TW200907593A - Lithographic apparatus - Google Patents

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TW200907593A TW097114531A TW97114531A TW200907593A TW 200907593 A TW200907593 A TW 200907593A TW 097114531 A TW097114531 A TW 097114531A TW 97114531 A TW97114531 A TW 97114531A TW 200907593 A TW200907593 A TW 200907593A
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Description

200907593 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於微影裝置之投影系統、一種微影 裝置及方法。 【先前技術】 f 微〜扁置為將所要圖案施加至基板之目標部分上的機 益。微影裴置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情 況下,圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生 對應於ic之個別層的電路圖案,且可將此圖案成像至具有 轄射敏感材料(抗㈣I)層之基板(例如,石夕晶圓)上之目標部 刀(例如’包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。一 般而言’單-基板將含有被順次曝光之鄰近目標部分之網 路。已知微影裝置包括:所謂的步進器’纟中藉由一次性 將整個圖案曝光至目標部分上來照射每-目標部分;及所 謂的掃描器,丨中藉由在給定方向(„掃描”方向)上經由光束 而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板 來照射每一目標部分。 在1C製造中,微處理器速度、記憶體裝填密度及微電子 組件之低功率消耗之持續改良需要藉由微影裝置而自圖案 化器件(例如,光罩)轉印至基板之圖案之尺寸的持續減小。 然而’隨著積體電路之尺寸減小及其密度增加,其對應圖 案化器件⑽,光罩)圖案之CD(臨界尺寸)近似微影裝置 之解析限度。微影裝置之解析度經界定為曝光工具可重複 地曝光於基板(例如,晶圓)上之最小特徵。已應用被稱作解 I30284.doc 200907593 析度增強技術之各種技術,以便擴展微影裝置之解析即产 一用以改良解析度之技術為離軸照明。在此技術的情"況 下,在選定非垂直角度下照明圖案化器件(例如,光罩/其 可改良解析度’且藉由增加焦點深度及/或對比度而特別= 良製程寬容度(process latitude)。在圖案化器件(例如,光罩) 平面(其為物件平面)處輕射光束之角分布對應於微影裝置 之光學配置之光瞳平面中輻射光束之空間分布。通常,光 瞳平面中之空間分布之形狀被稱作照明模式。一已知照明 模式為環形,其中將光軸上之習知零級光點改變成環狀強 度分布。另-模式為多極照明,其中產生不在光軸上之若 干光點或光束。多極照明模式之實例為包括兩個極之偶極 及包括四個極之四極。對於諸如偶極及四極之照明模式, 光瞳平面中之極的尺寸與光瞳平面之總表面相比可為極小 的。因此,用於曝光基板之所有輕射僅在此等極之位置處 的光瞳平面處或附近橫穿各種光學元件。光學元件可能為 (例如)透鏡元件。橫穿透鏡元件之轄射的一小部分咖元 件吸收。此導致由輻射光束對透鏡元件之非均一加埶,從 而導致折射率之區域改變及透鏡元件之變形。折射率之區 域改變及此透鏡元件之變形導致光學像差及如由投影系統 投影至抗钮劑層上之畸變影像。或者,或另外,折射率之 區域改變及透鏡之變形可為老化徵兆。 需要提供(例如)一種消除或緩解無論是在本文中還是在 別處所識別之先前技術之問題,之一或多者的微= 方法。 I30284.doc 200907593 【發明内容】 根據本發明之一態樣,提供—種 裡適合於在微影裝置中使 用之投影系統,投影系統包括至少一透射光學元件’投影 糸統具備經組態以實現透射光學 予凡件之熱分布之改變的埶 f =布校正器,熱分布校正器包括轉移部件及熱分布調節 盗’轉移部件可移進及移出與透射光學元件之鄰近區域, 以將所要熱分布自熱分布調節器轉移至透射光學元件中。 根據本發明之另一態樣,提供—種微影裝置,其包括: 照明系統,照明系統經組態以調節韓射光束;支樓件,支 撐件經建構以支撐圖案化器件, 圖案化态件能夠在經調節 輻射光束之橫截面中向經調節輕射光束賦予圖案以形成經 圖案化幸昌射光束;基板台,基板台經建構以固持基板;及 投影系統,投影系統具備至少_ 夕透射光學元件且經組態以 將經圖案化輻射光束投影5 Α 不又〜至基板之目標部分上,投影系統 ㈣㈣態以實現透射光學元件之熱分布之改變的熱分布 校正益’熱分布校正器包括轉移部件及熱分布調節器,轉 移ΙΜ牛可移進及移出與透射光學元件之鄰近區域,以將所 要熱分布自熱分布調節器轉移至透射光學元件中。 根據本發明之另一银媒 / 〜、樣’ k供一種實現透射光學元件之 熱分布之改變的方法,龙4 . 匕括.將預定熱分布自熱分布調 節器轉移至轉移部件,;g物 及將轉移部件移進與透射光學元件 之鄰近區域,以將教分希&土 ,、、、布自轉移部件轉移至透射光學元件 配置。 【實施方式】 130284.doc 200907593 #現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之 4例’在該等圖式中’對應參考符號指示對應部分。 儘官在此本文中可特定地參考微影裝置在ic製造中之使 =,但應理解,本文所描述之微影裝置可具有其他應用, ★如,製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及伯測 圖案、液晶顯示h(lcd)、薄膜磁頭,等等。熟習此項技術 =應瞭解,在該料代制之情境t,可認為本文對術語 晶圓"或”晶/粒”之任何使用分別與更通用之術語”基板"或 "目標部分”同義。可方虛止+义上、 J我了在曝先之則或之後在(例如)軌道(通常 =抗钱劑層施加至基板且顯影經曝光抗㈣之工具)或度 量衡工具或檢測卫具中處理本文所提及之基板。適用時, 可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理卫具。另外, 可將基板處理一次以上,(例如)以便形成多層ic,使得本文 所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基 板。 本文所使用之術語"轄射"及”光束”涵蓋所有類型之電磁 輻射,包括紫外線(uv)輻射(例如’具有365 nm、248 nm、 193 nm、157 nm或126 nm之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例 如,具有在5nm至20 nm之範圍内的波長);以及粒子束(諸 如’離子束或電子束)。 本文所使用之術語"圖案化器件"應被廣泛地解釋為指代 可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以在基 板之目標部分中形成圖案的器件。應注意,被賦予至輻射 光束之圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所 130284.doc 200907593 要圖案。通常,被賦予 八士 ^ ^1 j王?田射先束之圖案將對應於目標部 刀圖=:器件(諸如,積體電路)中的特定功能層。 :案化,件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括 =、可程式化鏡面陣列’及可程式化咖面板。光罩在 试影術中為熟知的,且句 ^ ^ s , 1包括诸如二元交變相移及衰減相移 之先罩類型,以及各種混人 σ先草類型。可程式化鏡面陣列 地—1“吏用]、鏡面矩陣配置,小鏡面中之每-者可個別 „ 向上反射入射輻射光束;以此方式, 圖案化經反射光束。 —支樓結構固持圖案化器件。支撐結構以視圖案化器件之 疋向、微影裝置之設計及其他條件(諸如,圖案化器件是否 固持於真空環境中)而$ & 、方式來固持圖案化器件。支撐件 可使用機械夾持、真空或其他夾持技術,例如,在真空條 件下之靜電夹持。支撐結構可為(例如)框架或台,其可根據 需要而為固定或可移動的,且其可確保圖案化器件(例如) 相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語 或”光罩”之任何使用均與更通用之術語"圖案化器 義。 本文所使狀術語”投料統”應被廣泛地解釋為涵 種類型之投影系統,包括折射光學反射 反射折射光學系統’其適合於(例如)所使用之曝光輻 適合於諸如浸沒流體之使用或真空之使用的其他因素可 認為本文對術語”投影透鏡,,之任何使用均與更通用之㈣ "投影系統"同義。 广° 口 130284.doc -10- 200907593 照明系統亦可涵蓋各種類型之光學組件,包括用於引 導、成形或控制輻射光束之折射、反射及反射折射光學組 件,且該等組件在以下亦可被共同地或單獨地稱作”透鏡"。 、微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/ 或兩個或兩個以上支撐結構)之類型。在該等”多平台”機器 中’可並行地使用額外台,或可在—或多個台上進㈣備 步驟’同時將-或多個其他台用於曝光。 古微影裝置亦可為如下類型:其中基板浸沒於具有相對較 冋折射率之液體(例如,水)中,以便填充投影系統之最終元 =板之間的$ μ ° '亦可將浸沒液體施加至微景多裝置中 二他工間’例如,圖案化器件(例如,光罩)與投影系統之 〃疋件之間。浸沒技術在用於增加投影系統之數值孔徑 之技術中為熟知的。 圖^下忍性地描繪根據本發明之特定實施例的微影裝 置4震置包括:照明系統(照明器)IL,其用以調節韓射光 束(例如’ UVM射);支撐結構(例如,支撐結構)mt,其 切圖案化器件(例如’光罩)ΜΑ且連接至第—定位器 第一定位器件ΡΜ用以相對於零件p]L而精確地定位
圖案化器株·且4c V ,土板σ (例如,晶圓台)WT,其經組態以固持 土 (例如’塗覆抗餘劑之晶圓)w且連接至第二定位器件 P W" ’ 第-t , / ^ 一疋位器件PW經組態以相對於零件PL而精確地定 位基板;於旦/彡 ,又衫糸統(例如,折射投影透鏡)PL·,其經組態以 W之Γ ^化盗件MA賦予至輻射光束四之圖案成像至基板 τ 刀C(例如,包括一或多個晶粒)上;及熱分布校 130284.doc 200907593 = 分布校正器_經組態以實現投影系訊之透 PL之:二(:如’透鏡)之熱分布的改變或改變投影系統 射光學7L件(例如,透鏡)之熱分布。 如:處所料,該裝置為透射類型(例如,使用透射光 罩)。或纟,該裝置可為反射類型(例如,使用如以上所提及 之類型的可程式化鏡面陣列)。 、照明益IL自輻射源s〇接收輻射光束。舉例而言,當輻射 源為準分子雷射器時,輕射源與微影裝置可為單獨㈣。 在该等狀況下’不認為韓射源形成微影裳置之—部分,且 幸田射光束借助於包括(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器 之光束傳送系統BD而自轄射源s〇傳遞至照明器几。在其他 狀況下,例如,當輻射源為汞燈時,輻射源可為裝置之整 體部分。韓射源so及照明器江連同光束傳送系統BD(在需 要時)可被稱作輻射系統。 照明器IL可包括經組態以調整光束之角強度分布的調整 器AM。通常,可調整照明器之光瞳平面中之強度分布的至 少外部徑向範圍及/或内部徑向範圍(通常分別被稱作〇外 部及σ内部)。此外,照明器几通常包括各種其他組件諸 如,積光器IN及聚光器CO。照明器提供經調節輻射光束 PB ’在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。 輻射光束PB入射於被固持於支撐結構Μτ上之圖案化器 件(例如,光罩)MA上。在橫穿圖案化器件μα後,光束pb 穿過透鏡PL,透鏡PL將光束聚焦至基板w之目標部分c 上。借助於第二定位器件PW及位置感測器IF(例如,干涉量 130284.doc •12- 200907593 測器件),基板台WT可精確地移動,(例如)以便在光束pB 之路徑中定位不同目標部分C。類似地,第一定位器件pM 及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例 如)在自光罩庫之機械揭取之後或在掃描期間相對於光束 PB之路徑來精確地定位圖案化器件μα。一般而言,將借助 於形成定位器件ΡΜ及PW之一部分的長衝程模組(粗略定 位)及短衝程模組(精細定位)來實現載物台ΜΤ及WT之移 動。然而,在步進器(與掃描器相對)之狀況下,支撐結構 ΜΤ可僅連接至短衝程致動器,或可為固定的。可使用圖案 化器件對準標記Μ1、M2及基板對準標記ρ 1、Ρ2來對準圖案 化器件ΜΑ及基板W。 所描繪裝置可用於以下較佳模式中: 1. 在步進模式中,在將被賦予至光束ΡΒ之整個圖案一次 性投影至目標部分C上時’使支撐結構ΜΤ及基板台WT保持 基本上靜止(亦即,單次靜態曝光ρ接著,使基板台琛丁在 X及/或Y方向上移位’使得可曝光不同目標部分C ^在步進 模式中’曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之 目標部分C的尺寸。 2. 在掃描模式中,在將被賦予至光束pB之圖案投影至目 標部分c上時’同步地掃描支撐結構Μτ及基板台WT(亦 即,單-人動態曝光)。藉由投影系統PL之放大率(縮小率)及 影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度 及方向。在掃描模式中,曝光場之最大尺寸限制單次動態 曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上),而掃描運動之 130284.doc -13- 200907593 長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。 β在另_式中’在將被賦予至光束PB之圖案投影至目 上時,使支擇結構财保持基本上靜止,從而固持 可程式化圖*化益件,且移動或掃描基板台WT。在此模式 中,通常使用脈衝式輻射源’且在基板台WT之每一移動之 後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程 式化圖案化器#。此操作模式可易於應用於利用可程式化 圖案化器件(諸如,如以μ Μ @ k 上所提及之類型的可程式化鏡面陣 列)之無光罩微影術。 亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或 完全不同的使用模式。 圖2a展示照明器或投影系統中之光瞳平面2丨中輻射光束 之強度分布的實例。輻射光束之強度分布包括兩個極22及 23,其界定輻射光束之大部分輻射橫穿光瞳平面所穿過的 光瞳平面之橫截面之部分(某些輻射歸因於在極之邊緣處 之政射及/或衰退而損失)。圖2b展示包括四個極25、26、27 及28之光瞳平面24中之強度分布的第二實例。在以下描述 中,光瞳平面中輻射光束之強度分布被稱作照明模式。圖 2a所示之強度分布被稱作偶極照明模式。圖汕所示之強度 分布被稱作四極照明模式。 隨著輻射光束橫穿折射透鏡元件(例如,圖1之投影系統 PL的透鏡)’輻射光束之一小部分由透鏡元件吸收。由透鏡 元件對輻射光束之吸收導致透鏡元件加熱。透鏡元件之加 熱導致在吸收之位置處透鏡元件之折射率之改變及透鏡元 130284.doc • 14· 200907593 件之變形。對於定位於輻射光束均一地橫穿透鏡元件之該 ^置處的透鏡元件,吸收導致透鏡元件之均一加熱及折射 “ 句改變。對於定位於光瞳平面處或附近之透鏡元 件,輻射光束橫穿透鏡元件所穿過的透鏡元件之橫截面之 口p刀視所應用之照明模式而定。對於諸如偶極及四極之照 明杈式,透鏡元件跨越透鏡元件之表面而非均一地吸收輻 射。折射率之區域改變及投影系統中之一或多個透鏡元件 之憂形導致橫穿透鏡元件之輻射光束之不同部分之光徑長 度的改餐1。因為其光徑長度不同,所以輻射光束之部分在 主光罩位準下相對於物件影像而畸變之基板位準下重組合 成影像。 參看圖3,根據本發明之一實施例的熱分布校正器丨〇〇(如 圖1所不)包括熱轉移部件! 〇2及熱分布調節器i 〇4。熱轉移 部件102為類板形狀。熱轉移部件ι〇2經建構成使得熱分布 可建立於其上或其内,而且使得熱可易於自其表面耗散(至 (例如)透鏡配置之透鏡上/中)。熱轉移部件1〇2可因此由傳 導(例如,金屬,諸如,銅)元件矩陣便利地形成,使得熱可 易於自轉移部件1 〇2被吸收及耗散。元件可各自由熱絕緣體 圍繞,熱絕緣體使元件中之每一者彼此熱隔離,藉此允許 建立熱分布。 熱轉移部件102經定尺寸成使得其可安置於透鏡配置1〇8 之透鏡之間。透鏡配置108形成圖!所示之投影系統pL的一 部分。熱轉移部件可安置於與透鏡配置1〇8相關聯之光曈平 面106上或附近,或安置於透鏡配置1〇8之透鏡之鄰近區域 130284.doc 15 200907593 中的任何其他適當位置處,使得透鏡可由熱轉移部件〗〇2 加熱(如以下所論述)。 熱分布調節器104包括一對加熱板11〇及112,其彼此充分 地間隔分離以允許在其間安置熱轉移部件1〇2,然而彼此仍 充分地接近以允許在鄰近於此處安置時在板11〇及ιΐ2與熱 轉移部件⑽之各別表面之間的熱轉移。熱分布調節器⑽ [描述為具有兩個加熱板11 〇 技術者應瞭解,可或者在本發 熱板之熱分布調節器104。 _ 112。然而,—般熟習此項 明之工作内使用具有單一加 亦參看圖4,每-板11G及112包括加熱陣列ιΐ4,加㈣ 列m具有經配置以加熱加熱轉移部件⑽之選定離散區域 化區域的個別可定址電加熱器116。圖式僅為了說明目的而 展不九個電加熱器之陣列。實務上,電加熱器之數目可大 體上更大,諸如,128或256個加熱器。電加熱器職由導 體⑵而電連接至控料元118。在❹中,㈣單元ιΐ8經 組態以獨立地調整每—電加熱器116之熱耗散以 熱分布。 ^鏡配置⑽中作為光瞳平面中之位置之函數的光徑 =化可藉由表面分布來描述且被稱作相位圖由 涉計配置來量測透鏡配置之光瞳平面中(或在 適當部分處)韓射光束的相位圖而獲得韓射光束 徑長度的所要校正。藉由量測光瞳平面中 來直接判定光徑長度改變會提供待判定及應用之 、可在微影裝置未處於連續操作中時或微影裝置 130284.doc -16 - 200907593 隨後在具有不同照明模式之設定下操作時的週期期間進行 該等量測’從而導致連續改變之相位圖。習知微影工具可 裝備有已知感測器,感測器包括配置於用於波前之原位量 測之基板支撐構件處或附近的干涉量測波前量測系統。 控制單元118經組態以定址與經量測相位圖相關之加熱 器116。在使用中,使用干涉計配置來量測相位圖。相位圖 提供輻射光束之橫穿透鏡配置108之不同子光束的相位改 變。此等相位改變用以判定照射誘發之光徑長度差的所要 校正。自相位圖上所判定之對應相位改變計算透鏡配置1〇8 之折射率的所要改變。隨後,計算自每—電加熱器116所耗 散之熱量以實現熱轉移部件與透鏡配置之間所要之熱轉 移,以藉此實現透鏡配置之熱分布的改變且因此實現透鏡 配置之折射率分布的改變。每一電加熱器116接著由控制單 凡Η 8個別地定址以耗散經計算之熱量。自每一電加熱器待 耗散之熱量經計算以實現特定數目之焦耳在設定時間週期 内於熱轉移部件與透鏡配置之間的轉移。 相位圖可經判;t且校正針對每—所使用照明模式而應用 於透鏡配置-次。或者’相位圖可經判定且校正週期性地 應用於透鏡配置。或者,相位圖可經判定且校正在其他時 間間隔或在微影裝置未處於操作巾時之週期期間應用於透 鏡配置,諸如’在基板曝光之間、當改變圖案化器件(例如, 光罩)2文變基板(例如,晶圓)批次時,或在裝置之常規校 ΐ、另外或或者,控制單元118可相對於所應用照明 模式之歷史來定址電加熱器116。或者,由透鏡之像差所導 130284.doc 17 200907593 ^輕射光束之不規雜的校正可比經㈣化基板之總產 ;ί重要。在此狀況下’相位圖可經計算且校正在特定(例 如’維護)週期應用於透鏡。 或者,可自所應用照明模式導出相位圖。相位圖之計算 可使用習知射線追蹤款體步γ α 1 + 退取竿人體來進仃且相應地經由控制單元 118而應用於電加熱器116。 經計算之熱自電加熱器116耗散且轉移至熱轉移部件 102。應瞭解’圖式中所示之實施例具有兩個加熱板⑽及 ⑴。然而,熱分布調節器104與熱轉移部件102之間的熱轉 移可或者僅使用-個加熱板來實現。如圖5所示,熱轉移部 件102隨後移動及安置於透鏡配置1〇8之光瞳平面⑽上。在 此位置中,在熱轉移部件102之離散區域化區域與透鏡配置 108之透鏡之間轉移熱,使得在預定時間週期中轉移預定所 需數目之焦耳,藉此改變透鏡配置108之透鏡的熱分布且因 此更改透鏡之折射率分布。 亦參看圖6,熱轉移部件1〇2具有用於連接至立式部件124 之煮12 2如圖3及5所示。熱轉移部件亦可具有以冷卻環之 形式的冷卻器138,其經組態以調節熱轉移部件之整體溫度 (bulk temperature)。圖6亦展示熱轉移部件之由熱分布調節 器104之電加熱器所加熱之離散區域化區域126的實例。 圖7展示根據本發明之一實施例之熱分布校正器1 的平 面圖。在經计算之熱自電加熱器116至熱轉移部件102之轉 移之後’熱轉移部件藉由圍繞立式部件124之縱向軸線125 旋轉熱轉移部件1 02而自熱分布調節器移動至透鏡配置之 130284.doc -18- 200907593 光瞳平面上,藉此將熱轉移部件102自熱分布調節器ι〇4輸 送至透鏡配置1〇8。 參看圖8,根據本發明之一實施例的熱分布校正器2㈧包 括熱轉移部件202。熱轉移部件為與圖3之熱轉移部件之形 狀類似的形狀,且具有第一表面228及第二表面23〇。任二 表面或兩個表面均在其上安置熱源23 2陣列,諸如,發光二 極體(LED)、雷射二極體,或超冷光二極體 luminescent diode)熱源。熱分布校正器2〇〇進一步包括以控 制器234之形式的熱分布調節器,控制器234藉由相對於相 位圖而經由資料電纜236個別地定址熱源232來致動熱源 232。熱轉移部件232接著安置於透鏡配置之光瞳平面上, 如以上關於圖3所示之實施例所描述,且所要熱分布轉移至 透鏡配置’藉此校正其折射率分布。如關於圖3之實施例所 描述’熱轉移部件202可另外具有以冷卻迴路之形式的冷卻 器238 ’以調節熱轉移部件202之整體溫度。控制器234亦控 制冷卻器23 8。 在以上所描述之實施例中’熱分布調節器1〇4可包括經配 置以加熱熱轉移部件102之選定離散區域化區域的加熱器 11 6陣列。代替加熱’可使用轉移部件1 02之冷卻。舉例而 言’代替加熱器11 6 ’冷卻源陣列可用以選擇性地冷卻熱轉 移部件1 02之部分。可以選擇性冷卻之金屬板、導線或其類 似物之形式來提供冷卻源’其中經冷卻氣體或液體或任何 其他適當冷卻構件用以冷卻板、導線或其類似物。 在以上於圖8中所描述之實施例中,熱轉移部件202經展 130284.doc 19- 200907593 示具備經組態以加熱(例如)透鏡配置之透鏡之選定部分的 複數個熱源。代替地,轉移部件2〇2可具備經組態以冷卻(例 如)透鏡配置之透鏡之選定部分的複數個冷卻源。 可冷卻熱轉移部件之部分,而可加熱其他部分,以便尚 熱轉移部件提供熱分布。至透鏡配置之總能量㈤#移可能 為負,此在於:熱可自透鏡配置被取出。此可藉由確保使 熱轉移部件之部分比透鏡配置之周圍温度冷且此等經冷卻 部分之總冷卻效應大於轉移部件之經加熱部分的總加熱效 應來達成。若熱自透鏡配置被取出,則透鏡配置之孰分布 的更精確控制可經達成以減少其可能具有之任何像差。 在以上所描述之實施财,投影系紐已經描述為包括 透鏡配置⑽。可代替透鏡或除了透鏡以外使用其他透射光 學X件,例如,任何適當折射或繞射光學元件。透鏡可能 不具有光功率,且可能為(例如)對在特定(例如,uv)波長 下之輻射透明之平坦玻璃或其他材料片。 在以上實施例中’熱分布已經描述為相對於韓射光束之 相位圖被控制。此並非必需的。代替地,透鏡配置(例如, =影系統)可經模型化以判定配置中之透鏡的哪些部分將 需要對其應用熱分布,且該熱分布需要為何種熱分布。埶 分布可根據此模型而經建立及應用於透鏡配置之透鏡。数 分布亦可相對於先前所應用照明模式、曝光圖案等等之已 知或經計算熱分布的歷史而應用於配置之透鏡。 在以上所描述之實施例中,熱轉移部件已經描述為可移 動以往返於透鏡配置之透鏡之間的位置。可能較佳的為將 130284.doc •20· 200907593 熱轉移部件移動至與透鏡配置相關聯之光瞳平面上或中。 然而,此並非必需的’且熱轉移部件可能可移動以往返於 透鏡配置之透鏡之間的任何位置。 在以上所描述之實施财,熱轉移部件已經描述為可移 動以往返於透鏡配置之透鏡之間的位置,以加熱透㈣置 之任一側之兩個透鏡。可能僅需要或較佳的為加熱配置之 -透鏡’其意謂熱轉移料之唯—㈣要對其應用熱分 布’或熱轉移部件之僅-側需要具備熱源。可能需要將不 同熱分布應用於熱轉移部件之不同側。為了防止不同分布 藉由經由熱轉移部件之傳導而合併在一起,可將絕緣或熱 反射層提供於熱轉移部件中,以將其側中之一者與另一者 分離。 代替可移動以往返於透鏡配置之透鏡之間的位置,熱轉 移部件可經建構成使得可移動以往返於導致透鏡由熱轉移 元件圍繞之位置。圖9中展示該建構。在圖9中,熱轉移部 件300包括兩個部分:上部熱轉移部件31〇及下部熱轉移部 件320(但應瞭解,兩個部分可彼此成整體,亦即,形成單 一熱轉移部件)。可£ ’熱轉移部件300已經定位以圍繞透 鏡330。此可允許透鏡33〇之熱分布的更精確控制,且因此 允許由透鏡330之不均勻加熱所導致之像差藉由其對輻射 光束之透射的校正。 熱轉移部件300之面向透鏡33〇之側可具有待轉移至透鏡 300之熱分布。可藉由加熱熱轉移部件3〇〇之將面向透鏡 之側或藉由定址提供於彼等側上之熱源(如以上所描述)來 130284.doc -21 - 200907593 '”、刀布未面向透鏡300之側可具備絕緣及/或熱反射 吏得在,、他透鏡(未圖示)(例如,圖中在透鏡上方及 之透鏡)之方向上不耗散由熱轉移部件所耗散之 熱。 熱轉移部件可以任何適當方式而可移動。舉例而言,執 ^ 多部件可旋轉進及旋轉出位置,或以線性方式而可; 動’或兩者之組合。 儘官以上已描述本發明之特定實施例,但應瞭解,可以 :、所爲述之方式不同的其他方式來實踐本發明。描述不音、 欲二制本發明’本發明係由隨後中請專利範圍界I、 【圖式簡單說明】 式 =為根據本發明之—實施例之微影裝置的示意性圖式; 為光瞳平面中輻射光束之偶極強度分布的示意性圖 式 圖2b為光瞳平面中輻射光束 之四極強度分布的示意性圖 以在熱分布調節 正器的示意性圖 圖3為根據本發明之一實施例的經配 器與熱轉移部件之間轉移熱之熱分布; 式; 之布校…—上 鏡配置之間轉移 的示意性圖式; 圖5為圖3之經配置以在熱轉移部件與透 熱之熱分布校正器的示意性圖式; 圖6為圖3之熱分布調節器之熱轉移部件 130284.doc -22- 200907593 圖7為以圖3之熱分布校正 圖8為根據本發明之—告心式,· 圖式,·及 "之^例之熱分布校正器的示意性 圖9為根據本發明之—眘 圖式。 &例之熱分布校正器的示意性 【主要元件符號說明】 21 22 光瞳平面 極 23 極 24 25 光瞳平面 極 26 27 28 極 極 極 100 102 104 106 108 110 112 114 116 118 熱分布校正器 熱轉移部件 熱分布調節器 光瞳平面 透鏡配置 加熱板 加熱板 熱分布調節器 個別可定址電加熱器 控制單元 130284.doc -23- 200907593
120 122 124 125 126 138 200 202 228 230 232 234 236 238 300 310 320 330 AM BD C CO IF IL 導體 臂 立式部件 縱向軸線 離散區域化區域 冷卻器 熱分布校正器 熱轉移部件 第一表面 第二表面 熱源 控制器 資料電纜 冷卻器 熱轉移部件 上部熱轉移部件 下部熱轉移部件 透鏡 調整器 光束傳送系統 目標部分 聚光器 位置感測器 照明器 130284.doc -24- 200907593 IN 積光器 Ml 圖案化器件對準標記 M2 圖案化器件對準標記 MA 圖案化器件 MT 支撐結構 PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 PB 輻射光束 f' % PL 投影系統 PM 第一定位器件 PW 第二定位器件 SO 輻射源 W 基板 WT 基板台 X 方向 Y 方向 \ 130284.doc -25-

Claims (1)

  1. 200907593 十、申請專利範圍: 一種適合於在一微影裝置中使用之投影系統,該投影 統包含: y卜 一透射光學元件;及 一熱分布校正器,該熱分布校正器經組態以改變該透 射光學s件之-熱分布,該熱分布校正器包含—轉移部 件及-熱分布調節n,該轉移料可料及移出盘該透 射光學元件之鄰近區域,以將—所要熱分布自㈣㈠ 調節器轉移至該透射光學元件。 2.如請求項1之投影系統,其中該熱分布調節器包含至少一 加熱板。 3. 如請求項2之投影系統,兌中 〃平該熱分布調節器包含一對加 熱板,该對加熱板相對於彼& & ~ 、 做此而以間隔分離式配置來安 置,使得可在其間安置該轉移部件。 4. 如請求項2之投影系統,其中 加熱板或母一加熱板包含 一個別可定址電加熱器陣列。 5. 如請求項4之投影系統,其中 ^ ^ Υ °亥專個別可定址電加熱器經 配置以將熱轉移至該轉移部 ,,^ + |仵之選定離散區域。 6. 如凊求項5之投影系統,复 ^ 、遇—步包含一經組態以選擇用 於熱轉移之該等離散區域的控制界。 7. 如請求項6之投影系統,发中 °° 經圖案化輕射光束之一相位::制器經組態以相對於一 離散區域。 圖來選擇用於熱轉移之該等 8. 如請求項6之投影系統,其 、 邊控制器經組態以相對於該 130284.doc 200907593 投影系統之一模型來選擇用於熱轉 9.如請求項6之投影系統,其中該控制器安置=二。 節:中或經安置成鄰近於該熱分布調節器。'一布調 ::求項1之投影系統,其中該熱分布調節器具備一冷卻 比:請求項i之投影系統,其中該轉移部件包含複 源。
    如。月求項11之投影系統,其中該等熱源為發光二極體 CLED)、雷射二極體或超冷光二極體。 13’如清求項"之投影系統,其中該熱分布調節器包含―經 組態以定址該複數個熱源中之每一者的控制器。 a 月求項11之投影系統,其中s亥控制器經組態以相對於 一經圖案化輻射光束之一相位圖來定址該等熱源。 士吻求項1 1之投影系統,其中該控制器經組態以相對於 該投影系統之一模型來選擇該等熱源。 16·如請求項丨之投影系統,其中該轉移部件包括複數個冷卻 源。 17. 如請求項i之投影系統’其中該投影系統包含兩個透射光 學元件。 18. 如請求項丨7之投影系統,其中該轉移部件係可移動以往 返於該兩個透射光學元件之間的一位置。 19. 如請求項1之投影系統,其中該轉移部件係可移動至一與 該透射光學元件相關聯之光瞳平面上。 20. 如請求項1之投影系統,其進一步包含一第二轉移部件。 130284.doc 200907593 21.如請求項20之投影系統,其中該轉移部件及該第二轉移 部件係可移進及移出與該透射光學元件之鄰近區域,以 將-所要熱分布自該熱分布調節器轉移至該透射光學元 件中。 22. :δ,求項21之投影系統,其中該轉移部件及該第二轉移 牛係可移進及移出與該透射光學元件之鄰近區域,使 得當在與該透射光學元件之鄰近區域中時,該透射光學 凡件位於該轉移部件與該第二轉移部件之間。 23·如請求们之投影系統,其中該透射光學元件為一透鏡。 24.:凊求们之投影系統,其中該透射光學元件為對特定波 長之輻射透明之一平坦材料片。 25· 一種微影裝置,其包含: 涊明系統,該照明系統經組態以調節一輻射光束; 安支撐件’ 4支撐件經建構以支撐—圖案化器件,該 :〜化°。件此夠在该經調節輻射光束之橫截面中向該經 调:轉射光束賦予一圖案以形成一經圖案化韓射光束; 基板台’該基板台經建構以固持一基板;及 么^投影系統,該投影系統包括一透射光學元件,且經 :態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部 7刀上’該投影系統包含: '、、'77布&正益,該熱分布校正n經組n以改變該 部丰光予兀件之-熱分布’該熱分布校正器包含-轉移 ::及-熱分布調節器,該轉移部件可移進及移出與該 *先學元件之鄰近區域,以將_所要熱分布自該熱分 130284.doc 200907593 布凋節器轉移至該透射光學元件。 包 改變—透射光學元件之—熱分布之方法,該方法 件將:預定熱分布自一熱分布調節器轉移至-轉移部 將該轉移部件移動至與該透射光學元件之鄰近區域 中,以將該熱分布自該轉移部件轉移至該透射光學元件。 27.如請求項26之方法,其 3相對於該透射光學元 件之一模型來控制該熱分布調節器。 洗如請求項26之方法’其進一步包含相對於一相位圖來控 制該熱分布調節器。 29.如請求項26之方法,其中該轉移部件安置於—與該透射 光學元件相關聯之光瞳平面上。 3〇.如請求項26之方法,其中該轉移部件係可移動以往返於 一位於兩個透射光學元件之間的位置。 31. 如^求項26之方法,其包含將—預定熱分布自一熱分布 調節器轉移至兩個轉移部件。 32. 如明求項3 i之方法,其進一步包含使該兩個轉移部件移 動以往返於該透射光學元件位於該兩個轉移部件之間所 在的一位置^ 33. 如請求項26之方法’其中當韓射未透射穿過該經透射光 學7L件時’該轉移料料與制光學元件透鏡之鄰近 區域。 34. 如請求項26之方法,其中該透射光學元件為一㈣系統 130284.doc 200907593 之一部分。 3 5.如請求項34之方法,其進一步包含相對於該投影系統之 一模型來控制該熱分布調節器。 130284.doc
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8675169B2 (en) 2010-10-19 2014-03-18 Asml Netherlands B.V. Gas manifold, module for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4970498B2 (ja) * 2008-06-24 2012-07-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
EP2202581B1 (en) * 2008-12-10 2014-10-01 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and positioning apparatus
NL2003806A (en) * 2008-12-15 2010-06-16 Asml Netherlands Bv Method for a lithographic apparatus.
CN101813950B (zh) * 2009-02-23 2012-10-10 联想(北京)有限公司 一种控制设备散热的装置和具有该装置的设备
NL2004323A (en) * 2009-04-16 2010-10-18 Asml Netherlands Bv Device manufacturing method and lithographic apparatus.
KR101626737B1 (ko) * 2009-05-16 2016-06-01 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 광학 교정 배열체를 포함하는 반도체 리소그래피를 위한 투사 노광 장치
NL2004980A (en) * 2009-07-13 2011-01-17 Asml Netherlands Bv Heat transfers assembly, lithographic apparatus and manufacturing method.
NL2005449A (en) * 2009-11-16 2012-04-05 Asml Netherlands Bv Lithographic method and apparatus.
US11105686B2 (en) * 2010-05-10 2021-08-31 University of Pittshurgh-Of the Commonwealth System of Higher Education Spatial-domain low-coherence quantitative phase microscopy
DE102010061950A1 (de) * 2010-11-25 2012-05-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren sowie Anordnung zum Bestimmen des Erwärmungszustandes eines Spiegels in einem optischen System
NL2007498A (en) 2010-12-23 2012-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of modifying a beam of radiation within a lithographic apparatus.
WO2015032418A1 (en) * 2013-09-09 2015-03-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Microlithographic projection exposure apparatus and method of correcting optical wavefront deformations in such an apparatus
WO2018228820A1 (en) * 2017-06-14 2018-12-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
DE102017217121A1 (de) * 2017-09-26 2019-03-28 Robert Bosch Gmbh Anordnung eines optischen Systems und Temperierungsverfahren
WO2019081187A1 (en) * 2017-10-25 2019-05-02 Carl Zeiss Smt Gmbh METHOD FOR REGULATING THE TEMPERATURE OF A COMPONENT

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6304317B1 (en) * 1993-07-15 2001-10-16 Nikon Corporation Projection apparatus and method
JP3463335B2 (ja) * 1994-02-17 2003-11-05 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH0757993A (ja) * 1993-08-13 1995-03-03 Nikon Corp 投影露光装置
JP3395280B2 (ja) * 1993-09-21 2003-04-07 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
JPH09102454A (ja) * 1995-10-03 1997-04-15 Nikon Corp 投影露光装置
JP3006532B2 (ja) * 1997-03-26 2000-02-07 日本電気株式会社 投影露光装置
US6114671A (en) 1999-07-22 2000-09-05 Trw Inc. System for and method of controlling the temperature of an object using temperature control elements spaced from the object
DE10000191B8 (de) * 2000-01-05 2005-10-06 Carl Zeiss Smt Ag Projektbelichtungsanlage der Mikrolithographie
JP2001222099A (ja) * 2000-02-10 2001-08-17 Toshiba Corp 荷電ビーム描画装置および荷電ビーム描画方法
EP1376239A3 (en) 2002-06-25 2005-06-29 Nikon Corporation Cooling device for an optical element
JP2004134674A (ja) * 2002-10-11 2004-04-30 Toshiba Corp 基板処理方法、加熱処理装置、パターン形成方法
JP2004336026A (ja) * 2003-04-15 2004-11-25 Canon Inc 温度調節装置及びそれを有する露光装置、デバイスの製造方法
JP2004363559A (ja) * 2003-05-14 2004-12-24 Canon Inc 光学部材保持装置
EP1513017A1 (en) * 2003-09-04 2005-03-09 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005140999A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Nikon Corp 光学系、光学系の調整方法、露光装置、および露光方法
US7101816B2 (en) * 2003-12-29 2006-09-05 Tokyo Electron Limited Methods for adaptive real time control of a thermal processing system
JP5266641B2 (ja) * 2004-08-31 2013-08-21 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8675169B2 (en) 2010-10-19 2014-03-18 Asml Netherlands B.V. Gas manifold, module for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
US7692766B2 (en) 2010-04-06
KR100991209B1 (ko) 2010-11-01
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