TW200929573A - Back contact for solar cell - Google Patents
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200929573 P63960027TW 26275twf.doc/p 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種太陽能電池且特別是有關於一種薄 膜型太陽能電池之背電極模組。 【先前技術】 太陽能是一種具有永不耗盡且無污染的能源，在解決 目前石化能源所面臨的污染與短缺的問題時，一直是最受 矚目的焦點。其中，太陽能電池(s〇larceU)可直接將太陽能 轉換為電能’是目前相當重要的研究課題。 ❿ 典型的太陽能電池最基本的結構可分為基板、二 極體、抗反射層、和兩個金屬電極四個主要部分。其工作 的原理主妓絲紐特效應，單的說，基板（subst嫌) 是太陽能電池的主體；灿二極體是光伏特效應的來源； 抗^射層75在減少人射光的反射來增絲電流；金屬電極 則是連接元件和外界貞載。#太陽光㈣朗基板入射 後，P-N接面所形成的載子空乏區會吸收太陽光而產生電 電洞對。而P型及N型半導體中因而分別帶有負、正 電荷’因此其形成_建電場將會造成電子，洞對分離， 使得電子向η寵雜(d油），而相對地，制f ^ 移，亦即產生從N型區向P型區的漂移電流 ： ==):所產生的光電流再經 昭光:太陽能電池馳_㈣極會分顺置在不 …、先H的表面上，以供外界連線。不照光的表面上的 5 200929573 P63960027TW 26275twf.doc/p 電極通常疋由不知、光的表面上全部塗上一層所謂的後表面 電場(back surface field，BSF)金屬層所形成的。BSF金屬 層可以增加載子的收集，還可回收沒有被吸收的光子。而 • 照光的表面上的電極，除了要能有效地收集载子，而且要 . 儘量減少金屬線遮蔽入射光的比例，因此，從條狀金屬電 極，伸展出一列很細的手指(fmger)等形狀之金屬電極。太 陽月b電池金屬電極的材料通常是銘和其他金屬的合金，但 © 在薄膜太陽能電池，為了達成一體成型(monolithicaily)的 要求，因而照光的表面上的金屬電極則會使用透明導電的 氧化物(transparent conductive oxide，TCO)。 除了半導體之外，金屬-半導體接觸形成的Sch〇ttky 二極體，和金氧半導體(MOS)結構類似的金屬-絕緣體_半導 體(MIS)，有機物或聚合物都可用來當太陽能電池的光電轉 換層。此外，太陽能電池也不一定要透過光伏特效應，染 料敏化電池的光電化學效應也可以經照光後產生電壓。 ® 事實上，在光電轉換的過程中，並非所有的入射光譜 都能被太陽能電池所吸收並完全轉成電流。有一半左右的 光譜因此篁太低(小於半導體的能隙），對電池的輸出沒有 貢獻，而再另一半被吸收的光子中，除了產生電子-電洞對 所需的能量外，約有一半左右的能量以熱的形式釋放掉， 所以單一電池的最高效率約在25%左右。 因此’為此提昇太陽能電池的效率，有研究提出增加 光電轉換層的厚度，以增加入射光的行進路徑。但，有些 光電轉換層的材料成本非常高且形成的速度非常慢，因 6 200929573 P63960027TW 26275twf.doc/p 此’此方法的材料成本與常製程時間將會大幅增加。 另一種方法’則是對電極材料進行粗紋化(textured)表 面處理，以產生凹凸不平的表面，使光線產生散射 ' (SCattering)，減少入射光之反射，並增加入射光在光電轉 ' 換層中之行進距離。但是，這一種方法僅能增加短波長之 光線的散射，對於太陽能電池的效率提升非常有限。有關 於這一類的專利可參考美國專利號Us_〇4694U6或 〇 US-06787692。 、另外，W02005/076370提出一種背電極，其利用透明 導電層來取代傳統的鋁、銀、鉬或鋼電極，並藉由白色介 電顏料來達到光的反射，使光補捉效果增加。^而，該二 構不僅所需的透明導電層的厚度非常厚，而且對太陽 池效率改善的效果非常有限。 【發明内容】 〇 本發明就是在提供一種背電極模組’其可以增加長波長 光線的散射，提高入射光以及反射光在光電轉換層^行2 的路徑，提升太陽能電池之效率。 本發明就是在提供一種背電極模組的製造方法，其可以 升太陽能電池之效率，減少材料的成本，縮短製程/的時 本發明提出一種太陽能電池之背電極模組，盆包a 明導電層、多個奈米散射點以及第—金屬層。多^太 =點位於透明導電層中。第一金屬層位在上述透明^電^ 200929573 P63960027TW 26275twf.d〇c/p 依照本發明實施例所述，上述之太陽能電池之背電極 杈組中，上述那些奈米散射點的大小為數十奈米至數百奈 米。 依照本發明實施例所述，上述之太陽能電池之背電極 模組中，上述那些奈米散射點為多個奈米金屬單顆粒、多 個奈米金屬團聚物或其組合。 依照本發明實施例所述，上述之太陽能電池之背電極 ❹ 模組中，上述那些奈米金屬單顆粒或上述那些奈米金屬團 聚物之材質為與上述透明導電層之折射率差距在以上 之材料。 依照本發明實施例所述，上述之太陽能電池之背電極 模組中’上述那些奈米金屬單顆粒或上述那些奈米金屬團 聚物之材質包括金、銀、鋁、錫、鎳、鉑、鈦、鈒、鉬、 錢》、龜I或其纟且合。 依照本發明實施例所述，上述之太陽能電池之背電極 • 模組中’上述那些奈米散射點為多個奈米孔洞，這些奈米 孔洞在上述透明導電層中之一第二金屬層之中，多個金屬 單顆粒之間，或多個金屬團聚物之之間，或前述組合之間。 依照本發明實施例所述，上述之太陽能電池之背電極 模組中’上述透明導電層之材質包括銦錫氧化物(indium tin oxide ’ ITO)、摻氟氧化錫(f|uorine doped tin oxide， FTO)、摻紹氧化鋅(aiuminium d〇ped zinc oxide，AZO)、摻 鎵氧化鋅(gallium doped zinc oxide，GZO)或其組合。 本發明又提出一種太陽能電池之背電極模組的製造 8 200929573 P63960027TW 26275twf.doc/p 方法。此方法包括形成透明導電層，並 及在翻導電層上形成第—金屬層形 模組太陽MM背電极 ❹ 層，使其與第-透明導電w成上 述第二金屬層之金屬原子自《成上: 依照本發明實施例所述，上述之太陽能電池之 杈組的製造方法中，上述那些奈米散射點為卉兴 粒、奈米金屬團聚物、奈米孔洞或其組^、不小、蕷 依照本發明實施例所述，上述之太^電池之背 =的製造方法中，上述第二金屬層之材質為上述透明導 電層之折射率差距在0.1以上之材料。 夸 ❹ 依照本發明實施例所述，上述之太陽能電池之背電杨 板組的製造方法中，上述第二金屬層之材質包括金、銀、 鋁、錫、鍊、麵、鈦、銳、钥、鎢、銦或其組合。 依照本發明實施例所球，上述之太陽能電池之背電接 模組的製造方法中，上述加熱製程是在形成上述第二 導電子層之前進行的。 依照本發明貫施例所述，上述之太陽能電池之背電極 模組的製造方法中，上述加熱製程是在形成上述第二 導電子層之後進行的。 9 200929573 P63960027TW 26275twf.d〇c/p 依照本發明實施例所述’上述之太陽能電池之背電 模組的製造方法巾，形成上述透明導電層與上述那些奈来 散射點的方法包括m透明導電子層，之後，、ς 上述第一透明導電子層上直接形成上述那些奈米散射點，、 之後，在上述㈣奈米散射點上形成—第二透料電子層。 依照本發明實施例所述，上述之太陽能電池之 模組的製造方法巾，形成上簡⑽米散射點的方法是在 於上述第-朗導電子層上直娜❹個金屬單顆粒 個金屬團聚物或其組合。 依照本發明實施例所述，上述之太陽能電池之背 模組的製造方法中，上述那些奈米散射點為上述那些金屬 早顆粒、上_些奈米金屬團聚物或其組合，且上 奈米散射點為上卿些金屬單齡、 ς 聚物的大小為數十至數百奈米。 丨―“屬團 ❹ 依照本發明實施例所述，上述之太陽能電池之背 造ΐ法中，上述那些奈米金屬單顆粒或上述那些 ，屬®聚物之材質為與上述透明導t層之折 在〇_1以上之材料。 在此 依照本發明實施例所述，上述之太陽能電池之 模組的製造方法中，上述那也奈 奈米金屬團聚物之材質包括銀::金那些 模述，上述之太陽能電池之背電極 =、且的k方法中，上述那些奈米散射點為錄個奈米孔 ’5且上述那些奈米孔洞為上述那些金屬單顆粒之間未被 200929573 P63960027TW 26275twf.doc/p 上逑第二透明導電子層覆蓋的間隙、上述那歧 it述第二透明導電子層覆蓋的間隙 屬早顆粒與上述那些金屬團聚物之間未被上述第 “ 電子層覆蓋的間隙，抑或是前述之組合，且上述那些^ 的大小為數十至數百奈米。 一曰“ ❹ j發珊過絲散射闕形成可明加纽長光線 射’ ^人射光以及反射光在光電轉換層中行進的路和， ^升太陽能電池之效率，減少材料的成本，縮短製程的時 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易 下文特舉健f蘭，並配合所關式，作詳蝴明如下。 【貫施方式】 雷、也別是依據本發明實施例所繪示之太陽能 電池之月龟極模組的剖面示意圖。 ❹ 丄〜、圖1A ’太陽能電池之背電極模組2〇是設置在 光^換層H)上，其包括透明導電層12、金屬㈣以及 明導電層12之中的多個奈米散射點14a。透明導電 曰12之材質例如是透明導電氧化物比如是铜錫氧化物 tln oxide，IT〇)、摻氟氧化錫⑴肋如e d〇_如 八7八、、推铭氧化鋅(alUminium doPed zinc oxide ’ 人七甘夕錄氧化辞(galllUm d〇ped Zinc oxide，GZ0)或其組 j 金屬層16之材質例如是銘、銀、鉬或銅等。 2;、、1免，14&可以是奈米金屬單顆粒、奈米金屬團聚 S /、、、且口，其大小例如是數十奈米至數百奈米。奈米 200929573 P63960027TW 26275twf.doc/p 金屬單顆粒或奈米金屬團聚物之材質為與透明導電層U 之折射率差距在0.1以上之材料，例如是金、銀、紹、锡、 鎳、鉑、鈦、釩、鉬、鎢、銦或其組合。 明參舦圖1B，太陽能電池之背電極模組2〇是設置在 光電轉換層1G上，其包括透明導電層12、金屬層16以及 位於透明導電層12之中的金屬層14b。透明導電層12之 材質例如是透明導電氧化物比如是ITO、FTO、AZO、GZO 〇 或其組合。金屬層16之材質例如是銘、銀、钥或銅等。金 屬層14b可以是一金屬膜層。金屬層14b中具有多個奈米 孔洞14c，作為奈米散射點。奈米孔洞Me的大小例如是 數十奈米至數百奈米。此處所述的金屬層14b也可以是多 個奈米金屬單顆粒、多個奈米金屬團聚物或其組合。奈米 孔洞14c則是奈米金屬單顆粒之間的間隙、奈米金屬團聚 物之間的間隙或奈米金屬單顆粒與奈米金屬團聚物之間的 間隙，抑或是前述之組合。金屬層14b材質可以是與透明 © 導電層12之折射率差距在01以上之材料，例如是金、銀、 链、錫、錄、鈾、鈦、飢、錮、鶴、銦或其組合。 本發明在背電極模組的透明導電層中形成多個散射 點’可以增加長波長(例如是650-800奈米）之光線的散射， 提高入射光以及反射光在光電轉換層中行進的路徑，使光 線此更有效被光電轉換層吸收，因此，可以大幅升太陽能 電池之效率。 圖2A至2B或2B-1是依據本發明一實施例所纟會示之 種背電極模組之製造流程的剖面示意圖。 12 200929573 P63960027TW 26275twf.doc/p 請參照圖2A’在太陽能電池的光電轉換層i〇〇上形成 透明導電子層黯。透明導電子層咖之材質例如是透 明導電氧化物(TCO)，比如是銦錫氧化物(IT〇)、摻氟氧化 錫(FTO)'摻鋁氧化鋅ΑΖ0)、摻鎵氧化鋅(Gz〇)或其組合。 透明導電子層l〇2a的形成方法例如化學氣相沈積法 (CVD)、濺鍍法(SpUtteringmeth〇d)或其他合適的方法。 接著，在透明導電子層l〇2a上形成金屬層丨〇4。金屬 0 層之材質為與透明導電子層i〇2a之折射率差距在ο ι 以上之材料，例如是金、銀、鋁、錫、鎳、鉑、鈦、釩、 鉬、鎢、銦或其組合。金屬層104的形成方法例如濺鍍法 或其他合適的方法。之後，在透明導電子層1〇2&上形成另 一層透明導電子層l〇2b。透明導電子層102b之材質例如 是透明導電氧化物，比如是ITO、FTO、AZO、GZO或其 組合。透明導電子層1〇孔的形成方法例如化學氣相沈積 法、滅錢法或其他合適的方法。 Ο 之後，請參照圖2B與2B-1，進行加熱製程。加熱製 程的溫度例如是攝氏100度至200度。在一實施例中，進 行加熱製程將使得金屬層104之金屬自聚，形成多個奈米 金屬單顆粒、多個奈米金屬團聚物或其組合l〇4a，且其周 圍被透明導電子層l〇2a與l〇2b組合所形成的透明導電層 102包覆。奈米金屬單顆粒、多個奈米金屬團聚物或其組 合104a即作為奈米放射點，如圖2B所示。在另一實施例 中，睛參照圖2B-1，進行加熱製程，使得金屬層1〇4之金 屬自聚，形成多個奈米金屬單顆粒、多個奈米金屬團聚物 13 200929573 P63960027TW 26275twfd〇c/p 或其組合104a，抑或是形成另一金屬膜層刚a。而透 電子層102a與腿在進行加熱製程後，將溶合形成透明 導電層102。但是’在自聚過程中在奈米金屬單顆粒或夺 米金屬團聚物之間所產生的間隙_並未被透明導電層 102所覆蓋’這些間隙_又稱為奈米孔润，即作為奈^ 放射點。 、之後，再於透明導電層102上形成金屬層106，以作 為接觸電極，完成背電極模組2〇〇之製作。金屬層⑽之 、銀，或銅等。金屬層106的形成方法例 如濺鍍法或其他合適的方法。 圖3Α至3C或3C-1是依據本發明另一實施例所 之另-種背電極模組之製造流程的剖面示意圖。… ❹ 照圖3Α’在太陽能電池的光電轉換層議上形成 透明導電子層l02a。透明導電子層咖之材質例如!t 明導電氧化物，比如是ΙΤ〇、FTQ、AZQ、Gz〇或盆^ 透明導電子層102a的形成方法例如化學氣相沈積/法、^ 法或其他合適的方法。接著，在透明導電子層 金屬層104。金屬詹104之材質為與 ^ = :射:差r:1以上之材料，例如心^ 鎳鉑、鈦、鈒、銷、嫣、銦或其組合。金^ 成方法例如濺鍍法或其他合適的方法。，曰、形 之後，請參照圖犯，進行加熱製程 之金屬自[形成多個金屬單顆粒、多個金屬團二或其4 14 200929573 P63960027TW 26275twf.doc/p 組合104a’其彼此之間的間隙為1〇4b。金屬單顆粒或金屬 團聚物的大小可以是奈米料錢大。加_程的溫度例 如是攝氏100度至200度。 之後，請參照圖3C，在透明導電子層1〇2&上以及奈 米金屬單顆粒或奈米金屬團聚物l〇4a周圍形成另一層遷 明導電子層102b，以構成透明導電層1〇2。另一透明導電 子層102b之材質例如是透明導電氧化物，比如是IT〇、 ❻ FT〇、ΑΖΟ、GZO或其組合。另—透明導電子層的 形成方法例如化學氣相沈積法、濺鍍法或其他合適的方法。 當另一層透明導電子層l〇2b填滿奈米金屬單顆粒或 奈米金屬團聚物104a其彼此之間的間隙1〇4b時，金屬單 顆粒、金屬團聚物或其組合即作為奈米放射點，如圖3e 所示。因此，當金屬單顆粒、金屬團聚物1〇4a作為奈米玫 =點時，其大小必須為奈米等級，約為數十奈米至數百奈 © 請參照圖3C-1，當所形成的另一層透明導電子層1〇孔 未填滿金屬單顆粒或金屬團聚物1〇4a其彼此之間S的間隙 l〇4b時，這些間隙i〇4b又稱為奈米孔洞，即作為奈米放 射點。因此，當奈米放射點是奈米孔洞時，金屬單顆粒或 金屬團聚物104a的大小並無限制，但，金屬單顆粒或金屬 團聚物104a之間的間隙l〇4b則必需控制在約為1〇奈米至 5〇奈来。當然，金屬單顆粒、金屬團聚物1〇4&以及立彼 此之間的間隙獅可同時作為奈米放射點，但是，其&小 都必須為奈米等級，約為數十奈米至數百奈米。 15 200929573 P63960027TW 26275twf.doc/p 之後，再於透明導電層1〇2上形成金屬層ι〇6，、 為接觸電極，完成背電極模組200之製作。金屬芦1〇以作 材質例如是n域銅等。金屬層1G6的形^ 如濺鍍法或其他合適的方法。 决例 圖4A至4B或职是依據本發明又一實施例所絡一 之另一種背電極模組之製造流程的剖面示意圖。 曰不 ❹
請參照圖4A’在太陽能電池的光電轉換層1〇〇上邢 透明導電子層lG2a。透明導電子層1()2a之材f例如: 明導電氧化物，比如是汀〇、卩丁0、入20、〇2〇或其組1。 接著’直接在透明導電子層102a上形成多個金屬單 粒、多個金屬團聚物或其組合1〇4a，其彼此之間的間隙為 l〇4b。金屬單顆粒或金屬團聚物的大小可以是奈米等級戈 更大。金屬單顆粒、金屬團聚物或其組合1〇4a之材質為與 透明導電子層102a之折射率差距在（U以上之材料，例^ 是金、銀、鋁、錫、鎳、鉑、鈦、釩、鉬、鎢、銦或其級 合。直接在透明導電子層102&上形成多個金屬單顆粒、多 個金屬團聚物或其組合l〇4a的方法例如是喷灑法或是塗 布法。 之後，請參照圖4B，在透明導電子層102a上以及奈 米金屬單顆粒或奈米金屬團聚物l〇4a周圍形成另一層透 明導電子層102b，以構成透明導電層1〇2。另一透明導電 子層102b之材質例如是透明導電氧化物，比如是IT〇、 FTO、ΑΖΟ、GZO或其組合。另一透明導電子層i〇2b的 16 200929573 P63960027TW 26275twf.doc/p 形成方法例如化學氣相沈積法、濺鍍法或其他合適的方法。 當另一層透明導電子層l〇2b填滿奈米金屬單顆粒或 奈米金屬團聚物l〇4a其彼此之間的間隙104b時，金屬單 顆粒、金屬團聚物或其組合即作為奈米放射點，如圖4B 所示。因此，當金屬單顆粒、金屬團聚物l〇4a作為奈米放 射點時，在形成金屬單顆粒、金屬團聚物l〇4a時，必須將 其大小控制在為奈米等級，約為數十奈米至數百奈米。
請參照圖4B-1，當所形成的另一層透明導電子層102b 未填滿金屬單顆粒或金屬團聚物1〇4a其彼此之間的間隙 104b時，這些間隙104b又稱為奈米孔洞，即作為奈米放 射點。因此，當奈米放射點是奈米孔洞時，金屬單顆粒或 金屬團聚物104a的大小並無限制，但，金屬單顆粒或金屬 團聚物104a之間的間隙]04b則必需控制在奈米等級，約 為數十奈米至數百奈求。 當然，金屬單顆粒、金屬團聚物104a以及其彼此之間 的間隙l〇4b可同時作為奈米放射點，但是，其大小都必須 為奈米等級，約為數十奈米至數百奈米。 、 之後，再於透明導電層1〇2上形成金屬層1〇6，以作 為接觸電極，完成背電極模組200之製作。金屬層1〇6之 材質例如是1^、銀、鋼或銅等。金屬層106的形成方法例 如濺鍍法或其他合適的方法。 本發明之背電極模組2〇可以應用在卵太陽 或疋染料敏化型電池，因此，上述之光電轉換層10或卟0 17 200929573 P63960027TW 26275twf.doc/p 可以是適用在矽型太陽能電池或是染料敏化型電池之各種 材料。 本發明在透料電層中形成多個散射點可以增加光的 散射，提高人射光與反射光在光電轉換層巾行進的路徑， 太陽能電池之效率，因此，所需的光電轉換層的厚 薄’故’能減少錢轉換層之原料成本，縮短光電 轉換層之製程時間。 發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定 m熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範 當視後者：本發明之保細 【圖式簡單說明】 ❹ ，1Α是依據本發明實施例所繪 之月電極模組的剖面示意圖。 種太^電池 池之本發明實施例崎示之另-種太陽能電 月电極拉組的剖面示意圖。 一 或瓜1技選树明―實關所繪示之 種月電極模組之製造流程的剖面示意圖。 之 之另圖 200929573 F〇jy〇UU27i W 26275twf.doc/p 【主要元件符號說明】 10、100 :光電轉換層 20、200 :背電極模組 12、102 :透明導電層 14a、104a :金屬顆粒、金屬團聚物 14c、104b :孔洞或間隙 14b、16、104、106 :金屬層 102a、102b :透明導電子層
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Claims (1)
- 200929573 P63960027TW 26275twf.d〇c/p 十、申請專利範圍： 1.一種太陽能電池之背電極模組，包括： 一透明導電層，在一光電轉換層上； 多數個奈米散射點於該透明導電層中；以及 一第一金屬層，在該透明導電層上。 2·如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池之背電極 模組，其中該些奈米散射點的大小為10奈米至50奈米。 φ 3.如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池之背電極 模組，其中該些奈米散射點為多數個奈米金屬單顆粒、多 數個奈米金屬團聚物或其組合。 4·如申请專利範圍第1項所述之太陽能電池之背電極 模組，其中該些奈求金屬單顆粒或該些奈米金屬團聚物之 材質為與該透明導電層之折射率差距在〇1以上之材料。 5. 如申請專利範圍第4項所述之太陽能電池之背電極 模組，其中該些奈米金屬單顆粒或該些奈米金屬團聚物之 材質包括金、銀、錫、鎳、拍、鈦、叙、翻、鎮、鋼 或其組合。 6. 如申响專利範圍第丨項所述之太陽能電池之背電極 模、、且其中該些奈米散射點為在該透明導電層中之一第二 金屬層、多數個金屬單顆粒之間、多數個金屬 組合中的多數個奈米孔洞。 〃 7_如申叫|·圍第丨項所述之太陽能電池之背電極 模組，.其中該透明導電層之材質包括銦錫氧化物(indium 加 〇Xlde ’ IT〇)、摻敦氧化錫（fluorine doped tin oxide， 20 200929573 冊_rw 26275twfd〇c/p FT0)、摻鋁氧化辞(aluminium doped zinc oxide，AZO)、松 叙氧化鋅(gallium doped zinc oxide，GZO)或其組合。 8. —種太陽能電池之背電極模組的製造方法，包括： 形成一透明導電層； 於該透明導電層中形成多數個奈米散射點；以及 在該透明導電層上形成一第一金屬層。 9. 如申請專利範圍第8項所述之太陽能電池之背電极 ❸ 权組的製造方法’其中形成該透明導電層與該些奈米散射 點的方法包括： 形成一第一透明導電子層； 於該第一透明導電子層上形成一第二金屬層； 形成一第二透明導電子層，該第一透明導電子層與 該第二透明導電子層形成該透明導電層；以及 進行一加熱製程，使該第二金屬層之金屬原子自聚 形成該些奈米散射點。 ❺ 10.如申請專利範圍第9項所述之太陽能電池之背電 極模組的製造方法，其中該些奈米散射點為奈米金屬單顆 粒不米金屬團聚物、奈米孔洞或其組合。 11. 如申請專利範圍第9項戶斤述之太陽能電池之月電 極模組的製造方法，其中該第二金屬層之材質為該透明導 電層之折射率差距在0.1以上之材料。 ^ 12. 如申請專利範圍第u項所述之太陽能電池之背 電極模組的製造方法，其中該第二金屬層之材質包括金、 銀、鋁、錫、鎳、鉑、：、二鉬、鎢、銦或其組合。 21 200929573 ro jyouuz /1 w 26275twf.doc/p 13. 如申請專利範圍第9項所述之太陽能電池之背電 極模組的製造方法，其中該加熱製程是在形成謗第二透 導電子層之前進行的。 14. 如申請專利範圍第9項所述之太陽能電池之背 極模組的製造方法，其中該加熱製程是在形成 導電子層之後進行的。 a—15.如申請專利範圍第9項所述之太陽能電池之背帝 極模組的製造方法，其中形成該透明導電層與該此二 射點的方糾括： ^ ^ 形成一第一透明導電子層；、於該第一透明導電子層上直接形成該些奈米散射 以及 在該些奈米散射點上形成一第二透明導電子層。 16_如中請專利範圍第15項所述之太陽能電池 的製造方法，其中形成該些奈米散射闕方法是^ 數透明導電子層上直接形成多數個金屬單顆粒、多 數個金屬團聚物或其組合。 夕 電極組二、?么利範圍* 16項所述之太陽能電池之背 顆粒、兮此’其中該些奈米散射點為該些金屬單 為該些或其組合，且該些奈米散射點 數百奈米。早顆粒、該些奈米金屬團聚物的大小為數十至 極模二圍f17項所述之太陽能電池之背電 °法，其中該些奈米金屬單顆粒或該些奈米 22 200929573 1 …一'26275twf.d〇c/p 金屬團聚物之材質為與該透明導電層之折射率差距在〇ι 以上之材料。 # 19·申請專利範圍第18項所述之太陽能電池之背電 喊組的製造方法’其中該些奈米金屬單顆粒或該些奈求 金屬團聚物之材質包括銀、麵、、翻或其組合。 2^0如申請專利範圍第16項所述之太陽能電池之背 "極拉組的製造方法’其中該些奈米散射點為多數個奈米 Φ 同’且該些奈米孔洞為該些金屬單顆粒之間未被該第二 明導電子層覆蓋的間隙、該些金屬團聚物之間未被該第 一，明導電子層覆蓋的間隙或該些金屬單顆粒與該些金屬 f聚物之間未被該第二透明導電子層覆蓋的間隙，抑或是 别4之組合’且該些間隙的大小為數十至數百奈米。23
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