TW200914970A - Liquid-crystal display, method for producing liquid-crystal display, and electronic device - Google Patents

Liquid-crystal display, method for producing liquid-crystal display, and electronic device Download PDF

Info

Publication number
TW200914970A
TW200914970A TW096141457A TW96141457A TW200914970A TW 200914970 A TW200914970 A TW 200914970A TW 096141457 A TW096141457 A TW 096141457A TW 96141457 A TW96141457 A TW 96141457A TW 200914970 A TW200914970 A TW 200914970A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal display
display device
region
light
Prior art date
Application number
TW096141457A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomotaka Matsumoto
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of TW200914970A publication Critical patent/TW200914970A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/042—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • G02F1/13312—Circuits comprising photodetectors for purposes other than feedback
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133371—Cells with varying thickness of the liquid crystal layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

200914970 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具有例如影像讀取功能之液晶顯示裝置 及液晶顯示裝置之製造方法以及電子機器。 【先前技術】 現在，作爲可攜資訊終端機等之電子機器的顯示裝置 ’使用液晶顯不裝置。於這樣的液晶顯示裝置藉由設置進 行光電變換的光感測器元件等密接型區域感測器（area sensor )被設置的光檢測區域而具有影像取入功能的液晶 顯示裝置被提出（例如，參照專利文獻1 )。在此液晶顯 不裝置’供驅動各畫素區域或光檢測區域之用的開關元件 之TFT (Thin Film Transistor’薄膜電晶體）元件與光感 測器元件分別以多晶矽爲主體而被構成，各TFT元件及 光感測器元件以同一步驟形成。 [專利文獻1 ]日本專利特開2 0 0 6 - 3 8 5 7號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 然而，前述從前的液晶顯示裝置殘留有以下的課題。 亦即’在從前之液晶顯示裝置，光感測器元件爲了防止接 收背光而使檢測精度降低之用的遮光膜設於較光感測器元 件更爲外側，所以有製造步驟複雜化的問題。此外，光感 測器元件與TFT元件同樣以多晶矽爲主體而形成，所以 200914970 有光感測器元件之設計自由度降低之問題。 本發明之係有鑑於前述從前的問題而爲之發明，目的 在於提供可謀求製造步驟的簡化及提高光感測器元件的設 計自由度之液晶顯示裝置及液晶顯示裝置之製造方法以及 具備此裝置之電子機器。 【實施方式】 本發明爲解決前述課題採用以下的構成。亦即，相關 於本發明之液晶顯示裝置，係具有被配置爲平面狀的複數 畫素區域，及檢測光的光檢測區域之液晶顯示裝置，其特 徵爲具備：分別被設於前述畫素區域之各個而開關控制該 畫素區域的驅動之第1開關元件，及被形成於與該第1開 關元件相同之層上，開關控制被設於前述光檢測區域的光 感測器元件之第2開關元件，被接續於前述光感測器元件 的感測器用電極，被形成於與被接續於前述第2開關元件 的開關用電極相同之層上。 此外，相關於本發明之液晶顯示裝置之製造方法，係 具有被配置爲平面狀的複數畫素區域，及檢測光的光檢測 區域之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲具有：在同一 層上，形成驅動前述畫素區域之第1開關元件與驅動前述 光檢測區域的第2開關元件的步驟，及形成藉由前述第2 開關元件而驅動的光感測器元件的步驟，將被接續於前述 光感測器元件的感測器用電極，形成於與被接續於前述第 2開關元件的開關用電極相同之層上。 -5- 200914970 在此發明，將光感測器元件形成於與進行驅動的控制 之第1及第2開關元件不同之層時’把被連接於光感測器 元件的電極形成於與被連接至第2開關元件的電極相同之 層上，可以簡化具有光檢測區域之液晶顯示裝置的製造步 驟。 亦即，形成開關用電極及光感測器用電極時，可以將 二者以同一步驟形成，所以可謀求液晶顯示裝置的製造步 驟的簡化。 接著，藉由將光感測器元件形成於與第1及第2開關 元件不同之層，可以使光感測器元件之設計自由度提高， 將更高感度的光感測器形成於檢測區域。 此外，相關於本發明之液晶顯示裝置，最好是前述感 測器用電極，覆蓋前述光感測器元件之下面，同時以光反 射材料或光吸收材料構成。 在此發明，藉由以光反射材料或光吸收材料構成感測 器用電極同時覆蓋光感測器元件的下面，感測器用電極作 爲遮光膜而發揮功能。藉此，防止光感測器元件檢測到由 下面側入射的光，提高根據光檢測區域之光檢出的精度。 此外，相關於本發明之液晶顯示裝置，最好是被接續 於前述光感測器元件的其他感測器用電極，被形成於與設 在前述畫素區域的顯示用電極相同之層上。 在此發明，藉由把顯示用電極及其他的感測器用電極 形成於同一層上，可以將二者以同一步驟形成，所以可謀 求液晶顯示裝置的製造步驟的進一步簡化。 -6- 200914970 此外，相關於本發明之液晶顯示裝置，前述第1及第 2開關元件，亦可爲薄膜電晶體。 在此發明，藉由以薄膜電晶體構成第1及第2開關元 件，與使用二極體之構成相比，可謀求驅動之高速化。 此外，相關於本發明之液晶顯示裝置，前述第1及第 2開關元件，亦可是以多晶矽爲主體而構成的。 在此發明，因爲可將第1及第2開關元件與光感測器 元件分別另行設計，所以可將多晶矽作爲主體構成第1及 第2開關元件而謀求驅動之高速化。 此外，相關於本發明之液晶顯示裝置’前述光感測器 元件，最好是層積型PIN二極體。 在此發明，藉由將光感測器元件以薄膜PIN二極體構 成，可以提高光的檢測效率。 此外，相關於本發明之液晶顯示裝置，前述光感測器 元件，最好是以非晶矽爲主體而構成的。 在此發明，因爲可將光感測器元件與第1及第2開關 元件分別另行設計，所以可將非晶矽作爲主體構成光感測 器元件而謀求光的檢測效率之高效率化。 此外，相關於本發明之液晶顯示裝置’最好是具有被 形成於前述第1及第2開關元件與前述光感測器元件上而 使表面平坦化的平坦化膜’及被形成於該平坦化膜上限制 液晶分子的初期配向狀態之配向膜。 在此發明，藉由平坦化膜使表面爲平坦面’可以使施 於配向膜的表面之配向處理在面內均勻進行’可以防止液 -7- 200914970 晶分子的初期配向狀態紊亂。亦即，藉由將第1及第2開 關元件與光感測器元件形成於不同之層，即使在第1及第 2開關元件的上面與光感測器元件的上面之間產生階差， 也可以藉由平坦化膜解消此階差。亦即，抑制配向不均， 使液晶分子的初期配向均一化。 此外，相關於本發明之電子機器，其特徵爲具備前述 之液晶顯示裝置。 在此發明，與前述同樣’藉由把被連接於光感測器元 件的電極形成於與被連接至第2開關元件的電極相同之層 上，可以簡化具有光檢測區域之液晶顯示裝置的製造步驟 。亦即，可以謀求液晶顯不裝置的低成本化。 [供實施發明之最佳型態] 以下，根據圖面說明本發明之液晶顯示裝置之一實施 型態。又，在以下說明所使用的各圖面，爲了使各構成成 爲可辨認的大小，所以適當變更了比例尺。此處，圖1爲 本發明之液晶顯示裝置之等價電路圖，圖2爲次畫素區域 之平面圖’圖3係圖2之A-A箭頭剖面圖，圖4係圖2 之B - B箭頭剖面圖。 (液晶顯示裝置） 本實施型態之液晶顯示裝置，係彩色液晶顯示裝置， 以輸出R (紅）、G (綠）、B (藍）之各色光的3個次 畫素區域及光檢測區域構成1個畫素之液晶顯示裝置。此 -8- 200914970 處，構成顯示的最小單位之顯示區域稱爲「次畫素區域（ 畫素區域）」。 首先，說明液晶顯示裝置1之槪略構成。液晶顯示裝 置1，如圖1所示’構成影像顯示區域之複數次畫素區域 及光檢測區域被配置爲矩陣狀。 於此複數之次畫素區域，分別設有畫素區域（顯示用 電極）η、供開關控制畫素區域1 1之用的T F T元件（第 1開關元件）12。此TFT元件12，源極被設在被連接於 由液晶顯示裝置1的資料線驅動電路1 3延伸出的資料線 1 4，閘極被連接於由被設在液晶顯示裝置1的掃描線驅動 電路1 5延伸的掃描線1 6，汲極被連接於畫素區域1 1。 此外，於複數之光檢測區域，被設有光感測器元件 21、供開關控制光感測器元件21之用的TFT元件（第2 開關元件）22、及在光感測器元件2 1放大被光電變換的 電流之TFT元件23。此TFT元件22，源極被設在被連接 於由液晶顯示裝置1的光檢測控制電路24延伸出的重設 線25，閘極被連接於由掃描線驅動電路1 5延伸的掃描線 1 6 ’汲極被連接於光感測器元件21。此外’ TFT元件23 ，源極被接續於對TFT元件23供給偏壓電壓之電源線26 ，閘極被連接於光感測器元件2 1，汲極被連接於由設在 液晶顯示裝置i的光檢測控制電路24延伸出的感測器線 27 ° 資料線驅動電路1 3，爲透過資料線1 4將影像訊號S 1 、S2.....Sn供給至各次畫素區域的構成。此處，資料 -9- 200914970 線驅動電路1 3，亦可使影像訊號S 1〜Sn以此順序因 順序供給，亦可對相互鄰接的複數訊號線1 4彼此分 給。 掃描線驅動電路15，爲透過資料線16將掃描 G 1、G 2.....G m供給至各次畫素區域的構成。此處 描線驅動電路15，將掃描訊號G1〜Gm以特定之計 衝地依照線性順序供給。 光檢測控制電路24，係透過重設線25將重設 R 1.....Rs供給至各光檢測區域，而透過重設線27 各光檢測區域接收檢測訊號D 1.....D s的構成。 此外，液晶顯示裝置1，爲開關元件之TFT元f 藉由掃描線訊號G 1〜Gm的輸入而僅一定期間成爲打 態，使從資料線1 4供給的影像訊號S 1〜Sn以特定的 寫入畫素區域11之構成。接著，透過畫素區域11被 液晶的特定位準的影像訊號S 1〜Sn，在與中介著畫 域1 1與後述之共通電極64之間保持一定期間。此處 了防止被保持的影像訊號S1〜Sn洩漏，以與被形成 素區域1 1與共通電極64之間的液晶電容倂聯接續的 賦予蓄積電容28。此蓄積電容28，被設於TFT元f 之汲極與電容線2 9之間。 接著，液晶顯示裝置1，爲TFT元件12藉由掃 號G 1〜Gm的輸入而僅一定期間成爲打開狀態，使從 線25供給的重設訊號ri〜RS以特定的計時被供給至 元件23之構成。進而，TFT元件23，爲放大因應於 照線 群供 訊號 ’掃 時脈 訊號 而由 戶12 開狀 計時 寫入 素區 ，爲 在畫 方式 戸1 2 描訊 重設 TFT 入射 -10- 200914970 至光感測器元件2 1的光量之電流而作爲檢測訊號D 1〜D s 輸出至感測器線27的構成。 其次，參照圖2至圖4同時說明液晶顯示裝置1之詳 細構成。又，在圖2省略對向基板之圖示。此外，於圖2 ，平面俯視幾乎爲矩形狀的次畫素區域及光檢測區域的沿 著長軸方向之方向定爲X軸方向’沿著短軸方向的方向 爲γ軸方向。 液晶顯示裝置1，如圖3及圖4所示，具備：元件基 板31，與元件基板31對向配置的對向基板32’被夾持在 元件基板3 1與對向基板3 2之間的液晶層3 3 ’被設於元 件基板3 1之外面側（與液晶層3 3相反之側）的偏光板 3 4，以及被設於對向基板3 2的外面側之偏光板3 5。接著 ，液晶顯示裝置1，爲由元件基板31之外面側照射照明 光的構成。 此外，於液晶顯示裝置，沿著元件基板31與對向基 板32對向的區域的端緣設有密封材（省略圖示）’藉由 此此密封材、元件基板31及對向基板3 2而密封液晶層 33 ° 元件基板3 1，具備：例如由玻璃或石英、塑膠等透 光性材料所構成的基板本體41，於基板本體41的內側（ 液晶層33側）之表面依序被層積的下底保護膜42、聞極 絕緣膜43、第1層間絕緣膜44、第2層間絕緣膜45、平 坦化膜46以及配向膜47° 此外，元件基板3 1 ’於次畫素區域’如圖2及圖3 -11 - 200914970 所示，具備：被配置於下底保護膜42的內 導體層51及電容電極52、被配置於閘極絕 側的表面之掃描線1 6及電容線29、被配置】 緣膜44的內側表面之資料線14及接續電指 置於平坦化膜46的內側表面的畫素區域1 1 < 接著，元件基板3 1，於光檢測區域，$[ 所示，具備：被配置於下底保護膜42的內 導體層54、5 5、被配置於閘極絕緣膜43的 掃描線1 6、被配置於第1層間絕緣膜44的 設線2 5、電源線2 6 (顯示於圖2 )、感測g 電極（開關用電極）5 6以及光感測器元件2 下底保護膜42，如圖3及圖4所示，$ 氧化矽）等透光性之矽的氧化物所構成，I 4 1內側的表面。 閘極絕緣膜43，例如以Si02等透光性 覆蓋被形成於下底保護膜42上的半導體層5 及電谷電極52的方式被設置。 第1層間絕緣膜44，例如以SiN (氮化 材料構成’以覆蓋閘極絕緣膜4 3及被形成 43上的掃描線1 6及電容線29的方式被設置 此外，第2層間絕緣層4 5，與第1層間 樣例如以SiN等透光性材料構成，以覆蓋被 間絕緣膜44上的資料線、光感測器元件2 i 電源線26、感測器線27以及接續電極53、 側的表面之半 緣膜4 3的內 玲第1層間絕 I 53、及被配 ) ]圖2及圖4 側的表面之半 內側的表面之 內側表面之重 I線27、接續 1 ° 如由 Si02 ( 夏蓋基板本體 材料構成，以 ;1、5 4、5 5 以 矽）等透光性 於閘極絕緣膜 〇 I絕緣膜44同 开多成於第1層 、重設線2 5、 56的方式被 -12- 200914970 設置。 平坦化膜46，例如以壓克力等具有透光性的 料構成，使被形成於第2層間絕緣膜45內側的表 凸平坦化。 配向膜47，例如以聚醯亞胺等樹脂材料構成 蓋被形成於平坦化膜46上的畫素區域11的方式被 此外，於配向膜4 7的表面，被施以例如以圖2所 畫素區域的短軸方向（Y軸方向）爲配向方向之配 〇 半導體層51，如圖2及圖3所示，平面俯視 閘極絕緣膜43被部分形成於與資料線14重疊的區 多晶矽等半導體構成。接著，半導體層51，平面 介著閘極絕緣膜43以及第1層間絕緣膜44在與 1 6重疊的區域被設有通道區域5 1 a。 此外，於半導體層51，TFT元件12採用 Lightly Doped Drain，低攙雜汲極）構造，所以在 域及汲極區域分別被形成不純物濃度相對較高的高 域與相對較低的低濃度（LDD )區域。亦即，在半 5 1，於源極區域被形成低濃度源極區域5 1 b及高濃 區域51c，於汲極區域被形成低濃度汲極區域51d 度汲極區域51e。接著，以半導體層51爲主體 TFT元件12。 這些低濃度源極區域5 1 b、高濃度源極區域5 濃度汲極區域51d及高濃度汲極區域51e，藉由對 樹脂材 面之凹 ，以覆 設置。 示之次 向處理 中介著 域，以 俯視中 掃描線 LDD ( 源極區 濃度區 導體層 度源極 及高濃 ，構成 1 c、低 多晶矽 -13- 200914970 打入不純物離子而形成。此外，通道區域5 1 a，藉由不對 多晶矽打入不純物離子而形成。 電容電極52，平面俯視中介著閘極絕緣膜43被部分 形成於與電容線29重疊的區域，與半導體層51同樣以多 晶矽等半導體構成。接著，電容電極52，與半導體層51 之高濃度區域51e連續而被形成。又，電容電極52，藉 由對多晶矽打入不純物離子而形成。 掃描線16，被配置爲沿著平面俯視爲矩形狀的次畫 素區域之短軸方向（Y軸方向）。此外，掃描線16，平 面俯視中介著閘極絕緣膜4 3以與半導體層5 1之通道區域 51a重疊的方式被形成，藉由此區域形成閘極電極。 電容線29平面俯視係沿著Y軸方向配置，在平面俯 視中介著閘極絕緣膜43而與電容電極52重疊的區域上被 形成比其他區域寬幅更寬的寬寬幅部29a。藉著中介著此 寬寬幅部29a與閘極絕緣膜43而對向被至的電容電極52 ’構成蓄積電容28。 資料線14，平面俯視沿著次畫素區域的長軸方向（X 軸方向）被配置，透過貫通閘極絕緣膜43以及第1層間 絕緣膜44的接觸孔H1被連接於半導體層51之高濃度源 極區域5 1 c。此外，資料線1 4例如係由鉻等吸光性的導 電材料構成。 接續電極5 3，平面俯視沿著Y軸方向被配置，透過 貫通閘極絕緣膜4 3以及第1層間絕緣膜44的接觸孔Η2 被連接於半導體層51之高濃度汲極區域51e。 -14- 200914970 畫素區域11’平面俯視幾乎爲矩形狀，例如以ΙΤΟ( 銦錫氧化物）等透光性導電材料構成。此外，畫素區域 1 1 ’透過貫通第2層間絕緣膜4 5以及平坦化膜4 6的接觸 孔Η3而被接續於接續電極53。藉此，畫素區域11，與 TFT元件12之汲極連接。 半導體層54，如圖2及圖4所示，平面俯視中介著 閘極絕緣膜4 3及第1層間絕緣膜4 4被部分形成於與重設 線25重疊的區域，與半導體層51同樣以多晶矽等半導體 構成。接著，半導體層54’具有：平面俯視中介著閘極 絕緣膜4 3被形成於與掃描線1 6重疊的區域之通道區域 5 4a、及被形成於源極區域的低濃度源極區域54b及高濃 度源極區域54c，及被形成於汲極區域的低濃度汲極區域 54d及高濃度汲極區域54e。接著，以半導體層54爲主體 ，構成TFT元件22。 半導體層55，平面俯視中介著閘極絕緣膜43以及第 1層間絕緣膜44被部分形成於與感測器線27重疊的區域 ，與半導體層51、5 4同樣以多晶矽等半導體構成。接著 ，半導體層55，具有：平面俯視中介著閘極絕緣膜43被 形成於與下部電極57重疊的區域之通道區域55a、及被 形成於源極區域的低濃度源極區域（省略圖示）及高濃度 源極區域5 5 c (顯示於圖2)’及被形成於汲極區域的低 濃度汲極區域55d及高濃度汲極區域55e。接著’以半導 體層55爲主體，構成TFT元件23。
重設線2 5，平面俯視沿著光檢測區域的長軸方向（X -15- 200914970 軸方向）被配置，透過貫通閘極絕緣膜43以及第1層間 絕緣膜44的接觸孔H4被連接於半導體層54之高濃度源 極區域5 4 c。 電源線26，平面俯視沿著光檢測區域的短軸方向（Y 軸方向）被配置。此外，電源線26，藉由貫通閘極絕緣 膜43以及第1層間絕緣膜44的接觸孔H5與半導體層55 之高濃度源極區域5 5 c接續。 感測器線27，平面俯視沿著X軸方向被配置，透過 貫通閘極絕緣膜43以及第1層間絕緣膜44的接觸孔H6 被連接於半導體層55之高濃度汲極區域55e。 接續電極5 6，被配置於第1層間絕緣膜44上，透過 貫通閘極絕緣膜43以及第1層間絕緣膜44的接觸孔H7 被連接於半導體層54之高濃度汲極區域54e。 光感測器元件2 1，平面俯視大致爲矩形狀，構成由 基板本體41側依序層積下部電極（感測器用電極）57、 半導體層58及上部電極（其他感測器用電極）59之層積 型PIN二極體。接著’光感測器元件21，其上部電極59 成爲受光面。 下部電極57’平面俯視大致爲矩形狀，與接續電極 56連續而被形成爲一體。此外，下部電極57，透過貫通 第1層間絕緣膜44的接觸孔H8而與半導體層55之通道 區域55a中介著閘極絕緣膜43而重疊。接著，下部電極 5 7 ’與資料線14或重設線2 5、接續電極5 3、5 6同樣， 例如係由鉻等吸光性的導電材料構成。接著，下部電極 -16- 200914970 57’以充分的面積覆蓋半導體層58之下面。因此，下部 電極5 7 ’作爲防止由元件基板3 1的外面側照射來的照明 光被照射於半導體層5 8之遮光膜而發揮功能。又，下部 電極57’與前述同樣，不限於鉻等吸光性的導電材料， 例如亦可以鋁等反光性導電材料構成。即使這樣，下部電 極5 7也發揮作爲遮光膜的功能。 半導體層58’以非晶矽構成，成爲由下部電極57起 依序層積P型半導體層58a、真性層58b及η型半導體層 58c之構成。 上部電極5 9 ’係延伸於平面俯視之光檢測區域的長 軸方向（X軸方向）之帶狀，以與畫素電極11同樣之材 料例如ITO (氧化銦錫）等透光性導電材料構成。接著， 上部電極59，透過貫通第2層間絕緣膜45以及平坦化膜 46的接觸孔H9而被接續於n型半導體層58c。此外，上 部電極59，與於X軸方向鄰接的其他光檢測區域所被設 置的光感測器元件21之上部電極59導通。 另一方面，對向基板32，如圖3及圖4所示，具備 :例如由玻璃或石英、塑膠等透光性材料所構成的基板本 體61，於基板本體61的內側（液晶層3 3側）之表面依 序被層積的遮光膜62、彩色濾光層63、共通電極64以及 配向膜65。 遮光膜62，被形成於基板本體61的表面中平面俯視 與畫素區域的邊緣部重疊的區域，取畫素區域之邊緣。 彩色濾光層6 3，對應於各次畫素區域而被配置，例 -17- 200914970 如以壓克力等構成而含有對應於各次畫素區域顯示之色之 色材。此處，於與各光檢測區域對應的部分，爲了維持光 檢測區域之外光的檢測強度而爲設有彩色濾光層6 3。又 ，如果可以確保光檢測區域之外光的檢測強度的話’與光 檢測區域對應的部分設置彩色濾光層63亦可。 共通電極64，與畫素區域11同樣，例如以ITO等透 光性導電材料構成。接著，共通電極64以覆蓋遮光膜62 及基板本體61的方式設置。 配向膜65，與配向膜47同樣，例如以聚醯亞胺等樹 脂材料構成，以覆蓋共通電極64的方式被設置。此外’ 於配向膜65的表面，以與配向膜47的配向方向成爲反平 行的方式，施以把圖2所示之次畫素區域的短軸方向（Y 軸方向）作爲配向方向之配向處理。 液晶層33，成爲以使用具有正的介電率向異性之液 晶之TN( Twisted Nematic，扭轉向列）模式動作之構成 〇 偏光板34、35，以其透過軸相互大致直交的方式設 置。此處，於偏光板34、35之一方或雙方之內側，配置 光學補償膜（省略圖示）亦可。藉配置光學補償膜，可以 補償斜視液晶顯示裝置1的場合之液晶層3 3的相位差， 可以減少漏光增加對比。作爲光學補償膜，使用組合負之 單軸性媒體與正之單軸性媒體者，或是使用各方向之折射 率爲nx>nz>ny之二軸性媒體。 -18- 200914970 (液晶顯示裝置的製造方法） 其次，參照圖5及圖6說明如以上所述的構成之液晶 顯示裝置1之製造方法。此處，圖5及圖6，係顯示液晶 顯示裝置1的製造步驟之步驟圖。又，在本實施型態，因 爲於元件基板31之製造步驟有特徵，所以就此點爲中心 加以說明。 首先，藉由與過去相同的手法，於基板本體41之上 面形成下底保護膜42,於此下底保護膜42上形成半導體 層51、54、55以及電容電極52。接著，形成覆蓋半導體 層5 1、54、55以及電容電極52之閘極絕緣膜43，於此 閘極絕緣膜43上形成掃描線16以及電容線29。進而， 形成覆蓋掃描線1 6以及電容線2 9之第1層間絕緣膜44 (圖 5 ( a ))。 其次，於第1層間絕緣膜44上形成資料線14、重設 線25、電源線26 (顯示於圖2 )、感測器線27、接續電 極5 3、5 6以及下部電極5 7。在此，把例如以鉻等吸光性 之導電材料構成的導電膜形成於第1層間絕緣膜44上’ 使用光蝕刻技術將此圖案化。藉此，形成資料線1 4、重 設線25、電源線26 (顯示於圖2 )、感測器線27、接續 電極5 3、5 6以及下部電極5 7。此時，形成貫通閘極絕緣 膜43以及第1層間絕緣膜44之接觸孔HI、H2、H4、H5 (顯示於圖2 ) 、H6、H7，與貫通第1層間絕緣膜的接觸 孔 H8(圖 5(b))。 藉此，藉由同一步驟形成光感測器元件21之下部電 -19- 200914970 極與資料線14、重設線25、電源線26、感測器線27 及接續電極5 3、5 6。此外，藉由例如以鉻等吸光性導 材料形成這些資料線14、重設線25、電源線26、感測 線27(顯示於圖4)、接續電極53、56以及下部電極 ，下部電極5 7作爲遮光膜而發揮功能。 接著，於下部電極5 7上由非晶矽形成p型半導體 58a、真性層58b及n型半導體層58c所構成之半導體 58(圖5(c))。此處，半導體層58的下面全部以下 電極57覆蓋，所以可以避免半導體層58被照到由下面 射的光。 其次’形成覆蓋資料線1 4、重設線2 5、感測器線 、電源線2 6、接續電極5 3、5 6、下部電極5 7以及半導 層5 8之第2層間絕緣膜4 5，進而於第2層間絕緣膜 上形成平坦化層46。藉此，使被形成在第2層間絕緣 45的表面之半導體層58等的厚度導致的凹凸被平坦化 此外’形成貫通平坦化膜46以及第2層間絕緣膜45之 觸孔 H3、H9(圖 6(a))。 接著’於平坦化膜4 6上形成畫素區域1 1以及上部 極5 9 °在此’於平坦化膜4 6上形成例如以IΤ Ο等透光 之導電材料構成的導電膜，使用光蝕刻技術將此圖案化 藉此’使畫素區域1 1與接續電極接續，同時使上部電 與半導體層58之η型半導體層58c接續（圖6(b)) 如此進行’藉由同一步驟形成光感測器元件2 1之上部 極59及畫素區域11。 以 電 器 57 層 層 部 照 27 體 45 膜 〇 接 電 性 0 極 〇 電 -20- 200914970 接著，藉由與從前相同的手法’形成配向膜 時，因爲於第2層間絕緣膜45上形成平坦化膜46 可以避免被施於配向膜47的表面的配向處理產生 如以上進行，形成元件基板3 1。此外’藉由與從 的手法，形成對向基板32。 接著，以前述之密封材貼合元件基板31與對 32，注入液晶並密封之，形成液晶層33。進而’ 基板3 1及對向基板3 2之外面設有偏光板3 4、3 5 上所述，製造圖1至圖4所示之液晶顯示裝置1。 (液晶顯示裝置的動作） 接著，說明根據如以上的構成的液晶顯示裝置 像讀取動作。例如使筆（省略圖示）等之先端由液 裝置1的對向基板3 2的外側接近，入射至光感測 21的光的強度會改變。因此，由光感測器元件21 檢測訊號D 1〜Ds的強度會改變。接著，光檢測控 24由檢測訊號D1〜Ds之強度變化，特定出藉由筆 光被遮光的光檢測區域。如以上所述，進行影像的丨 (電子機器） 如以上所述的構成之液晶顯示裝置1，例如作 所示的可攜型個人電腦（電子機器）100之顯示部 用。此可攜型個人電腦100，具備顯示部101，與 盤102之本體部103。 47。此 ，所以 紊亂。 前相同 向基板 於元件 。如以 1的影 晶顯 器元件 輸出的 制電路 而使外 讀取。 爲圖1 101使 具有鍵 -21 - 200914970 如以上所述’根據本實施型態之液晶顯示裝置1及液 晶顯示裝置1之製造方法以及可攜型個人電腦100，可以 將被連接於TFT元件12、22、23的電極之資料線14、重 設線2 5、電源線2 6、感測器線2 7及接續電極5 3、5 6、 以及光感測器元件21的電極之下部電極57形成於第1層 間絕緣膜44上，可謀求製造步驟的簡化，同時可提高光 感測器元件2 1之設計自由度而使成爲更高感度的光感測 器元件2 1。此外，藉由將畫素區域1 1與上部電極5 9形 成於平坦化膜46上，也可以謀求製造步驟的簡化。 此處，資料線14、接續電極53、56、重設線25、感 測器線27、電源線26以及下部電極57以例如鉻等吸光 性的導電材料構成，同時下部電極57覆蓋半導體層53的 下面全面，所以遮住朝向光感測器元件2 1的下面之背光 光而防止在光感測器元件2 1受光，提高光檢測區域之光 檢測精度。 此外TFT元件1 2、22、23係以多晶矽爲主體之電晶 體，所以可謀求TFT元件12、22、23之驅動的高速化。 接著，光感測器元件2 1係以非晶矽爲主體之pIN二 極體，所以提高根據光感測器元件2 1之光的檢測效率， 提高光檢測區域之光檢測精度。 進而，藉由在第2層間絕緣膜45上形成平坦化膜46 ，即使TFT元件12、22、23與光感測器元件21形成於 不同之層，也可以平坦化由光感測器元件2 1所形成的凹 凸而使配向膜4 7形成於平坦面上。藉此，可以防止液晶 -22- 200914970 分子的初期配向狀態之紊亂。 又，本發明並不以前述實施型態爲限定，在不逸 發明的趣旨的範圍可加以種種變更。 例如，在前述實施型態，將光感測器元件之下部 與被連接至TFT元件之汲極的接續配線一起形成於 層間絕緣膜上，但如圖8所示之液晶顯示裝置1 1 0那 於元件基板1 1 1與被連接於TFT元件22的閘極之掃 1 6 —起形成於閘極絕緣膜43上亦可。在此場合，掃 1 6作爲開關用電極發揮功能。此處，下部電極57之 份，與TFT元件23之通道區域55a中介著閘極絕緣, 而被對向配置。此外，接續電極56與下部電極57透 通第1層間絕緣膜44的接觸孔Η1 0而被接續，上部 59與半導體層58之η型半導體層58c透過貫通第1 2層間絕緣膜44、45與平坦化膜46的接觸孔HI 1而 續。 此外，對於輸出R、G、B之各色光的1組次畫 域設有1個光檢測區域，但對於輸出R、G、B之各 的3個次畫素區域分別設置光檢測區域亦可，對於複 之次畫素區域設置1個光檢測區域亦可。 接著，液晶顯示裝置係進行R、G、B之3色之 示的彩色顯示裝置，但也可以是進行R、G或B之任 者其他顏色的色顯示之單色的顯示裝置，或者是進行 或4色以上之色顯示的顯示裝置。此處，於對向基板 置濾光層，而在元件基板設置濾光層亦可。 脫本 電極 第1 樣， 描線 描線 —部 漠43 過貫 電極 及第 被接 素區 色光 數組 色顯 一或 2色 不設 -23- 200914970 此外，開關控制次畫素區域及光檢測區域的驅動之 TFT元件分別以多晶矽爲主體而被形成，亦可以非晶矽爲 主體而被形成。 接著，作爲開關控制次畫素區域及光檢測區域的驅動 之開關元件使用了 TFT元件，但是不限於TFT元件，亦 可使用TFD ( Thin Film Diode，薄膜二極體）元件等其他 種驅動元件。 此外，設於光檢測區域之光感測器元件係以非晶矽爲 主體而被形成，亦可以多晶矽爲主體而被形成。 接著，設於光檢測區域之光感測器元件係以層積型 PIN二極體構成，但不限於層積型pin二極體，亦可爲其 他之光感測器元件。 進而，雖然光感測器元件之下部電極係以光吸收材料 或光反射材料所構成，但只要能維持光感測器元件之光檢 測精度的話’亦可以其他材料構成。此外，下部電極不覆 蓋光感測器元件的下面之全面亦可。 此外’雖使光感測器元件之上部電極在與畫素區域相 同層上以同一步驟形成，但以其他步驟形成亦可。 接著，雖然於第2層間絕緣膜上形成平坦化膜，但只 要配向膜之配向控制可均一地進行，不形成平坦化膜而於 第2層間絕緣膜上形成配向膜亦可。 此外，液晶顯示裝置，雖是於元件基板設置畫素區域 同時與對向基板設置共通電極之電極構造，但也可以採用 使用在元件基板形成畫素區域及共通電極使對液晶層產生 -24- 200914970 基板面方向之電場之IPS ( In-Plane Switching )方式或 FFS ( Fringe-Field Switching )方式等之所謂的橫電場方 式之電極構造。 此外，作爲液晶層，使用了在TN模式動作的液晶， 但不限於TN模式，亦可使用具有負的介電率向異性之 VAN (Vertical A1 i g n e d N e m at i c )模式或 ECB ( Electrically Controlled Birefringence )模式、OCB ( Optical Compensated Bend)模式等其他種液晶。 此外’作爲具備液晶顯示裝置的電子機器，不限於可 攜式個人電腦，亦可爲行動電話或PDA (攜帶資訊終端機 )、個人電腦、筆記型個人電腦、工作站、數位相機、車 載螢幕、汽車導航裝置、抬頭顯示器、數位攝影機、電視 機、觀景窗型或監視器直視型的攝影機、呼叫器、電子筆 記、計算機、電子書或投影器、文書處理機、電視電話、 P ◦ S終端、具備觸控面板的機器、照明裝置等等其他之電 子機器。 【圖式簡單說明】 圖1係供說明一實施型惑之液晶顯示裝置之等價電路 圖。 圖2係顯示次畫素區域及光檢測區域的平面圖。 圖3爲圖2之A-A箭頭剖面圖。 圖4爲圖2之B-B箭頭剖面圖。 圖5係顯不液晶顯不裝置的構造步驟之步驟圖。 -25- 200914970 圖6係同樣顯示液晶顯示裝置的構造步驟之步驟圖。 圖7係顯示具備液晶顯示裝置的個人電腦之外觀圖。 圖8係可適用本發明之其他光檢測區域的構成之剖面 圖。 【主要元件符號說明】 1 :液晶顯示裝置 11:畫素區域（顯示用電極） 12 : TFT元件（第1開關元件） 16 :掃描線（開關用電極） 2 1 :光感測器元件 22 : TFT元件（第2開關元件） 46 :平坦化膜 4 7 :配向膜 5 6 :接續電極（開關用電極） 5 7 ’·下部電極（感測器用電極） 5 9 :上部電極（其他的感測器用電極） 1 〇〇 :可攜式個人電腦（電子機器） -26-

Claims (1)

  1. 200914970 十、申請專利範圍 1. —種液晶顯示裝置，係具有被配置爲平面狀的複 數畫素區域，及檢測光的光檢測區域之液晶顯示裝置，其 特徵爲具備： 分別被設於前述畫素區域之各個而開關控制該畫素區 域的驅動之第1開關元件，及 被形成於與該第1開關元件相同之層上，開關控制被 設於前述光檢測區域的光感測器元件之第2開關元件， 被接續於前述光感測器元件的感測器用電極，被形成 於與被接續於前述第2開關元件的開關用電極相同之層上 〇 2. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中前 述感測器用電極，覆蓋前述光感測器元件之下面，同時以 光反射材料或光吸收材料構成。 3. 如申請專利範圍第1或2項之液晶顯示裝置，其 中被接續於前述光感測器元件的其他感測器用電極’被形 成於與設在前述畫素區域的顯示用電極相同之層上。 4. 如申請專利範圍第1至3項之任一項之液晶顯示 裝置，其中前述第1及第2開關元件’係薄膜電晶體。 5. 如申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置，其中 前述第1及第2開關元件’係以多晶矽爲主體而構成 的。 6. 如申請專利範圍第1至5項之任一項之液晶顯示 裝置，其中 -27- 200914970 前述光感測器元件，係層積型PIN二極體。 7 如申請專利範圍第6項之液晶顯示裝置，其中 前述光感測器元件，係以非晶矽爲主體而構成的。 8 .如申請專利範圍第1至7項之任一項之液晶顯示 裝置，其中 具有被形成於前述第1及第2開關元件與前述光感測 器元件上而使表面平坦化的平坦化膜，及被形成於該平坦 化膜上限制液晶分子的初期配向狀態之配向膜。 9. 一種液晶顯示裝置之製造方法，係具有被配置爲 平面狀的複數畫素區域，及檢測光的光檢測區域之液晶顯 示裝置之製造方法，其特徵爲具有： 在同一層上，形成驅動前述畫素區域之第1開關元件 與驅動前述光檢測區域的第2開關元件的步驟，及 形成藉由前述第2開關元件而驅動的光感測器元件的 步驟， 將被接續於前述光感測器元件的感測器用電極，形成 於與被接續於前述第2開關元件的開關用電極相同之層上 〇 10. —種電子機器，其特徵爲具備申請專利範圍第1 至8項之任一項所記載的液晶顯示裝置。 -28-
TW096141457A 2006-11-13 2007-11-02 Liquid-crystal display, method for producing liquid-crystal display, and electronic device TW200914970A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006306394A JP2008122659A (ja) 2006-11-13 2006-11-13 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法並びに電子機器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200914970A true TW200914970A (en) 2009-04-01

Family

ID=39368750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096141457A TW200914970A (en) 2006-11-13 2007-11-02 Liquid-crystal display, method for producing liquid-crystal display, and electronic device

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20080111779A1 (zh)
JP (1) JP2008122659A (zh)
KR (1) KR20080043219A (zh)
CN (1) CN101183197A (zh)
TW (1) TW200914970A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8723413B2 (en) 2009-04-21 2014-05-13 Industrial Technology Research Institute Touch-sensing display apparatus and fabricating method thereof

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101354880B (zh) * 2007-07-27 2011-12-14 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 便携式电子装置
JP5311299B2 (ja) * 2008-06-03 2013-10-09 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
JP5275739B2 (ja) * 2008-10-03 2013-08-28 株式会社ジャパンディスプレイウェスト センサ素子およびその駆動方法
KR101512051B1 (ko) * 2008-10-30 2015-04-17 삼성디스플레이 주식회사 터치스크린 표시기판 및 이를 포함하는 터치스크린 표시장치
US8941617B2 (en) * 2008-11-07 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Image input-output device with color layer between photodetector and display elements to improve the accuracy of reading images in color
JP5293197B2 (ja) 2009-01-07 2013-09-18 セイコーエプソン株式会社 光電変換装置、電気光学装置、電子機器
JP4756490B2 (ja) * 2009-02-23 2011-08-24 奇美電子股▲ふん▼有限公司 ディスプレイ装置及びこれを備える電子機器
CN104124277B (zh) * 2013-04-24 2018-02-09 北京京东方光电科技有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板
JP5700073B2 (ja) * 2013-06-13 2015-04-15 セイコーエプソン株式会社 光電変換装置、電気光学装置、電子機器
CN104280970B (zh) * 2014-11-06 2017-12-22 上海天马微电子有限公司 阵列基板及液晶显示面板
CN109037250B (zh) * 2017-06-12 2021-11-05 上海耕岩智能科技有限公司 一种影像侦测显示装置、器件及其制备方法
CN108766989B (zh) * 2018-06-01 2021-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种光学传感器件及其制作方法、显示器件、显示设备
KR102662054B1 (ko) * 2018-12-11 2024-04-29 엘지디스플레이 주식회사 디지털 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 디지털 엑스레이 검출기
JP7477594B2 (ja) * 2020-03-25 2024-05-01 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 表示基板及び表示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69330709T2 (de) * 1992-12-28 2002-07-11 Canon Kk Blickrichtungsdetektor und Kamera mit diesem Detektor
JP4271268B2 (ja) * 1997-09-20 2009-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサおよびイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置
JP3683463B2 (ja) * 1999-03-11 2005-08-17 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び、該基板を用いたイメージセンサ
US7242449B1 (en) * 1999-07-23 2007-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and integral image recognition/display apparatus
US6747638B2 (en) * 2000-01-31 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Adhesion type area sensor and display device having adhesion type area sensor
JP2002072963A (ja) * 2000-06-12 2002-03-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光モジュールおよびその駆動方法並びに光センサ
JP4499254B2 (ja) * 2000-07-27 2010-07-07 ソニー株式会社 液晶表示素子
ATE299601T1 (de) * 2001-03-13 2005-07-15 Qinetiq Ltd Optisch adressierbarer, ortsauflösender lichtmodulator (oaslm) mit dielektrischem spiegel,der schichten aus amorphem, hydriertem kohlenstoff enthält
GB2381643A (en) * 2001-10-31 2003-05-07 Cambridge Display Tech Ltd Display drivers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8723413B2 (en) 2009-04-21 2014-05-13 Industrial Technology Research Institute Touch-sensing display apparatus and fabricating method thereof
TWI463452B (zh) * 2009-04-21 2014-12-01 Ind Tech Res Inst 觸控式顯示裝置及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101183197A (zh) 2008-05-21
US20080111779A1 (en) 2008-05-15
JP2008122659A (ja) 2008-05-29
KR20080043219A (ko) 2008-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200914970A (en) Liquid-crystal display, method for producing liquid-crystal display, and electronic device
JP5051690B2 (ja) 入力機能付表示装置
KR101456710B1 (ko) 입력 기능 부가 표시 장치
KR101299606B1 (ko) 표시장치
KR101347645B1 (ko) 표시장치
TWI460498B (zh) 顯示裝置
JP4924224B2 (ja) 光検出器内蔵表示装置及び電子機器
JP5283451B2 (ja) 液晶表示装置
JP4637815B2 (ja) 液晶表示装置及び電子機器
KR101302065B1 (ko) 표시장치
TW201013255A (en) Display device
US8519317B2 (en) Photosensor, manufacturing method thereof, and liquid crystal display including a photosensor
JP2009104061A (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP5255876B2 (ja) 液晶表示装置及びこれを使用した電子機器
JP4946424B2 (ja) 液晶装置及び電子機器
US11754892B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP4858082B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP5127215B2 (ja) 表示装置
JP4923947B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
US11624960B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP4984874B2 (ja) 電気光学装置及び電気光学装置の製造方法
JP2008241947A (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP2008145572A (ja) 液晶表示装置
JP2008241790A (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP2008225154A (ja) 液晶装置、及び電子機器