200917322 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於具備二氧化矽玻璃所成的放電容器’在 介設有形成該放電容器的二氧化矽玻璃的狀態下設有一對 電極所成，而在上述放電容器的內部發生準分子放電的準 分子燈。 【先前技術】 近年來，開發了例如藉由將波長200nm以下的真空 紫外光照射在金屬，玻璃及其他材料所成的被處理體，而 藉由該真空紫外光及由此所生成的臭氧的作用來處理被處 理體的技術，例如除去附著於被處理體的表面的有機污染 物質的洗淨處理技術，或在被處理體的表面形成氧化膜的 氧化膜形成處理技術，而被實用化。 作爲照射真空紫外光的裝置，使用例如藉由準分子放 電形成準分子分子’而將利用從該準分子分子所放射的光 的準分子燈具備作爲光源者’在此種準分子燈中，爲了更 有效率地放射更高強度的紫外線，實施很多嘗試。 具體上，例如參照第6圖加以說明；記載著具備透射 紫外線的二氧化矽玻璃所成的放電容器5 1，而在該放電 容器5 1的內側與外側分別設有電極55，56所成的準分子 燈50中，在曝露於放電容器5 ；!的放電空間s的表面，形 成紫外線反射膜2 0，而作爲紫外線反射膜，僅由二氧化 矽粒子所成者，及僅由氧化鋁粒子所成者被例示於實施例 -5- 200917322 (參照專利文獻1)。 在該準分子燈50中，在放電容器51的一部分，形成 有藉由未形成有紫外線反射膜2 0進行出射在放電空間s 內所發生的紫外線的光出射部5 8。 依照此種構成的準分子燈50，在被曝露於放電容器 51的放電空間S的表面，藉由設有紫外線反射膜，在設 有紫外線反射膜的領域中，發生在放電空間S內的紫外線 藉由紫外線反射膜被反射之故，因而不會入射至二氧化石夕 玻璃’而在構成光出射部5 8的領域中，紫外線透射二氧 化矽玻璃被放射至外部之故，因而基本上，有效地可利用 在放電空間S內所發生的紫外線，而且可將構成光出射部 5 8以外的領域的二氧化矽玻璃的紫外線失真所致的損壞 抑制成較小，而可防止發生裂痕的情形。 專利文獻1 :日本專利第3 5 8 02 3 3號公報 【發明內容】 然而，在上述構成的準分子燈中，判明了若長時間被 點燈’則發生會降低紫外線反射膜的反射率的問題，或產 生紫外線反射膜的剝落等的問題。 本發明是依據如上事項所創作者，其目的在於提供即 使長時間被點燈時，也把紫外線反射膜的反射率降低的程 度被抑制較小，不會產生紫外線反射膜的剝落，因此可有 效率地出射真空紫外光的準分子燈。 本發明的準分子燈，屬於具備有放電空間的二氧化矽 -6 - 200917322 玻璃所構成的放電容器’在介設有形成該放電容器的二氧 化矽玻璃的狀態下設有一對電極所成，而在上述放電容器 的放電空間內發生準分子放電的準分子燈，其特徵爲： 在曝露於上述放電容器的放電空間的表面，形成有二 氧化砂粒子與氧化銘粒子所形成的紫外線反射膜，該紫外 線反射膜是將上述放電容器的管壁負荷作爲b[W/cm2]時 ，則在曝露於放電空間的表面層部分，氧化鋁粒子爲以 (1 0 b - 4) wt %以上，7 0 wt %以下的比率含有所成者。 依照本發明的準分子燈，紫外線反射膜爲二氧化矽粒 子與氧化銘粒子所形成，氧化銘粒子藉由以適當比率所成 者，即使長時間被點燈時，也不會使得粒界消失而被維持 之故’因而有效率地可擴散反射真空紫外光而可將反射率 的程度抑制成較小’而且氧化鋁粒子被混入所致的紫外線 反射膜對於放電容器的黏合性不會大幅度地降低，確實地 可抑制紫外線反射膜從放電容器被剝落的情形，因此有效 率地可出射真空紫外光。 【實施方式】 桌1 0疋表不本發明的準分子燈的一側的構成的槪略 的說明用斷面圖，（a)是表示沿著放電容器的長度方向的 斷面的橫斷面圖’（b)是表示的a-A線斷面圖。 該準分子燈10是具備兩端被氣密地封閉而形成有放 電空間S的斷面矩形狀的中空長狀的放電容器〗丨，而在 該放電容器Π的內部’作爲放電用氣體，例如被封入有 -7- 200917322 氙氣體，或混合氬與氯的氣體。 放電容器11是由良好地透射真空紫外光的二氧化矽 玻璃，例如合成石英玻璃所成，具有作爲介質的功能。 在放電容器11的長邊面的外表面，配置一對格子狀 電極，亦即，相對向配置著作爲高電壓饋電電極的功能的 一方電極1 5及功能作爲接地電極的另一方電極1 6朝長度 方向延伸，藉由此，作成在一對電極1 5，1 6間介設有作 爲介質的功能的放電容器1 1的狀態。 此種電極是例如藉由將金屬所成的電極材料糊膏塗佈 於放電容器1 1，或是藉由照片印刷可形成。 在該準分子燈1 0中，當點燈電力被供應於一方的電 極1 5，則經由功能作爲介質的放電容器1 1的壁而在兩電 極15，16間生成放電，藉由此，形成有準分子分子，而 且從該準分子分子產生真空紫外光所放射的準分子放電， 惟爲了有效率地利用藉由該準分子放電所發生的真空紫外 光，二氧化矽粒子與氧化鋁粒子所形成的紫外線反射膜 20設於放電容器11的內表面。在此，作爲放電用氣體使 用氙氣體時，則放出在波長172 nm具有峰値的真空紫外 線，而作爲放電用氣體使用混合氬與氯的氣體時，則放射 在波長175nm具有峰値的真空紫外線。 紫外線反射膜20是例如對應於放電容器1 1的長邊面 的功能作爲高電壓饋電電極的一方電極15的內表面領域 與連續於該領域的短邊面的內表面領域的一部分全面所形 成，而在對應於放電容器1 1的長邊面的功能作爲接地電 -8- 200917322 極的另一方電極1 6的內表面領域，藉由未形成有紫外線 反射膜20來構成光出射部（孔徑部）1 8。 紫外線反射膜20的膜厚是例如1 0〜1 00 μπι較佳。 紫外線反射膜2 0是至少曝露於放電空間S的表面層 部分，亦即，接受隨著準分子放電所產生的電漿的影響使 得二氧化矽粒子熔融而發生粒界消失的部分，例如在深度 約2 μ m的範圍內，氧化銘粒子與二氧化砂粒子混在所成 者，例如藉由二氧化矽粒子與氧化鋁粒子的堆積體可構成 〇 紫外線反射膜2 0是二氧化矽粒子及氧化鋁粒子本體 具有備有高折射率的真空紫外光透射性者之故，因而到達 至二氧化矽粒子或氧化鋁粒子的真空紫外光的一部分在粒 子表面被反射，同時其他的一部分折射而被入射至粒子內 部，又被入射於粒子內部的大部分光被透射（一部分被吸 收），而再出射之際被折射的具有重複產生此種反射與折 射的「擴散反射」的功能。 又，紫外線反射膜20是由二氧化矽粒子與氧化鋁粒 子所構成，亦即藉由陶瓷所構成，具有不會發生不純氣體 ，又耐於放電的特性。 構成紫外線反射膜20的二氧化矽粒子，是例如可使 用將二氧化矽玻璃粉末狀地作成細粒子者等。 二氧化矽粒子是如下地被定義的粒子徑爲例如 0.0 1 ~2 0 μιη的範圍內者，中心粒徑（數平均粒子徑的峰値） 爲如0.1〜ΙΟμιη者較佳，更佳爲0.3〜3μιη者。 200917322 又，具有中心粒徑的二氧化砂粒子的比率爲5 0 %以上 較隹。 構成紫外線反射膜20的氧化鋁粒子是如下地被定義 的粒子徑爲例如0.1〜ΙΟμηι的範圍內者，中心粒徑（數平均 粒子徑的峰値）爲如0.1〜3 μιη者較佳’更佳爲〇.3〜Ιμπι者 〇 又，具有中心粒徑的氧化鋁粒子的比率爲5 0 %以上較 佳。 構成紫外線反射膜20的二氧化矽粒子及氧化鋁粒子 的「粒子徑」，是指將紫外線反射膜20對於其表面朝垂 直方向切剖時的切剖面的厚度方向的大約中間位置作爲觀 察範圍，藉由掃描型電子顯微鏡（SEM)取得擴大投影像， 而以一定方向的兩條平行線隔著該擴大投影像的仟意粒子 時的該平行線的間隔的弗雷特（Feret’s)直徑。 如第2(a)圖所示地，具體上，在以單獨存在著大約球 狀的粒子A及具有粉碎粒子形狀的粒子B等的粒子時， 將以朝著一定方向[例如紫外線反射膜20的厚度方向（Y 軸方向）]延伸的兩條平行線隔著該粒子時的該平行線的間 隔作爲粒徑DA，DB。 又’針對於具有出發材料的粒子徑熔融所接合的形狀 的粒子C ’如第2 (b)圖所示地，針對於被判別爲出發材料 的粒子C 1，C2的部分的各該球狀部分，測定以朝一定方 向[例如紫外線反射膜2 0的厚度方向（γ軸方向）]延伸的兩 條平行線相夾時的該平行線的間隔，將此作爲該粒子的粒 -10- 200917322 徑 DCl，DC2。 構成紫外線反射膜2 0的二氧化矽粒子及氧化鋁粒子 的「中心粒子」，是指將針對於如上述所得到的各粒子的 粒子徑的最大値與最小値的粒子徑的範圍，例如以 0.1 μιη 的範圍分成複數區分，例如區分成約15區分，屬於各個 區分的粒子個數（度數）成爲最大的區分的中心値。 二氧化矽粒子及氧化鋁粒子是藉由具有與真空紫外光 的波長相同程度的上述範圍的粒子徑者，有效率地可擴散 反射真空紫外光。 在以上’含有於上述準分子燈1 0的紫外線反射膜2 〇 的氧化鋁粒子的比率，是將放電容器1 1的管壁負荷作爲 b [ W / c m2 ]時，則作爲（1 〇 b - 4) w t % 以上，7 0 w t % 以下。 在準分子燈，隨著電極間的電位差變大會使電漿的發 生頻度變高之故，因而輸入電力變大，亦即，管壁負荷愈 大’則紫外線反射膜曝露於電漿的頻度變高，成爲在更嚴 酷的條件下被使用。然而，如下述的實驗例的結果也所示 地’氧化鋁粒子的含有比率的下限値，在放電容器u與 管壁負荷之關係中，藉由被設定，就可將紫外線反射膜 2 〇的反射率的降低程度抑制成較小。 此種紫外線反射膜20是例如稱爲「流下法」的方法 ’就可形成。亦即，在具有組合水與PEO樹脂（聚乙餘氧 化物）的黏性的溶劑’混合二氧化矽粒子及氧化鋁粒子來 調配分散液’藉由將該分散液流進放電容器形成材料內， 附者於放電谷器形成材料的內表面的所定領域之後，利用 -11 - 200917322 乾燥，燒成，把水與PEO樹脂予以蒸發，就可形成紫外 線反射膜20。 形成紫外線反射膜20之際所用的二氧化矽粒子及氧 化鋁粒子的製造，是都可利用固相法，液相法，氣相法的 任何方法，惟在此些中，由確實地可得到亞微細粒，微米 尺寸的粒子，以氣相法，尤其是化學蒸鍍法（CVD)較佳。 具體上，例如二氧化矽粒子是藉由將氯化矽與氧在 900〜1 0 00 °C予以反應，而氧化鋁粒子是藉由將原料的氯化 鋁與氧在1 000〜1 200°C予以加熱反應，就可加以合成，而 粒子徑是藉由控制原料濃度，反應場的壓力，反應溫度就 可調整。 一般，在準分子燈，眾知隨著準分子放電，就發生電 漿，惟在如上述的構成的準分子燈中，電漿成爲大約直角 地入射於紫外線反射膜而施以作用之故，因而紫外線反射 膜的溫度會局部地急激地被上昇，於紫外線反射膜僅爲如 二氧化矽粒子所成者，則藉由電槳的熱，使得二氧化砂粒 子被熔融而會消失粒界之故，因而無法擴散反射真空紫外 光而降低反射率。 然而’紫外線反射膜2 0爲由二氧化矽粒子與氧化鋁 粒子所構成，以適當比率含有氧化鋁粒子所成者，藉由此 ，依照上述構成的準分子燈1 〇，即使被曝露在依電漿所 致的熱時’其有比二氧化矽粒子還高融點的氧化鋁粒子是 也不會熔融之故，因而以粒子彼此間結合著互相地鄰接的 二氧化砂粒子與氧化銘粒子被防止而被維持著粒界，因此 -12- 200917322 即使長時間被點燈時，也有效率地可擴散反射真空紫外光 而可維持初期的反射率，而且混入有氧化鋁粒子所致的紫 外線反射膜2 0對於放電容器1 1的黏合性不會大幅度地降 低之故，因而確實地可抑制紫外線反射膜2 0從放電容器 11被剝落的情形，因此有效率地可出射真空紫外光。 又，氧化鋁粒子是具有比二氧化矽粒子還高折射率之 故，因而與僅由二氧化矽粒子所形成的紫外線反射膜相比 較，可得到高反射率。 又，藉由在被曝露在產生準分子發光的放電空間S的 放電容器1 1的內表面形成有紫外線反射膜2 0，可將放電 空間S內的真空紫外線隨著入射於光出射部1 8以下的領 域的二氧化矽玻璃的紫外線失真所致的損傷予以減小，而 可防止發生裂痕。 以下，將爲了確認本發明的效果所進行的實施例加以 說明。 (實驗例1) 依照第1圖的構成，來製作除了從紫外線反射膜的表 面距 2μηι的膜厚中所含有的氧化鋁粒子的含有量在 〇〜50wt%的範圍變更的情形以外是具有同一構成的4種類 的準分子燈，同時製作除了未具有紫外線反射膜的情形以 外是具有同一構成的準分子燈。在此，含有於從紫外線反 射膜的表面距2 μιη的膜厚中的氧化鋁粒子的含有量及二 氧化矽粒子的含有比率，是從放電空間側，藉由電子顯微 -13- 200917322 鏡以數100〜1000倍的放大率一邊觀測紫外線反射膜，一 面使用能量分散型X線分析裝置進行定量分析所得到者 ，將氧化鋁粒子的含有量表示爲氧化鋁粒子質量/(二氧化 矽粒子質量+氧化鋁粒子質量）xl00[wt%]，而將二氧化矽 粒子的含有量表示爲二氧化矽粒子質量/(二氧化矽粒子質 量+氧化鋁粒子質量）xi〇〇[wt%]。 [準分子燈的構成] 放電容器的尺寸是10x42xl50mm厚度爲25mm，而作 爲放電用氣體，將氙氣體以40kP a的封入量封入在放電容 器內。 高電壓供應電極及接地電極的尺寸是SOxiOOmm。 構成紫外線反射膜的二氧化矽粒子是粒子徑爲 0.3〜1.0 μιη範圍內，而中心粒徑爲〇 5 μηι，具有中心粒徑 的粒子比率爲50%者。 構成紫外線反射膜的氧化鋁粒子’是粒子徑爲 0.2~0.7μιη範圍內，而中心粒徑爲〇· 4 μ m，具有中心粒徑 的粒子比率爲50%者。 二氧化矽粒子及氧化鋁粒子的粒子徑的測定，是使用 曰本日立製電場放射型掃描電子顯微鏡「S4 1 〇〇」，將加 壓電壓作爲20kV ’而將擴大投影像的觀察放率’粒子徑 爲0.1〜Ιμιη的粒子作爲20000倍，而粒子徑爲1~10μιη的 粒子作爲2 0 0 0倍。 紫外線反射膜是藉由流下法’將燒成溫度作爲11 〇 〇 -14 - 200917322 °C所得到者，其膜厚是3 Ομπι。 針對於各準分子燈，在放電容器管壁負荷b成爲0.5 W/cm2，0.7 W/cm2，1.0 W/cm2，1.4 W/cm2 的條件下使之 點燈，測定剛點燈之後，與在一定的管壁負荷連續點燈 500小時之後的波長172mm的氙準分子光的照度，算出 依反射率減少的照度變化（與初期照度的相對値），亦即， 算出[(5 00小時點燈後的發光強度）/(剛點燈之後發光強度 )]。將結果表示於下述表1。 如第3圖所示地，照度測定是在配置於鋁製容器30 的內部的陶瓷製的支撐台31上，固定準分子燈10，而且 在距準分子燈1 〇的表面1 mm的位置，相對向於準分子燈 10的方式固定紫外線照度計35，而以氮置換鋁製容器30 的內部氣氛的狀態下，藉由將交流高電壓施加於準分子燈 1 0的電極1 5，1 6間，俾在放電容器n的內部發生放電 ，來測定經由另一方的電極（接地電極）1 6的網路所放射的 氙準分子光的照度。 [表1] 管壁負荷 b[W/cm2] 照度變化(與初期照度的相對値1 無紫外線 氧化銘粒子的含有 比率「wt%] 反射膜 0 1 3 6 10 20 50 0.5 0.99 0.78 0.81 0.85 0.88 0.91 0.95 0.96 0.7 0.99 0.75 0.78 0.81 0.84 0.88 0.93 0.95 1.0 0.98 0.70 0.74 0.78 0.82 0.86 0.92 0.95 1.4 0.98 0.60 0.64 0.71 0.78 0.84 0.90 0.93 -15- 200917322 由以上結果，可知在未具有紫外線反射膜的準分子燈 中，未實質地產生經時性的照度變化，降低照度是以降低 紫外線反射膜的反射率作爲原因所產生。 又，作爲製品的規格，例如被要求8 0 %以上的維持率 之故’因而若以照度變化成爲0 · 8以上作爲判定基準，則 照度變化被保持在0.8以上的氧化鋁粒子的含有比率，是 在管壁負荷爲〇.5 W/cm2時爲被確認需要iwt%以上，在 管壁負荷爲0.7 W/cm2時爲3wt%以上，管壁負荷爲1.0 W/cm2時爲 6wt%以上，而管壁負荷爲1 .4 W/cm2時爲 10wt%以上，如第4圖所示地，照度變化被保持在0.8以 上時約氧化鋁含有量y，是在與管壁負荷b的關係中，若 比以y=l 〇b-4所表示的直線L還上方的領域的量，則可將 紫外線反射膜構成作爲具有所期望的反射特性者，而確認 可將降低照度的程度抑制成較小。 <實驗例2> 除了將構成紫外線反射膜的二氧化矽粒子與氧化銘粒 子的含有比率依照下述表2予以變更以外’將具有與實驗 例1所用者相同基本構成的6種類的準分子燈分別製作各 1 0支，而針對於各準分子燈，以目視來觀察有無紫外線 反射膜的剝落。將結果表示於下述表2。 -16- 200917322 [表2] 構作材料 有無發生紫外線反射膜的剝落 二氧化矽粒子 氧化鋁粒子 準分子燈1 90wt% 1 Ow t % 〇 無剝落 準分子'燈2 50wt% 50wt% 〇 無剝落 準分子‘燈3 40w t % 60wt % 〇 無剝落 準分子燈4 30wt % 70w t % 〇 無剝落 準分子燈5 25wt% 75w t % Δ 在一部分的燈發生剝落 準分子燈6 20w t % 80w t % X :在所有燈發生剝落 由以上結果，藉由紫外線反射膜的氧化鋁粒子的含有 比率爲70 wt%以下，可確認紫外線反射膜的剝落不會產生 的情形。 因此，由表示於上述實驗例1及實驗例2的結果，可 確認紫外線反射膜的氧化鋁粒了·的含有比率爲（1 〇b-4) wt% 以上[b :放電容器的管壁負荷（W/cm2)]，70wt%以下，藉 由此，即使長時間被點燈的情形，也維持紫外線反射膜的 初期反射率，而可得到不會產生紫外線反射膜的剝落的準 分子燈。 以上，針對於本發明的實施形態加以說明，惟本發明 是並不被限定於上述實施形態者，可施加各種變更。 本發明是並不被限定於上述構成的準分子燈者，也可 適用於如第5圖所示的所謂「四方型」的準分子燈，或是 如第6圖所示的雙重管構造的準分子燈。 表示於第5圖的準分子燈40是例如具備合成二氧化 矽玻璃所成的斷面長方形的放電容器4 1所成，而金屬所 -17- 200917322 成的一對外側電極45，45配設於放電容器4 1的互相相對 向的外表面而成爲朝放電容器41的管軸方向延伸，而且 放電用氣體的例如氙氣體被塡充於放電容器41內。在第 5圖中，符號42是排氣管，而符號43是如鋇所形成的吸 氣劑。 在此種構成的準分子燈40中，對應於放電容器41的 內表面的各個外側電極45，45的領域及連續於此些領域 的一方的內面領域的所有領域，設有上述紫外線反射膜 20，而藉由未設有紫外線反射膜20以形成光出射部44。 又，如第6圖所示的準分子燈5 〇，是具有二氧化矽 玻璃管所形成的圓筒狀外側管5 2，及在該外側管5 2內沿 著其管軸所配置的具有比該外側管5 2的內徑還小的外徑 的例如二氧化矽玻璃管所形成的圓筒狀內側管5 3，外個j 管52與內側管53在兩端部被熔融接合而在外側管52與 內側管5 3之間具備形成有環狀放電空間S所成的雙重管 構造的放電容器51，例如金屬所形成的一方的電極（高電 壓供應電極）55密接設於內側管53的內周面，而且例如 由金屬網等的導電性材料所形成的另一方的電極5 6密接 設於外側管5 2的外周面，而在放電空間S內，例如塡充 藉有由氙氣體等準分子放電形成準分子分子的放電用氣體 所構成。 在此種構成的準分子燈5 0中，例如在放電容器5 1的 內側管53的內表面的所有全周設有上述紫外線反射膜2〇 ，而且在外側管5 2的內表面’除了形成光出射部5 8的一 -18- 200917322 部分的領域以外設有二氧化矽粒子與氧化鋁粒子所形成的 紫外線反射膜20。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示本發明的準分子燈的一例子的構成槪略 的說明用斷面圖，（a)是表示沿著放電容器的長度方向的 斷面的斷面圖，（b)是表示（a)的A-A線斷面圖。 第2圖是表示用於說明二氧化矽粒子及氧化鋁粒子的 粒子徑的定義的說明圖。 第3圖是表示用於說明實驗例的準分子燈的照度測定 方法的斷面圖。 第4圖是表示準分子燈的照度變化被保持在0.8以上 時的放電容器的管壁負荷’及紫外線反射膜的氧化鋁含有 量的關係的圖表。 第5圖是表示本發明的準分子燈的其他例子的構成槪 略的說明用斷面圖’（a)是表示沿著放電容器的長度方向 的斷面的斷面圖。（b)是表示依垂直於（a)的紙面的平面的 斷面的斷面圖。 第6圖是表示本發明的準分子燈的另一例子的構成槪 略的說明用斷面圖。（a)是表示沿著放電容器的長度方向 的斷面的橫斷面圖’（b)是表示（a)的a-A線斷面圖。 【主要元件符號說明】 1 0 :準分子燈 -19- 200917322 11 :放電容器 1 5 : —方的電極（高電壓供應電極） 16 :另一方的電極（接地電極） 18 :光出射部（孔徑部） 20 :紫外線反射膜 3 0 :鋁製容器 31 :支撐台 3 5 :紫外線照度計 4 0 :準分子燈 4 1 :放電容器 42 :排氣管 43 :吸氣劑 44 :光出射部 45 :外側電極 5 0 :準分子燈 5 1 :放電容器 5 2 :外側管 5 3 :內側管 5 5 一方的電極（高電壓供應電極） 56:另一方的電極 5 8 :光出射部 S :放電空間 -20-