·_來燒結，或者藉由其 他適當的方式。雌生的結構22相當糊11Α_πι 3的姓構 22。如果想要的話，圖12A_12C所形成的鑄模薄片94也如 用來形成相當於圖11A-11I其他結構的結構。 圖12A-12D的方法可以如13A_13C來作修改成為可以 用來形成本發明所使用之結構的另外一種製造方法例子， 使得處理itit 98和_通道⑽未必·。如圖勝谈 ο 不，鑄模90和92未必魏圖12A和12β 一樣是相同或交互穿 插轉，而可以是或多或少獨立的形狀，例如一個是有形 鑄換9〇,而—個是平面鑄模92。如此所產生的鑄模薄片94， 可以含有形成在-或多個表面上的隔板或壁板。由圖’ 13A-13C方法所形成的通道不必形成在單—薄片的對立側， 而可以形成在兩片未必相同的顧薄片94之間然後由適 當的黏合劑，使用或不使用峨結，或使用其他適合的方 式接合在-起使得隔板或壁板1〇2隔開處理通道98和鄰接 通道100如圖13C所示。 類似對圖12及13所說明相關處理過程之詳細說明可發職 第10 頁 200938295 例如2007—年2月28日歐洲專利第07300835號申請案中，該專 祕蘇_ Method f0r 脇呢 MlCIOiluHicrKv^s ' and Devices Produced Thereof,以及歐洲專利第 〇73〇〇836

Methods for Foiling Compositions

Containing Glass。 根據本發明，在裝置中使用互補通道的例子顯示在圖i 的平面圖中，這可以視為沿著圖11F或nG中的雜取得的 φ 截面。 圖1顯示根據本發日月之裝置10的簡單平面圖，可以用來 執行輕射輔助化學處理。裝置10包含第一_第二組互補 通道12和14分別對應第一組通道3〇(現在看到的是一個通 C12)和第一組通道4〇(财翻的是一個通道⑷。通道 mi 一部分是由在形成成形通道8〇時，原始成形的或 :==2體rr 通道™ 。/方㈣、、，徒供體進入通道12,如此形成流體雜13 、運14的末端可以配備電極17和19,包含適合產 __絲物，如此形成氣體放電 瞭解的，玻璃細的第一表面 ㈣至少:盼界定同時玻璃壁板32的第二表 積内的氣峨^離^。減射15触了在某一體 Λ八 離子體放電室，對應於通道14,至少一 心由透板32的第二表⑽嫩此翻細2同時 第11頁 200938295 也界定出至少-部分流體賴…這允許非常直接而有效 地經由_顧涊放電室15中所產生飯織路 徑13中，如圖1的箭頭38所示。 其他通道構造也可以使用，包括其他互補通道構造，例 如圖2實施例所示的構造。對於更奇特形狀的放電室，例如 圖2的放電i 15,可以使用超過兩個電極，或者可以將室再力口 以細分，或者想要的話，放電室15巾的氣體可以由外部激發 〇 .纟财絲結合齡配置的獨，或者iim他適合的

方式。當使用結構成形處理具有足夠彈性，例如圖13A_13C 的成形處理可以使用非互補的通道結構。這種非互補通道 的例子顯示在圖3巾，其巾處理或反應物通道98，跟三個各別 通道100整合在-起，這三個通道形成室來產生輕射 雜的配置當然也是可行的。 圖4-7顯示本發曰月各種實施例的簡單截面圖，有各種數 目的通道組合和各種通道配置。在每種情況中，裝置1〇所包 鬱 含的流體路徑13都至少部分由透明壁板32的第一個表面34 界定出；氣體放電或等離子體放電室15配絲產生輕射輔助 化學處理所使關紈域室15攸少—部分由透明壁板 32跟第一個表面34相對的第二表面36界定出。 在圖4顯示的裝置10實施例中流體路徑13配置在第一 組流體通道12内’緊密喊接到配置在跟第一組12互補之 第二組趙通道14内的放電室15。流體路徑13和放電室15 形成在呈波狀玻璃薄片33形式之壁板32的對立表面上。如 13和放魅15的緊密結合，讓輻射辅助 第12頁 200938295 峨射可啸容纽有效賴電室15前 進到=13,如圖w的箭頭所部分顯示的。… ❿ Φ 右歩番^步參考圖4~?實施例，將第一個反射塗層42放置 屬碰魅要外表面上。驗層可奴金屬膜或金 、，’I電或介電多層塗料，或任何其他適當的塗層可 :二文地將輻麵助化學處理所使用的輻射反射回到裝置 内。Ρ。最好，在襄置1〇的另一個主要外表面上有第二 i反射塗層44,同樣有效地將輻射輔助化學處理所使用的 輕射反射回概置10的_。 ，圖5的實施例中，有第-組通道12和第三組通道12a， ^中每—個都包含流體贿12,12a。流體雜12,12a可以 疋獨立的，或者可以㈣或並聯接合在_起，視需要而定。 目别較好的是將它辦聯接合卩赴較大的錢雜和/ 或較長的反應時間。在這個實施例中，第一個反射塗層42 配置在非平坦表面上，但是仍然可以有效地將所需要的輻 射反射回到裝置10中。 如圖6的實施例所示，本發明的基本原理可以很容易地 擴展到甚至三層的裝置如圖4所示。在圖6的實施例中，三 組通道12,12a，和12b形成流體路徑13,13a，和13b，穿插著 开>成一或多個放電室15,15a，和15b的三組通道14,14a，和 14b。跟圖5的實施例一樣，這些通道組可以串聯或並聯互 連，視需要而定。根據本發明的另一個實施例，如同底下參 考圖8和10所說明的，由於在通道12,12a和12c内放置觸媒 材料，因此到達流體路徑13的輻射會比路徑13a和13b的還 第13 頁 200938295 =® 6 __頭所示。為了這個原因最好可以在處 理的一開麟最後;賓是中間階段將反 :供應，其決定於此處理的哪一個部分可以從較大= T獲利。

φ 在圖7顯示的實施例中，流體路徑13和放電室15是形成 在平坦玻璃翱35柄是呈波狀籼形式之透板32的 對立表面34,36上。在應用光觸媒材料的實施例中結構的 曲率最好可以經過選擇，讓反射層42,44可以將放電室15的 輻射聚焦到位在流體路徑13内表面上的細媒材料上。 在本發明所有裝置中，流體贿最好具有有限的截面， 讓流過其中的反應物可以得到完全的照射。流體麵最 大截面財最岐2公錢更少，肤的是1公分或更少，最 理想的是〇. 6公分或更少。 圖8是根據本侧的另一個裝置實施例，應用細媒材 ，來作細媒化學處理。圖8 置相當於圖4的裝置，但 疋加入細媒材料’關8所顯示的結獅當於圖4部分截 面的放大圖。如圖中所示，在這個實施例中，細紐料妨 放置在流體路徑13,13a内表面的至少一個或多個第一部分 1上。流體路徑13,13a的内表面也包含一個或多個第二部 刀48,其中不含或含比第一部分47還少的細媒材料吼因 此第二部分48對所使用的輕射比第一部分47還要透明。如 圖8可以看見第二部分48包含内壁的平坦部分以及内側 壁板的凸面部分64(凸向内部）。或多或少不含觸媒的一個 或夕個第二部分48,允許輻射進入流體路徑13,13a中使得 第14 頁 200938295 流 射 這種有利之_媒材料的不均勻塗層$放置可以藉由 在至少-部分路徑上含有非圓職面的流體雜來提供， 此路徑的至少-部分由對預定細媒輻射透明之材料壁的 第-個表面界定a。織將歧體雜_塗覆以便在 其中沉積細媒材料。_塗韻步驟包含將_媒材料 沉積在此路徑非圓形截面的第一部分，而不將棚媒材料 >儿積在此路控非圓形截面的第二部分，或者可以從第二部 分除去細媒材料。其中第二部分包含至少-些透明材料 壁板的第一表面。 — ， ❹ 藉由選擇類似這裡所顯示之實施例的流體路徑，這項 工作可以很容易達成，其中流體雜含有包含平坦部分的 非圓職面。—塗本f上不纽齡赫麵的平 坦邛分上，或只會沉積得更薄。或者，如果首先將稀薄塗覆 "L積得很濃厚然後部分除去它會從路徑的平坦部分更快 除去。凸面(向内部)部分在沉積時也吸引較少稀薄塗覆， 而在蝕刻時則更早釋放塗層。藉由在第二部分或其附近提 供光觸媒輻射源可以讓流體路徑内之光觸媒材 物的表面_錄的騎。 ⑽應 圖14和15是圖8另一個實施例的載面圖。在圖14和15 中’光觸媒材料46是薄膜細媒材料的形式，而不是圖8的 薄塗層光觸媒材料。薄膜材料可以由任何各式各樣的薄膜 技術來沉積，例如蒸發，喷濺，化學蒸氣沉積，等離子體輔助 第15 頁 200938295 化學蒸氣沉積，浸塗，等等。在圖14中，薄膜辆媒材料肋 配ϊ在流體路徑t3,13ar的所有内-表面上。在這偭實施何中 ，光觸媒材料的厚度要選擇得夠薄，使得預定的輻射可以部 分傳過此薄膜到足夠的程度，讓流體路徑13和版的所有内 表面都可以被輻射適當照射。相反的，在圖15的實施例中， 薄膜光觸媒材料46只沉積在通道壁内表面的第一部分上 ，而不在第二部分48上。圖15的實施例跟圖8不同，刀在圖15 « 中上方通道12a的第一部分47跟下方通道12不同。在下方 通中，通道内表面的平坦表面是光觸媒材料沉積的第 一部分47’而在上方通道i2a中，通道内表面的凹和凸面部 分是光觸媒材料沉積的第一部分47。這可以讓圖14和15中 箭頭所指的方向得到完全的照射，並且也容易沉積薄膜材 料。 薄膜材料可以在結合併黏合在一起，形成類似圖14或 圖15的裝置之前，沉積在平坦或波狀基板上。這可以藉由 G 在平坦或波狀片形成之後，分別將它們冷卻，然後用薄膜光 觸媒塗覆所需要的表面來達成。然後可以將各別的平坦或 波狀基板結合在一起，並透過燒結或其他適當的方法黏合 起來。 本發明之光觸媒處理的又另一個實施例，顯示在圖9中 。在圖9的實施例中裝置的玻璃結構内沒有配備放電室， 而疋在這個貫施例中所有通道組和12a都用來作為反應 物的流體路徑13和13a。再次地雜13和13a能夠以串聯 或並聯設計使用。 第16 頁 200938295 在圖9的實施例中，執行光觸媒作用的輻射是由外部平 面輻射源52和54束提供。這些可以採用奪離 射器’二極體或雷射二極體陣列，或其他適合來源的形式。 如果需要的情況下，光源54可以選擇性地由虛線輪^斤示 的反射塗層42來取代，提供來自絲52解侧_。在圖9 的實施例中，光觸媒材料最好使用跟圖8 一樣的分佈不過 材料放置在每個通道12,12a中。結果顯示在圖1〇中，這是 圖9 一部分截面的放大圖。來自光源52, 54的輻射可以很容 易進入流體路徑12,12a，如圖中箭頭所示，因為在流體路徑 内表面的一個或多個部分48不含光觸媒材料46，包括鄰接 先源52，54的平坦ι部分62。

本發明的裝置和方法讓預定輻射有效地傳送到微通道 中作化學處理，同時也控制稀薄塗覆沉積以傳送預定的輻 射这些裝置和方法具有特定的效用，可以執行各種化I 處理，例如非限制性之有機和無機合成，污染減量，水和空 氣純化等。 ， 在光觸媒作用中，光觸媒可以用在有機污染物的溶解， 以及有機合成的處理上。在化學處理中，光觸媒作用通常 用來促進分子的功能性，從較低值的反應物獲得高值分子 。由於作業條件非常溫和（室溫或稍微高於室溫的溫度)， 增進了潛在的選擇性，讓合成變得吸引人。例如，將環己烷 選擇性氧化成環己醇和環己網，就是通常應用光觸媒作用 的反應參看例如 Ken-Ichi Shimizu 等人的 Applied Catalysis A:General 225 (2002) 185-191。線性烧基稀烴也可以使 200938295 用細媒作用L以分子氧作為氧化劑來直接環氧化，而卜己 烯:以使用Ti02和顯-細；-涵匕成，其 產能是消耗1-己_ 79%(參看Michi〇

Matsumura 等人， J〇u_ 〇f Catalysis，176, 76_81 (臓)）。 e

雖然利用紫外線照射之二氧化鈦為共同優先之細媒 系統，原則上許多材料可利用肩如列於底下表j情況。 表I 材 ~^ 1 ,,, 帶間隙(eV) A(nm) ^ Ta^~ 886 GaAsP 2.3 551 GaP 2.3 551 CdSe 1.7 730 CdS 2.5 496 ZnO 3.2 388 W03 3.2 388 Sn〇2 3.8 327 Ti〇2 (銳錐石） 3.2 388 『1〇2(金紅石） 3.0 414 SiC 3.0 414 ZnS 3.7 335 SrTi〇3 3.2 388 Nb205 3.4 365 Fe203 2.2 ------- 564 如表中所示，適當輻射波長跨越可見光頻譜以及延伸 至其上方及底下之波長。 當輻射辅助化學處理不使用細媒時，輻射波長的選 擇要使得光子能量值匹配所選擇之反應物或反應物特定部 位的活化能。波長也可以選擇成讓光子能量值匹配在預定 200938295 之化學處理步驟期間最好應該斷裂續結的鍵能。 所提出之此項發明裝置的所有實施例來說 ，玻璃及/或含玻璃材料，例如填充玻璃玻璃陶兗諸如此類 疋較優先的，但是其他材料也可以有利地使用其決定於預 定的應肋及所需麵翻度。例如，對於某些波長來說， 陶瓷材料可能是吸引人的透明壁板材料。 要注思的是，雖然這些實施例的複雜度和尺寸都有限， 但是藉由增加成形處理所使用之薄片的表面積以及藉由 堆疊如圖11H的組成結構，本發明的方法可以用來建立含有 數百或數千個通道的相當大裝置。目前的方法可以用來形 成公尺-長度的波狀玻璃薄片。 熟知此技術者瞭解本發明能夠作許多變化及改變而並 不會脫離本發明之精神及範圍。預期本發明含蓋本發明各 種變化及改變，其屬於下列申請專利範圍以及同等物範圍 内。 【圖式簡單說明】 圖1為依據本發明使用於輻射輔助化學處理一項實施 例裝置之平面圖。 圖2為依據本發明使用於輕射輔助化學處理另一項實 施例裝置之平面圖。 圖3為依據本發明使用於輻射輔助化學處理另一項實 施例裝置之平面圖。 圖4-7為依據本發明使用於輻射辅助化學處理各別實 施例裝置之斷面圖。 第19 頁 200938295 圖8為本發明細媒化學處理過程另一實施例之斷面 圖厂其相當於圖4部份斷面之放大圖—。―.....................——--—- 圖9為依據本發明使用於糊媒化學處理過程另一實 施例裝置之斷面圖。 圖10為圖9部份斷面之放大圖。 圖11A-1II為在依據本發明使用於成形裝置中成形各 種結構方法巾狀及/或賊娜之斷面圖。 p 圖12A-12D為在依據本發明使用於成形裝置中成形各 種結構另—方法中特定及/或替代步驟之斷面圖。 圖13A-13C為在依據本發明使用於成形裝置中成形各 種結構另-方法巾特定及/或替代步驟之_ ®，該方法 為顯示於圖12A-12D中方法之變化。 圖14及15為本發明光觸媒化學處理過程其他實施例 而類似圖8實施例之斷面圖，但是使用薄膜光觸媒材料而 非薄塗覆光觸媒材料。 參 【主要元件符號說明】 裝置 10;通道 12,12a, 12b, 14,14a，14b;流體路經 a ’ 13a, 13b;氣體放電室15,15a，15b;輸入瑋16;電極I? 19;輸出埠18;玻璃結構2〇, 22,24,26,28壁板32· 波狀玻璃薄片33;第一個表面34;平坦玻璃薄片35.第二 表面36;箭頭38;通道30,40,50,60;反射塗層42,44.光 觸媒材料46;第一部分47;第二部分48;平面輻射源& 54;平坦部分62;凸面部分64;玻璃膏球70;旋 ，74;軟玻璃薄片76,82,86;移動鑄模78;成形薄片8〇.支 第20 頁 200938295 架84;薄片88;半鑄模90, 92;鑄模薄片94;平面薄片96; 處瑝通道98;鄰接通道100;壁板102。_ ...............

第21 頁

Claims (1)

1. 200938295 十、申請專利範圍： 1. 一種實施輻射輔助化學處理過程之裝置，該裝置包含： 々丨L體路徑，至少一部分由對輻射輔助化學處理所使用輻 射透明之壁板的第一表面界定出；以及 氣體放電或等離子槽室，用來產生輻射輔助化學處理所 用的輻射，此槽室的至少一部分由透明壁板上跟第一表面 相對的第二表面界定出。 ® 2.依據申請專利翻第1項之裝置，其中更進-步包含反射 ' 性塗膜於裝置之主要外侧表面上，以有效向後反射輻射朝 向裝置之内部。 3·依據申請專利細第1項之裝置，其中更進一步包含反射 性塗膜於裝置之至彡兩個主要外侧表面上，以有效向後反 射幸虽射朝向裝置之内部。 二依據申明專利細第卜3項之任何一項|置，其中流體路 额及槽室形成概浪狀魏姆表面上。 • 5.依射請專利細第卜3項之任何—項裝置，其中流體路 如及槽t形絲平域板姆表面上。 依據申叫專利範圍第1 一3項之任何一項裝置，其中流體路 杈最大斷面尺寸為小於1公分。 7.依據申5青專利範圍第1 一3項之任何一項裝置，其中流體路 徑最大斷面尺寸為小於或等於0.5mm。 8 ‘依巧申請專利範圍第1項之裝置，其中流體雛更進-步 包3 /專膜光觸媒材料位於至少流體雜第一部份内部表面 上。 第22 頁 200938295 9·依據申請專利範圍第1項之裳置，其中流體贿更進一步 包3稀薄塗福涵碌材料位於至少流體路徑案一部份内部 表面上。 σ 10. 依據申請專利細第8或9項之裝置其中流體路徑包含 第二部份，其中不含或含比第一部分還少的她某材料第 一部分對於輻射比第一部分還要透明。 11. 一獅成光觸媒反應器之方法，該方法包含底下步驟：

   提供流體路徑，沿著此路徑的至少一部分有非圓職面 此路徑的至少一部分由對預定之細媒輻射透明切料壁 板的第一表面界定出； 稀薄塗覆此流體路徑以在其中沉積_媒材料； 稀薄塗覆的步驟包括將細媒材料沉積在該雜非圓形 戴面的第-部分上，但是細媒材料並不沉積在此雜非 ，形截面的第—部分上，或者由第二部分除去細媒材料， 第二部分包含至少一些透明材料壁板的第一表面。 12.依射請專利細第u項之方法其中更進一步包含光 觸媒輻射光源位於或接近於路徑非圓形斷面之第二部份。 13·依射料·_ n或12奴綠射祕流齡 從之步驟包含提供具有平坦部份之非圓形_的流體路徑 ，以及其中稀薄塗覆的步驟並不包括沉積細媒材料於至 )-些平坦部份上，或由至少一些平坦部份去除細媒材 料。 14依據申請__第11或12項之方法，其中提供流體路 徑之步驟包含提供具有凸出部份之非圓形斷面的流體路徑 第23 頁 200938295 ，以及其中稀薄塗覆的步驟並不包括沉積光觸媒材料於至 少一些缶虫部份土，或由至少一些凸出部份去除光觸媒材 料。

   第24 頁