200926412 V 24123twf.doc/p 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種陣列基板及其製作方法與顯示 裝置’且特別是有關於一種主動元件陣列基板(active component array substrate)及其製作方法與液晶顯示裝置 (Liquid Crystal Display，LCD)。 【先前技術】 針對多媒體社會之急速進步，多半受惠於半導體元件 或人機顯示裝置的飛躍性進步。就顯示裝置而言，具有高 晝質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優^特^ 之平面顯示裝置已逐漸成為市場之主流。而在各種平面顯 示裝置中，薄膜電晶體(Thin Film Transistor, TFT)液晶顯示 裝置又為目前技術最為成熟的平面顯示裝置。 然而，液晶顯示裝置發展至今，仍有一些待改善的問 通，其中之一疋主動元件陣列基板上的資料線與掃描線交 錯之處會有寄生電容存在而造成阻容延遲(RC delay)。圖 φ 1A繪示一習知薄膜電晶體液晶顯示裝置之主動元件陣列 基板的上視圖。圖1B為圖ία中沿η線的剖面圖。請參 照圖1A與圖1B，主動元件陣列基板具有絕緣基板1〇〇、 夕，連接閘極102的掃描線1〇4、多條連接源極/汲極1〇6 ，資料線108以及多個晝素電極11〇。習知技術中，僅以 薄薄一層絕緣層112分隔掃描線1〇4與資料線1〇8，以避 免掃描線104與資料線108互相導通。但是，當對婦描線 104與資料、線1〇8施加電屢時，其交錯處114仍會有寄生 5 200926412 24123twf.doc/p 電谷產生’造成阻容延遲而影響液晶顯示裝置的顯示效 果。隨著液晶顯示裝置的大塑化’資料傳輸速度勢必增加， 對於阻容延遲的容忍度相對的變差。而且訊號線的長度也 因為尺寸的變大而增加，進而造成阻抗上升，因此產生較 高的阻容延遲。 【發明内容】 本發明提供一種主動元件陣列基板的製作方法，其可 在既有的光罩製程中，降低資料線與掃描線交錯處的寄生 電容效應而減少阻容延遲。 本發明提供一種主動元件陣列基板，其於資料線與掃 描線交錯處的寄生電容效應較小而不易產生阻容延遲的 題0 本發明提供一種液晶顯示裝置，其可改善資料線與掃 描線交錯處的阻容延遲。 本發明之主動元件陣列基板的一種製作方法是先在 絕，基板上形成第一圖案化導電層，其具有多條掃描線。 接著’在絕緣基板上形成覆蓋第一圖案化導電層的絕緣 層。之後，在絕緣層上形成圖案化半導體層。此外，在絕 緣層上形·案化絕緣墊層。接著，在絕緣層上形成第二 圖案化^電層’其具有多條資料線與對應連接這些資料線 的多個源極/汲極。其中，與資料線連接的可以是源極或是 沒ί。資料線在職倾雜層上方與_線互相交錯， 線與掃瞄線交錯處的面積大小可以不等於圖案化絕 緣墊層的面積大小。這些源極/沒極、圖案化半導體層、絕 200926412 ^ 24123twf.doc/p 緣層與這些掃瞄線構成多個主動元件。 Ο 在此主動元件陣列基板的製作方法的一實施例中，妒 成圖案化半導體層與圖案化絕緣墊層的方法包括：在絕緣 層上全面形成半導體層；在半導體層上形成一暫時圖案化 絕緣墊層，其中暫時圖案化絕緣墊層具有多個第一區與多 個第二區，而且第-區之暫時圖案化絕緣塾層的厚度 第二區之暫時圖案化絕緣墊層的厚度，第一區位於資料線 與掃瞒線之交錯處；以暫時圖案化絕緣塾層為罩幕而 半導體層，以形成圖案化半導體層；以及移除暫 絕緣墊層之第二區，以形成圖案化絕緣墊層。 案化 本發明之主動元件陣列基板的另一種製作方法是 在絕緣基板上形成-第-圖案化導電層，其具有多條=晦 線。並且，在第-圖案化導電層上形成_圖案化絕緣塾層。 之後，在絕緣基板上形成覆蓋第一圖案化導電層與圖案 絕緣墊層的-絕緣層。然後，在絕緣層上形成—圖案化 導體層。接著，在絕緣層上形成—第二圖案化導電層，龙 中第二圖案化導電層具有多條資料線與對應連接這些資^ 線的多個源極/汲極。其中，與資料線連接的可以 ^ 是沒極。㈣線在_化絕緣歸上方與細線互相交二 且負料線與掃猫線父錯處的面積大小可以不等於圖案化 緣墊層的面積大小。這些源極/汲極、圖案化半導體層、絕 緣層與這些掃猫線構成多個主動元件。
在此主動元件陣列基板的製作方法的一實施例中，形 成第一圖案化導電層與圖案化絕緣墊層的方法包括：在S 200926412
V 24123twf. doc/p 緣$板上全面形成一第一導電層；在第一導電層上形成一 暫牯，案化絕緣墊層，其中暫時圖案化絕緣墊層具有多個 第一區與多個第二區，這些第一區之暫時圖案化絕緣墊層 的厚度大於這些第二區之暫時圖案化絕緣墊層的厚度，這 些第一區位於這些資料線與這些掃瞄線之交錯處；以暫時 圖案化絕緣塾層為罩幕而蝕刻第一導電層，以形成第―圖- 案化導電層；以及移除暫時圖案化絕緣墊層之第二區，以 形成圖案化絕緣墊層。 在上述兩種主動元件陣列基板的製作方法的一實施 例中，更包括在絕緣基板上形成一保護層，其具有暴露源 極/汲極之部分區域的多個接觸窗開口。然後，在保護層上 形成多個晝素電極，其中這些晝素電極經由這些接觸窗開 口而對應地電性連接這些源極/〉及極。 參 在上述兩種主動元件陣列基板的製作方法的一實施 例中，暫時圖案化絕緣墊層可以是使用一半調式光罩所形 成。另外，移除第二區的方法可包括全面減少暫時圖案化 絕緣墊層之厚度’直到第二區被移除。再者，減少暫時圖 案化絕緣墊層之厚度的方法可包括進行—光阻燒退㈣㈣ 製程 在上述兩種主動元件陣列基板的製作方法的一實施 例中’在形錢半導體層的步射更可包括在圖案化 半導體層上形成一圖案化歐姆接觸層。 本發明之-種主動元件陣列基板包括一絕緣基板、一 第-圖案化導電層、-絕緣層、一圖案化半導體層、一圖 24123twf.doc/p
φ 200926412 案化絕緣墊層、-第二圖案化導電層。第—圖案化導電層 配置於絕緣基板上，且具#多麟崎。絕緣層配置於絕 緣基板上，並覆蓋第—圖案化導電層。圖案化半導體層配 置於絕緣層上。圖案化絕緣墊層配置於絕緣層上或絕緣層 與掃瞄巧之間。第二圖案化導電層配置於絕緣層上，且具 有多條資料線與對應連接資料線的多個源極/跡。資料線 在圖案化絕緣墊層上方與掃gg線互相交錯，且冑案化絕緣 墊層的面積大何以不等讀料線與掃崎交錯處的面積 大小。源極成極、圖案化半導體層、絕緣層與料線構成 多個主動元件。 在此主動元件陣列基板的一實施例中，更包括一保護 層以及多個畫素電極。保護層配置於絕緣基板上，並且有 暴露源極/祕之部分區域的多個接觸窗開Π。畫素電^配 置於保護層上，並經由接觸窗開σ而對應地電性連接源極/ 本發明之-種液晶顯示裝置包括上述之主動元件陣 ϋ板、—保護層、多個晝素電極、—對向基板以及-液 二。保護層配置於絕緣基板上，並具有暴露源極/沒極之 a區域的多個接觸㈣口。畫素電極配置於保護層上， =ΓΓΓ而對應地電性連接源極/沒極。液晶層配 置於主動兀件陣列基板與對向基板之間。 在此液晶顯示裝置的—實施例中，更包括一背光模 Ϊ組=動元件陣列基板、對向基板與液晶層配置於背光 V 24123twf.doc/p 200926412 在，發二月，主動元件陣列基板與液 實施例中’圖案化絕緣塾層配置於絕緣層與資料 :部分的圖案化半導體層位於絕緣層與圖案化=層 在^發明之主動元件陣列基板與液晶顯 實施例中’主動元件陣列基板更包括-圖案化歐姆^鋪 層，其配置於_化半導_與_後極之間。接觸 ❹ ❹ 在本發明之主動元件陣列基板與液晶顯示裝置的— 實施例中’ ®案化絕緣墊層之材料為有機材料。的— 本發明之另-種主動元件陣列基板具有多個 件、多條掃猫線、多條資料線與—圖案化絕緣塾層。凡 掃瞎線實質^與資料線互相交錯。各主動元件之間極電性 連接^應之掃崎，而各絲元件之源極Λ及極電性連接 應之貧料線。圖案化絕緣墊層實質上僅位於掃瞒線與 線的交錯處且介於掃瞄線以及資料線之間。 本發明之另-種液晶顯示裝置包括—絲元件陣列 基板、一對向基板以及一液晶層。其中，主動元件陣列基 板具有多個主動元件、多個晝素電極、多條掃崎、多條 f料線與-圖案化絕緣墊層。軸線實質上與資料線互相 父錯。各主動元件之閘極電性連接對應之掃瞄線，而各主 動兀件之源極/汲極電性連接對應之資料線與對應之晝素 電極。圖案化絕緣墊層實質上僅位於掃瞄線與資料線的交 錯處且介於掃瞎線以及資料線之間。此外，液晶層配置於 主動元件陣列基板與對向基板之間。 200926412 V 24123twf.doc/p 在本發明之液晶顯示裝置的一實施例中，更包括—背 光模組，主動元件陣列基板、對向基板與液晶層配置於 光模组上方。 ' 在本發明之主動元件陣列基板與液晶顯示裝置的一 實施例中，主動元件為底閘極結構的薄膜電晶體。 在本發明之主動元件陣列基板與液晶顯示裝置的一 實施例中，主動元件為頂閘極結構的薄膜電晶體。 ❹ 綜上所述，本發明之主動元件陣列基板及其製作方法 是在既有的光罩製程中，在資料線與掃描線之間額外加入 一圖案化絕緣墊層以降低資料線與掃描線之間的寄生電容 效應，進而降低阻容延遲且提升主動元件陣列基板的效 能。本發明之液晶顯示裝置配置有上述主動元件陣列^ 板，因此亦具有相同優點而得以提升液晶顯示裝置的效能^ 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下。 ❹ 【實施方式】 在下面敘述的内容中，各材料層前面所附加的「第一 與「第二」等用語僅用於區隔不同材料層，並不代表製程 步驟的先後順序或是其他意義。 圖2A〜圖21所續·示為本發明一實施例之主動元件陣 列基板的製程步驟的局部剖面圖，而圖3A〜3F所繪示為圖 2A〜圖21之製程中部份步驟的上視圖。 請參照圖2A與圖3A，在一絕緣基板200上形成—第 11 200926412 24123twf.doc/p -圖案化導電層210。^ 2A是圖3A中沿A A線的剖面 圖。在第一圖案化導電層210的形成方式中，例如是先在 絕緣基板200上以濺鍍或其他適當製程形成完整的導電 層，再進行第-道光罩製程而將導電層圖案化以形成第一 圖案化導電層210。第-圖案化導電層21()具有多條掃描 線212。此外，這些掃瞄線212可延伸有多個閘極214。當 然’於^他的實施例中，.也可以是掃喊的一部份。 ❹ 接著請參照圖2B，在絕緣基板2〇〇上形成絕緣層 220、、.巴緣層220元整:覆蓋絕緣基板2〇〇與第一圖案化導電 層210、絕緣層22G之材料例如是石夕氧化物、梦氮化物或 是其他絕緣材料。 凊參照圖2F與圖3C ’在絕緣層22G上形成圖案化半 V體層230與圖案化絕緣墊層25〇。圖2F是圖3c中沿Μ 線的剖面圖。在形成圖案化半導體層230的步驟之後與形
ίΞί化絕緣墊層250之前，可更包括形成-圖案化：姆 ，觸層240。舉例而言，可利用離子摻雜(i〇n如㈣的方 導的表面摻雜N型離子而形成圖案 姆接觸層240。或者’可以化學氣相沉積(chemicai =㈣eposition，CVD)的方式，於成膜氣體中加入適當之 體，例如三氫化卿氏)以形成一全面的歐姆接觸層 a未、'不）。然後在形成圖案化半導體層230的同時，形 圖案化I姆接觸層240。圖案化歐姆接觸層24()可減少 圖案化半導體層23G與之後將形成的第 = 間的接觸阻抗。 ㈣料1：居之 12 V 24123twf.doc/p 200926412 圖2C〜圖2F、螬示形成圖案化半導體層23ο與圖案化 絕緣墊層250的其中一種方法，但並非用以限定本發明。 請參照圖2C ’在絕緣層220上形成一半導體層23〇，。半導 體層230’全面覆蓋絕緣層220。接著請參照圖2D與圖3B， 在半導體層230’上形成暫時圖案化絕緣墊層25〇厂。圖2D 是圖3B中沿A-A線的剖面圖。暫時圖案化絕緣墊層25〇, 具有多個第一區252與多個第二區254(圖2D中僅各冷示 一個）。第一區252之暫時圖案化絕緣墊層250,的厚度大於 第二區254之暫時圖案化絕緣墊層250,的厚度，並且第一 & 252位於抑描線212與之後將形成的第二圖案化導電声 的資料線交錯之處。暫時圖案化絕緣墊層250,例如是使; 半調式光罩所形成。之後請參照圖2E，以暫時圖案化絕緣 塾層250’為罩幕而餘刻半導體層230’。若存在歐姆接觸層 240’則一併進行蝕刻。請參照圖2F與圖3C，移除第二區 254的暫時圖案化絕緣墊層250,以形成圖案化絕緣墊層 250。圖2F是圖3C中沿A-A線的剖面圖。移除第二區254 的暫時圖案化絕緣墊層250,的方法例如是全面減少暫時圖 案化絕緣墊層250’之厚度，直到這些第二區254被移除。 其中’減少暫時圖案化絕緣墊層250,之厚度的方法包括進 行光阻燒退製程。 接著請參照圖2G與圖3D ’在絕緣層220上形成第二 圖案化導電層260。隨之，可以此第二圖案化導電層26〇 或是形成此第二圖案化導電層的光阻(未繪示)為罩幕，進 行为通道钱刻製程（back channel etching，BCE )以移除閘 13 200926412 --- Z 24I23twf.doc/p 極214上方之部份圖案化歐姆接觸層24〇，而暴露出部分 的圖案化半導體層230。圖2G是圖3D中沿A-A線的剖面 圖。第二圖案化導電層260具有多條資料線262以及與多 條資料線262對應連接的多個源極/沒極264。源極264與 汲極264位於閘極214的相對兩侧。其中，與資料線262 連接的可以是源極264也可以是汲極264。資料線262在 圖案化絕緣墊層250上方與掃描線212互相交錯。於本實 ❹ 施例中，為方便說明本發明，所繪示的圖案化絕緣墊層25〇 的面積等於資料線262與掃描線212的交錯處面積，然本 發明並不限定圖案化絕緣墊層25〇的面積。舉例來說，請 參照圖4，圖案化絕緣墊層250a的面積也可以是大於資料 線262與掃描線212的交錯處面積，以確保完全隔絕資料 線262與掃描線212。目4所繪示為本發明一實施例之另 一種主動兀件陣列基板的局部上視圖。這些源極/汲極 264、圖案化半導體層23〇、絕緣層22〇與這些掃描線 構成多個主動元件。於本實施例中，主動元件為底間極結 ❹ _薄膜電晶體。於本發明之另-實施财，主動元件也 可以是頂閘極結構的薄膜電晶體。 =青參照圖2H與圖3E，在絕緣基板2〇〇上更可以形成 保護層，其具有暴露源極/沒極264之部份區域的多 個接觸窗開〇 272。當資料線262例如是和對應的源極264 相連時，接觸窗開口 272暴露出没極264之部份區域。當 資料線262例如是和對應的汲極264相連時，接觸窗開口 272暴露出源極264之部份區域。圖2η是圖3ε中沿μ 14 200926412 --------------\J 24123twf.doc/p 線的剖面圖。 請參照圖21與圖3F，在保護層27〇上形成多個畫素 電極280’其經由這些接觸窗開口 272而對應地電性&接 這些源極264或汲極264。圖21是圖3F中沿B_B線的剖 面圖。此外，由於晝素電極280的位置與面積可因應不^ ‘ 的需求而有所不同，因此源極264或汲極264可延伸至查 . 素電極280下方以與晝素電極28〇電性連接。舉例來說，
❹ 請參照圖5，源極26如或汲極264a可延伸至畫素電極S8〇a 下方以與畫素電極280a電性連接。圖5所繪示為本發明一 實施例之又一種主動元件陣列基板的局部上視圖。X 承上所述，在本實施例之主動元件陣列基板及其製作 方法中，是在形成圖案化半導體層23〇與第二圖案化導電 層260的步驟之間形成圖案化絕緣墊層25〇，並^此圖案 化絕緣墊層250增加資料線262與掃描線212在交錯處的 距離並且減少交錯處的寄生電容效應。因此，本實施例之 ❹ 转元件_基_製作雜可改纽容延遲的缺點，進 而提升主動元件_基板的效能。此外，圖案化絕緣塾層 250可由一般製程十用於定義圖案化半導體層23〇的光阻 層形成，因此不會增加額外的製程設備與成本。 另外，絕緣基板200之材料例如是玻璃或是其他透明 材料。第-圖案化導電層21〇與第二圖案化導電層26〇之 材質可包括㉝、銘鈦合金、紹錯亂合金、翻、氣化翻、欽、 金、銅與其他適當材料。絕緣層22〇與保護層27〇之材料 可包括氮化石夕或其他適當材料。圖案化半導體層23〇之材 15 200926412 24123twf.doc/p 料可包括非晶矽半導體或其他適當材料。圖案化絕緣墊層 250例如是有機光阻層或其他適當材料層。晝素電極 之材料可包括銦錫氧化物(Indium Tin 〇xide，IT〇)、銦鋅氧 化物(Indium Zinc Oxide, ΙΖΟ)或其他適當材料。 圖6Α〜圖61所繪示為本發明另一實施例之主動元件 陣列基板的製程剖面圖，而圖7Α〜圖7F所繪示為圖6Α〜 圖61之製程中部份步驟的局部上視圖。 ❹ 凊參照圖6D與圖7C，在一絕緣基板4〇〇上形成一第 一圖案化導電層410,並在第一圖案化導電層41〇上形成 -圖案化絕緣墊層420。圖6D是圖7C中沿Α·Α線的剖面 圖。第一圖案化導電層410具有多條掃描線412。此外， 這些掃聪線412可延伸有多個_ 414。當然，於其他的 實施例中，閘極也可以是掃瞄線的一部份。 圖6A〜圖6D繪示形成第一圖案化導電層41〇與圖案 化絕緣塾層42G的其中-種方法。請參照圖6A，在絕緣基 板獅上全面形成第-導電層彻’。接著請參照圖狃盥 圖7A’在第-導電層41〇’上形成暫時圖案化絕緣塾層 420。圖6B是圖7A中沿A-A線的剖面圖。暫時圖案化絕 緣墊層420’具有多個第—區422與多個第二區424。第一 區422之暫時圖案化絕緣墊層猶，的厚度大於第二區424 之暫時圖案化絕緣塾層42〇,的厚度，而且第一區422位於 =將導1層彻’所形成的掃插線以及之後將形成 的弟一導電層的=貝料線之交錯處。 ’例如是使用半調式光罩所形成缘= 16 200926412 * 一 * * .V" 24123twf.doc/p 7B’以暫時圖案化絕緣墊層420,為罩幕而蝕刻第—導電層 410’，以形成第一圖案化導電層410。圖6C是圖7B中^ B-B線的剖面圖。請參照圖6D與圖7C，移除暫時圖案化 絕緣墊層420,的第二區424,以形成圖案化絕緣墊層42〇。 圖6D是圖7C中沿A-A線的剖面圖。移除暫時圖案化絕 緣墊層420’的第二區424的方法例如是全面減少暫時圖案 化絕緣墊層420,之厚度，直到這些第二區424被移除。其 5 中減少暫時圖案化絕緣墊層420,之厚度的方法例如是進& 光阻燒退製程。 請參照圖6E ’在絕緣基板上形成絕緣層430，其覆蓋 第一圖案化導電層410與圖案化絕緣墊層420。 接著請參照圖6F，在絕緣層430上形成圖案化半導體 層440。在形成圖案化半導體層440的步驟之後，可更包 括形成一圖案化歐姆接觸層450。舉例而言，可利用離子 換雜(ion doping)的方式於圖案化半導體層mo的表面摻雜 N型離子而形成圖案化歐姆接觸層45〇。或者，可以化學 氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)的方式，於成膜 氣體中加入適當之反應氣體，例如三氫化磷(PH3)以形成一 全面的歐姆接觸層（未標示）。然後在形成圖案化半導體層 440的同a^·，形成圖案化歐姆接觸層“ο。圖案化歐姆接觸 層450可減少圖案化半導體層44〇與之後將形成的第二圖 案化導電層之間的接觸阻抗。 清參照圖6G與圖7D，在絕緣層430上形成第二圖案 化導電層460。隨之，可以此第二圖案化導電層46〇或是 17 200926412 24123twf.doc/p 形成此第二圖案化導電層的光阻(未繪示）為罩幕，進行背 通道钱刻製程以移除閘極414上方之部份圖案化歐姆接觸 層450,而暴露出部分的圖案化半導體層44〇。圖6〇是圖 7D中沿A-A線的剖面圖。第二圖案化導電層46〇具有多 條資料線462以及與多條資料線462對應連接的多個'源木^ 汲極464。源極464與汲極464可位於閘極414的相對兩 侧。其中，與資料線462連接的可以是源極464也可以是 ❹ 汲極私4。資料線462在圖案化絕緣墊層42〇上方與掃描 線412互相交錯。於本實施例中，為方便說明本發明，所 繪示的圖案化絕緣墊層420的面積等於資料線462與掃描 線412的交錯處面積，然本發明並不限定圖案化絕緣墊層 420的面積。舉例來說，請參照圖8，圖案化絕緣墊層42二 的面積也可以是大於資料線462與掃描線412的交錯處面 積，以確保完全隔絕資料線462與掃描線412。圖8所繪 不為本發明-實施例之另-種主動元件陣列基板的局部上 視圖。這些源極/汲極464、圖案化半導體層440、絕緣層 430與11些掃描線412構成多個主動元件。於本實施例中， 主動元件為底閘極結構的薄膜電晶體。於本發明之另一實 施例中，主動元件也可以是頂閘極結構的薄膜電晶體。 請參照® 6H與圖7E，更可以在絕緣基板_上形成 -保護層470。圖6H是圖7E中沿A_a線的剖面圖。保護 層470具有暴露源極/汲極464之部份區域的多個接觸窗口 472。當資料線462例如是和對應的源極464相連時，接觸 窗開口 472可暴露出汲極464之部份區域。當資料線4犯 18 200926412 …一 N 24123twf.doc/p 2如疋和對應的沒極464相連時，接觸窗開口 472可暴露 出源極464之部份區域。 接著請參照圖61與圖7F，在保護層上形成多個 ί素電極。圖61是圖7F中沿B_B線的剖面圖。晝素 。極480經由接觸窗口 472而對應地電性連接源極撕或 及極464。此外，由於晝素電極儀的位置與面積可因應 不同的需求而有所不同，因此源極464或汲極464可延伸 ® 1畫素電極働下方以與晝素電極彻電性連接。舉例來 說明參照圖9，源極464a或没極464a可延伸至晝素電 極48〇a下方以與晝素電極48〇a電性連接。圖9所緣示為 本發明-實齡I之又—種主動元件陣縣板的局部上視 圖。 承上所述，在本實施例之主動元件陣列基板及直製作 方法中，是在形成第一圖案化導電層與絕緣層·的 步驟之間形成圖案化絕緣塾層42〇,並以此圖案化絕緣塾 鬌 層420增加資料、線462與掃描線化在交錯處的距離並且 減少交錯處的寄生電容效應。因此，本實施例之主動元件 陣列基板的製作方法同樣可改善阻容延遲的缺點，進而提 升主動兀件陣列基板的效能。此外，圖案化絕緣塾層犯0 可由-般製程中用於定義第一圖案化導電層410的光阻層 形成，因此不會增加額外的製程設備與成本。 曰 另外，絕緣基板400之材料例如是坡璃或是其他透明 材料。第一圖案化導電層410與第二圖案化導電層4恥之 材質可包括銘、紹鉉合金、鋁鍺釓合金、鉬、氮化銷、欽、 19 200926412 …........-V 24123twf.doc/p 金銅與其他適當材料。絕緣層430與保護層470之材料 可包括氮化矽或其他適當材料。圖案化半導體層440之材 料可包括非晶石夕半導體或其他適當材料。圖案化絕緣塾層 420例如是有機光阻層或其他適當材料層。晝素電極*肋 之材料可包括觸氧化物、轉氧化物或其他適當材料。 一圖10所繪示為本發明一實施例之液晶顯示裝置的剖 不圖。請參照圖10，本實施例之液晶顯示裝置600包括主 ❹ 動兀件陣列基板602、對向基板604以及液晶層606。主動 元件，列基板602可以是上述各實施例的主動元件陣列基 ，或是其他符合本發明之精神的主動元件陣列基板。亦即 疋^主動元件陣列基板6〇2具有配置於絕緣層上或絕緣層 f掃瞒線之間的圖案化絕緣墊層，且_案化絕緣塾層位於 資料線與掃描線的交錯處。因此，主動元件陣列基板6〇2 的效能較佳，也使液晶顯示裝置6〇〇的顯示效能獲得提 升。對向基板604配置於主動元件陣列基板6〇2上方，液 晶層606則位於對向基板6〇4與主動元件陣列基板6〇2之
PaWb外’液晶顯示裝置_可更包括背光模組_，而 主動7L件陣列基板6〇2、對向基板6〇4與液晶層 606可配 置於背光模組608上方。 综上所述，本發明之主動元件陣列基板及其製作方法 在既有的光罩製程中，於掃描線與資料線之間額外加入一 層圖案化絕緣塾層以增加掃描線與資料線的間距。由於導 ，間的寄生電谷值與導線間距成反比，因此增加掃描線與 貧料線的間距可降低掃描線與資料線之間所產生的寄生電 20 200926412 i U / W 1 1.ZT.X A X T / 24123twf.doc/p 容效應’進而降低阻容延遲。另外，由於可在既有的光罩 製程中進行，故此種製作方法不會增加額外的製造設備和 成本。因為本發明之主動元件陣列基板的阻容延遲現象獲 得改善’所以當應用在液晶顯示褒置時亦能使得液晶顯示 裝置的顯示效能有所提升。 ❹ 、雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，财並非用以 限定本發明’任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不 =離ίΓ月之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾， =本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者 【圖式簡單說明】 件陣薄膜電晶體液晶顯示裝置之主動元 圖1Β為圖1Α中沿Α_Α線的剖面圖。 件陣=製: 上視圖㈣〜3續糊2^21之$財部份步驟的 基板=1:本發明-實施例之另-種主動元件陣列 圖5所緣示為本發明—實施例之又 基板的局部上視圖。 種主動几件陣列 圖6Α〜圖61所緣示為本發明一 元件陣列基板的製程剖面圖。 實_之另-種主動 21 200926412 χ vV 24123twf.doc/p 圖7A〜圖7F所繪示為圖6A〜圖6I之製程中部份步驟 的局部上視圖。 圖8所緣示為本發明一實施例之另一種主動元件陣列 基板的局部上視圖。 圖9所繪示為本發明一實施例之又一種主動元件陣列 基板的局部上視圖。 圖10所繪示為本發明一實施例之液晶顯示裝置的剖 ❹ 不圖。 【主要元件符號說明】 100、200、400 :絕緣基板 102、214、414 :閘極 104、212、412 :掃描線 106、264、264a、464、464a :源極/沒極 108、262、462 :資料線 110、280、280a、480、480a :晝素電極 112、220、430 :絕緣層 ® 114 :交錯處 210、410 :第一圖案化導電層 230、440 :圖案化半導體層 230’ ：半導體層 240、450 :圖案化歐姆接觸層 240’ ：歐姆接觸層 250、250a、420、420a ·圖案化絕緣塾層 250’、420’ ：暫時圖案化絕緣墊層 22 200926412 ▲ v，………“ V 24123twf.doc/p 252、422 :第一區 254、424 :第二區 260、460 :第二圖案化導電層 270、470 :保護層 272、472 :接觸窗 410’ ：第一導電層 600 :液晶顯示裝置 602 :主動元件陣列基板 604 :對向基板 606 :液晶層 608 :背光模組 鲁 23