TW200919800A - Organic light emitting diodes having improved optical out-coupling - Google Patents

Organic light emitting diodes having improved optical out-coupling Download PDF

Info

Publication number
TW200919800A
TW200919800A TW097125740A TW97125740A TW200919800A TW 200919800 A TW200919800 A TW 200919800A TW 097125740 A TW097125740 A TW 097125740A TW 97125740 A TW97125740 A TW 97125740A TW 200919800 A TW200919800 A TW 200919800A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
organic light
light
emitting diode
electrode
Prior art date
Application number
TW097125740A
Other languages
English (en)
Inventor
Cristina Tanase
Mihaela-Ioana Popovici
Original Assignee
Koninkl Philips Electronics Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninkl Philips Electronics Nv filed Critical Koninkl Philips Electronics Nv
Publication of TW200919800A publication Critical patent/TW200919800A/zh

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/331Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

200919800 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於包括-光抽出層以提高糾部偶合之有機 發光二極體。亦關於一製造該有機發光二極體之方法。 【先前技術】 有機發光二極體(OLED)—般包括若干有機層(基於細小 有機分子和/及聚合體),其各層本身之功能均經最優化並 夾在二個電極,即一個陽極(例如氧化銦錫(it〇D及一個陰 極(例如Ba/Al、LiF/Al)之間。 源自OLED之光之光抽出效率是出現在生產高效〇led中 之一個主要問題。該抽出效率係定義為該裝置内所發出的 光與發射到大氣中之光的比例,一般在〇17_〇.5範圍内。 US 2005/0194896揭示一種旨在提高外部偶合效率以抽 出自發射層發射到外部之光的有機發光裝置。依據us 2005/0194896,此可藉由一作為光抽出層之奈米結構層實 現。該奈米結構層可含有二氧化矽及二氧化鈦粒子,且為 内含有微孔以減小平均折射率之結構。 然而,依據US 2005/0194896之光抽出層在技術上係難 以達到且此外,若將該抽出層施用於—〇LED外部,則會 喪失其效用。 【發明内容】 一本發明目的係提供有改善的光抽出效率且容易生產之 OLED 〇 該目標可藉由一有機發光二極體實現,該二極體包括一 132421.doc 200919800 第一電極層,一第二電極層;—夾在該第一電極層與該第 二電極層之間的有機發光層;一光抽出層,其中該光抽出 層係經設置以接收穿透過該第一電極層及/或該第二電極 層的光,该光抽出層係藉由一保護層與該等電極層隔開; 且均方根粗糙度(RMS)係在HMoo nm範圍内。較佳係該光 抽出層之均方根粗糙度(RMS)係在1〇〇_6〇〇 nm範圍内。該 光抽出層具有高透射性及漫透射性且已證明可大幅提高該 等OLED的效率。 汶光抽出層較佳係包括二氧化鈦奈米粒及介孔範圍之 孔,6亥等孔係經二氧化石夕填充。該光抽出層之折射率較佳 係約1.9。 〇亥將6亥光抽出層與該等電極層隔開之保護層可係如一基 材’如電介質層或者封裝層。 本發明亦關於-種包括上述有機發光二極體之發光裝 置。此外,本發明關於-種生產該有機發光二極體之^ 法。 特別地,-種用於生產依據本發明之有機發光二極體之 方法包括提供第-電極層;提供第:電極層;提供一夫在 該第-電極層與該第二電極層之間的有機發光層;及提供 -光抽出^ ’其中該光抽出層係經設置以接收穿_第 -電極層及/或該第二電極層的I且該光抽出層係藉由 一保濩層與該等電極層隔開。 :光抽出㈣在濕度在30·⑽%之範圍内的封閉 藉由施用’較佳係經由旋塗-層前驅體溶膠-凝膠薄膜, 132421.doc 200919800 特別係二氧化鈦前驅體凝膠形成。該濕度範 抓'之後,如㈣镇之範_’壯听之溫度下^ 燥該膜。该方法可另外包括如在1〇〇_12(rc之範圍内如 110 C之溫度下硬化該膜之步驟。 a亥二氧化鈦前驅體凝膠可藉由烴氧基鈦,例如異丙氧鈦 提供反應性側氧基複合&,;力口入一冑量的烷氧基矽烷, 例如四乙氧基石夕院;及回流該所得混合物。 該方法之簡化及在低溫下實現在補充加工期間無損已生 產之OLED裝置的事實係本發明之主要優點。 本發明該等及其他方面將可由參見下文描述的實施例瞭 解並以其說明。 【實施方式】 本發明係關於由於在該玻璃基材,或該〇LE]d裝置之陽 極或陰極側所施用具有高折射率之Ti02-Si02補充無機層而 有改善之光抽出之OLED。本發明可應用於固態區域照 明’特別是照明及照明燈等。 圖式la-c展示依據本發明之〇led之不同實施例。依據 本發明,包含基於細小分子(sni〇LEDs)或聚合體(PLEDs) 兩者之LED。該OLED之層狀結構含有一薄有機發光層 4a、4b、4c,其係佈置於二個電極,如圖式ia_c中所示之 陽極3a、3b、3c與陰極5a、5b、5 c(其中至少一者是透明 的)之間。該有機發光層4a、4b、4c亦可係一有機發光層 堆疊體。 該層狀結構係安裝於一基材2a、2b、2c上。除了圖式 13242l.d〇c 200919800 la-c所示之層狀結構外’還可添加額外層,如微空腔層、 用於改變或改善顏色之層’散射層及/或電洞注入層。該 等可能之額外層不改變依據本發明實現基本目的之方式。 、言種It况下’可區分稱為頂部發射體者及底部發射體 者。依據圖式la,底部發射體係發光穿過該基材以而發射 光?a。在該情況下,該陽極_包括一㈣層i該陰極& 可包括—層鋁或經-保護性金屬,如鋁覆蓋之低功函數金 屬如Ba。亦可按相反次序將該層狀結構塗布於該基材上。 然後該類型之頂部發射體不按圖式la所示方式穿過該基材 2a而以相反方向發射光。該等頂部發射體可藉由不同陽極 及陰極組合物產生光學透明之陰極及反射陽極的方式製 得。 π全透明之裝置另可藉由施用如圖式lb&lc所示之透明 陽極與陰極製得。在這種情況下,陰極5b、5c含有一多層 結構’其中該結構係光學透射且含有(如)A1以作為電子注 入接觸件,用於降低薄片電阻之八§及一具有高折射率之透 明電介質層8b、8c,如ZnSe或ZnS以提高光學透射。 本案之發明者已發現可使用一光抽出層6a、6b、6c提高 自具有底部發射配置或雙側發射配置之〇LEC)之光抽出。 該光抽出層6a、6b、6c係經設置以接收穿透過該陰極層 5b、5c及/或該陽極層3a、3b、3c的光且藉由一保護層(其 可係(例如)一透明基材2a、2b、2c或一電介質層8b、8c)與 該等電極層隔開。 特別地’可將該光抽出層6a、6b、6c塗布於該陽極封裝 132421.doc 200919800 玻璃2a、2b、2c及/或該電介質層8b、8c上之陰極側或該薄 膜封裝或玻璃封裴層(未標示)上。此處,該薄膜封裝層係 才曰一用於保護該0LED而不受環境之不同成分(例如,水、 氧耽)影響之無機/無機或無機/有機多層堆疊體替代物。
不應將該光抽出層6a、6b、6c直接塗布於陰極5a、5b、 5c或陽極3a、3b、3c上,因其有與該等層發生化學相互作 用之風險。該層與該陰極之化學相互作用可能造成陰極退 化及”、、點之產生。由於該光抽出層之粗糙度係在數十至數 百nm(將進—步解釋於下),其將干擾該有機/第二電極層 之形成’造成該等〇LED之短路。 可使用原子力顯微鏡(AFM)以定量測量該光抽出層6a、 6e之奈米級表面。特徵化奈米級表面之合適方式是測 直均方根(RMS)粗輪度。 吾人發現,藉由該光抽出層6a、6b、&所誘導獲改善之 S外β偶口係由於藉由該AFM估計之該腹s粗輪度在 800麵範圍β。該粗輪度因該等”山坡”及”山谷,,而產生表 面散射現象’其中’該等”山坡”具有約19之高折射率、 該等”山谷"(經空氣填滿空隙)具有約i之折射率。該折射率 之差(然後經估計可約狀9)造成光之漫透射,經估計 以提供最大光輸出。0LEM據光外部偶合之效率 可提南30%至60%,且可音7目+、士0 且了實現向流明功率及亮度光 此"約w之折射率係指-不-定恰好為1>9,而 ^ 2.0之範圍内,或在U…5之範圍内之折射率。,8· 在本發明一較佳實施例中,該光抽出層6a、6b、6cp I3242J.doc •J0· 200919800 包括二氧化欽(亦稱為叫)粒子且具有介孔範圍内之孔之 奈米複合層。如本文所用的,"介孔範圍"係指小於5〇⑽ 之孔。該等孔較佳係經二氧化石夕(亦稱為Si〇d填充。 ^康本發明,該:氧化鈦二氧切系統可以下列方式 製得:可輕易獲得一在10_800 nm,特別是1〇〇__麵範 圍内之RMS以涵蓋大部分VIS波長範圍。令人驚譯地發現 在該奈米複合層的生產過程中,濕度值之窄小範圍係與該 所形成之粗糙度直接相關。 藉由調節該Ti〇2-Si〇2奈米複合物薄膜之正確生成條件, 可獲得自該OLED所抽出光之最高效率外部偶合之最佳折 射率、結晶大小及孔隙度。本發明提供—種簡單的製造方 法,其使用具有高折射率之Ti〇2_Si〇2奈米複合物之旋塗氧 化物基質薄膜作為光外部偶合結構。在受控制之加工條件 下’可獲得該含有大小已經調節之二氧化欽奈米粒子之薄 膜。製備該加2_叫奈米複合物薄膜之低溫(約和⑺ 可確保該裝置之完整性。 曰=一如非晶質二氧化欽群集之層厚度般大小之聚集體 其長度為數十微米(依據TEM分析)。該系統中需要二氧 化石夕以降低該層之孔隙度並提高該玻璃基材之附著性。形 成^該薄財之孔係在介孔範圍内(小於5G岭所使用 的浴膠含有反應性鈦側氧基複合物群集,其在一以特定渴 度及溫度值為特徵之封閉環境中旋塗沈積期間水解且形成 一氧化鈦奈米粒子。 令人驚言牙地發現’在低水解率且對應於約15-16%之欲旋 132421.doc 200919800 塗基材上方之反應介質的相對濕度情形下,該RMS將從1 -2 nm之值增加至濕度為8〇。/。之16〇 nm或濕度為1〇〇%之778 nm。依據本發明製造方法,該濕度較佳係在3 〇_丨〇〇%之範 圍内’最佳係在65-85%之範圍内。 該組合物及合成路徑之一項優點是低溫可加工性。該二 氧化鈦奈米粒子立刻在旋塗沈積過程中形成並在低加工溫 度(約ll〇°C)下達到期望尺寸。該溫度亦可確保完全清除所
使用的溶劑且密實化該層,該層將顯示足夠高(約為19)之 折射率值。 因此,在1HTC之硬化溫度及空氣下所獲得該丁必與 Si〇2間之折射率差約為G.9且此由於粗糙化表面之幾何組態 而進—步增強所獲得之光抽出。該依據本發明之光抽出層 :…、周圍%楗(邊又為空氣)之間約〇9的折射率差係極為有 益:。為此,”約0,之折射率差係指不一定恰好為", 而是可在如0.H.0之範圍内,或在〇8从%之範圍内之折
卜文^述將依據本發明之丁丨〇 在保護OLED裝置之該玻璃美 碉丞材上之一般加工步驟。 該光抽出層係在濕度在 二 〇〇/〇範圍内的封閉環境中藉 由主布一珂驅體溶膠凝膠薄 狀”尨一& 、卫乾备之而形成。一"溶膠 夕'' 種可膠化形成固體之勝體旱年、〇鞅 方法.、牛;5 ^ 〈胗體懸汙體。該溶膠-凝膠 方法涉及一糸統從液相(膠狀"溶 ^ ^ ^ )轉化為固相(該,•凝膠";)。 該所传多孔溶料在較高溫度下 該前驅體溶膠凝膠含有 ·"冋又虱化物材料。 有形成均方根粗糙度在_㈣範 132421.doc 200919800 圍内之層所需成分。該前驅體溶膠凝膠較佳係二氧化欽 驅體溶踢凝移。
膠1:"乳基鈦對水具極高反應性,使用-擬非水解溶 立》方法可獲得該二氧化鈦前驅體溶膠凝膠。藉由使 用超曰波合成法使異丙氧鈦(IV)先與不同配位基鉗合形成 反應性側氧基複合物。接著將四乙氧基石夕烧加入該系統中 並=處於10吖以下。在一特定濕度值及恒定室溫之封 閉% i兄中將該溶膠凝膠塗布於覆蓋該等〇LED裝置之玻璃 基材上。與空氣中的濕氣相接觸時,水解該鈦側氧基複合 物且凝結該羥基封端之側氧基群集而形成該二氧化鈦奈米 粒子。在U(rc下加熱板上乾燥薄膜之過程中,該Ti-0-Ti 網狀物收縮,該固態内容物增加且釋放出該揮發性組份。 °亥不米複合物中所存在之小量二氧化矽填充該等孔且經由 Η基改善在泫玻璃基材上之附著性。在11 〇它下硬化一 J時足以獲得期望之性能如折射率、穿透率及機械強度。 下列實例子提供獲得依據本發明之奈米複合物層之詳盡 程序步驟。 實例 所有的溶劑均為獲自Sigma-Aldrich及Across Organics公 司之試藥級。異丙氧鈦(TTIP) 97% (Sigma-Aldrich)係溶於 乙醇單 丁基驗(EGBE) ’ 98% (Across Organics)在脲 punss p.a (Fiuka)的存在下,以TTIp : EGBE :脲:Et〇H= 1*3 1 • 33之莫耳比〉谷於無水乙醇Et〇H (Across Organics) 中°該溶膠(指示為Tu)在室溫下超音波處理五十分鐘,獲 132421.doc 200919800 付一種反應性側氧基群集溶膠,將其進一步保存於乾燥空 氣内。將少量四乙氧基矽烷TEOS (Sigma-Aldrich)加入一 半溶膠中以使莫耳比為TTIP/TE0S=6/1且二種溶膠處於97 C下迴流九十分鐘。在一個環境濕度經控制之封閉箱子 裏,將該等所得溶膠旋塗至矽晶圓及AF45玻璃基材上。在 不同相對濕度值下,可聛得一糸列婼0 卜 Γ J獲付糸列樣。吾人發現最佳濕 度範圍係 65%-85%。在 60〇C 下 一 Λσ'献 I· 士t y Lh加熱板上乾燥該等薄膜且
之後在110。(:下硬化一小時。 【圖式簡單說明】 圖la-c顯示一根據本發明oled之示咅 性圖解,Θ g 底部發射配置⑷及包含根據本發明光八 ^ ^ y ^ 在不同位置上 之雙側發射配置(b,c卜 1上 【主要元件符號說明】 2a 基材 2b 基材 2c 基材 3a 陽極 3b 陽極 3 c 陽極 4a 有機發光層 4b 有機發光層 4c 有機發光層 5a 陰極 5b 陰極 132421.doc • 14 - 200919800 5c 6a 6b 6c 7a 8b 8c 陰極 光抽出層 光抽出層 光抽出層 光 電介質層 電介質層
132421.doc -15

Claims (1)

  1. 200919800 . 十、申請專利範圍: 1· 一種有機發光二極體,其包括: -一第一電極層; -一第二電極層; •-夾在該第-電極層與該第二電極層之間的有機發光 層; -一光抽出層: Γ 纟中,該光抽出層係經設置以接收穿透過該第-電極 " 層及/或該第二電極層的光; 該光抽出層係藉由一保護層與該等電極層隔開;且 其均方根粗糙度(RMS)係在1〇_8〇〇11111範圍内。 2. 如請求項1之有機發光二極體,其中,該光抽出層之均 方根粗糙度(RMS)係在100-600 nm範圍内。 3. 如請求項1或2之有機發光二極體,其中該光抽出層係_ 奈米複合物層。 (;4.如請求項3之有機發光二極體,其中該奈米複合物層包 括一氧化欽奈米粒子。 5. 如請求項3之有機發光二極體,其中該奈米複合物層含 •有介孔範圍内之孔。 6. 如請求項5之有機發光二極體,其中該等孔係經二氧化 矽填充。 7. 如請求項1或2之有機發光二極體,其中該光抽出層之折 射率約為1.9。 8·如請求項1或2之有機發光二極體,其中該保護層係一基 132421.doc 200919800 材。 9. 如請求項1或2之有機發光二極體,其中該保護層係—電 介質層。 10. 如叫求項1或2之有機發光二極體,其中該保護層係—封 裝層。 11. 一種包括如請求項U0中任—項之有機發光二極體之發 光裝置。 X 12. —種製造有機發光二極體之方法,其包括: -提供一第一電極層; _提供一第二電極層; 提供夹在該第一電極層與該第二電極層之間之有機 發光層;及 -提供一光抽出層, 其中’該光抽出層係經設置以接收穿透過該第一電極 層及/或該第二電極層的光; έ亥光抽出層係藉由一保護層與該等電極層隔開;其 中,該光抽出層係如下所形成: -在濕度為30。/。-100%範圍内之封閉環境中塗布一前驅 體溶膠凝膠薄膜,及 -乾燥該薄膜。 13. 如叫求項12之方法,其中該濕度之範圍為。 14. 士明求項12或13之方法,其中該前驅體溶膠係一種二氧 化鈦前驅體溶膠凝膠。 15. 如吻求項14之方法,其中該二氧化鈦前驅體溶膠凝膠係 132421.doc 200919800 如下獲得 -自蛵氧基鈦提供反應性側氧基複合物 加入-定量的烷氧基矽烷;及 -使該所得混合物迴流。 燒係四乙氧基石夕 16.如請求項15之方法,其中該烷氧基矽 烧 17. 如請求項15之方法’其中該煙氧基鈦係異丙氧基鈦。 18. 如請求項Π或13之方法,另外包括硬化該薄膜之步驟。 19. 如請求項12或13之方法’其中藉由旋塗塗布該薄犋。 132421.doc
TW097125740A 2007-07-11 2008-07-08 Organic light emitting diodes having improved optical out-coupling TW200919800A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07112247 2007-07-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200919800A true TW200919800A (en) 2009-05-01

Family

ID=39924991

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097125740A TW200919800A (en) 2007-07-11 2008-07-08 Organic light emitting diodes having improved optical out-coupling

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2010533358A (zh)
TW (1) TW200919800A (zh)
WO (1) WO2009007919A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103518269A (zh) * 2011-04-12 2014-01-15 阿科玛股份有限公司 用于oled器件的内部的光提取层

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012059861A1 (en) * 2010-11-02 2012-05-10 Kba-Notasys Sa Device for irradiating substrate material in the form of a sheet or web and uses thereof
US20130106294A1 (en) * 2011-10-31 2013-05-02 General Electric Company Organic light emitting diodes in light fixtures
JP5785853B2 (ja) * 2011-11-21 2015-09-30 株式会社Joled 有機elデバイスの製造方法
JP2015526867A (ja) * 2012-08-22 2015-09-10 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー マイクロキャビティoled光抽出
KR101465882B1 (ko) 2013-05-27 2014-11-26 순천향대학교 산학협력단 유기발광다이오드
JP6918342B2 (ja) * 2017-05-08 2021-08-11 国立大学法人広島大学 電場増強基板
EP3865860A1 (en) * 2020-02-14 2021-08-18 Elmitwalli, Hossam Device for ultra-bright directional light emission

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5005164B2 (ja) * 2004-03-03 2012-08-22 株式会社ジャパンディスプレイイースト 発光素子,発光型表示装置及び照明装置
EP1860919B1 (en) * 2005-03-11 2012-02-15 Mitsubishi Chemical Corporation Electroluminescence element and lighting apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103518269A (zh) * 2011-04-12 2014-01-15 阿科玛股份有限公司 用于oled器件的内部的光提取层

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010533358A (ja) 2010-10-21
WO2009007919A2 (en) 2009-01-15
WO2009007919A3 (en) 2009-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200919800A (en) Organic light emitting diodes having improved optical out-coupling
TWI378575B (en) Light emitting diode device and manufacturing method thereof
Liu et al. A review of stability-enhanced luminescent materials: fabrication and optoelectronic applications
US7969089B2 (en) LED with improved light emission profile
TW201244217A (en) Internal optical extraction layer for OLED devices
CN106847955B (zh) 氧化锌纳米颗粒修饰的钙钛矿CsPbBr3薄膜及其应用
TWI491308B (zh) 有機/無機白光發光元件及其製作方法
TW201234583A (en) Organic light emitting diode and method for producing the same, image display device and lighting device
CA2935909A1 (en) Optical substrate, mold to be used in optical substrate manufacture, and light emitting element including optical substrate
TW200947783A (en) Substrate bearing an electrode, organic light-emitting device incorporating it, and its manufacture
KR20040047949A (ko) 복합박막 보유기판, 투명도전성막 보유기판 및 면발광체
TW200919801A (en) Methods of making low-refractive index and/or low-k organosilicate coatings
TW201245694A (en) Metal particle assembly
CN109585619A (zh) 一种高荧光产率CdS/CdSe/CdS量子阱及其发光二极管的制备方法
CN108589046B (zh) 一种复合荧光纳米纤维膜的制备方法
Yuan et al. Fluorescence enhancement of perovskite nanocrystals using photonic crystals
JP6437998B2 (ja) 散乱マトリックス上の真空蒸着屈折率マッチング層を含む光出力結合層スタック(ocls)を有する被覆製品及び装置、及びその製造方法
US20130320385A1 (en) Method for Producing a Radiation Conversion Element, Radiation Conversion Element and Optoelectronic Component Containing a Radiation Conversion Element
Yang et al. Magic sol–gel silica films encapsulating hydrophobic and hydrophilic quantum dots for white-light-emission
KR100932903B1 (ko) 나노로드 밀집도가 조절된 전도성 기판 구조체 및 그전도성 기판 구조체 제조 방법
US20110039079A1 (en) Structured substrate glass for led's and method for production thereof
KR20160009029A (ko) 투명 확산성 oled 기판 및 그러한 기판의 제조 방법
CN112010258B (zh) 具有微纳结构阵列的复合薄膜的制备方法
TW200920769A (en) Flexible substrate, its preparation and light emitting device containing the same
WO2020043147A1 (zh) 一种led与薄膜的制备方法