TW200909340A - Indication of the end-point reaction between XeF2 and molybdenum - Google Patents

Description

200909340 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明之實施例係關於用於製造微機電系統之方法及系 統，其涉及供應蝕刻劑以蝕刻一或多個犧牲結構。 【先前技術】 微機電系統（MEMS)包括微機械元件、致動器及電子器 件。可使用沈積、蝕刻及/或蝕刻掉基板及/或所沈積材料 層之部分或添加層以形成電氣及機電裝置的其他微機械加 工製程來產生微機械元件。一種類型之MEms裝置稱為干 涉調變器。如本文中所使用，術語干涉調變器或干涉光調 變器係指一種使用光學干涉原理來選擇性吸收及/或反射 光之裝置。在某些實施例中，干涉調變器可包含一對導電

產品且產生尚未開發之新產品。 以改良現有 【發明内容】

於製造微機電系統 一腔室及一位於 132369.doc 200909340 該腔室中之未釋放MEMS裝置，該未釋放MEMS裝置包括 一犧牲結構。該方法可包括向該腔室供應㈣劑以進而飯 刻该犧牲結構。該方法可包括監視作為時間之函數的與腔 室内之昼力有關之製程參數以進而提供犧牲結構之敍刻程 度之指不。所監視之製程參數可為作為時間之函數之腔室 -的改變。所監視之製程參數可為循環⑽力之時

- 間導數跨越循環的改變。所龄葙夕制3 A 門”奴 ▼所μ視之製程參數可包括作為時 =函數之腔室内之溫度及/或腔室内之溫度的改變。該 =:另外包括中斷向該腔室供隸刻劑及/或自該腔室 移除氧體之至少一部分。在—此 *至少重複向該腔室供應㈣;=二方法包括藉 、鱼… 與腔至内之壓力有關的製程來數以 之至少一邻八爽、隹> 又之^不及自該腔室移除氣體 v h來進仃—或多次額外循環。可 =斷額外循環之起始。當相應於相對於額外循環二;： υ相應於相對於額外循^數越過預選臨限值時及/或當 數在已越過預選第==之特㈣間的所監視製程參 供指示。在相對於第 ：預選弟二臨限值時’可提 測的所監視製程參數可與在相=之開始之特定時間所量 相同特定時間所量測的所 :：同額外循環之開始之 指示。當所監視製程灸數 王> 數相比’以進而提供 示。 ^限值時，可提供指 預選臨限值可約為零。 預選私限值可為相對於初始製程 132369.doc 200909340 參數之最大製程參數之約1%、約5%或約1〇%。若蝕刻劑 不與另-物質反應，則預選臨限值可為第一預期壓力之約 ⑻。/。。預選臨限值可為每秒約q.2 mT或每秒約_Q2 Μ之 壓力改變。 V: 未釋放Μ簡裝置可包括—切放干㈣變^未釋放 MEMS裝置可包括-基板。未釋放厘圓裝置可包括一或 多個位於該基板之上之第—層。未釋放MEMS裝置可包括 位於該-或多個第一層之上之包括一犧牲結構之一犧牲 層。未釋放MEMS裝置可包括—或多個位於該犧牲層之上 之第二層。該-或多個第一層可包括一第一電極。該一或 多個第二層可包括一第二電極。蝕刻劑與犧牲結構之間的 反應可主要產生氣態產物。犧牲結構可包括鉬。蝕刻劑可 包括二氟化氙。本文中所述之方法可另外包括將一或多個 額外未釋放MEMS裝置定位於腔室中，該等額外未釋放 MEMS裝置包括額外之-或多個犧牲結構qMems裝置可 藉由本文中所述之方法來製造。 在-些實施例中’提供-種蝕刻系統。該蝕刻系統可包 括一蝕刻腔室，該蝕刻腔室經組態以便向該腔室提供蝕刻 劑且收容一包括一犧牲結構之未釋放MEMs裝置。蝕刻系 統可包括一經組態以監視與Μ室内之壓力有M之參數：參 數監視器。蝕刻系統可包括-經組態以基於作為時間之函 數之參數的改變來指示犧牲結構之蝕刻程度的組件。該參 數可為腔室内之壓力。參數可為循環内壓力之時間導數跨 越摘環的改變。㈣腔室可I㈣以錢數⑽環中向= 132369.doc 200909340 至提供蝕刻劑。該組件可 越該等循環之改m伴進—步組態以比較該等參數跨 數之參數的改變何時越;^可經組態以確定作為時間之函 蝕刻劑之提供。該二_ 21臨限值及/或指示何時中斷 之特定時間時作為_之_«^=，循壤起始 /或識別作為時間之…^數跨越循環的改變’及 環。哕组件·r έ 〃數的改變越過臨限值之循 Θ組件可經組態以識別作 項 越過臨限值之循環…技‘、、、’曰 數之參數的改變 循環該組件可包括-電腦。 :二κ施例中’提供一種電腦可讀媒體， Π定終止物間之電腦可執行指令。該等指令;= 接收複數個輸入參數，哕遴叙加认 了包括 包括-犧牲社構之未個輸入參數係關於—收容一 力。兮二 侧裝置之蝕刻腔室内的壓 μ , 各者可相應於蝕刻循環及/或相對於 Γ=起始之時間。該等指令可包括確定麼力導出： ，其可Μ計算輸人參數Μ於相料㈣猶 =改變來確定指令可包括藉由比較相應於相對於 :應钮刻循環起始之特定時間之至少—㈣力導出來數盘 私限值來輸出犧牲結構之韻刻程度之指示符，且該等指^ 可另外包括衫該至少—㈣力導出參數之-低於臨㈣ 之循核及來自先前試驗之相錢力導出參數高於臨限值之 循環。該指示符可包括已達到或預期達到一定敍刻量之時 間。該量可相應於㈣大致所有犧牲結構。該臨限值 致為零。 在-些實施例中，提供一種光學裳置形成系統。該光學 132369.doc 200909340 裝置形成系統可包括用於提供與一未釋放以刪裝置之— 犧牲結構相互作用之㈣劑的構 釋放MEMS裝置之該犧牲結 ^未 用之該蝕刻劑的該構 = 姓刻腔室。該光學裝置形成系統可包括用於監 部分可歸因於蝕刻劑與犧牲結構之相互作用 力改變有關的參數的構件，其中用於監視與至少部分可歸 因於蝕刻劑與犧牲結構相 力改變有關的參數 :該構件可包括一麼力感測器。該光學裝置形成系統可包 括用於基於所監視參數指示犧牲結構之钮刻程度之構件， ^用於基於所監視參數指示犧牲結構之㈣程度之該構 件可包括-電腦。用於基於所監視參數指示犧牲結構之蚀 刻％度之該構件可包括用於指示已達到犧牲結構之特定触 刻置之時間的構件。用於指示時間之該構件可包括一電 腦。該特定量可大致為所有犧牲結構。該時間可包括一触 刻循環°用於基於所監視參數指示犧牲結構之钮刻程度之 該構件可包括用於確定姓刻循環之構件，該钱刻循環中所 ，視參數關於時間之改變下落至指定臨限值以下。用於確 定钱刻循環之該構件可包括—電腦。該臨限值可大 零0 該等及其他實施例更詳細描述於下文中。 【實施方式】 以下詳細描述係針對本發明之某些特定實施例。然而， 士發明可以許多不同方式來體現。在該描述中，對圖式進 仃參考，*中在全文中相似部分由相似數字來表示。如將 I32369.doc 200909340 顯而易ι，該等實施例可實施於經組態以顯示 2之任«置中，無論運動影像（例如，視訊）還是靜止 =⑼如’靜態影像）且無論文字影像還是圖形影像。更 二I之’涵蓋該等實施例可實施於各種電子裝置中或血

電子衣置諸如(但不限於)行動電話、無線 裝置、個人數位助理（PDA)、掌上型或攜帶型電腦、GPS 接收器/導航器、相機、MP3播放器、攜帶型攝像機、遊戲 :制台、手錶、鐘錶、計算器、電視監視器、平板顯示 益、電腦監視器、汽車顯示器（例如，里程計顯示器等）、 駕駛搶控制器及/或顯示器、攝像機視野顯示器（例如，車 輛中之後視，攝像機之顯示器)、電子照片、電子看板或標 誌、投影儀、架構結構、封裝及美學結構（例如，_件= 寶上之影像顯示器)。與本文中所描述之彼等_罐裝置結 構相似的MEMS裝置亦可用於非顯示器應用中，諸如電^ 開關裝置。 犧牲結構可在製造MEMS裝置期間形成。犧牲結構可稍 後經移除以形成（例如）空腔。在製造製程期間，含有犧牲 結構之裝置可定位於腔室中。蝕刻劑可引入至腔室中以與 犧牲結構反應形成氣態產物。該等氣態產物可自腔室移除 且蝕刻劑可再次供應至腔室中。該循環可重複直至犧牲結 構得以移除。在本發明之實施例中，監視作為時間之函= 的與腔室内之壓力㈣之製程減以$而提供犧牲結構之 蝕刻程度之指示。在-些實施例中，該指示產生蝕刻劑向 腔室之供應之中斷。 132369.doc -10- 200909340 Ο

包含干涉MEMS顯示元件之干涉調變器顯示器實施例 說明於圖1中。在該等裝置中，像素呈明亮狀態或黑暗狀 恶。在明亮開啟"或"打開"）狀態下，顯示元件將大部分 ^射可見光反射至使用者。當在黑暗（”斷開”或,，關閉。狀 態下時，顯示元件反射極少入射可見光至使用者。視實施 例而定，，，開啟"及”斷開"狀態之光反射性質可顛倒。 MEMS像素可經組態以主要在所選顏色下反射，允許除黑 色及白色外之彩色顯示。 ★圖1為描繪視覺顯示器之一系列像素中之2個相鄰像素的 等角視圖，其中各像素包含一 MEMS干涉調變器。在一些 實施例中，干涉調變器顯示器包含一列/行陣列之該等干 涉調變器。各干涉調變器包括一對反射層，其定位為彼此 相距可變且可控距離以形成具有至少一種可變尺寸之共振 光學間隙。在一實施例中，反射層之一可在兩個位置之間 移動。在第-位置（在本文中稱為鬆他位置）中，可移動反 射層經定位在離固定之部分反射層相對大的距離處。在第 -位置（在本文t稱為致動位置）中，可移動反射層經定位 以較緊密地鄰近於該部分反射層。視可移動反射層之位置 而疋自2個層反射之入射光相長地（c咖(⑽心力）或相肖 地㈣㈣心办）干涉，料像素而t，產生總體反射或非 反射狀態。 圖1中所描縿之像素陣列之部分包括2個相鄰干涉調變器 !2a與！2b。在左側干涉調變器⑴中，說明一可移動反射 層14a #處於離-光學堆疊⑹預定距離處之鬆弛位置 132369.doc 200909340 1 中2b該光學堆疊包括—部分反射層。在右側干涉調變器 12b十’說明一可移動反射層…’其處於鄰近於光學堆疊 16b之致動位置中。 且 如本文所提及，光學堆疊16a及16b(共同稱為光學堆疊 16)通吊包含若干融合層（fused layer)，其可包括諸如氧化 銦錫(ITO)之電極層、諸如鉻之部分反射層及透明介電 質。光學堆疊16因此為導電的、部分透明的及部分反射 =，且可（例如）藉由在一透明基板2〇上沈積上述層之一或 夕者來製造。該部分反射層可自各種材料形成，該等材料 為部分反射的，諸如各種金屬、半導體及介電質。部分反 射層可由一或多個材料層形成，且該等層之各者可由單一 材料或材料之組合形成。 在一些實施例中，將光學堆疊16之層圖案化為平行條 帶，且如下文進一步所述，可在顯示裝置中形成列電極。 可移動反射層l4a、14b可形成為沈積在柱18之頂部之沈積 金屬層（與16a、16b之列電極正交）及沈積在該等柱18之間 之插入犧牲材料的一系列平行條帶。當蝕刻掉犧牲材料 時，可移動反射層14a、14b藉由一界定間隙19與光學堆疊 16a、16b隔離。諸如鋁及/或銀之高度導電且反射之材料 可用於反射層14，且該等條帶可形成顯示裝置中之行電 極0 在無施加電壓之情況下’間隙19保持在可移動反射層 l4a與光學堆疊16a之間，如藉由圖1中之像素12a所說明， 可移動反射層14a處於機械鬆弛狀態。然而，當將電位差 132369.doc •12- 200909340 施加於所選列及行時，在相應像素處之列及行電極之交又 處形成的電容器變得帶電，且靜電力將電極拉到一起二若 電壓足夠高，則可移動反射層14變形且對光學堆疊16施 力。如藉由圖1中右側之像素12b所說明，光學堆疊16内之 "電層（在該圖中未說明）可防止短路且控制層“與Μ之間 的隔離距離。不管所施加電位差之極性，該行為為相s 的。以此方式，可控制反射像素狀態相對非反射像素= 之列/行致動在許多方面類㈣f知㈣及其他顯示技財 所使用之彼者。 圖2至圖5 B說明顯示器應用中使用干涉調變器陣列之一 示範性製程及系統。 圖2為說明可併入本發明之態樣的電子裝置之一實施例 之系統方塊圖。在該示範性實施例中，該電子裝置一 處理器21 ’其可為任何通用單晶片或多晶片微處理Li 如 ARM、Pentium®、pentium π® ρ ^ IV, ρ t•⑧ "Π ' PentlUm ΠΙ® ' Pentium 工V、⑧ Pro、8〇51、刪⑧、μ”⑧ ΓΗ’；或。任何特殊用途微處理器，諸如數位信號處理 益、U控制益或可程式化問陣列。如此項技術 理器21可經組態以執行— 處 X夕個軟體杈組。除執 統外，處理器可經組態以勃 仃輛作系 。乂執仃一或多個軟體應 路瀏覽器、電話應用、電子 匕括網 ^ 0 料^或任何其他軟體應 在一實施财，處理器21亦經組態以與 通信。在-實施例中’陣列驅動 ，22 ^ 列驅動電路24 132369.doc 200909340 及一行驅動電路26,其向一顯示陣列或板3〇提供信號。圖 1中說明之陣列之橫截面藉由圖2令之線來展示。對 MEMS干涉調變器而f，列/行致動協定可利用圖3中所說 明之該等裝置之滯後性質。可需要（例如）1G伏特電位差^ 使可移動層自鬆弛狀態變形至致動狀態。然而，當電壓自 彼值降低時，可移動層隨著電壓下降回落至低於伏特而 維持其狀態。在圖3之示範性實施例中，可移動層不完全 鬆弛直至電壓下降至低於2伏特。因此，在圖3中二說:: f例中^存在約3 V至7 V之施加電麼窗，裝置在該窗内穩 定處於鬆弛狀態或致動狀態。本文將其稱為"滯後窗”或 ”穩定窗”。對於具有圖3之滯後特徵之顯示陣列而言，列/ 行致動協定可經設計以便在列選通期間，使欲致動之在選 通列中之像素暴露於約10伏特之電壓差，且使欲鬆弛之像 素暴露於接近於零伏特之電麼差。選通後，使像素暴露於 約5伏特之穩態電壓差以便其保持處於列選通將其置入之 Ο 任何狀態下。寫人後，纟該等實例中，各像素經歷伏 特之"穩定窗”内之電位差。該特徵使圖^所說明之像素 設計在相同施加電壓條件下穩定處於致動或鬆弛預存在狀 態°因為干涉調變器之各像素（不管處於致動狀態還是鬆

弛狀態）基本上為藉由固定及移動反射層形成之電料，A 所以可在幾乎不具有功率耗散之情況下在滞後窗内之電壓 下保持該穩定狀態。若固定所施加之電位，則基本上I電 流流動至像素中。 在典型應用中，藉由招姑·楚 稭由根據第一列中之所致動之像素的所 132369.doc -14· 200909340 要集合來斷定行電極之集合而產生顯示圖框。隨後，將列 脈衝施加至列1電極，致動相應於所斷定之行線之像寺 隨後，將行電極之所斷定集合改變以相應於第二列中之所 致動之像素的所要集合。隨後，將脈衝施加至列2電極， 根據所斷定之行電極來致動列2中之適當像素。列^像素不 受列2脈衝影響，且保持處於其在列i脈衝期間所設定之狀 態中。此可以連續方式重複用於整個系列之列，以產生圖 框。通常，藉由在每秒某所要數目之圖框下不斷重複該製 程，用新顯示資料再新及/或更新圖㉟。用於驅動像素陣 列之列電極及行電極以產生顯示圖插之多種協^亦為熟知 的’且可連同本發明一起使用。 圖4、圖5Α及圖5Β說明用於在圖2之化3陣列上產生顯示 圖框之一種可能的致動協定。圖4說明行及列電壓位準之 可能集合’其可用於顯示圖3之滯後曲線之像素。在圖*實 施例中’致動像素涉及將適#行設定為，且將適當 列設定為MV，其可分別相應於_5伏特及+5伏特。鬆他該 像素藉由將適當行設定為+ν-，且將適當列設定為相同 ♦△V’跨越該像素產生零伏特電位差而完成。在列電壓保 持於零伏特之彼等列中，該等像素穩定處於其初始所處之 何狀心不管行處於+vbias還是_vbias。亦如圖4中所說 明’應瞭解’可使用與上述彼等電壓之極性相反之電壓， :如致動像素可涉及將適當行設定為且將適當列設 疋為-AV。在該實施例巾，釋放該像素藉由將適當行設定 為_Vbias，且將適當列設定為相同-AV，跨越該像素產生零 132369.doc -15- 200909340 伏特電位差而完成。 二展示施加至圖2之3χ3陣列之一系列列信號及行信 序圖’其將產生圖5A中所說明之顯示配置，其中所 像素為非反射的。在寫入圖5A中所說明之圖框之 ’該等像素可處於任何狀態，且在該實例中，所有列均 處於〇伏特且所有行均處於+5伏特。在該等所施加電壓情 况下，所有像素均穩定處於其現存致動或鬆弛狀態。 Γ 在圖5A圖框中’將像素(1，”、（1，2)、⑽、⑽及 H致動。為將此完成’在列1之'線時間"期間，將行1及 2設定為-5伏特’且將行3設定為+5伏特。此不會改變任何 像素之狀態，因為所有像素均保持在…伏特之穩定窗 内。隨後用0伏特升至5伏特且回落至零之脈衝來選通列 卜此致動（ι，υ及（ι，2)像素且鬆弛（1，3)像素。陣列中之其 他像素不受影響。為了按需要設定列2,將行2設定為_5伏 寺將行1及3 e又定為+5伏特。施加至列2之相同選通隨 後將致動像素（2,2)且鬆弛像素⑽及U，3)。同樣，陣列之 其他像素不受影響。相似地藉由將行2及3設定為-5伏特且 將行1設定為+5伏特來設定列3。列3選通設定列3像素，如 圖5A中所示。在寫入該圖框後，列電位為零，且行電位可 保持於+5或·5伏特，且隨後顯示器穩定處於圖从之配置。 應瞭解’相同程序可用於數十或數百列及行之陣列。亦應 瞭解’在上文概述之一般原理之内’可廣泛改變用以執行 列及行致動之電堡的時序、順序及位準，且上文實例僅為 示範性的’且任何致動電麼方法均可供本文中所描述之系 132369.doc 16 200909340 統及方法使用。 圖6A及圖6B為說明海；壯m 月顯不裝置4 〇之一實施例之系統方塊 圖。顯示裝置40可為（例士 U j如）蜂巢式電話或行動電話。然 而，顯示裝置40之相同袓株 件或其輕微變化亦說明各種類型 之顯示裝置，諸如電視及攜帶型媒體播放器。 裝置4〇包括一外殼41、-顯示器30、-天線43、一 揚聲器45、一輸入裝置 及—麥克風46。外殼41通常自如

C t， 熟習此項技術者所熟知之包括 匕栝射出成形及真空成形之各種 氣製私中的任何製程央形★ 表杠來形成。另外，外殼41可由各種材 料中之任何材料製成，該等材料勺紅“ 〆哥柯科包括（但不限於）塑膠、金 屬、玻璃、橡膠及陶瓷戎豆知人 瓮次其組合。在一實施例甲，外殼41 包括可與具不同色彩或含右X Ρ1 4» ·Μ* /飞3有不冋標达、圖片或符號之其他 可移除部分互換的可移除部分(未圖示）。 示範性顯示裝置4〇之顯亍哭 _ ^貝不益30可為各種顯示器中之任何 顯示器’包括如本文中所诚之镂禮今& _ 迩之雙穩態顯不器。在其他實施 歹，卜顯示器30包括平板顯示器，諸如如上所述之電衆、 =、〇LED、STNLC^TFTLCD;或非平板顯示器，諸 “熟習此項技術者熟知之CRT或其他管式裝置。然而， 出於描述當前實施例之目的，顯 貝益30包括如本文中所述 之干涉調變器顯示器。 在圖6B中示意地說明示範性顯示裝置利之—實施例之电 ,。所說明之示範性顯示裝置40包括一外殼41且可包括至 ^分封=於該外殼中之額外組件。舉例而言，在一實施 不範性顯不裝置40包括一網路介面”，其包括一與 132369.doc •17· 200909340 一收發器47耦接之天線43。收發器47與一處理器21連接， 該處理器與調節硬體52連接。調節硬體52可經組態以調節 信號（例如，過濾信號）。調節硬體幻與一揚聲器衫及—麥 克風46連接。處理器21亦與一輸入裝置料及一驅動器控制 器29連接。驅動器控制器29與一圖框緩衝器“及—陣列驅 動器22耦接，該陣列驅動器又與顯示陣列30耦接。如由特 定示範性顯示裝置40設計所要求，一電源5〇向所有組件提 供電力。 〇

，、周路介面27包括天線43及收發器47以便示範性顯示裝置 40可纪網路與一或多個裝置通信。在一實施例中，網路介 面27亦可具有一些處理能力以減輕處理器2丨之要求。天線 43為熟習此項技術者已知用於發射及接收信號之任何天 線。在—實施例中’天線根據IEEE 802.11標準（包括ιΕΕΕ 8〇2.11(a)、（b)或（g))來發射及接收rf信號。在另一實施例 中’天線根據BLUETOOTH標準來發射及接收RF信號。在 蜂巢式電話之狀況下，天線經設計以接收CDMA、㈣、 AMPS或其他用以在無線行動電話網路内進行通信之已知 信號。收發器47將自天線43接收之信號預處理，以便其可 藉由處理益21接收且進一步藉由處理器21來操縱。收發器 4一7:處理自處理器21接收之信號，以便其可經由天線43自 示範性顯示裝置40發射。 在^替代實施例中，收發器47可由—接收器置換。在另 一替代實施例中，網路介面27可由一像源置換，該像源可 儲存或產生欲送至處理器21之影像資料。舉例而言，像源 132369.doc -18- 200909340 可為記憶裝置’諸如含有影像資料之數位視訊光碟(dvd) 或硬碟驅動器；或產生影像資料之軟體模組。 處理器21通常控制示範性顯示裝置4〇之總操作。處理器 21接收諸如來自網路介面27或像源之壓縮影像資料之資 料，且將該等資料處理成原始影像資料或處理成易處理成 原始影像資料之格式。處理器21隨後將所處理資料送至驅 動器控制器29或圖框緩衝器28以便儲存。原始資料通常係 指識別影像内每一位置處之影像特徵之資訊。舉例而言， 該等影像特徵可包括色彩、飽和度及灰階度。 在實施例中，處理器21包括微控制器、cpu或邏輯翠 元以控制示範性顯示裝置40之操作。調節硬體以通常包括 放大器及過濾、器用於將信號發射至揚聲器45，且用於接收 來自麥克風46之信號。調節硬體52可為示範性顯示裝置4〇 内之離散組件，或可併人處理器21或其他組件内。 驅動益控制器29選取直接來自處理器21或來自圖框缓衝 由处理器21產生之原始影像資料，且將該等原始影像 資料適當重訂格式以便向陣列驅動器22高速發射。特定而 言’驅動H控制ϋ29將該等原始影料料重訂格式成具有 …，格式之為料流，以便其具有適於跨越顯示陣列3〇來 掃“之時間順序。隨後，驅動器控制器Μ將經格式化之資 =列驅動器22。儘官諸如LCD控制器之驅動器控制 =吊吊作為獨立積體電路（Ic)與系統處理器21關聯，但 U等控制器可以許多方式來建構。其可作為硬體嵌入處 j甲写21中 、 ° 作為軟體肷入處理器21中或以硬體與陣列驅動 132369.doc -19- 200909340 器22完全整合。 資:且器29接收經格式化之 每秒許多：Λδί1_貧料重訂格式成—組平行波形，該組波形 時二數：广加至來自顯示器之x_y像素矩陣之數百且有 捋甚至數千個引線。 另 在一實施例中，驅動器控制器29、陣列驅動哭 一㈣-二：: 穩態顯示器控制控制㈣為習知顯示器控制器或雙 器（例如，1=器22為習知驅動器或雙穩態顯示器驅動 制器29與陣列驅動”，敫人 #施例中’驅動器控 電話、手_及“ &。該實施例常見於諸如蜂巢式 -實施例： 區域顯示器之高度整合系統中。在另 ’顯示陣列3〇為典型顯示陳 列（例如，包括干涉調變器陣列之顯示或雙㈣示陣 在輸二Γ:允許使用者控制示範性顯示農置4〇之操作。 或電話小_. ^入裝置48包括鍵盤’諸如QWERTY鍵盤 -實施例:麥觸敏屏_或熱敏膜。* :。當麥克風46用以將資料輸入至裝 = =用者提供以用於控制示範置可 ，=::，熟知之各種儲能二舉例 —=充:電池，諸_ 电摩5〇為可再生能 132369.doc •20· 200909340 源、電容器或包括塑膠太陽電池及太陽電池塗料之太陽電 池。在另一實施例中，電源5〇經組態以自一壁插座接收電 力。 在一些實施例中，如上所述，控制可程式化性駐留於可 位於電子顯示系統中之若干位置處的驅動器控制器中。在 - 一些實施例中，控制可程式化性駐留於陣列驅動器22中。 熟習此項技'術者將認識到，上述最佳化可以任何數量之硬 體及/或軟體組件及以各種組態來建構。 «上述原理而操作之干涉調變器之結構的細節可廣泛 變化。舉例而言，圖7A至圖7E說明可移動反射層14及其 支撐結構之5個不同實施例。圖7八為圖！之實施例之橫截 面，其中金屬材料之條帶14沈積在正交伸長支撐物“上。 在圖7B中’可移動反射層14僅在轉角處在系拾32上附著於 支撑物在圖7C中，可移動反射層14自可包含可挽性金屬 之可變形層34懸掛。可變形層34直接或間接連接至圍繞可 〇 €形層34周邊之基板2〇。該等連接物在本文中稱為支撐 柱。圖7D中所說明之實施例具有支樓柱塞42，可變形層34 置放在該等支撐柱塞42上。可移動反射層14仍如圖7A-7C —樣懸掛於間隙上，但可變形層34不藉由填充可變形層34 肖光學堆疊16之間的孔洞形成支撐柱。相反，支撐柱由用 乂开:成支撐柱塞42之平坦化材料形成。圖7E中說明之實施 m系基於圖7D中所不之實施例，但亦可適於供圖7Me中 所-兒月之任何實施例以及未圖示之額外實施例來工作。在 圖7E中所示之實施例中，金屬或其他導電材料之額外層已 132369.doc -21 · 200909340 用以形成匯流排結構44。此允許信號沿干涉調變器之背後 繞線，消除可另外必須形成在基板20上之許多電極。 "在s如圖7中所示之彼等者之實施例中，干涉調變器充 菖直視i裝置，其中自透明基板2 0之正面觀察到影像，該 正面與其上排列調變器之側相對。在該等實施例中，反射 層14光學屏蔽在與基板2〇相對之反射層側上的干涉調變器 之部分，包括可變形層34。此允許經組態且在其上操作所 屏蔽之區域，而不負面影響影像品質。該屏蔽允許圖冗中 之匯流排結構44，其提供將調變器之光學性質與調變器之 機電性質分離之能力，諸如定址及自彼定址產生之移動。 "亥了刀離之6周變器架構允許選擇用於調變器之機電態樣及 光學怨樣之結構設計及材料且使其彼此獨立地作用。此 外，圖7C-7E中所示之實施例具有得自反射層14之光學性 質與其機械性質之去耦合的額外利益，該去耦合藉由可變 形層34來進行。此允許關於光學性質最佳化用於反射層14 之結構没st及材料，及關於所要機械性質最佳化用於可變 形層34之結構設計及材料。 圖8說明干涉調變器之製造製程8〇〇之一實施例中的某些 步驟。該等步驟可連同圖8中未圖示之其他步驟一起存在 於用於製造（例如）圖1及圖7中所說明之一般類型干涉調變 器的製程中。關於圖1、圖7及圖8’製程8〇〇以步驟805在 基板20之上形成光學堆疊16開始。基板2〇可為諸如玻璃或 塑膠之透明基板’且可已經受例如清潔之預先製備步驟以 促進光學堆疊16之有效形成。如上文所討論，光學堆疊16 132369.doc • 22· 200909340 為導電的、部分透明的及部分反射的，且可（例如）藉由在 透明基板20上沈積層之-或多者來製造。在—些實施例 中，將該等層圖案化成平行條帶，且該等層可在顯示裝置 中形成列電極。在一些實施例中’光學堆疊16包括沈積在 -或多個金屬層（例如，反射層及/或傳導層）之上之絕緣層 • 或介電層。在—些實施例中，絕緣層為光學堆疊16之最上 層0 ®8中所說明之製程剛以步_，犧牲結構之形成來 繼續。犧牲結構可包含一犧牲層且可在光學堆疊16之上形 成。如下文所討論，犧牲結構稍後至少部分或完全被移除 (例如，在步驟825中）以形成空腔19，且因此如圖i中所 示，犧牲結構可不存在於所得干涉調變器中。犧牲結構之 形成可包括以所選厚度沈積諸如鉬或非晶形矽之XeF2可蝕 刻材料，以在後續移除後，提供具有所要尺寸之空腔Μ。 犧牲材料之沈積可使用諸如物理氣相沈積（pvD，例如濺 〇 鍍）、電漿增強化學氣相沈積（PECVD)、熱化學氣相沈積 (熱CVD)或旋轉塗佈之沈積技術來進行。 圖8中說明之製程800以步驟815，支撐結構（例如，如圖 . 1及圖7中說明之柱18)之形成來繼續。柱18之形成可包括 、下步驟.將犧牲結構圖案化以形成一支撐結構孔，隨後 使用諸如PECVD、熱CVD或旋轉塗佈之沈積方法將材料 (例如聚合物）沈積至該孔中以形成柱18。在一些實施例 中，形成在犧牲結構中之支撐結構孔延伸穿過犧牲結構與 光予堆疊16至下伏基板20，以便柱18之下端接觸基板 132369.doc -23- 200909340 20(如圖7A中所說明）。在其他實施例中’在犧牲結構中形 成之孔延伸穿過犧牲結構，而未穿過光學堆疊16。舉例而 言’圖7D說明與光學堆疊16接觸之支撐柱塞42之下端。 圖8中說明之製程800以步驟82〇，可移動反射層（諸如圖 1及圖7中說明之可移動反射層14)之形成來繼續。可移動 反射層14可在犧牲結構之上形成。藉由使用一或多個沈積 步驟，例如反射層（例如鋁、鋁合金、銀、銀合金）沈積，

連同一或多個圖案化、遮罩及/或蝕刻步驟，可形成可移 動反射層14。如上文所討論，可移動反射層14通常為導電 的，且可在本文中稱為導電層。在一些實施例中，反射層 14包含銘。在-些實施例中，反射層14包含銀。因為犧牲 結構仍存在於在製程800之步驟82〇中形成之部分製成干涉 調變器中，所以在該階段，可移動反射層14通常不可移 動。含有犧牲結構之部分製成干涉調變器本文中可稱為 "未釋放”干涉調變器。 … 圚8中說明之製程8〇〇以步 V ΡΊ π，戈口圚1及 圖7中說明之空腔19)之形成來繼續。空腔19可藉由將犧牲 結構（在步驟810中形成）暴露於蝕刻劑來形成。舉例而言， 諸如翻或非晶料之可㈣犧牲材料可藉由乾化學_， 例如藉由將犧牲結構暴露於氣態或蒸氣蝕刻劑，諸如得自 Ζ體H气（XeF2)之蒸氣歷時通f選擇性地相對於=繞 空腔：19之結構而有效移除所要量之材料之時期來移除。犧 結構對_劑之暴露可在外罩絲刻 中决治丫木圚不） 仃。適合钮刻腔室為市售的，例如可購自Μ⑶& 132369.doc -24- 200909340 .Urgh’ PA之Xetch® XeF2蚀刻系統。亦可使用其他钮 刻方法，例如濕蝕刻及/或電漿蝕刻。因為犧牲結構在製 紅800之步驟825期間移除，所以可移動反射層14通常在該 P白又後為可移動的。移除犧牲結構後，所得完全或部分製 成干涉調變器在本文中可稱為”經釋放”干涉調變器。 如上關於製程800之步驟825所述，干涉調變器之犧牲結 構可藉由向其中疋位有未釋放干涉調變器之腔室供應飯刻 劑來移除。餘刻劑可隨後與犧牲結構反應以形成氣態產 物舉例而5，一氟化氣氣態飯刻劑可與翻犧牲結構反應 以形成六氧化翻及山气之氣態產物。監視姓刻程度可為有利 的。敍刻不足可干擾裝置之功能。舉例而言，钮刻不足可 降低干涉調變器之空腔深度，其可影響自裝置反射之光波 長。领刻過度可增加製造製程之額外時間及/或費用。作 是，監視韻刻程度可為困難的。裝置可為小型的，使 以確定蝕刻是否完成。另外， 八 在置之組件可經組態以致於 難以觀察正在蝕刻時之犧牲結構。 在一些實施例中，方法另/ +^ μ 法及/或系統涉及監視藉由蝕刻劑

蝕4犧牲結構之程度。可在一或多次循環令，可 提供至收容MEMS裝置（例 U 刻程产$ 1 —丄 /刃變态）之蝕刻腔室。蝕 i程…曰不可精由在特定循環内及/或跨 腔室壓力或與壓力有關之變數 ·^視 間之塵力增加可比在早二侍。在中間階段循環期 了比在早期階段循環 間的塵力増加大。雖然不希 “又·-期 據信，當崎與犧牲結構=何特定理論約束’但是 反應時’腔室内之氣體莫耳數 132369.doc •25· 200909340 及/或溫度增加，造成在循環期間腔室内之壓力增加。在 早期階段及晚期階段循環期間，可用於與钮刻劑反應之犧 牲結構之表面面積與中間階段循環相比降低，例如，如圖 12中所說明。 二下文更詳細所述’敍刻程度可藉由監視跨越循環之腔 至座力且將其與2個（或2個以上）臨限値比較來確定。當犧 牲結構之表面面積跨越早期階段循環增加時，壓力可升古 Ο Ο :第：臨限值以上。當犧牲結構之表面面積在中間階段： 晚期ρ白段循環期間達到最大值且隨後降低時，壓力可通過 ;=值且隨後下落至第二臨限值以下。-刻程度可藉 視循環内廢力之時間導數且將其與2個臨限值比較來 確t。當犧牲結構之表面面積跨越循環增加時，反應速率 Z增力二進而引起循環内壓力之導數升高至第一臨限值以 犧牲結構之表面面積隨犧牲結構得以移除而降低 時，反應速率可降低，進而引起循環内至 第二臨限值以下。 心守歎卜洛至 可以各種方式來確定。舉例而言，程度可 :力力跨職刻循環之改變或藉由監視循環内 麼力之導數跨越循環之改 時，氣體m 文變來確疋。當叙刻程度接近完全 μ 莫耳數可在各次循環期間保持大體上值定。因 :定在:::後初始時間點時之麼力可跨越循環保持相對 =力可大體上等於循環之初始時間點時之麼力。 可1體=導:可跨越循環保持相對恆定，該壓力導數 因此，絕對壓力跨越循環之改變或循環 132369.doc -26 - 200909340 内壓力之導數跨越循環之改變可隨蝕刻接近完成而接近 零。 圖9說明在用於形成空腔之製程9〇〇之—實施例中的某些 步驟。該等步驟可連同圖9中未圖示之其他步驟一起存在 於製造製程之一或多個步驟中，例如，存在於圖8中所說 明之製程800之步驟825中。 ' 如圖9中所說明，製程900以步驟905，藉由將包含犧牲 〇 結構之未釋放MEMS裝置定位於腔室中來開始。可使用任 何適合蝕刻腔室。包含一蝕刻腔室1〇5之蝕刻系統1〇〇之圖 不展示於圖10中。蝕刻腔室1〇5可經組態以將來自蝕刻劑 供應110之蝕刻劑提供至蝕刻腔室105，且收容包含犧牲結 構之未釋放MEMS裝置。蝕刻腔室105可包含入口 115，敍 刻41]可藉由§亥等入口供應至腔室j〇5。姓刻腔室i〇5可包含 一真空果系統12〇，其可經組態以自蚀刻腔室ι〇5移除氣 體。蚀刻腔室105可進一步包含未釋放MEMS裝置（圖1〇中 〇 未圖示）可位於其上之一晶圓盤125。在一些實施例令，未 釋放MEMS裝置完全或部分形成於腔室105中。在其他實 施例中，未釋放MEMS裝置在腔室1〇5外形成且移動至腔 室105中。在—些實施例中，未釋放MEMS裝置包含一基 - 板。MEMS裝置可進一步包含一或多個位於該基板之上之 第層。該一或多個第一層可包含絕緣層、吸收層及電極 層中之一或多者。裝置可進一步包含包括一定位於該一或 多個第一層之上之犧牲結構之犧牲層，且可進一步包含一 或多個定位於該犧牲層之上之第二層。該一或多個第二層 132369.doc •27- 200909340 2含一電極。未釋放咖8裝置可包含-未釋放干涉調 變器。 圖9中所說明之製程900以步驟91〇，向腔室1〇5供應蝕刻 劑來繼續。餘刻劑可以各種方式供應至腔室。舉例而言， 姓刻劑可經由腔室1G5之人σ115來供應。㈣劑可經選擇 以使其與MEMS裝置之犧牲結構反應。舉例而言，若犧牲 結構包，銦，貝Η虫刻劑可包含二氟化氣，以便氣氣及六敗 化鉬之氣態反應產物可在蝕刻劑與犧牲結構之間的接觸後 形成。向腔室供應蝕刻劑可包含在使蝕刻劑流向腔室之前 或期間，在腔室中產生較低壓力環境。舉例而言，真空泵 系統120可用以部分抽空腔室1〇5，進而促進蝕刻劑自蝕刻 劑供應110流動穿過入口 115。當蝕刻劑供應至腔室 時，壓力可增加。在一些實施例中，蝕刻劑之流動速率為 預定的。在其他實施例中，流動速率藉由本文令所述之方 法及/或系統來確定。 所供應蝕刻劑可與MEMS裝置之犧牲結構反應。在一些 實施例中，一或多個外部參數在該反應期間保持大致怪 疋。舉例而a，在一定置之Ί虫刻劑已供應至腔室後， 腔至105之入口 115及出口可關閉（例如，使用圖1 〇中未圖 示之間）’且外部因素之影響可降低，以便（例如）腔室1 内之壓力大體上僅受蝕刻劑與犧牲結構之間的反應影響。 該關閉系統中之反應的速率及程度可視各種因素而定，諸 如溫度、姓刻劑壓力、犧牲結構之表面面積、犧牲結構之 體積及蝕刻腔室105之體積。在一些情況下，大體上所有 132369.doc -28- 200909340 蚀刻劑與犧牲結構反應，而在其他情況下，僅部分姓刻劑 與犧牲結構反應。舉例而言，若餘刻劑在反應完成之前經 移除及/或右犧牲結構在所有蝕刻劑均參與反應之前經完 全移除，則僅部純刻劑可與犧牲結構反應。纟一些實施 例中’形成關I系統包含使用真空栗系統12G將腔室1〇5中 之壓力降低至預選i，例如在約〇〇 i托至約i 〇托之範圍内 . 之腔至壓力隨後（例如）藉由關閉位於真空泵系統12〇與腔 室105之間的閥（未圖示）將真空中斷。敍刻劑可隨後自钱刻 劑供應110經由入口 115以將腔室壓力增加至預選值㈠列 如，在約0.05牦至約15托之範圍内之腔室壓力）之量供應至 至 此時了（例如）藉由關閉位於姓刻劑供應11 〇與腔 至105之間的閥（未圖示）將蝕刻劑向腔室1〇5之流動終止。 在-些實施例中，-次性或以單一階段將钱刻劑供應至腔 室105。在其他實施例中，以多個階段供應蝕刻劑，且在 /、他實鈀例中，將系統打開，例如連續供應蝕刻劑。 〇 圖9中說明之製程900以步驟915，藉由監視與腔室1〇5内 之壓力有關之製程參數來繼續。該參數可與蝕刻劑與犧牲 層之間的反應有關。舉例而言，根據以下化學方程式，二 氟化氣與鉬之反應每約3莫耳二氟化氙起始產物引起約4莫 耳之氣態反應產物之形成： 3XeF2 (g) + Mo (s) ^ 3Xe (g) + MoF6 (g) 因此，在一關閉系統實施例中，腔室105中之氣體莫耳 數可隨蝕刻劑與犧牲層反應而增加，進而增加壓力，及/ 或’☆了產生熱，根據以下關係該熱可增加腔室麼力. 132369.doc -29· 200909340 评=心’其中户為壓力，r為體積，福氣體莫耳數1為 吊數且r為皿度。腔室105内之壓力可因此隨反應進程而增 加。

U 在步驟91S處監視之製程參數可包含在循環期間作為時 間之函數之腔室105内之壓力或腔室内壓力的改變（例如時 間導數）。舉例而言，圖！ i說明對下文實例^中所述之實施 例而言，作為時間之函數之壓力。熟習此項技術者將自圖 11瞭解’在終止触刻劑進人腔室中之流動後（卜約⑽秒）， 腔至内之壓力繼續作為時間之函數而增加。圖丄i展示，在 將蝕刻劑引入至腔室後，壓力與壓力增加（其可藉由比較 ^次循環之曲線之間的差異來確定）趨向於在中間階段循 環（例如’循環4_6)期間最為顯I。在稍後階段循環中，在 引=蚀刻劑後，壓力與壓力增量變低，提供㈣接近完成 之指不。因此’在終止蝕刻劑供應後，（例如)如藉由圖】】 中1001後所示之直線斜率所指示，循環内壓力增量可 用以確定㈣程度。若初始條件跨越循環為大體上相似 的’則作為時間之函數之壓力及/或作為時間之函數之壓 力導數可跨越循環而關聯。 在”915處監視之製程參數可包含腔室⑽内之壓力跨 越循％之改變或循環内壓力之時間導數跨越循環之改變。 舉例而言，圖12展示對下文實例1中所述之實施例而言， 跨越循環’在相對於循環起始之各時間點（例如，循環起 始後卜^、200 8、300 8及400 3)之壓力。如上所述，在 將姓刻劑引人至腔室後，壓力增加在中間階段循環（例如 132369.doc -30- 200909340 循％4_6)期間最為顯著。在步驟915處監視之製程參數亦可 包含與腔室105内之壓力有關之溫度參數（例如，腔室ι〇5 内之作為時間之函數之溫度或溫度的改變）。在一些實施 例中，監視壓力或溫度之改變包含監視壓力或溫度且計算 壓力或溫度之改變。在一些實施例中，關於所選時間，諸 如相對於製程9〇〇之910步驟中之蝕刻劑供應起始及/或終 止的時間量測製程參數（例如壓力）之改變。在一些實施例 中，連續監視製程參數，而在其他實施例中，不連續監視 製程參數。在一些實施例中，在其他步驟期間監視參數， 諸如在製程900之步驟910期間監視參數。 圖9中所說明之製程9〇〇以步驟92〇，自腔室1〇5移除氣體 來繼續。所移除氣體可包含一或多種組分氣體。舉例而 言’該氣體可包含蝕刻劑-犧牲結構反應之產物。該等產 物可包括（例如）氙氣及/或六氟化鉬。在一些實施例中，氣 體包含蝕刻劑，而在其他實施例中，其不包含蝕刻劑。移 除氣體可包括自腔室1〇5移除所有氣體或部分氣體。 氣體可藉由腔室105之真空泵系統12〇來移除。在一些實 施例中，一次性或以單一階段將氣體自腔室1〇5移除。在 其他實施例中，在相異時間點或以多個階段移除氣體，且 在其他實施例中，將氣體連續移除。可自製程9〇〇之步驟 910中之起始及/或終止蝕刻劑向腔室1〇5之供應起，在預 選時期已經過去之後移除氣體。 圖9中所說明之製程900以步驟925 ’藉由指示犧牲結構 之钱刻程度來繼續。各種方式可用以指示蝕刻程度。舉例 132369.doc -31 · 200909340 ”及關:: 示可手動地(例如)藉由視覺上監視壓

目應於預先確^之㈣程度之壓力或壓力的改 來棱供：餘刻程度之指示可自動地及/或電子式提供， 歹1如’作為藉由電腦處理且轉化成與操作者通信之形式之 電:信號來提供。_程度之指示可在各種時間及^種 开”來進仃。舉例而言，當蝕刻程度越過或經估算越過— 或多個預選臨限值時及/或當所監視參數越過一或多個預 :臨限值時，可提供指示。蝕刻程度之指示可包含一個數 子及/或可為二元指示。舉例而t ’該數字可包含已移除 之犧牲結構之所估算百分比或量。二元指示可指示敍刻程 度是否已通過臨限值或㈣程度是否完全。在—些實施例 中’二元指示侷限於2種指示之一（例如，高於或低於臨限 值）。在其他實施例中’二元指示可包括額外指示（例如， 稍微高於臨限值）。在一些實施例中，二元指示包含指示

符及缺乏指示符。舉例而言，#所估算#刻程度高於臨限 值時，可僅存在指示符，而當所估算㈣程度不高於臨限 值時’不可存在指示符。 在一些實施例中’蝕刻程度與操作者通信，例如，顯示 在電腦顯示器上，而在其他實施例中，其不與操作者通 ^扣示姓刻程度可包含基於蝕刻程度控制製程步驟。舉 例而5，若蝕刻程度高於臨限值，則製程9〇〇可繼續重複 個循環。重複一個循環可包含至少重複（例如）步驟91 〇、 915及920或至少重複步驟910、915、920及925。製程900 可包括中斷新循環之起始及/或中斷蝕刻劑向腔室1〇5之供 132369.doc -32· 200909340 應，右蝕刻程度不高於臨限值，則其可發生。控制製程步 驟可包含控制（例如）在步驟910中供應至腔室1〇5之蝕刻劑 之流動速率，或控制在步驟910中蝕刻劑向腔室1〇5之供應 與在步驟920中自腔室105移除氣體之間的時期。

蝕刻程度可藉由分析製程9 〇 〇之步驟9 j 5中監視之參數來 確定。在—些實施财，㈣程度藉由比較所監視參數與 臨限值來確定。#相應於特定時間之所監視製財數越過 預選時值時，可提供指示。舉例而纟，#在#刻劑供應 至腔室1G5後之特定時間時，壓力或塵力改變低於特定臨 限值/例如低於預選壓力或壓力改變臨限值時，蝕刻程度 可估算為完全的。臨限值可為狀的。舉例而言，若參數 包含變數跨越循環之改變及/或循環内變數之時間導數， 則臨限值可約為零’例如約零之循環内及/或跨越循環之 壓力改變’或可為預選值，諸如每秒約-0.5、-0.2、·〇」、 〇—1、〇·2或G·5 mT⑽之壓力改變。臨限值可以各種方式確 定，且可基於—或多個預先監視之參數值。舉例而言，若 蝕刻劑不與另—物質反應’則第-壓力可識別為一預期 值。臨限值可耸m , J等於該第一壓力之約100%、約1〇5% 7;舉例…在圖11中，第-壓力可估算為在㈣。 S時之壓力。篦—厭, 弟壓力亦可藉由監視在獨立條件下供應蝕 腔室麼力來確定’丨中腔室中不存在會與敍刻劑 若存在與㈣劑反應之最小量犧牲結構，則 l力〇貝穿循裱保持在初始壓力下。 臨限值可m . 為最大製程參數之約1%、約5%或約10%，或 132369.doc -33- 200909340 與另一製程參數比較為最大製程參數之約1%、約5%或約 10%。舉例而言’可確定最大壓力且將其與初始壓力比 較’該初始塵力可為估算為當無钱刻劑與犧牲結構反應時 之彼壓力之壓力。在圖12中，當壓力等於4.21 mTorr時， 最大壓力將在循環6 ’ t=400秒時出現。初始壓力可估曾為 在第-循環期間㈣〇秒時之麼力，以便初始壓力為^2 mTorr。最大壓力與初始壓力之差異因此為ο”。在 if況下，臨限值可定義為高於初始壓力該差異之_的 壓力。Es限值因此等於〇 79 ι+3 42=3 Μ。 該屢力隨後可與在循環内之特定時間時所監視的製程彔數 相比較。舉例而言’製程參數可為㈣卿、時之麗力。在 該情況下’循環7之製程參數（3.6〇 mTcm·)大於臨限值（3 5〇 mT〇rr)’但循環8之製程參數（3.49)小於臨限值。 取在-些實施例中，在製程_之步驟91〇處，在複數次循 每中，將触刻劑供應至腔室1〇s ’其各者可表示循環之起 ^。敍刻程度可隨後藉由比較跨越循環所監視之參數來確 疋。比較可包括在-或多個相對於複數次循環之開始之 =間時量/所監視之製程參數。舉例而言，若所監視參 + '越循％大致為恆定的，則蝕刻可接近完成。舉例而 :，對圖12中所說明之實施例而言，循環7與循環8之間任 :給定時間點之壓力差小於循環6與循環7之間的彼等壓力 =刻程度可藉由監視包含變數（例如，腔室壓力及/或 ^内壓力之時間導數）跨越循環之改變的參數來確定。 以改變可藉由在不同（例如連續）循環之大體上相似時間點 132369.doc -34- 200909340 時之所監視參數值之改變來計算。钱刻程度可藉由比較所 監視參數與所選臨限值（例如，零，參數跨越循環之最大 觀察改變值之約1%、約5%、約10%或約2〇%)來確定。舉 例而言’在圖12中’壓力之最大觀察改變值為〇.二 mToir，其為循環6及循環7之{=4〇〇秒時之壓力之間的差異 mT〇rr-3.60 mTorr=〇.61 mTorr) 〇 ^ ^ ^ 為壓力之最大改變之20%的壓力改變，在該情況下為OH mT〇rr(計算為 〇.61 mT〇rrx〇2=〇 i2 _♦循環 7 及循環 8 之-^秒時之塵力之間的差異為36〇 了:：:11 —。因此’在該情況下，循環8之特徵為越 過所選技限值，因為循環7與循環8之間的叫〇秒之壓力 改复（〇，11 mT0rr)低於所選臨限值（〇12 m丁⑽）。 在一些實施例中，犧牲結構之表面面積趨向於在中間階 段姓刻循環期間相對較大七、认 對較大在初始循環期間之相對較低之 表面面積可限制蝕刻劑 腔室…循環㈣力之;數二’進:產生相對較低的 積，以使中間階段循環…之。二最：可增加表面面 導數關聯。當犧牲結構; 低，引起腔室時 面積可再次降 實… 内壓力之導數再次降低。在-也 實鈿例中，當所監視參 一 如，當所監視參數方向越過臨限值時（例 之指示進行指示。舉例而：^臨限值以下時），钱刻程度 力下落至3.8 mTorr以下拉。圖12中，當㈣0 S時之壓 示姓刻程度。 時（其將在循環7期間發生），可指 132369.doc -35- 200909340 在於複數次循環中供隸刻劑之情況下，氣體可在製程 =之步，在複數次循環中自腔㈣5移除。在循 “口與氣體自腔室105移除之間可過去一定時期，其可 =值或變數。該時期可為所有所供隸刻劑與犧牲結構 反應所需之時期之估算值或過度估算值。在一此實施例 中’該時期可為臨限值量之所供應触刻劑與犧牲結構反應 所需之時期的估算值。 在_ ί月况下，當姓刻劑在複數次循環中供應時，最 初，犧牲結構可藉由相對小的表面面積來表徵。因此，触 刻劑與犧牲結構之間的反應速率可相對緩慢。壓力可隨反 應進程而增加。來自初始循環之反應可增加表面面積。因 此，在後續循環中，反應速率及相應壓力改變之速率可增 力二然：：當大多數犧牲結構經移除時，表面面積將再次 -”可引起反應速率及相應壓力改變之速率降低。因 此，在觀察到該等壓力改變後，㈣可近似完成。 在於複數次循環中供隸刻劑之情況下，_程度可藉 由估异-定時期後剩餘㈣劑之量來確定。舉例而言 1’姓刻劑可與犧牲結構反應以形成氣態產物，以便某個 =二腔r〇s中無靖1剩餘。在稍後循環期間:、犧 牲、4可元王經移除絲刻劑可因此在相同 y刻劑濃度之改變可藉由使用所監視參數，諸如血1 步驟915之屡力有關之所監視參數來估算。該時

:頁定時期、動態確定之時期或基於先前德環所確定之時 期。 、J 132369.doc -36- 200909340 在—些實施例中，製程900進一步包含將一或多個額外 未釋放MEMS裝置定位於腔室1〇5中，該等額外未釋放 MEMS裝置包含額外之一或多個犧牲結構。在一些實施例 中’將額外钮刻劑供應至腔室105以蝕刻額外之一或多個 犧牲結構。來自步驟925來自第一MEMS裝置之蝕刻程度 之私示可用以至少部分地控制額外蝕刻劑向循環之供應或 額外循環之起始。 Γ Ο 如圖10中所示，在一些實施例中，蝕刻系統工⑽包含一 多數瓜視器130。參數監視器13〇可經組態以監視與蝕刻腔 至1〇S内之壓力有關之參數。參數監視器130可包含（例如） 一壓力監視器（例如壓力計）及/或一溫度監視器（例如熱電 偶或溫度計）。 蝕刻系統100可包含一經組態以指示未釋放厘£“8裴置 之犧牲結構之蝕刻程度的組件135(例如電腦）。可將組件 135可與參數監視器13〇操作性連接。蝕刻程度可基於藉由 參數監視器m監視之作為時間之函數之參數的改變。曰在 於複數次循環中供應蝕刻劑至腔室105之實施例中，組件 135可經進一步組態以比較參數跨越循環之改變。在—此 實施例中，組件135可經組態以確定作為時間之函數之: 數或參數的改變何時越過臨限值。臨限值可為預選的或可 部分或完全基於先前監視之參數值來確定。纟一些實 中，組件135經組態以確定作為時間之函數之參數或^ 的改變何時越過2個臨限值(例如，上升至第一臨限值以 且隨後下落至第二臨限值以下）。組件13s可經進―步会且能 132369.doc •37· 200909340 : 程度。組件135可指示何時令斷㈣劑之提供 =:循環之起始。組件135可經組態以比較在相對於 之特料間作為時間之函數的參數或參數跨㈣ 組件135可經組態以識別作為時間之函數之參 落至臨限值以下之循環。越過臨限值可包含下 中在^^例中’組件135包含—電腦。在一些實施例 写…見：100進一步包含—顯示器’諸如電腦監視 二^視覺上指示如藉由組件135所確定之㈣程度。 例中，韻刻系統料-步包含一輸入裂置。 :玄：入裝置可包含(例如鍵盤。在-實施例中，組件135 置包；系統，其包括-電腦監視器及-鍵盤。輸入裝 置可經«以自使用者接收臨限值參數。組件出 態以控制及=部分地控制本文中所揭示之任何製程步 驟舉例而5，組件135可經組態以控制將敍刻劑供 腔室，監視製程參數及/或自腔室移除氣體之至少一部 分。一於其上具有電腦可執行指令之電腦可讀媒體可安裝 在組件135上。該等指令可用以控制或部分地 、 統100及/或製程90〇之任何及/或所有部分。 系 在一些實施例中，提供-種電腦可讀刀媒體，其上呈有用 於確定終止❹Μ間之電腦可執行 _ 可安裝在組件135上。該等扑人_^ A 可讀媒體 叙兮你^ w 1日令可包含接收複數個輸入參 數，關尽-收容—包含—犧牲結構 置之蚀刻腔室内的壓力有關。輪入參數之各者可相應於： 132369.doc 200909340 刻循環及相對於敍刻循環起始之時間。輪入參數可包含钱 刻腔室内之廢力或如本文中所述之與塵力有關之任何其他 參數。該等指令可包含確定麼力導出參數，其可藉由吁算 輸入參數關於相對於蝕刻循環起始之時間之改變來確^异 作為一實例，麼力導出參數可包含作為時間之函數之=室 内壓力的改變或溫度的改變。該等指令可包含藉由比較相 應於相對於相應蝕刻循環起始之特定時間的至少一個輸入 參數或廢力導出參數與臨限值來輸出犧牲結構之钱刻程戶 之指示符。臨限值可大致為零或可藉由先前試驗中龄視: 參數來石崔定。該等指令可包含藉由比較相應於相對^庫 钮刻循環起始之特定時間的至少—個麼力導出參數盘相應 於相對於其他相應蝕刻循環起始之相同特定時間的至少一 個其減力導出參數來輸出犧牲結構之㈣程度之指示 符。指示符可包含已達到或預期達到一定姓刻量之時間或 時間的過度估算值。該餘刻量可相應於I虫刻大致所有犧牲 結構。輸出步驟可進一步包含確定至少一個輸入參數或麼 力導出參數之-低於臨限值及來自先前試驗之相應輸入參 數或壓力導出參數高於臨限值之循環。 f一些實施例中，提供一種光學裝置形成系統。該系統 ° 於提供與未釋放MEMS裝置之犧牲結構相互作用 之蝕刻劑的構侔，甘 、龄、 ，、可包3 一蝕刻腔室。該系統可包含用 ;見與至V部分可歸因於蝕刻劑與犧牲結構之相互作用 【，改變有關的參數之構件’其可包含一壓力感測器。 Μ，、統可包含用於基於所監視參數來指示犧牲結構之蝕刻 132369.doc •39· 200909340 程度之構件，其可包含— 犧牲結構之餘刻程度之構件：：：於基於所監視參數指示 構之特定蝕刻量之時間的構件了於指示已達到犧牲結 量可大致為所有犧 $、可包含—電腦。該特定 俄往、..σ構。该時間可 於基於所監視參數指示犧 槿衣。 時間的改變下落刻循環中所監視參數關於

3疋。限值以下，且該臨限值 零。用於確定敍刻循環之構件可包含一電腦。 實例 圖10中所說明，未釋放干涉調變器定位於 蝕刻腔室内。去鋰技1、土 』矛、、况之 切放干涉調變器包含具有銷之犧牲層。腔 二初处於大致25t，且在製程期間不將外部熱供應至腔 至^除因^刻劑與犧牲結構之反應誘發的熱之外，其可引

起皿度升南）。藉由施加真空將腔室壓力降低至約H 複數人循環中將二氟化氣敍刻劑引入至腔室中。在各

^環開始時’餘刻劑流入至腔室中歷時大致100秒。以每 致26立方公分之速率將勉刻劑饋入至腔室中。首先 /一蝕刻剑後大致5〇〇秒’藉由施加真空自腔室移除氣 體’進而完成循環。 /兹刻劑供應至腔室之時間開始，在供應㈣劑至腔室 "(圖11中之t—〇至1 00 s)與在供應触刻劑後（t=l 〇1至500 s)期間，以10秒時間間隔監視腔室内之壓力。在第8次循 環期間供應蝕刻劑且移除氣體，且監視跨越所有循環之壓 力0 132369.doc -40- 200909340 Γ 圖u為展示對於複數次蝕刻劑循環而言相對於首次供應 蝕刻劑之時間作為時間之函數的腔室内之壓力之曲線圖。 如圖11中所示，壓力隨蝕刻劑引入至腔室中而增加（t=〇至 10〇 S)。引入蝕刻劑後（t > 1〇〇 s)，終止蝕刻劑向腔室中之 進一步流動，但壓力在早期循環期間隨時間繼續增加。該 垄力〜加可歸因於二氟化氙與鉬反應產生氙氣及六氟化 鉬，其將增加腔室内之氣體莫耳數及/或溫度。圖"展 示，在將姓刻劑引入至腔室後，塵力增加在中間循環（例 如循環4至循環6)期間最為顯著。在稍後循環中，在引入 蚀刻賴，屢力增量變低，提供姓刻接近完成之指示。舉 例而言，在引入蝕刻劑後，在第8次循環開始時，圖丨丨展 不，存在小的壓力増加或不存在壓力增加，指示反應較少 或無反應且因此指示蝕刻基本上完成。 圓12展示跨越循環在相對於循環起始之各時間點（例 如，循環起始後t=100s、2〇〇s、3〇〇认彻s)之屡力。即 使對於所有循環最初將相同量之蝕刻劑供應至腔室，在令 間循環（例如循環4至循環6)期間之壓力亦比在早期循環及 晚，循環高。雖然本發明不受理論約束’但據信，在初始 循環期間’可暴露犧牲結構之相對較小的表面面積以使其 與敍刻劑反應。在中間循環期間，㈣劑可能夠與犧牲* 構之較大表面面積反應。在稍後循環期間’犧牲結構可幾 乎經移除，進而降低可用以與钱刻劑反應之表面面積。因 此’在圖12中，在壓力之;> 丄从 拉、“ 初始增加後，壓力之降低為餘刻 接近元成之指示。 132369.doc 200909340 仏官以上詳細描述已展示、描述且指出本發明在 錄實施例時之新顆特徵，但應瞭解，熟習此項技二： 在不脫離本發明之精神之情況下對所說明之襄置或製程 形式及細節進行各種省略、取代及改變。如將認識之 本毛明可以並未提供本文中所述之所有特徵及益處的 來體現’因為某些特徵可與其他特徵分離來使用: 【圖式簡單說明】 ，圖1為描繪干涉調變器顯示器之一實施例之部分的等角 視圖’其中第一干涉調變器之可移動反射層處於鬆弛位 置，且第二干涉調變器之可移動反射層處於致動位置。 圖2為說明併入3χ3干涉調變器顯示器之電子裝置之一實 施例的系統方塊圖。 圖3為圖1之干涉調變器之一示範性實施例的可移動鏡面 位置對施加電壓的圖。 圖4為可用於驅動干涉調變器顯示器之一組列電壓及行 電壓的說明。 圖5A說明圖2之3x3干涉調變器顯示器中之顯示資料的一 示範性圖框。 圖5B說明可用於寫入圖5A之圖框之列及行信號之一示 範性時序圖。 圖6A及圖6B為說明包含複數個干涉調變器之視覺顯示 裝置之一實施例的系統方塊圖。 圖7A為圖1之裝置之橫截面。 圖7B為干涉調變器之一替代實施例之橫截面。 132369.doc •42· 200909340 圖7 C為干涉調變器之另一替代實施例之橫截面。 圖7D為干涉調變器之另一替代實施例之橫截面。 圖7E為干涉調變器之另一替代實施例之橫截面。 圖8為說明在製造干涉調變器之方法之一實施例中的某 些步驟之流程圖。 圖9為說明在形成MEMS裝置中之空腔之一實施例中的 某些步驟之流程圖。 圖10為說明I虫刻系統之一實施例之系統方塊圖。 圖11為對複數次蝕刻循環而言，作為時間之函數之蝕刻 腔室内的壓力。 圖12為跨越钱刻循環之姓刻腔室内之壓力。 【主要元件符號說明】 1-1 線 12a 干涉調變器/像素 12b 干涉調變器/像素 14 可移動反射層/反射層/層/金屬材料之條帶 14a、14b 可移動反射層 16' 16a' 16b光學堆疊 18 柱/正交伸長支撐物 19 界定間隙/間隙/空腔 20 透明基板/基板/下伏基板 21 處理器/系統處理器 22 陣列驅動器 24 列驅動電路 132369.doc •43- 200909340 26 27 28 29 30 32 34 40 41 42 43 44 45 46 47 行驅動電路 網路介面 圖框緩衝器 驅動器控制器 顯示陣列或板/顯示器 系拴 可撓性金屬之可變形層/可變形層 示範性顯示裝置/顯示裝置 外殼 支撐柱塞 與一收發器47耦接之天線/天線 匯流排結構 揚聲器 麥克風 收發器 48 50 輸入裝置 電源 52 調節硬體 110 蝕刻劑供應 105 蝕刻腔室/腔室 115 入口 120 真空泵系統 125 未釋放MEMS裝置可位於其上之晶圓盤 130 參數監視器 132369.doc -44· 200909340 135 經組態以指示未釋放MEMS裝置之犧牲 結構之蝕刻程度的組件/組件 ί 132369.doc -45 -

Claims (1)

1. 200909340 十、申請專利範圍： κ 一種製造微機電系統（MEMS)裝置之方法，其包含： ⑷提供—腔室及—位於該腔室中之未釋放MEMS褒 置，該未釋放MEMS裝置包含一犧牲結構； ⑻將蝕刻劑供應至該腔室以進而钮刻該犧牲結構；及 ⑷監視一作為時間之函數的與該腔室内之麼力有關之 程參數以進而提供該犧牲結構之敍刻程度之一指示。 2.如凊求項1之方法，其中命斛龄、a… 、 、'^所"視製程參數為作為時間 之函數之該腔室内之壓力的改變。 3·求項1之方法’其中該所監視製程參數包含作為時 間之函數之該腔室内之、” h 作為時 至少—者。 之，皿度及該腔室内之溫度的改變的 4·如請求項1之方法，1進一牛 室之供應。 、進^包含中斷該蝕刻劑向該腔 5. 如請求項丨至4中任— 項之方法，其進一步包含·· W自該腔室移除氣體之至少—部八。 6. 如請灰 is + 71 尺項5之方法，盆 ⑻、⑷及⑷來進行一或多次糟由至少重複步驟 7·如請求項6之方法，1 卜循：。 虔力之—時、°視製程參數為-循環内 8. 如請求項6之方法’ :改變。 斷—領外循環之起始。乂包含在提供該指示之後中 9. 如清求項6之方法， 外循環之開始之ι：Λ 係在相應於相對於一額 特-時間該所監視製程參數越過一預 132369.doc 200909340 選臨限值時予以提供。 10’如請求項6之方法’其中該 外循環之開始之-特^時間兮:、在相應於相對於一額 -預選第-臨限值後越過一預：：製程參數在已越過 供。 頂遠第二臨限值時予以提 n.如請求項6之方法，复 或額外_之丄 包含比較在相對於該第- 程參數=Γ—特定時間時所量測的-所監視製 間時所 對於一不同額外猶環之開始之相同特定時 間時所量測的一所監視製程參數， A如請求項…中任一項 進而Β該“。 M m .. 、 去，其中該指示係在該所監 製程參數越過一預選臨限值時予以提供。 :长項1 2之方法，其中該預選臨限值約為零。 月求項12之方法，其中該預選臨限值為相對於一初始 參數之-最大製程參數之約1%、約5%或約10%。 15·如請求項12之方法，其中若該餘刻劑不與另-物質反 應咬則該預選臨限值為一第一預期壓力之約1〇5%。 月长項12之方法，其中該預選臨限值為每秒約0.2 mT 之壓力改變或每秒約_〇,2 mT之壓力改變。 17.如明求項1至4中任一項之方法，其中該未釋放mems裝 置包含： 一基板； 疋位於該基板之上之一或多個第一層； 疋位於該一或多個第一層之上之包含該犧牲結構的一 犧牲層；及 132369.doc 200909340 疋位於該犧牲層之上之一或多個第二層。 18. 如請求項17之方法，其中該一或多個第一層包 電極。 步 其中該一或多個第二層包含—第 19. 如請求項17之方法 電極。 2 0.如請求項17 $ 士 ^ /之方法，其中該蝕刻劑與該犧牲結構之間的 反應主要產生氣態產物。 2 1 ’如吻求項1 7之方法’其中該犧牲結構包含鉬。 22. 如明求項1 7之方法，其中該蝕刻劑包含 二氟化氣。 23. 如請求項17之方法，其進一步包含： 疋位一或多個額外未釋放MEMS裝置於該腔室中，該 等額外未釋放M E M s裝置包含額外之一或多個犧牲牡 構。 〇 24. 如請求項1至4中任一苜 甘士斗| T任項之方法，其中該未釋放MEMS裝 置包含一未釋放干涉調變器。 、 5種MEMS裝置，其係藉由如請求項1至4中任一項之 法製造。 26. —種蝕刻系統，其包含： 蝕刻腔室，其經組態以向該腔室提供蝕刻劑且收容 包3犧牲結構之未釋放MEMS裝置； 參數監視器，直經纟且能以gA ^目 、心以i視—與該腔室内之壓力 有關之參數；及 組件’其經組態以基 _ 土於作為日守間之函數之參數的改 變來指示該犧牲結構之蝕刻程度。 132369.doc 200909340 27. 如請求項26之系統’其中該參數為該腔室内之壓力。 28. 如請求項26之系統’其中該蝕刻腔室經組態以在複數次 循環中向該腔室提供該蝕刻劑。 29. 如請求項28之系統，其中該參數為一循環内壓力之一時 間導數跨越循環的一改變。 30. 如請求項28之系統，其中該組件經進一步組態以比較該 參數跨越該等循環之該改變。 3 1.如凊求項26之系統，其中該組件經組態以確定作為時間 之函數之該參數的改變何時越過一預選臨限值。 32.如請求項28至3G中任-項之系、统，其中該組件經進一步 組態以指示何時中斷該蝕刻劑之提供。 3 3.如凊求項32之系統，其中該組件經進一步組態以 比較在相對於該循環起始之一特定時間時作為時間之 函數的該參數跨越循環之改變；及 識別作為時間之函數之該參數的改變越過一臨限值的 一循環。 34·如請求項33之系統，其中該組件經進一步組態以識別作 為時間之函數之该參數的改變越過一臨限值之一循環。 35.如請求項26至31中任一頂夕备始 1 項之糸統，其中該組件包含一雷 36. 一種電腦可讀媒體 之電腦可執行指令 其上具有用於確定一終止蝕刻時間 該等指令包含： 收 内 妾收複數個輸人參數，該複數個輸人參數係關力 容—包含-⑭結構之未釋放廳⑽裝置之#刻龙 I32369.doc 200909340 的壓力，其中該等輸入參數之各者相應於一餘刻循環及 相對於該蝕刻循環之起始之一時間； 藉由計算該輸入參數關於該相對於該蝕刻循環起始之 該時間之該改變來確定壓力導出參數；及 藉由比較相應於相對於該相應蝕刻循環之起始之一特 疋日守間的至少一個壓力導出參數與一臨限值來輸出該犧 牲結構之蝕刻程度之一指示符。 37. 如請求項36之電腦可讀媒體，其中該指示符包含已達到 或預期達到一定蝕刻量之時間。 38. 如請求項37之電腦可讀媒體，其中該量相應於姓刻大致 所有該犧牲結構。 39. 如請求項36至38中任一 $I了 δ貝媒體，其中該輸出 ^ 、步包含確定該至少—個壓力導出參數之一者低 於該臨限值及來自先前試驗之相錢力導 該 臨限值之一循環。 门於人

   40. 如請求項36至38中任一 jg夕♦* 值大致為零。 、@可π媒體’其中該臨限 41 一種光學裝置形成系統，其包含： 一犧牲結構相互作 用於提供與—未釋放MEMS裝置之 用之姓刻劑的構件； 構之該相互作用之心^歸⑽該㈣劑與該犧相 之1力改變有關的參數 用於基於該所監葙炎缸A 双及稱件，及 的構件。 數來指示該犧牲結構之蝕刻程 132369.doc 200909340 42’ ^求項41之系統’其中用於提供與一未釋放職 牲結構相互作用之姓刻劑的該構件包含 於，蝕：41之系統’其中用於監視-與至少部分可歸因 刻劑與該犧牲結構之該相互作用之麗力改變有關 、多數之該構件包含一壓力感測器。 44. 如請求項41至43中一 視參數來指示該犧中用於基於該所監 腦。 婦、、Ό構之#刻程度的該構件包含_電 45. 如請求項41至辦任—項之系統，其中用 視參數來指示該犧牲、 '…所監 4t . ㈣、、.口構之敍刻帛度的該構件包含用於 才曰不已達到該犧牲結構之一 ； 件。 行疋蝕刻里之一時間的構 46. 如請求項45之系統，其中用 電腦。 時間之該構件包含一 47. 如請求項45之系統，其中該 構。 里大致為所有該犧牲結 48. 如請求項45之系統，其中該時間包含— 49. 如請求項41至辦任-項之系統，其中用^^ 視參數來指示該犧牲έ士槿 ；土於δ亥所監 定-峨環：:=程度的構件包含用於確 時間之一改變越過-指定臨限值。斤-視參數關於 50. 如請求項49之系統，其中用於 包含一電腦。 蝕刻循％之該構件 51. 如請求項49之系統’其中該臨限值大致為零。 132369.doc