KR20080098325A

KR20080098325A - 리소그래피 장치

Info

Publication number: KR20080098325A
Application number: KR1020080041306A
Authority: KR
Inventors: 스티븐 룩스
Original assignee: 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이.
Priority date: 2007-05-04
Filing date: 2008-05-02
Publication date: 2008-11-07
Anticipated expiration: 2028-05-02
Also published as: CN101299134A; JP4995763B2; JP2008277822A; TW200907593A; US20080273180A1; US7692766B2; CN101299134B; KR100991209B1; TWI476536B

Abstract

리소그래피에서 사용하기에 적절한 투영 시스템이 개시되고, 투영 시스템은 투과 광학 요소 및 투과 광학 요소의 열 프로파일을 변화시키도록 구성된 열 프로파일 보정기를 포함하며, 열 프로파일 보정기는 전달 부재 및 열 프로파일 컨디셔너를 포함하고, 전달 부재는 열 프로파일 컨디셔너로부터 투과 광학 요소로 원하는 열 프로파일을 전달하기 위해 투과 광학 요소에 근접하고 멀어지게 이동가능하다.

Description

리소그래피 장치{LITHOGRAPHIC APPARATUS}

본 발명은 리소그래피 장치에 대한 투영 시스템, 리소그래피 장치 및 방법에 관한 것이다.

리소그래피 장치는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층에 대응하는 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있으며, 이 패턴은 방사선-감응재(레지스트)층을 갖는 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상에 이미징(imaging)될 수 있다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 노광되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다.

IC 제작시, 마이크로프로세서 속력, 메모리 패킹 밀도(packing density) 및 마이크로전자 구성요소들에 대한 저전력 소비의 지속적인 개선점들은 리소그래피 장치에 의해 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)로부터 기판으로 전사되는 패턴들의 지속적인 크기 감소를 필요로 한다. 하지만, 집적 회로의 크기가 감소되고 그 밀도가 증가함에 따라, 그것의 대응하는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크) 패턴의 CD(임계 치수)는 리소그래피 장치의 분해능 한계에 접근한다. 리소그래피 장치에 대한 분해능은, 노광 툴이 기판(예를 들어, 웨이퍼) 상에서 반복적으로 노광할 수 있는 최소 피처로서 정의된다. 리소그래피 장치의 분해능 한계를 연장하기 위하여, 분해능 향상 기술들로서 알려진 다양한 기술들이 적용되었다.

분해능을 개선하는 한가지 기술로 오프액시스 조명(off-axis illumination)이 있다. 이 기술을 이용하여, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)가 분해능을 개선시킬 수 있는 선택된 비수직 각도(non-perpendicular angle)로 조명되고, 특히 초점 심도 및/또는 콘트라스트(contrast)를 증가시킴으로써 공정 래티튜드(process latitude)를 개선시킨다. 대상물 평면인 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크) 평면에서의 방사선 빔의 각도 분포는 리소그래피 장치의 광학 장치들의 퓨필 평면 내에서의 방사선 빔의 공간 분포에 대응한다. 전형적으로, 퓨필 평면 내의 공간 분포의 형상은 조명 모드로서 언급된다. 하나의 알려진 조명 모드로는 환형(annular)이 있으며, 여기에서 광학 축선 상의 종래의 0 차 스폿은 고리 모양(ring-shaped)의 세기 분포로 변화된다. 또 다른 모드는 광학 축선 상에 있지 않은 수 개의 스폿들 또는 빔들이 생성되는 다중극 조명(multipole illumination)이다. 다중극 조명 모드 들의 예로는 2 개의 극(pole)을 포함한 다이폴(dipole) 및 4 개의 극을 포함한 쿼드러폴(quadrupole)이 있다. 다이폴 및 쿼드러폴과 같은 조명 모드들에 대해, 퓨필 평면 내의 극들의 크기는 퓨필 평면의 전체 표면에 비해 매우 작을 수 있다. 결과적으로, 기판을 노광하는데 사용되는 모든 방사선은 단지 이 극들의 위치들에서 퓨필 평면에서의 또는 그 부근에서의 다양한 광학 요소들을 가로지른다. 광학 요소는, 예를 들어 렌즈 요소일 수 있다. 렌즈 요소를 가로지른 방사선의 일부는 요소에 의해 흡수된다. 이는 방사선 빔에 의한 요소의 비균일한 가열을 초래하여, 렌즈 요소의 변형 및 굴절률의 국부적인 변화를 유도한다. 이 렌즈 요소의 변형 및 굴절률의 국부적인 변화는 투영 시스템에 의해 레지스트층 상에 투영되는 이미지의 왜곡 및 광학 수차(optical aberration)들을 발생시킨다. 대안적으로 또는 추가적으로, 렌즈들의 변형 및 굴절률의 국부적인 변화들은 에이징(aging)의 징후일 수 있다.

예를 들어, 본 명세서에서 확인되든지 다른 경우에 확인되든지, 종래 기술의 문제점들 중 1 이상을 제거하거나 완화하는 리소그래피 장치 및 방법을 제공하는 것이 바람직하다.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 리소그래피 장치에서 사용하기에 적절한 투영 시스템이 제공되고, 상기 투영 시스템은 1 이상의 투과 광학 요소를 포함하며, 상기 투영 시스템에는 투과 광학 요소의 열 프로파일의 변화를 초래하도록 구성된 열 프로파일 보정기(thermal profile corrector)가 제공되고, 상기 열 프로파일 보정기는 전달 부재(transfer member) 및 열 프로파일 컨디셔너(thermal profile conditioner)를 포함하며, 상기 전달 부재는 열 프로파일 컨디셔너로부터 투과 광학 요소로 원하는 열 프로파일을 전달하기 위해, 투과 광학 요소에 근접하고 멀어지게 이동가능하다.

본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면: 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템; 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해, 컨디셔닝된 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체; 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및 1 이상의 투과 광학 요소가 제공되고 기판의 타겟부 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함한 리소그래피 장치가 제공되며, 상기 투영 시스템에는 투과 광학 요소의 열 프로파일의 변화를 초래하도록 구성된 열 프로파일 보정기가 제공되고, 상기 열 프로파일 보정기는 전달 부재 및 열 프로파일 컨디셔너를 포함하며, 상기 전달 부재는 열 프로파일 컨디셔너로부터 투과 광학 요소로 원하는 열 프로파일을 전달하기 위해, 투과 광학 요소에 근접하고 멀어지게 이동가능하다.

본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 투과 광학 요소의 열 프로파일의 변 화를 초래하는 방법이 제공되고, 이는: 열 프로파일 컨디셔너로부터 전달 부재로 사전설정된 열 프로파일을 전달하는 단계, 및 전달 부재로부터 투과 광학 요소 장치로 열 프로파일을 전달하기 위해, 투과 광학 요소에 근접하게 전달 부재를 이동시키는 단계를 포함한다.

본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급될 수 있지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.

본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV)방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.

본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.

패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다; 이러한 방식으로, 반사된 빔이 패터닝된다.

지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지한다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 기계적 클램핑, 진공, 또는 다른 클램핑 기술들, 예를 들어 진 공 조건들 하에서의 정전기 클램핑을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있고, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.

본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 유체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절 광학 시스템, 반사 광학 시스템, 및 카타디옵트릭(catadioptric) 광학 시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.

또한, 조명 시스템은 방사선 빔을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 및 카타디옵트릭 광학 구성요소를 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있으며, 이러한 구성요소들은 아래에서 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급될 수도 있다.

리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 지지 구조체)를 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.

또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채 우기 위해서, 기판이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물에 침지되는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)와 투영 시스템의 최종 요소 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다.

도 1은 본 발명의 특정 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는 방사선 빔(PB)(예를 들어, UV 방사선)을 컨디셔닝하는 조명 시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하고, 아이템(PL)에 대해 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키는 제 1 위치설정 디바이스(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 아이템(PL)에 대해 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정 디바이스(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(PB)에 부여된 패턴을 이미징하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈)(PL); 및 투영 시스템(PL)의 투과 광학 요소(예를 들어, 렌즈)들의 열 프로파일의 변화를 초래하거나 이를 변화시키도록 구성된 열 프로파일 보정기(100)를 포함한다.

본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.

일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 칭해질 수 있다.

상기 일루미네이터(IL)는 특히 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하도록 구성된 조정기(AM)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖는 컨디셔닝된 방사선 빔(PB)을 제공한다.

상기 방사선 빔(PB)은 지지 구조체(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사된다. 상기 패터닝 디바이스(MA)를 가로질렀으면, 상기 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포 커스한다. 제 2 위치설정 디바이스(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 상기 빔(PB)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정 디바이스(PM) 및 또 다른 위치 센서(도 1에 명확히 도시되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 상기 빔(PB)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 대상물 테이블들(MT 및 WT)의 이동은, 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 위치설정 디바이스(PM 및 PW)의 일부분을 형성한다. 하지만, (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 지지 구조체(MT)는 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다.

도시된 장치는 다음의 바람직한 모드들에서 사용될 수 있다:

1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 상기 빔(PB)에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서 노광 필드의 최대 크기는, 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.

2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 상기 빔(PB)에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PL)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.

3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 상기 빔(PB)에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.

또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.

도 2a는 일루미네이터 또는 투영 시스템 내의 퓨필 평면(21)에서의 방사선 빔의 세기 분포의 일 예시를 나타낸다. 방사선 빔의 세기 분포는 2 개의 극(22 및 23)을 포함하여, 방사선 빔의 대부분의 방사선이 퓨필 평면을 가로지르는 퓨필 평면의 단면부를 정의한다[극들의 에지에서의 산란(scattering) 및/또는 페이딩(fading)으로 인해 일부 방사선은 손실됨]. 도 2b는 4 개의 극(25, 26, 27 및 28)을 포함하는 퓨필 평면(24)에서의 세기 분포의 제 2 예시를 나타낸다. 다음 설명에서, 퓨필 평면에서의 방사선 빔의 세기 분포는 조명 모드라고 언급된다. 도 2a에 나타낸 세기 분포는 다이폴 조명 모드라고 칭한다. 도 2b에 나타낸 세기 분포는 쿼드러폴 조명 모드라고 칭한다.

방사선 빔이 굴절 렌즈 요소[예를 들어, 도 1의 투영 시스템(PL)의 렌즈]를 가로지름에 따라, 렌즈 요소에 의해 방사선 빔의 작은 부분이 흡수된다. 렌즈 요소에 의한 방사선 빔의 흡수는 렌즈 요소가 가열되게 한다. 렌즈 요소의 가열은 흡수 위치에서의 렌즈 요소의 굴절률의 변화 및 렌즈 요소의 변형을 유도한다. 방사선 빔이 렌즈 요소를 균일하게 가로지르는 위치에 위치된 렌즈 요소들에 대해서는, 흡수가 렌즈 요소의 균일한 가열 및 굴절률의 균일한 변화를 유도한다. 퓨필 평면에, 또는 그 부근에 위치된 렌즈 요소들에 대해, 방사선 빔이 렌즈 요소를 가로지르는 렌즈 요소의 단면부는 적용된 조명 모드에 의존한다. 다이폴 및 쿼드러폴과 같은 조명 모드들에 대해, 렌즈 요소는 렌즈 요소의 표면을 가로질러 방사선을 불균일하게 흡수한다. 투영 시스템 내의 1 이상의 렌즈 요소에 있어서 굴절률의 국부적인 변화들 및 변형은 렌즈 요소들을 가로지르는 방사선 빔의 상이한 부분들에 있어서 광학 경로 길이의 변화를 유도한다. 그 광학 경로 길이들이 다르기 때문에, 방사선 빔의 부분들은 레티클 레벨에서의 대상물 이미지에 대해 왜곡되는 기판 레벨에서의 이미지로 재조합(recombine)한다.

도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 (도 1에 나타낸) 열 프로파일 보정기(100)는 열 전달 부재(heat transfer member: 102) 및 열 프로파일 컨디셔너(104)를 포함한다. 열전달 부재(102)는 판형(plate-like shape)이다. 열 전달 부재(102)는 그 위에 또는 그 안에 열 프로파일이 확립되면서 그 표면으로부터 (예를 들어, 렌즈 장치의 렌즈들 상으로/내로) 열이 쉽게 소산(dissipate)될 수 있도록 구성된다. 그러므로, 열 전달 부재(102)는 전도성(예를 들어, 구리와 같은 금속) 요소들의 매트릭스로부터 알맞게 형성되어, 상기 열 전달 부재(102)로부터 열이 쉽게 흡수되고 소산될 수 있다. 상기 요소들은 각각 열 절연체(thermal insulator)에 의해 둘러싸일 수 있으며, 이는 각각의 요소들을 열적으로 서로 격리시켜서 열 프로파일이 확립되게 한다.

열 전달 부재(102)는 렌즈 장치(108)의 렌즈들 사이에서 배치할 수 있는 치수로 만들어진다. 렌즈 장치(108)는 도 1에 나타낸 투영 시스템(PL)의 일부분을 형성한다. 열 전달 부재는 렌즈 장치(108)와 연계된 퓨필 평면(106) 상에, 또는 그 부근에, 또는 (아래 설명되는 바와 같이) 열 전달 부재(102)에 의해 렌즈들이 가열될 수 있도록 렌즈 장치(108)의 렌즈들에 근접한 여하한의 다른 적절한 위치에 배치될 수 있다.

열 프로파일 컨디셔너(104)는 열 전달 부재(102)가 그 사이에 배치되게 하도록 서로 충분히 이격되면서, 가열판들(110 및 112)과 그에 인접하여 배치된 열 전달 부재(102)의 각 표면들 간에 열 전달을 허용하도록 서로 충분히 가까운 한 쌍의 가열판(heating plate: 110 및 112)을 포함한다. 열 프로파일 컨디셔너(104)는 2 개의 가열판(110 및 112)을 갖는 것으로 설명된다. 하지만, 당업자라면 이해할 수 있는 바와 같이, 본 발명의 수행함에 있어서 대안적으로 단일 가열판을 갖는 열 프로파일 컨디셔너(104)가 사용될 수도 있다.

또한 도 4를 참조하면, 각각의 가열판(110 및 112)은 열 전달 부재(102)에 있어서 선택된 별개의 국부적인 구역들을 가열하도록 배치된 개별적으로 어드레싱가능한 전기 가열기(individually addressable electrical heater: 116)들을 갖는 가열 어레이(114)를 포함한다. 도면은 단지 예시를 위해 9 개의 전기 가열기들의 어레이를 나타낸다. 실제로, 전기 가열기들의 개수는 예를 들어 128 또는 256 개의 가열기들과 같이 상당히 더 많을 수 있다. 전기 가열기(116)들은 도체(120)들을 통해 제어 유닛(118)에 전기적으로 연결된다. 사용시, 제어 유닛(118)은 독립적으로 사전설정된 열 프로파일을 정의하기 위해, 각각의 전기 가열기(116)의 열 소산을 조정하도록 구성된다.

렌즈 장치(108)에 있어서, 퓨필 평면에서의 위치의 함수로서 광학 경로 길이 변동은 표면 프로파일에 의해 설명될 수 있으며, 위상 맵(phase map)이라고 언급된다. 알려진 간섭계 장치를 이용하여 렌즈 장치의 퓨필 평면에서 (또는 다른 적절한 부분에서) 방사선 빔의 위상 맵을 측정함으로써, 방사선 빔의 상이한 부분들에 있어서 광학 경로 길이들의 원하는 보정이 얻어질 수 있다. 퓨필 평면에서 위상 맵을 측정함으로써 광학 경로 길이 변화를 직접 결정하는 단계는, 결정되고 적용될 정확한 보정을 위해 제공된다. 이러한 측정들은, 리소그래피 장치가 연속적인 작동 중 이 아니거나, 또는 리소그래피 장치가 상이한 조명 모드들을 갖는 세팅들에서 후속하여 작동되는 주기들 동안 수행되어, 연속적으로 변화하는 위상 맵을 생성할 수 있다. 종래의 리소그래피 툴들에는 파면(wave front)의 인시츄(in-situ) 측정을 위해 기판 지지체 수단들에, 또는 그 부근에 배치된 간섭계 파면 측정 시스템 포함하는 알려진 센서가 장착될 수 있다.

제어 유닛(118)은 측정된 위상 맵에 관련된 가열기(116)들을 어드레싱하도록 구성된다. 사용시, 간섭계 장치를 이용하여 위상 맵이 측정된다. 위상 맵은 렌즈 장치(108)를 가로지르는 방사선 빔의 상이한 서브-빔들의 위상 변화들을 제공한다. 이들은 조사 유도된 광학 경로 길이차(irradiation induced optical path length difference)들의 원하는 보정을 결정하는데 사용된다. 렌즈 장치(108)에 대한 굴절률의 원하는 변화는 위상 맵에서 결정된 대응하는 위상 변화로부터 계산된다. 후속하여, 열 전달 부재와 렌즈 장치 사이에서 요구되는 열 전달을 초래하여 렌즈 장치의 열 프로파일 및 그에 따른 그 굴절률 프로파일의 변화를 초래하기 위해, 각각의 전기 가열기(116)로부터 소산되는 열의 양이 계산된다. 그 후, 계산된 양의 열을 소산하기 위해 제어 유닛(118)에 의해 각각의 전기 가열기(116)가 개별적으로 어드레싱된다. 각각의 전기 가열기로부터 소산될 열의 양은 시간의 세트 주기 내에 열 전달 부재와 렌즈 장치 사이에서 특정 수의 줄(Joule)의 전달을 초래하도록 계산된다.

각각의 채택된 조명 모드에 대해 한번 위상 맵이 결정되고 보정들이 적용될 수 있다. 대안적으로, 렌즈 장치에 대해 주기적으로 위상 맵이 결정되고 보정들이 적용될 수 있다. 대안적으로, 예를 들어 기판들의 노광 사이, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)를 변화시키거나, 기판(예를 들어, 웨이퍼) 뱃치(batch)를 변화시키는 경우, 또는 리소그래피 장치의 루틴 캘리브레이션(routine calibration) 동안과 같이 리소그래피 장치가 작동 중이 아닌 주기 동안 또는 다른 시간 구간들에서 렌즈 장치에 대해 위상 맵이 결정되고 보정들이 적용될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 제어 유닛(118)은 적용된 조명 모드들의 히스토리(history)에 관한 전기 가열기(116)들을 어드레싱할 수 있다. 대안적으로, 렌즈들 내의 수차에 의해 야기된 방사선 빔 내의 불규칙들의 보정이 패터닝된 기판들의 전체 스루풋보다 더 중요할 수 있다. 이 경우, 특정[예를 들어, 보수(maintenance)] 주기들에서 렌즈들에 대해 위상 맵이 계산되고 보정들이 적용될 수 있다.

대안적으로, 위상 맵은 적용된 조명 모드로부터 도출될 수 있다. 위상 맵의 계산은 종래의 레이-트레이싱 소프트웨어(ray-tracing software)를 이용하여 수행되고, 이에 따라 제어 유닛(118)을 통해 전기 가열기(116)들에 적용될 수 있다.

계산된 열은 전기 가열기(116)들로부터 소산되고, 열 전달 부재(102)로 전달된다. 도면들에 나타낸 실시예들은 2 개의 가열판(110 및 112)을 갖는다는 것을 이해할 것이다. 하지만, 열 프로파일 컨디셔너(104)와 열 전달 부재(102) 간의 열 전달은 대안적으로 하나의 가열판만을 이용하여 초래될 수도 있다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 열 전달 부재(102)는 후속하여 이동되며 렌즈 장치(108)의 퓨필 평면(106) 상에 배치된다. 이 위치에서, 사전설정된 시간 주기에서 사전설정된 필요한 수의 줄이 전달되도록 열 전달 부재(102)의 별개의 국부적인 부분들과 렌즈 장 치(108)의 렌즈들 간에 열이 전달되어, 렌즈 장치(108)의 렌즈들의 열 프로파일을 변화시키고, 그 결과 그 굴절률 프로파일을 변경시킨다.

또한 도 6을 참조하면, 열 전달 부재(102)는 도 3 및 도 5에 나타낸 바와 같이 직립 부재(upright member: 124)로의 연결을 위한 암(arm: 122)을 갖는다. 또한, 열 전달 부재는 냉각 링의 형태로, 열 전달 부재의 벌크 온도(bulk temperature)를 조절하도록 구성된 냉각기(cooler: 138)를 갖는다. 또한, 도 6은 열 프로파일 컨디셔너(104)의 전기 가열기들에 의해 가열된 열 전달 부재의 별개의 국부적인 구역들(126)의 일 예시를 나타낸다.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 열 프로파일 보정기(100)의 평면도를 나타낸다. 전기 가열기(116)들로부터 열 전달 부재(102)로의 계산된 열의 전달에 뒤이어, 열 전달 부재는 직립 부재(124)의 세로 축선(125)을 중심으로 열 전달 부재(102)를 회전시켜 열 프로파일 컨디셔너(104)로부터 렌즈 장치(108)로 열 전달 부재(102)를 옮김으로써, 열 프로파일 컨디셔너로부터 렌즈 장치의 퓨필 평면 상으로 이동된다.

도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 열 프로파일 보정기(200)는 열 전달 부재(202)를 포함한다. 열 전달 부재는 도 3과 유사한 형상이고, 제 1 표면(228) 및 제 2 표면(230)을 갖는다. 표면들 중 하나 또는 둘 모두는 그 위에, 예를 들어 LED(Light Emitting Diode), 레이저 다이오드 또는 초발광 다이오드(super luminescent diode) 열 소스들과 같은 열 소스(232)들의 어레이를 배치하였다. 또한, 열 프로파일 보정기(200)는 데이터 케이블(236)들을 통해 위상 맵에 관한 열 소스들을 개별적으로 어드레싱함으로써 열 소스(232)들을 작동시키는 제어기(234)의 형태로 열 프로파일 컨디셔너를 포함한다. 그때, 열 전달 부재(232)는 도 3에 나타낸 실시예에 대하여 설명된 바와 같이 렌즈 장치의 퓨필 평면 상에 배치되고, 원하는 열 프로파일이 렌즈 장치로 전달되어 그 굴절률 프로파일을 보정한다. 도 3의 실시예에 관하여 설명된 바와 같이, 열 전달 부재(202)는 추가적으로 열 전달 부재(202)의 벌크 온도를 조절하기 위해 냉각 루프의 형태로 냉각기(238)를 가질 수 있다. 또한, 제어기(234)는 냉각기(238)도 제어한다.

앞서 설명된 실시예들에서, 열 프로파일 컨디셔너(104)는 열 전달 부재(102)의 선택된 별개의 국부적인 구역들을 가열하도록 배치된 가열기(116)들의 어레이를 포함할 수 있다. 가열 대신에, 전달 부재(102)의 냉각이 채택될 수 있다. 예를 들어, 가열기(116)들 대신에, 열 전달 부재(102)의 부분들을 선택적으로 냉각시키기 위해 냉각 소스들의 어레이가 채택될 수 있다. 냉각 소스들은, 냉각된 가스 또는 액체, 또는 금속판, 와이어 등을 냉각시키는데 사용되는 여하한의 다른 적절한 냉각 수단들을 이용하여, 선택적으로 냉각된 금속판, 와이어(wire) 등의 형태로 제공될 수 있다.

도 8의 앞서 설명된 실시예에서, 예를 들어 렌즈 장치의 렌즈들의 선택된 부분들을 가열하도록 구성된 복수의 열 소스들이 제공되는 열 전달 부재(202)가 도시된다. 그 대신에, 전달 부재(202)에는 예를 들어 렌즈 장치의 렌즈들의 선택된 부분들을 냉각시키도록 구성된 복수의 냉각 소스들이 제공될 수 있다.

열 전달 부재의 부분들이 냉각될 수 있는 반면, 열 전달 부재에 열 프로파일 을 제공하기 위해 다른 것들이 가열될 수 있다. 렌즈 장치로부터 열이 추출된다는 점에서, 렌즈 장치로의 전체 에너지(열) 전달은 음(negative)일 수 있다. 이는, 열 전달 부재의 부분들이 렌즈 장치의 주위 온도(ambient temperature)보다 더 차갑게 되고, 이 냉각된 부분들의 전체 냉각 효과가 전달 부재의 가열된 부분들의 전체 가열 효과보다 더 클 것을 보장함으로써 달성될 수 있다. 렌즈 장치로부터 열이 추출되는 경우, 렌즈 장치가 가질 수 있는 여하한의 수차들을 감소시키기 위해 그 열 프로파일의 더 정확한 제어가 달성될 수 있다.

앞서 설명된 실시예들에서, 투영 시스템(PL)은 렌즈 장치(108)를 포함하는 것으로 설명되었다. 다른 투과 광학 요소들, 예를 들어 여하한의 적절한 굴절 또는 회절 광학 요소가 렌즈 대신에, 또는 추가하여 채택될 수 있다. 렌즈는 광 파워(optical power)를 갖지 않을 수 있으며, 예를 들어 평탄한 유리 또는 소정(예를 들어, UV) 파장들의 방사선에 투명한 다른 재료일 수 있다.

앞선 실시예들에서, 열 프로파일은 방사선 빔의 위상 맵에 관하여 제어되는 것으로 설명되었다. 이는 필수적이지 않다. 그 대신에, 렌즈 장치(예를 들어, 투영 시스템)가 상기 장치 내의 렌즈들의 어느 부분들이 그에 적용되는 열 프로파일을 가져야할지, 그리고 그 열 프로파일이 무엇이어야 하는지를 결정하도록 모델링(model)될 수 있다. 열 프로파일은 이 모델에 따라 확립되고 렌즈 장치의 렌즈들에 적용될 수 있다. 또한, 열 프로파일은 이전에 적용된 조명 모드, 노광 패턴 등에 대해 알려진 또는 계산된 열 프로파일들의 히스토리에 관하여 상기 장치의 렌즈들에 적용될 수도 있다.

앞서 설명된 실시예들에서, 열 전달 부재는 렌즈 장치의 렌즈들 사이의 위치로, 그리고 그 위치로부터 이동가능한 것으로 설명되었다. 렌즈 장치와 연계된 퓨필 평면 상으로, 또는 그 안으로 열 전달 부재를 이동시키는 것이 바람직할 수 있다. 하지만, 이는 필수적이지 않으며, 열 전달 부재는 렌즈 장치의 렌즈들 사이의 어떠한 위치로도, 그리고 그로부터 이동가능할 수 있다.

앞서 설명된 실시예들에서, 열 전달 부재는 렌즈 장치의 렌즈들 양쪽 모두를 가열하기 위해 렌즈 장치의 렌즈들 사이의 위치로, 그리고 그 위치로부터 이동가능한 것으로 설명되었다. 열 전달 부재의 한쪽만 그에 적용된 열 프로파일을 가져야 하거나, 또는 열 전달 부재의 한쪽에만 열 소스들이 제공되어야 한다는 것을 의미하여, 렌즈 장치의 하나의 렌즈만을 가열시키는 것이 바람직하거나 더 나을 수 있다. 그것은 상이한 열 프로파일들이 열 전달 부재의 상이한 면들에 적용되어야 한다는 것일 수도 있다. 열 전달 부재를 통한 전도에 의해 상이한 프로파일이 함께 통합(merge)하는 것을 방지하기 위하여, 그 면들 중 하나를 다른 면과 분리하도록 절연성 또는 열 반사층(heat reflecting layer)이 열 전달 부재 내에 제공될 수 있다.

렌즈 장치의 렌즈들 사이의 위치로, 그리고 그 위치로부터 이동가능한 대신에, 열 전달 부재는 열 전달 요소에 의해 렌즈가 둘러싸이게 하는 위치로, 그리고 그 위치로부터 이동가능하도록 구성될 수 있다. 이러한 구성은 도 9에 도시된다. 도 9에서, 열 전달 부재(300)는 2 부분: 상부 열 전달 부재(310) 및 하부 열 전달 부재(320)를 포함한다(그렇지만, 2 부분들은 서로 통합될 수 있다는 것, 즉 단일 열 전달 부재를 형성한다는 것을 이해할 것이다). 열 전달 부재(300)가 렌즈(330)를 둘러싸도록 위치되었다는 것을 알 수 있다. 이는 렌즈(330)의 열 프로파일의 더 정확한 제어를 허용하여, 이에 따라 방사선 빔의 투과에 의한 렌즈(330)의 불규칙한 가열에 의해 야기된 수차들을 보정하게 할 수 있다.

렌즈(330)에 직면하는 열 전달 부재(300)의 면들은 렌즈(330)로 전달되어야 하는 열 프로파일을 가질 수 있다. 열 프로파일은 렌즈(330)에 직면할 열 전달 부재(300)의 면들을 가열함으로써, 또는 (앞서 설명된 바와 같이) 그 면들 상에 제공된 열 소스들을 어드레싱함으로써 확립될 수 있다. 렌즈(330)에 직면하지 않는 면들에는 절연 및/또는 열 반사층이 제공되어, 열 전달 부재(300)에 의해 소산된 열이 다른 렌즈들(도시되지 않음), 예를 들어 도면의 렌즈(330) 위아래의 렌즈들의 방향으로 소산되지 않게 할 수 있다.

열 전달 부재는 여하한의 적절한 방식으로 이동가능할 수 있다. 예를 들어, 열 전달 부재는 위치 안과 밖으로 회전되거나, 선형 방식(linear fashion)으로 이동가능할 수 있으며, 또는 둘을 조합하여 이동가능할 수 있다.

이상 본 발명의 특정 실시예들이 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 상기 서술내용은 본 발명을 제한하려는 것이 아니며, 본 발명은 다음의 청구항들에 의해 정의된다.

이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하는 도면;

도 2a는 퓨필 평면에서의 방사선 빔의 다이폴 세기 분포를 개략적으로 도시하는 도면;

도 2b는 퓨필 평면에서의 방사선 빔의 쿼드러폴 세기 분포를 개략적으로 도시하는 도면;

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른, 열 프로파일 컨디셔너와 열 전달 부재 간에 열을 전달하도록 배치된 열 프로파일 보정기를 개략적으로 도시하는 도면;

도 4는 도 3의 열 프로파일 보정기의 열 프로파일 컨디셔너 상에 배치된 전기 가열기들의 어레이를 개략적으로 도시하는 도면;

도 5는 열 전달 부재와 렌즈 장치 간에 열을 전달하도록 배치된 도 3의 열 프로파일 보정기를 개략적으로 도시하는 도면;

도 6은 도 3의 열 프로파일 컨디셔너의 열 전달 부재를 개략적으로 도시하는 도면;

도 7은 도 3의 열 프로파일 보정기의 개략적인 평면도;

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 열 프로파일 보정기를 개략적으로 도시하는 도면; 및

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 열 프로파일 보정기를 개략적으로 도시하는 도면이다.

Claims

리소그래피 장치에서 사용하기에 적절한 투영 시스템에 있어서:

투과 광학 요소(transmissive optical element); 및

상기 투과 광학 요소의 열 프로파일을 변화시키도록 구성된 열 프로파일 보정기(thermal profile corrector)를 포함하여 이루어지고, 상기 열 프로파일 보정기는 전달 부재(transfer member)와 열 프로파일 컨디셔너(thermal profile conditioner)를 포함하며, 상기 전달 부재는 상기 열 프로파일 컨디셔너로부터 상기 투과 광학 요소로 원하는 열 프로파일을 전달하기 위해 상기 투과 광학 요소에 근접하고 멀어지게 이동가능한 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 열 프로파일 컨디셔너는 1 이상의 가열판(heating plate)을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 2 항에 있어서,

상기 열 프로파일 컨디셔너는, 상기 열 전달 부재가 그 사이에 배치가능하도록 서로에 대해 떨어져 이격된 구성으로 배치된 한 쌍의 가열판을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 2 항에 있어서,

상기 또는 각각의 가열판은 개별적으로 어드레싱가능한 전기 가열기(individually addressable electrical heater)들의 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 4 항에 있어서,

상기 개별적으로 어드레싱가능한 전기 가열기들은 상기 전달 부재의 선택된 별개의 구역들에 열을 전달하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 5 항에 있어서,

열 전달을 위한 상기 별개의 구역들을 선택하도록 구성된 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 6 항에 있어서,

상기 제어기는 패터닝된 방사선 빔의 위상 맵(phase map)에 관하여, 열 전달을 위한 상기 별개의 구역들을 선택하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 6 항에 있어서,

상기 제어기는 상기 투영 시스템의 모델(model)에 관하여, 열 전달을 위한 상기 별개의 구역들을 선택하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 6 항에 있어서,

상기 제어기는 상기 열 프로파일 컨디셔너 내에, 또는 그에 인접하여 배치되는 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 열 프로파일 컨디셔너에 냉각 소스(cooling source)가 제공되는 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 전달 부재는 복수의 열 소스(heat source)들을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 11 항에 있어서,

상기 열 소스들은 LED(Light Emitting Diode), 레이저 다이오드 또는 초발광 다이오드(super luminescent diode)인 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 11 항에 있어서,

상기 열 프로파일 컨디셔너는 상기 복수의 열 소스들 각각을 어드레싱하도록 구성된 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 11 항에 있어서,

상기 제어기는 패터닝된 방사선 빔의 위상 맵에 관하여, 상기 열 소스들을 어드레싱하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 11 항에 있어서,

상기 제어기는 상기 투영 시스템의 모델에 관하여, 상기 열 소스들을 선택하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 전달 부재는 복수의 냉각 소스들을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 투영 시스템은 2 개의 투과 광학 요소들을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 17 항에 있어서,

상기 전달 부재는 상기 2 개의 투과 광학 요소들 사이의 위치로, 그리고 그 위치로부터 이동가능한 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 전달 부재는 상기 투과 광학 요소와 연계된 퓨필 평면 상으로 이동가능한 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 1 항에 있어서,

제 2 전달 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 20 항에 있어서,

상기 전달 부재 및 상기 제 2 전달 부재는 상기 열 프로파일 컨디셔너로부터 상기 투과 광학 요소로 원하는 열 프로파일을 전달하기 위해, 상기 투과 광학 요소에 근접하고 멀어지게 이동가능한 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 21 항에 있어서,

상기 전달 부재 및 상기 제 2 전달 부재는, 상기 투과 광학 요소에 근접하는 경우에 상기 투과 광학 요소가 상기 전달 부재와 상기 제 2 전달 부재 사이에 위치되도록 상기 투과 광학 요소에 근접하고 멀어지게 이동가능한 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 투과 광학 요소는 렌즈인 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 투과 광학 요소는 소정 파장들의 방사선에 대해 투명한 평탄한 재료인 것을 특징으로 하는 투영 시스템.
리소그래피 장치에 있어서,

방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템;

패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해, 컨디셔닝된 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체;

기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및

투과 광학 요소를 포함하고, 상기 기판의 타겟부 상에 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함하여 이루어지고, 상기 투영 시스템은

상기 투과 광학 요소의 열 프로파일을 변화시키도록 구성된 열 프로파일 보정기를 포함하며, 상기 열 프로파일 보정기는 전달 부재 및 열 프로파일 컨디셔너를 포함하고, 상기 전달 부재는 상기 열 프로파일 컨디셔너로부터 상기 투과 광학 요소로 원하는 열 프로파일을 전달하기 위해, 상기 투과 광학 요소에 근접하고 멀어지게 이동가능한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
투과 광학 요소의 열 프로파일을 변화시키는 방법에 있어서:

열 프로파일 컨디셔너로부터 전달 부재로 사전설정된 열 프로파일을 전달하는 단계; 및

상기 전달 부재로부터 상기 투과 광학 요소 장치로 상기 열 프로파일을 전달하기 위해, 상기 투과 광학 요소에 근접하게 상기 전달 부재를 이동시키는 단계를 포함하여 이루어지는 열 프로파일 변화 방법.
제 26 항에 있어서,

상기 투과 광학 요소의 모델에 관하여, 상기 열 프로파일 컨디셔너를 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열 프로파일 변화 방법.
제 26 항에 있어서,

위상 맵에 관하여, 상기 열 프로파일 컨디셔너를 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열 프로파일 변화 방법.
제 26 항에 있어서,

상기 전달 부재는 상기 투과 광학 요소와 연계된 퓨필 평면 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 열 프로파일 변화 방법.
제 26 항에 있어서,

상기 전달 부재는 2 개의 투과 광학 요소들 사이에 위치된 위치로, 그리고 그 위치로부터 이동가능한 것을 특징으로 하는 열 프로파일 변화 방법.
제 26 항에 있어서,

상기 열 프로파일 컨디셔너로부터 2 개의 전달 부재로 사전설정된 열 프로파일을 전달하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열 프로파일 변화 방법.
제 31 항에 있어서,

상기 투과 광학 요소가 상기 2 개의 전달 부재들 사이에 위치되는 위치로, 그리고 그 위치로부터 상기 2 개의 전달 부재들을 이동시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열 프로파일 변화 방법.
제 26 항에 있어서,

상기 전달 부재는 상기 투과 광학 요소를 통해 방사선이 전달되지 않는 경우에 상기 투과 광학 요소에 근접하게 이동되는 것을 특징으로 하는 열 프로파일 변화 방법.
제 26 항에 있어서,

상기 투과 광학 요소는 투영 시스템의 일부분인 것을 특징으로 하는 열 프로파일 변화 방법.
제 34 항에 있어서,

상기 투영 시스템의 모델에 관하여, 상기 열 프로파일 컨디셔너를 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열 프로파일 변화 방법.