TW200933761A - Molded sensor package and assembly method - Google Patents

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TW200933761A
TW200933761A TW097141761A TW97141761A TW200933761A TW 200933761 A TW200933761 A TW 200933761A TW 097141761 A TW097141761 A TW 097141761A TW 97141761 A TW97141761 A TW 97141761A TW 200933761 A TW200933761 A TW 200933761A
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TW
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cup
substrate
molded
moldable material
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TW097141761A
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Dipak Sengupta
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Analog Devices Inc
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Description

200933761 六、發明說明： |[發明所屬技術领域3 發明領域 5 10 15 ❹ 20 本發明大致係有關於封裝體，且尤其係有關於模製 MEMS感測器及/或模製影像感測器封裝體。
【先前技J 發明背景 各種不同的應用使用感測器系統來檢測一基本物件的 移動或者一物質或狀況在一特定環境是否存在，諸如檢測 光、壓力、濕度、聲音及氣體的感測器。例如，壓力檢測 器可用於汽車、醫學、航空航太及航海應用中。使用微機 電系統(MEMS)裝置的感測器越來越多地被用於此類應用 中，因為它們的尺寸相當小且能夠檢測被測項目中相當小 的量或變化。類似地，使用影像感測器的感測器（例如用在 數位成像中的電荷耦合裝置(CCD)或互補式金屬氧半導體 (CMOS)影像感測器）越來越多地被使用，因為它們的尺寸 相當小且能夠檢測被測光中相當小的量或變化。 MEMS裝置通常使用形成一或多個固定不移動結構的 一可移動塊體或彈性膜片。例如，該可移動塊體可以懸掛 在一基體上方的一平面中或者該彈性膜片可以在該基體上 形成且可相對於該基體移動。由於所包含的機械移動結構 與通常所需的裝置敏感度，MEMS裝置一般被一杯狀物結 構覆蓋來保護該MEMS結構，使其免受可能影響該裝置作 用的危害物損壞，例如免受氣體、微粒、濕氣等的損壞。 3 200933761 然而，對於一些感測器而言，例如化學、壓力、濕度及/或 溫度感測器，為了正確地工作，該感測器的一部分需要/ 直保持暴露在周圍或環繞的大氣中。然而，在影像感測器 中’ 一玻璃蓋通常覆蓋該成像裝置結構（例如該cco或 5 CMOS裝置），藉此該感測器的一部分允許光進入感測器晶 粒表面以便正確地作業。 MEMS或成像裝置通常安裝或固定在封裝體内。這些 封裝體可以保護該裝置並允許從該裴置到其他元件或系統 的電氣連接。目前用於一些保持暴露在周圍大氣中的 10 MEMS裝置的一種類型的封裝體是預模製引線架封裝體。 這些類型的封裝體通常包括一預成形或預模製的外殼，該 外殼具有壁，該等壁的底部圍繞著一引線架形成了一空 腔°而該等電氣連接常常透過該外殼的該等壁來提供且該 裝置在該空腔的底部耦接至該引線架。因此，預模製引線 15架封裝體通常需要一勞動密集型的定制組件來在該預模製 封裝體空腔内安裝該等個別元件，因而製造的成本相當高。 【明内.容 發明概要 根據本發明之一實施例，一種用於形成一模製感測器 2〇的方法包括提供具有一感測器及耦接至該感測器之—部分 的一杯狀物的一感測器元件’該杯狀物具有一開口而形2 -内部區域。該方法進—步包括堵塞該杯狀物中的該開 口 ’以及圍繞著域測！I組狀—部分及—基底之—部分 模製-可模製材料，藉此該可模製材料輕接至該感測器元 200933761 5 ❹ 10 15 e 20 件及該基底’該内部區域中實質上沒有該可模製材料。 根據相關實施例，該方法可進一步包括提供一積體電 路晶粒’藉此該積體電路晶粒介於該感測器元件與該基底 之間，以及將該積體電路晶粒電氣耦接至該基底，其中該 可模製材料被進一步圍繞著該積體電路晶粒之一部分模 製，藉此該可模製材料耦接至該積體電路晶粒。該感測器 可以是一MEMS感測器或一影像感測器。該杯狀物中的該 開口可以形成於將該杯狀物耦接到該感測器的該部分之前 或之後。該感測器元件可以包括多數個感測器及多數個杯 狀物，一杯狀物耦接至每一感測器的一部分，該等多數個 感測器及該等多數個杯狀物形成一陣列。該方法可進一步 包括將該陣列分割成多數個模製感測器，藉此每一模製感 測器包括該可模製材料中的至少一感測器、至少一杯狀物 及一基底。該基底可包括—引線架或具有通孔的一疊片層 狀材料。該方法可進—步包括在模製該可模製材料之後， 除去該杯狀物中的該開口的堵塞物。 。根據本發明之另一實施例，一種用於形成一模製感測 I的方法包括提供具有—制器及_至該感測器之-部 的杯狀物的-感測器元件，該杯狀物形成一内部區 —“方法可進—步包括圍繞著該感測器元件之—部分及 土底之心模製_可模製材料，藉此該可模製材料輛 亥感測器疋件及該基底，該内部區域中實質上沒有該 可模製材料，以及在該杯狀物中形成一開口實質 根據本發明之相關實施例，該方法可進一步包括提供 5 200933761 盘積體電路晶粒，藉此該積體電路晶粒介於該感測器元件 ”該基底之間’以及將該積體電路晶粒電㈣接至該基 底^中该可模製材料被進—步圍繞著該積體電路晶粒之 :部刀模製’藉此該可模製材料_至該積體電路晶粗。 5該感測器可以是一細⑽感測器或一影像感測器。該感測 器，.且件可包括多數個感測器及多數個杯狀物，一杯狀物柄 接至每-感測器的-部分，該等多數個感測器及該等多數 個杯狀物形成一陣列。該方法可進一步包括將該陣列分割 成多數個模製感測器’藉此每-模製感測 器包括該可模製 ίο，料中的至少—感測器、至少—杯狀物及—基底。該基底 可匕括弓I線架或具有通孔的一叠片層狀材料。該開口< 以以一雷射消熔過程來形成。 。根據本發明之另—實施例，—種模製感測器包括一感 測器、耗接至該感測器之一部分的一杯狀物，該杯狀物具 15有Μ 口而形成一内部區域，以及輕接至該感測器、該杯 狀物及該基底的-可模製材料，藉此該可模製材料將該感 測器之一部分、該杯狀物之一部分及該基底之一部分封裳 起來，該内部區域中實質上沒有該可模製材料。 根據本發明之相關實施例，該模製感測器可進一步包 2〇括搞接至該感測器及電氣耦接至該基底的一積體電路晶 粒，藉此該積體電路晶粒介於感測器與該基底之間，其= 該可模製材料被進-步耗接至該積體電路晶粒而進一步將 該積體電路晶粒之-部分封裝起來。該感測器可以是〜 MEMS感測器或-影像感測器。該基底可包括—引線架或 200933761 具有通孔的一疊片層狀材料。 ^ 圖式簡單說明 參考附圖，從以下對本發明的進一步描述中將更全面 地瞭解到其上述優點，其中： 5 第1圖概要地顯示根據本發明之說明性實施例的一模 製感測器系統； 第2圖概要地顯示根據本發明之說明性實施例沒有模 製材料的一模製MEMS感測器的一截面圖； ® 第3圖概要地顯示根據本發明之說明性實施例的一模 10 製MEMS感測器的一截面圖； 第4圖顯示根據本發明之說明性實施例的形成一模製 MEMS感測器的一流程； 第5圖概要地顯示根據本發明之說明性實施例的一模 製影像感測器的一截面圖； 15 第6圖顯示根據本發明之說明性實施例的形成一模製 影像感測器的一流程； W 第7圖概要地顯示根據本發明之說明性實施例的一模 製感測器陣列的俯視圖；以及 第8圖概要地顯示根據本發明之說明性實施例的第7圖 20 沿著線A-A的一截面圖。 C實施方式3 較佳實施例之詳細說明 本發明之實施例包括一模製MEMS感測器及/或一模製 影像感測器封裝體以及使用一模製材料將該等結構模製在 7 200933761 一起的組合方法。該模製過程允許製造多個感測器陣列， 之後該等多個感測器陣列可以形成個別模製感測器（例如 利用裝置切割成單顆(singulatiQn)，諸如晶圓㈣），從而提 供一種低成本高產量的封裝方法。實_包括將娜應 5感測器或影像感測器模製到諸如引線架或具有通孔的疊片 層狀材料的-基底上，該疊片層狀材料有如FR4、聚雙酿胺 疊氮(BTresin)、彈性聚醯亞胺或喊材料。下面討論說明 性實施例的細節。 儘管以下討論描述了形成一模製M E M s感測器或模製 10影像感測器的各種相關步驟，但是沒有描述所有必需的步 驟。其他處理步驟也可以在該等所討論步驟之前、期間及/ 或之後被執行。如果被執行的話，為簡單起見，此類步驟 已被省略。該等處理步驟的順序也可以變化及/或組合。因 此，一些步驟可能沒有被討論及顯示。 15 第1圖概要地顯示根據本發明之說明性實施例的一模 製感測器系統。該模製感測器系統包括搞接到一基底12的 一模製感測器1〇(例如模製MEMS感測器或模製影像感測 器）。該基底12可以是任一將該模製感測器10連接到其他元 件及/或系統的板、晶片、材料等(例如印刷電路板、晶片載 20 體、引線架、諸如FR4、BT resin、彈性聚醯亞胺或陶瓷材 料之具有通孔的疊片層狀材料）。該模製感測器系統及/或其 上的一或多個模製感測器1〇可以透過某個互連媒介與一中 央電腦（未被顯示）通訊。儘管第1圖中只顯示一單一模製感 測器10，但是該模製感測器系統可以包括多數個耦接至該 200933761 基底12的模製感測器ι〇。 第2圖及第3圖分別概要地顯示不帶有模製材料及帶有 模製材料的一模製MEMS感測器10的一載面圖。第4圖顯示 根據本發明之說明性實施例的形成一模製MEM S感測器的 5 一流程。參見第2〜4圖，形成該模製MEMS感測器10的該流 程開始於步驟100，步驟100提供一感測器元件。該感測器 元件包括具有MEMS結構（未被顯示）的一 MEMS感測器14 以及耦接至該MEMS感測器14的一部分的一杯狀物16。該 ® 杯狀物16可被放置在該MEMS感測器14上，藉此該杯狀物 10 16接觸該MEMS感測器14的那部分圍繞或限制形成在該 MEMS感測器14上的一或多個MEMS結構。該杯狀物16也可 以被放置來圍繞形成在該MEMS感測器14上且耦接到該 MEMS結構的電路。該杯狀物16在該杯狀物16的内表面16a 與具有該MEMS結構的該MEMS感測器14之表面14a之間形 15 成一内部區域18。如此’所形成的該區域18献鄰或圍繞在 該MEMS感測器14上形成的該MEMS結構。 ^ 該杯狀物16可以包括一孔或開口 20，環繞或周圍的大 氣可以經由其進入該内部區域18。這允許該MEMS結構暴 露在圍繞著該MEMS感測器14的大氣中。因此，該MEMS 20感測器14可以是任一需要暴露在周圍大氣中的感測器，例 如化學、壓力、濕度、溫度感測器。類似地，該MEMS結 構可以是形成在一基體上且可相對於該基體移動的一彈性 膜片或者懸掛在一基體上方的一平面中的一可移動塊體， 如該領域中那些技術人員所熟知的。 9 200933761 該杯狀物16可以使用為該領域中那些技術人員所熟知 的黏合技術來耦接到該MEMS感測器14的一部分，例如金 屬黏合、黏合劑黏合、玻璃質黏合。該杯狀物16可以由矽、 玻璃或其他材料形成。可以在附著到該MEMS感測器14之 5前或之後，在該杯狀物16中形成該開口 18。例如，可以在 附著之前使用為該領域中那些技術人員所熟知的標準圖案 成形或製造過程(例如，諸如反應性離子蝕刻或雷射鑽孔之 光刻與蝕刻技術）來移除該杯狀物16的一選定部分而在該 杯狀物16中形成該開口 18。例如，可選擇地，可以在附著 10之後使用一雷射消熔來移除該杯狀物16的一選定部分而在 該杯狀物16中形成該開口 18，如該領域中那些技術人員所 熟知的。當該開口 18是在附著之後被形成時，該開口 18可 以在一模製過程之前或該模製過程之後形成，如下面被較 詳細地討論的。 15 在步驟120中，該感測器元件14、16可以使用為該領域 中那些技術人員所熟知的黏合技術（例如導電或不導電環 氧樹脂、金屬焊料等）來耦接至一基底22。該基底22可以是 允許其上的組合層體電氣連接到另一元件及/或系統的任 何材料或層體，如第1圖中所示之該基底12。例如，該基底 20 22可以是一引線架或者具有通孔的一疊片層狀材料，諸如 包括FR4、BT resin、彈性聚醯亞胺或陶瓷材料的一層狀材 料，如該領域中的那些技術人員所熟知的。例如，如第2圖 及第3圖中所示，一引線架基底22可以包括各種金屬區以以 及不包括金屬的開口區26。此外，該基底22可以包括該等 200933761 金屬區24與該等開口區26接觸的一底墊材料28，該底墊材 料28在與該感測器組件丨4、16耦接至該基底22之表面相反 的表面。該底墊材料28可以是一臨時層體，其隨後在進一 步處理該模製MEMS感測器10之後被移除，如下面被較詳 5 細描述的。 ❹ 一或多個層體也可以使用該領域中那些技術人員所熟 知的黏合技術來耦接到該基底22。例如，包括有諸如特定 應用積體電路(ASIC)之一積體電路(1C)的一晶片或晶粒32 可以耦接到該基底22，這樣該感測器元件14、16可以附著 10 在該1C晶粒32上。儘管該1C晶粒32被顯示介於該基底22與 該感測器元件14、16之間，但該1C晶粒32可以緊鄰著該感 測器元件14、16(例如並列式多晶片模組組態）及/或介於該 基底22與該感測器元件14、16之間（例如堆疊式晶粒組態）。 在步驟130中，該感測器元件（例如該MEMS感測器14 15 及/或該杯狀物16)可以使用諸如引線以及焊線或焊料凸塊 之一電氣連接體30電氣連接到該基底22。該電氣連接體30 將該MEMS感測器14及/或該杯狀物16連接到該基底22上的 一導電區域，如一引線架上的金屬區24。可堆疊在該基底 22上的其他層體(例如在並列式組態或堆疊式晶粒組態中） 20 也可以電氣連接到該基底22。例如’如第2圖及第3圖中所 示’該電氣連接體30將該1C晶粒32連接到該基底22上的一 導電區域，如該引線架上的另一金屬區24。儘管該連接體 30被顯示為引線，但是這僅僅是出於說明之目的，其他類 型的連接體也可以將該（等）感測器14及1C 32電氣連接到該 11 200933761 引線家中的該金屬區24，以便將它們電氣連接到該基底 22 ’如該領域中那些技術人員所熟知的。 在步驟140中，一旦制出從該等附著層體(例如該mEms 感測器14、該杯狀物16、該1(：晶粒32)到該基底22的該（等） 5期望的電氣連接體，一可模製材料34就接觸到該等組合層 體的一部分及該（等）電氣連接體30且在一模製步驟中將它 們模製在一起。第2圖及第3圖分別顯示該模組步驟之前及 之後的該模製MEMS感測器1〇。如第3圖中所示，此過程將 每一組合層體及該（等）電氣連接體30封裝起來。該可模製材 10料34可以進入或流入該基底22的開口區26。如果一底墊材 料28被用在該引線表面上，則該底墊材料28可以實質上防 止該可模製材料34超過該等開口區26而接觸到該基底22的 另一表面，例如與該等層體(例如該MEMS感測器14、該杯 狀物16、該1C晶粒32)所耦接至的該表面相反的該表面。 15 在該模製過程之前及期間，一栓塞或柱塞（未被顯示） 可被臨時提供在該杯狀物16的該開口 20處（如果已形成— 開口的話）’這是為了堵住該開口 20且實質上防止該可模製 材料34進入該内部區域18而接觸到該MEMS結構。如該領 域中那些技術人員所熟知的，該柱塞製程可以使用商業上 20 可得的製程及處理來將一選擇性晶粒表面與一模具入口隔 離。該柱塞也可以覆蓋該杯狀物16的一部分（例如表面 16b)，藉此該可模製材料34實質上不會漫過或接觸到該杯 狀物表面16b。因此，該杯狀物表面16b實質上與該可模製 材料34的表面34a持平。在該可模製材料34已經在該模製過 12 200933761 5 Q 10 15 ❹ 20 程中將該等元件難在—起之後，餘隸從關口 20(如 果已經形成的話)及該杯狀物16的任一部分移開，而不堵塞 。亥杯狀物16中的該開口 2〇且不覆蓋該杯狀物表面16b。如果 該開口 20之前還未形成，則該開口 20可以在該柱塞從該杯 狀物表面16b移開之後形成。此過程允許該内部區域18實質 上沒有該可模製材料34。該可模製材料34可以是用於將元 件模製在一起的任一不導電材料，諸如熱固性或熱塑性聚 合物材料，如該領域中那些技術人員所熟知的。類似地， 任一模製過程可被用以圍繞著該感測器組件14、16、該Ic 曰曰粒32及該基底22模製該可模製材料34，如轉移模製或注 射成型過程。 如果形成模製感測器10的一陣列，則該陣列可以分離 成或切成一或多個個別的模製感測器1〇(步驟15〇)，如下面 就第7圖及第8圖來較詳細描述的。 第5圖概要地顯示一模製影像感測器1〇的一截面圖而 第6圖顯示根據本發明之說明性實施例的形成一模製影像 感測器的一流程。形成該模製感測器的該流程類似於上述 及第2-4圖中所示的流程，除了該感測器元件包括一影像感 測器15而不是一MEMS感測器14。因此，該形成該模製影 像感測器10之流程開始於步驟160，步驟160提供一感測器 元件。該感測器元件包括具有光檢測結構(未被顯示）的一影 像感測器15及耦接至該影像感測器15的一部分的一杯狀物 16。類似於上文所述，該杯狀物16可被放置在該影像感測 器15上’藉此該杯狀物16接觸該影像感測器15的那部分圍 13 200933761 繞或限制在該影像感測器15上形成的電路且耦接至該光檢 測結構。該杯狀物16在其内表面16a與具有該光檢測結構的 該影像感測器15之表面15a之間形成一内部區域18。如此， 所形成的該區域18®tb鄰或圍繞著在該影像感測器15上形成 5 的該光檢測結構。 該杯狀物16包括一孔或開口 20以及位在該開口 20中的 一蓋子21 ’光經由此可進入該内部區域18。這允許該影像 感測器15暴露在照射在該感測器組件上的光中。因此，該 影像感測器15可以是任何需要暴露在光中的感測器，例如 10 CCD及/或CMOS影像感測器。類似地，該光檢測結構可以 是如該領域中那些技術人員所熟知的在該影像感測器15上 形成的那些結構。該蓋子21可以由任一透光材料形成（例如 具有或沒有慮波器的一玻璃蓋子）且使用該領域中那些技 術人員所熟知的黏合技術來耦接至該杯狀物16，例如使用 15 環氧樹脂。類似於上文就該MEMS感測器14所提及的，在 附著到該影像感測器15之前或之後，可以使用該領域中那 些技術人員所熟知的標準製程在該杯狀物16中形成該開Q 20。當該開口20是在附著之後形成時，該開口20如上文所 討論的可以在該模製過程之前或之後形成。該蓋子21可以 20 位在該開口 20或該開口 20的一部分中。可選擇地，一四Q 16c可以使用該領域中那些技術人員所熟知的標準製程 如使用蝕刻過程）來在該杯狀物16中形成且與該開口 20_ 鄰。這樣該蓋子21可以位在該凹口 16c中以及位在該開 或該開口 20的一部分中，藉此該蓋子21的表面21a實質上與 200933761 該杯狀物16的該表面16b持平。 5 10 15 ❹ 20 在步驟170中，該感測器元件15、16可以使用該領域中 那些技術人員所熟知的黏合技術來耦接到一基底22。在步 驟180中，該感測器元件（例如該影像感測器15及/或該杯狀 物16)可以使用諸如引線以及焊線或焊料凸塊之一電氣連 接體30來電軋連接到該基底22 ^該電氣連接體3〇將該影像 感測器15及/或該杯狀物16連接到該基底22上的一導電區 域，如一引線架上的金屬區24。其他層體可如上文參考第 2-4圖所述的那樣來使用。在步驟19〇中，一旦制出從該等 附著層體(例如該影像感測器15、該杯狀物16、該ic晶粒32) 到該基底22的該（專）期望的電氣連接體，一可模製材料34 就可以接觸到該等組合層體的一部分及該（等）電氣連接體 30且在一模製步驟中將它們模製在一起。如果形成模製感 測器10的一陣列，則該陣列可以分離成或切成一或多個個 別的模製感測器1〇(步驟200)，如下面就第7圖及第8圖來較 詳細描述的。 儘管可以形成具有如第2圖及第3圖中所示之一或多個 MEMS結構或者具有如第5圖中所示之一或多個光檢測結 構的一單一模製感測器1〇，但是實施例也可以包括被模製 在一起的多個感測器14及/或15與杯狀物16來形成模製感 測器10的一陣列，如第7圖中所示。如果形成模製感測器1〇 的一陣列’則該陣列可以分離成或切成一或多個個別的模 製感測器10。例如’參見第7圖及第8圖，該陣列可以使用 諸如晶圓鑛切之任一裝置切割成單顆過程來被沿著分割線 15 200933761 36分割，如該領域中那些技術人員所熟知的。該等個別的 模製感測器10每個都可以包括在該模製材料中模製的至少 . 一MEMS感測器14及/或每個都可以包括至少一影像感測器 15、至少一耦接至該感測器14及/或15的杯狀物16以及該基 5 底22,其中在該至少一MEMS感測器上形成一或多個MEMS 結構而在該至少一影像感測器上形成一或多個光檢測結 構。該等個別的模製感測器1〇也可以包括在該模製材料中 模製的其他層體，諸如該1C晶粒32。 如上述’其他處理步驟可被用以完成該形成該模製感 ❹ 10 測器1〇之流程。例如，實施例可以實現用於將該模製感測 器10與另一晶粒上的電路整合在一起的方法。此外，其他 過程可被用以將該模製感測器系統中的該模製感測器10整 - 合到封裝體中’以及/或者將其與諸如並列式多晶片模組組 - 態或系統級封裝組態之其他元件及/或裝置整合在—起。 15 儘管上述討論揭露了本發明的各種示範實施例，但顯 然該領域中那些技術人員可以做出各種修改來實現本發明 的一些優點而沒有脫離本發明的真實範圍。 © t圖式簡單說明：！ 第1圖概要地顯示根據本發明之說明性實施例的_考莫 20 製感測器系統； 第2圖概要地顯示根據本發明之說明性實施例沒有模 製材料的一模製MEMS感測器的一截面圖； 第3圖概要地顯不根據本發明之說明性實施例的_ ^ 製MEMS感測器的一截面圖； 16 200933761 第4圖顯示根據本發明之說明性實施例的形成一模製 MEMS感測器的一流程； 第5圖概要地顯示根據本發明之說明性實施例的一模 製影像感測器的一截面圖； 5 第6圖顯示根據本發明之說明性實施例的形成一模製 影像感測器的一流程； 第7圖概要地顯示根據本發明之說明性實施例的一模 製感測器陣列的俯視圖；以及 第8圖概要地顯示根據本發明之說明性實施例的第7圖 10 沿著線A-A的一截面圖。 【主要元件符號說明】 10...模製感測器/模製MEMS感 21...蓋子 測器/模製影像感測器 21a…表面 12...基底 22...基底/引線架基底 14...MEMS感測器/感測器組件 24...金屬區 14a...表面 26...開口區 15...影像感測器/感測器組件 28...底墊材料 16...杯狀物/感測器組件 30...電氣連接體 16a…内表面 32...1C 晶粒 16b...杯狀物表面 34…可模製材料 16c…凹口 34a...表面 18...内部區域 36...分割線 20...孔或開口 100-200...步驟 17

Claims (1)

  1. 200933761 七、申請專利範圍： 1. 一種用於形成一模製感測器的方法，該方法包含以下步 驟： 提供具有一感測器及耦接至該感測器之一部分的 一杯狀物的一感測器元件，該杯狀物具有一開口而形成 一内部區域； 堵塞該杯狀物中的該開口；以及 圍繞著該感測器組件之一部分及一基底之一部分 模製一可模製材料，藉此該可模製材料耦接至該感測器 元件及該基底，該内部區域中實質上沒有該可模製材 料。 2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其進一步包含以下 步驟： 提供一積體電路晶粒，藉此該積體電路晶粒介於該 感測器元件與該基底之間；以及 將該積體電路晶粒電氣耦接至該基底，其中該可模 製材料被進一步圍繞著該積體電路晶粒之一部分模 製，藉此該可模製材料耦接至該積體電路晶粒。 3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該感測器是一 微機電系統(MEMS)感測器或一影像感測器。 4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該杯狀物中的 該開口是形成於將該杯狀物耦接到該感測器的該部分 之後。 5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該杯狀物中的 18 200933761 該開口是形成於將該杯狀物耦接到該感測器的該部分 之前。 6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該感測器元件 包括多數個感測器及多數個杯狀物，一杯狀物耦接至每 一感測器的一部分，該等多數個感測器及該等多數個杯 狀物形成一陣列。 7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其進一步包含以下 步驟： 將該陣列分割成多數個模製感測器，藉此每一模製 感測器包括該可模製材料中的至少一感測器、至少一杯 • 狀物及一基底。 . 8.如申請專利範圍第丨項所述之方法，其中該基底包括一 引線架或具有通孔的一疊片層狀材料。 9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其進一步包含以下 步驟： ❹ 在模製該可模製材料之後，除去該杯狀物中的該開 口的堵塞物。 10. —種用於形成一模製感測器的方法，該方法包含以下步 驟： 提供具有一感測器及耦接至該感測器之一部分的 一杯狀物的一感測器元件，該杯狀物形成一内部區域； 圍繞著該感测器組件之一部分及一基底之一部分 模製一可模製材料，藉此該可模製材料耦接至該感測器 70件及該基底，該内部區域中實質上沒有該可模製材 19 200933761 料；以及 在該杯狀物中形成一開口。 11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其進一步包含以下 步驟： 提供一積體電路晶粒，藉此該積體電路晶粒介於該 感測器元件與該基底之間；以及 將該積體電路晶粒電氣耦接至該基底，其中該可模 製材料被進一步圍繞著該積體電路晶粒之一部分模 製，藉此該可模製材料耦接至該積體電路晶粒。 12. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該感測器是一 MEMS感測器或一影像感測器。 13. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該感測器元件 包括多數個感測器及多數個杯狀物，一杯狀物耦接至每 一感測器的一部分，該等多數個感測器及該等多數個杯 狀物形成一陣列。 14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其進一步包含以下 步驟： 將該陣列分割成多數個模製感測器，藉此每一模製 感測器包括該可模製材料中的至少一感測器、至少一杯 狀物及一基底。 15. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該基底包括一 引線架或具有通孔的一疊片層狀材料。 16. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該開口是以一 雷射消熔過程來形成。 200933761 17. —種模製感測器，其包含： 電氣耦接至一基底的一感測器； 麵接至該感測器之一部分的一杯狀物，該杯狀物具 有一開口而形成一内部區域；以及 耦接至該感測器、該杯狀物及該基底的一可模製材 料，藉此該可模製材料將該感測器之一部分v該杯狀物 之一部分及該基底之一部分封裝起來，該内部區域中實 質上沒有該可模製材料。 18. 如申請專利範圍第17項所述之模製感測器，其進一步包 含： ， 耦接至該感測器及電氣耦接至該基底的一積體電 _ 路晶粒，藉此該積體電路晶粒介於感測器與該基底之 間，其中該可模製材料被進一步耦接至該積體電路晶粒 而進一步將該積體電路晶粒之一部分封裝起來。 19. 如申請專利範圍第17項所述之模製感測器，其中該感測器 A 是一MEMS感測器或一影像感測器。 20. 如申請專利範圍第17項所述之模製感測器，其中該基底包 括一引線架或具有通孔的一疊片層狀材料。 21
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